JPS6133831A - 真空吸着装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は吸気作用によって半導体ウエノ・−ガラス基板
等の被吸着部材を載台の吸着面上に吸着固定するための
真空吸着台に関するものである、〔発明の背景〕 例えは集積回路用のシリコンウエノ・に精密研磨加工を
施したり一液晶表示装置用のガラス基板に精密研磨を施
したり−または上記シリコンウェハ又はガラス基板等の
精密な測定をする場合などには、載台上に吸気作用によ
って前記シリコンウェハーガラス基板を吸着固定する。

この固定方法として従来は、金属製の載台の上面に溝や
穴を形成して吸着する方法や一多孔質の物質を載台とし
て用い吸着する方法が採用されている。

〔従来技術と問題点〕

しかし、金属製の吸着面に溝や穴などの凹凸部を形成す
る方法では１例えばシリコンウエノ・の場合にはシリコ
ンウェハと吸着面との間に空隙部分ができ一研磨加工時
にウェハが局部的に歪んで切断加工時には寸法に狂いが
生じたり一研磨表面に凹凸ができるという欠点があった
。

例工ば厚さ０１〜０．５　ｍｍの薄いウエノ・を研磨す
るとき上から押圧すると、溝部分で下方へ湾曲し。

そのま又研磨すると抑圧を解いた時、溝に位置した部分
だけ膨出して表面に現われ、これは平面精度がかなり厳
しい（例えば±５μｍ以内）精度を要求されるウェハ何
時においては無視できないものである。

また、多孔質物質を用（・る方法では一第１図−第２図
に示す如き構成を有している。第１図は真空吸着台１１
の底面と接する基台１４の部分に吸着用の溝１５−１１
１７を設けた真空吸着装置である。このように構成され
た真空吸着装置は一ウェハを研磨するとき、研削液を真
空吸着装置内に吸引するため一真空度の低下および固定
力の不安定性を誘引する。また−第２図はウェハ外径よ
り一回り小さい多孔質の真空吸着台１１とその外周を包
囲する如く通気性のない物質によって外縁部１１ｂを構
成した真空吸着装置である。この場合、研削液の真空吸
着装置への吸引は少なくなり一固定力は安定するが−ウ
エノ・外周部分の吸引されない部分の固定力が弱くなる
ために一ワーク外周部分の研削精度が低下するという欠
点があった。

〔発明の目的〕

本発明は上述の如〈従来の真空吸着台の欠点妃鑑みなさ
れたもので一基台に設げられた吸気装置と連通ずる複数
個の吸着溝によって真空吸着台本体の側面と底面から別
系統の吸気装置により吸引することにより一真空度の低
下−不安定性を防ぐとともに、ウェハ外周部分の研磨精
度を向上させることのできる真空吸着台を提供しようと
するものである。

〔発明の実施例〕

つぎに本発明の一実施例としてシリコンウェハをダイヤ
モンド粒子の回転研磨砥石で超精密に研磨するための研
磨装置における真空吸着台について説明する。

図において−カップ形回転研磨砥石１９は回転軸２０を
中心に高速で回転する。被吸着部層であるシリコンウェ
ハ１０は一上面にＩＣやＬ　Ｓ　Ｉが所定の間隔で多数
個即設されるためのもので一表面が精密に研磨されなけ
ればならない。１１は前記ウェハ１０を吸着固定するた
めの真空吸着台で−この真空吸着台１１は無機物−例え
ば磁器質やガラス質等を用いて一体に構成され、上面吸
着部１１’ａはウェハ１０を載置したとき密接して相互
間に空隙ができないように平担に研磨される。真空吸着
台１１の底面と基台１４との接合部分には吸着および洗
浄用の溝１１１６−１７が形成され、これら溝１５−１
１１７は導通孔１８を介して吸気装置２５を洗浄装置２
６に連結され一吸気装置作動時には吸気用として一洗浄
装置作動時には洗浄用として作用する。また−真空吸着
台１１の側面ど基台１４との接合部分にも吸着用の溝２
ｋ　２２が形成され、これらの溝２１−２２は、導通孔
２１２４を介して前述の吸気装置２５とは別の吸気装置
２７に連結される。前記溝２１−２２は連通するリング
状又は複数個に分割されたポケット型など用途−形状に
応じ選択すればよい。

また−図示されていないが一回転研磨砥石１９の研磨個
所に対応して一冷却及び切屑排除のために水等を噴射す
るノズル等が設けられていることは従来構造と同じであ
る。

このような構成において一吸気装置２５−２７により吸
気すると一導通孔１８を介した溝１５゜１６−１７で真
空吸着台１１の内部のエアを吸引するのでウェハ１０は
上面吸着部１１ａに略一様な力で吸着固定される。研磨
時においては一真空吸着台に吸引される研削液は一真空
吸着台１１の側面と基台１４との接合部分に設けた吸着
用の溝２１２２より導通孔２３．２４を介して吸気装置
２７にそのほとんどが吸引され、真空吸着台１１の中央
部分および真空吸着台１１の底面と基台１４との接合部
に設けた吸着および洗浄用の溝１５．１６−１７よりは
一研削液はほとんど吸引されなくなるため一真空度の低
下および不安定性が防げる。

ここで−研磨が終ると一吸気装置をとめてウェハ１０の
吸着を解く。次に洗浄装置より洗浄用の水を送り出すと
、この水が導通孔１８を介して溝１５−１１１７から真
空吸着台１１の内部に圧入されて、ウェハ１ｏを吸着部
１１ａから浮き上がらせ剥離し易（すると共に一気孔部
分に入り込んだ研磨層やゴミを洗い流して洗浄する。

〔発明の効果〕

上述の説明の如く一本発明の構成によれば、例えば−シ
リコンウエハの研磨を例にとれば、シリコンウェハ全面
を吸着し、さらに吸着台側面からも吸引するため一研削
初めで回転砥石の当り始め時に加わる剥離力にも充分耐
えることが可能となり、ウェハ全面に渡って高精度に研
磨できる。

更に、研削液を吸着台中央部分には吸引しないために、
真空度の低下を防ぎ、固定力の安定が計れる。

また、研磨層やごみを含む研磨液を吸着台内およびその
底面に設けた吸着および洗浄用の溝内に吸引しないため
に、洗浄時に吸着台内およびその表面をよごしにくい。

【図面の簡単な説明】

第１図−第２図は従来の真空吸着装置を示す要部断面図
−第３図は本発明の真空吸着装置を示す要部断面図であ
る。 １０・・・・・ウェハ、１１・・・・・真空吸着合一１
４・・・・・・基台−２１，２２・・・・・・吸着溝。 第１図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体ウェハなどの被吸着部材を真空吸引により密着さ
   せる平面状の吸着面を有する真空吸着装置において一真
   空吸着装置は真空吸着台と基台と吸気装置とにより構成
   され一前記基台には底面及び側面に吸気装置に連通する
   複数個の吸着凹部が形成されており、真空吸着台の側面
   と底面から別系統の吸気装置により吸引することを特徴
   とする真空吸着装置。