JPH03184756A - ウエーハの研削加工方法 - Google Patents
ウエーハの研削加工方法Info
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- JPH03184756A JPH03184756A JP32207689A JP32207689A JPH03184756A JP H03184756 A JPH03184756 A JP H03184756A JP 32207689 A JP32207689 A JP 32207689A JP 32207689 A JP32207689 A JP 32207689A JP H03184756 A JPH03184756 A JP H03184756A
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Landscapes
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体ウェーハの表面にデバイスの形成が
終った後、あるいはデバイスの形成前にウェーハの裏面
側を研削加工してウェーハの不要な厚さを除去する場合
のように、ウェーハの一方の面を研削して所要の厚みに
仕上げるための研削加工の方法に関する。
終った後、あるいはデバイスの形成前にウェーハの裏面
側を研削加工してウェーハの不要な厚さを除去する場合
のように、ウェーハの一方の面を研削して所要の厚みに
仕上げるための研削加工の方法に関する。
従来のウェーハの研削加工の方法として、ウェーハ自転
研削法と呼ばれているものがある。この方法の概要を第
２図に示す。軸まわりに回転するロータリテーブル１２
の平坦な上面にウェーハ３をワックスによＯ接着し、あ
るいは、ここには図示しないが、ロータリテーブル１２
の上面に真空チャックを固定してウェーハを真空チャッ
クの吸着面に密着状態に保持し、周壁下端面にリング状
の砥石１１ａを備えたカップ型砥石１１を、ウェーハ３
の中心がリング状砥石１１ａの幅内に位置するようにウ
ェーハ３とカップ型砥石１１との相対位置を設定し、ロ
ータリテーブル１２とカップ型砥石１１とを同方向に回
転させてウェーハ面の研削を行うものである。
研削法と呼ばれているものがある。この方法の概要を第
２図に示す。軸まわりに回転するロータリテーブル１２
の平坦な上面にウェーハ３をワックスによＯ接着し、あ
るいは、ここには図示しないが、ロータリテーブル１２
の上面に真空チャックを固定してウェーハを真空チャッ
クの吸着面に密着状態に保持し、周壁下端面にリング状
の砥石１１ａを備えたカップ型砥石１１を、ウェーハ３
の中心がリング状砥石１１ａの幅内に位置するようにウ
ェーハ３とカップ型砥石１１との相対位置を設定し、ロ
ータリテーブル１２とカップ型砥石１１とを同方向に回
転させてウェーハ面の研削を行うものである。
この方法は、ウェーハが固定された軸線まわりを回転す
るのみで研削が行われ、ウェーハとカップ型砥石との間
で研削面内の相対的な送り運動を行う必要がなく、研削
幅が常に一定であるためウェーハの平面度や平行度が改
善され、またチッピングの発生が防止できるとともにロ
ータリテーブルの回転数を増すことｉこより微少切込み
を能率よく行うことができ、スクラッチ（かき傷）、加
工歪みを小さくすることができる。さらにカップ型砥石
の砥面の半分が常に解放されているため、砥面を清浄に
保って砥石の切れ味を一定に維持し、加工稽度を安定化
させるドレッシング装置の装着が容易であるなどの特長
を有する。従来は、このような改善された研削方法（こ
よるものを含め、すべて、ウェーハを平坦な面に密着状
態に保持して研削が行われている。
るのみで研削が行われ、ウェーハとカップ型砥石との間
で研削面内の相対的な送り運動を行う必要がなく、研削
幅が常に一定であるためウェーハの平面度や平行度が改
善され、またチッピングの発生が防止できるとともにロ
ータリテーブルの回転数を増すことｉこより微少切込み
を能率よく行うことができ、スクラッチ（かき傷）、加
工歪みを小さくすることができる。さらにカップ型砥石
の砥面の半分が常に解放されているため、砥面を清浄に
保って砥石の切れ味を一定に維持し、加工稽度を安定化
させるドレッシング装置の装着が容易であるなどの特長
を有する。従来は、このような改善された研削方法（こ
よるものを含め、すべて、ウェーハを平坦な面に密着状
態に保持して研削が行われている。
しかし、ウェーハを平坦な面に密着状態１こ保持して研
削を行う従来の研削加工方法では、研削後、ウェーハを
ロータリテーブルから外すと、研削面が伸びてウェーハ
が凸面状にそる。この様子を第３図ζこ示す。同図（ａ
）はロータリテーブル１２から外す前の状態を示し、同
図（ｂ）は外したときのウェーハ３の中心断面を示す。
削を行う従来の研削加工方法では、研削後、ウェーハを
ロータリテーブルから外すと、研削面が伸びてウェーハ
が凸面状にそる。この様子を第３図ζこ示す。同図（ａ
）はロータリテーブル１２から外す前の状態を示し、同
図（ｂ）は外したときのウェーハ３の中心断面を示す。
図においてδがそりの大きさを示す。このそＯの大きさ
δは、例えば、ウェーハ材質がシリコンである場合、粒
度が◆８００（８００番）のダイアモンド砥石を用いて
直径１００ ｙｒｍのウェーハを研削したとき、ウエー
ノ１の仕上がり厚さ４００μｍの場合、２００μｍ程度
になる（昭和６２年度精密工学会秋季大会学術論文集、
Ｐ、２１９参照）。そして、このような研削後のそりは
、従来の研削加工方法では避けることができない。この
ため、特に、後工程でデバイスの製造プロセスを行うよ
うな場合には、そりを極力小さくする必要があるため、
研削された面をエツチングして歪みを生じている分子層
を除去し、そりを軽減していた。
δは、例えば、ウェーハ材質がシリコンである場合、粒
度が◆８００（８００番）のダイアモンド砥石を用いて
直径１００ ｙｒｍのウェーハを研削したとき、ウエー
ノ１の仕上がり厚さ４００μｍの場合、２００μｍ程度
になる（昭和６２年度精密工学会秋季大会学術論文集、
Ｐ、２１９参照）。そして、このような研削後のそりは
、従来の研削加工方法では避けることができない。この
ため、特に、後工程でデバイスの製造プロセスを行うよ
うな場合には、そりを極力小さくする必要があるため、
研削された面をエツチングして歪みを生じている分子層
を除去し、そりを軽減していた。
この発明の目的は、かかる歪み除去の工程を経ることな
く次の製造工程に入ることができるよう、研削加工後に
もそりのないウェー７１が得られる研削加工方法を提供
することである。
く次の製造工程に入ることができるよう、研削加工後に
もそりのないウェー７１が得られる研削加工方法を提供
することである。
上記課題を解決するために、この発明においては、ウェ
ーハの研削加工方法として、ウエーノ）を密着状態に保
持する保持面が、ウェー７１を平面状態で研削加工した
ときに生じるそりの曲率半径とほぼ等しい曲率半径を有
する球面状凹面「こ形成されたチャッキングテーブルを
、軸まわりに回転するロータリテーブルに該ロータリテ
ーブルの軸線が前記凹面の曲率中心を通るよう（こ固定
して該チャッキングテーブルの保持面にウエーノ＼を密
着状態「こ保持させ、このウェー７１と、チャッキング
テーブル保持面の曲率中心を揺動の中心として振子運動
を行いつつ軸まわり（こ回転するスピンドルの先端部に
固定された、チヤツキングテーブル保持面と同心球面状
の創成面を有する砥石との相対運動によりウェーハのス
ピンドル側の面が研削される研削加工方法をとるものと
する。
ーハの研削加工方法として、ウエーノ）を密着状態に保
持する保持面が、ウェー７１を平面状態で研削加工した
ときに生じるそりの曲率半径とほぼ等しい曲率半径を有
する球面状凹面「こ形成されたチャッキングテーブルを
、軸まわりに回転するロータリテーブルに該ロータリテ
ーブルの軸線が前記凹面の曲率中心を通るよう（こ固定
して該チャッキングテーブルの保持面にウエーノ＼を密
着状態「こ保持させ、このウェー７１と、チャッキング
テーブル保持面の曲率中心を揺動の中心として振子運動
を行いつつ軸まわり（こ回転するスピンドルの先端部に
固定された、チヤツキングテーブル保持面と同心球面状
の創成面を有する砥石との相対運動によりウェーハのス
ピンドル側の面が研削される研削加工方法をとるものと
する。
このようｔこ、ウェーハを平面状態で研削加工したとき
１こ生じるそりの曲率半径とほぼ等しい曲率半径を有す
る球面状凹面に形成されたチャッキングテーブルの保持
面にウェーハを密着状態に保持させ、研削面に予め圧縮
歪みを生じさせた状態で研削加工を行うことにより、チ
ャッキングテーブルから外したときに生じる研削面の伸
びが圧縮歪みにより打ち消され、そりの発生が防止され
る。
１こ生じるそりの曲率半径とほぼ等しい曲率半径を有す
る球面状凹面に形成されたチャッキングテーブルの保持
面にウェーハを密着状態に保持させ、研削面に予め圧縮
歪みを生じさせた状態で研削加工を行うことにより、チ
ャッキングテーブルから外したときに生じる研削面の伸
びが圧縮歪みにより打ち消され、そりの発生が防止され
る。
このため、研削加工後に研削面をエツチングするなどの
歪み除去工程を経ることなく次の製造工程１こ入ること
が可能になる。
歪み除去工程を経ることなく次の製造工程１こ入ること
が可能になる。
〔実施例〕
第１図に本発明によるウェーハの研削加工方法を実施す
るための研削加工装置要部の一実施例Ｉこよる構成を示
す。この実施例では、研削加工装置の要部は、中央部に
真空引きのための孔が形成されたロータリテーブル１と
、保持リング５ａ内に多孔質セラミックスからなる円板
５ｂが保持リング５ａと一体に、かつ全体が１つの円板
に形成され上面がウェーハを平面状態で研削加工したと
きに生じるウェーハ面のそりの曲率半径とほぼ等しい、
例えば５〜６ｍの曲率半径を有する球面状凹面に形成さ
れてロータリテーブルの軸線が凹面の曲率中心を通るよ
うにロータリテーブルの上面に固定されるチャッキング
テーブル５と、前記凹面の曲率中心を揺動の中心として
振子運動をするようにコニオガイドが形成する球面に沿
って上端の球面が案内されつつ軸まわりに回転するスピ
ンドル１と、スピンドル１下端の台座１ａに固定される
、チヤツキングテーブル５の凹面に形成された吸着面と
同心球面状の創成面を有する砥石２とを用いて構成され
ている。ウェーハの研削加工時には、まず、粘着テープ
４をデバイスが形成されるウェーハ表面に貼Ｏつけてチ
ャッキングテーブル５の凹面にウェーハを粘着テープ側
を下にして載置し、図示されない真空ポンプを作動させ
てウェーハ下面側の空気をロータリテーブルの孔７ａを
通して矢印の方向に吸引し、ウェー７１の下面側を負圧
に保ちつつウェーハ３を粘着テープを介して凹面（こ密
着状態（こ吸着、保持する。ウェー／Ｘ３の真空チャッ
ク側の面ｉこデバイスが形成されていない場合には、粘
着テープ４を用いずに直接、ウェーハ３を吸着するよう
にしてもよい。次に、下端に砥石２を備えたスピンドル
１に振子運動をさせつつスピンドル１を軸まわりに回転
駆動する機構を内蔵したコニオガイド８を、スピンドル
１の振子運動の揺動中心がチャッキングテーブル吸着面
の曲率中心と一致する位置までチャッキングテーブルに
近づけて砥石２をウェーハ３の研削面に圧接させる。
るための研削加工装置要部の一実施例Ｉこよる構成を示
す。この実施例では、研削加工装置の要部は、中央部に
真空引きのための孔が形成されたロータリテーブル１と
、保持リング５ａ内に多孔質セラミックスからなる円板
５ｂが保持リング５ａと一体に、かつ全体が１つの円板
に形成され上面がウェーハを平面状態で研削加工したと
きに生じるウェーハ面のそりの曲率半径とほぼ等しい、
例えば５〜６ｍの曲率半径を有する球面状凹面に形成さ
れてロータリテーブルの軸線が凹面の曲率中心を通るよ
うにロータリテーブルの上面に固定されるチャッキング
テーブル５と、前記凹面の曲率中心を揺動の中心として
振子運動をするようにコニオガイドが形成する球面に沿
って上端の球面が案内されつつ軸まわりに回転するスピ
ンドル１と、スピンドル１下端の台座１ａに固定される
、チヤツキングテーブル５の凹面に形成された吸着面と
同心球面状の創成面を有する砥石２とを用いて構成され
ている。ウェーハの研削加工時には、まず、粘着テープ
４をデバイスが形成されるウェーハ表面に貼Ｏつけてチ
ャッキングテーブル５の凹面にウェーハを粘着テープ側
を下にして載置し、図示されない真空ポンプを作動させ
てウェーハ下面側の空気をロータリテーブルの孔７ａを
通して矢印の方向に吸引し、ウェー７１の下面側を負圧
に保ちつつウェーハ３を粘着テープを介して凹面（こ密
着状態（こ吸着、保持する。ウェー／Ｘ３の真空チャッ
ク側の面ｉこデバイスが形成されていない場合には、粘
着テープ４を用いずに直接、ウェーハ３を吸着するよう
にしてもよい。次に、下端に砥石２を備えたスピンドル
１に振子運動をさせつつスピンドル１を軸まわりに回転
駆動する機構を内蔵したコニオガイド８を、スピンドル
１の振子運動の揺動中心がチャッキングテーブル吸着面
の曲率中心と一致する位置までチャッキングテーブルに
近づけて砥石２をウェーハ３の研削面に圧接させる。
しかる後、ロータリテーブル７とスピンドル１とを互い
に逆方向に回転させつつスピンドル１に振子運転を行わ
せ、ウェーハ３を所定の厚さに研削加工する。
に逆方向に回転させつつスピンドル１に振子運転を行わ
せ、ウェーハ３を所定の厚さに研削加工する。
以上に述べたよう番こ、本発明によれば、ウェーハを研
削するのに、９エーハを密着状態に保持する保持面が、
ウェーハを平面状態で研削加工したときに生じるそりの
曲率半径とほぼ等しい曲率半径を有する球面状凹面に形
成されたチャッキングテーブルを、軸まわりに回転する
ロータリテーブルに該ロータリテーブルの軸線が前記凹
面の曲率中心を通るように固定して該チャッキングテー
ブルの保持面にウェーハを密着状態番こ保持させ、この
ウェーハと、チャッキングテーブル保持面の曲率中心を
揺動の中心として振子運動を行いつつ軸まわりに回転す
るスピンドルの先端部に固定された、チヤツキングテー
ブル保持面と同心球面状の創成面を有する砥石との相対
運動によりウエーノ＼のスピンドル側の面が研削される
研削加工方法により研削するようにしたので、研削加工
後にウェーハをチャッキングテーブルから外したとき、
研削面の伸びが、研削加工時１こ研削面に予め与えられ
た圧縮歪みにより打ち消されてそりの発生が防止され、
従来のように、研削加工後に研削面をエツチングするな
どの歪み除去工程を経ることなく次の製造工程に入るこ
とができ、製造のスループットが向上する。
削するのに、９エーハを密着状態に保持する保持面が、
ウェーハを平面状態で研削加工したときに生じるそりの
曲率半径とほぼ等しい曲率半径を有する球面状凹面に形
成されたチャッキングテーブルを、軸まわりに回転する
ロータリテーブルに該ロータリテーブルの軸線が前記凹
面の曲率中心を通るように固定して該チャッキングテー
ブルの保持面にウェーハを密着状態番こ保持させ、この
ウェーハと、チャッキングテーブル保持面の曲率中心を
揺動の中心として振子運動を行いつつ軸まわりに回転す
るスピンドルの先端部に固定された、チヤツキングテー
ブル保持面と同心球面状の創成面を有する砥石との相対
運動によりウエーノ＼のスピンドル側の面が研削される
研削加工方法により研削するようにしたので、研削加工
後にウェーハをチャッキングテーブルから外したとき、
研削面の伸びが、研削加工時１こ研削面に予め与えられ
た圧縮歪みにより打ち消されてそりの発生が防止され、
従来のように、研削加工後に研削面をエツチングするな
どの歪み除去工程を経ることなく次の製造工程に入るこ
とができ、製造のスループットが向上する。
第１図はウェーハを本発明の砥削加工方法により研削す
るための研削加工装置要部構成の一実施例を示す要部構
成の原理図、第２図は従来のウェーハの研削加工方法例
（こおける研削加工方法の原理を示す図であって同図（
ａ）は平面図、同図（ｂ）は側面図である。第３図は従
来の研削加工方法により研削されたウェーハの研削後の
そりの様子を示す図であって、同図（ａ）は研削後ウェ
ーハをロータリテーブルから外す前の状態を示す側面図
、同図（ｂ）は研削後ロータリテーブルから外されたウ
ェーハのそＯを示す中心断面図である。 １・・・スピンドル、２・・・砥石、３・・・ウェーハ
、５・・・チャッキングテーブル、７・・・ロータリテ
ーブル。 蜀２ 目
るための研削加工装置要部構成の一実施例を示す要部構
成の原理図、第２図は従来のウェーハの研削加工方法例
（こおける研削加工方法の原理を示す図であって同図（
ａ）は平面図、同図（ｂ）は側面図である。第３図は従
来の研削加工方法により研削されたウェーハの研削後の
そりの様子を示す図であって、同図（ａ）は研削後ウェ
ーハをロータリテーブルから外す前の状態を示す側面図
、同図（ｂ）は研削後ロータリテーブルから外されたウ
ェーハのそＯを示す中心断面図である。 １・・・スピンドル、２・・・砥石、３・・・ウェーハ
、５・・・チャッキングテーブル、７・・・ロータリテ
ーブル。 蜀２ 目
Claims (1)
- １）ウェーハを密着状態に保持する保持面が、ウェーハ
を平面状態で研削加工したときに生じるそりの曲率半径
とほぼ等しい曲率半径を有する球面状凹面に形成された
チヤツキングテーブルを、軸まわりに回転するロータリ
テーブルに該ロータリテーブルの軸線が前記凹面の曲率
中心を通るように固定して該チヤツキングテーブルの保
持面にウェーハを密着状態に保持させ、このウエーハと
、チヤツキングテーブル保持面の曲率中心を揺動の中心
として振子運動を行いつつ軸まわりに回転するスピンド
ルの先端部に固定された、チヤツキングテーブル保持面
と同心球面状の創成面を有する砥石との相対運動により
ウェーハのスピンドル側の面が研削されることを特徴と
するウェーハの研削加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32207689A JPH03184756A (ja) | 1989-12-12 | 1989-12-12 | ウエーハの研削加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32207689A JPH03184756A (ja) | 1989-12-12 | 1989-12-12 | ウエーハの研削加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03184756A true JPH03184756A (ja) | 1991-08-12 |
Family
ID=18139651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32207689A Pending JPH03184756A (ja) | 1989-12-12 | 1989-12-12 | ウエーハの研削加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03184756A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990024436A (ko) * | 1997-09-02 | 1999-04-06 | 윤종용 | 화학기계적 연마장치 |
| KR19990024818A (ko) * | 1997-09-08 | 1999-04-06 | 윤종용 | 화학기계적 연마장치 |
| JP2006186234A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体ウェーハの分割方法、研削装置および半導体ウェーハ分割システム |
| JP2007019461A (ja) * | 2005-04-27 | 2007-01-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法及びウェーハ |
| US7655881B2 (en) * | 2001-06-15 | 2010-02-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation stage, laser irradiation optical system, laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method of manufacturing a semiconductor device |
| JP2013141032A (ja) * | 2005-04-27 | 2013-07-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法 |
-
1989
- 1989-12-12 JP JP32207689A patent/JPH03184756A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990024436A (ko) * | 1997-09-02 | 1999-04-06 | 윤종용 | 화학기계적 연마장치 |
| KR19990024818A (ko) * | 1997-09-08 | 1999-04-06 | 윤종용 | 화학기계적 연마장치 |
| US7655881B2 (en) * | 2001-06-15 | 2010-02-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation stage, laser irradiation optical system, laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method of manufacturing a semiconductor device |
| JP2006186234A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体ウェーハの分割方法、研削装置および半導体ウェーハ分割システム |
| JP4564351B2 (ja) * | 2004-12-28 | 2010-10-20 | パナソニック株式会社 | 半導体ウェーハの分割方法、研削装置および半導体ウェーハ分割システム |
| JP2007019461A (ja) * | 2005-04-27 | 2007-01-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法及びウェーハ |
| JP2013141032A (ja) * | 2005-04-27 | 2013-07-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法 |
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