JPH0567371B2 - - Google Patents
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- JPH0567371B2 JPH0567371B2 JP59153361A JP15336184A JPH0567371B2 JP H0567371 B2 JPH0567371 B2 JP H0567371B2 JP 59153361 A JP59153361 A JP 59153361A JP 15336184 A JP15336184 A JP 15336184A JP H0567371 B2 JPH0567371 B2 JP H0567371B2
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- Japan
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- vacuum suction
- suction
- suction device
- suction table
- vacuum
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は吸気作用によつて半導体ウエハ、ガラ
ス基板等の被吸着部材を載台の吸着面上に吸着固
定するための真空吸着台に関するものである。
ス基板等の被吸着部材を載台の吸着面上に吸着固
定するための真空吸着台に関するものである。
例えば集積回路用のシリコンウエハに精密研磨
加工を施したり、液晶表示装置用のガラス基板に
精密研磨を施したり、または上記シリコンウエハ
又はガラス基板等の精密な測定をする場合などに
は、載台上に吸気作用によつて前記シリコンウエ
ハ、ガラス基板を吸着固定する。この固定方法と
して従来は、金属製の載台の上面に溝や穴を形成
して吸着する方法や、多孔質の物質を載台として
用い吸着する方法が採用されている。
加工を施したり、液晶表示装置用のガラス基板に
精密研磨を施したり、または上記シリコンウエハ
又はガラス基板等の精密な測定をする場合などに
は、載台上に吸気作用によつて前記シリコンウエ
ハ、ガラス基板を吸着固定する。この固定方法と
して従来は、金属製の載台の上面に溝や穴を形成
して吸着する方法や、多孔質の物質を載台として
用い吸着する方法が採用されている。
しかし、金属製の吸着面に溝や穴などの凹凸部
を形成する方法では、例えばシリコンウエハの場
合にはシリコンウエハと吸着面との間に空隙部分
ができ、研磨加工時にウエハが局部的に歪んで切
断加工時には寸法に狂いが生じたり、研磨表面に
凹凸ができるという欠点があつた。
を形成する方法では、例えばシリコンウエハの場
合にはシリコンウエハと吸着面との間に空隙部分
ができ、研磨加工時にウエハが局部的に歪んで切
断加工時には寸法に狂いが生じたり、研磨表面に
凹凸ができるという欠点があつた。
例えば厚さ0.1〜0.5mmの薄いウエハを研磨する
とき上から押圧すると、溝部分で下方へ湾曲し、
そのまゝ研磨すると押圧を解いた時、溝に位置し
た部分だけ膨出して表面に現われ、これは平面精
度がかなり厳しい(例えば±5μm以内)精度を
要求されるウエハ研磨においては無視できないも
のである。
とき上から押圧すると、溝部分で下方へ湾曲し、
そのまゝ研磨すると押圧を解いた時、溝に位置し
た部分だけ膨出して表面に現われ、これは平面精
度がかなり厳しい(例えば±5μm以内)精度を
要求されるウエハ研磨においては無視できないも
のである。
また、多孔質物質を用いる方法では、第1図、
第2図に示す如き構成を有している。第1図は真
空吸着台11の底面と接する基台14の部分に吸
着用の溝15,16,17を設けた真空吸着装置
である。このように構成された真空吸着装置は、
ウエハを研磨するとき、研削液を真空吸着装置内
に吸引するため、真空度の低下および固定力の不
安定性を誘引する。また、第2図はウエハ外径よ
り一回り小さい多孔質の真空吸着台11とその外
周を包囲する如く通気性のない物質によつて外縁
部11bを構成した真空吸着装置である。この場
合、研削液の真空吸着装置への吸引は少なくな
り、固定力は安定するが、ウエハ外周部分の吸引
されない部分の固定力が弱くなるために、ワーク
外周部分の研削精度が低下するという欠点があつ
た。
第2図に示す如き構成を有している。第1図は真
空吸着台11の底面と接する基台14の部分に吸
着用の溝15,16,17を設けた真空吸着装置
である。このように構成された真空吸着装置は、
ウエハを研磨するとき、研削液を真空吸着装置内
に吸引するため、真空度の低下および固定力の不
安定性を誘引する。また、第2図はウエハ外径よ
り一回り小さい多孔質の真空吸着台11とその外
周を包囲する如く通気性のない物質によつて外縁
部11bを構成した真空吸着装置である。この場
合、研削液の真空吸着装置への吸引は少なくな
り、固定力は安定するが、ウエハ外周部分の吸引
されない部分の固定力が弱くなるために、ワーク
外周部分の研削精度が低下するという欠点があつ
た。
本発明は上述の如く従来の真空吸着台の欠点に
鑑みなされたもので、基台に設けられた吸気装置
と連通する複数個の吸着溝によつて真空吸着台本
体の側面と底面から別系統の吸気装置により吸引
することにより、真空度の低下、不安定性を防ぐ
とともに、ウエハ外周部分の研磨精度を向上させ
ることのできる真空吸着台を提供しようとするも
のである。
鑑みなされたもので、基台に設けられた吸気装置
と連通する複数個の吸着溝によつて真空吸着台本
体の側面と底面から別系統の吸気装置により吸引
することにより、真空度の低下、不安定性を防ぐ
とともに、ウエハ外周部分の研磨精度を向上させ
ることのできる真空吸着台を提供しようとするも
のである。
つぎに本発明の一実施例としてシリコンウエハ
をダイヤモンドの粒子の回転研磨砥石で超精密に
研磨するための研磨装置における真空吸着台につ
いて説明する。
をダイヤモンドの粒子の回転研磨砥石で超精密に
研磨するための研磨装置における真空吸着台につ
いて説明する。
図において、カツプ形回転研磨砥石19は回転
軸20を中心に高速で回転する。被吸着部材であ
るシリコンウエハ10は、上面にICやLSIが所定
の間隔で多数個印設されるためのもので、表面が
精密に研磨されなければならない。11は前記ウ
エハ10を吸着固定するための真空吸着台で、こ
の真空吸着台11は無機物、例えば磁気質やガラ
ス質等を用いて一体に構成され、上面吸着部11
aはウエハ10を載置したとき密接して相互間に
空隙ができないように平坦に研磨される。真空吸
着台11の底面と基台14との接合部分には吸着
および洗浄用の溝15,16,17が形成され、
これら溝15,16,17は導通孔18を介して
第1の吸気装置25と洗浄装置26とに連結して
おり、吸気装置作動時には吸気用として、洗浄装
置作動時には洗浄用として作用する。また、真空
吸着台11の側面と基台14との接合部分にも吸
着用の溝21,22が形成され、これらの溝2
1,22は、導通孔23,24を介して前述の第
1の吸気装置25とは別の第2の吸気装置27に
連結される。前記溝21,22は連通するリング
状又は複数個に分割されたポケツト型など用途、
形状に応じ選択すればよい。
軸20を中心に高速で回転する。被吸着部材であ
るシリコンウエハ10は、上面にICやLSIが所定
の間隔で多数個印設されるためのもので、表面が
精密に研磨されなければならない。11は前記ウ
エハ10を吸着固定するための真空吸着台で、こ
の真空吸着台11は無機物、例えば磁気質やガラ
ス質等を用いて一体に構成され、上面吸着部11
aはウエハ10を載置したとき密接して相互間に
空隙ができないように平坦に研磨される。真空吸
着台11の底面と基台14との接合部分には吸着
および洗浄用の溝15,16,17が形成され、
これら溝15,16,17は導通孔18を介して
第1の吸気装置25と洗浄装置26とに連結して
おり、吸気装置作動時には吸気用として、洗浄装
置作動時には洗浄用として作用する。また、真空
吸着台11の側面と基台14との接合部分にも吸
着用の溝21,22が形成され、これらの溝2
1,22は、導通孔23,24を介して前述の第
1の吸気装置25とは別の第2の吸気装置27に
連結される。前記溝21,22は連通するリング
状又は複数個に分割されたポケツト型など用途、
形状に応じ選択すればよい。
また、図示されていないが、回転研磨砥石19
の研磨個所に対応して、冷却及び切屑排除のため
に水等を噴射するノズル等が設けられていること
は従来構造と同じである。
の研磨個所に対応して、冷却及び切屑排除のため
に水等を噴射するノズル等が設けられていること
は従来構造と同じである。
このような構成において、第1の吸気装置25
及び第2の吸気装置27により吸気すると、導通
孔18を介した溝15,16,17で真空吸着台
11の内部のエアを吸引するのでウエハ10は上
面吸着部11aに略一様な力で吸着固定される。
研磨時においては、真空吸着台に吸引される研削
液は、真空吸着台11の側面と基台14との接合
部分に設けた吸着用の溝21,22より導通孔2
3,24を介して第2の吸気装置27にそのほと
んどが吸引され、真空吸着台11の中央部分およ
び真空吸着台11の底面と基台14との接合部に
設けた吸着および洗浄用の溝15,16,17か
らは、研削液はほとんど吸引されなくなるため、
真空度の低下および不安定性が防げる。
及び第2の吸気装置27により吸気すると、導通
孔18を介した溝15,16,17で真空吸着台
11の内部のエアを吸引するのでウエハ10は上
面吸着部11aに略一様な力で吸着固定される。
研磨時においては、真空吸着台に吸引される研削
液は、真空吸着台11の側面と基台14との接合
部分に設けた吸着用の溝21,22より導通孔2
3,24を介して第2の吸気装置27にそのほと
んどが吸引され、真空吸着台11の中央部分およ
び真空吸着台11の底面と基台14との接合部に
設けた吸着および洗浄用の溝15,16,17か
らは、研削液はほとんど吸引されなくなるため、
真空度の低下および不安定性が防げる。
ここで、研磨が終ると、吸気装置をとめてウエ
ハ10の吸着を解く。次に洗浄装置より洗浄用の
水を送り出すと、この水が導通孔18を介して溝
15,16,17から真空吸着台11の内部に圧
入されて、ウエハ10を吸着部11aから浮き上
がらせ剥離し易くすると共に、気孔部分に入り込
んだ研磨屑やゴミを洗い流して洗浄する。
ハ10の吸着を解く。次に洗浄装置より洗浄用の
水を送り出すと、この水が導通孔18を介して溝
15,16,17から真空吸着台11の内部に圧
入されて、ウエハ10を吸着部11aから浮き上
がらせ剥離し易くすると共に、気孔部分に入り込
んだ研磨屑やゴミを洗い流して洗浄する。
上述の説明の如く、本発明の構成によれば、例
えば、シリコンウエハの研磨を例にとれば、シリ
コンウエハ全面を吸着し、さらに吸着台側面から
も吸引するため、研削初めで回転砥石の当り始め
時に加わる剥離力にも充分耐えることが可能とな
り、ウエハ全面に渡つて高精度に研磨できる。
えば、シリコンウエハの研磨を例にとれば、シリ
コンウエハ全面を吸着し、さらに吸着台側面から
も吸引するため、研削初めで回転砥石の当り始め
時に加わる剥離力にも充分耐えることが可能とな
り、ウエハ全面に渡つて高精度に研磨できる。
更に、研削液を吸着台中央部分には吸引しない
ために、真空度の低下を防ぎ、固定力の安定が計
れる。
ために、真空度の低下を防ぎ、固定力の安定が計
れる。
また、研磨屑やごみを含む研磨液を吸着台内お
よびその底面に設けた吸着および洗浄用の溝内に
吸引しないために、洗浄時に吸着台内およびその
表面をよごしにくい。
よびその底面に設けた吸着および洗浄用の溝内に
吸引しないために、洗浄時に吸着台内およびその
表面をよごしにくい。
第1図、第2図は従来の真空吸着装置を示す要
部断面図、第3図は本発明の真空吸着装置を示す
要部断面図である。 10……ウエハ、11……真空吸着台、14…
…基台、21,22……吸着溝。
部断面図、第3図は本発明の真空吸着装置を示す
要部断面図である。 10……ウエハ、11……真空吸着台、14…
…基台、21,22……吸着溝。
Claims (1)
- 1 通気性を有する真空吸着台と、真空吸着台の
底面および側面とで接合する接合部分を有する基
台と、基台に形成した溝に導通孔を介して連通す
る吸気装置とにより構成される真空吸着装置にお
いて、真空吸着台の上面には平面上の吸着面が形
成されており、真空吸着台の吸着面は半導体ウエ
ハの外径よりも大きい平面状の吸着面であり、真
空吸着台の底面側の基台の接合部分には第1の吸
気装置に導通孔を介して連通する複数個の溝が形
成されており、真空吸着台の側面側の基台の接合
部分には第2の吸着装置に導通孔を介して連通す
る複数個の溝が形成されており、第2の吸気装置
に連通する溝から第2の吸着装置により真空吸着
台の側面を吸引し、第1の吸気装置に連通する溝
から第1の吸着装置により真空吸着台の底面を吸
引することにより真空吸着台の吸着面に半導体ウ
エハを密着させることを特徴とする真空吸着装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15336184A JPS6133831A (ja) | 1984-07-24 | 1984-07-24 | 真空吸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15336184A JPS6133831A (ja) | 1984-07-24 | 1984-07-24 | 真空吸着装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6133831A JPS6133831A (ja) | 1986-02-17 |
JPH0567371B2 true JPH0567371B2 (ja) | 1993-09-24 |
Family
ID=15560771
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15336184A Granted JPS6133831A (ja) | 1984-07-24 | 1984-07-24 | 真空吸着装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6133831A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997021243A1 (en) * | 1995-12-04 | 1997-06-12 | Hitachi, Ltd. | Method for processing semiconductor wafer, method for manufacturing ic card, and carrier |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4756295B2 (ja) * | 2000-11-09 | 2011-08-24 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス板の吸着保持装置及び吸着保持方法 |
JP4106977B2 (ja) * | 2002-06-21 | 2008-06-25 | 株式会社日立製作所 | 分析チップ及び分析装置 |
GB2471712A (en) * | 2009-07-10 | 2011-01-12 | De Beers Centenary AG | Gemstone alignment system |
JP6506101B2 (ja) * | 2015-05-27 | 2019-04-24 | 京セラ株式会社 | 真空チャック部材および真空チャック部材の製造方法。 |
-
1984
- 1984-07-24 JP JP15336184A patent/JPS6133831A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997021243A1 (en) * | 1995-12-04 | 1997-06-12 | Hitachi, Ltd. | Method for processing semiconductor wafer, method for manufacturing ic card, and carrier |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6133831A (ja) | 1986-02-17 |
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