JP2010199227A - 研削装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】回転可能なポスト71の先端にヘッド部72を有する非接触式の第2厚さ測定ゲージ70で、ウェーハ1の外周端の厚さを測定しながら仕上げ研削し、仕上げ研削完了後、引き続きヘッド部72で厚さを測定しながら、ターンテーブル17を回転させてウェーハ1を二次加工位置1Bからワーク着脱位置1Pに送り、ウェーハ1の外周端から中心点Oまでの厚さ分布を測定する。研削工程の流れの中で厚さ分布を測定し、処理能力を低下させることなく厚さ分布を取得する。
【選択図】図2
Description
[1]半導体ウェーハ(ワーク)
一実施形態では、図1に示す円板状の半導体ウェーハ(以下、ウェーハ)1を研削対象物であるワークとしている。ウェーハ1はシリコンウェーハ等であって、研削前の厚さは例えば700μm程度である。このウェーハ1の表面には格子状の分割予定ライン2によって複数の矩形状のチップ3が区画されている。これらチップ3の表面には、ICやLSI等の図示せぬ電子回路が形成されている。また、ウェーハ1の周面の所定箇所には、半導体の結晶方位を示すV字状の切欠き(ノッチ)4が形成されている。
図2に示す研削装置10Aは、上記ウェーハ1を負圧吸着式のチャックテーブル(保持手段)30に吸着して保持し、2台の研削ユニット(粗研削用と仕上げ研削用)40A,40Bによりウェーハ1に対し粗研削と仕上げ研削を順次行ってウェーハ1を薄化加工するものである。以下、該研削装置10Aの構成ならびに動作を説明する。
以上が一実施形態の研削装置10Aの基本的な構成ならびに動作であるが、該装置10Aでは、第2厚さ測定ゲージ70によって、研削ユニット40Bで仕上げ研削した直後のウェーハ1の、少なくとも半径方向の厚さ分布を測定する機能を有している。研削は自転するウェーハ1に研削ホイール45の砥石44を押し付けて行われるため、ウェーハ1の厚さ分布は半径方向に顕著に現れて支配的になると考えられる。したがって、少なくとも半径方向の厚さ分布を測定することがウェーハの厚み分布を取得する上で有効と考えられる。以下、そのための構成および動作を説明する。
図2に示した研削装置10Aは、粗研削用と仕上げ研削用の回転軸を備える2軸式であるが、図7は、さらに研磨用の回転軸が追加された3軸式の研削装置に本発明を適用した形態を示している。なお、図7では、図2と同一の構成要素には同一の符号を付してあり、これらの説明は省略する。
10A,10B…研削装置
17…ターンテーブル(厚さ分布取得手段)
30…チャックテーブル(保持手段)
32a…チャックテーブルの保持面
40A,40B…研削ユニット(研削手段)
40C…研磨手段
45…研削ホイール(研削工具)
70…第2厚さ測定ゲージ(厚さ測定手段、厚さ分布取得手段)
72…ヘッド部(検出部)
W…液体
Claims (2)
- 板状のワークの被保持面を保持する保持面を有する保持手段と、
該保持手段に保持された前記ワークの露出する被加工面に研削工具を接触させて研削加工を施す研削手段と、を備えた研削装置であって、
前記保持手段に保持された前記ワークにおける前記被加工面の露出している箇所の厚さを非接触で検出する検出部を有する非接触式の厚さ測定手段と、
前記研削手段による前記ワークへの研削加工が終了して前記研削工具が前記被加工面から離反した後に、前記保持手段に保持された該ワークにおける該被加工面に対して、該被加工面の外周端と中心部とを結ぶようにして前記厚さ測定手段を走査させ、研削後の該ワークにおける半径方向の厚さ分布を取得する厚さ分布取得手段と、を備えることを特徴とする研削装置。 - 前記非接触式の厚さ測定手段の前記検出部と前記ワークとの間の空間が液体で満たされることを特徴とする請求項1に記載の研削装置。
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