JP2009027198A - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009027198A JP2009027198A JP2008280740A JP2008280740A JP2009027198A JP 2009027198 A JP2009027198 A JP 2009027198A JP 2008280740 A JP2008280740 A JP 2008280740A JP 2008280740 A JP2008280740 A JP 2008280740A JP 2009027198 A JP2009027198 A JP 2009027198A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- wafer
- polishing
- integrated circuit
- circuit device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Abstract
【解決手段】たとえば3個の研磨ドラム4A〜4Cを用いてウェハ1のエッジの全域を研磨する。研磨ドラム4Aは相対的にウェハ1のエッジの上面側を研磨し、研磨ドラム4Bは相対的にウェハ1のエッジの中央を研磨し、研磨ドラム4Cは相対的にウェハ1のエッジの下面を研磨する。それにより、種々のウェハ1のエッジ形状に対して、そのエッジ全域において成膜された薄膜を除去することができる。
【選択図】図4
Description
(1)ウェハのエッジにおいて形成された薄膜を除去するので、その薄膜が剥離して再度ウェハに付着することに起因する半導体集積回路装置の歩留りの低下を防ぐことができる。
(2)ウェハのエッジの形状、およびウェハのエッジにおける除去対象の薄膜の成膜状態に応じて、ウェハと研磨ドラムとが接触する角度および研磨ドラムの最適な研磨速度を設定することができるので、ウェハのエッジ全域においてその薄膜を除去することができる。
本実施の形態1は、たとえば半導体基板のp型ウエルにnMISQnが形成された半導体集積回路装置の製造方法に本発明を適用したものである。
本実施の形態2は、ウェハのエッジにおける除去対象の薄膜を、除去工程前にパターニングするものである。その他の部材および製造工程については前記実施の形態1と同様である。
本実施の形態3の半導体集積回路装置の製造方法は、たとえばAl(アルミニウム)またはアルミニウム合金などから形成された配線を有する半導体集積回路装置の製造方法に本発明を適用したものである。
2 酸化シリコン膜(第1絶縁膜)
3 窒化シリコン膜(第1絶縁膜)
4A〜4C 研磨ドラム(研磨手段)
5 フォトレジスト膜
6 溝
7 酸化シリコン膜
8 酸化シリコン膜(第2絶縁膜)
9 p型ウェル
10 ゲート酸化膜
11 ゲート電極
12 キャップ絶縁膜
13 n−型半導体領域
14 サイドウォールスペーサ
15 n+型半導体領域(ソース、ドレイン)
16 酸化シリコン膜
17 接続孔
18 プラグ
18A バリア導体膜
18B 導電性膜
19 エッチストッパ膜(第3絶縁膜)
20 絶縁膜(第3絶縁膜)
21 配線溝
22 埋め込み配線(第1配線)
22A バリア導体膜(第1導電性膜)
22B〜22E 導電性膜(第1導電性膜)
22F 配線
23 絶縁膜(第4絶縁膜)
23A バリア絶縁膜
23B 絶縁膜
23C エッチストッパ膜
23D 絶縁膜
24A 接続孔
24B 配線溝
25 埋め込み配線
25A バリア導体膜
25B 導電性膜
A1 チップ領域
A2 ダミー露光領域
Qn nMIS
T1 薄膜
Claims (5)
- (a)平坦な素子形成面と、それに対向する平坦な裏面と、前記平坦な面に対して角度がついた領域を含むエッジ部とを有する半導体ウェハを準備する工程、
(b)前記半導体ウェハの表面に積層構造の金属膜を形成する工程、
(c)前記エッジ部における前記金属膜を複数の研磨ドラムを用いて研磨する工程、
を含み、
前記(c)工程は、
(c−1)前記平坦な素子形成面および裏面に対して垂直な回転軸を有する第1の研磨ドラムにて、前記エッジ部の端部を研磨する工程、
(c−2)前記平坦な素子形成面および裏面に対して傾斜した回転軸を有する第2の回転ドラムにて、前記エッジ部の前記素子形成面側を研磨する工程、
(c−3)前記平坦な素子形成面および裏面に対して傾斜した回転軸を有する第3の回転ドラムにて、前記エッジ部の前記裏面側を研磨する工程、
を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - (a)平坦な素子形成面と、それに対向する平坦な裏面と、前記平坦な面に対して角度がついた領域を含むエッジ部とを有する半導体ウェハを準備する工程、
(b)前記半導体ウェハの表面に積層構造の金属膜を形成する工程、
(c)前記エッジ部における前記金属膜を複数の研磨ドラムを用いて研磨する工程、
を含み、
前記(c)工程は、
(c−1)前記平坦な素子形成面および裏面に対して垂直な回転軸を有する第1の研磨ドラムにて、前記エッジ部の端部を研磨する工程、
(c−2)前記平坦な素子形成面および裏面に対して傾斜した回転軸を有する第2の回転ドラムにて、前記エッジ部の前記素子形成面側を研磨する工程、
を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 請求項1または2記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記金属膜は、タンタル窒化膜またはタンタルとタンタル窒化膜との積層膜と、銅を主成分とする導電性膜と、からなる金属積層膜であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 請求項1または2記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記金属膜は、窒化チタン膜/アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜/窒化チタン膜の積層膜であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 請求項1乃至4記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記(c)工程は、研磨面にスラリを供給することにより研磨を行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008280740A JP2009027198A (ja) | 2008-10-31 | 2008-10-31 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008280740A JP2009027198A (ja) | 2008-10-31 | 2008-10-31 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007179460A Division JP4966116B2 (ja) | 2007-07-09 | 2007-07-09 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009027198A true JP2009027198A (ja) | 2009-02-05 |
Family
ID=40398640
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008280740A Pending JP2009027198A (ja) | 2008-10-31 | 2008-10-31 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009027198A (ja) |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6471656A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-16 | Speedfam Co Ltd | Mirror polishing device for wafer |
JPH0434931A (ja) * | 1990-05-31 | 1992-02-05 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハおよびその処理方法 |
JPH10296641A (ja) * | 1997-04-30 | 1998-11-10 | Speedfam Co Ltd | エッジポリッシング装置の研磨ドラム |
JPH10312981A (ja) * | 1997-05-14 | 1998-11-24 | Nec Corp | 金属膜の研磨方法及びその研磨装置 |
JPH10309666A (ja) * | 1997-05-09 | 1998-11-24 | Speedfam Co Ltd | エッジポリッシング装置及びその方法 |
JPH10315107A (ja) * | 1997-05-13 | 1998-12-02 | Sony Corp | 半導体基板の面取加工装置 |
JPH10328989A (ja) * | 1997-06-02 | 1998-12-15 | Speedfam Co Ltd | ウエハエッジの鏡面研磨方法及び装置 |
JPH1133888A (ja) * | 1997-07-24 | 1999-02-09 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | ウェーハの鏡面面取り装置 |
JPH1148109A (ja) * | 1997-06-04 | 1999-02-23 | Speedfam Co Ltd | ワークエッジの鏡面研磨方法及び装置 |
JPH11104942A (ja) * | 1997-10-02 | 1999-04-20 | Speedfam Co Ltd | ワークエッジの研磨方法及び装置 |
JPH11221744A (ja) * | 1998-02-09 | 1999-08-17 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体ウェーハの面取り面研磨装置 |
JP2000068273A (ja) * | 1998-08-20 | 2000-03-03 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2000141190A (ja) * | 1998-11-11 | 2000-05-23 | Speedfam-Ipec Co Ltd | エッジポリッシング装置及びエッジポリッシング方法 |
JP2001077113A (ja) * | 1999-09-02 | 2001-03-23 | Nec Corp | 銅配線の形成方法および銅配線の形成された半導体ウエハ |
-
2008
- 2008-10-31 JP JP2008280740A patent/JP2009027198A/ja active Pending
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6471656A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-16 | Speedfam Co Ltd | Mirror polishing device for wafer |
JPH0434931A (ja) * | 1990-05-31 | 1992-02-05 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハおよびその処理方法 |
JPH10296641A (ja) * | 1997-04-30 | 1998-11-10 | Speedfam Co Ltd | エッジポリッシング装置の研磨ドラム |
JPH10309666A (ja) * | 1997-05-09 | 1998-11-24 | Speedfam Co Ltd | エッジポリッシング装置及びその方法 |
JPH10315107A (ja) * | 1997-05-13 | 1998-12-02 | Sony Corp | 半導体基板の面取加工装置 |
JPH10312981A (ja) * | 1997-05-14 | 1998-11-24 | Nec Corp | 金属膜の研磨方法及びその研磨装置 |
JPH10328989A (ja) * | 1997-06-02 | 1998-12-15 | Speedfam Co Ltd | ウエハエッジの鏡面研磨方法及び装置 |
JPH1148109A (ja) * | 1997-06-04 | 1999-02-23 | Speedfam Co Ltd | ワークエッジの鏡面研磨方法及び装置 |
JPH1133888A (ja) * | 1997-07-24 | 1999-02-09 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | ウェーハの鏡面面取り装置 |
JPH11104942A (ja) * | 1997-10-02 | 1999-04-20 | Speedfam Co Ltd | ワークエッジの研磨方法及び装置 |
JPH11221744A (ja) * | 1998-02-09 | 1999-08-17 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体ウェーハの面取り面研磨装置 |
JP2000068273A (ja) * | 1998-08-20 | 2000-03-03 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2000141190A (ja) * | 1998-11-11 | 2000-05-23 | Speedfam-Ipec Co Ltd | エッジポリッシング装置及びエッジポリッシング方法 |
JP2001077113A (ja) * | 1999-09-02 | 2001-03-23 | Nec Corp | 銅配線の形成方法および銅配線の形成された半導体ウエハ |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100873759B1 (ko) | 반도체 집적 회로 장치의 제조 방법 | |
US8426312B2 (en) | Method of reducing contamination by providing an etch stop layer at the substrate edge | |
TW574736B (en) | Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device | |
US20040063263A1 (en) | Manufacturing method of semiconductor devices | |
US20070007246A1 (en) | Manufacture of semiconductor device with CMP | |
JP2007317682A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4966116B2 (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
JP4057762B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2002334879A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
JP2005026538A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
JP2009027198A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
JP2005072238A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR20070054932A (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
JP2003115488A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2001267418A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5125743B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TW201019415A (en) | Method for forming metal wiring of semiconductor device | |
KR100642921B1 (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성 방법 | |
KR100945867B1 (ko) | 반도체 소자의 다층 배선 형성 방법 | |
JP2005019802A (ja) | 半導体装置の製造方法およびウェーハ構造体 | |
JP2009054683A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US20120202344A1 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
JP2005158797A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100431815B1 (ko) | 반도체소자의 제조방법 | |
JP2003197598A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20081031 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Effective date: 20100528 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110513 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20110517 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20110713 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20110809 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |