JPH0778864A

JPH0778864A - 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH0778864A
Application number: JP24594593A
Authority: JP
Inventors: Yukimi Kamikawa; 幸美神川
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1993-09-06
Filing date: 1993-09-06
Publication date: 1995-03-20

Abstract

(57)【要約】【目的】半導体装置の特性が劣化しないような裏面研
削装置及び裏面研削工程が簡略化される半導体装置の製
造方法を提供する。【構成】裏面研削装置は、水平方向に回転する砥石ヘ
ッド５と、前記砥石ヘッド表面の周辺部分に配置された
複数の砥石３と、前記砥石の上方に配置し、集積回路が
形成されている素子領域を備えたウェーハ１を吸着する
真空チャックヘッド４を有する真空チャックとを備えて
いる。前記真空チャックに吸着した前記ウェーハ裏面
を、前記回転する砥石ヘッド上の砥石の上方からこの砥
石に接触させて研削する。前記ウェーハの表面と真空チ
ャックの表面との間には前記ウェ−ハ表面を保護する多
孔性保護テープ２を介在させる。前記多孔性保護テープ
は、前記真空チャック表面に接着しており、接着剤によ
って前記真空チャックに接着されている。ウェーハが載
置固定される真空チャックテーブルを砥石ヘッドに固定
された砥石の下に配置するので、裏面研削による切削屑
がウェーハの表面に付着しない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、シリコンなどの半導体
ウェーハ（以下、ウェーハという）の裏面を研削する半
導体製造装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣやＬＳＩなどの半導体装置は、半導
体基板に形成する集積回路を設計する設計工程、集積回
路を形成するために用いられる電子ビームなどを描画す
るためのマスク作成工程、単結晶インゴットから所定の
厚みのウェーハを形成するウェーハ製造工程、ウェーハ
に集積回路を形成するのウェーハ処理工程、ウェーハを
各半導体基板に分離しそれぞれパケージングして半導体
装置を形成する組立工程及び検査工程等を経て形成され
る。各工程には、それぞれその工程に必要な製造装置が
用意される。半導体製造装置には、この他にも前処理装
置や排ガス処理装置など設備、環境に必要な製造装置も
用いられる。前記組立工程において、個々の半導体基板
（チップ）に分割する前に、ウェーハを所定の厚みにす
るためにウェーハ裏面を研削する。これを裏面研削もし
くはバックサイドグラインディングといい、その製造装
置を裏面研削装置という。ウェーハは、通常７００μｍ
厚さ程度にしておき、裏面研削によって２００μｍ程度
の厚さにする。ウェーハの裏面を研削するには、主とし
て次ぎのような方法が採られている。

【０００３】まず、化学エッチング方法は、ウェーハを
加熱された石英基板にパラフィンなどのワックスを接着
剤として張付け、弗酸と硝酸を主体とする混酸液でその
裏面をエッチングするものである。この方法で研削を行
うと表面が鏡面に仕上がる。しかし、処理するウェーハ
の量が多いと、ウェーハ間やウェーハ内での厚さのコン
トロールが難しく、さらに、薬品を使用するので、廃水
処理の公害防止策に注意が必要である。また、グライン
ディング法と比較して処理時間が多すぎる。つぎに、ラ
ッピング方法は、ウェーハの主面をワックスなどで基板
に張付け、研磨剤を用いてその裏面を研磨し、研削して
いくものである。このラッピングには、水性とオイルラ
ップ方式とがある。水性ラッピングは、研磨剤と水を用
いてラッピングを行い、オイルラップ方式は、研磨剤と
オイルを用いる。この方法によれば、化学エッチング方
法と比較して、複数のウェーハ間やウェーハ内でのウェ
ーハ厚さのばらつきが小さいものが得られる。研磨剤と
削り取られたシリコン屑が沈殿層に沈殿し、水素ガスな
どが発生するので沈殿層の定期的な処理が必要である。

【０００４】さらに、グラインディング方法は、ウェー
ハ表面を樹脂テープなどの保護テープを用いて保護して
から真空チャックテーブルに真空チャックでウェーハを
その裏面が上になるように固定し、砥石を上方から近づ
けつつ回転させ、純水をかけながらそのウェーハ裏面を
削っていく方法である。集積回路が形成された表面は傷
が付きやすいので、保護テープで被覆するのが通常の方
法である。そのため、この裏面研削装置には、通常保護
テープ貼着装置と保護テープ剥離装置が備えられてい
る。この方法には、インフィルド方式とスルーフィルド
方式がある。図１０乃至図１２を参照して従来のインフ
ィルド方式について説明する。図１０は、真空チャック
テーブルと砥石の断面図、図１１は、その砥石の斜視
図、図１２は、研削後のウェーハ裏面の平面図である。
シリコンウェーハ１は、真空チャックテーブル９のウェ
ーハを吸着する真空チャックヘッド９１の上に搭載され
ている。真空チャックテーブル９は、この真空チャック
ヘッド９１とこれを支持する回転軸９２とを備え、回転
軸９２は、空洞になっていてその先に真空ポンプ（図示
せず）が接続されている。

【０００５】また、ウェーハ１が載置される真空チャッ
クヘッド９１表面の真空チャック面は、多孔性のセラミ
ックからなり、さらに、前記ヘッド９１の内部は、前記
真空ポンプによって真空に引かれてこのウェーハ１を吸
着している。この工程ではウェーハ裏面を研削するの
で、ウェーハ表面が前記真空チャック面に接している。
したがって、ウェーハ１の表面領域の活性領域に形成さ
れている集積回路は、集積回路上の絶縁膜を介して前記
真空チャック面に対向しているので、グラインディング
中にこの真空チャック面などによって損傷する場合があ
る。そこで、通常は、合成樹脂など粘着テープを保護テ
ープ１０としてウェーハ表面を被覆保護している。この
保護テープ１０を用いれば、真空力によってウェーハ内
部の集積回路の配線等が剥離するようなことことも防止
される。一方、真空チャックテーブル９の上方に配置さ
れた砥石３は、砥石ヘッド５によって支持され、砥石ヘ
ッド５は、その中央部分に取付けられた回転軸５１によ
って支持されている。図１０に示すように、回転軸５１
に支持された円筒状の砥石ヘッド５表面には、その周辺
領域に扇状の砥石が等間隔に複数配置されている。

【０００６】これら砥石によってウェーハ裏面は研削さ
れる。ウェーハを載置固定する真空チャックテーブル９
と砥石３とが逆方向に回転し、裏面研削が行われる。図
１０に示すように、例えば、真空チャックテーブル９
は、左回りに回転し、砥石ヘッド５は、右回りに回転し
ながら、砥石が定められた位置まで垂直に矢印で示すＡ
方向に研削しつつ下降していく。通常は、荒仕上げを行
ってから、砥石を取替えて本仕上げ研削を行いウェーハ
１を所定の厚さにする。この様に真空チャックテーブル
と砥石とで回転方向を逆にして研削すると、その研削さ
れたウェーハ裏面は、図１２に示すような条痕になる。
次いで、図１３及び図１４を参照してグラインディング
方法の中のスルーフィールド方式について説明する。図
１３は真空チャックテーブルと砥石の断面図、図１４
は、研削後のウェーハ裏面の平面図である。シリコンウ
ェーハ１は、真空チャックテーブル９のウェーハを吸着
する真空チャックヘッド９１の上に搭載されている。真
空チャックテーブル９は、この真空チャックヘッド９１
とこれを支持する回転軸９２とを備え、回転軸９２は、
空洞になっていてその先に真空ポンプが接続されてい
る。また、通常は、合成樹脂など粘着テープを保護テー
プ１０としてウェーハ表面を被覆保護している。

【０００７】真空チャックテーブル９の上方に配置され
た砥石３は、砥石ヘッド５によって支持され、砥石ヘッ
ド５は、その中央部分に取付けられた回転軸５１によっ
て支持されている。砥石ヘッド５に取付けられた砥石３
の配置は、図１１に示す先の方式と同じである。この方
式では、前の方式とは異なり、砥石を上下に移動させ
ず、水平に回転させる。そして、真空チャックテーブル
は、水平に矢印に示すＢ方向に移動する。すなわち、図
１３に示すように、ウェーハ１を載置固定している真空
チャックテーブル９に砥石３のみが同一方向に回転し研
削していく。研削中、砥石底面の位置は、研削するウェ
ーハ裏面より幾分低めに固定する。この方法で研削され
たウェーハ裏面は、図１４に示すような条痕になってい
る。このグラインディング方法では、ウェーハ間やウェ
ーハ内でのウェーハ厚さのばらつきが小さく、均一なウ
ェーハが容易に得られる。また、裏面研削工程を短い時
間で実施可能である。また、砥石を適宜変えることによ
り容易に表面の粗さを変えることができ、製造装置の自
動化が可能である。そして、やはり研磨剤と削り取られ
たシリコン屑が沈殿層に沈殿し、水素ガスなどが発生す
るので沈殿層の定期的な処理が必要である。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】この様に、従来のグラ
インディング方法でウェーハの裏面研削を行うと、その
裏面研削装置は、真空チャックテーブルが下側に在り、
砥石がその上側に在るので、研削時において、このテー
ブルに載置固定されたウェーハには、加工時の細かな切
削屑が残留し易くなる。この切削屑が半導体装置を形成
する製造工程中にウェーハ表面にまわり、その表面の活
性領域に損傷を与え、その結果、ウェーハをカッティン
グして複数の半導体チップを形成し、パッケージングし
て形成された半導体装置に特性の劣るものが発生する。
また、この損傷を少なくするためにウェーハ表面に施さ
れる保護テープは、裏面研削の前に貼付けておかなけれ
ばならず、さらに、研削後はウェーハから剥離する必要
があるなど付属する装置が多く、製造工程も複雑であっ
た。本発明は、この様な事情により成されたものであ
り、半導体装置の特性が劣化しないような半導体製造装
置及び裏面研削工程が簡略化される半導体装置の製造方
法を提供する。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、ウェーハを載
置する真空チャックテーブルを上側に配置し、砥石ヘッ
ドに支持された砥石をその下側に配置することを特徴と
し、さらに、裏面研削時にウェーハ表面を保護する保護
テープには、多孔性のメッシュテープを用い、このメッ
シュテープを真空チャックの真空チャックヘッドの先端
に取付けたポーラスチャックの真空チャック面に固着す
ることを特徴としている。すなわち、本発明の半導体製
造装置は、水平方向に回転する砥石ヘッドと、前記砥石
ヘッド表面の周辺部分に配置された複数の砥石と、前記
砥石の上方に配置し、集積回路が形成されている活性領
域を備えた半導体ウェーハを吸着する真空チャックとを
具備し、前記真空チャックに吸着した前記半導体ウェー
ハ裏面を、前記回転する砥石ヘッド上の砥石の上方から
この砥石に接触させて、研削することを特徴としてい
る。前記半導体ウェーハの表面と真空チャックの表面と
の間には前記半導体ウェ−ハ表面を保護する多孔性保護
テープを介在させることが可能である。前記多孔性保護
テープは、前記真空チャック表面に接着しており、接着
剤によって前記真空チャックに接着されている。この接
着剤は、前記多孔性保護テープの周辺部分にのみ限定し
て形成することができる。

【００１０】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
前記半導体製造装置を用い、前記砥石ヘッドを水平方向
に回転させて前記砥石を回転させる工程と、前記回転す
る砥石に、その砥石の上方から水平方向に回転させる
か、もしくは固定させた前記半導体ウェ−ハを接近させ
て、その裏面を研削する工程とを備えることを特徴とし
ている。

【００１１】

【作用】ウェーハが載置固定される真空チャックテーブ
ルを砥石ヘッドに固定された砥石の下に配置しているの
で、裏面研削による切削屑がウェーハの表面に付着しな
い。また、保護テープは、メッシュテープなので、この
保護テープを真空チャックに貼付けても真空チャック
は、ウェーハを吸着する作用を維持することができる。

【００１２】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。まず、図１を参照して第１の実施例を説明する。
図は、ウェ−ハ裏面研削装置の断面図である。従来の装
置は、砥石が上下方向に移動するのに対し、この発明で
はウェ−ハを支持する真空チャックが上下方向に移動す
る。砥石３は、砥石ヘッド５表面の周辺領域に複数個取
り付けられている。砥石ヘッド５は回転軸５１に接続さ
れた磁石ヘッド取付台５３に支持されている。この回転
軸５１は駆動装置５２に接続され、駆動装置５２のモー
ター（図示せず）などによって回転される。また、砥石
３の上方にあり、移動可能な真空チャックは、真空チャ
ックヘッド４とこれを支持する回転軸４２とを備え、回
転軸４２は、空洞になっていて支軸４３に支持されてい
る。支軸４３も空洞であり、真空ポンプ（図示せず）に
接続されている真空パイプ４４に接続している。真空チ
ャックヘッド４は、ウェ−ハを吸着する真空チャック面
４５を備えたポーラスチャック４１を前面に有してい
る。ポーラスチャック４１は、アルミナなどのセラミッ
クスからなり、ポーラスなので真空ポンプによって外部
の空気が真空チャック内側に引かれ、これによってウェ
−ハ１が真空チャック面４５に吸着される。

【００１３】ポーラスチャック４１は、真空チャックヘ
ッド４の先端に、例えば、ねじ止めされる。また、塩化
ビニールなどを材料とする合成樹脂などの粘着性メッシ
ュテープが保護テープ２としてこの真空チャック面４５
には被覆されている。保護テープ２はポーラスであるの
で、真空ポンプによる吸着作用は十分ウェ−ハに及ぼす
ことができる。ウェ−ハは、磁石の上側に在るので、切
削屑がウェ−ハ上に撒き散らされることは少なく、半導
体チップの特性を劣化させることが少ない。このメッシ
ュテープは、通気性を保つために複数の貫通孔を形成す
るか或いは繊維状の合成樹脂を織物にして用いる。この
実施例に用いられる砥石は従来例と同じく図１１に示す
ような砥石ヘッド５表面に配置されている。回転軸５１
に支持された円筒状の砥石ヘッド５表面には、その周辺
領域に扇状の砥石３が等間隔に複数配置されている。砥
石３の長さは、約５〜７ｍｍ、幅は、約３ｍｍ、そし
て、砥石間隔は、約１ｍｍである。

【００１４】図２乃至図４及び図６を参照して前記半導
体製造装置を用いてインフィールド方式を説明する。図
２は、図１の部分断面図、図３は、図１の製造装置に用
いる真空チャックの斜視図、図４は、裏面研削されたウ
ェ−ハの断面図、図６は、メッシュテープの平面図であ
る。真空チャックヘッド４先端に取付けられたポーラス
チャック４１の真空チャック面４５は、保護テープであ
る粘着性メッシュテープ２によって接着されている。シ
リコンウェ−ハ２は、このメッシュテープ２を介して真
空チャック面４５に吸着されている。図１の砥石の駆動
装置５２によって砥石ヘッド５の回転軸５１を回転させ
て砥石３を、例えば、左回転させる。一方、ウェ−ハ２
を吸着している真空チャックヘッド４は、右回転してお
り、砥石３表面にウェ−ハ１裏面が接するまでＡ方向に
下降し、裏面研削を行う。図４に示す様に、厚さｔ1 の
ウェ−ハ１をｔ2 ほど削り、ウェ−ハ１が所定の厚さｔ
になったら裏面研削を終了する。荒仕上げと本仕上げの
２段階の研削を行うので、例えば、７００μｍ厚のウェ
−ハを２００μｍ厚のウェ−ハ１にするには、

【００１５】まず荒仕上げで４７０μｍほど削り、その
後本仕上げで３０μｍほど削る。インフィールド方式で
あるので、ウェ−ハ裏面の研削条痕は、図１２に示すよ
うな形状になる。ウェ−ハ１の回転速度は、大体５０〜
１５０ｒｐｍであり、砥石３の回転速度は、１５００〜
５０００ｒｐｍである。研削の仕上り荒さによって両者
の回転数を適宜決定する。裏面研削によるウェ−ハの研
削厚さは、ウェ−ハによって異なるが、１〜５００μｍ
程度は研削される。この半導体製造装置に用いられる真
空チャック４の真空チャック面には、ウェ−ハ表面の活
性領域を保護するために用いられる保護テープである粘
着性のメッシュテープ２が貼着されている（図３）。ウ
ェ−ハ１表面は、このメッシュテープに吸着される。粘
着剤は、メッシュテープ２の全面に塗布されているとメ
ッシュがつまり、ポーラスなテープを用いる意味がなく
なる。そこで、粘着剤はテープの周辺のみに塗布し、真
空チャック面の周辺部分にのみ粘着剤からなる粘着層が
形成されているように工夫することができる。この実施
例では、磁石３とウェ−ハ１の回転方向は互いに異なっ
ているが、磁石の回転数は、ウェ−ハの回転数より十分
大きいので、両者の回転方向は余り関係なく、両者の回
転方向は、同じでも良い。

【００１６】メッシュテープ２には、図６に示すよう
に、例えば、円形のような任意の形状の貫通孔２１が形
成されている。貫通孔２１は、例えば、千鳥状に配置さ
れており、貫通孔の孔径は、０．３〜０．８ｍｍ程度が
適当であり、孔間隔は、０．３３〜０．５ｍｍが適当で
ある。テープ厚は５０〜２００μｍ程度が適当である。
この様な条件のメッシュテープ２を用いることにより、
８インチウェ−ハやこれから大型化するそれ以上の径の
ウェ−ハに適用できる。図７にメッシュテープ２の平面
図を示し、これに塗布した粘着剤が形成する粘着層の形
状について説明する。ここでは、１例として、粘着層２
２は、前述したように、真空チャック面に取付けるため
に合わせて切断してほぼ円形にした形状の周辺部分にの
み限定した形で形成されている。粘着層２２は、メッシ
ュテープ２の通気性を阻害するので、このような形状に
することによりメッシュテープが真空チャック面の吸着
性を低下させるのを防止している。粘着層をメッシュテ
ープの全面に塗布する場合は、前記貫通孔２１は、粘着
層をも貫いて形成する。

【００１７】次ぎに、図５を参照して本発明のメッシュ
テープを真空チャック面に貼付ける工程を含む半導体製
造装置の製造方法を説明する。図は、ポーラスチャック
の真空チャック面にメッシュテープを貼付けるまでの製
造工程断面図である。まず、フィーダー（図示せず）か
らメッシュテープ２を供給する。供給されたメッシュテ
ープ２は、移動するローラー６を用いて真空チャックヘ
ッド４に取付けたポーラスチャック４１の真空チャック
面４５に貼付ける（図５（ａ））。貼付けられたメッシ
ュテープ２は、ブレード８を真空チャック面４５に固定
し、真空チャック４を回転させてブレード８により真空
チャック面４５に貼付けられた部分とそれ以外の部分を
分離する（図５（ｂ））。そして、保護テープ２を接着
層によって真空チャック面４５に固定する（図５
（ｃ））。この真空チャック面に貼付けられたメッシュ
テープは、ウェ−ハを２〜３枚を処理するごとに取替え
る程度で裏面研削処理を実施することができる。

【００１８】次ぎに、図８を参照して第２の実施例を説
明する。図は、この実施例で用いる半導体製造装置の真
空チャックの断面図である。前実施例と同じ様に真空チ
ャックは、真空チャックヘッド４とその先端にねじ止め
などで固定されたポーラスチャック４１とを備えてい
る。そして、ウェ−ハ表面を保護する保護シート７がポ
ーラスチャック４１の前面に取付けられており、このポ
ーラスチャック４１と一体で真空チャックヘッド４に着
脱自在に取付けられている。従って、保護テープは、不
要になる。前実施例では、ポーラスチャック４１の真空
チャック面は、保護テープである粘着性メッシュテープ
によって接着されており、シリコンウェ−ハ１は、この
メッシュテープ２を介して真空チャック面４５に吸着さ
れている。しかし、保護テープは、裏面研削時のウェ−
ハを保護するために必要であり、そのためメッシュテー
プは真空チャック面に固着されている。この保護テープ
があるため、ウェ−ハを何枚も裏面研削していくうちに
これを取り替えなければならないので、その剥離装置等
が必要になる。この実施例では、保護シート７は、ポー
ラスチャック４１と一体に取扱うので、ポーラスチャッ
ク４１が取替えられるときまで使うことができ、保護テ
ープを頻繁に取替えるという繁雑な工程は省略される。
保護シート７は、合成樹脂などからなり、ウェ−ハ１を
保護するために多少の弾性は有るが、全実施例の保護テ
ープよりは硬く操作し易い。

【００１９】次に、図９を参照して第３の実施例である
スルーフィールド方式を説明する。図は、真空チャック
ヘッドと砥石の断面図である。シリコンウェーハ１は、
真空チャックヘッド４先端に取付けられたポーラスチャ
ック４１の真空チャック面４５の上に吸着されている。
真空チャックヘッド４は、その先に真空ポンプが接続さ
れている。また、粘着メッシュテープ２がウェ−ハ表面
の保護テープとしてポーラスチャック４１の真空チャッ
ク面４５に接着されている。真空チャックヘッド４の下
方に配置された砥石３は、砥石ヘッド５によって支持さ
れ、砥石ヘッド５は、その中央部分に取付けられた回転
軸５１によって支持されている。この方式では、砥石を
上下に移動させず、水平方向に回転させる。場合によっ
ては砥石は、水平移動することもできる。そして、真空
チャックヘッド４は、水平に矢印に示すＢ方向に移動
し、砥石３のみが回転してウェ−ハ１を研削していく。
その研削されたウェ−ハ裏面は、図１４と同じ条痕にな
る。

【００２０】本発明では、切削屑がウェ−ハ表面を傷付
けることが少ないので、ウェ−ハから形成される半導体
チップの不良品率が低下する。この不良品率は、メッシ
ュテープの貫通孔数が増えれば、余り低下しない。すな
わち、貫通孔の大きさとメッシュテープの大きさを一定
とすれば、貫通孔数が少いほど不良品率の低下は大きい
が、孔数が多くなるとあまり低下しなくなる。しかし、
貫通孔数が少ないとその通気性が劣化するので２つの特
性のバランスが必要である。さらに、本発明では、真空
チャックヘッドの真空チャック面にこれと一体に保護シ
ートを取付けるので、保護テープを取り付け／取外すと
いう繁雑な工程が不要になる。

【００２１】

【発明の効果】以上の構成により、裏面研削による切削
屑がウェ−ハに付着することが少なくなる。保護テープ
をテーブルに配置した真空チャックヘッドの真空チャッ
ク面に取付けるので、ウェ−ハ２〜３枚の裏面研削処理
により保護テープはほぼ１枚で済み、また、容易に貼付
けや剥離ができるので処理工程が簡単になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体製造装置の断面図。

【図２】本発明の第１の実施例の半導体製造装置の部分
断面図。

【図３】図２の半導体製造装置の真空チャックヘッドの
斜視図。

【図４】図２の半導体製造装置により処理されたウェ−
ハの断面図。

【図５】図２の半導体製造装置の製造工程断面図。

【図６】図２の半導体製造装置のメッシュテープの平面
図。

【図７】図２の半導体製造装置のメッシュテープの平面
図。

【図８】本発明の第２の実施例の半導体製造装置の部分
断面図。

【図９】本発明の第３の実施例の半導体製造装置の部分
断面図。

【図１０】従来の半導体製造装置の断面図。

【図１１】図１０の半導体製造装置に用いる砥石の斜視
図。

【図１２】図１０の半導体製造装置により処理されたウ
ェ−ハの平面図。

【図１３】従来の他の半導体製造装置の断面図。

【図１４】図１３の半導体製造装置により処理されたウ
ェ−ハの平面図。

【符号の説明】

１シリコンウェ−ハ２メッシュテープ（保護テープ）３砥石４、９１真空チャックヘッド５砥石ヘッド６ローラー７保護シート８ブレード９真空チャックテーブル１０保護テープ２１メッシュテープの貫通孔２２粘着層４１ポーラスチャック４２真空チャックの回転軸４３真空チャックの支軸４４真空パイプ４５真空チャック面５１砥石ヘッドの回転軸５２砥石ヘッドの駆動装置５３磁石ヘッド取付台

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】水平方向に回転する砥石ヘッドと、前記砥石ヘッド表面の周辺部分に配置された複数の砥石
と、前記砥石の上方に配置し、集積回路が形成されている活
性領域を備えた半導体ウェーハを吸着する真空チャック
とを具備し、前記真空チャックに吸着した前記半導体ウェーハ裏面
を、前記回転する砥石ヘッド上の砥石の上方からこの砥
石に接触させて、研削することを特徴とする半導体製造
装置。
【請求項２】前記半導体ウェーハの表面と真空チャッ
クの表面との間には前記半導体ウェ−ハ表面を保護する
多孔性保護テープを介在させることを特徴とする請求項
１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】前記多孔性保護テープは、前記真空チャ
ック表面に接着していることを特徴とする請求項１又は
請求項２に記載の半導体製造装置。
【請求項４】前記多孔性保護テープは、接着剤によっ
て前記真空チャックに接着され、この接着剤は、前記多
孔性保護テープの周辺部分にのみ形成されていることを
特徴とする請求項３に記載の半導体製造装置。
【請求項５】前記砥石ヘッドを水平方向に回転させて
前記砥石を回転させる工程と、前記回転する砥石に、そ
の砥石の上方から水平方向に回転させるか、もしくは固
定させた前記半導体ウェ−ハを接近させて、その裏面を
研削する工程とを備え、請求項１乃至請求項４のいずれ
かに記載の半導体製造装置を用いて前記半導体ウェ−ハ
裏面を研削することを特徴とする半導体装置の製造方
法。