JPH10329032A - Ｌｓｉ酸化膜研磨用砥石およびｌｓｉ酸化膜研磨方法 - Google Patents
Ｌｓｉ酸化膜研磨用砥石およびｌｓｉ酸化膜研磨方法Info
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- JPH10329032A JPH10329032A JP9139699A JP13969997A JPH10329032A JP H10329032 A JPH10329032 A JP H10329032A JP 9139699 A JP9139699 A JP 9139699A JP 13969997 A JP13969997 A JP 13969997A JP H10329032 A JPH10329032 A JP H10329032A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＬＳＩのグローバルプラナリゼーションに用
いられるＬＳＩ酸化膜研磨用砥石およびＬＳＩ酸化膜研
磨方法に関し、優れた研磨性能を有する特殊な材質の砥
粒を含有した砥石を使用して研磨することによりＬＳＩ
酸化膜のグローバル平坦化を達成させるようにすること
を課題とする。 【解決手段】 平均粒径が１μｍ未満かつ 0.01 μｍ以
上のＢａＣＯ3 粉末および／またはＣｅＯ2 粉末を砥粒
として含有する砥石を構成し、この砥石を使用して研磨
するように構成する。
いられるＬＳＩ酸化膜研磨用砥石およびＬＳＩ酸化膜研
磨方法に関し、優れた研磨性能を有する特殊な材質の砥
粒を含有した砥石を使用して研磨することによりＬＳＩ
酸化膜のグローバル平坦化を達成させるようにすること
を課題とする。 【解決手段】 平均粒径が１μｍ未満かつ 0.01 μｍ以
上のＢａＣＯ3 粉末および／またはＣｅＯ2 粉末を砥粒
として含有する砥石を構成し、この砥石を使用して研磨
するように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＬＳＩのグローバル
プラナリゼーションに用いられるＬＳＩ酸化膜研磨用砥
石およびＬＳＩ酸化膜研磨方法に関するものである。
プラナリゼーションに用いられるＬＳＩ酸化膜研磨用砥
石およびＬＳＩ酸化膜研磨方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＳＩ技術の急速な進展により、
ＬＳＩ（以下、ＬＳＩとは、ＶＬＳＩ、ＵＬＳＩを含
む）の高集積化、微細化、高密度化が行われており、そ
れに伴ってＬＳＩ表面の段差や凹凸が極めて大きくな
り、接続不良や金属配線の断線、ショートなどを引き起
こして、歩留りの低下をきたす原因となっている。この
ため、ＬＳＩ表面の段差や凹凸を解消し、歩留りや信頼
性の向上を目的としたＬＳＩのグローバルプラナリゼー
ション（以下、グローバル平坦化という）が達成される
ような優れた研磨性能を有する研磨用具、研磨資材およ
び研磨方法等が求められている。
ＬＳＩ（以下、ＬＳＩとは、ＶＬＳＩ、ＵＬＳＩを含
む）の高集積化、微細化、高密度化が行われており、そ
れに伴ってＬＳＩ表面の段差や凹凸が極めて大きくな
り、接続不良や金属配線の断線、ショートなどを引き起
こして、歩留りの低下をきたす原因となっている。この
ため、ＬＳＩ表面の段差や凹凸を解消し、歩留りや信頼
性の向上を目的としたＬＳＩのグローバルプラナリゼー
ション（以下、グローバル平坦化という）が達成される
ような優れた研磨性能を有する研磨用具、研磨資材およ
び研磨方法等が求められている。
【０００３】従来、シリコンウエハ上に形成されたＬＳ
Ｉ酸化膜の研磨方法としては、砥石を用いた研磨装置を
使用して研磨する方法はなく、研磨パッドを用いた研磨
装置を使用して研磨するパッド使用研磨方法が採用され
ていた。このパッド使用研磨方法では、研磨装置に備え
られた研磨パッドの表面をＬＳＩ酸化膜の表面に接触さ
せ、この接触させた両表面間に研磨砥粒を含有する研磨
液を供給しながら、接触させた両表面を擦り合わせるこ
とにより、ＬＳＩ酸化膜を研磨しているが、ＬＳＩ酸化
膜のグローバル平坦化を充分に達成することができず、
歩留りが悪く、信頼性が低いという問題点があった。
Ｉ酸化膜の研磨方法としては、砥石を用いた研磨装置を
使用して研磨する方法はなく、研磨パッドを用いた研磨
装置を使用して研磨するパッド使用研磨方法が採用され
ていた。このパッド使用研磨方法では、研磨装置に備え
られた研磨パッドの表面をＬＳＩ酸化膜の表面に接触さ
せ、この接触させた両表面間に研磨砥粒を含有する研磨
液を供給しながら、接触させた両表面を擦り合わせるこ
とにより、ＬＳＩ酸化膜を研磨しているが、ＬＳＩ酸化
膜のグローバル平坦化を充分に達成することができず、
歩留りが悪く、信頼性が低いという問題点があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来技術に
おける前記問題点を解消するものであり、優れた研磨性
能を有する特殊な材質の砥粒を含有した砥石を使用して
研磨することによりＬＳＩ酸化膜のグローバル平坦化を
達成させるＬＳＩ酸化膜研磨用砥石およびＬＳＩ酸化膜
研磨方法を提供することにある。
おける前記問題点を解消するものであり、優れた研磨性
能を有する特殊な材質の砥粒を含有した砥石を使用して
研磨することによりＬＳＩ酸化膜のグローバル平坦化を
達成させるＬＳＩ酸化膜研磨用砥石およびＬＳＩ酸化膜
研磨方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明における請求項１
に係るＬＳＩ酸化膜研磨用砥石は、平均粒径が１μｍ未
満かつ 0.01 μｍ以上のＢａＣＯ3 粉末および／または
ＣｅＯ2 粉末を砥粒として含有することを特徴とするも
のである。
に係るＬＳＩ酸化膜研磨用砥石は、平均粒径が１μｍ未
満かつ 0.01 μｍ以上のＢａＣＯ3 粉末および／または
ＣｅＯ2 粉末を砥粒として含有することを特徴とするも
のである。
【０００６】そして、請求項２に係るＬＳＩ酸化膜研磨
用砥石は、砥粒率が 50 〜 95 体積％であることを特徴
とする。
用砥石は、砥粒率が 50 〜 95 体積％であることを特徴
とする。
【０００７】さらに、請求項３に係るＬＳＩ酸化膜研磨
用砥石は、前記砥粒とレジノイドボンドとを混合して成
形した後に固化させたレジノイドボンド砥石であること
を特徴とする。
用砥石は、前記砥粒とレジノイドボンドとを混合して成
形した後に固化させたレジノイドボンド砥石であること
を特徴とする。
【０００８】さらにまた、請求項４に係るＬＳＩ酸化膜
研磨用砥石は、前記砥粒を結合剤なしで固化し成形した
ボンドレス砥石であることを特徴とする。
研磨用砥石は、前記砥粒を結合剤なしで固化し成形した
ボンドレス砥石であることを特徴とする。
【０００９】また、請求項５に係るＬＳＩ酸化膜研磨方
法は、請求項１乃至４のいずれかに記載のＬＳＩ酸化膜
研磨用砥石を研磨装置に装着させ研磨を行なうことを特
徴とするものである。
法は、請求項１乃至４のいずれかに記載のＬＳＩ酸化膜
研磨用砥石を研磨装置に装着させ研磨を行なうことを特
徴とするものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を具体
的に説明する。ただし、この実施の形態は、本発明をよ
り良く理解させるために具体的に述べるものであり、特
に指定のない限り、発明内容を限定するものではない。
的に説明する。ただし、この実施の形態は、本発明をよ
り良く理解させるために具体的に述べるものであり、特
に指定のない限り、発明内容を限定するものではない。
【００１１】ＬＳＩ酸化膜の研磨性能について種々検討
した結果、平均粒径１μｍ未満かつ0.01 μｍ以上のＢ
ａＣＯ3 粉末および／またはＣｅＯ2 粉末を砥粒として
含有するＬＳＩ酸化膜研磨用砥石を、シリコンウエハ上
に形成されたＬＳＩ酸化膜表面に直接接触させ、接触さ
せた両表面を擦り合わせると、ＬＳＩ酸化膜との接触面
において化学反応が起こり、ケミカルメカニカル効果
（化学的機械効果）によって極めて良好な研磨性能が得
られ、ＬＳＩ酸化膜のグローバル平坦化が達成されるこ
とを見出した。
した結果、平均粒径１μｍ未満かつ0.01 μｍ以上のＢ
ａＣＯ3 粉末および／またはＣｅＯ2 粉末を砥粒として
含有するＬＳＩ酸化膜研磨用砥石を、シリコンウエハ上
に形成されたＬＳＩ酸化膜表面に直接接触させ、接触さ
せた両表面を擦り合わせると、ＬＳＩ酸化膜との接触面
において化学反応が起こり、ケミカルメカニカル効果
（化学的機械効果）によって極めて良好な研磨性能が得
られ、ＬＳＩ酸化膜のグローバル平坦化が達成されるこ
とを見出した。
【００１２】以下、プレインカップホイール型砥石とし
た場合を例にとり説明する。図１に示すように、台金１
の突出側の端面に成形したＬＳＩ酸化膜研磨用の砥石単
体２を固着し、台金中央部に駆動軸取付孔（図示せず）
を穿設して駆動軸３に固定できるようにして、ＬＳＩ酸
化膜表面を研磨できるプレインカップホイール型砥石１
０を形成する。この砥石単体２を固着させたプレインカ
ップホイール型砥石１０を（図示しない）研磨装置に装
着して研磨を行なう。
た場合を例にとり説明する。図１に示すように、台金１
の突出側の端面に成形したＬＳＩ酸化膜研磨用の砥石単
体２を固着し、台金中央部に駆動軸取付孔（図示せず）
を穿設して駆動軸３に固定できるようにして、ＬＳＩ酸
化膜表面を研磨できるプレインカップホイール型砥石１
０を形成する。この砥石単体２を固着させたプレインカ
ップホイール型砥石１０を（図示しない）研磨装置に装
着して研磨を行なう。
【００１３】プレインカップホイール型砥石１０の台金
１に固着する砥石単体２は、図２に示すような、直径が
台金１の突出側の端面の幅を超えない寸法の小円板２ａ
か、または、図３に示すように、矩形断面を有し、台金
１の突出側の端面の形状に合わせた環状体２ｂに成形す
る。そして、小円板２ａの場合には、多数個につき、各
小円板２ａの一端面を台金１の突出側の端面に接着す
る。また、環状体２ｂの場合には、環状体２ｂの一面を
台金１の突出側の端面に接着する。
１に固着する砥石単体２は、図２に示すような、直径が
台金１の突出側の端面の幅を超えない寸法の小円板２ａ
か、または、図３に示すように、矩形断面を有し、台金
１の突出側の端面の形状に合わせた環状体２ｂに成形す
る。そして、小円板２ａの場合には、多数個につき、各
小円板２ａの一端面を台金１の突出側の端面に接着す
る。また、環状体２ｂの場合には、環状体２ｂの一面を
台金１の突出側の端面に接着する。
【００１４】砥石単体２に含有する砥粒には、ＢａＣＯ
3 粉末またはＣｅＯ2 粉末をそれぞれ単独で使用する
か、または、ＢａＣＯ3 粉末とＣｅＯ2 粉末とを併用し
て使用する。
3 粉末またはＣｅＯ2 粉末をそれぞれ単独で使用する
か、または、ＢａＣＯ3 粉末とＣｅＯ2 粉末とを併用し
て使用する。
【００１５】この砥粒の粒径は、研磨面に接触する砥粒
数が増加し、充分な加工速度が得られる平均粒径１μｍ
未満の砥粒を用いる必要があり、また、砥粒径が被研磨
物の加工面粗さに比べ相対的に小さい場合には梨地加工
になって充分な平坦化が達成できないため、平均粒径
0.01 μｍ以上の砥粒を用いることが必要である。
数が増加し、充分な加工速度が得られる平均粒径１μｍ
未満の砥粒を用いる必要があり、また、砥粒径が被研磨
物の加工面粗さに比べ相対的に小さい場合には梨地加工
になって充分な平坦化が達成できないため、平均粒径
0.01 μｍ以上の砥粒を用いることが必要である。
【００１６】砥石単体２における砥粒率（砥石単体中に
占める砥粒の容積比）は 50 体積％末満では充分な加工
速度が得られず、また、砥粒率が 95 体積％を超える場
合では空孔が少ないため研磨クズにより被研磨物表面に
スクラッチ傷や加工マークを生じさせるため、砥粒率は
50 〜 95 体積％とする。また、砥粒率が 60 〜 80 体
積％の場合には最大加工速度が得られるため、特に、砥
粒率が 60 〜 80 体積％の砥石単体２を用いることが好
ましい。
占める砥粒の容積比）は 50 体積％末満では充分な加工
速度が得られず、また、砥粒率が 95 体積％を超える場
合では空孔が少ないため研磨クズにより被研磨物表面に
スクラッチ傷や加工マークを生じさせるため、砥粒率は
50 〜 95 体積％とする。また、砥粒率が 60 〜 80 体
積％の場合には最大加工速度が得られるため、特に、砥
粒率が 60 〜 80 体積％の砥石単体２を用いることが好
ましい。
【００１７】砥石単体２は、レジノイドボンド砥石、メ
タルボンド砥石、電着メタルボンド砥石、ビトリファイ
ド砥石、ボンドレス砥石等として用いることができる
が、特に不純物となりうる金属イオンの有無および砥石
の硬度等を考慮すると、レジノイドボンド砥石またはボ
ンドレス砥石として用いることが好ましい。レジノイド
ボンド砥石は砥粒とレジノイドボンドを混合し成形後に
固化させたものであり、ボンドレス砥石は砥粒をレジノ
イドボンド等の結合剤を用いずに固化させて成形したも
のである。このうち、ボンドレス砥石は、レジノイドボ
ンド砥石に比べて加工速度が大きいため、より好ましく
用いられる。
タルボンド砥石、電着メタルボンド砥石、ビトリファイ
ド砥石、ボンドレス砥石等として用いることができる
が、特に不純物となりうる金属イオンの有無および砥石
の硬度等を考慮すると、レジノイドボンド砥石またはボ
ンドレス砥石として用いることが好ましい。レジノイド
ボンド砥石は砥粒とレジノイドボンドを混合し成形後に
固化させたものであり、ボンドレス砥石は砥粒をレジノ
イドボンド等の結合剤を用いずに固化させて成形したも
のである。このうち、ボンドレス砥石は、レジノイドボ
ンド砥石に比べて加工速度が大きいため、より好ましく
用いられる。
【００１８】レジノイドボンド砥石の形成に用いるレジ
ノイドボンドは、特に限定せずに、熱硬化性樹脂，熱可
塑性樹脂、水溶性樹脂、非水溶性樹脂、高弾性樹脂、低
弾性樹脂などの単体もしくは混合物を用いることができ
る。レジノイドボンド砥石またはボンドレス砥石の成形
には、一般に用いられる公知の成形技術を用いて形成す
ることができる。
ノイドボンドは、特に限定せずに、熱硬化性樹脂，熱可
塑性樹脂、水溶性樹脂、非水溶性樹脂、高弾性樹脂、低
弾性樹脂などの単体もしくは混合物を用いることができ
る。レジノイドボンド砥石またはボンドレス砥石の成形
には、一般に用いられる公知の成形技術を用いて形成す
ることができる。
【００１９】このようなＬＳＩ酸化膜研磨用のプレイン
カップホイール型砥石１０を用いた研磨では、従来の粘
弾性的に変形する樹脂で形成された研磨パッドを用いた
研磨方法と異なり、弾性変形のない台金１に固着された
ＬＳＩ酸化膜研磨用の砥石単体２を用いるため、ＬＳＩ
酸化膜の単位時間あたりの研磨量が一定となり、研磨量
の制御や研磨精度の確保が容易になり、ＬＳＩ酸化膜表
面の高平坦化が可能になり、充分にグロバールな平坦化
が達成できる。
カップホイール型砥石１０を用いた研磨では、従来の粘
弾性的に変形する樹脂で形成された研磨パッドを用いた
研磨方法と異なり、弾性変形のない台金１に固着された
ＬＳＩ酸化膜研磨用の砥石単体２を用いるため、ＬＳＩ
酸化膜の単位時間あたりの研磨量が一定となり、研磨量
の制御や研磨精度の確保が容易になり、ＬＳＩ酸化膜表
面の高平坦化が可能になり、充分にグロバールな平坦化
が達成できる。
【００２０】また、グロバールな平坦化が達成できるた
め、縁だれ等のＬＳＩの歩留りの低下を招く問題点が解
消される。また、シリカ系砥粒を含有しないＬＳＩ酸化
膜研磨用の砥石単体２を用いた研磨であるため、研磨中
にシリカ系砥粒がゲル化してＬＳＩ酸化膜に付着してＬ
ＳＩ酸化膜上にパーティクルが残留したり、研磨液中に
含まれる不純物イオンがＬＳＩ酸化膜やＬＳＩ金属配線
中に拡散するような問題点が生じない。
め、縁だれ等のＬＳＩの歩留りの低下を招く問題点が解
消される。また、シリカ系砥粒を含有しないＬＳＩ酸化
膜研磨用の砥石単体２を用いた研磨であるため、研磨中
にシリカ系砥粒がゲル化してＬＳＩ酸化膜に付着してＬ
ＳＩ酸化膜上にパーティクルが残留したり、研磨液中に
含まれる不純物イオンがＬＳＩ酸化膜やＬＳＩ金属配線
中に拡散するような問題点が生じない。
【００２１】砥粒材料であるＢａＣＯ3 粉末は、ＬＳＩ
酸化膜と比較して軟質材料であるためウエハに研磨傷を
生じさせることがなく、また、ＬＳＩ酸化膜との接触面
において化学反応が起こり、ケミカルメカニカル効果に
よって良好な研磨性能が得られる。また、ＣｅＯ2 粉末
は、従来使用されていたＳｉＯ2 系砥粒に比べ加工速度
が大きく、また、ケミカルメカニカル効果によって良好
な研磨性能が得られる。
酸化膜と比較して軟質材料であるためウエハに研磨傷を
生じさせることがなく、また、ＬＳＩ酸化膜との接触面
において化学反応が起こり、ケミカルメカニカル効果に
よって良好な研磨性能が得られる。また、ＣｅＯ2 粉末
は、従来使用されていたＳｉＯ2 系砥粒に比べ加工速度
が大きく、また、ケミカルメカニカル効果によって良好
な研磨性能が得られる。
【００２２】また、このＬＳＩ酸化膜研磨用の砥石単体
２を用いる研磨方法では、従来の研磨方法のように常に
新しい研磨液を供給する必要がなく、研磨とともに砥石
単体２が摩耗することによって常に新しい砥粒面が露出
し、この露出した砥粒面がＬＳＩ酸化膜に接するため、
無駄な砥粒の使用が抑えられ、研磨コストを下げること
ができる。
２を用いる研磨方法では、従来の研磨方法のように常に
新しい研磨液を供給する必要がなく、研磨とともに砥石
単体２が摩耗することによって常に新しい砥粒面が露出
し、この露出した砥粒面がＬＳＩ酸化膜に接するため、
無駄な砥粒の使用が抑えられ、研磨コストを下げること
ができる。
【００２３】この実施の形態では、発明をより良く理解
させるために一実施形態をもって説明したものであっ
て、他の実施形態を制限するものではない。例えば、プ
レインカップホイール型砥石１０の代わりにストレート
ホイール、ハンドストーン、あるいはフレアリングカッ
プホイール等の平形砥石やカップ形砥石、その他の砥石
形状およびその砥石を使用した研磨方法としても良い。
また、砥石と被研磨物を載置させるテーブルとの動作は
任意であって、いずれか一方のみを動作させても良く、
また両方を動作させても良い。
させるために一実施形態をもって説明したものであっ
て、他の実施形態を制限するものではない。例えば、プ
レインカップホイール型砥石１０の代わりにストレート
ホイール、ハンドストーン、あるいはフレアリングカッ
プホイール等の平形砥石やカップ形砥石、その他の砥石
形状およびその砥石を使用した研磨方法としても良い。
また、砥石と被研磨物を載置させるテーブルとの動作は
任意であって、いずれか一方のみを動作させても良く、
また両方を動作させても良い。
【００２４】
【実施例】表１〜表４に示されるとおり、数種類の砥石
単体を製造した後、台金１に固着してプレインカップホ
イール型砥石１０を形成し、そのプレインカップホイー
ル型砥石１０を研磨装置に装着させ、以下の条件で研磨
を行った。なお、レジノイドボンド砥石に用いた結合剤
はフェノール樹脂であり、ボンドレス砥石は焼結法によ
るものである。 研磨時間 ： １分間 ホイール周速度 ： 314 ｍ／分 テーブル回転数 ： 10 ｒｐｍ 切れ込み量 ： 0.7 μｍ／分 砥石寸法 ： 外形 200ｍｍ、作用面幅 5ｍ
ｍ 研磨方法 ： 湿式
単体を製造した後、台金１に固着してプレインカップホ
イール型砥石１０を形成し、そのプレインカップホイー
ル型砥石１０を研磨装置に装着させ、以下の条件で研磨
を行った。なお、レジノイドボンド砥石に用いた結合剤
はフェノール樹脂であり、ボンドレス砥石は焼結法によ
るものである。 研磨時間 ： １分間 ホイール周速度 ： 314 ｍ／分 テーブル回転数 ： 10 ｒｐｍ 切れ込み量 ： 0.7 μｍ／分 砥石寸法 ： 外形 200ｍｍ、作用面幅 5ｍ
ｍ 研磨方法 ： 湿式
【００２５】被研磨物として、ＣＶＤ法により厚さ 150
0 ｎｍのＳｉＯ2 膜が成膜された５インチウエハを使用
し、表中には加工速度、表面粗さ（Ｒａ：平均表面粗
さ，Ｒｔ：凹凸の最小値と最大値の差）、ＴＴＶ（表面
段差）値及びスクラッチ傷の有無を示した。これらの結
果、各表１〜４に示すとおり、被研磨物の表面を傷付け
ることなく所定表面段差以下に研磨することができた。
0 ｎｍのＳｉＯ2 膜が成膜された５インチウエハを使用
し、表中には加工速度、表面粗さ（Ｒａ：平均表面粗
さ，Ｒｔ：凹凸の最小値と最大値の差）、ＴＴＶ（表面
段差）値及びスクラッチ傷の有無を示した。これらの結
果、各表１〜４に示すとおり、被研磨物の表面を傷付け
ることなく所定表面段差以下に研磨することができた。
【００２６】
【表１】
【００２７】
【表２】
【００２８】
【表３】
【００２９】
【表４】
【００３０】
【発明の効果】以上のように本発明では、請求項１に係
るＬＳＩ酸化膜研磨用砥石は、研磨時にＬＳＩ酸化膜上
にパーティクルが残留することもなく、不純物イオンが
ＬＳＩ酸化物膜やＬＳＩ酸化配線中へ拡散することもな
い状態で、効果的に研磨することができ、ＬＳＩ酸化膜
に対する研磨量の制御、研磨精度の確保を容易にし、ケ
ミカルメカニカル効果により、ＬＳＩ酸化膜に研磨傷を
生じさせずに、適当な加工速度で、精度良くグローバル
平坦化が達成でき、歩留りや信頼性を向上させることが
できて、コストを低減させることができる。
るＬＳＩ酸化膜研磨用砥石は、研磨時にＬＳＩ酸化膜上
にパーティクルが残留することもなく、不純物イオンが
ＬＳＩ酸化物膜やＬＳＩ酸化配線中へ拡散することもな
い状態で、効果的に研磨することができ、ＬＳＩ酸化膜
に対する研磨量の制御、研磨精度の確保を容易にし、ケ
ミカルメカニカル効果により、ＬＳＩ酸化膜に研磨傷を
生じさせずに、適当な加工速度で、精度良くグローバル
平坦化が達成でき、歩留りや信頼性を向上させることが
できて、コストを低減させることができる。
【００３１】また、請求項２に係るＬＳＩ酸化膜研磨用
砥石は、砥粒率を 50 〜 95 体積％としたので、充分な
加工速度が得られ、研磨時には空孔に研磨クズを取り込
み、スクラッチ傷や加工マークを生ずることがなく、従
来の研磨技術にはない極めて良好な研磨性能を得ること
ができる。
砥石は、砥粒率を 50 〜 95 体積％としたので、充分な
加工速度が得られ、研磨時には空孔に研磨クズを取り込
み、スクラッチ傷や加工マークを生ずることがなく、従
来の研磨技術にはない極めて良好な研磨性能を得ること
ができる。
【００３２】また、請求項３に係るＬＳＩ酸化膜研磨用
砥石は、レジノイドボンドにより砥粒を固化させたの
で、研磨装置に装着容易となり、ＬＳＩ酸化膜の研磨時
に常に新しい砥粒面を露出さて研磨を均一化させること
ができる。
砥石は、レジノイドボンドにより砥粒を固化させたの
で、研磨装置に装着容易となり、ＬＳＩ酸化膜の研磨時
に常に新しい砥粒面を露出さて研磨を均一化させること
ができる。
【００３３】また、請求項４に係るＬＳＩ酸化膜研磨用
砥石は、砥粒を結合剤なしで固化し成形したので、ＬＳ
Ｉ酸化膜に不純物を接触させることなく研磨することが
でき、研磨装置に装着容易であり、かつレジノイドボン
ド砥石に比べ加工速度が大きく、精度の良い良好な研磨
を行なうことができる。
砥石は、砥粒を結合剤なしで固化し成形したので、ＬＳ
Ｉ酸化膜に不純物を接触させることなく研磨することが
でき、研磨装置に装着容易であり、かつレジノイドボン
ド砥石に比べ加工速度が大きく、精度の良い良好な研磨
を行なうことができる。
【００３４】また、請求項５に係るＬＳＩ酸化膜の研磨
方法は、従来できなかった砥石によるＬＳＩ酸化膜の研
磨加工が、成形されたＬＳＩ酸化膜研磨用砥石を研磨装
置に装着させることにより研磨できるようになり、加工
精度良く研磨でき、しかも、効率よくＬＳＩ酸化膜のグ
ローバル平坦化を達成することができる。
方法は、従来できなかった砥石によるＬＳＩ酸化膜の研
磨加工が、成形されたＬＳＩ酸化膜研磨用砥石を研磨装
置に装着させることにより研磨できるようになり、加工
精度良く研磨でき、しかも、効率よくＬＳＩ酸化膜のグ
ローバル平坦化を達成することができる。
【図１】本発明の実施の形態におけるプレインカップホ
イール型砥石を示す側面断面図である。
イール型砥石を示す側面断面図である。
【図２】本発明の実施の形態における小円板形の砥石単
体を固着したプレインカップホイール型砥石を示す斜視
図である。
体を固着したプレインカップホイール型砥石を示す斜視
図である。
【図３】本発明の実施の形態における環状体形の砥石単
体を固着したプレインカップホイール型砥石を示す斜視
図である。
体を固着したプレインカップホイール型砥石を示す斜視
図である。
１ 台金 ２，２ａ，２ｂ 砥石単体（ＬＳＩ酸化膜研磨用砥石） ３ 駆動軸 １０ プレインカップホイール型砥石
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 良貴 千葉県船橋市豊富町585番地 住友大阪セ メント株式会社中央研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】平均粒径が１μｍ未満かつ 0.01 μｍ以上
のＢａＣＯ3 粉末および／またはＣｅＯ2 粉末を砥粒と
して含有することを特徴とするＬＳＩ酸化膜研磨用砥
石。 - 【請求項２】砥粒率が 50 〜 95 体積％であることを特
徴とする請求項１記載のＬＳｌ酸化膜研磨用砥石。 - 【請求項３】前記砥粒とレジノイドボンドとを混合して
成形した後に固化させたレジノイドボンド砥石であるこ
とを特徴とする請求項１または２記載のＬＳＩ酸化膜研
磨用砥石。 - 【請求項４】前記砥粒を結合剤なしで固化し成形したボ
ンドレス砥石であることを特徴とする請求項１または２
記載のＬＳＩ酸化膜研磨用砥石。 - 【請求項５】請求項１乃至４のいずれかに記載のＬＳＩ
酸化膜研磨用砥石を研磨装置に装着して研磨を行なうこ
とを特徴とするＬＳＩ酸化膜研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9139699A JPH10329032A (ja) | 1997-05-29 | 1997-05-29 | Ｌｓｉ酸化膜研磨用砥石およびｌｓｉ酸化膜研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9139699A JPH10329032A (ja) | 1997-05-29 | 1997-05-29 | Ｌｓｉ酸化膜研磨用砥石およびｌｓｉ酸化膜研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10329032A true JPH10329032A (ja) | 1998-12-15 |
Family
ID=15251370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9139699A Pending JPH10329032A (ja) | 1997-05-29 | 1997-05-29 | Ｌｓｉ酸化膜研磨用砥石およびｌｓｉ酸化膜研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10329032A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1997
- 1997-05-29 JP JP9139699A patent/JPH10329032A/ja active Pending
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