JP2000141190A - エッジポリッシング装置及びエッジポリッシング方法 - Google Patents
エッジポリッシング装置及びエッジポリッシング方法Info
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 280
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 66
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 66
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 66
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 16
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ワークピースの片面を保持した状態で、エッ
ジ全体を鏡面研磨可能なエッジポリッシング装置及びエ
ッジポリッシング方法を提供する。 【解決手段】 真空チャック９により、シリコンウエハ
Ｗを傾斜させた状態で回転させる。そして、このシリコ
ンウエハＷを回転している研磨ドラム１，３側に移動さ
せ、エッジ部Ｗｃ1の裏側傾斜面とエッジ部Ｗｃ3の端面
とを研磨ドラム１，３で同時に鏡面研磨する。しかる
後、シリコンウエハＷを回転している研磨ドラム２，４
側にそのまま移動させ、エッジ部Ｗｃ2の表側傾斜面と
エッジ部Ｗｃ4の端面とを研磨ドラム２，４で同時に鏡
面研磨する。
ジ全体を鏡面研磨可能なエッジポリッシング装置及びエ
ッジポリッシング方法を提供する。 【解決手段】 真空チャック９により、シリコンウエハ
Ｗを傾斜させた状態で回転させる。そして、このシリコ
ンウエハＷを回転している研磨ドラム１，３側に移動さ
せ、エッジ部Ｗｃ1の裏側傾斜面とエッジ部Ｗｃ3の端面
とを研磨ドラム１，３で同時に鏡面研磨する。しかる
後、シリコンウエハＷを回転している研磨ドラム２，４
側にそのまま移動させ、エッジ部Ｗｃ2の表側傾斜面と
エッジ部Ｗｃ4の端面とを研磨ドラム２，４で同時に鏡
面研磨する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハや
磁気ディスク基板等の円形状ワークピースのエッジを鏡
面研磨する（ポリッシング）ためのエッジポリッシング
装置及びエッジポリッシング方法に関するものである。
磁気ディスク基板等の円形状ワークピースのエッジを鏡
面研磨する（ポリッシング）ためのエッジポリッシング
装置及びエッジポリッシング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウエハ等の半導体ウエハにおい
ては、エッジのチッピング防止やエピタキシャル成長時
のクラウン防止等を図るために、ウエハのエッジを面取
り加工する。この面取り加工は、ダイヤモンド砥石でウ
エハエッジを研削することにより行うので、研削後に加
工歪層が残り易い。そこで、面取り加工したエッジを鏡
面研磨して上記加工歪層を除去するエッジポリッシング
装置が考案されている。図１１は、従来例に係るエッジ
ポリッシング装置の要部を示す正面図である。図１１に
おいて符号１００は真空チャックであり、符号１１０は
研磨ドラムである。このエッジポリッシング装置におい
ては、面取り加工されたシリコンウエハＷの裏面Ｗｂを
真空チャック１００で吸着し、図１２に示すように、シ
リコンウエハＷを水平に維持した状態で真空チャック１
００を研磨ドラム１１０側に移動させ、シリコンウエハ
Ｗの端面ｃを回転している研磨ドラム１１０に接触させ
て鏡面研磨する。そして、図１３に示すように、真空チ
ャック１００を傾けて、シリコンウエハＷの表面Ｗａ側
の傾斜面aを研磨ドラム１１０に接触させることによ
り、傾斜面aを鏡面研磨する。しかる後、研磨ドラム１
１０による真空吸着を解除し、図示しないロボットによ
りシリコンウエハＷを裏返しにして、シリコンウエハＷ
の表面Ｗａ側を研磨ドラム１１０に吸着させる。そし
て、図１３に示したと同様にして、シリコンウエハＷの
裏面Ｗｂ側の傾斜面ｂを研磨ドラム１１０で鏡面研磨す
ることとしている。
ては、エッジのチッピング防止やエピタキシャル成長時
のクラウン防止等を図るために、ウエハのエッジを面取
り加工する。この面取り加工は、ダイヤモンド砥石でウ
エハエッジを研削することにより行うので、研削後に加
工歪層が残り易い。そこで、面取り加工したエッジを鏡
面研磨して上記加工歪層を除去するエッジポリッシング
装置が考案されている。図１１は、従来例に係るエッジ
ポリッシング装置の要部を示す正面図である。図１１に
おいて符号１００は真空チャックであり、符号１１０は
研磨ドラムである。このエッジポリッシング装置におい
ては、面取り加工されたシリコンウエハＷの裏面Ｗｂを
真空チャック１００で吸着し、図１２に示すように、シ
リコンウエハＷを水平に維持した状態で真空チャック１
００を研磨ドラム１１０側に移動させ、シリコンウエハ
Ｗの端面ｃを回転している研磨ドラム１１０に接触させ
て鏡面研磨する。そして、図１３に示すように、真空チ
ャック１００を傾けて、シリコンウエハＷの表面Ｗａ側
の傾斜面aを研磨ドラム１１０に接触させることによ
り、傾斜面aを鏡面研磨する。しかる後、研磨ドラム１
１０による真空吸着を解除し、図示しないロボットによ
りシリコンウエハＷを裏返しにして、シリコンウエハＷ
の表面Ｗａ側を研磨ドラム１１０に吸着させる。そし
て、図１３に示したと同様にして、シリコンウエハＷの
裏面Ｗｂ側の傾斜面ｂを研磨ドラム１１０で鏡面研磨す
ることとしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来のエッジポリッシング装置では、次のような問題
がある。シリコンウエハＷの傾斜面ａ，ｂを鏡面研磨す
るには、シリコンウエハＷの表面Ｗａと裏面Ｗｂとを真
空チャック１００によって交互に真空吸着しなければな
らないので、シリコンウエハＷの吸着作業に余分な時間
を必要とする。また、真空チャック１００の真空吸着に
よって裏面Ｗｂだけでなく、表面Ｗａにも吸着シミや傷
が発生する。このため、両面ポリッシングが施されたシ
リコンウエハＷにおいては、エッジポリッシング工程か
ら次工程に移行する間に、シミを落とす洗浄作業や傷の
有無の検査作業をシリコンウエハＷの両面について行わ
なければならず、その分作業能率が低下する。
た従来のエッジポリッシング装置では、次のような問題
がある。シリコンウエハＷの傾斜面ａ，ｂを鏡面研磨す
るには、シリコンウエハＷの表面Ｗａと裏面Ｗｂとを真
空チャック１００によって交互に真空吸着しなければな
らないので、シリコンウエハＷの吸着作業に余分な時間
を必要とする。また、真空チャック１００の真空吸着に
よって裏面Ｗｂだけでなく、表面Ｗａにも吸着シミや傷
が発生する。このため、両面ポリッシングが施されたシ
リコンウエハＷにおいては、エッジポリッシング工程か
ら次工程に移行する間に、シミを落とす洗浄作業や傷の
有無の検査作業をシリコンウエハＷの両面について行わ
なければならず、その分作業能率が低下する。
【０００４】この発明は上述した課題を解決するために
なされたもので、ワークピースの片面を保持した状態
で、エッジ全体を鏡面研磨可能なエッジポリッシング装
置及びエッジポリッシング方法を提供することを目的と
するものである。
なされたもので、ワークピースの片面を保持した状態
で、エッジ全体を鏡面研磨可能なエッジポリッシング装
置及びエッジポリッシング方法を提供することを目的と
するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１の発明に係るエッジポリッシング装置は、
面取り加工されたエッジを有する円板状のワークピース
の片面を保持し、該ワークピースを傾斜させた状態で回
転可能なワークピース保持部と、鉛直な中心軸回りで回
転可能な第１の研磨ドラムと、ワークピースとの接触時
に、第１の研磨ドラムとワークピースとの接触点からワ
ークピースの中心を通って延出する第１の直径軸線上に
位置し、鉛直な中心軸回りで回転可能な第２の研磨ドラ
ムと、ワークピースとの接触時に、第１の直径軸線と略
垂直な第２の直径軸線上に位置し、鉛直な中心軸回りで
回転可能な第３の研磨ドラムとを具備する構成とした。
かかる構成により、ワークピース保持部でワークピース
の裏面を保持し、最上位のエッジ部の裏面側傾斜面が略
鉛直になる角度にワークピースを傾斜した状態で、ワー
クピースを回転させると共に、この裏面側傾斜面を回転
している第１の研磨ドラムの研磨面に接触させること
で、エッジの裏面傾斜面を研磨することができる。ま
た、上記傾斜状態では、ワークピースの第１の直径軸線
上のエッジ部が最下位となり、このエッジ部の表面側傾
斜面も略鉛直状態になっている。したがって、この表面
側傾斜面を回転している第２の研磨ドラムの研磨面に接
触させることにより、エッジの表面側傾斜面も研磨する
ことができる。さらに、この傾斜状態では、第２の直径
軸線上にあるエッジ部の端面も鉛直状態であるので、こ
の端面を回転している第３の研磨ドラムに接触させるこ
とで、エッジの端面を研磨することができる。すなわ
ち、この発明では、ワークピースの片面を保持した状態
のままで、面取りされたエッジの全面を研磨することが
できる。
に、請求項１の発明に係るエッジポリッシング装置は、
面取り加工されたエッジを有する円板状のワークピース
の片面を保持し、該ワークピースを傾斜させた状態で回
転可能なワークピース保持部と、鉛直な中心軸回りで回
転可能な第１の研磨ドラムと、ワークピースとの接触時
に、第１の研磨ドラムとワークピースとの接触点からワ
ークピースの中心を通って延出する第１の直径軸線上に
位置し、鉛直な中心軸回りで回転可能な第２の研磨ドラ
ムと、ワークピースとの接触時に、第１の直径軸線と略
垂直な第２の直径軸線上に位置し、鉛直な中心軸回りで
回転可能な第３の研磨ドラムとを具備する構成とした。
かかる構成により、ワークピース保持部でワークピース
の裏面を保持し、最上位のエッジ部の裏面側傾斜面が略
鉛直になる角度にワークピースを傾斜した状態で、ワー
クピースを回転させると共に、この裏面側傾斜面を回転
している第１の研磨ドラムの研磨面に接触させること
で、エッジの裏面傾斜面を研磨することができる。ま
た、上記傾斜状態では、ワークピースの第１の直径軸線
上のエッジ部が最下位となり、このエッジ部の表面側傾
斜面も略鉛直状態になっている。したがって、この表面
側傾斜面を回転している第２の研磨ドラムの研磨面に接
触させることにより、エッジの表面側傾斜面も研磨する
ことができる。さらに、この傾斜状態では、第２の直径
軸線上にあるエッジ部の端面も鉛直状態であるので、こ
の端面を回転している第３の研磨ドラムに接触させるこ
とで、エッジの端面を研磨することができる。すなわ
ち、この発明では、ワークピースの片面を保持した状態
のままで、面取りされたエッジの全面を研磨することが
できる。
【０００６】なお、ワークピースのエッジの両傾斜面と
端面を同時に研磨可能な研磨ドラムを４つ迄設けること
ができる。そこで、請求項２の発明は、請求項１に記載
のエッジポリッシング装置において、ワークピースとの
接触時に、第３の研磨ドラムとワークピースとの接触点
からワークピースの中心を通って延出する第２の直径軸
線上に位置し、鉛直な中心軸回りで回転可能な第４の研
磨ドラムを設けた構成としてある。
端面を同時に研磨可能な研磨ドラムを４つ迄設けること
ができる。そこで、請求項２の発明は、請求項１に記載
のエッジポリッシング装置において、ワークピースとの
接触時に、第３の研磨ドラムとワークピースとの接触点
からワークピースの中心を通って延出する第２の直径軸
線上に位置し、鉛直な中心軸回りで回転可能な第４の研
磨ドラムを設けた構成としてある。
【０００７】また、請求項３の発明は、請求項１または
請求項２に記載のエッジポリッシング装置において、第
１の研磨ドラムないし第４の研磨ドラムを接触位置まで
ワークピースに対して相対的に移動させる移動機構を設
けた構成としてある。かかる構成により、移動機構を用
いてワークピースのエッジの両傾斜面と端面とを同時に
または順次研磨することができる。
請求項２に記載のエッジポリッシング装置において、第
１の研磨ドラムないし第４の研磨ドラムを接触位置まで
ワークピースに対して相対的に移動させる移動機構を設
けた構成としてある。かかる構成により、移動機構を用
いてワークピースのエッジの両傾斜面と端面とを同時に
または順次研磨することができる。
【０００８】ところで、エッジポリッシング装置による
エッジポリッシング実行時における動作は、方法の発明
として成立する。そこで、請求項４の発明に係るエッジ
ポリッシング方法は、面取り加工されたエッジを有する
円板状のワークピースの片面をワークピース保持部によ
って保持し、該ワークピースを所定角度だけ傾斜させた
状態で回転させるウエハ保持工程と、鉛直な中心軸回り
で回転している第１の研磨ドラムの研磨面を、傾斜した
ワークピースの最上位に位置するエッジ部の傾斜面であ
って略鉛直な傾斜面に接触させて研磨する第１の研磨工
程と、鉛直な中心軸回りで回転している第２の研磨ドラ
ムの研磨面を、傾斜したワークピースの最下位に位置す
るエッジ部の傾斜面であって略鉛直な傾斜面に接触させ
て研磨する第２の研磨工程と、鉛直な中心軸回りで回転
している第３の研磨ドラムの研磨面を、ワークピースの
最上位と最下位とを通る直径軸線と略直交する直径軸線
上に位置した一対のエッジ部のうちの一方のエッジ部の
端面に接触させて研磨する第３の研磨工程とを具備する
構成とした。
エッジポリッシング実行時における動作は、方法の発明
として成立する。そこで、請求項４の発明に係るエッジ
ポリッシング方法は、面取り加工されたエッジを有する
円板状のワークピースの片面をワークピース保持部によ
って保持し、該ワークピースを所定角度だけ傾斜させた
状態で回転させるウエハ保持工程と、鉛直な中心軸回り
で回転している第１の研磨ドラムの研磨面を、傾斜した
ワークピースの最上位に位置するエッジ部の傾斜面であ
って略鉛直な傾斜面に接触させて研磨する第１の研磨工
程と、鉛直な中心軸回りで回転している第２の研磨ドラ
ムの研磨面を、傾斜したワークピースの最下位に位置す
るエッジ部の傾斜面であって略鉛直な傾斜面に接触させ
て研磨する第２の研磨工程と、鉛直な中心軸回りで回転
している第３の研磨ドラムの研磨面を、ワークピースの
最上位と最下位とを通る直径軸線と略直交する直径軸線
上に位置した一対のエッジ部のうちの一方のエッジ部の
端面に接触させて研磨する第３の研磨工程とを具備する
構成とした。
【０００９】また、第１〜第３の研磨工程の実行順序は
任意である。そこで、その一例として、請求項５の発明
は、請求項４に記載のエッジポリッシング方法におい
て、第１の研磨工程ないし第３の研磨工程を同時に実行
する構成とした。さらに、他の実行例として、請求項６
の発明は、請求項４に記載のエッジポリッシング方法に
おいて、第１の研磨工程及び第３の研磨工程、第２の研
磨工程及び第３の研磨工程、または第１の研磨工程及び
第２の研磨工程のいずれかを同時に実行する構成とし
た。
任意である。そこで、その一例として、請求項５の発明
は、請求項４に記載のエッジポリッシング方法におい
て、第１の研磨工程ないし第３の研磨工程を同時に実行
する構成とした。さらに、他の実行例として、請求項６
の発明は、請求項４に記載のエッジポリッシング方法に
おいて、第１の研磨工程及び第３の研磨工程、第２の研
磨工程及び第３の研磨工程、または第１の研磨工程及び
第２の研磨工程のいずれかを同時に実行する構成とし
た。
【００１０】また、研磨ドラムを４つ迄設けて、ワーク
ピースのエッジの両傾斜面と端面を同時に研磨すること
もできる。そこで、請求項７の発明は、請求項４に記載
のエッジポリッシング方法において、鉛直な中心軸回り
で回転している第４の研磨ドラムの研磨面を、一対のエ
ッジ部のうちの他方のエッジ部の端面に接触させて研磨
する第４の研磨工程を設けた構成としてある。
ピースのエッジの両傾斜面と端面を同時に研磨すること
もできる。そこで、請求項７の発明は、請求項４に記載
のエッジポリッシング方法において、鉛直な中心軸回り
で回転している第４の研磨ドラムの研磨面を、一対のエ
ッジ部のうちの他方のエッジ部の端面に接触させて研磨
する第４の研磨工程を設けた構成としてある。
【００１１】また、上記第１〜第４の研磨工程の実行順
序は任意である。そこで、その一例として、請求項８の
発明は、請求項７に記載のエッジポリッシング方法にお
いて、第１の研磨工程ないし第４の研磨工程を同時に実
行する構成とした。さらに、他の実行例として、請求項
９の発明は、請求項７に記載のエッジポリッシング方法
において、第１の研磨工程及び第３の研磨工程の同時実
行後に第２の研磨工程及び第４の研磨工程の同時実行す
る過程，第２の研磨工程及び第３の研磨工程の同時実行
後に第１の研磨工程及び第４の研磨工程の同時実行する
過程、または第１の研磨工程及び第２の研磨工程の同時
実行後に第３の研磨工程及び第４の研磨工程の同時実行
する過程のいずれかの過程を採る構成とした。
序は任意である。そこで、その一例として、請求項８の
発明は、請求項７に記載のエッジポリッシング方法にお
いて、第１の研磨工程ないし第４の研磨工程を同時に実
行する構成とした。さらに、他の実行例として、請求項
９の発明は、請求項７に記載のエッジポリッシング方法
において、第１の研磨工程及び第３の研磨工程の同時実
行後に第２の研磨工程及び第４の研磨工程の同時実行す
る過程，第２の研磨工程及び第３の研磨工程の同時実行
後に第１の研磨工程及び第４の研磨工程の同時実行する
過程、または第１の研磨工程及び第２の研磨工程の同時
実行後に第３の研磨工程及び第４の研磨工程の同時実行
する過程のいずれかの過程を採る構成とした。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。 （第１の実施形態）図１は、この発明の第１の実施形態
に係るエッジポリッシング装置を示す平面図であり、図
２は断面図である。図１に示すように、このエッジポリ
ッシング装置は、ワークピース保持部としての真空チャ
ック９と、第１の研磨ドラムとしての研磨ドラム１と、
第２の研磨ドラムとしての研磨ドラム２と、第３の研磨
ドラムとしての研磨ドラム３と、第４の研磨ドラムとし
ての研磨ドラム４と、移動機構６とを具備している。
いて図面を参照して説明する。 （第１の実施形態）図１は、この発明の第１の実施形態
に係るエッジポリッシング装置を示す平面図であり、図
２は断面図である。図１に示すように、このエッジポリ
ッシング装置は、ワークピース保持部としての真空チャ
ック９と、第１の研磨ドラムとしての研磨ドラム１と、
第２の研磨ドラムとしての研磨ドラム２と、第３の研磨
ドラムとしての研磨ドラム３と、第４の研磨ドラムとし
ての研磨ドラム４と、移動機構６とを具備している。
【００１３】真空チャック９は、面取り加工されたエッ
ジを有する円板状のワークピースとしてのシリコンウエ
ハＷの片面を保持し、シリコンウエハＷをを傾斜させた
状態で回転させることができる機器である。図３は前工
程で面取りされ、この真空チャック９で保持されるシリ
コンウエハＷの正面図である。図３に示すように、シリ
コンウエハＷのエッジＷｃは面取りされており、エッジ
Ｗｃは、表面Ｗａ側の傾斜面ａと裏面Ｗｂ側の傾斜面ｂ
と端面ｃとで形成されている。また、傾斜面ａの面取り
角θ１と傾斜面ｂの面取り角θ２は略等しく設定されて
いる。真空チャック９は、図２に示すように、チャック
本体９０と、チャック本体９０を傾動させるモータ９１
とよりなる。図４は、チャック本体９０を示す断面図で
ある。チャック本体９０は、平坦な表面に複数の吸着孔
９２ａを有した中空のウエハ吸着体９２をベアリング９
３ａを介して保持体９３に回転自在に取り付けた構造を
している。これにより、図示しない真空ポンプによりチ
ューブ９４を通じてウエハ吸着体９２内部の空気を抜く
ことで、表面に乗せたシリコンウエハＷを吸着すること
ができる。このウエハ吸着体９２には、歯車９２ｂが取
り付けられており、この歯車９２ｂが、保持体９３に固
定されたモータ９５の歯車９５ａと噛み合っている。こ
れにより、モータ９５を作動させることで、その回転力
が歯車９５ａ，９２ｂを介してウエハ吸着体９２に伝達
され、シリコンウエハＷが回転する。このようなウエハ
吸着体９２を回転自在に保持する保持体９３は、支持板
９７に回転自在に取り付けられた軸９６に固定されてい
る。軸９６には、図２に示すように、傘歯車９８が取り
付けられており、傘歯車９８は、モータ９１の回転軸に
取り付けられた傘歯車９９に噛み合っている。これによ
り、モータ９１を作動させることで、チャック本体９０
を軸９６回りで所望角度に傾動させることができる。
ジを有する円板状のワークピースとしてのシリコンウエ
ハＷの片面を保持し、シリコンウエハＷをを傾斜させた
状態で回転させることができる機器である。図３は前工
程で面取りされ、この真空チャック９で保持されるシリ
コンウエハＷの正面図である。図３に示すように、シリ
コンウエハＷのエッジＷｃは面取りされており、エッジ
Ｗｃは、表面Ｗａ側の傾斜面ａと裏面Ｗｂ側の傾斜面ｂ
と端面ｃとで形成されている。また、傾斜面ａの面取り
角θ１と傾斜面ｂの面取り角θ２は略等しく設定されて
いる。真空チャック９は、図２に示すように、チャック
本体９０と、チャック本体９０を傾動させるモータ９１
とよりなる。図４は、チャック本体９０を示す断面図で
ある。チャック本体９０は、平坦な表面に複数の吸着孔
９２ａを有した中空のウエハ吸着体９２をベアリング９
３ａを介して保持体９３に回転自在に取り付けた構造を
している。これにより、図示しない真空ポンプによりチ
ューブ９４を通じてウエハ吸着体９２内部の空気を抜く
ことで、表面に乗せたシリコンウエハＷを吸着すること
ができる。このウエハ吸着体９２には、歯車９２ｂが取
り付けられており、この歯車９２ｂが、保持体９３に固
定されたモータ９５の歯車９５ａと噛み合っている。こ
れにより、モータ９５を作動させることで、その回転力
が歯車９５ａ，９２ｂを介してウエハ吸着体９２に伝達
され、シリコンウエハＷが回転する。このようなウエハ
吸着体９２を回転自在に保持する保持体９３は、支持板
９７に回転自在に取り付けられた軸９６に固定されてい
る。軸９６には、図２に示すように、傘歯車９８が取り
付けられており、傘歯車９８は、モータ９１の回転軸に
取り付けられた傘歯車９９に噛み合っている。これによ
り、モータ９１を作動させることで、チャック本体９０
を軸９６回りで所望角度に傾動させることができる。
【００１４】移動機構６、研磨ドラム１〜４をシリコン
ウエハＷとの接触位置までシリコンウエハＷに対して相
対的に移動させる機構であり、ここでは、真空チャック
９を研磨ドラム１，３側に移動させ、また研磨ドラム
２，４側に移動させる構造と採る。具体的には、レール
６１が基台６０上に敷かれ、スライダ６２がレール６１
上に摺動自在に載置されている。そして、このスライダ
６２上に、図５に示すように、軸９６がレール６１に対
して角度θ３だけ傾むくように、真空チャック９が組み
付けられている。また、スライダ６２の下部には連結部
６２ａが形成され、この連結部６２ａが基台６０のに穿
設された一対の長孔６０ａを介して基台６０の裏側に垂
下している。そして、エアシリンダ６３のピストンロッ
ド６３ａの先端部がこの連結部６２ａに連結されてい
る。これにより、エアシリンダ６３を作動させること
で、真空チャック９全体をレール６１上図２の左右方向
に摺動させることができる。
ウエハＷとの接触位置までシリコンウエハＷに対して相
対的に移動させる機構であり、ここでは、真空チャック
９を研磨ドラム１，３側に移動させ、また研磨ドラム
２，４側に移動させる構造と採る。具体的には、レール
６１が基台６０上に敷かれ、スライダ６２がレール６１
上に摺動自在に載置されている。そして、このスライダ
６２上に、図５に示すように、軸９６がレール６１に対
して角度θ３だけ傾むくように、真空チャック９が組み
付けられている。また、スライダ６２の下部には連結部
６２ａが形成され、この連結部６２ａが基台６０のに穿
設された一対の長孔６０ａを介して基台６０の裏側に垂
下している。そして、エアシリンダ６３のピストンロッ
ド６３ａの先端部がこの連結部６２ａに連結されてい
る。これにより、エアシリンダ６３を作動させること
で、真空チャック９全体をレール６１上図２の左右方向
に摺動させることができる。
【００１５】研磨ドラム１は、シリコンウエハＷのエッ
ジＷｃの裏面Ｗｂ側傾斜面ｂ（図３参照）を研磨するた
め円柱体であり、図２に示すように、鉛直な回転軸１０
の上部に研磨パッド１１を貼り付けた構造となってい
る。そして、回転軸１０の下部はモータ１２に連結され
ており、モータ１２は昇降器１３により保持されて上下
に昇降されるようになっている。この研磨ドラム１は、
図１において、レール６１の左側下方に配設され、しか
も、図５に示すように、軸９６の軸線に直交する第１の
直径軸線Ｌ１上でシリコンウエハＷのエッジ部Ｗｃ1と
接触可能な位置に配置されている。
ジＷｃの裏面Ｗｂ側傾斜面ｂ（図３参照）を研磨するた
め円柱体であり、図２に示すように、鉛直な回転軸１０
の上部に研磨パッド１１を貼り付けた構造となってい
る。そして、回転軸１０の下部はモータ１２に連結され
ており、モータ１２は昇降器１３により保持されて上下
に昇降されるようになっている。この研磨ドラム１は、
図１において、レール６１の左側下方に配設され、しか
も、図５に示すように、軸９６の軸線に直交する第１の
直径軸線Ｌ１上でシリコンウエハＷのエッジ部Ｗｃ1と
接触可能な位置に配置されている。
【００１６】また、図１において、研磨ドラム２は、シ
リコンウエハＷのエッジＷｃの表面Ｗａ側傾斜面ａ（図
３参照）を研磨するため円柱体であり、研磨ドラム１と
同構造である。すなわち、図２に示すように、鉛直な回
転軸２０の上部に研磨パッド２１が貼り付けられ、回転
軸２０の下部に図示しない昇降器によって上下に昇降可
能なモータが連結されている。この研磨ドラム２は、レ
ール６１の右側上方に配設され、しかも、図５に示すよ
うに、シリコンウエハＷの上記第１の直径軸線Ｌ１上で
エッジ部Ｗｃ1と対向するエッジ部Ｗｃ2に接触可能な位
置に配置されている。
リコンウエハＷのエッジＷｃの表面Ｗａ側傾斜面ａ（図
３参照）を研磨するため円柱体であり、研磨ドラム１と
同構造である。すなわち、図２に示すように、鉛直な回
転軸２０の上部に研磨パッド２１が貼り付けられ、回転
軸２０の下部に図示しない昇降器によって上下に昇降可
能なモータが連結されている。この研磨ドラム２は、レ
ール６１の右側上方に配設され、しかも、図５に示すよ
うに、シリコンウエハＷの上記第１の直径軸線Ｌ１上で
エッジ部Ｗｃ1と対向するエッジ部Ｗｃ2に接触可能な位
置に配置されている。
【００１７】また、研磨ドラム３，４は、シリコンウエ
ハＷのエッジＷｃの端面ｃ（図３参照）をそれぞれ研磨
するため円柱体であり、研磨ドラム１，２と同構造であ
る。すなわち、鉛直な回転軸３０，４０の上部に研磨パ
ッド３１，４１が貼り付けられ、回転軸３０，４０の下
部に図示しない昇降器によって上下に昇降可能なモータ
が連結されている。これらの研磨ドラム３，４は、レー
ル６１の右側下方，左側上方にそれぞれ配設され、しか
も、図５に示すように、軸９６の軸線即ちシリコンウエ
ハＷの上記第１の直径軸線Ｌ１と直交する直径軸線Ｌ２
上に位置するエッジ部Ｗｃ3，Ｗｃ4にそれぞれ接触可能
な位置に配置されている。
ハＷのエッジＷｃの端面ｃ（図３参照）をそれぞれ研磨
するため円柱体であり、研磨ドラム１，２と同構造であ
る。すなわち、鉛直な回転軸３０，４０の上部に研磨パ
ッド３１，４１が貼り付けられ、回転軸３０，４０の下
部に図示しない昇降器によって上下に昇降可能なモータ
が連結されている。これらの研磨ドラム３，４は、レー
ル６１の右側下方，左側上方にそれぞれ配設され、しか
も、図５に示すように、軸９６の軸線即ちシリコンウエ
ハＷの上記第１の直径軸線Ｌ１と直交する直径軸線Ｌ２
上に位置するエッジ部Ｗｃ3，Ｗｃ4にそれぞれ接触可能
な位置に配置されている。
【００１８】上記研磨ドラム１〜４の配置関係により、
図１に示すように、これらの中心を結ぶ四角形は平行四
辺形を形成するが、その対角線の長さは、シリコンウエ
ハＷの直径よりも大きめに設定され、真空チャック９に
保持された水平状態のシリコンウエハＷと研磨ドラム１
〜４の回転軸１０〜４０との接触が回避されている。な
お、符号７はシリコンウエハＷを真空チャック９のウエ
ハ吸着体９２上に搬入及び搬出するためのロボットであ
る。
図１に示すように、これらの中心を結ぶ四角形は平行四
辺形を形成するが、その対角線の長さは、シリコンウエ
ハＷの直径よりも大きめに設定され、真空チャック９に
保持された水平状態のシリコンウエハＷと研磨ドラム１
〜４の回転軸１０〜４０との接触が回避されている。な
お、符号７はシリコンウエハＷを真空チャック９のウエ
ハ吸着体９２上に搬入及び搬出するためのロボットであ
る。
【００１９】次に、この実施形態のエッジポリッシング
装置が示す動作について説明する。なお、このエッジポ
リッシング装置はその動作時に、請求項４，請求項６，
請求項７及び請求項９のエッジポリッシング方法を具体
的に達成する。図６は、第１及び第３の研磨工程の同時
実行状態を示す図１の矢視Ａ−Ａ断面図であり、図７は
第２及び第４の研磨工程の同時実行状態を示す図１の矢
視Ａ−Ａ断面図である。まず、ウエハ保持工程を実行す
る。図２に示すように、真空チャック９をレール６１の
略中央に位置させ、真空チャック９のウエハ吸着体９２
を水平にした状態で、シリコンウエハＷをロボット７
（図１参照）によってウエハ吸着体９２まで搬入し、裏
面Ｗｂを下にしてウエハ吸着体９２上に載置する。しか
る後、ウエハ吸着体９２内の空気を抜いて、シリコンウ
エハＷを裏面Ｗｂ側からウエハ吸着体９２上に吸着し、
水平に保持する。そして、モータ９１を作動させてチャ
ック本体９０を傾動させ、最上位に位置するエッジ部Ｗ
ｃ1の裏面Ｗｂ側傾斜面ｂが研磨ドラム１の研磨パッド
１１の研磨面１１ａと略平行になるように、シリコンウ
エハＷを傾斜させる。しかる後、モータ９５（図３参
照）を作動させてシリコンウエハＷを所定速度で回転さ
せる。この工程と平行して、モータ１２等によって、研
磨ドラム１〜４をシリコンウエハＷの回転方向と逆方向
に回転させる。
装置が示す動作について説明する。なお、このエッジポ
リッシング装置はその動作時に、請求項４，請求項６，
請求項７及び請求項９のエッジポリッシング方法を具体
的に達成する。図６は、第１及び第３の研磨工程の同時
実行状態を示す図１の矢視Ａ−Ａ断面図であり、図７は
第２及び第４の研磨工程の同時実行状態を示す図１の矢
視Ａ−Ａ断面図である。まず、ウエハ保持工程を実行す
る。図２に示すように、真空チャック９をレール６１の
略中央に位置させ、真空チャック９のウエハ吸着体９２
を水平にした状態で、シリコンウエハＷをロボット７
（図１参照）によってウエハ吸着体９２まで搬入し、裏
面Ｗｂを下にしてウエハ吸着体９２上に載置する。しか
る後、ウエハ吸着体９２内の空気を抜いて、シリコンウ
エハＷを裏面Ｗｂ側からウエハ吸着体９２上に吸着し、
水平に保持する。そして、モータ９１を作動させてチャ
ック本体９０を傾動させ、最上位に位置するエッジ部Ｗ
ｃ1の裏面Ｗｂ側傾斜面ｂが研磨ドラム１の研磨パッド
１１の研磨面１１ａと略平行になるように、シリコンウ
エハＷを傾斜させる。しかる後、モータ９５（図３参
照）を作動させてシリコンウエハＷを所定速度で回転さ
せる。この工程と平行して、モータ１２等によって、研
磨ドラム１〜４をシリコンウエハＷの回転方向と逆方向
に回転させる。
【００２０】次に、第１の研磨工程及び第３の研磨工程
を同時に実行する。すなわち、傾斜したシリコンウエハ
Ｗを保持した真空チャック９を移動機構６によって図２
の左側に移動させる。具体的には、エアシリンダ６３を
作動させて、ピストンロッド６３ａを伸ばすことによ
り、スライダ６２をレール６１上で左側に摺動させる。
そして、図６に示すように、シリコンウエハＷを研磨ド
ラム１に接触させた状態で、真空チャック９の移動を停
止させる。これにより、図１，図５及び図６に示すよう
に、シリコンウエハＷの最上位に位置する直径軸線Ｌ１
上のエッジ部Ｗｃ1の裏面Ｗｂ側傾斜面ｂが研磨パッド
１１の研磨面１１ａに当接すると共に、直径軸線Ｌ２上
のエッジ部Ｗｃ3の端面ｃが研磨ドラム３の研磨パッド
３１の研磨面に当接するので、これらの傾斜面ｂと端面
ｃとが研磨ドラム１及び研磨ドラム３によって同時に鏡
面研磨される。
を同時に実行する。すなわち、傾斜したシリコンウエハ
Ｗを保持した真空チャック９を移動機構６によって図２
の左側に移動させる。具体的には、エアシリンダ６３を
作動させて、ピストンロッド６３ａを伸ばすことによ
り、スライダ６２をレール６１上で左側に摺動させる。
そして、図６に示すように、シリコンウエハＷを研磨ド
ラム１に接触させた状態で、真空チャック９の移動を停
止させる。これにより、図１，図５及び図６に示すよう
に、シリコンウエハＷの最上位に位置する直径軸線Ｌ１
上のエッジ部Ｗｃ1の裏面Ｗｂ側傾斜面ｂが研磨パッド
１１の研磨面１１ａに当接すると共に、直径軸線Ｌ２上
のエッジ部Ｗｃ3の端面ｃが研磨ドラム３の研磨パッド
３１の研磨面に当接するので、これらの傾斜面ｂと端面
ｃとが研磨ドラム１及び研磨ドラム３によって同時に鏡
面研磨される。
【００２１】そして、上記第１の研磨工程及び第３の研
磨工程の同時実行終了後に、第２の研磨工程及び第４の
研磨工程を同時実行する。すなわち、移動機構６のエア
シリンダ６３を作動させて、ピストンロッド６３ａを縮
めることにより、スライダ６２をレール６１上で図２の
右側に摺動させて、傾斜したシリコンウエハＷを保持し
た真空チャック９を右側に移動させる。そして、図７に
示すように、シリコンウエハＷが研磨ドラム２に接触し
たときに、真空チャック９の移動を停止させる。これに
より、図１，図５及び図７に示すように、シリコンウエ
ハＷの最下位に位置する直径軸線Ｌ１上のエッジ部Ｗｃ
2の表面Ｗａ側傾斜面ａが研磨パッド２１の研磨面２１
ａに当接すると共に、直径軸線Ｌ２上のエッジ部Ｗｃ4
の端面ｃが研磨ドラム４の研磨パッド４１の研磨面４１
ａに当接するので、これらの傾斜面ａと端面ｃとが研磨
ドラム２及び研磨ドラム４によって同時に鏡面研磨され
る。
磨工程の同時実行終了後に、第２の研磨工程及び第４の
研磨工程を同時実行する。すなわち、移動機構６のエア
シリンダ６３を作動させて、ピストンロッド６３ａを縮
めることにより、スライダ６２をレール６１上で図２の
右側に摺動させて、傾斜したシリコンウエハＷを保持し
た真空チャック９を右側に移動させる。そして、図７に
示すように、シリコンウエハＷが研磨ドラム２に接触し
たときに、真空チャック９の移動を停止させる。これに
より、図１，図５及び図７に示すように、シリコンウエ
ハＷの最下位に位置する直径軸線Ｌ１上のエッジ部Ｗｃ
2の表面Ｗａ側傾斜面ａが研磨パッド２１の研磨面２１
ａに当接すると共に、直径軸線Ｌ２上のエッジ部Ｗｃ4
の端面ｃが研磨ドラム４の研磨パッド４１の研磨面４１
ａに当接するので、これらの傾斜面ａと端面ｃとが研磨
ドラム２及び研磨ドラム４によって同時に鏡面研磨され
る。
【００２２】上記工程が終了した後、真空チャック９の
ウエハ吸着体９２内の真空状態を解き、ロボット７を用
いて、シリコンウエハＷを真空チャック９から搬出し、
図示しない洗浄工程や検査工程に移行させることができ
る。
ウエハ吸着体９２内の真空状態を解き、ロボット７を用
いて、シリコンウエハＷを真空チャック９から搬出し、
図示しない洗浄工程や検査工程に移行させることができ
る。
【００２３】このように、この実施形態のエッジポリッ
シング装置によれば、シリコンウエハＷの裏面Ｗｂを真
空チャック９で保持した状態で、エッジＷｃの傾斜面
ａ，ｂ及び端面ｃをすべて鏡面研磨することができるの
で、エッジＷｃの傾斜面ｂを鏡面研磨した後、傾斜面ａ
を鏡面研磨するためにシリコンウエハＷを裏返す作業が
なく、その分エッジポリッシング作業の省力化と短時間
化とを図ることができる。さらに、真空チャック９で保
持される面は裏面Ｗｂのみであるので、シミの洗浄作業
は傷の有無の検査作業は裏面Ｗｂのみで済み、この結
果、作業の能率化を図ることができる。
シング装置によれば、シリコンウエハＷの裏面Ｗｂを真
空チャック９で保持した状態で、エッジＷｃの傾斜面
ａ，ｂ及び端面ｃをすべて鏡面研磨することができるの
で、エッジＷｃの傾斜面ｂを鏡面研磨した後、傾斜面ａ
を鏡面研磨するためにシリコンウエハＷを裏返す作業が
なく、その分エッジポリッシング作業の省力化と短時間
化とを図ることができる。さらに、真空チャック９で保
持される面は裏面Ｗｂのみであるので、シミの洗浄作業
は傷の有無の検査作業は裏面Ｗｂのみで済み、この結
果、作業の能率化を図ることができる。
【００２４】（第２の実施形態）図８は、この発明の第
２実施形態に係るエッジポリッシング装置を示す平面図
であり、図９は図８の矢視Ｃ−Ｃ断面図であり、図１０
は図８の矢視Ｄ−Ｄ断面図である。なお、図１ないし図
７に示した部材と同一部材については同一符号を付して
説明する。この実施形態のエッジポリッシング装置は、
シリコンウエハＷのエッジＷｃの傾斜面ａ，ｂと端面ｃ
とを同時に鏡面研磨することができる構造になっている
点が、上記第１の実施形態と異なる。
２実施形態に係るエッジポリッシング装置を示す平面図
であり、図９は図８の矢視Ｃ−Ｃ断面図であり、図１０
は図８の矢視Ｄ−Ｄ断面図である。なお、図１ないし図
７に示した部材と同一部材については同一符号を付して
説明する。この実施形態のエッジポリッシング装置は、
シリコンウエハＷのエッジＷｃの傾斜面ａ，ｂと端面ｃ
とを同時に鏡面研磨することができる構造になっている
点が、上記第１の実施形態と異なる。
【００２５】図８ないし図１０に示すように、真空チャ
ック９は基台６０上に固定されており、軸９６が、上記
第１の実施形態の場合と同様に、シリコンウエハＷの直
径軸線Ｌ１に対して角度θ３だけ傾むいている。そし
て、図９及び図１０に示すように、各研磨ドラム１，
〜，４をシリコンウエハＷとの接触位置まで移動させる
移動機構８−１〜８−４が基台６０の下側に設けられて
いる。
ック９は基台６０上に固定されており、軸９６が、上記
第１の実施形態の場合と同様に、シリコンウエハＷの直
径軸線Ｌ１に対して角度θ３だけ傾むいている。そし
て、図９及び図１０に示すように、各研磨ドラム１，
〜，４をシリコンウエハＷとの接触位置まで移動させる
移動機構８−１〜８−４が基台６０の下側に設けられて
いる。
【００２６】研磨ドラム１を移動させるための移動機構
８−１は、図９に示すように、研磨ドラム１のモータ１
２を保持したスライダ８０と、スライダ８０を摺動させ
るエアシリンダ８９とを有してなる。具体的には、長孔
８１が直径軸線Ｌ１に沿って基台６０に穿設され、レー
ル８５が基台６０の下側に長孔８１と平行に取り付けら
れている。そして、スライダ８０がこのレール８５に摺
動自在に取り付けられ、モータ１２が、スライダ８０の
側面に突設された保持部８０ａに保持されている。ま
た、モータ１２に連結された回転軸１０は、ベアリング
８０ｂによって回転自在に支持された状態で、長孔８１
を貫通して基台６０の上方に延出している。このように
モータ１２を保持したスライダ８０に、図９の左側に位
置するエアシリンダ８９のピストンロッド８９ａの先端
部が連結されている。これにより、エアシリンダ８９を
作動させ、ピストンロッド８９ａを伸縮することで、ス
ライダ８０がレール８５に沿って左右に摺動し、研磨ド
ラム１を左側からシリコンウエハＷに対して接近させま
たは離反させることができる。
８−１は、図９に示すように、研磨ドラム１のモータ１
２を保持したスライダ８０と、スライダ８０を摺動させ
るエアシリンダ８９とを有してなる。具体的には、長孔
８１が直径軸線Ｌ１に沿って基台６０に穿設され、レー
ル８５が基台６０の下側に長孔８１と平行に取り付けら
れている。そして、スライダ８０がこのレール８５に摺
動自在に取り付けられ、モータ１２が、スライダ８０の
側面に突設された保持部８０ａに保持されている。ま
た、モータ１２に連結された回転軸１０は、ベアリング
８０ｂによって回転自在に支持された状態で、長孔８１
を貫通して基台６０の上方に延出している。このように
モータ１２を保持したスライダ８０に、図９の左側に位
置するエアシリンダ８９のピストンロッド８９ａの先端
部が連結されている。これにより、エアシリンダ８９を
作動させ、ピストンロッド８９ａを伸縮することで、ス
ライダ８０がレール８５に沿って左右に摺動し、研磨ド
ラム１を左側からシリコンウエハＷに対して接近させま
たは離反させることができる。
【００２７】研磨ドラム２を移動させるための移動機構
８−２は、移動機構８−１と同構造であるが、直径軸線
Ｌ１に沿って穿設された長孔８２が、シリコンウエハＷ
の右側に位置している。これにより、エアシリンダ８９
を作動させることで、研磨ドラム２を右側からシリコン
ウエハＷに対して接近させまたは離反させることができ
る。
８−２は、移動機構８−１と同構造であるが、直径軸線
Ｌ１に沿って穿設された長孔８２が、シリコンウエハＷ
の右側に位置している。これにより、エアシリンダ８９
を作動させることで、研磨ドラム２を右側からシリコン
ウエハＷに対して接近させまたは離反させることができ
る。
【００２８】また、研磨ドラム３，４をそれぞれ移動さ
せるための移動機構８−３，８−４は、図１０に示すよ
うに、構造的には移動機構８−１，８−２と略同一であ
るが、研磨ドラム３用の移動機構８−３の長孔８３と研
磨ドラム４用の移動機構８−４の長孔８４とが直径軸線
Ｌ２に沿って穿設され、シリコンウエハＷを中心に互い
に対向している。これにより、エアシリンダ８９を作動
させることで、研磨ドラム３を図１０の左側からシリコ
ンウエハＷに対して接近させまたは離反させることがで
き、研磨ドラム４を右側からシリコンウエハＷに対して
接近させまたは離反させることができる。
せるための移動機構８−３，８−４は、図１０に示すよ
うに、構造的には移動機構８−１，８−２と略同一であ
るが、研磨ドラム３用の移動機構８−３の長孔８３と研
磨ドラム４用の移動機構８−４の長孔８４とが直径軸線
Ｌ２に沿って穿設され、シリコンウエハＷを中心に互い
に対向している。これにより、エアシリンダ８９を作動
させることで、研磨ドラム３を図１０の左側からシリコ
ンウエハＷに対して接近させまたは離反させることがで
き、研磨ドラム４を右側からシリコンウエハＷに対して
接近させまたは離反させることができる。
【００２９】次に、この実施形態のエッジポリッシング
装置が示す動作について説明する。なお、このエッジポ
リッシング装置はその動作時に、請求項５及び請求項８
のエッジポリッシング方法を具体的に達成する。
装置が示す動作について説明する。なお、このエッジポ
リッシング装置はその動作時に、請求項５及び請求項８
のエッジポリッシング方法を具体的に達成する。
【００３０】まず、ウエハ保持工程を実行する。すなわ
ち、図８の二点鎖線で示すように、研磨ドラム１〜４を
シリコンウエハＷから離反させた状態で、真空チャック
９で保持したシリコンウエハＷを傾斜させ、所定速度で
回転させる。
ち、図８の二点鎖線で示すように、研磨ドラム１〜４を
シリコンウエハＷから離反させた状態で、真空チャック
９で保持したシリコンウエハＷを傾斜させ、所定速度で
回転させる。
【００３１】次に、第１の研磨工程ないし第４の研磨工
程を同時に実行する。すなわち、研磨ドラム１〜４を回
転させた状態で、各エアシリンダ８９（図９及び図１０
参照）を作動させ、ピストンロッド８９ａを伸ばして、
研磨ドラム１〜４をシリコンウエハＷ側に移動させる。
すると、研磨ドラム１の研磨パッド１１の研磨面１１ａ
がシリコンウエハＷのエッジ部Ｗｃ1の傾斜面ｂ（図３
参照）に接触し、研磨ドラム２の研磨パッド２１の研磨
面２１ａがエッジ部Ｗｃ2の傾斜面ａに接触する。そし
て、研磨ドラム３，４の研磨面３１ａ，４１ａがエッジ
部Ｗｃ3，Ｗｃ4の各端面ｃにそれぞれ接触する。この状
態で、研磨ドラム１〜４の移動を停止させることで、シ
リコンウエハＷのエッジＷｃの傾斜面ａ，ｂ及び端面ｃ
を同時に鏡面研磨することができる。
程を同時に実行する。すなわち、研磨ドラム１〜４を回
転させた状態で、各エアシリンダ８９（図９及び図１０
参照）を作動させ、ピストンロッド８９ａを伸ばして、
研磨ドラム１〜４をシリコンウエハＷ側に移動させる。
すると、研磨ドラム１の研磨パッド１１の研磨面１１ａ
がシリコンウエハＷのエッジ部Ｗｃ1の傾斜面ｂ（図３
参照）に接触し、研磨ドラム２の研磨パッド２１の研磨
面２１ａがエッジ部Ｗｃ2の傾斜面ａに接触する。そし
て、研磨ドラム３，４の研磨面３１ａ，４１ａがエッジ
部Ｗｃ3，Ｗｃ4の各端面ｃにそれぞれ接触する。この状
態で、研磨ドラム１〜４の移動を停止させることで、シ
リコンウエハＷのエッジＷｃの傾斜面ａ，ｂ及び端面ｃ
を同時に鏡面研磨することができる。
【００３２】このように、この実施形態のエッジポリッ
シング装置によれば、シリコンウエハＷのエッジＷｃの
傾斜面ａ，ｂ及び端面ｃを同時に鏡面研磨することがで
きるので、エッジポリッシングの作業時間を短縮するこ
とができる。また、研磨ドラム１〜４によってシリコン
ウエハＷを４点支持状態で支えるので、シリコンウエハ
Ｗのズレなどを防止することができ、この結果、安定し
た鏡面研磨を達成することができる。その他の構成，作
用効果は上記第１の実施形態と同様であるので、その記
載は省略する。
シング装置によれば、シリコンウエハＷのエッジＷｃの
傾斜面ａ，ｂ及び端面ｃを同時に鏡面研磨することがで
きるので、エッジポリッシングの作業時間を短縮するこ
とができる。また、研磨ドラム１〜４によってシリコン
ウエハＷを４点支持状態で支えるので、シリコンウエハ
Ｗのズレなどを防止することができ、この結果、安定し
た鏡面研磨を達成することができる。その他の構成，作
用効果は上記第１の実施形態と同様であるので、その記
載は省略する。
【００３３】なお、この発明は、上記実施形態に限定さ
れるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の
変形や変更が可能である。上記第１の実施形態では、第
１の研磨工程及び第３の研磨工程を同時実行した後第２
の研磨工程及び第４の研磨工程を同時実行したが、第２
の研磨工程及び第４の研磨工程を同時実行した後第１の
研磨工程及び第３の研磨工程を同時実行しても良いこと
は勿論である。また、第２の実施形態では、第１の研磨
工程〜第４の研磨工程を同時実行する例を示したが、作
業条件を勘案して、第１〜第４の研磨工程を順次実行す
ることもでき、また、第２の研磨工程及び第３の研磨工
程を同時実行した後に第１の研磨工程及び第４の研磨工
程を同時実行したり、第１の研磨工程及び第２の研磨工
程を同時実行した後に第３の研磨工程及び第４の研磨工
程を同時実行することもできる。
れるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の
変形や変更が可能である。上記第１の実施形態では、第
１の研磨工程及び第３の研磨工程を同時実行した後第２
の研磨工程及び第４の研磨工程を同時実行したが、第２
の研磨工程及び第４の研磨工程を同時実行した後第１の
研磨工程及び第３の研磨工程を同時実行しても良いこと
は勿論である。また、第２の実施形態では、第１の研磨
工程〜第４の研磨工程を同時実行する例を示したが、作
業条件を勘案して、第１〜第４の研磨工程を順次実行す
ることもでき、また、第２の研磨工程及び第３の研磨工
程を同時実行した後に第１の研磨工程及び第４の研磨工
程を同時実行したり、第１の研磨工程及び第２の研磨工
程を同時実行した後に第３の研磨工程及び第４の研磨工
程を同時実行することもできる。
【００３４】
【発明の効果】以上詳しく説明したように、この発明に
よれば、ワークピースの片面を保持した状態のまま、面
取りされたエッジの全面を研磨することができるので、
従来のエッジポリッシング装置のように、ワークピース
を裏返して保持し直す作業を必要とせず、その分作業時
間の短縮化を図ることができるという優れた効果があ
る。また、ワークピースの片面のみを保持するので、ワ
ークピース保持部で保持されていない面には、シミや傷
が発生せず、この結果、研磨工程から次工程に移行する
間に、シミを落とす洗浄作業や傷の有無の検査作業が半
減し、その分作業能率が向上するという効果もある。
よれば、ワークピースの片面を保持した状態のまま、面
取りされたエッジの全面を研磨することができるので、
従来のエッジポリッシング装置のように、ワークピース
を裏返して保持し直す作業を必要とせず、その分作業時
間の短縮化を図ることができるという優れた効果があ
る。また、ワークピースの片面のみを保持するので、ワ
ークピース保持部で保持されていない面には、シミや傷
が発生せず、この結果、研磨工程から次工程に移行する
間に、シミを落とす洗浄作業や傷の有無の検査作業が半
減し、その分作業能率が向上するという効果もある。
【図１】この発明の第１の実施形態に係るエッジポリッ
シング装置を示す平面図である。
シング装置を示す平面図である。
【図２】図１に示すエッジポリッシング装置の断面図で
ある。
ある。
【図３】面取り加工されたシリコンウエハの正面図であ
る。
る。
【図４】チャック本体を示す断面図である。
【図５】研磨ドラムとシリコンウエハとの接触位置関係
を示す概略平面図である。
を示す概略平面図である。
【図６】第１及び第３の研磨工程の同時実行状態を示す
図１の矢視Ａ−Ａ断面図である。
図１の矢視Ａ−Ａ断面図である。
【図７】第２及び第４の研磨工程の同時実行状態を示す
図１の矢視Ａ−Ａ断面図である。
図１の矢視Ａ−Ａ断面図である。
【図８】この発明の第２実施形態に係るエッジポリッシ
ング装置を示す平面図である。
ング装置を示す平面図である。
【図９】図８の矢視Ｃ−Ｃ断面図である。
【図１０】図８の矢視Ｄ−Ｄ断面図である。
【図１１】従来例に係るエッジポリッシング装置の要部
を示す正面図である。
を示す正面図である。
【図１２】シリコンウエハを端面研磨状態を示す部分拡
大図である。
大図である。
【図１３】シリコンウエハの傾斜面研磨状態を示す部分
拡大図である。
拡大図である。
９…真空チャック、 １〜４…研磨ドラム、 ６…移動
機構、 Ｌ１，Ｌ２…直径軸線、 Ｗ…シリコンウエ
ハ、 Ｗｃ…エッジ、 Ｗｃ1〜Ｗｃ4…エッジ部、
ａ，ｂ…傾斜面、 ｃ…端面。
機構、 Ｌ１，Ｌ２…直径軸線、 Ｗ…シリコンウエ
ハ、 Ｗｃ…エッジ、 Ｗｃ1〜Ｗｃ4…エッジ部、
ａ，ｂ…傾斜面、 ｃ…端面。
Claims (9)
- 【請求項１】 面取り加工されたエッジを有する円板状
のワークピースの片面を保持し、該ワークピースを傾斜
させた状態で回転可能なワークピース保持部と、 鉛直な中心軸回りで回転可能な第１の研磨ドラムと、 上記ワークピースとの接触時に、上記第１の研磨ドラム
とワークピースとの接触点からワークピースの中心を通
って延出する第１の直径軸線上に位置し、鉛直な中心軸
回りで回転可能な第２の研磨ドラムと、 上記ワークピースとの接触時に、上記第１の直径軸線と
略垂直な第２の直径軸線上に位置し、鉛直な中心軸回り
で回転可能な第３の研磨ドラムとを具備することを特徴
とするエッジポリッシング装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載のエッジポリッシング装
置において、 上記ワークピースとの接触時に、上記第３の研磨ドラム
とワークピースとの接触点からワークピースの中心を通
って延出する上記第２の直径軸線上に位置し、鉛直な中
心軸回りで回転可能な第４の研磨ドラムを設けた、 ことを特徴とするエッジポリッシング装置。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載のエッジ
ポリッシング装置において、 上記第１の研磨ドラムないし第４の研磨ドラムを上記接
触位置まで上記ワークピースに対して相対的に移動させ
る移動機構を設けた、 ことを特徴とするエッジポリッシング装置。 - 【請求項４】 面取り加工されたエッジを有する円板状
のワークピースの片面をワークピース保持部によって保
持し、該ワークピースを所定角度だけ傾斜させた状態で
回転させるウエハ保持工程と、 鉛直な中心軸回りで回転している第１の研磨ドラムの研
磨面を、上記傾斜したワークピースの最上位に位置する
エッジ部の傾斜面であって略鉛直な傾斜面に接触させて
研磨する第１の研磨工程と、 鉛直な中心軸回りで回転している第２の研磨ドラムの研
磨面を、上記傾斜したワークピースの最下位に位置する
エッジ部の傾斜面であって略鉛直な傾斜面に接触させて
研磨する第２の研磨工程と、 鉛直な中心軸回りで回転している第３の研磨ドラムの研
磨面を、上記ワークピースの最上位と最下位とを通る直
径軸線と略直交する直径軸線上に位置した一対のエッジ
部のうちの一方のエッジ部の端面に接触させて研磨する
第３の研磨工程とを具備することを特徴とするエッジポ
リッシング方法。 - 【請求項５】 請求項４に記載のエッジポリッシング方
法において、 上記第１の研磨工程ないし第３の研磨工程を同時に実行
する、 ことを特徴とするエッジポリッシング方法。 - 【請求項６】 請求項４に記載のエッジポリッシング方
法において、 上記第１の研磨工程及び第３の研磨工程、上記第２の研
磨工程及び第３の研磨工程、または上記第１の研磨工程
及び第２の研磨工程のいずれかを同時に実行する、 ことを特徴とするエッジポリッシング方法。 - 【請求項７】 請求項４に記載のエッジポリッシング方
法において、 鉛直な中心軸回りで回転している第４の研磨ドラムの研
磨面を、上記一対のエッジ部のうちの他方のエッジ部の
端面に接触させて研磨する第４の研磨工程を設けた、 ことを特徴とするエッジポリッシング方法。 - 【請求項８】 請求項７に記載のエッジポリッシング方
法において、 上記第１の研磨工程ないし第４の研磨工程を同時に実行
する、 ことを特徴とするエッジポリッシング方法。 - 【請求項９】 請求項７に記載のエッジポリッシング方
法において、 上記第１の研磨工程及び第３の研磨工程の同時実行後に
上記第２の研磨工程及び第４の研磨工程の同時実行する
過程，上記第２の研磨工程及び第３の研磨工程の同時実
行後に上記第１の研磨工程及び第４の研磨工程の同時実
行する過程、または上記第１の研磨工程及び第２の研磨
工程の同時実行後に上記第３の研磨工程及び第４の研磨
工程の同時実行する過程のいずれかの過程を採る、 ことを特徴とするエッジポリッシング方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10321134A JP2000141190A (ja) | 1998-11-11 | 1998-11-11 | エッジポリッシング装置及びエッジポリッシング方法 |
| EP99115085A EP1000703A2 (en) | 1998-11-11 | 1999-08-06 | Edge polisher and edge polishing method |
| TW088113606A TW402543B (en) | 1998-11-11 | 1999-08-10 | Edge polisher and edge polishing method |
| KR1019990034279A KR20000034902A (ko) | 1998-11-11 | 1999-08-19 | 에지 연마 장치 및 에지 연마 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10321134A JP2000141190A (ja) | 1998-11-11 | 1998-11-11 | エッジポリッシング装置及びエッジポリッシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000141190A true JP2000141190A (ja) | 2000-05-23 |
Family
ID=18129192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10321134A Withdrawn JP2000141190A (ja) | 1998-11-11 | 1998-11-11 | エッジポリッシング装置及びエッジポリッシング方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1000703A2 (ja) |
| JP (1) | JP2000141190A (ja) |
| KR (1) | KR20000034902A (ja) |
| TW (1) | TW402543B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002049802A1 (fr) * | 2000-12-21 | 2002-06-27 | Nikon Corporation | Dispositif et procede de polissage, et procede et dispositif pour produire un dispositif a semiconducteurs |
| JP2002192446A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-10 | Nikon Corp | 研磨装置、研磨方法及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP2009027198A (ja) * | 2008-10-31 | 2009-02-05 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| WO2020054811A1 (ja) * | 2018-09-14 | 2020-03-19 | 株式会社Sumco | ウェーハの鏡面面取り方法、ウェーハの製造方法、及びウェーハ |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10214129C1 (de) * | 2002-03-28 | 2003-08-14 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Politur der Kante einer Halbleiterscheibe |
| KR100506814B1 (ko) * | 2003-01-15 | 2005-08-09 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 연마 장치 |
| US7559825B2 (en) | 2006-12-21 | 2009-07-14 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of polishing a semiconductor wafer |
| CN102658512A (zh) * | 2012-05-17 | 2012-09-12 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 一种pcb薄板板边半自动刷边机 |
| DE102013210057A1 (de) | 2013-05-29 | 2014-12-04 | Siltronic Ag | Verfahren zur Politur der Kante einer Halbleiterscheibe |
| CN103505826B (zh) * | 2013-10-12 | 2015-11-04 | 常熟南师大发展研究院有限公司 | 磁力吸附板 |
| CN109176171B (zh) * | 2018-08-31 | 2020-09-25 | 芜湖昌菱金刚石工具有限公司 | 一种金刚石磨片高效打磨设备 |
| CN114300339A (zh) * | 2021-12-09 | 2022-04-08 | 山东有研艾斯半导体材料有限公司 | 一种改善硅片r型轮廓的边缘抛光工艺 |
| CN117506689B (zh) * | 2023-12-29 | 2024-03-22 | 苏州博宏源机械制造有限公司 | 一种硅片晶圆边缘抛光装置及方法 |
-
1998
- 1998-11-11 JP JP10321134A patent/JP2000141190A/ja not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-08-06 EP EP99115085A patent/EP1000703A2/en not_active Withdrawn
- 1999-08-10 TW TW088113606A patent/TW402543B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-08-19 KR KR1019990034279A patent/KR20000034902A/ko not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2002049802A1 (fr) * | 2000-12-21 | 2002-06-27 | Nikon Corporation | Dispositif et procede de polissage, et procede et dispositif pour produire un dispositif a semiconducteurs |
| JP2002192446A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-10 | Nikon Corp | 研磨装置、研磨方法及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP4655369B2 (ja) * | 2000-12-25 | 2011-03-23 | 株式会社ニコン | 研磨装置、研磨方法及び半導体デバイスの製造方法 |
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| WO2020054811A1 (ja) * | 2018-09-14 | 2020-03-19 | 株式会社Sumco | ウェーハの鏡面面取り方法、ウェーハの製造方法、及びウェーハ |
| JPWO2020054811A1 (ja) * | 2018-09-14 | 2021-02-18 | 株式会社Sumco | ウェーハの鏡面面取り方法、ウェーハの製造方法、及びウェーハ |
| US10971351B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-04-06 | Sumco Corporation | Wafer surface beveling method, method of manufacturing wafer, and wafer |
| JP7047924B2 (ja) | 2018-09-14 | 2022-04-05 | 株式会社Sumco | ウェーハの鏡面面取り方法、ウェーハの製造方法、及びウェーハ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1000703A2 (en) | 2000-05-17 |
| KR20000034902A (ko) | 2000-06-26 |
| TW402543B (en) | 2000-08-21 |
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| Date | Code | Title | Description |
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