JPH10315107A - 半導体基板の面取加工装置 - Google Patents
半導体基板の面取加工装置Info
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- JPH10315107A JPH10315107A JP9121879A JP12187997A JPH10315107A JP H10315107 A JPH10315107 A JP H10315107A JP 9121879 A JP9121879 A JP 9121879A JP 12187997 A JP12187997 A JP 12187997A JP H10315107 A JPH10315107 A JP H10315107A
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- mirror
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- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板の面取加工と面取部分の鏡面加工
とを可能にして、エッチング処理を経ることなく面取部
分に付着した研削粒子を除去又は減少させることができ
る半導体基板の面取加工装置を提供する。 【解決手段】 半導体基板Ｗを保持して回転させる基板
回転機構１と面取及び鏡面研磨機構２とを有し、半導体
基板Ｗを面取及び鏡面研磨機構２のダイヤモンド砥石２
０で面取り研削した後、半導体基板Ｗの面取部や周面部
をＣeＯ2の固定砥粒で形成した鏡面研磨体３０によって
鏡面研磨することで、ダイヤモンド砥石２０の加工時に
半導体基板Ｗに付着した研削粒子を除去することができ
る。
とを可能にして、エッチング処理を経ることなく面取部
分に付着した研削粒子を除去又は減少させることができ
る半導体基板の面取加工装置を提供する。 【解決手段】 半導体基板Ｗを保持して回転させる基板
回転機構１と面取及び鏡面研磨機構２とを有し、半導体
基板Ｗを面取及び鏡面研磨機構２のダイヤモンド砥石２
０で面取り研削した後、半導体基板Ｗの面取部や周面部
をＣeＯ2の固定砥粒で形成した鏡面研磨体３０によって
鏡面研磨することで、ダイヤモンド砥石２０の加工時に
半導体基板Ｗに付着した研削粒子を除去することができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、シリコンウエハ
等の半導体基板の面取加工と鏡面加工とが可能な半導体
基板の面取加工装置に関するものである。
等の半導体基板の面取加工と鏡面加工とが可能な半導体
基板の面取加工装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図７は、従来の半導体基板の面取加工装
置を示す正面図である。図７において、符号Ｗが半導体
基板であり、符号１００，１０１がこの半導体基板Ｗを
上下から保持する保持盤である。この保持盤１００は、
半導体基板Ｗを保持した状態で軸１０２，１０３を中心
に回転するようになっている。一方、符号２００はダイ
ヤモンド砥石であり、軸２１０を中心に高速回転すると
共に、軸２１０と一体に上下動するようになっている。
このダイヤモンド砥石２００は、半導体基板Ｗの周面に
平行な周面２０１と、上方に面取角θだけ傾斜した傾斜
面２０２と、下方に面取角θだけ傾斜した傾斜面２０３
とを有している。これにより、半導体基板Ｗを回転させ
ながら高速回転するダイヤモンド砥石２００の周面２０
１に接触させることで、図８に示すように、半導体基板
Ｗの径を決定する周面部Ｗｃを研削形成する。また、ダ
イヤモンド砥石２００を上下動させて、傾斜面２０２，
傾斜面２０３を半導体基板Ｗの上，下周縁に接触させる
ことで、半導体基板Ｗの上，下周縁に角度θの面取部Ｗ
ａ，Ｗｂを研削形成するようになっている。
置を示す正面図である。図７において、符号Ｗが半導体
基板であり、符号１００，１０１がこの半導体基板Ｗを
上下から保持する保持盤である。この保持盤１００は、
半導体基板Ｗを保持した状態で軸１０２，１０３を中心
に回転するようになっている。一方、符号２００はダイ
ヤモンド砥石であり、軸２１０を中心に高速回転すると
共に、軸２１０と一体に上下動するようになっている。
このダイヤモンド砥石２００は、半導体基板Ｗの周面に
平行な周面２０１と、上方に面取角θだけ傾斜した傾斜
面２０２と、下方に面取角θだけ傾斜した傾斜面２０３
とを有している。これにより、半導体基板Ｗを回転させ
ながら高速回転するダイヤモンド砥石２００の周面２０
１に接触させることで、図８に示すように、半導体基板
Ｗの径を決定する周面部Ｗｃを研削形成する。また、ダ
イヤモンド砥石２００を上下動させて、傾斜面２０２，
傾斜面２０３を半導体基板Ｗの上，下周縁に接触させる
ことで、半導体基板Ｗの上，下周縁に角度θの面取部Ｗ
ａ，Ｗｂを研削形成するようになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の半導体基板の面取加工装置では、次のような問
題があった。ダイヤモンド砥粒を貼り付けたダイヤモン
ド砥石２００で半導体基板Ｗを研磨加工するので、加工
時に生じたシリコン粒子等の多量の研削粒子が面取部Ｗ
ａ，Ｗｂや周面部Ｗｃに付着してしまう。したがって、
これらの研削粒子を除去するために、弗硝酸溶液でエッ
チング処理しなければならない。また、高集積の半導体
基板Ｗの場合には研削粒子の付着により、エッチング面
の粗さが大きくなってしまう。
た従来の半導体基板の面取加工装置では、次のような問
題があった。ダイヤモンド砥粒を貼り付けたダイヤモン
ド砥石２００で半導体基板Ｗを研磨加工するので、加工
時に生じたシリコン粒子等の多量の研削粒子が面取部Ｗ
ａ，Ｗｂや周面部Ｗｃに付着してしまう。したがって、
これらの研削粒子を除去するために、弗硝酸溶液でエッ
チング処理しなければならない。また、高集積の半導体
基板Ｗの場合には研削粒子の付着により、エッチング面
の粗さが大きくなってしまう。
【０００４】この発明は上述した課題を解決するために
なされたもので、半導体基板の面取加工と面取部分の鏡
面加工とを可能にして、エッチング処理を経ることなく
面取部分に付着した研削粒子を除去又は減少させること
ができる半導体基板の面取加工装置を提供することを目
的としている。
なされたもので、半導体基板の面取加工と面取部分の鏡
面加工とを可能にして、エッチング処理を経ることなく
面取部分に付着した研削粒子を除去又は減少させること
ができる半導体基板の面取加工装置を提供することを目
的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は、半導体基板を保持して回転可能な基板
保持体と、半導体基板の表，裏面周縁を面取り研削する
と共に半導体基板の径を決定する周面を研削するダイヤ
モンド砥石とを具備する半導体基板の面取加工装置にお
いて、鏡面研磨用の固定砥粒で形成され、半導体基板の
回転軸に平行な中心軸周りで回転すると共にこの中心軸
方向に移動可能であり、且つ、中心軸周りの周面と、こ
の周面の一方端に設けられ、半導体基板の表面取部と略
同一角度で傾いた第１の傾斜面と、周面の他方端部に設
けられ、半導体基板の裏面取部と略同一角度で傾いた第
２の傾斜面とを有する鏡面研磨体を設けた構成としてあ
る。かかる構成により、半導体基板を保持した基板保持
体を回転させた状態でダイヤモンド砥石により半導体基
板の表，裏面周縁を面取り研削すると共に周面を研削し
て半導体基板の径を決定する。しかる後、鏡面研磨体を
中心軸周りで回転させることで、その周面で半導体基板
の周面部を鏡面研磨することができる。そして、鏡面研
磨体を中心軸方向に移動させ、第１の傾斜面を半導体基
板の表面取部に接触させることで、表面研磨することが
でき、また、半導体基板を逆方向に移動させ、第２の傾
斜面を半導体基板の裏面取部に接触させることで、裏面
取部を鏡面研磨することができる。
に、この発明は、半導体基板を保持して回転可能な基板
保持体と、半導体基板の表，裏面周縁を面取り研削する
と共に半導体基板の径を決定する周面を研削するダイヤ
モンド砥石とを具備する半導体基板の面取加工装置にお
いて、鏡面研磨用の固定砥粒で形成され、半導体基板の
回転軸に平行な中心軸周りで回転すると共にこの中心軸
方向に移動可能であり、且つ、中心軸周りの周面と、こ
の周面の一方端に設けられ、半導体基板の表面取部と略
同一角度で傾いた第１の傾斜面と、周面の他方端部に設
けられ、半導体基板の裏面取部と略同一角度で傾いた第
２の傾斜面とを有する鏡面研磨体を設けた構成としてあ
る。かかる構成により、半導体基板を保持した基板保持
体を回転させた状態でダイヤモンド砥石により半導体基
板の表，裏面周縁を面取り研削すると共に周面を研削し
て半導体基板の径を決定する。しかる後、鏡面研磨体を
中心軸周りで回転させることで、その周面で半導体基板
の周面部を鏡面研磨することができる。そして、鏡面研
磨体を中心軸方向に移動させ、第１の傾斜面を半導体基
板の表面取部に接触させることで、表面研磨することが
でき、また、半導体基板を逆方向に移動させ、第２の傾
斜面を半導体基板の裏面取部に接触させることで、裏面
取部を鏡面研磨することができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。 （第１の実施形態）図１は、この発明の第１の実施形態
に係る半導体基板の面取加工装置の要部を示す正面図で
ある。図１に示すように、この実施形態の半導体基板の
面取加工装置は基板回転機構１と面取及び鏡面研磨機構
２とを具備している。
いて図面を参照して説明する。 （第１の実施形態）図１は、この発明の第１の実施形態
に係る半導体基板の面取加工装置の要部を示す正面図で
ある。図１に示すように、この実施形態の半導体基板の
面取加工装置は基板回転機構１と面取及び鏡面研磨機構
２とを具備している。
【０００７】基板回転機構１は半導体基板Ｗを回転させ
るための機構であり、基板保持体としての保持盤１０，
１１を有している。具体的には、保持盤１０の軸１２が
図示しないモータの回転軸に連結されており、保持盤１
１の軸１３が図示しない軸受によって回転自在に保持さ
れている。これにより、保持盤１０，１１で半導体基板
Ｗを保持し、上記モータを駆動することで半導体基板Ｗ
を回転することができる。
るための機構であり、基板保持体としての保持盤１０，
１１を有している。具体的には、保持盤１０の軸１２が
図示しないモータの回転軸に連結されており、保持盤１
１の軸１３が図示しない軸受によって回転自在に保持さ
れている。これにより、保持盤１０，１１で半導体基板
Ｗを保持し、上記モータを駆動することで半導体基板Ｗ
を回転することができる。
【０００８】一方、面取及び鏡面研磨機構２は、ダイヤ
モンド砥石２０とこれに連結した鏡面研磨体３０とを有
している。図２は、ダイヤモンド砥石２０と鏡面研磨体
３０とを示す断面図である。ダイヤモンド砥石２０は、
半導体基板Ｗ（図１参照）を研削するための砥石であ
り、周面２１と上，下の傾斜面２２，２３を有してい
る。周面２１は、半導体基板Ｗの径を決定する半導体基
板Ｗの周面を研削する部分であり、傾斜面２２，２３
は、半導体基板Ｗの上，下周縁（表，裏周縁）を図８に
示した角度θで面取研削するための部分である。また、
鏡面研磨体３０は、ダイヤモンド砥石２０で研削された
半導体基板Ｗを鏡面研磨するためのもので、ダイヤモン
ド砥石２０と同様に周面３１と周面３１の上，下端に形
成された傾斜面３２，３３（第１，第２の傾斜面）とを
有している。すなわち、図８に示す半導体基板Ｗの周面
部Ｗｃと平行な周面３１と面取部Ｗａ，Ｗｂの面取角θ
と同一角度で傾いた傾斜面３２，３３とを有している。
このような鏡面研磨体３０はＣeＯ2の固定砥粒で形成さ
れており、きめ細かな鏡面研磨を可能にしている。
モンド砥石２０とこれに連結した鏡面研磨体３０とを有
している。図２は、ダイヤモンド砥石２０と鏡面研磨体
３０とを示す断面図である。ダイヤモンド砥石２０は、
半導体基板Ｗ（図１参照）を研削するための砥石であ
り、周面２１と上，下の傾斜面２２，２３を有してい
る。周面２１は、半導体基板Ｗの径を決定する半導体基
板Ｗの周面を研削する部分であり、傾斜面２２，２３
は、半導体基板Ｗの上，下周縁（表，裏周縁）を図８に
示した角度θで面取研削するための部分である。また、
鏡面研磨体３０は、ダイヤモンド砥石２０で研削された
半導体基板Ｗを鏡面研磨するためのもので、ダイヤモン
ド砥石２０と同様に周面３１と周面３１の上，下端に形
成された傾斜面３２，３３（第１，第２の傾斜面）とを
有している。すなわち、図８に示す半導体基板Ｗの周面
部Ｗｃと平行な周面３１と面取部Ｗａ，Ｗｂの面取角θ
と同一角度で傾いた傾斜面３２，３３とを有している。
このような鏡面研磨体３０はＣeＯ2の固定砥粒で形成さ
れており、きめ細かな鏡面研磨を可能にしている。
【０００９】これらダイヤモンド砥石２０，３０は、そ
の中心孔２４，３４を介して中心軸２５，３５に固着さ
れており、中心軸２５，３５同士が連結管２６で連結さ
れている。
の中心孔２４，３４を介して中心軸２５，３５に固着さ
れており、中心軸２５，３５同士が連結管２６で連結さ
れている。
【００１０】面取及び鏡面研磨機構２は、このようなダ
イヤモンド砥石２０及び鏡面研磨体３０を一体に回転さ
せる構造を有している。図３は、面取及び鏡面研磨機構
２を一部破断して示す正面図である。図３に示すよう
に、面取及び鏡面研磨機構２は、レール４０上を左右に
移動可能な可動体４と可動体４に組み付けられたブラケ
ット５とを有し、ダイヤモンド砥石２０，鏡面研磨体３
０を保持している。
イヤモンド砥石２０及び鏡面研磨体３０を一体に回転さ
せる構造を有している。図３は、面取及び鏡面研磨機構
２を一部破断して示す正面図である。図３に示すよう
に、面取及び鏡面研磨機構２は、レール４０上を左右に
移動可能な可動体４と可動体４に組み付けられたブラケ
ット５とを有し、ダイヤモンド砥石２０，鏡面研磨体３
０を保持している。
【００１１】可動体４は、シリンダ４１によってレール
４０上を左右に移動させられるようになっており、その
上部には孔４２が穿設され、この孔４２にネジ棒４３が
挿通されている。また、ネジ棒４３の左位置にはガイド
杆４４が取り付けられている。
４０上を左右に移動させられるようになっており、その
上部には孔４２が穿設され、この孔４２にネジ棒４３が
挿通されている。また、ネジ棒４３の左位置にはガイド
杆４４が取り付けられている。
【００１２】ブラケット５は、可動体４のガイド杆４４
に組み付けられ、ネジ棒４３の操作で上下動するように
なっている。すなわち、ガイド孔５０にガイド杆４４が
挿通されると共に、ネジ溝５１にネジ棒４３が螺入され
た状態で、ブラケット５が可動体４に取り付けられてい
る。ダイヤモンド砥石２０及び鏡面研磨体３０は、この
ようなブラケット５に組み付けられている。具体的に
は、ブラケット５の上面にモータ５２が取り付けられ、
その回転軸が鏡面研磨体３０の中心軸３５に連結されて
いる。
に組み付けられ、ネジ棒４３の操作で上下動するように
なっている。すなわち、ガイド孔５０にガイド杆４４が
挿通されると共に、ネジ溝５１にネジ棒４３が螺入され
た状態で、ブラケット５が可動体４に取り付けられてい
る。ダイヤモンド砥石２０及び鏡面研磨体３０は、この
ようなブラケット５に組み付けられている。具体的に
は、ブラケット５の上面にモータ５２が取り付けられ、
その回転軸が鏡面研磨体３０の中心軸３５に連結されて
いる。
【００１３】次に、この実施形態の半導体基板の面取加
工装置の使用例について説明する。図４は、半導体基板
Ｗに対する研削動作を示す正面図であり、図５は、半導
体基板Ｗに対する鏡面研磨動作を示す正面図である。図
３において、半導体基板Ｗを基板回転機構１により回転
させ、ダイヤモンド砥石２０によって半導体基板Ｗを研
削加工する。すなわち、ネジ棒４３を回転させ、ブラケ
ット５を上又は下動させて、まず、ダイヤモンド砥石２
０の周面２１（図２参照）を半導体基板Ｗの位置に合わ
せた後、モータ５２でダイヤモンド砥石２０及び鏡面研
磨体３０を回転させる。そして、可動体４をシリンダ４
１で半導体基板Ｗ側に移動させて、図４の実線で示すよ
うに、周面２１を半導体基板Ｗの周面に所定圧力で接触
させて半導体基板Ｗの周面を研削する。半導体基板Ｗが
所望の径まで研削されたところで、図３に示すネジ棒４
３を操作して、ブラケット５を下降させ、ダイヤモンド
砥石２０の傾斜面２２を半導体基板Ｗの上周縁の位置に
合わせた後、可動体４を半導体基板Ｗ側に移動させて、
傾斜面２２を半導体基板Ｗの上周縁に接触させる。これ
により、図４の一点鎖線で示すように、半導体基板Ｗの
上周縁が面取りされる。以後同様にして、ダイヤモンド
砥石２０及び鏡面研磨体３０を上昇させ、図４の二点鎖
線で示すように、傾斜面２３によって半導体基板Ｗの下
周縁を面取りすることで、図８に示すように、面取角θ
の面取部Ｗａ，Ｗｂを有した所定径の半導体基板Ｗを得
ることができる。
工装置の使用例について説明する。図４は、半導体基板
Ｗに対する研削動作を示す正面図であり、図５は、半導
体基板Ｗに対する鏡面研磨動作を示す正面図である。図
３において、半導体基板Ｗを基板回転機構１により回転
させ、ダイヤモンド砥石２０によって半導体基板Ｗを研
削加工する。すなわち、ネジ棒４３を回転させ、ブラケ
ット５を上又は下動させて、まず、ダイヤモンド砥石２
０の周面２１（図２参照）を半導体基板Ｗの位置に合わ
せた後、モータ５２でダイヤモンド砥石２０及び鏡面研
磨体３０を回転させる。そして、可動体４をシリンダ４
１で半導体基板Ｗ側に移動させて、図４の実線で示すよ
うに、周面２１を半導体基板Ｗの周面に所定圧力で接触
させて半導体基板Ｗの周面を研削する。半導体基板Ｗが
所望の径まで研削されたところで、図３に示すネジ棒４
３を操作して、ブラケット５を下降させ、ダイヤモンド
砥石２０の傾斜面２２を半導体基板Ｗの上周縁の位置に
合わせた後、可動体４を半導体基板Ｗ側に移動させて、
傾斜面２２を半導体基板Ｗの上周縁に接触させる。これ
により、図４の一点鎖線で示すように、半導体基板Ｗの
上周縁が面取りされる。以後同様にして、ダイヤモンド
砥石２０及び鏡面研磨体３０を上昇させ、図４の二点鎖
線で示すように、傾斜面２３によって半導体基板Ｗの下
周縁を面取りすることで、図８に示すように、面取角θ
の面取部Ｗａ，Ｗｂを有した所定径の半導体基板Ｗを得
ることができる。
【００１４】上記のようにして、半導体基板Ｗの面取り
研削が行われるが、目の粗いダイヤモンド砥石２０で半
導体基板Ｗを研削加工したため、面取部Ｗａ，Ｗｂや周
面部Ｗｃに多量の研削粒子が付着している場合がある。
このような場合には、半導体基板Ｗを鏡面研磨体３０で
鏡面研磨する。すなわち、図３において、鏡面研磨体３
０の周面３１（図２参照）を半導体基板Ｗの周面部Ｗｃ
の位置に合せ、ダイヤモンド砥石２０及び鏡面研磨体３
０を回転させながら、可動体４をシリンダ４１で半導体
基板Ｗ側に移動させて、図５の実線で示すように、鏡面
研磨体３０の周面３１を半導体基板Ｗの周面部Ｗｃに所
定圧力で接触させる。このとき、鏡面研磨体３０がきめ
細かいＣeＯ2の固定砥粒で形成されているので、周面部
Ｗｃが周面３１によって鏡面研磨され、周面部Ｗｃに付
着した研磨粒子が除去される。そして、周面部Ｗｃの鏡
面研磨が終了したところで、図３に示すネジ棒４３を操
作して、ダイヤモンド砥石２０及び鏡面研磨体３０を下
降させ、鏡面研磨体３０の傾斜面３２を半導体基板Ｗの
面取部Ｗａの位置に合わせた後、鏡面研磨体３０を半導
体基板Ｗ側に移動させて、傾斜面３２を面取部Ｗａに接
触させる。これにより、図５の二点鎖線で示すように、
面取部Ｗａが鏡面研磨され、付着した研磨粒子が面取部
Ｗａから除去される。以後同様にして、鏡面研磨体３０
を上昇させ、図５の一点鎖線で示すように、傾斜面３３
によって面取部Ｗｂを鏡面研磨することで、付着した研
削粒子が面取部Ｗｂから除去される。
研削が行われるが、目の粗いダイヤモンド砥石２０で半
導体基板Ｗを研削加工したため、面取部Ｗａ，Ｗｂや周
面部Ｗｃに多量の研削粒子が付着している場合がある。
このような場合には、半導体基板Ｗを鏡面研磨体３０で
鏡面研磨する。すなわち、図３において、鏡面研磨体３
０の周面３１（図２参照）を半導体基板Ｗの周面部Ｗｃ
の位置に合せ、ダイヤモンド砥石２０及び鏡面研磨体３
０を回転させながら、可動体４をシリンダ４１で半導体
基板Ｗ側に移動させて、図５の実線で示すように、鏡面
研磨体３０の周面３１を半導体基板Ｗの周面部Ｗｃに所
定圧力で接触させる。このとき、鏡面研磨体３０がきめ
細かいＣeＯ2の固定砥粒で形成されているので、周面部
Ｗｃが周面３１によって鏡面研磨され、周面部Ｗｃに付
着した研磨粒子が除去される。そして、周面部Ｗｃの鏡
面研磨が終了したところで、図３に示すネジ棒４３を操
作して、ダイヤモンド砥石２０及び鏡面研磨体３０を下
降させ、鏡面研磨体３０の傾斜面３２を半導体基板Ｗの
面取部Ｗａの位置に合わせた後、鏡面研磨体３０を半導
体基板Ｗ側に移動させて、傾斜面３２を面取部Ｗａに接
触させる。これにより、図５の二点鎖線で示すように、
面取部Ｗａが鏡面研磨され、付着した研磨粒子が面取部
Ｗａから除去される。以後同様にして、鏡面研磨体３０
を上昇させ、図５の一点鎖線で示すように、傾斜面３３
によって面取部Ｗｂを鏡面研磨することで、付着した研
削粒子が面取部Ｗｂから除去される。
【００１５】このように、この実施形態の半導体基板の
面取加工装置によれば、半導体基板Ｗの面取部Ｗａ，Ｗ
ｂ及び周面部ＷｃをＣeＯ2の固定砥粒で形成した鏡面研
磨体３０で鏡面研磨することができるので、ダイヤモン
ド砥石２０の研削工程で生じた研削粒子が半導体基板Ｗ
の面取部Ｗａ等に付着しても、これを確実に除去するこ
とができる。この結果、研削粒子除去のためのエッチン
グ処理が不必要となる。また、鏡面研磨した半導体基板
Ｗに対してエッチング処理を必要としないので、エッチ
ング処理ができない場所や半導体基板に対して有効な手
段となる。さらに、半導体基板Ｗが高集積回路基板であ
る場合に生じるエッチング面の粗さの問題も解決するこ
とができる。また、半導体基板Ｗの面取部Ｗａ，Ｗｂ等
に研削粒子が残存していたとしても、僅かなものとな
る。
面取加工装置によれば、半導体基板Ｗの面取部Ｗａ，Ｗ
ｂ及び周面部ＷｃをＣeＯ2の固定砥粒で形成した鏡面研
磨体３０で鏡面研磨することができるので、ダイヤモン
ド砥石２０の研削工程で生じた研削粒子が半導体基板Ｗ
の面取部Ｗａ等に付着しても、これを確実に除去するこ
とができる。この結果、研削粒子除去のためのエッチン
グ処理が不必要となる。また、鏡面研磨した半導体基板
Ｗに対してエッチング処理を必要としないので、エッチ
ング処理ができない場所や半導体基板に対して有効な手
段となる。さらに、半導体基板Ｗが高集積回路基板であ
る場合に生じるエッチング面の粗さの問題も解決するこ
とができる。また、半導体基板Ｗの面取部Ｗａ，Ｗｂ等
に研削粒子が残存していたとしても、僅かなものとな
る。
【００１６】（第２の実施形態）図６は、この発明の第
２の実施形態に係る半導体基板の面取加工装置を示す正
面図である。この実施形態の半導体基板の面取加工装置
は、半導体基板Ｗの面取部Ｗａ，Ｗｂ及び周面部Ｗｃを
同時に鏡面研磨することができる点が、上記第１の実施
形態の半導体基板の面取加工装置と異なる。具体的に
は、図６に示すように、周面３１′のみを有し中心軸３
５周りでダイヤモンド砥石２０と一体回転可能な柱状の
鏡面研磨体３０′（第１の鏡面研磨体）と、面取部Ｗａ
の面取角θと同一の角度で傾いた中心軸３２ａ′に取り
付けられた鏡面研磨体３２′と、同じく面取部Ｗｂの面
取角θと同一角度で傾いた中心軸３３ａ′に取り付けら
れた鏡面研磨体３３′とを有している。これら鏡面研磨
体３２′，３３′は鏡面研磨体３０′と同様にＣeＯ2の
固定砥粒で形成されており、中心軸３２ａ′３３ａ′に
は互いに噛合した傘歯車３６，３７が取り付けられてい
る。そして、中心軸３３ａ′がモータ３８の回転軸に連
結されている。
２の実施形態に係る半導体基板の面取加工装置を示す正
面図である。この実施形態の半導体基板の面取加工装置
は、半導体基板Ｗの面取部Ｗａ，Ｗｂ及び周面部Ｗｃを
同時に鏡面研磨することができる点が、上記第１の実施
形態の半導体基板の面取加工装置と異なる。具体的に
は、図６に示すように、周面３１′のみを有し中心軸３
５周りでダイヤモンド砥石２０と一体回転可能な柱状の
鏡面研磨体３０′（第１の鏡面研磨体）と、面取部Ｗａ
の面取角θと同一の角度で傾いた中心軸３２ａ′に取り
付けられた鏡面研磨体３２′と、同じく面取部Ｗｂの面
取角θと同一角度で傾いた中心軸３３ａ′に取り付けら
れた鏡面研磨体３３′とを有している。これら鏡面研磨
体３２′，３３′は鏡面研磨体３０′と同様にＣeＯ2の
固定砥粒で形成されており、中心軸３２ａ′３３ａ′に
は互いに噛合した傘歯車３６，３７が取り付けられてい
る。そして、中心軸３３ａ′がモータ３８の回転軸に連
結されている。
【００１７】かかる構成により、鏡面研磨体３０′の周
面３１′を半導体基板Ｗの周面部Ｗｃに接触させると共
に２つの鏡面研磨体３２′，３３′を面取部Ｗａ，Ｗｂ
に接触させた状態で、モータ５２，３８を駆動させるこ
とにより、面取部Ｗａ，Ｗｂ及び周面部Ｗｃを一度に鏡
面研磨することができる。これにより、半導体基板Ｗの
鏡面研磨作業時間の短縮化を図ることができる。その他
の構成，作用効果は上記第１の実施形態と同様であるの
で、その記載は省略する。
面３１′を半導体基板Ｗの周面部Ｗｃに接触させると共
に２つの鏡面研磨体３２′，３３′を面取部Ｗａ，Ｗｂ
に接触させた状態で、モータ５２，３８を駆動させるこ
とにより、面取部Ｗａ，Ｗｂ及び周面部Ｗｃを一度に鏡
面研磨することができる。これにより、半導体基板Ｗの
鏡面研磨作業時間の短縮化を図ることができる。その他
の構成，作用効果は上記第１の実施形態と同様であるの
で、その記載は省略する。
【００１８】
【発明の効果】以上詳しく説明したように、この発明の
半導体基板の面取加工装置によれば、半導体基板の周面
部や表，裏面取部を鏡面研磨体で鏡面研磨することがで
きるので、ダイヤモンド砥石の研削工程で生じた研削粒
子が半導体基板の面取部等に付着しても、鏡面研磨体で
除去することができる。この結果、研削粒子除去のため
のエッチング処理が不必要となるという優れた効果があ
る。また、エッチング処理を必要としないのでエッチン
グ処理ができない場所や半導体基板に対して、有効な手
段となる。さらに、高集積の半導体基板におけるエッチ
ング面の粗さの問題も解決することができる。また、研
削粒子が残存していたとしても、僅かなものとなる。
半導体基板の面取加工装置によれば、半導体基板の周面
部や表，裏面取部を鏡面研磨体で鏡面研磨することがで
きるので、ダイヤモンド砥石の研削工程で生じた研削粒
子が半導体基板の面取部等に付着しても、鏡面研磨体で
除去することができる。この結果、研削粒子除去のため
のエッチング処理が不必要となるという優れた効果があ
る。また、エッチング処理を必要としないのでエッチン
グ処理ができない場所や半導体基板に対して、有効な手
段となる。さらに、高集積の半導体基板におけるエッチ
ング面の粗さの問題も解決することができる。また、研
削粒子が残存していたとしても、僅かなものとなる。
【図１】この発明の第１の実施形態に係る半導体基板の
面取加工装置の要部を示す正面図である。
面取加工装置の要部を示す正面図である。
【図２】ダイヤモンド砥石と鏡面研磨体とを示す断面図
である。
である。
【図３】面取及び鏡面研磨機構を一部破断して示す正面
図である。
図である。
【図４】半導体基板に対する研削動作を示す正面図であ
る。
る。
【図５】半導体基板に対する鏡面研磨動作を示す正面図
である。
である。
【図６】この発明の第２の実施形態に係る半導体基板の
面取加工装置を示す正面図である。
面取加工装置を示す正面図である。
【図７】従来の半導体基板の面取加工装置を示す正面図
である。
である。
【図８】面取りされた半導体基板の正面図である。
１…基板回転機構、 ２…面取及び鏡面研磨機構、 １
０，１１…保持盤、２０…ダイヤモンド砥石、 ３０…
鏡面研磨体、 ３１…周面、 ３２，３３…傾斜面、
３５…中心軸、 Ｗ…半導体基板、 Ｗｃ…周面部、
Ｗａ，Ｗｂ…面取部、 θ…面取角。
０，１１…保持盤、２０…ダイヤモンド砥石、 ３０…
鏡面研磨体、 ３１…周面、 ３２，３３…傾斜面、
３５…中心軸、 Ｗ…半導体基板、 Ｗｃ…周面部、
Ｗａ，Ｗｂ…面取部、 θ…面取角。
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板を保持して回転可能な基板保
持体と、 上記半導体基板の表，裏面周縁を面取り研削すると共に
半導体基板の径を決定する周面を研削するダイヤモンド
砥石と、 を具備する半導体基板の面取加工装置において、 鏡面研磨用の固定砥粒で形成され、上記半導体基板の回
転軸に平行な中心軸周りで回転すると共にこの中心軸方
向に移動可能であり、且つ、上記中心軸周りの周面と、
この周面の一方端に設けられ、上記半導体基板の表面取
部と略同一角度で傾いた第１の傾斜面と、上記周面の他
方端部に設けられ、上記半導体基板の裏面取部と略同一
角度で傾いた第２の傾斜面とを有する鏡面研磨体を設け
た、 ことを特徴とする半導体基板の面取加工装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体基板の面取加工
装置において、 上記鏡面研磨体を、ＣeＯ2の固定砥粒で形成した、 ことを特徴とする半導体基板の面取加工装置。 - 【請求項３】 半導体基板を保持して回転可能な基板保
持体と、 上記半導体基板の表，裏面周縁を面取り研削すると共に
半導体基板の径を決定する周面を研削するダイヤモンド
砥石と、 を具備する半導体基板の面取加工装置において、 鏡面研磨用の固定砥粒で形成され、上記半導体基板の回
転軸に平行な中心軸周りで回転可能な柱状の第１の鏡面
研磨体と、 上記固定砥粒で形成され、上記半導体基板の表面取部と
略同一角度で傾いた中心軸周りで回転可能な第２の鏡面
研磨体と、 上記固定砥粒で形成され、上記半導体基板の裏面取部と
略同一角度で傾いた中心軸周りで回転可能な第３の鏡面
研磨体と、 を設けたことを特徴とする半導体基板の面取加工装置。 - 【請求項４】 請求項３に記載の半導体基板の面取加工
装置において、 上記第１ないし第３の鏡面研磨体を、ＣeＯ2の固定砥粒
で形成した、 ことを特徴とする半導体基板の面取加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9121879A JPH10315107A (ja) | 1997-05-13 | 1997-05-13 | 半導体基板の面取加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9121879A JPH10315107A (ja) | 1997-05-13 | 1997-05-13 | 半導体基板の面取加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10315107A true JPH10315107A (ja) | 1998-12-02 |
Family
ID=14822193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9121879A Pending JPH10315107A (ja) | 1997-05-13 | 1997-05-13 | 半導体基板の面取加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10315107A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6902469B2 (en) | 1999-12-28 | 2005-06-07 | Neomax Co., Ltd. | Work chamfering apparatus and work chamfering method |
| JP2009027198A (ja) * | 2008-10-31 | 2009-02-05 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP2010162624A (ja) * | 2009-01-13 | 2010-07-29 | Ebara Corp | 研磨装置および研磨方法 |
| CN110744394A (zh) * | 2019-09-24 | 2020-02-04 | 贵州天义电器有限责任公司 | 一种膜片磨床夹具 |
-
1997
- 1997-05-13 JP JP9121879A patent/JPH10315107A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6902469B2 (en) | 1999-12-28 | 2005-06-07 | Neomax Co., Ltd. | Work chamfering apparatus and work chamfering method |
| JP2009027198A (ja) * | 2008-10-31 | 2009-02-05 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP2010162624A (ja) * | 2009-01-13 | 2010-07-29 | Ebara Corp | 研磨装置および研磨方法 |
| CN110744394A (zh) * | 2019-09-24 | 2020-02-04 | 贵州天义电器有限责任公司 | 一种膜片磨床夹具 |
| CN110744394B (zh) * | 2019-09-24 | 2021-11-05 | 贵州天义电器有限责任公司 | 一种膜片磨床夹具 |
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