JP2010103192A - 研削方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000004575 stone Substances 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 106
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】内部に複数の中空矩形領域6を有するウエーハ1を円環形状の研削砥石38を用いて薄化する研削方法であって、チャックテーブルに保持されたウエーハ1に対して高速回転する研削砥石35を、中空矩形領域6を形成する全ての矩形辺と非平行となる方向に相対的に水平移動させるクリープフィードによってウエーハ1の表層を研削するようにした。
【選択図】 図5
Description
図1は、本実施の形態1の研削方法が適用されるウエーハを示す概略平面図であり、図2は、その概略断面図である。ウエーハ1は、例えば複数のCMOSデバイス2が中央部付近に縦横に整列させて形成されたSiウエーハによる板状ウエーハ3の表面側に枠状に配置させた樹脂製スペーサ4を介してガラス板による板状ウエーハ5を積層させることで、各CMOSデバイス2周りが中空状態で仕切られるように複数の中空矩形領域6を形成してなる積層ウエーハである。ここで、各中空矩形領域6は、平面的に見て、例えば3.6mm×4.2mmの如き長方形状のデバイスサイズに対応させた長方形状に形成されている。また、板状ウエーハ3の外周の所定位置には、板状ウエーハ3の結晶方位を識別するための結晶方位識別マークであるオリエンテーションノッチ7が形成されている。なお、オリエンテーションノッチ7に代えて、直線状のオリエンテーションフラットが結晶方位識別マークとして形成されていてもよい。
図6は、本発明の実施の形態2の研削方法を示すウエーハおよび研削砥石の概略平面図である。本実施の形態2は、中空矩形領域6が長方形状に形成されていることを利用し、チャックテーブル20に保持されたウエーハ1に対して高速回転する研削砥石35を、長方形状の中空矩形領域6を形成する長辺6Lと平行となる方向に相対的に水平移動させるクリープフィードによって板状ウエーハ3の表層を研削するようにしたものである。この場合のウエーハ1の向きの調整も、例えばオリエンテーションノッチ7の位置を基準として行われる。
図7は、本発明の実施の形態3の研削方法を示すウエーハおよび研削砥石の概略平面図である。本実施の形態3では、まず、外径がウエーハ1の半径と同等の研削砥石35aを用いるようにしたものである。このような研削砥石35aを、この研削砥石35aの一端が板状ウエーハ3(ウエーハ1)の中心を通るように位置付けて、研削砥石35aとウエーハ1とを相互に高速回転させることによって板状ウエーハ3の表層を研削するようにしたものである。
3,5 板状ウエーハ
6 中空矩形領域
6L 長辺
20 チャックテーブル
31 回転軸
35,35a 研削砥石
Claims (3)
- 内部に複数の中空矩形領域を有するウエーハを円環形状の研削砥石を用いて薄化する研削方法であって、
チャックテーブルに保持された前記ウエーハに対して高速回転する前記研削砥石を、前記中空矩形領域を形成する全ての矩形辺と非平行となる方向に相対的に水平移動させるクリープフィードによって前記ウエーハの表層を研削するようにしたことを特徴とする研削方法。 - 内部に複数の長方形状の中空矩形領域を有するウエーハを円環形状の研削砥石を用いて薄化する研削方法であって、
チャックテーブルに保持された前記ウエーハに対して高速回転する前記研削砥石を、長方形状の前記中空矩形領域を形成する長辺と平行となる方向に相対的に水平移動させるクリープフィードによって前記ウエーハの表層を研削するようにしたことを特徴とする研削方法。 - 内部に複数の中空矩形領域を有するウエーハを円環形状の研削砥石を用いて薄化する研削方法であって、
外径が前記ウエーハの半径と同等の前記研削砥石を、該研削砥石の一端が前記ウエーハの中心を通るように位置付けて、前記研削砥石と前記ウエーハとを相互に高速回転させることによって前記ウエーハの表層を研削するようにしたことを特徴とする研削方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008271294A JP5312898B2 (ja) | 2008-10-21 | 2008-10-21 | 研削方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008271294A JP5312898B2 (ja) | 2008-10-21 | 2008-10-21 | 研削方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010103192A true JP2010103192A (ja) | 2010-05-06 |
JP5312898B2 JP5312898B2 (ja) | 2013-10-09 |
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JP2008271294A Active JP5312898B2 (ja) | 2008-10-21 | 2008-10-21 | 研削方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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