JP2006100644A

JP2006100644A - 半導体ウェハの研削装置及びその研削方法

Info

Publication number: JP2006100644A
Application number: JP2004286049A
Authority: JP
Inventors: Fumihiro Betsumiya; 史浩別宮
Original assignee: NEC Electronics Corp
Current assignee: NEC Electronics Corp
Priority date: 2004-09-30
Filing date: 2004-09-30
Publication date: 2006-04-13
Anticipated expiration: 2024-09-30
Also published as: JP4471801B2

Abstract

【課題】半導体ウェハにおけるチップの機械的強度を高めて基板実装後の割れを防止するとともに、装置を複雑化・大型化することなく研削工程の生産性を向上させることができる半導体ウェハの研削装置及びその研削方法を提供する。
【解決手段】ウェハＷの裏面を研削するために、研削砥石２ａ〜２ｃが表面に形成された円筒状の研削ブレード３ａ〜３ｃと、研削ブレード３ａ〜３ｃの中心に延在するように設けられた回転軸４ａ〜４ｃを備えている。回転軸４ａ〜４ｃの両端には、ベアリング５ａ〜５ｃと、３方にアームが延びた研削ブレード保持部６が設けられ、さらに、その一端には研削ブレード３ａ〜３ｃを回転駆動させるためのモータ等の回転機構部７ａ〜７ｃが設けられている。メッシュサイズの異なる研削ブレードを順番に回転させながら粗研削から仕上研削まで行うことで、ウエハのオリフラまたはノッチに対して研削痕を直角に揃える。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体ウェハを研削して所望の厚さに仕上げる半導体ウェハの研削装置及びその研削方法に関する。

近年の携帯電話、デジタルカメラ等の各種電子機器の軽量化、小型化に伴い、使用される半導体チップの薄型化がさらに強く要求されている。半導体チップを薄型化する場合、拡散プロセス等によって半導体ウェハの表面側に回路素子を形成した後、裏面側を研削やエッチングして薄くするのが一般的である。このような半導体ウェハの裏面研削に使用される研削装置は、例えば、特開２０００−３０１４３９号公報（特許文献１）に記載されている。

図４は、従来の研削装置４１を示す要部断面正面図である。図４に示す従来の研削装置４１は、半導体ウェハＷの裏面を研削する研削砥石４２と、研削砥石４２を固定する円板状の研削定盤４３と、研削定盤４３を保持する研削定盤保持部４４と、研削定盤保持部４４を介して研削定盤４３を回転させる回転機構部４５と、研削定盤４３を昇降させる昇降機構部４６と、半導体ウェハＷを吸着保持するチャックテーブル４７と、チャックテーブル４７を介して半導体ウェハＷを水平移動する水平移動機構部４８とを備えている。

次に、従来の研削装置４１による半導体ウェハＷの研削方法を説明する。先ず、回路が形成された表面側に傷や異物が付くのを防止するため、半導体ウェハＷの表面側に表面保護テープ４９を貼り付ける。次に、半導体ウェハＷの裏面側を上にした状態で、オリエンテーションフラット（以下、オリフラと言う）ＯＦが所定の位置にくるようにして、チャックテーブル４７に吸着保持する。

次に、回転機構部４５により研削定盤４３を矢印５０方向に回転させた後、昇降機構部４６により矢印５１方向に下降させる。次に、水平移動機構部４８により半導体ウェハＷを矢印５２方向に一定速度で水平移動させながら研削加工を行う。なお、このとき使用される研削砥石４２には、粗研削用、中研削用及び仕上研削用の３種類があり、それらを順番に使用して半導体ウェハＷの研削を段階的に行っている。
特開２０００−３０１４３９号公報（第３頁、００１６段落〜００１９段落、図１）

しかしながら、上述した従来の研削装置４１には、以下のような問題があった。図５は、従来の研削装置４１の問題点を説明する図である。半導体ウェハＷの厚さが薄くなると、機械的強度が低下し、比較的小さな衝撃でも破損につながる。加えて、従来の研削装置４１により半導体ウェハＷを研削すると、図５（ａ）に示すように、半導体ウェハＷのオリフラＯＦに対して円弧状の研削痕６１が発生する。この研削痕６１は、研削によって生じる微小な凹凸痕である。

このような半導体ウェハＷから複数のチップを切り出すと、図５（ｂ）に示すように、半導体ウェハＷ内のチップの位置によって研削痕６１の方向が異なる。例えば、半導体ウェハＷの中心部から切り出すチップ６２は長辺ａ_１に対して研削痕６１が直角に形成されており、半導体ウェハＷの周辺部から切り出すチップ６３は長辺ａ_２に対して研削痕６１が平行に形成される。これらのチップ６２、６３に同じ外力が加わった場合、長辺ａ_１に対して研削痕６１が直角に形成されたチップ６２の方がチップ６３よりも破損しやすくなる。

この理由について、図６を用いて説明する。図６（ａ）は研削痕６１が形成されたチップ６４を示す斜視図であり、チップ６４の長辺ａは２２ｍｍ、短辺ｂは１．５ｍｍ、厚さｄは０．４ｍｍであり、長辺ａと短辺ｂの比は約１５である。また、長辺ａと研削痕６１のなす角度（以下、研削痕角度と言う）はθである。図６（ｂ）は、図６（ａ）に示した長形のチップ６４の研削痕角度θと機械的強度Ｉ（相対値）の関係を示す図であり、チップ６４の両端を下側から支持した後、チップ６４の上側中央から荷重をかけてチップ６４が破損するときの力を機械的強度Ｉとしている。

この図より、研削痕角度θが大きくなる（すなわち、研削痕６１がチップ６４の長辺ａに対して直角方向に形成される）と、チップ６４の機械的強度Ｉが大きく低下することが分かる。例えば、研削痕角度θが９０°の機械的強度Ｉは、研削痕角度が０°の機械的強度Ｉの約５０％まで低下している。

近年、高機能化した電子機器に使用されるチップ６４は、信号線の増加に対応して入出力パッドの数が増大し、長形化する傾向にある。このような長形化したチップ６４を基板に実装して携帯機器等として市場に流通した後に、携帯機器等の落下により機械的強度の低下したチップ６４が割れてしまうようなことが起これば、チップ６４に形成された回路が動作しなくなり、重大な品質クレームとなってユーザの信用を大きく損なうとともに、多大な損失につながる。そのため、長形化したチップ６４の機械的強度Ｉを高めることが必要となる。

また、従来の研削装置４１にて半導体ウェハＷの裏面研削を行う場合は、通常、メッシュサイズの異なる複数の研削砥石４２を使用して段階的に研削が行われる。例えば、図７に示すように、粗研削用、中研削用、仕上研削用の３種類の研削砥石４２ａ〜４２ｃを有する研削定盤４３ａ〜４３ｃが用いられる。これらの研削定盤４３ａ〜４３ｃはそれぞれ独立した研削定盤保持部４４ａ〜４４ｃ、回転機構部４５ａ〜４５ｃ及び昇降機構部４６ａ〜４６ｃに装着され、回転板６５のチャックテーブル４７上にセットされた半導体ウェハＷを各研削砥石４２ａ〜４２ｃのある位置に順次移動させて研削を行っていた。このため、研削装置４１が全体として複雑かつ大型となる問題もあった。また、１つの研削定盤保持部４４ａに複数の研削定盤４３ａ〜４３ｃを順次取り替えて研削する場合には、研削装置４１の大型化は防止できるが、粗研削、中研削、仕上研削の各作業ごとに研削定盤４３ａ〜４３ｃを交換して位置合わせしなければならず、多大な工数を要するとともに研削工程の生産性を大きく低下させることになる。

本発明は、上記問題点を解決するために考えられたもので、半導体ウェハにおけるチップの機械的強度を高めて基板実装後の割れを防止するとともに、装置を複雑化・大型化することなく、研削工程の生産性を向上させることができる機能を備えた半導体ウェハの研削装置及びその研削方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の請求項１記載の半導体ウェハの研削装置は、チャックテーブルに半導体ウェハを保持し、前記半導体ウェハに研削液を供給しながら、回転する研削手段を前記半導体ウェハに圧接して研削する半導体ウェハの研削装置において、前記研削手段が、少なくとも、研削砥石が表面に設けられた円筒形状の研削ブレードと、前記研削ブレードの中心に延在するように設けられた回転軸と、前記回転軸の一端に設けられた回転機構部を有し、前記回転軸が前記半導体ウェハの表面に対し平行に配置されていることを特徴とする。

また、請求項２記載の半導体ウェハの研削装置は、請求項１記載の半導体ウェハの研削装置において、前記研削手段が、同一の研削ブレード保持部に間隔をおいて保持されたメッシュサイズの異なる少なくとも２つ以上の研削ブレードを有することを特徴とする。

また、請求項３記載の半導体ウェハの研削装置は、請求項２記載の半導体ウェハの研削装置において、前記研削ブレード保持部の中心に延在するように切替軸が設けられ、前記切替軸を回転することにより、前記研削ブレード保持部に保持された前記複数の研削ブレードを回転させて切り替えを行うことを特徴とする。

また、請求項４記載の半導体ウェハの研削装置は、請求項１〜３記載の半導体ウェハの研削装置において、前記研削砥石が、前記回転軸に対して平行な溝を有していることを特徴とする。

また、請求項５記載の半導体ウェハの研削装置は、請求項１〜４記載の半導体ウェハの研削装置において、前記研削砥石が、砥粒を樹脂中に分散固定されてなり、前記砥粒がダイヤモンド、窒化硼素、炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化珪素の少なくとも一つを含むことを特徴とする。

また、請求項６記載の半導体ウェハの研削装置は、請求項１〜５記載の半導体ウェハの研削装置において、前記研削液が、イオン交換水、界面活性剤含有イオン交換水、砥粒含有イオン交換水の少なくとも一つを含むことを特徴とする。

また、請求項７記載の半導体ウェハの研削装置は、請求項１〜６記載の半導体ウェハの研削装置において、前記半導体ウェハが、Ｓｉ系、ＧａＡｓ系、ＧａＮ系、ＩｎＰ系のいずれかであることを特徴とする。

また、請求項８記載の半導体ウェハの研削方法は、研削ブレード保持部の中心に延在するように設けられた切替軸を中心にして前記研削ブレード保持部を回転切替することにより、前記研削ブレード保持部に保持された研削ブレードを半導体ウェハの上方に配置する工程と、前記研削ブレードを下降させて前記半導体ウェハに圧接する工程と、前記研削ブレードの中心に延在するように設けられた回転軸を中心にして前記研削ブレードを回転する工程と、前記半導体ウェハに形成されたオリフラ又はノッチを基準として、前記半導体ウェハを水平方向に移動しながら所望の厚さまで研削を行う工程とを含むことを特徴とする。

また、請求項９記載の半導体ウェハの研削方法は、研削ブレード保持部の中心に延在するように設けられた切替軸を中心にして前記研削ブレード保持部を回転切替することにより、前記研削ブレード保持部に保持された研削ブレードを半導体ウェハの上方に配置する工程と、前記研削ブレードを下降させて前記半導体ウェハに圧接する工程と、前記研削ブレードの中心に延在するように設けられた回転軸を中心にして前記研削ブレードを回転する工程と、前記半導体ウェハに形成されたオリフラ又はノッチを基準として、前記半導体ウェハを固定した状態で、前記研削ブレードを水平方向に移動しながら所望の厚さまで研削を行う工程とを含むことを特徴とする。

また、請求項１０記載の半導体ウェハの研削方法は、請求項８又９記載の半導体ウェハの研削方法において、前記研削ブレード保持部に保持された、メッシュサイズの異なる少なくとも２つ以上の研削ブレードを、半導体ウェハの研削量に応じて順次切り替えて研削を行うことを特徴とする。

また、請求項１１記載の半導体ウェハの研削方法は、請求項８〜１０記載の半導体ウェハの製造方法において、前記研削ブレードによる研削痕が、前記半導体ウェハから切り出されるチップの長辺に対してほぼ平行に形成されることを特徴とする。

以上説明したように、本発明の研削装置によれば、メッシュサイズの異なる少なくとも２つ以上の研削ブレードを順番に回転させながら、半導体ウェハ又は研削ブレードを水平移動させて粗研削から仕上研削までを行う。これにより、半導体ウェハのオリフラ又はノッチに対して直角になるように研削痕を揃えることができ、高機能化した電子機器に使用される長形チップの長辺に対して研削痕が平行となり、長形チップの機械的強度を大幅に向上させることができる。

また、研削ブレード保持部を回転させることにより容易に研削ブレードを切り替えることができるので、装置を複雑化・大型化することなく、粗研削から仕上研削までの一連の研削作業を効率よく短時間で行うことができる。

また、研削砥石を研削ブレードの長手方向に対して平行になるように分割形成したので、研削屑による研削砥石の目詰まりを効果的に防止することができ、長期に亘って安定した研削量を得ることができ、半導ウェハＷの裏面をより安定に精度よく研削することができる。

図１は、本発明の研削装置１の平面図及び一部断面正面図である。

本発明の研削装置１は、半導体ウェハＷの裏面を研削するために、研削砥石２ａ〜２ｃが表面に形成された円筒状の研削ブレード３ａ〜３ｃと、研削ブレード３ａ〜３ｃの中心に延在するように設けられた回転軸４ａ〜４ｃを備えている。研削砥石２ａ〜２ｃは、ダイヤモンド等の砥粒が樹脂中に分散固定されてなり、それぞれの砥粒の大きさや密度を変えることにより、メッシュサイズが異なるように構成されている。

また、回転軸４ａ〜４ｃの両端には、ベアリング５ａ〜５ｃと、３方にアームが延びた研削ブレード保持部６が設けられ、さらに、その一端にはベアリング５ａ〜５ｃを介して研削ブレード３ａ〜３ｃを回転駆動させるためのモータ等の回転機構部７ａ〜７ｃが設けられている。さらに、研削ブレード３ａ〜３ｃは、３つの凹部８ａ〜８ｃが表面に形成された円筒状の筒体９で仕切られており、この筒体９の長さは、各研削ブレード３ａ〜３ｃの長さよりも長くなっている。

また、筒体９の中心には延在する切替軸１０が設けられ、切替軸１０の両端はベアリング１１を介して研削ブレード保持部６に取り付けられている。そして、切替軸１０の一端には、研削ブレード保持部６に保持された各研削ブレード３ａ〜３ｃと筒体９を一体化して回転駆動させるためのモータ等の回転機構部１２が設けられている。さらに、研削ブレード３ａ〜３ｃを昇降させるために、研削ブレード保持部６には昇降軸１３と、昇降機構部１４が設けられている。

そして、研削ブレード３ａ〜３ｃの切り替えを自動的に行うために、回転機構部７ａ〜７ｃ、１２と昇降機構部１４には、制御部１５が接続されている。また、研削ブレード３ａ〜３ｃの下部には、適宜間隔をあけて配置された半導体ウェハＷを吸着固定するチャックテーブル１６と、チャックテーブル１６を水平移動させるための水平移動機構部１７を備えている。

次に、本発明の研削装置１による半導体ウェハＷの研削方法を説明する。先ず、回路素子が形成された表面側に傷や異物が付くのを防止するため、半導体ウェハＷの表面側に粘着層を有する表面保護テープ１８を貼り付ける。次に、研削する半導体ウェハＷの裏面側を上にし、半導体ウェハＷのオリフラＯＦが所定の位置にくるようにして、チャックテーブル１６に真空吸着により固定する。

次に、昇降機構部１４により研削ブレード３ａを下降させて、半導体ウェハＷのオリフラＯＦの位置に圧接する。次に、回転機構部７ａにより、回転軸４ａとともに粗研削用の研削ブレード３ａを回転させる。このとき、研削ブレード３ａのメッシュサイズは＃３６０であり、回転数は３６５０ｒｐｍである。また、回転軸４ａと研削ブレード保持部６の間にはベアリング５ａが介在しているので、回転軸４ａが回転しても研削ブレード保持部６は回転しない。次に、イオン交換水等の研削液（図示せず）を半導体ウェハＷに供給しながら、水平移動機構部１７により半導体ウェハＷを矢印１９方向に一定速度で移動させながら、研削ブレード３ａにより半導体ウェハＷのオリフラＯＦを始点として粗研削を行う。なお、研削中の研削ブレード３ａの回転数は、回転軸４ａに取り付けられたエンコーダ等の回転数検出部（図示せず）によりモニタされ、その出力信号は制御部１５に送られて安定に制御される。こうして粗研削が終了したら、次に、回転機構部７ａを停止して研削ブレード３ａの回転を止め、昇降機構部１４により研削ブレード３ａを上昇させる。

次に、回転機構部１２により、研削ブレード保持部６と筒体９を切替軸１０を中心にして１２０°回転させ、中研削用の研削ブレード３ｂを半導体ウェハＷの上方に配置させる。次に、昇降機構部１４により研削ブレード３ｂを下降させて、半導体ウェハＷのオリフラＯＦの位置に圧接する。次に、回転機構部７ｂにより、回転軸４ｂとともに中研削用の研削ブレード３ｂを回転させる。このとき、研削ブレード３ｂのメッシュサイズは＃６００であり、回転数は３６５０ｒｐｍである。次に、水平移動機構部１７により半導体ウェハＷを矢印１９方向に一定速度で移動させながら、研削ブレード３ｂにより半導体ウェハＷのオリフラＯＦを始点として中研削を行い、所望の厚さ近傍まで研削する。こうして中研削が終了したら、次に、回転機構部７ｂを停止して研削ブレード３ｂの回転を止め、昇降機構部１４により研削ブレード３ｂを上昇させる。

次に、回転機構部１２により、研削ブレード保持部６と筒体９を切替軸１０を中心として１２０°回転させ、仕上げ研削用の研削ブレード３ｃを半導体ウェハＷの上方に配置させる。次に、昇降機構部１４により研削ブレード３ｃを下降させて、半導体ウェハＷのオリフラＯＦの位置に圧接する。次に、回転機構部７ｃにより、回転軸４ｃとともに仕上研削用の研削ブレード３ｃを回転させる。このとき、研削ブレード３ｃのメッシュサイズは＃４０００であり、回転数は４０００ｒｐｍである。次に、水平移動機構部１７により半導体ウェハＷを矢印１９方向に一定速度で移動させながら、研削ブレード３ｃにより半導体ウェハＷのオリフラを始点として、所望の厚さまで研削する。

このようにして、半導体ウェハＷの厚さが元厚６００〜７００μｍ程度から１００〜２００μｍ程度へ薄型化される。最後に、半導体ウェハＷから表面保護テープ１８を剥離した後、次のダイシング工程へ送り、半導体ウェハＷを切断してチップ化する。

上述したように、本発明の研削装置１は、メッシュサイズの異なる３種類の研削ブレード３ａ〜３ｃを順番に回転させながら、半導体ウェハＷを水平移動させて粗研削から仕上研削までを行う。また、このとき円筒状の研削ブレード３a〜３ｃの両端は研削ブレード保持部６で保持され、昇降機構部１４により上部から加圧されるので、研削ブレード３ａ〜３ｃ全体に均等に圧力がかかり、半導体ウェハＷを均一に研削するができる。その結果、図２に示すように、半導体ウェハＷのオリフラＯＦに対して直角となる研削痕２１を均一な深さで形成することができる。これにより、半導体ウェハＷのオリフラＯＦの結晶方位を基準にして切り出される複数のチップ２２、２３すべてにおいて、それらの長辺ａ_１、ａ_２に対する研削痕角度を小さくすることができ、機械的強度を均一に高めることができる。

さらに、３種類の研削ブレード３ａ〜３ｃはいずれも円筒状に構成されているので、図７に示した円板状の研削定盤４３ａ〜４３ｃを使用する従来の研削装置４１よりも占有面積が小さくて済む。さらに、研削ブレード３ａ〜３ｃは研削ブレード保持部６に等間隔に保持され、研削ブレード保持部６を切替軸１０を中心にして回転させることにより、研削ブレード３ａ〜３ｃを容易に切り替えることができる。これにより、従来の研削装置４１のように研削定盤４３ａ〜４３ｃをそれぞれ独立した３つの研削定盤保持部４４ａ〜４４ｃ、回転機構部４５ａ〜４５ｃ、昇降機構部４６ａ〜４６ｃに装着し、半導体ウェハＷを各研削定盤４３ａ〜４３ｃのある位置に順次移動させて研削を行う必要がなく、研削装置１の複雑化・大型化を抑制することができる。また、粗研削終了後、作業者が中研削用、仕上研削用の研削ブレードに交換する必要がなく、粗研削から仕上研削までの一連の研削作業を効率よく短時間で行うことができる。

さらに、研削ブレード３ａ〜３ｃは、筒体９の表面に形成された凹部８ａ〜８ｃにより仕切られているので、例えば研削ブレード３ａによる粗研削中に、研削屑が混入した研削液が飛散しても凹部８ａで遮られ、研削ブレード保持部６や他の研削ブレード３ｂ、３ｃを汚染することがない。

また、研削ブレード３ａ〜３ｃを保持した研削ブレード保持部６を複数台設置するようにすれば、一度に並行して多数の半導体ウェハを研削することができ、生産性が向上し、製造コストを低減させることもできる。この場合であっても、従来の研削装置４１よりも省スペース化できる。

次に、本発明の他の実施の形態について、図面を参照して説明する。図３（ａ）は第２実施例の研削装置３１を示す一部断面正面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）のＸ−Ｘ断面図である。

図３に示した研削装置３１は、研削砥石３２と、円筒状の研削ブレード３３と、研削ブレード３３の中心に延在するように設けられた回転軸３４を備えている。また、回転軸３４の両端にはベアリング３５と、３方にアームが延びた研削ブレード保持部３６が設けられている。また、回転軸３４の一端には、ベアリング３５を介して研削ブレード３３を回転駆動させるためのモータ等の回転機構部３７が設けられている。

研削砥石３２は、ダイヤモンド等の砥粒を樹脂中に分散固定されてなり、回転軸３４に対して平行な溝３８を有している。

この研削装置３１によれば、半導体ウェハＷに供給された研削液が研削砥石３２間の溝３８に容易に入り込む。この研削液は、研削工程の間、絶えず安定して半導体ウェハＷと研削ブレード３３の間に供給されるので、研削屑による研削砥石３２の目詰まりを効果的に防止することができ、長期に亘って安定した研削量を得ることができる。その結果、半導ウェハＷの裏面をより安定に精度よく研削することができる。

なお、本発明の研削装置１、３１では、同一の研削ブレード保持部６にメッシュサイズの異なる３種類の研削ブレード３ａ〜３ｃを設けるようにしたが、粗研削用と仕上研削用の２種類のみを設けるようにしてもよい。また、粗研削用、複数の中研削用、仕上研削用の４種類以上を設けるようにしてもよい。

また、本発明の研削装置１、３１では、半導体ウェハＷに形成されたオリフラＯＦを基準とし、オリフラＯＦに対して直角となるように研削痕２１を形成したが、オリフラＯＦの代わりにノッチ（図示せず）を基準として研削痕２１を形成するようにしてもよい。

また、研削ブレード３ａ〜３ｃに水平移動機構部を設け、研削の際に半導体ウェハＷを水平移動させる代わりに、半導体ウェハＷを固定して研削ブレード３ａ〜３ｃを水平移動させるようにしてもよい。

また、研削砥石２ａ〜２ｃに含まれる砥粒は、ダイヤモンド以外に、窒化硼素、炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化珪素の少なくとも一つを含むようにしてもよい。また、研削液は、イオン交換水以外に、界面活性剤含有イオン交換水、砥粒含有イオン交換水の少なくとも一つを含むようにしてもよい。また、半導体ウェハはＳｉ系以外に、ＧａＡｓ系、ＧａＮ系、ＩｎＰ系のいずれかであってもよい。

メッシュサイズの異なる少なくとも２つ以上の研削ブレードを順番に回転させながら、半導体ウェハ又は研削ブレードを水平移動させて粗研削から仕上研削までを行うことによって、半導体ウェハのオリフラ又はノッチに対して直角になるように研削痕を揃えることができ、高機能化した電子機器に使用される長形チップの長辺に対して研削痕が平行となり、長形チップの機械的強度を大幅に向上させることができる。

本発明の研削装置の平面図及び一部断面正面図本発明の研削装置により研削した半導体ウェハの平面図本発明の他の研削装置の一部断面正面図及びＸ−Ｘ断面図従来の研削装置の一部断面正面図従来の研削装置の問題点の説明図研削痕角度と機械的強度の説明図従来の研削装置の他の問題点の説明図

符号の説明

１本発明の研削装置
２ａ〜２ｃ研削砥石
３ａ〜３ｃ研削ブレード
４ａ〜４ｃ回転軸
５ａ〜５ｃベアリング
６研削ブレード保持部
７ａ〜７ｃ回転機構部
８ａ〜８ｃ凹部
９筒体
１０切替軸
１１ベアリング
１２回転機構部
１３昇降軸
１４昇降機構部
１５制御部
１６チャックテーブル
１７水平移動機構部
１８表面保護テープ
１９矢印
２１研削痕
２２、２３チップ
３１本発明の他の研削装置
３２研削砥石
３３研削ブレード
３４回転軸
３５ベアリング
３６研削ブレード保持部
３７回転機構部
３８溝
３９矢印
４１従来の研削装置
４２研削砥石
４３研削定盤
４４研削定盤保持部
４５回転機構部
４６昇降機構部
４７チャックテーブル
４８水平移動機構部
４９表面保護テープ
５０〜５２矢印
６１研削痕
６２〜６４チップ
６５回転板

Claims

チャックテーブルに半導体ウェハを保持し、前記半導体ウェハに研削液を供給しながら、回転する研削手段を前記半導体ウェハに圧接して研削する半導体ウェハの研削装置において、前記研削手段が、少なくとも、研削砥石が表面に設けられた円筒形状の研削ブレードと、前記研削ブレードの中心に延在するように設けられた回転軸と、前記回転軸の一端に設けられた回転機構部を有し、前記回転軸が前記半導体ウェハの表面に対し平行に配置されていることを特徴とする半導体ウェハの研削装置。
前記研削手段が、同一の研削ブレード保持部に間隔をおいて保持されたメッシュサイズの異なる少なくとも２つ以上の研削ブレードを有することを特徴とする請求項１記載の半導体ウェハの研削装置。
前記研削ブレード保持部の中心に延在するように切替軸が設けられ、前記切替軸を回転することにより、前記研削ブレード保持部に保持された前記複数の研削ブレードを回転させて切り替えを行うことを特徴とする請求項２記載の半導体ウェハの研削装置。
前記研削砥石が、前記回転軸に対して平行な溝を有していることを特徴とする請求項１〜３記載の半導体ウェハの研削装置。
前記研削砥石が、砥粒を樹脂中に分散固定されてなり、前記砥粒がダイヤモンド、窒化硼素、炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化珪素の少なくとも一つを含むことを特徴とする半導体ウェハの請求項１〜４記載の半導体ウェハの研削装置。
前記研削液が、イオン交換水、界面活性剤含有イオン交換水、砥粒含有イオン交換水の少なくとも一つを含むことを特徴とする半導体ウェハの請求項１〜５記載の半導体ウェハの研削装置。
前記半導体ウェハが、Ｓｉ系、ＧａＡｓ系、ＧａＮ系、ＩｎＰ系のいずれかであることを特徴とする請求項１〜６記載の半導体ウェハの研削装置。
研削ブレード保持部の中心に延在するように設けられた切替軸を中心にして前記研削ブレード保持部を回転切替することにより、前記研削ブレード保持部に保持された研削ブレードを半導体ウェハの上方に配置する工程と、前記研削ブレードを下降させて前記半導体ウェハに圧接する工程と、前記研削ブレードの中心に延在するように設けられた回転軸を中心にして前記研削ブレードを回転する工程と、前記半導体ウェハに形成されたオリフラ又はノッチを基準として、前記半導体ウェハを水平方向に移動しながら所望の厚さまで研削を行う工程とを含むことを特徴とする半導体ウェハの研削方法。
研削ブレード保持部の中心に延在するように設けられた切替軸を中心にして前記研削ブレード保持部を回転切替することにより、前記研削ブレード保持部に保持された研削ブレードを半導体ウェハの上方に配置する工程と、前記研削ブレードを下降させて前記半導体ウェハに圧接する工程と、前記研削ブレードの中心に延在するように設けられた回転軸を中心にして前記研削ブレードを回転する工程と、前記半導体ウェハに形成されたオリフラ又はノッチを基準として、前記半導体ウェハを固定した状態で、前記研削ブレードを水平方向に移動しながら所望の厚さまで研削を行う工程とを含むことを特徴とする半導体ウェハの研削方法。
前記研削ブレード保持部に保持された、メッシュサイズの異なる少なくとも２つ以上の研削ブレードを、半導体ウェハの研削量に応じて順次切り替えて研削を行うことを特徴とする請求項８又は９記載の半導体ウェハの研削方法。
前記研削ブレードによる研削痕が、前記半導体ウェハから切り出されるチップの長辺に対してほぼ平行に形成されることを特徴とする請求項８〜１０記載の半導体ウェハの研削方法。