JP2007199013A - 厚さ計測装置および研削装置 - Google Patents
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- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 31
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 21
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 53
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 20
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 91
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 9
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 8
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 carbide Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000008400 supply water Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
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- Length Measuring Devices Characterised By Use Of Acoustic Means (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
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Abstract
【課題】半導体ウエーハに傷が付いて抗折強度が低下することなく、厚さを正確に計測しながらウエーハを研削する。
【解決手段】チャックテーブル14上に保持したウエーハ1上に水を供給して水膜Wを形成し、この水膜Wに、計測器51の滑走部材52を滑走させながら、滑走部材52に固定した送受器53の送波部57からウエーハ1に向けて超音波を送波する。送受器53の受波部58で、ウエーハ11の上面と下面から反射波を受け、その時間差に基づいてウエーハ1の厚さを算出する。
【選択図】図4
【解決手段】チャックテーブル14上に保持したウエーハ1上に水を供給して水膜Wを形成し、この水膜Wに、計測器51の滑走部材52を滑走させながら、滑走部材52に固定した送受器53の送波部57からウエーハ1に向けて超音波を送波する。送受器53の受波部58で、ウエーハ11の上面と下面から反射波を受け、その時間差に基づいてウエーハ1の厚さを算出する。
【選択図】図4
Description
本発明は、板状物の厚さを計測する厚さ計測装置と、厚さ計測装置によって厚さを計測しながら板状物を研削して厚さを減じる研削装置に関する。本発明での計測および研削対象物は特に限定されないが、例えば、厚さ1mm以下程度の半導体ウエーハ等の、極めて薄く、かつ、脆性があって比較的傷付きやすい材料でできた板放物に好適とされる。
ICやLSI等の電子回路が表面に形成された半導体チップは、各種電気・電子機器を小型化する上で今や必須のものとなっている。半導体チップは、円盤状の半導体ウエーハの表面に、ストリートと呼ばれる切断ラインで格子状の矩形領域を区画し、これら矩形領域に電子回路を形成した後、半導体ウエーハをストリートに沿って分割するといった工程で製造される。
このような製造工程において、半導体ウエーハは、半導体チップに分割されるに先だち、電子回路が形成されたデバイス面とは反対側の裏面が、グラインダ等の研削装置によって研削されている。裏面の研削は、電子機器のさらなる小型化や軽量化の他、熱放散性を向上させて性能を維持させることなどを目的としており、例えば、当初厚さの600μmから、200〜100μm以下、あるいは50μm以下の厚さにする程度まで行われる。
半導体ウエーハを所定の厚さに研削するには、厚さ計測装置によって半導体ウエーハの厚さを逐一確認しながら、その厚さに達した時点で研削を終了するといった方法が採られる。厚さ計測装置としては、被研削面に計測ゲージの先端を接触させ、研削による厚さの減少に伴って下降する計測ゲージの高さ:「変位計測値」と、研削前の被研削面あるいは半導体ウエーハが載置されるチャックテーブル等の台の上面を基準面とし、この基準面での計測ゲージの高さ:「基準値」とを比較して、研削中の半導体ウエーハの厚さを計測するものが知られている(例えば特許文献1,2,3参照)。
しかしながら、上記各文献に記載されている厚さ計測装置は、いずれも計測ゲージを被計測物に接触させる接触式であるため、被計測物の計測ゲージが接触する部分に傷が付くおそれがあった。特に被計測物がシリコンウエーハ等の半導体ウエーハである場合には傷が付きやすく、その傷が元となって折れが発生することもあり、したがって従来の厚さ計測装置は、そのような折れに対する抵抗性すなわち抗折強度を低下させる要因となっていた。
よって本発明は、被計測物に傷が付いて抗折強度が低下するといった不具合が生じることなく被計測物の厚さを正確に計測することのできる厚さ計測装置と、この厚さ計測装置を備えた研削装置を提供することを目的としている。
本発明の厚さ計測装置は、板状物の厚さを計測する厚さ計測装置であって、板状物である被計測物が載置されてその被計測物を保持する保持テーブルと、この保持テーブルに保持された被計測物の上面に流体を供給し、かつ、この流体を被計測物上において膜状に形成する流体供給手段と、被計測物の上面に形成された流体膜上に滑走可能にセットされる滑走部材と、この滑走部材から保持テーブルに保持された被計測物に向けて超音波を送波する超音波送波手段と、この超音波送波手段から被計測物に向けて送波された超音波の反射波を受ける反射波受波手段と、超音波送波手段から被計測物に向けて超音波が送波されてから被計測物の上面で反射した反射波を反射波受波手段が受けるまでの時間T1と、超音波送波手段から被計測物に向けて超音波が送波されてから被計測物の下面で反射した反射波を反射波受波手段が受けるまでの時間T2とを比較して被計測物の厚さWを求める厚さ算出手段とを備えることを特徴としている。
本発明の厚さ計測装置では、流体として水等の液体を、保持テーブル上に保持した板状物である被計測物の上面に供給して流体膜を形成し、この流体膜上に滑走部材を乗せて滑走させ、超音波送波手段によって滑走部材から被計測物に向けて超音波を送波する。超音波は流体膜中を伝播し、さらに被計測物の上面に伝播してから、次いで下面に伝播する。超音波受波手段は、送波した超音波の、被計測物の上面からの反射波と下面からの反射波をそれぞれ受ける。被計測物の上面で超音波が反射する時と下面で反射する時には、上面と下面との間の距離、すなわち被計測物の厚さに相当する時間差が生じ、超音波受波手段は、はじめに反射する上面からの反射波を受け、次に下面からの反射波を受ける。ここで、超音波が送波されてから超音波受波手段がはじめに反射波を受けた時間を上面からの反射波としてその時間をT1とし、その次に超音波受波手段が反射波を受けた時間を下面からの反射波としてその時間をT2とする。厚さ算出手段は、これら時間T1,T2の時間差(T2−T1)から被計測物の厚さを求める。
被計測物の厚さWを求める式としては、次式が用いられる。
W=V×(T2−T1)÷2
(Vは前記超音波送波手段から送波されて被計測物中を通過する超音波の音速)
W=V×(T2−T1)÷2
(Vは前記超音波送波手段から送波されて被計測物中を通過する超音波の音速)
本発明の厚さ計測装置によれば、計測ゲージを被計測物に接触させるといった非接触式ではなく、被計測物の上面に形成した流体膜上を滑走する滑走部材から被計測物に向けて超音波を送波し、その超音波の反射波を受けることによって厚さを計測する非接触式である。したがって被計測物を傷付けることがなく、すなわち抗折強度を低下させることなく被計測物の厚さを計測することができる。非接触式のように、被計測物の被計測面と、設定した基準面との2点を計測する構成ではないことから計測誤差が生じにくく、また、流体によって超音波の伝播状態が良好になることと相まって、高い計測精度を発揮する。
流体供給手段は、被計測物上に流体を供給し得る構成であればいかなるものでもよく、また何処に配置されていてもかまわないが、流体上を滑走部材が常に安定して滑走可能になり得ることから、滑走部材に直接設ける形態が好ましい。また、超音波送波手段から送波される超音波はとしては、パルス超音波が好適に選択される。
本発明の厚さ計測装置は、厚さを計測する単独の装置での使用形態の他に、被計測物に加工液を供給しながら所定の加工を施す加工装置とセットの状態で使用される形態もある。この形態において加工装置の加工液供給手段を流体供給手段として兼用させれば、流体供給手段を設ける必要がなく、コスト削減と構成の簡素化が図られる。
次に、本発明の研削装置は、板状物をワークとし、該ワークの厚さを減じる研削手段を有する研削装置であって、上記本発明の厚さ計測装置を備え、上記保持テーブル上に保持したワークを、該厚さ計測装置で該ワークの厚さを計測しながら研削するように構成されていることを特徴としている。本発明の研削装置によれば、厚さ計測装置で厚さを計測しながらワークを研削し、所望の厚さに達したら研削を終えることにより所望厚さの板状物を得ることができる。厚さ計測に関しての作用効果は上記の通りであり、設定した厚さに正確に板状物を研削することができる。研削液が供給される場合には、研削液供給手段を厚さ計測装置の流体供給手段として兼用させることができ、その場合には流体供給手段を設ける必要がなく、コスト削減と構成の簡素化が図られる。
本発明によれば、被計測物の上面に形成した流体膜上を滑走する滑走部材から被計測物に向けて超音波を送波し、その超音波の反射波を受けることによって厚さを計測する非接触式であるため、被計測物に傷が付いて抗折強度が低下するといった不具合が生じることなく被計測物の厚さを計測することができる。また、計測誤差が生じにくく、超音波の伝播状態も良好になるため、高い計測精度を発揮する。
以下、図面を参照して本発明を半導体ウエーハを研削して薄化する研削装置に適用した一実施形態を説明する。
[1]半導体ウエーハ(板状物であり被計測物)
図1(a)は、研削加工が施される円盤状の半導体ウエーハ(以下、ウエーハと略称)を示している。このウエーハ1はシリコンウエーハ等であって、厚さは600〜700μm程度のものである。ウエーハ1の表面には格子状の分割予定ライン2によって多数の矩形状の半導体チップ3が区画されており、これら半導体チップ3の表面にはICやLSI等の電子回路が形成されている。
[1]半導体ウエーハ(板状物であり被計測物)
図1(a)は、研削加工が施される円盤状の半導体ウエーハ(以下、ウエーハと略称)を示している。このウエーハ1はシリコンウエーハ等であって、厚さは600〜700μm程度のものである。ウエーハ1の表面には格子状の分割予定ライン2によって多数の矩形状の半導体チップ3が区画されており、これら半導体チップ3の表面にはICやLSI等の電子回路が形成されている。
ウエーハ1は裏面側が研削されて目的厚さ(例えば50〜100μm程度)に薄化された後、分割予定ライン2に沿って切断、分割され、多数の半導体チップ3に個片化される。研削加工される際には、図1(b)に示すように、電子回路を保護する目的で、この電子回路が形成された側の表面に保護テープ4が貼着される。この保護テープ4は研削加工終了後には剥がされる。
[2]研削装置
図2は、上記ウエーハ1の裏面を研削して、設定された厚さに薄化する研削装置10を示している。図2の符号11は各種機構が搭載された基台であり、この基台11は水平な上面を備えた直方体状の部分を主体とし、長手方向の一端部(図2の奥側の端部)に、上面に対して垂直に立つ壁部12を有している。図2では、基台11の長手方向、幅方向および鉛直方向を、それぞれY方向、X方向およびZ方向で示している。基台11の、長手方向のほぼ中間部分から壁部12側が研削エリア10Aとされ、この反対側が、研削エリア10Aに研削前のウエーハ1を供給し、かつ研削後のウエーハ1を回収する供給・回収エリア10Bとされている。
図2は、上記ウエーハ1の裏面を研削して、設定された厚さに薄化する研削装置10を示している。図2の符号11は各種機構が搭載された基台であり、この基台11は水平な上面を備えた直方体状の部分を主体とし、長手方向の一端部(図2の奥側の端部)に、上面に対して垂直に立つ壁部12を有している。図2では、基台11の長手方向、幅方向および鉛直方向を、それぞれY方向、X方向およびZ方向で示している。基台11の、長手方向のほぼ中間部分から壁部12側が研削エリア10Aとされ、この反対側が、研削エリア10Aに研削前のウエーハ1を供給し、かつ研削後のウエーハ1を回収する供給・回収エリア10Bとされている。
基台11の上面における研削エリア10Aには、浅い矩形状の凹所であるピット11aが形成されており、このピット11a内に、回転軸がZ方向と平行で上面が水平とされた円盤状のターンテーブル13が回転自在に設けられている。このターンテーブル13は、図示せぬ回転駆動機構によって矢印R方向に回転させられる。そしてターンテーブル13上の外周部には、回転軸がターンテーブル13のそれと同一のZ方向に延び、上面が水平とされた複数(この場合は3つ)の円盤状のチャックテーブル14が、周方向に等間隔をおいて回転自在に設けられている。
チャックテーブル14は一般周知の真空チャック式であり、上面に載置されるウエーハ1がチャックテーブル14上に吸着、保持される。各チャックテーブル14は、それぞれがターンテーブル13内に設けられた図示せぬ回転駆動機構によって、一方向、または両方向に独自に回転させられる。
図2に示すように2つのチャックテーブル14が壁部12側でX方向に並んだ状態において、それらチャックテーブル14の直上には、ターンテーブル13の回転方向上流側から順に、粗研削用の第1の研削ユニット20Aと、仕上げ研削用の第2の研削ユニット20Bとが、それぞれ配されている。各チャックテーブル14は、ターンテーブル13の間欠的な回転によって、第1の研削ユニット20Aの下方である粗研削位置と、第2の研削ユニット20Bの下方である仕上げ研削位置と、最も供給・回収エリア10Bに近付いた着脱位置との3位置にそれぞれ位置付けられる。
研削ユニット20A,20Bは同一構成であるから、共通の符号を付して説明する。
これら研削ユニット20A,20Bは、基台11の壁部12に、スライダ31およびガイドレール32を介してZ方向に昇降自在に取り付けられ、昇降駆動機構33によって昇降させられる。研削ユニット20A,20Bは、図3(a),(b)に示すように、円筒状のハウジング21内に組み込まれたスピンドル22がモータ23によって回転駆動させられると、スピンドル22の先端にフランジ24を介して固定されたカップホイール25が回転し、カップホイール25の下面の外周部に全周にわたって環状に配列されて固定された多数の砥石26が、ワークを研削するものである。砥石26の円形の研削軌跡の外径は、ウエーハ1の直径にほぼ等しい。
これら研削ユニット20A,20Bは、基台11の壁部12に、スライダ31およびガイドレール32を介してZ方向に昇降自在に取り付けられ、昇降駆動機構33によって昇降させられる。研削ユニット20A,20Bは、図3(a),(b)に示すように、円筒状のハウジング21内に組み込まれたスピンドル22がモータ23によって回転駆動させられると、スピンドル22の先端にフランジ24を介して固定されたカップホイール25が回転し、カップホイール25の下面の外周部に全周にわたって環状に配列されて固定された多数の砥石26が、ワークを研削するものである。砥石26の円形の研削軌跡の外径は、ウエーハ1の直径にほぼ等しい。
各研削ユニット20A,20Bは、チャックテーブル14に対して同軸的には配置されておらずオフセットされている。詳しくは図3(b)に示すように、環状に配列された多数の砥石26のうち最もチャックテーブル14の内側に位置するものの刃先の刃厚(径方向長さ)のほぼ中央部分が、チャックテーブル14の中心を通る鉛直線上に位置するように、相対位置が設定されている。この位置関係により、チャックテーブル14とともにウエーハ1を回転させながらカップホイール25の砥石26でウエーハ1の裏面を押圧すると、その裏面全面が研削される。なお、カップホイール25には、下方のワークに冷却や潤滑あるいは研削屑の排出のための研削水を供給する図示せぬ研削水供給口が設けられている。研削ユニット20A,20Bには、その研削水供給口に研削水を供給する給水ラインが備えられている(図示略)。
砥石26は、例えば砥粒径が50μm程度のものと5μm程度のものを組み合わせたダイヤモンド砥粒が用いられる。第1の研削ユニット20Aのカップホイール25は、粗研削用の砥石26が固着されたものが用いられ、第2の研削ユニット20Bのカップホイール25は、仕上げ研削用のものが用いられる。
上記構成の研削ユニット20A,20Bは、ハウジング21がブロック27を介してスライダ31に固定されている。
上記構成の研削ユニット20A,20Bは、ハウジング21がブロック27を介してスライダ31に固定されている。
図2に示すように、基台11上のピット11a内におけるターンテーブル13の周囲であって最も供給・回収エリア10Bに近い位置には、着脱位置にあるチャックテーブル14に洗浄水を吐出してチャックテーブル14を洗浄するチャックテーブル洗浄ノズル15が配設されている。また、ピット11aの壁部12側の一角には、ピット11a内の水を外部に排出するための排水孔16が設けられている。
ウエーハ1は、粗研削位置において第1の研削ユニット20Aにより、また、仕上げ研削位置において第2の研削ユニット20Bにより所定の厚さに研削されるが、図2に示すように、ピット11a内におけるターンテーブル13の周囲であってそれぞれの研削位置の近傍には、ウエーハ1の厚さを計測する厚さ計測装置40が配設されている。ウエーハ1は、各研削位置においてこれら厚さ計測装置40により厚さが逐一計測されながら、所定の厚さまで研削される。
厚さ計測装置40は、図3および図4に示すように、支持部材41と、この支持部材41にワイヤ49を介して係留され実際に厚さを計測する部分である計測器51とを備えている。支持部材41は、上下に伸縮自在で図示せぬ駆動手段で伸縮するようになされたポスト42と、このポスト42の上端部に固定されて各研削位置に配されたチャックテーブル14の上方まで水平に延びるアーム43とからなる逆L字状のものである。図4に示すように、ポスト42およびアーム43は内部が空洞の管状部材でできており、両者の内部は互いに連通している。
計測器51は、図5および図6に示すように、略長方形状の板材でできた滑走部材52と、この滑走部材52に設けられた超音波送受器(以下、送受器と略称)53とを備えている。滑走部材52はウエーハ1上に供給された液体上を滑走可能とされるもので、長手方向両端部には上方に反り上がった反り部52aが形成されており、この反り部52aが流動する液体から受ける抵抗を少なくして、計測器51が円滑に滑走することができるものとなっている。また、図6に示すように、滑走部材52には中心から一方の端部に向けて延びるスリット52bが形成されている。送受器53は円筒状のホルダ54を有しており、このホルダ54は、軸方向が滑走部材52の上面に直交する状態で、その上面の中心に固着されている。これによってホルダ54の内部は、スリット52bの最深部の空間に通じている。滑走部材52は、アルミナ・チタニウム・カーバイトやセラミックス等の、十分な強度を有し、かつ、下面の滑走面が平滑に研磨可能な材質によるものが好適とされる。
ホルダ54の上端周縁の適宜箇所には2つのワイヤ係止リング55が取り付けられている。また、図4に示すように支持部材41のアーム43の先端にも同様のワイヤ係止リング48が取り付けられている。アーム43側のワイヤ係止リング48にはワイヤ49が通され、このワイヤ49の両端が、ホルダ54側の各ワイヤ係止リング55にそれぞれ係止されている。これにより計測器51は、支持部材41のアーム43にワイヤ49によって吊り下げられた状態で係留されている。
図7に示すように、ホルダ54の内部の下方には円盤状のプレート56が固着されており、このプレート56には、超音波の送波部57と受波部58とが貫通して固着されている。送波部57および受波部58は細長い円筒部材であり、先端(下端)が滑走部材52の裏面である滑走面から下方には突出しないようにプレート56に固着されている。送波部57および受波部58の下方は、送波部57の超音波送波、および受波部58の超音波受波を妨げないように、スリット52bによって開放されている。
図4に示すように、当該研削装置10には、超音波発振部61と反射波受信部62とが設けられており、さらにこれらには厚さ算出部63が接続されている。超音波発振部61からはパルス超音波等の超音波が発振され、その超音波は、支持部材41の中を通された発振ケーブル61aを介して送波部57から下方のワーク、すなわちウエーハ1に向けて送波される。送波部57から送波された超音波は、このウエーハ1の上面と下面で反射し、その2種類の反射波が受波部58で受けられるようになっている。受波部58で受けた反射波信号は、支持部材41の中を通された受信ケーブル62aを介して反射波受信部62に入力される。厚さ算出部63には、超音波発振部61が超音波を発振した時間と、反射波受信部62に反射信号が入力した時間が、それぞれ入力される。
反射波受信部62には、上記のようにウエーハ1の上面からと下面からの2種類の反射波、すなわち2回の反射波が入力され、それら反射波の受信タイミングは、ウエーハ1の厚さに相当する時間差がある。厚さ算出部63では、この時間差に基づきウエーハ1の厚さが求められるが、その方法は後述する。本実施形態では、超音波発振部61、発振ケーブル61aおよび送波部57により超音波送波手段が構成され、受波部58、受信ケーブル62aおよび反射波受信部62により反射波受波手段が構成されている。
また、図7に示すように、ホルダ54内のプレート56には2本の給水管59の先端が貫通して固定されている。この給水管59は、図4に示すように留め具47により支持部材41に沿って配管され、図示せぬ給水源に接続されている。給水管59からは下向きに水が噴出され、この水は、研削中のウエーハ1上に供給されるようになっている。
計測器51は、後述するようにチャックテーブル14に保持されたウエーハ1上の水膜の上を滑走部材52が滑走するように作用する。ポスト42の伸縮ストロークは、計測器51がウエーハ1上の水膜上を滑走する計測位置と、計測器51がウエーハ1から十分に上方に離れた退避位置との間を往復可能なように設定される。なお、ポスト42を軸回りに回転可能に設置して、計測器51がウエーハ1の上方からさらにターンテーブル13の周囲に退避できるように構成してもよい。
次に、供給・回収エリア10Bについて説明する。
供給・回収エリア10Bの中央には、上下移動する2節リンク式の移送ロボット60が設置されている。そしてこの移送ロボット60の周囲には、上から見た状態で反時計回りに、供給カセット61、位置合わせ台62、旋回アーム43式の供給アーム63、供給アーム63と同じ構造の回収アーム64、スピンナ式の洗浄装置65、回収カセット66が、それぞれ配置されている。
供給・回収エリア10Bの中央には、上下移動する2節リンク式の移送ロボット60が設置されている。そしてこの移送ロボット60の周囲には、上から見た状態で反時計回りに、供給カセット61、位置合わせ台62、旋回アーム43式の供給アーム63、供給アーム63と同じ構造の回収アーム64、スピンナ式の洗浄装置65、回収カセット66が、それぞれ配置されている。
カセット61、位置合わせ台62および供給アーム63はウエーハ1をチャックテーブル14に供給する手段であり、回収アーム64、洗浄装置65およびカセット66は、裏面の研削が終了したウエーハ1をチャックテーブル14から回収する手段である。カセット61,66は複数のウエーハ1を積層状態で収容するもので、基台11上の所定位置にセットされる。
移送ロボット60によって供給カセット61内から1枚のウエーハ1が取り出されると、そのウエーハ1は保護テープ4が貼られていない裏面側を上に向けた状態で位置合わせ台62上に載置され、ここで一定の位置に決められる。次いでウエーハ1は、供給アーム63によって位置合わせ台62から吸着されて取り上げられ、着脱位置で待機しているチャックテーブル14上に載置される。
一方、各研削ユニット20A,20Bによって裏面が研削され、着脱位置に位置付けられたチャックテーブル14上のウエーハ1は回収アーム64によって吸着されて取り上げられ、洗浄装置65に移されて水洗、乾燥される。そして、洗浄装置65で洗浄処理されたウエーハ1は、移送ロボット60によって回収カセット66内に移送、収容される。
次に、上記研削装置10によってウエーハ1の裏面を研削する動作を説明する。
まず、移送ロボット60によって、供給カセット61内に収容された1枚のウエーハ1が位置合わせ台62に移されて位置決めされ、続いて供給アーム63によって、着脱位置で待機し、かつ真空装置が運転されているチャックテーブル14上に裏面側を上に向けてウエーハ1が載置される。これによってウエーハ1はチャックテーブル14に吸着、保持される。なお、このときには粗研削側および仕上げ研削側の厚さ計測装置40においては、ポスト42が伸びてワイヤ49で吊り下げられた計測器51はチャックテーブル14から上方に離れた待機位置にある。
まず、移送ロボット60によって、供給カセット61内に収容された1枚のウエーハ1が位置合わせ台62に移されて位置決めされ、続いて供給アーム63によって、着脱位置で待機し、かつ真空装置が運転されているチャックテーブル14上に裏面側を上に向けてウエーハ1が載置される。これによってウエーハ1はチャックテーブル14に吸着、保持される。なお、このときには粗研削側および仕上げ研削側の厚さ計測装置40においては、ポスト42が伸びてワイヤ49で吊り下げられた計測器51はチャックテーブル14から上方に離れた待機位置にある。
次に、ターンテーブル13が図2の矢印R方向に回転し、ウエーハ1を保持したチャックテーブル14が粗研削位置に停止する。この時、着脱位置には、次のチャックテーブル14が位置付けられ、そのチャックテーブル14には上記のようにして次に研削するウエーハ1がセットされる。粗研削位置のチャックテーブル14を回転させてウエーハ1を回転させ、一方、粗研削用の第1の研削ユニット20Aのカップホイール25を、回転させながら、かつ、カップホイール25の研削水供給口から所定の研削水を供給しながら、所定速度でゆっくり下降させ、砥石26をウエーハ1の裏面に押圧して粗研削を開始する。
ウエーハ1上には、供給された研削水がカップホイール25の中心から放射状に散水され、図4に示すように水膜Wが形成される。この直後に、厚さ計測装置40のポスト42を縮ませて計測器51を下降させ、滑走部材52をウエーハ1上の水膜上に載置し、計測器51全体をその水膜上で滑走させる。図3(a)に示すように、計測器51は水膜Wの流れに沿ってワイヤ49に引っ張られた状態が概ね保持されながら、その水膜Wに対して相対的に滑走する。
支持部材41の位置は、図4に示すように、滑走部材52がアーム43と平行になり、一方の反り部52aが水流に向かう姿勢となってこの反り部52aにより水の抵抗を受けにくい状態になるような位置に配置されることが好ましい。また、ウエーハ1上の水膜Wは滑走部材52の滑走面に密着するのみならず、図7に示すようにプレート56の下面に接し送波部57および受波部58の下面が水膜W中に没する状態とする。このように研削水による水膜Wが十分な厚さに形成されないようであれば、給水管59から水を噴出させて、計測器51とウエーハ1との間に水膜Wが確実に介在するように調整する。このように滑走する計測器51によって、ウエーハ1の厚さが次のように計測される。
超音波発振部61から超音波を発振し、その超音波を送受器53の送波部57からウエーハ1に向けて送波する。厚さ算出部63には、超音波が発振された時間が入力される。図7に示すように、送波された超音波Sは水膜W中を伝播してウエーハ1の上面に伝播してから、次いで下面に伝播する。計測器51の受波部58は、ウエーハ1の上面からの反射波S1を受け、続いて下面からの反射波S2を受ける。受波部58が受ける超音波(反射波)はこのように時間差をおいて2回あり、その時間差は、ウエーハ1の上面と下面との間の距離、すなわちウエーハ1の厚さに相当する。厚さ算出部63では、超音波発振部61より超音波が発振されてから反射波受信部62がはじめに反射波を受けた時間をウエーハ上面からの反射波としてその時間をT1とし、その次に反射波受信部62が反射波を受けた時間をウエーハ下面からの反射波としてその時間をT2とし、次式によってウエーハ1の厚さWを求める。
W=V×(T2−T1)÷2
(Vは超音波送波手段から送波されてウエーハ1中を通過する超音波の音速)
W=V×(T2−T1)÷2
(Vは超音波送波手段から送波されてウエーハ1中を通過する超音波の音速)
超音波の発振を、例えば0.1秒に1回といった割合で定期的に行い、粗研削されているウエーハ1の厚さを上記の作用で逐一計測する。計測値が粗研削で出すべき厚さになり、かつ、その値が安定的に出力されたら、ポスト42を伸ばして計測器51を上方に退避させ、厚さ計測を終える。次いでカップホイール25の回転を一定時間続けた後、第1の研削ユニット20Aも上昇させて粗研削を終える。
続いて、粗研削を終えたウエーハ1は、ターンテーブル13をR方向に回転させることによって仕上げ研削位置に移送され、ここで、上記と同様にしてチャックテーブル14を回転させるとともに仕上げ研削用の第2の研削ユニット20Bを用いることにより、ウエーハ1の裏面が仕上げ研削される。このとき、仕上げ研削側の厚さ計測装置40を、上記の粗研削の場合と同様に稼働させて、ウエーハ1の厚さを逐一計測しながら仕上げ研削を行う。なお、予め着脱位置でセットされていたウエーハ1は粗研削位置に移送され、このウエーハ1は先行する仕上げ研削と並行して上記と同様に厚さが計測されながら粗研削される。さらに、着脱位置に移動させられたチャックテーブル14上には、次に処理すべきウエーハ1がセットされる。
ここで、上記の粗研削および仕上げ研削の好適な運転条件例を挙げておく。第1および第2の研削ユニット20A,20Bとも、カップホイール25の回転速度は3000〜5000RPM、チャックテーブル14の回転速度は100〜300RPMである。また、粗研削用の第1の研削ユニット20Aの研削送り速度である下降速度は3〜5μm/秒、仕上げ研削用の第2の研削ユニット20Bの下降速度は0.3〜1μm/秒である。
並行して行っていた仕上げ研削と粗研削をともに終えたら、ターンテーブル13を回転させて仕上げ研削が終了したウエーハ1を着脱位置まで移送する。これにより、後続のウエーハ1は粗研削位置と仕上げ研削位置にそれぞれ移送される。着脱位置に位置付けられたチャックテーブル14上のウエーハ1は回収アーム64によって洗浄装置65に移されて水洗、乾燥される。そして、洗浄装置65で洗浄処理されたウエーハ1は移送ロボット60によって回収カセット66内に移送、収容される。
以上が1枚のウエーハ1を、厚さ計測装置40によって厚さを計測しつつ、所望の厚さに仕上げて洗浄、回収するサイクルである。本実施形態の研削装置10によれば、上記のようにターンテーブル13を間欠的に回転させながら、ウエーハ1に対して粗研削位置で粗研削を、また、仕上げ研削位置で仕上げ研削を並行して行うことにより、複数のウエーハ1の研削処理が効率よく行われる。
そして、厚さ計測装置40に関しては、従来のように計測ゲージを被計測物すなわちウエーハ1の裏面に接触させるといった非接触式ではなく、ウエーハ1の上面に形成した水膜W上で計測器51を滑走させ、この計測器51からウエーハ1に向けて超音波を送波し、その超音波の反射波を受けることによって厚さを計測する非接触式である。したがってウエーハ1を傷付けることがなく、すなわち抗折強度を低下させることなくウエーハ1の厚さを計測することができる。その上、非接触式のように、ウエーハ1の裏面と、設定した基準面との2点を計測する構成ではないので、計測誤差が生じにくく、また、水膜Wによって超音波の伝播状態が良好になることと相まって、高い計測精度を得ることができる。
上記実施形態の厚さ計測装置40は、給水管59を具備し、カップホイール25からの研削水による水膜Wの状態が計測器51を滑走させるに不十分である場合には、その給水管59から水を補充的に供給することができる自己給水機能を有するものである。つまり、カップホイール25からの研削水の供給量が十分である場合には、給水管59からの水の供給をする必要はない。そこで、カップホイール25からの水の供給量が計測器51の滑走を常に十分とする保証がある場合には、給水管59は特に必要としない。図8は、上記実施形態の給水管59を省略し、カップホイール25から供給される研削水だけで厚さを計測することのできるタイプの厚さ計測装置40を示している。
また、図9に示すように支持部材41のアーム43に、ワイヤ係止リング48を該アーム43の長手方向にある程度離して2つ配置し、これらリング48と計測器51側のリング55とを2本のワイヤ49で連結すると、滑走部材52がアーム43と平行になりやすく計測器51の滑走姿勢をより安定させることができる。
1…ウエーハ(板状物、被計測物)
10…研削装置
14…チャックテーブル(保持テーブル)
40…厚さ計測装置
41…支持部材
51…計測器
52…滑走部材
57…送波部
58…受波部
59…給水管(流体供給手段)
61…超音波発振部
62…反射波受信部
63…厚さ算出部(厚さ算出手段)
W…水膜
10…研削装置
14…チャックテーブル(保持テーブル)
40…厚さ計測装置
41…支持部材
51…計測器
52…滑走部材
57…送波部
58…受波部
59…給水管(流体供給手段)
61…超音波発振部
62…反射波受信部
63…厚さ算出部(厚さ算出手段)
W…水膜
Claims (7)
- 板状物の厚さを計測する厚さ計測装置であって、
板状物である被計測物が載置されてその被計測物を保持する保持テーブルと、
この保持テーブルに保持された前記被計測物の上面に流体を供給し、かつ、この流体を被計測物上において膜状に形成する流体供給手段と、
前記被計測物の上面に形成された流体膜上に滑走可能にセットされる滑走部材と、
この滑走部材から前記保持テーブルに保持された前記被計測物に向けて超音波を送波する超音波送波手段と、
この超音波送波手段から前記被計測物に向けて送波された超音波の反射波を受ける反射波受波手段と、
前記超音波送波手段から前記被計測物に向けて超音波が送波されてから被計測物の上面で反射した反射波を前記反射波受波手段が受けるまでの時間T1と、
前記超音波送波手段から前記被計測物に向けて超音波が送波されてから前記被計測物の下面で反射した反射波を前記反射波受波手段が受けるまでの時間T2とを比較して被計測物の厚さWを求める厚さ算出手段とを備えることを特徴とする厚さ計測装置。 - 前記流体供給手段が前記滑走部材に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の厚さ計測装置。
- 前記超音波送波手段から送波される超音波はパルス超音波であることを特徴とする請求項1または2に記載の厚さ計測装置。
- 前記厚さ算出手段は、前記被計測物の厚さWを次式から求めることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の厚さ計測装置。
W=V×(T2−T1)÷2
(Vは前記超音波送波手段から送波されて被計測物中を通過する超音波の音速) - 前記被計測物に加工液を供給しながら所定の加工を施す加工装置に具備され、該加工装置の加工液供給手段が前記流体供給手段とされることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の厚さ計測装置。
- 板状物をワークとし、該ワークの厚さを減じる研削手段を有する研削装置であって、
請求項1〜5のいずれかに記載の厚さ計測装置を備え、前記保持テーブル上に保持したワークを、該厚さ計測装置で該ワークの厚さを計測しながら研削するように構成された研削装置。 - 前記ワークに研削液を供給する研削液供給手段を有し、該研削液供給手段が前記流体供給手段とされることを特徴とする請求項6に記載の研削装置。
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---|---|---|---|
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JP2006020488A Pending JP2007199013A (ja) | 2006-01-30 | 2006-01-30 | 厚さ計測装置および研削装置 |
Country Status (1)
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