JP2010118424A - 薄板状ワークの搬送装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ワークの強度の低下を抑えることができ、ワークを健全な状態なまま搬送先に搬送することができる吸着式の搬送装置を提供する。
【解決手段】負圧吸着作用でウェーハ1を吸着する多孔質材からなる吸着パッド110をフッ素樹脂製とする。
【選択図】図3
【解決手段】負圧吸着作用でウェーハ1を吸着する多孔質材からなる吸着パッド110をフッ素樹脂製とする。
【選択図】図3
Description
本発明は、基板や半導体ウェーハ等の薄板状のワークを負圧による吸着作用によって保持して搬送する搬送装置に関する。
半導体デバイス製造工程においては、円板状の半導体ウェーハの表面に格子状の分割予定ラインによって多数の矩形領域を区画し、これら矩形領域の表面にICやLSI等の電子回路を形成した後、全ての分割予定ラインを切断する、すなわちダイシングして、1枚のウェーハから多数の半導体チップを得ている。このようにして得られた半導体チップは、樹脂封止によりパッケージングされて、携帯電話やPC(パーソナル・コンピュータ)等の各種電気・電子機器に広く用いられている。
このような製造工程において、半導体ウェーハは、多数の半導体チップにダイシングされるに先立ち、電子回路が形成された表面とは反対側の裏面が研削され、所定の厚さに薄化されている。ウェーハの薄化は、機器のさらなる小型化や軽量化の他、熱放散性を向上させることなどを目的としてなされており、例えば、当初厚さの700μm前後より50〜100μm程度、さらには50μm以下の厚さに薄化することが行われる。
薄化後、ウェーハはダイシングされて多数の半導体チップにダイシングされるが、ウェーハの研削加工面には研削の痕跡として機械的ダメージ層が形成されており、このままダイシングされると半導体チップの抗折強度が弱いといった問題が生じる。そこで、ウェーハの裏面研削後には、研削加工面を研磨して機械的ダメージ層を除去するといったことが行われている。
ところで、ウェーハを裏面研削する加工装置としては、研削前の多数のウェーハが収納される収納カセット、収納カセットから取り出された研削前のウェーハが一時的に載置され、搬送系の位置決めを行うための位置決め部、位置決め部から移されたウェーハを裏面が露出する状態に保持するチャックテーブル、チャックテーブルに保持されたウェーハの裏面を研削するグラインダ等の研削手段、裏面研削されたウェーハがチャックテーブルから移され、ウェーハを洗浄する洗浄部、洗浄部で洗浄されたウェーハが収納されるカセット等を備えたものが知られている(特許文献1)。
ウェーハは、上記工程順にしたがって搬送されるが、上記特許文献1に記載の加工装置には、搬送アームの先端に設けた吸着盤にウェーハを吸着し、搬送アームを旋回させてウェーハを搬送するといった形式のものが、チャックテーブルから洗浄部への搬送手段として具備されている。吸着盤は、多孔質体からなり平坦な吸着面が形成された吸着パッドを備えており、吸着パッドを通して空気を吸引し負圧を発生することにより、ウェーハを吸着面に吸着して保持するといったものである。吸着パッドは、アルミナ(Al2O3)等のセラミック、焼結金属、樹脂発泡体等で形成されたものが用いられている。
上記搬送手段の吸着盤にあっては、ウェーハを、多孔質体の吸着面に開口している多数の孔に吸引して吸着面に吸着する構造である。ところが、ウェーハ吸着時には、吸着面の孔の周縁に接する部分などに局部的な応力がかかったり、吸着面にウェーハが当接した瞬間に生じるダメージなどによってウェーハの強度が低下するといったことが起こっており、この強度低下は、ウェーハの厚さが薄ければ薄いほど顕著に生じるものであった。したがって、このような吸着式の搬送手段を、研削後に研磨を施したウェーハの搬送手段に適用すると、研磨によって抗折強度が向上したウェーハの強度を再び損ねてしまうことになるため、改善が求められていた。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、吸着式であっても搬送物であるワークの強度の低下を抑えることができ、ワークを健全な状態なまま搬送先に搬送することができる薄板状ワークの搬送装置を提供することを目的としている。
本発明者は、上記のような吸着式の搬送装置の吸着パッドを構成する多孔質体の材質に着目して鋭意研究した結果、フッ素樹脂からなる吸着パッドで半導体ウェーハ等のワークを吸着した際に、強度低下が抑えられて強度維持に有効であることを見出した。本発明の搬送装置はこのような知見に基づいてなされたものであり、薄板状のワークを保持する保持手段と、該保持手段に保持されたワークに所定の加工を施す加工手段とを有する加工装置に具備され、ワークを搬送する搬送装置であって、保持手段に保持されたワークの露出面に接触させられる吸着面を有する吸着パッドと、該吸着パッドの吸着面に吸着作用を発生させる負圧源から、該吸着パッドにわたって設けられる負圧発生通路と、吸着パッドを保持手段から所定の搬送先に移動させる移動手段とを少なくとも備え、吸着パッドは、フッ素樹脂からなる多孔質材で形成されていることを特徴としている。本発明に係る上記加工装置が施す加工としては、研削および/または研磨が挙げられる。
本発明によれば、ワークが直接当接する吸着面を有する吸着パッドがフッ素樹脂からなる多孔質材で形成されていることにより、吸着されたワークの強度低下が抑えられるといった効果が奏される。
フッ素樹脂からなる多孔質材で形成された本発明に係る吸着パッドは、気孔率(全体体積に対する気孔の割合)が適切な範囲であることが求められる。気孔率が低すぎると十分な吸着作用を得ることができず、高すぎると気孔以外の体積が損失して吸着面に凹凸ができるといったへたりが生じやすくなるため、気孔率は30〜50%が好ましい。
また、気孔そのものの寸法も、小さすぎると十分な吸着作用を得ることができず、大きすぎるとワークが孔に吸引されてダメージを受けやすい。これらの問題が生じない気孔の大きさ(径)としては、φ10〜1000μmが好ましい。
また、吸着パッドの硬さも適切な範囲があり、JIS K 6253で規定するショアD硬度が40〜80であることが好ましい。これは、同硬度が低すぎるとへたりが生じやすく、高すぎるとワークがダメージを受けやすいといった理由に基づく。
また、研削や研磨時には薬液(クエン酸、アンモニア、過酸化水素水、周知の界面活性剤等)をワークに供給しながら行う場合があるため、耐薬品性の高いPCTFE(ポリクロロトリフルオロエチレン)が好ましく用いられる。また、PCTFEは機械的強度が比較的高く、この点でも好ましい材料である。
なお、本発明で言うワークは特に限定はされないが、例えばシリコンウェーハ等の上記半導体ウェーハや、セラミック、ガラス、サファイア、シリコン系の基板等のミクロンオーダーの精度が要求される各種加工材料等が挙げられる。
本発明によれば、ワークを吸着して搬送する吸着パッドをフッ素樹脂からなる多孔質材で形成されたものとしたことにより、ワークの強度の低下を抑えることができ、ワークを健全な状態なまま搬送先に搬送することができるといった効果を奏する。
以下、図面を参照して本発明に係る搬送装置を備えたウェーハ加工装置を説明する。
[1]半導体ウェーハ
まずはじめに、図1に示す一実施形態に係る半導体ウェーハを説明する。この半導体ウェーハ1(以下、ウェーハ1)はシリコンウェーハ等であって、加工前の厚さは例えば700μm程度のものである。ウェーハ1の表面(図1ではウェーハ1の裏面側を上にしている)には格子状の分割予定ライン2によって複数の矩形状のチップ3が区画されている。これらチップ3の表面には、ICやLSI等の図示せぬ電子回路が形成されている。また、ウェーハ1の周面の所定箇所には、半導体の結晶方位を示すV字状の切欠き(ノッチ)4が形成されている。
[1]半導体ウェーハ
まずはじめに、図1に示す一実施形態に係る半導体ウェーハを説明する。この半導体ウェーハ1(以下、ウェーハ1)はシリコンウェーハ等であって、加工前の厚さは例えば700μm程度のものである。ウェーハ1の表面(図1ではウェーハ1の裏面側を上にしている)には格子状の分割予定ライン2によって複数の矩形状のチップ3が区画されている。これらチップ3の表面には、ICやLSI等の図示せぬ電子回路が形成されている。また、ウェーハ1の周面の所定箇所には、半導体の結晶方位を示すV字状の切欠き(ノッチ)4が形成されている。
ウェーハ1は、図2に示すウェーハ加工装置10によって裏面が研削された後に研磨されて、例えば50〜100μm程度、あるいは50μm以下の厚さに薄化される。ウェーハ加工装置10に供されるウェーハ1は、薄化されて剛性が低下した当該ウェーハ1を確実に保持して搬送可能にするために、図1に示すように、サブストレート5が表面(図1で下面)に貼着される。
サブストレート5は、例えば半導体ウェーハの材料であるシリコン、あるいはガラス等により、外径がウェーハ1と同程度の円板状で、かつ、撓みが生じない程度の厚さに形成されたものが用いられ、適宜な粘着材によってウェーハ1の表面に貼着される。サブストレート5が貼着されたことにより、ウェーハ1は、裏面研削されて薄化されても撓みが生じることなく平らな状態が維持され、その状態で搬送が可能とされる。以下の説明では、図1に示したウェーハ1にサブストレート5が貼着されたものを、本実施形態における搬送対象物であるワーク9と呼ぶ。
[2]ウェーハ加工装置の構成と動作
図2に示すウェーハ加工装置10は、上記ワーク9を、一般周知の負圧チャック式のチャックテーブル(保持手段)30に吸着して保持し、2台の研削ユニット(粗研削用と仕上げ研削用の加工手段)40A,40Bによってウェーハ1の裏面に対し粗研削と仕上げ研削を順次行ってから、研磨ユニット60によって研削加工面に研磨を施すものである。以下、ウェーハ加工装置10の構成ならびに動作を説明する。
図2に示すウェーハ加工装置10は、上記ワーク9を、一般周知の負圧チャック式のチャックテーブル(保持手段)30に吸着して保持し、2台の研削ユニット(粗研削用と仕上げ研削用の加工手段)40A,40Bによってウェーハ1の裏面に対し粗研削と仕上げ研削を順次行ってから、研磨ユニット60によって研削加工面に研磨を施すものである。以下、ウェーハ加工装置10の構成ならびに動作を説明する。
図2の符号11はウェーハ1に研削加工を施す加工ステージであり、この加工ステージ11のY方向手前側には、加工ステージ11にワーク9を供給し、かつ、研削および研磨後のウェーハ1を備えたワーク9を回収する供給/回収ステージ12が併設されている。
供給/回収ステージ12のY方向手前側の端部には、X方向に並ぶ2つのエレベータ13A,13Bが設置されている。これらエレベータ13A,13Bのうち、X方向手前側のエレベータ13Aには、裏面が研削および研磨される前のウェーハ1を備えた複数のワーク9を収納する供給カセット14Aがセットされる。また、X方向奥側のエレベータ13Bには、裏面が研削および研磨された後のウェーハ1を備えた複数のワーク9を収納する回収カセット14Bがセットされる。これらカセット14A,14Bはワーク9を1枚ずつ積層状態で収納するトレーを備えている。
供給カセット14Aに収納されたワーク9は、搬送ロボット15によって供給カセット14Aから取り出され、ウェーハ1の裏面を上に向けた状態で、供給/回収ステージ12に設けられた位置決めテーブル16上に一時的に載置される。位置決めテーブル16に載置されたワーク9は、一定の搬送開始位置に位置決めされる。
加工ステージ11上には、矢印R方向に回転駆動されるターンテーブル17が設けられている。そしてこのターンテーブル17上の外周部には、複数(この場合、4つ)の円板状のチャックテーブル30が、周方向に等間隔をおいて配設されている。図3に示すように、チャックテーブル30は枠体31の上面にセラミック等の多孔質材料でできた吸着部32が嵌合されたもので、負圧発生運転がなされると、吸着部32の上側の空気を吸引してワーク9を吸着部32の水平な上面に吸着、保持する。ワーク9は、サブストレート5がチャックテーブル30の吸着部32に当接し、かつ、ウェーハ1の裏面が上に向けられた状態(すなわち裏面が露出した状態)でチャックテーブル30に保持される。各チャックテーブル30はターンテーブル17に回転自在に支持されており、図示せぬ回転駆動機構によって一方向あるいは両方向に回転させられる。
位置決めテーブル16上で位置決めがなされたワーク9は、第1搬送装置20Aによって位置決めテーブル16から取り上げられ、所定のワーク供給位置に位置付けられて負圧発生運転がなされている1つのチャックテーブル30の上方まで搬送される。そしてワーク9は、そのチャックテーブル30上にウェーハ1の裏面を上に露出させた状態で同心状に載置される。この場合のワーク供給位置は、チャックテーブル30が最も供給/回収ステージ12に近接した位置であり、ターンテーブル17の回転によってチャックテーブル30はワーク着脱位置に位置付けられる。第1搬送装置20Aは、供給/回収ステージ12の、ワーク着脱位置に近接した位置に設けられている。
第1搬送装置20Aは、回転可能、かつ、上下動可能に設けられたZ方向に延びる回転軸21に、水平に延びるアーム22が固定され、このアーム22の先端下方に、負圧作用でワーク9を吸着する円板状の吸着盤23が水平に設けられたものである。吸着盤23の下部にはセラミック等の多孔質材でできた吸着パッド(図示略)が取り付けられており、この吸着パッドの下面の吸着面にウェーハ1が吸着してワーク9が保持される。
第1搬送装置20Aによれば、回転軸21を回転させてアーム22を旋回させることにより吸着盤23を位置決めテーブル16上のワーク9の上方に位置付け、次いで回転軸21を下降させて負圧発生運転を行うことにより、ウェーハ1がワーク9ごと吸着盤23の吸着パッドに吸着して保持される。位置決めテーブル16上のワーク9が吸着盤23に保持されたら、回転軸21が上昇し、アーム22が旋回してワーク9が上記ワーク供給位置まで搬送され、ここで回転軸21が下降し、負圧発生運転が停止される。これによって、ワーク9は負圧発生運転がなされているチャックテーブル30に載置されるとともに、吸着、保持される。
チャックテーブル30に保持されたワーク9は、ターンテーブル17がR方向へ所定角度回転することにより、粗研削用研削ユニット40Aの下方の粗研削加工位置に送り込まれ、この位置で該研削ユニット40Aによりウェーハ1の裏面が粗研削される。次いでワーク9は、再度ターンテーブル17がR方向へ所定角度回転することにより、仕上げ研削用研削ユニット40Bの下方の仕上げ研削加工位置に送り込まれ、この位置で該研削ユニット40Bによりウェーハ1の裏面が仕上げ研削される。
加工ステージ11のY方向奥側の端部には、X方向に並ぶ2つのコラム50A,50Bが立設されており、これらコラム50A,50Bの前面に、各研削ユニット40A,40Bが、それぞれZ方向(鉛直方向)に昇降自在に設置されている。各研削ユニット40A,40Bは、各コラム50A,50Bの前面に設けられたZ方向に延びるガイド51にスライダ52を介して摺動自在に装着されており、サーボモータ53によって駆動されるボールねじ式の送り機構54により、スライダ52を介してZ方向に昇降するようになっている。
各研削ユニット40A,40Bは同一構成であり、装着される砥石が粗研削用と仕上げ研削用と異なることで、区別される。研削ユニット40A,40Bは、軸方向がZ方向に延びる円筒状のスピンドルハウジング41を有しており、このスピンドルハウジング41内には、スピンドルモータ42によって回転駆動される図示せぬスピンドルシャフトが支持されている。そしてこのスピンドルシャフトの下端に、フランジ43を介して砥石ホイール44が取り付けられている。
砥石ホイール44の下面には、複数の砥石45が環状に配列されている。それら砥石45の下面で形成される研削加工面は、上記スピンドルシャフトの軸方向に直交する水平に設定される。したがってその研削加工面は、チャックテーブル30の上面と平行である。砥石45は、例えば、樹脂のボンド材中にダイヤモンド砥粒を混合して成形し、焼結したものが用いられる。
粗研削用の研削ユニット40Aに取り付けられる砥石45は、例えば♯330〜♯400程度の比較的粗い砥粒を含むものが用いられる。また、仕上げ研削用の研削ユニット40Bに取り付けられる砥石45は、例えば♯3000〜♯8000程度の比較的細かい砥粒を含むものが用いられる。各研削ユニット40A,40Bには、研削加工面の冷却や潤滑あるいは研削屑の排出のための研削水を供給する研削水供給機構(図示略)が設けられている。
ウェーハ1の裏面は、粗研削および仕上げ研削のそれぞれの研削加工位置において、各研削ユニット40A,40Bにより研削される。裏面研削は、チャックテーブル30が回転してワーク9を自転させ、送り機構54によって研削ユニット40A(40B)を下方に送りながら、回転する砥石ホイール44の砥石45をウェーハ1の露出している裏面に押し付けることによりなされる。
粗研削から仕上げ研削を経てウェーハ1は目的厚さまで薄化されるが、厚さの測定は、各加工位置の近傍に設けられた図示せぬ厚さ測定ゲージによってなされる。ウェーハ1の裏面研削は、その厚さ測定ゲージによってウェーハ1の厚さを測定しながら行われ、その測定値に基づいて、送り機構54による砥石ホイール44の送り量が制御される。なお、粗研削では、仕上げ研削後の目的厚さの例えば30〜40μm手前まで研削され、残りが仕上げ研削で研削される。
粗研削から仕上げ研削を経てウェーハ1が目的厚さまで薄化されたら、続いてワーク9は、再度ターンテーブル17がR方向へ所定角度回転することにより、研磨ユニット60の下方の研磨加工位置に送り込まれ、この位置で該研磨ユニット60によりウェーハ1の裏面が研磨される。
加工ステージ11のX方向奥側の端部には、スライドボード70が設けられており、このスライドボード70の前面に、研磨ユニット60がZ方向に昇降自在に設置されている。研磨ユニット60は、半円筒状のホルダ71に固定されている。このホルダ71には、左右一対の送り機構72が設けられている。これら送り機構72は、スライドボード70の前面に設けられたZ方向に延びる一対のラック73に係合し、かつ、該ラック73に沿ってZ方向に昇降する。研磨ユニット60は、左右の送り機構72が同期してラック73に沿って昇降するに伴い、昇降するようになっている。
研磨ユニット60は、軸方向がZ方向に延びる円筒状のスピンドルハウジング61を有しており、このスピンドルハウジング61内には、スピンドルモータ、およびこのスピンドルモータによって回転駆動されるスピンドルシャフトが内蔵されている(いずれも図示略)。そしてスピンドルシャフトの下端に、フランジ63を介して研磨ホイール64が取り付けられている。
研磨ホイール64は、円板状のフレームの下面に研磨パッド(図示略)が貼り付けられて構成されたもので、研磨パッドは、研磨対象物であるウェーハ1に応じたものが選択される。例えば研磨ユニット60がCMP(化学的機械的研磨:Chemical Mechanical Polishing または Chemical Mechanical Planarization)処理を施すものである場合、研磨パッドは、発泡させるか、あるいは繊維状のものをシート状に成形したポリウレタンが用いられる。そしてCMPの場合には、ウェーハ1の研磨加工面にスラリー(研磨液)が供給される。スラリーは、ウェーハ1の種類に応じて選択されるが、例えばKOH(水酸化カリウム)、NaOH(水酸化ナトリウム)、NH3OH(アンモニア)等のアルカリ薬液水溶液、または酸性水溶液に、SiO2(酸化珪素)、Ce(酸化セリウム)、Al2O3(アルミナ)等の砥粒を懸濁させたものが用いられる。
研磨ホイール64はスピンドルハウジング61内のスピンドルシャフトと一体回転し、回転する上記研磨パッドの研磨外径は、ウェーハ1の直径よりも大きく設定されている。また、ターンテーブル17が所定角度回転して定められるウェーハ1の研磨加工位置は、研磨パッドよりも小径のウェーハ1の外周縁の一部が研磨パッドの外周縁の一部に常に一致する内接円の状態となり、チャックテーブル30が回転することによって自転するウェーハ1の裏面全面が研磨され得る位置に設定される。
ウェーハ1の裏面は、研磨加工位置において、研磨ユニット60により研磨される。裏面研磨は、チャックテーブル30が回転してワーク9を自転させ、送り機構72によって研磨ユニット60を下方に送りながら、回転する研磨ホイール64の研磨パッドをウェーハ1の露出している裏面に押し付けることによりなされる。
ウェーハ1の裏面研磨が所定時間なされると研磨は終了し、続いて、次のようにしてワーク9の回収に移る。まず、研磨ユニット60が上昇してワーク9から退避し、次いでターンテーブル17がR方向へ所定角度回転することにより、ワーク9は上記ワーク着脱位置に戻される。次いでチャックテーブル30の負圧発生運転が停止し、この後、ワーク9は供給/回収ステージ12に設けられた本発明に係る第2搬送装置20Bによってスピンナ式洗浄装置80に搬送される。
第2搬送装置20Bは、上記第1搬送装置20Aと基本構成は同じであり、回転可能、かつ、上下動可能に設けられたZ方向に延びる回転軸91に、水平に延びるアーム92が固定され、このアーム92の先端下方に、負圧作用でワーク9を吸着する円板状の吸着盤100が水平に設けられたものである。
図3に示すように、吸着盤100は、ステンレス等からなる円板状の枠体101と、多孔質材からなる吸着パッド110とから構成されている。枠体101の下面の大部分には、外周縁部102を残して円形の凹所103が同心状に形成されており、この凹所103に吸着パッド110が嵌合されている。吸着パッド110の下面は水平で、枠体101の外周縁部102の下面と面一となっており、吸着パッド110の下面がワーク9を吸着する吸着面111として構成されている。
アーム92は、内部に空気吸引通路(負圧発生通路)93が形成された管状のもので、アーム92の先端が枠体101の上面の中心部に固着されている。枠体101の、アーム92が固着された中心には、アーム92の空気吸引通路93と吸着パッド110内の気孔とを連通させる空気吸引口104が形成されている。アーム92が固定されている上記回転軸91内には、空気吸引通路93に連通する空気吸引通路が形成されており、この回転軸91側の空気吸引通路は、配管(負圧発生通路)94を介して真空ポンプ等の負圧源95に接続されている。
負圧源95が作動すると、配管94、回転軸91の空気吸引通路、アーム92の空気吸引通路93、枠体101の空気吸引口104を経て吸着パッド110内の気孔の空気が吸引され、これによって吸着面111の下方部分の空気が吸引されて負圧が発生する。このような負圧発生の作用が生じることにより、吸着面111に近付けられたワーク9のウェーハ1が吸着面111に吸着し、ワーク9が保持されるようになっている。
吸着パッド110は、空気が通過する多孔質材により、外径がワーク9とほぼ同径か、あるいはやや小さい円板状に形成されたものであり、ワーク9は吸着面111に同心状に保持される。吸着パッド110を構成する多孔質材の材料としては、フッ素樹脂が用いられており、特にフッ素樹脂の中でも耐薬品性が高いPCTFE(ポリクロロトリフルオロエチレン)が好適に用いられる。
吸着パッド110に用いられるフッ素樹脂製の多孔質材は、気孔率(全体体積に対する気孔の割合)が30〜50%のものが好ましく用いられ、また、気孔の大きさ(径)が好ましくはφ10〜1000μm、より好ましくは10〜50μmのものが用いられる。さらにその多孔質材は、JIS K 6253で規定するショアD硬度が40〜80である材料が好ましく用いられる。
上記第2搬送装置20Bによれば、回転軸21を回転させてアーム92を旋回させることにより吸着盤100を上記ワーク着脱位置に戻ってきたチャックテーブル30上のワーク9の上方に位置付け、次いで回転軸91を下降させて負圧源95を作動させることにより、吸着パッド110の吸着面111にウェーハ1が吸着し、ワーク9が保持される。このようにチャックテーブル30上のワーク9が吸着盤100に保持されたら、回転軸21が上昇し、アーム92が旋回してワーク9がスピンナ式洗浄装置80に搬送される。
スピンナ式洗浄装置80は、上記チャックテーブル30と同様構成の負圧チャック式のスピンナテーブル81を備えており、ワーク9が搬送されてくる際には、スピンナテーブル81は予め負圧発生運転がなされている。上記のように第2搬送装置20Bでスピンナ式洗浄装置80に搬送されたワーク9は、回転軸91が下降することによりスピンナテーブル81に載置され、これと同時に、吸着パッド110の負圧発生運転が停止される。これによって、ワーク9は負圧発生運転がなされているチャックテーブル30に吸着して保持される。
スピンナ式洗浄装置80では、スピンナテーブル81に保持して回転させたワーク9のウェーハ1に洗浄水を供給してウェーハ1を洗浄した後、スピンナテーブル81を回転させたまま洗浄水の供給を停止し、次いで乾燥空気をウェーハ1に噴出してウェーハ1を乾燥させるといった処理がなされる。
以上の工程が、供給カセット14A内のワーク9に対して連続的に繰り返し行われ、ウェーハ1の裏面が研削されて薄化された後、研磨された複数のワーク9が回収カセット14B内に収納される。この後、ウェーハ1が薄化されたワーク9は回収カセット14Bごと次の工程に運搬され、最終的にはサブストレート5が剥離された後、ウェーハ1の分割予定ライン2が切断され、複数のチップ3にダイシングされる。
[3]第2搬送装置の作用効果
本発明に係る上記第2搬送装置20Bによれば、ワーク9のウェーハ1が直接当接する吸着面111を有する吸着パッド110がフッ素樹脂からなる多孔質材で形成されている。このため、吸着されたウェーハ1の強度低下が抑えられるといった効果が奏される。また、フッ素樹脂製の吸着パッド110はセラミック等と異なり屑が生じることがないので、吸着されるウェーハ1が傷つくといった問題は起こらず、ウェーハ1を安全に搬送することができる。
本発明に係る上記第2搬送装置20Bによれば、ワーク9のウェーハ1が直接当接する吸着面111を有する吸着パッド110がフッ素樹脂からなる多孔質材で形成されている。このため、吸着されたウェーハ1の強度低下が抑えられるといった効果が奏される。また、フッ素樹脂製の吸着パッド110はセラミック等と異なり屑が生じることがないので、吸着されるウェーハ1が傷つくといった問題は起こらず、ウェーハ1を安全に搬送することができる。
また、本実施形態の吸着パッド110は、気孔率が30〜50%の多孔質材が用いられていることにより、十分な吸着作用を得ることができるとともに、体積が損失して吸着面111に凹凸ができるといったへたりが生じにくい。また、気孔の大きさ(径)がφ10〜1000μm、より好ましくは10〜50μmであることから、十分な吸着作用を得ることができるとともに、吸着面111に直接当接するウェーハ1が、吸着面111に開口する気孔に吸引されてダメージを受けるといったことが起こらない。
さらに吸着パッド110は、JIS K 6253で規定するショアD硬度が40〜80であることから、硬度が低いことによるへたりが生じず、かつ、硬すぎることによるウェーハ1へのダメージの発生が起こらない。このように、本実施形態に係るフッ素樹脂製の吸着パッド110は、ウェーハ1の強度を損なうことなく健全な状態で搬送することができるといった点で、きわめて優れたものである。
[4]吸着盤の変形例
図4および図5は、吸着盤の変形例を示している。この変形例の吸着盤100Bの枠体101の上記凹所103には、外周縁部102と同様の幅および突出量を有する環状の仕切り105が同心状に形成されている。そして、凹所103の、仕切り105と外周縁部102との間に環状の外側吸着パッド110Bが嵌合され、また、仕切り105の内側に円形状の内側吸着パッド110Cが嵌合されている。
図4および図5は、吸着盤の変形例を示している。この変形例の吸着盤100Bの枠体101の上記凹所103には、外周縁部102と同様の幅および突出量を有する環状の仕切り105が同心状に形成されている。そして、凹所103の、仕切り105と外周縁部102との間に環状の外側吸着パッド110Bが嵌合され、また、仕切り105の内側に円形状の内側吸着パッド110Cが嵌合されている。
図5に示すように、この場合のアーム92には、分岐通路96を有する分岐管部97が形成されており、分岐管部97は、枠体101の、外側吸着パッド110Bに対応する所定箇所に固着されている。枠体101には、分岐通路96と外側吸着パッド110B内の気孔とを連通させる空気吸引口106が形成されている。空気吸引通路93の分岐通路96への分岐点には、バルブ99が設けられている。このバルブ99により、負圧源95が作動した時の該分岐点から先の空気吸引の経路が、該分岐点から内側吸着パッド110Cに通じる空気吸引通路93のみの場合(小径モード)と、内側吸着パッド110Cに通じる空気吸引通路93と外側吸着パッド11Bに通じる分岐通路96の双方の場合(大径モード)の2パターンに切り替えられるようになっている。
この吸着盤100Bでは、外径の異なる2種類のウェーハを保持することができるものとして有用であり、2種類のウェーハは、外側吸着パッド110Bの外径とほぼ同径のウェーハ(大径ウェーハ)と、内側吸着パッド110C110の外径とほぼ同径のウェーハ(小径ウェーハ)である。小径ウェーハを保持する際にはバルブ99を小径モードとし、小径ウェーハの外径を内側吸着パッド110Cの外径に合わせて吸着、保持する。バルブ99が小径モードの場合、外側吸着パッド110B内の空気は吸引されず、内側吸着パッド110Cのみに負圧吸着作用が発生し、その内側吸着パッド110Cに小径ウェーハが吸着する。また、大径ウェーハを保持する際にはバルブ99を大径モードとし、大径ウェーハの外径を外側吸着パッド110Bの外径に合わせることにより、大径ウェーハは負圧吸着作用が発生している外側吸着パッド110Bと内側吸着パッド110Cの双方に吸着する。
以下、実施例によって本発明の効果を実証する。
[実施例]
直径:12インチ、表面に多数(144個)のチップが形成された厚さ200μmのシリコンウェーハの裏面を、粗研削した後に仕上げ研削し、次いでCMP処理を施した。この後、本発明に係るフッ素樹脂製の多孔質材からなる吸着パッドで当該ウェーハを吸着、保持して洗浄装置まで搬送して洗浄した後、ダイシングして多数のチップを得た。これらチップ全てに対して抗折強度測定を行い、強度の平均値を求めた。吸着パッドのフッ素樹脂はPCTFEであり、気孔率が40±5%、気孔の大きさ(径)がφ40±10μm、JIS K 6253で規定するショアD硬度が60±15のものを用いた。
[実施例]
直径:12インチ、表面に多数(144個)のチップが形成された厚さ200μmのシリコンウェーハの裏面を、粗研削した後に仕上げ研削し、次いでCMP処理を施した。この後、本発明に係るフッ素樹脂製の多孔質材からなる吸着パッドで当該ウェーハを吸着、保持して洗浄装置まで搬送して洗浄した後、ダイシングして多数のチップを得た。これらチップ全てに対して抗折強度測定を行い、強度の平均値を求めた。吸着パッドのフッ素樹脂はPCTFEであり、気孔率が40±5%、気孔の大きさ(径)がφ40±10μm、JIS K 6253で規定するショアD硬度が60±15のものを用いた。
なお、チップは20mm×20mmの長方形であって厚さは200μmである。抗折強度測定は、図6に示すように、チップCの長手方向端部を左右の台201の上において架け渡した状態とし、チップCの上面中央に球状の押圧子202で荷重をかけ、チップCに破壊が生じた瞬間の荷重を測定し、荷重を強度とした。押圧子202の直径Rは3mm、チップCの撓みスパンaは3.5mmである。
[比較例]
研磨後にウェーハを搬送する吸着パッドをアルミナからなるセラミック製に代えた以外は上記実施例と同様にして、各チップの抗折強度を測定した。
[搬送無し]
研磨後のウェーハを吸着パッドで搬送せずに洗浄した以外は上記実施例と同様にして、各チップの抗折強度を測定した。
研磨後にウェーハを搬送する吸着パッドをアルミナからなるセラミック製に代えた以外は上記実施例と同様にして、各チップの抗折強度を測定した。
[搬送無し]
研磨後のウェーハを吸着パッドで搬送せずに洗浄した以外は上記実施例と同様にして、各チップの抗折強度を測定した。
表1に、強度測定値の結果として、搬送無しの強度を100%とした場合に対する実施例と比較例の強度割合を%で示す。平均値の強度割合をみると、本発明に係る実施例が99.54%であり、搬送無しの場合と比較して遜色のない強度を示したのに対し、比較例は4.31%と大幅に強度が低下している。この結果、本発明の吸着パッドは、吸着パッドで吸着しない場合と比べても強度の低下がごく僅かであり、強度を効果的に維持することができることが明らかになった。
1…ウェーハ、9…ワーク、10…ウェーハ加工装置、20B…第2搬送装置、30…チャックテーブル(保持手段)、40A…粗研削用研削ユニット(加工手段)、40B…仕上げ研削用研削ユニット(加工手段)、60…研磨ユニット(加工手段)、92…アーム(移動手段)、93…空気吸引通路(負圧発生通路)、94…配管(負圧発生通路)、95…負圧源、100…吸着盤、110…吸着パッド、111…吸着面。
Claims (6)
- 薄板状のワークを保持する保持手段と、
該保持手段に保持されたワークに所定の加工を施す加工手段と、を有する加工装置に具備され、前記ワークを搬送する搬送装置であって、
前記保持手段に保持された前記ワークの露出面に接触させられる吸着面を有する吸着パッドと、
該吸着パッドの前記吸着面に吸着作用を発生させる負圧源から、該吸着パッドにわたって設けられる負圧発生通路と、
前記吸着パッドを前記保持手段から所定の搬送先に移動させる移動手段と、を少なくとも備え、
前記吸着パッドは、フッ素樹脂からなる多孔質材で形成されていることを特徴とする薄板状ワークの搬送装置。 - 前記吸着パッドは、気孔率が30〜50%であることを特徴とする請求項1に記載の薄板状ワークの搬送装置。
- 前記吸着パッドは、気孔の大きさ(径)がφ10〜1000μmであることを特徴とする請求項1または2に記載の薄板状ワークの搬送装置。
- 前記吸着パッドは、JIS K 6253で規定するショアD硬度が40〜80であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の薄板状ワークの搬送装置。
- 前記フッ素樹脂は、PCTFEであることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の薄板状ワークの搬送装置。
- 前記加工装置が施す前記加工は、研削および/または研磨であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の薄板状ワークの搬送装置。
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