JP2006080123A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】狭い空隙部を有して接合された固体撮像素子ウェーハと透明ガラス板とで構成された固体撮像装置集合体の透明ガラス板を研削切断するにあたり、ガラス破片によるウェーハの損傷を防止することの出来る研削方法を提供し、歩留まりの高い固体撮像装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ウェーハ11に多数の固体撮像素子11Aを形成する工程と、透明平板12に個々の固体撮像素子11Aを囲む形状の封止層13を形成する工程と、透明平板12の封止層13同士の間に、封止層13と同一厚さのリブ層15を形成する工程と、ウェーハ11と透明平板12とを位置合わせする工程と、ウェーハ11と透明平板12とを接合する工程と、透明平板12に研削加工を施し、個々の固体撮像素子11Aに対応させて透明平板12を分割する工程と、ウェーハ11を個々の固体撮像素子11Aに対応させて分割する工程とで構成した。
【選択図】 図1

Description

本発明は、固体撮像装置の製造方法に関し、特にウェーハレベルで一括製造された多数のチップサイズパッケージ(CSP)タイプの固体撮像装置を個々に分割する固体撮像装置の製造方法に関する。
デジタルカメラや携帯電話に用いられるCCDやCMOSからなる固体撮像装置は、益々小型化が要求されている。このため、固体撮像素子チップ全体をセラミックス等のパッケージに気密封止した従来の大型パッケージから、最近では固体撮像素子チップの大きさと略等しい大きさのチップサイズパッケージ(CSP)タイプに移行しつつある。
このような中で、固体撮像素子チップの受光エリアのみに対し、下面縁部に枠部(スペーサ)を一体形成した透明材料からなる封止部材(透明ガラス板)を配置し、枠部(スペーサ)の外側に外部からの配線を行う電極(パッド)を配列した構造の固体撮像装置が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
この特許文献1に記載された固体撮像装置をウェーハレベルで一括製造する場合は、先ずウェーハ(半導体基板)上に多数の固体撮像素子を形成する。一方、図6に示すように、透明材料からなる封止部材(透明ガラス板)12に固体撮像素子の受光エリアを囲う枠部(スペーサ)13を多数一体形成する。なお、図6(b)は図6(a)の側面図である。
次に、この封止部材(透明ガラス板)12を枠部(スペーサ)13を介してウェーハに接合して、各固体撮像素子の受光エリアを密閉し、固体撮像装置がウェーハレベルで多数形成された積層体を製造する。次に、この積層体を個々の固体撮像装置に分割することによって、特許文献1に記載された固体撮像装置が得られる。
特開平07−202152号公報
ところが、前述の特許文献1には、多数の固体撮像装置がウェーハレベルで形成された積層体を個々の固体撮像装置に分割する方法について何ら記載されていない。しかし、一般的にウェーハ上に形成された多数の半導体装置を個々の半導体装置に分割するためには、ダイシング装置による研削切断が用いられている。
このため、例えばダイシング装置を使用して、図7に示すように、ウェーハ11のパッド11B面を露出させるのに必要な幅Aを有する円盤状の砥石(ダイシングブレード)52を用い、砥石52の最下点がパッド11B上部のウェーハ11と透明ガラス板12との間に形成された空隙部分14を通過するように透明ガラス板12を研削切断し、続いて図8に示すように、別の薄い円盤状の砥石(ダイシングブレード)53でウェーハ部分を研削切断する方法が考えられる。
しかし、このような砥石52を用いて透明ガラス板12を研削切断する方法の場合、例えばウェーハと透明ガラス板12との間に形成された空隙部の高さが300μm程度と極く狭い場合は、図9(a)、及び図9(a)のA−A’断面と一部拡大図を表わす図9(b)に示すように、透明ガラス板12の研削切断を進めていく中で生ずるガラス破片(破片)12Aが排出時に砥石52とウェーハ11との隙間に巻き込まれ、掻き回され、極端には引きずられることで、ウェーハ11側に損傷を与えてしまうという重大な問題があった。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、極く狭い空隙部を有して接合された固体撮像素子のウェーハと透明ガラス板とで構成された固体撮像装置集合体の透明ガラス板を研削切断するにあたり、研削切断中に生ずる透明ガラス板の破片によるウェーハの損傷を防止することの出来る固体撮像装置集合体の研削加工方法を提供し、歩留まりの高い固体撮像装置の製造方法を提供することを目的とする。
前記目的を達成するために、本発明に係る固体撮像装置の製造方法は、ウェーハの表面に多数の固体撮像素子を形成する工程と、前記ウェーハに接合される透明平板下面の前記固体撮像素子に対応する箇所に、個々の固体撮像素子を囲む形状の所定厚さの枠状のスペーサを形成する工程と、前記透明平板下面の前記スペーサ同士の間に、前記スペーサと同一厚さのリブを形成する工程と、前記ウェーハと前記透明平板とを位置合わせして前記スペーサを介して接合する工程と、前記透明平板に研削加工を施し、前記個々の固体撮像素子に対応するように該透明平板を分割する工程と、前記ウェーハを個々の固体撮像素子に対応させて分割する工程と、を有することを特徴とする。
本発明によれば、透明平板下面のスペーサ同士の間にスペーサと同一厚さのリブを形成するので、透明平板を研削切断する時に、研削によって生ずる透明平板の破片はリブを挟んで分割され、破片の幅が小さくなる。
このため、ウェーハと透明平板との間の隙間が狭くとも透明平板の破片が排出されやすく、更にリブで研削抵抗を受け止め、透明平板の振動が抑制されて大きな破片が発生し難いため、破片によってウェーハの表面が損傷を受けることが緩和される。
また、本発明は、前記リブを前記スペーサに対し平行に形成することを特徴とする。これによれば、リブがスペーサと平行に形成されているので、透明平板を研削切断する時に研削によって生ずる透明平板の破片が排出されやすいとともに、研削切断後の洗浄工程において洗浄性が向上する。
また、本発明は、前記リブの幅が少なくとも50μmであることを特徴とする。これによれば、リブの剛性があるため、透明平板を研削切断する時にリブが破壊されてウェーハと透明平板との間の隙間を閉塞することがなく、研削によって生ずる透明平板の破片が排出されやすいので、破片によってウェーハの表面が損傷を受けることが緩和される。
以上説明したように本発明の固体撮像装置の製造方法によれば、極く狭い空隙部を有して接合された固体撮像素子ウェーハと透明平板とで構成された固体撮像装置集合体の透明平板を研削切断するにあたり、研削切断部下部の空隙部にリブを形成したので、破片によってウェーハの表面が損傷を受けることが緩和され、歩留まりの高い固体撮像装置の製造方法を得ることができる。
以下添付図面に従って、本発明に係る固体撮像装置の製造方法の好ましい実施の形態について詳説する。なお、各図において同一部材には同一の番号または記号を付している。
図1は本発明に係るCSPタイプの固体撮像装置の製造工程を表わす説明図である。図1(b)に示すように、半導体基板(ウェーハ)11上に固体撮像素子11Aが多数形成される。
固体撮像素子11Aの製造には一般的な半導体素子製造工程が適用され、固体撮像素子11Aは、ウェーハ11に形成された受光素子であるフォトダイオード、励起電圧を外部に転送する転送電極、開口部を有する遮光膜、層間絶縁膜、層間絶縁膜の上部に形成されたインナーレンズ、インナーレンズの上部に中間層を介して設けられたカラーフィルタ、カラーフィルタの上部に中間層を介して設けられたマイクロレンズ等で構成された微細素子が平面アレー状に配列された構造になっている。
固体撮像素子11Aはこのように構成されているため、外部から入射する光がマイクロレンズ及びインナーレンズによって集光されてフォトダイオードに照射され、有効開口率が上がるようになっている。
また、固体撮像素子11Aの外側には、図1(b)に示すように、外部との配線を行うためのパッド11B、11B、…が形成されている。
図1に示した工程は、前述した固体撮像素子11Aが形成されたウェーハ11に透明ガラス板12(透明平板に相当)を貼付して固体撮像素子11Aの受光部を密閉し、次いで個々の固体撮像装置21に分割する工程を概念的に表わしたものである。
先ず、図1(a)に示すように、透明ガラス板12に個々の固体撮像素子11Aを囲む枠形状で所定厚さを有するシリコンからなるスペーサ13、及び各スペーサ13とスペーサ13との間にスペーサ13と同一厚さのリブ15を形成する。
スペーサ13及びリブ15の形成は、透明ガラス板12に接着剤13Aを塗布し、そこにシリコン板を接着する。次いで、フォトリソグラフィーとドライエッチング技術を用いて必要な形状のスペーサ13及びリブ15を形成し、最後にスペーサ13及びリブ15部分のみに接着剤13Bを転写する。
リブ15の幅は少なくとも50μmは必要であり、好ましくは100μmである。リブ15の幅が50μmに満たないとリブ15の剛性が不足するとともに、後出のウェーハ11との接着の際に接着面積が不足して接着強度が低下し、後述する透明ガラス板12の研削切断時にリブ15が破損してしまう。
また、リブ15はスペーサ13と平行に形成する。リブ15がスペーサ13に対して平行に形成されていないと、後述する透明ガラス板12の研削切断時に切粉や破片12Aが排出され難くなる。
図2は、このようにしてスペーサ13及びリブ15が形成された透明ガラス板12を表わしている。図2(a)は平面図で、図2(b)は側面図である。
図2に示すように、透明ガラス板12には各固体撮像素子11Aに対応してスペーサ13が平面上に多数並べて形成され、各スペーサ13とスペーサ13との間にスペーサ13と同一厚さのリブ15がスペーサ13と平行に多数形成されている。
また、透明ガラス板12の周縁部分には、スペーサ13と同一厚さのダミースペーサ(図2(a)で塗りつぶした部分)が形成され、更に最外周の2個のダミースペーサ内には、夫々アライメントマーク16が形成されている。
次に、このようにして1面にスペーサ13が設けられた透明ガラス板12をウェーハ11に対峙させ、ウェーハ11に対して位置合わせを行う。位置合せは予めウェーハ11にも同位置にアライメントマークを設けておき、ウェーハ11のアライメントマークに対して透明ガラス板12のアライメントマーク16、16を重ね合わせることによって行う。
次に、ウェーハ11に対して位置合わせされた透明ガラス板12をスペーサ13、及びリブ15を介して接着剤13Bでウェーハ11に接着する。これにより、図1(b)に示すように、ウェーハ11と透明ガラス板12との間に空隙部14を有し固体撮像素子11Aの受光部が密閉された構造の固体撮像装置21がウェーハレベルで多数形成された積層体20が製造される。
次に、図3に示すように、厚さ0.5〜2.2mm程度の砥石52でウェーハ11上のパッド11B上の空隙部14内まで切り込んで積層体20の透明ガラス板12及びリブ15の一部を研削切断し、透明ガラス板12の分割とウェーハ11上のパッド11B、11B、…の露出とを行い、図1(c)に示す状態にする。なお、研削にあたってはノズル54、54から研削水を供給しながら行う。
次に、図4に示すように、ウェーハ11のパッド11Bとパッド11Bとの間の部分を別の薄い砥石53でリブ15ごと研削切断し、個々の固体撮像装置21に分割し、図1(d)に示す状態にする。
なお、ウェーハ11の研削にあたってもノズル54、54から研削水を供給しながら行う。また、積層体20はウェーハ11の裏面に図示しないダイシングシートSが貼付されて研削切断加工される。そのため、個々の固体撮像装置21に分割されても、バラバラになることがない。
図5は、このようにして固体撮像装置21がウェーハレベルで多数形成された積層体20から個々に分割された固体撮像装置21を表わした斜視図である。即ちウェーハ11に形成された固体撮像素子11Aはスペーサ13を介して透明ガラス板12で密封され、スペーサ13の外側には外部との配線を行うパッド11Bが並んで形成されており、全体として固体撮像素子チップの大きさに近いサイズでパッケージングされている。
なお、ウェーハ11が単結晶シリコンウェーハを用いるのが一般的であるので、スペーサ13の材質は、ウェーハ11及び透明ガラス板12と熱膨張係数等の物性が類似した材質が望ましいため、多結晶シリコンが好適である。
この図1(c)及び図3で示した透明ガラス板12の研削切断工程では、固体撮像装置21の薄型化により、ウェーハ11と透明ガラス板12との空隙部14の高さは300μm程度と極度に狭いため、空隙部14にリブ15を形成しない場合は、前述の図9(a)、及び図9(b)で説明したように、透明ガラス板12の研削切断を進めていく中で生ずるガラス破片12Aのサイズが大きくなり、ガラス破片12Aが砥石52とウェーハ11との隙間に巻き込まれ、掻き回され、或いは引きずられて、ウェーハ11側に損傷を与える。
しかし本発明では、透明ガラス板12下面のスペーサ13同士の間にスペーサ13と同一厚さのリブ15を形成するので、透明ガラス板12を研削切断する時に、研削によって生ずる透明ガラス板12の破片12Aはリブ15を挟んで2分され、破片12Aの幅が1/2以下となる。
このため、ウェーハと透明ガラス板12との間の隙間が狭くとも透明ガラス板12の破片12Aが排出されやすく、更にリブ15で研削抵抗を受け止め、透明ガラス板12の振動が抑制されて大きな破片12Aが発生し難いため、破片12Aによってウェーハ11の表面が損傷を受けることが緩和される。
[実施例]
次に、透明ガラス板12の研削切断についてその具体的な実施例を説明する。先ず、厚さH1 =500μmの透明ガラス板12には厚さH2 =300μmのスペーサ13と厚さ300μmで幅B3 が100μmのリブ15を形成しておく。なお、スペーサ13の隣同士の間隔B1 を500μmから2,100μmまで200μmとびで9種類用意した。
次いで、この9種類の透明ガラス板12をスペーサ13及びリブ15を介して9種類のウェーハ11に貼付して、図1(b)に示すようなウェーハレベルの固体撮像装置21の集合体である積層体20を9種類製作した。
この積層体20をダイシング装置のウェーハテーブル51に吸着載置し、図3に示すように、ダイシングブレード(砥石)52の刃先の最下点が空隙部14内に50μm入り込む位置にセットして透明ガラス板12を研削切断するとともにリブ15に50μm切り込んで研削し、パッド11B、11B、…を露出させた。
ダイシングブレード52は粒径8〜15μmのダイヤモンド砥粒をニッケルで結合したメタルボンドブレードで、直径100mm、厚さ500μm〜2,100μmを用い、その回転数は5,000rpmとした。また、ウェーハテーブルの送り速度を0.5mm/secとした。
このように、透明ガラス板12をリブ15ごと研削切断することにより、ガラス破片12Aの幅が1/2以下になって排出されやすくなり、またリブ15がダイシングブレード52の受部となって研削抵抗を受けるので、研削切断時に透明ガラス板12の大きな破片12Aが生じ難い。
なお、ダイシングブレード52はダイヤモンド砥粒をフェノール樹脂等で結合したレジンボンドブレードの方が砥粒の自生作用が活発で切削性は良い。しかし摩耗が早いので、切込み深さを確保するためには頻繁に高さ調整をする必要があるため、実施例においてはメタルボンドブレードを使用した。
加工後の積層体20をダイシング装置に備えられた観察光学系を用いてモニター画面で観察したところ、図3における中空部の幅B2 が200μm、300μm、400μmまでは、ガラス破片12Aによるウェーハ11の表面の傷は、回路配線を断線させるような大きく深い傷は見当たらず、大きさ10μm以下の傷も1チップあたり10個以下で、十分許容範囲以内であった。
また、図3における中空部の幅B2 が500μm、600μm、700μmのものは、ウェーハ11表面の傷は、大きさ10μmを超える傷が1チップあたり4〜5個点在するものの回路配線を断線させるような大きく深い傷は見当たらず、大きさ10μm以下の傷も1チップあたり20〜30個程度で、なんとか許容できるものであった。
また、中空部の幅B2 が800μm、900μm、1,000μmのものでは、回路配線が断線しているであろうと思われる大きく深い傷が点在し、許容できるものではなかった。
中空部の幅B2 は、外部端子にワイヤボンディング配線が可能なスペースを確保するために250μmは必要である。そのためには固体撮像装置21の小型化要望をも考慮して、中空部の幅B2 を300μmとするのが好適である。前述の実施例に示すように、幅B2 =300μmの場合、ウェーハ11の表面の傷は十分許容範囲以内である。
中空部の幅B2 を300μmとした時に、従来のようにリブ15を設けない場合は、中空部の合計幅が700μmとなり、ウェーハ11の表面の傷は前述の実施例においてはなんとか許容できるものであったが、実際の製品を製造する場合は危険度が大きく採用し得ないものである。
以上のように、本発明によれば、300μm程度の極く狭い空隙部を有して接合された固体撮像素子ウェーハと透明ガラス板とで構成された固体撮像装置集合体の透明ガラス板を研削切断するにあたり、研削部分の空隙部にリブを設けているので、研削切断を進めてゆく中で生じる透明ガラス板の破片によるウェーハの損傷を抑制することができ、歩留まりの高い固体撮像装置の製造方法を得ることができる。
本発明の実施の形態に係る固体撮像装置の組立工程を表わす説明図 スペーサ及びリブが形成された透明平板を表わす平面図及び側面図 透明平板の研削切断工程を説明する概念図 ウェーハの研削切断工程を説明する概念図 固体撮像装置の外観を表わす斜視図 従来のスペーサが形成された透明平板を表わす平面図及び側面図 従来の透明平板の研削切断工程を説明する概念図 従来のウェーハの研削切断工程を説明する概念図 透明平板の研削切断工程におけるガラス破片の発生を説明する概念図
符号の説明
11…ウェーハ、11A…固体撮像素子、12…透明ガラス板(透明平板)、12A…ガラス破片(破片)、13…スペーサ、14…空隙部、15…リブ、16…アライメントマーク、20…積層体、21…固体撮像装置、52…ダイシングブレード(円盤状砥石)

Claims (3)

  1. ウェーハの表面に多数の固体撮像素子を形成する工程と、
    前記ウェーハに接合される透明平板下面の前記固体撮像素子に対応する箇所に、個々の固体撮像素子を囲む形状の所定厚さの枠状のスペーサを形成する工程と、
    前記透明平板下面の前記スペーサ同士の間に、前記スペーサと同一厚さのリブを形成する工程と、
    前記ウェーハと前記透明平板とを位置合わせして前記スペーサを介して接合する工程と、
    前記透明平板に研削加工を施し、前記個々の固体撮像素子に対応するように該透明平板を分割する工程と、
    前記ウェーハを個々の固体撮像素子に対応させて分割する工程と、
    を有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
  2. 前記リブを前記スペーサに対し平行に形成することを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置の製造方法。
  3. 前記リブの幅が少なくとも50μmであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の固体撮像装置の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2010103192A (ja) * 2008-10-21 2010-05-06 Disco Abrasive Syst Ltd 研削方法
CN111261647A (zh) * 2020-01-20 2020-06-09 甬矽电子(宁波)股份有限公司 一种透光盖板、光学传感器及其制造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009218482A (ja) * 2008-03-12 2009-09-24 Fujikura Ltd 半導体パッケージおよびその製造方法
JP2010103192A (ja) * 2008-10-21 2010-05-06 Disco Abrasive Syst Ltd 研削方法
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