JP2009154282A - 板状物の研削方法 - Google Patents

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【課題】 計測器とチャックテーブル間距離が一定に保たれなくとも非接触で板状物の厚みを測定可能な板状物の研削方法を提供することである。
【解決手段】 板状物の研削方法であって、チャックテーブル上に流体層を形成し、この流体層を介してチャックテーブルに向けて超音波を放射し、超音波を放射してからチャックテーブルからの反射波を受信するまでの時間T1を計測する。次いで、厚さhの校正片をチャックテーブル上に載置し、超音波を放射してから校正片の上面での反射波を受信するまでの時間T2を計測する。時間T1,T2及び校正片の厚さhに基づいて、流体層の音速Crを算出する。次いで、校正片を取り外してチャックテーブル上に板状物を載置し、超音波を放射してから板状物の上面及び下面で反射した反射波を受信するまでの時間T3,T4を計測する。T1−T4及び流体層の音速Crに基づいて、板状物の音速Ciを算出し、(T4−T3)/2×Ciで求まる板状物の厚みtが所望厚さに一致した時に研削を終了する。
【選択図】図7

Description

本発明は、ウエーハ等の板状物の厚みを計測しながら板状物を研削する板状物の研削方法に関する。
IC、LSI等のデバイスが表面に複数個形成された半導体ウエーハ、ガラス基板、サファイア基板等の板状物は、研削装置によって裏面が研削されて所定の厚みに加工された後、ダイシング装置(切削装置)によって個々のデバイスに分割され、各種電子機器に広く利用される。
これらの板状物を所望の厚さに研削するには、厚さ計測器によって板状物の厚さを逐一検出しながら、所望の厚さに達した時点で研削を終了する。研削中の板状物の厚さを計測するために、計測器を板状物表面に接触させながら研削する方法が特開昭63−102872号公報又は特開2005−246491号公報で提案されている。
しかし、これらの接触式の計測器で板状物の厚さを計測する方法では、計測器が研削面に接触することで板状物の抗折強度を低下させてしまうという問題がある。また、例えば、板状物がシリコンや化合物半導体などの脆性材料であり、50μm程度と非常に薄く研削されている場合には、計測器が研削面に接触することで板状物を破損させてしまうという問題がある。
これらの問題を解決するために、超音波を利用して非接触で研削中の板状物の厚みを計測する方法が特開2007−199013号公報で提案されている。
特開昭63−102872号公報 特開2005−246491号公報 特開2007−199013号公報
特許文献3に開示された厚さ計測装置では、研削する板状物の音速や厚みを予め知っておく必要があるが、同一材料でもそのメーカーやロット、更には固体毎に音速や厚みが微妙に異なるため、研削する全ての板状物の音速や厚みを事前に測定することが必要となり、非常に煩雑である。
また、非接触式計測器は研削すべき板状物の搬入、搬出に際して計測位置から退避する必要があり、可動式に構成されている。更に、一般に研削装置では研削砥石やチャックテーブルの交換後には研削砥石とチャックテーブルとの平行度を出すために、研削砥石でチャックテーブルを削るセルフグラインドを実施する。
このセルフグラインドによりチャックテーブルは30〜40μm磨耗する。更には、研削時の研削荷重によってチャックテーブルの沈み込みが発生する。これらの理由から、非接触式計測器とチャックテーブル間距離を一定に保つことは非常に難しいという問題がある。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、計測器とチャックテーブル間距離が一定に保たれなくとも非接触で板状物の厚みを計測しながら研削可能な板状物の研削方法を提供することである。
本発明によると、チャックテーブルに保持された板状物を研削する板状物の研削方法であって、該チャックテーブルの上面に向けて流体層を介して超音波を放射してから該チャックテーブルの上面で反射した反射波が該流体層を介して受信されるまでの時間T1を計測し、該チャックテーブルの上面へ厚さhの校正片を載置し、該チャックテーブルで保持した厚さhの校正片に向けて該流体層を介して超音波を放射してから該校正片の上面で反射した反射波を該流体層を介して受信するまでの時間T2を計測し、前記時間T1,T2及び前記校正片の厚さhに基づいて、該流体層を形成する流体の音速Crを算出し、該チャックテーブルの上面から前記校正片を取り外して研削すべき板状物を該チャックテーブルの上面へ載置し、該チャックテーブルで保持した該板状物に向けて該流体層を介して超音波を放射してから該板状物の上面で反射した反射波を該流体層を介して受信するまでの時間T3を計測し、前記時間T1,T3及び算出した流体の音速Crに基づいて、該板状物の厚さtを算出し、該チャックテーブルで保持した厚さtの板状物に向けて該流体層を介して超音波を放射してから該板状物の下面で反射した反射波を該流体層を介して受信するまでの時間T4を計測し、前記時間T1−T4及び流体の音速Crに基づいて、該板状物の音速Ciを算出し、該板状物の研削を実施し、(T4−T3)/2×Ciで求まる該板状物の厚みtが所望厚さに一致した時に研削を終了する、各ステップを具備したことを特徴とする板状物の研削方法が提供される。
本発明によると、予め校正片を用いて流体層の音速を求め、この流体層の音速から研削すべき板状物の音速を求めることで、計測器とチャックテーブル間距離が一定に保たれなくとも非接触で板状物の厚みを計測することができる。
また、一つのロットの板状物研削後に次のロットの板状物を研削する際には、先に求めた流体層の音速から板状物の音速を求めることが可能であるため、研削前に研削すべき全ての板状物の厚みや音速を計測するのに比べて作業効率が良く、生産性が向上する。
以下、本発明実施形態のウエーハの研削方法を図面を参照して詳細に説明する。図1は所定の厚さに加工される前の半導体ウエーハの斜視図である。図1に示す半導体ウエーハ11は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハからなっており、表面11aに複数のストリート13が格子状に形成されているとともに、該複数のストリート13によって区画された複数の領域にIC,LSI等のデバイス15が形成されている。
このように構成された半導体ウエーハ11は、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19を備えている。また、半導体ウエーハ11の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ21が形成されている。
半導体ウエーハ11の表面11aには、保護テープ貼着工程により保護テープ23が貼着される。従って、半導体ウエーハ11の表面11aは保護テープ23によって保護され、図2に示すように裏面11bが露出する形態となる。
以下、このように構成された半導体ウエーハ11の裏面11bを所定厚さに研削する研削装置2を図3を参照して説明する。研削装置2のハウジング4は、水平ハウジング部分6と、垂直ハウジング部分8から構成される。
垂直ハウジング部分8には上下方向に伸びる1対のガイドレール12,14が固定されている。この一対のガイドレール12,14に沿って研削手段(研削ユニット)16が上下方向に移動可能に装着されている。研削ユニット16は支持部20を介して一対のガイドレール12,14に沿って上下方向に移動する移動基台18に取り付けられている。
研削ユニット16は、支持部20に取り付けられたスピンドルハウジング22と、スピンドルハウジング22中に回転可能に収容されたスピンドル24と、スピンドル24を回転駆動するサーボモータ26を含んでいる。
図6に最も良く示されるように、スピンドル24の先端部にはマウンター28が固定されており、このマウンター28には研削ホイール30がねじ止めされている。例えば、研削ホイール30はホイール基台32の自由端部に粒径0.3〜1.0μmのダイヤモンド砥粒をビトリファイドボンドで固めた複数の研削砥石34が固着されて構成されている。よって、研削面は鏡面となる。
研削手段(研削ユニット)16にはホース36を介して研削水が供給される。好ましくは、研削水としては純水が使用される。図5及び図6に示すように、ホース36から供給された研削水が、スピンドル24に形成された研削水供給穴38、マウンター28に形成された空間40及び研削ホイール30のホイール基台32に形成された複数の研削水供給ノズル42を介して研削砥石34及びチャックテーブル54に保持されたウエーハ11に供給される。
図3を再び参照すると、研削装置2は、研削ユニット16を一対の案内レール12,14に沿って上下方向に移動する研削ユニット送り機構44を備えている。研削ユニット送り機構44は、ボールねじ46と、ボールねじ46の一端部に固定されたパルスモータ48から構成される。パルスモータ48をパルス駆動すると、ボールねじ46が回転し、移動基台18の内部に固定されたボールねじ46のナットを介して移動基台18が上下方向に移動される。
水平ハウジング部分6の凹部10には、チャックテーブルユニット50が配設されている。チャックテーブルユニット50は、図4に示すように、支持基台52と、支持基台52に回転自在に配設されたチャックテーブル54を含んでいる。
チャックテーブルユニット50は更に、チャックテーブル54を挿通する穴を有したカバー56を備えている。カバー56には、ウエーハに非接触で研削中のウエーハの厚みを計測する非接触厚み計測装置57が回動可能に配設されている。
チャックテーブルユニット50は、チャックテーブル移動機構58により研削装置2の前後方向に移動される。チャックテーブル移動機構58は、ボールねじ60と、ボールねじ60のねじ軸62の一端に連結されたパルスモータ64から構成される。
パルスモータ64をパルス駆動すると、ボールねじ60のねじ軸62が回転し、このねじ軸62に螺合したナットを有する支持基台52が研削装置2の前後方向に移動する。よって、チャックテーブル54もパルスモータ64の回転方向に応じて、前後方向に移動する。
図3に示されているように、図4に示した一対のガイドレール66,68及びチャックテーブル移動機構58は蛇腹70,72により覆われている。すなわち、蛇腹70の前端部は凹部10を画成する前壁に固定され、後端部がカバー56の前端面に固定されている。また、蛇腹72の後端は垂直ハウジング部分8に固定され、その前端はカバー56の後端面に固定されている。
ハウジング4の水平ハウジング部分6には、第1のウエーハカセット74と、第2のウエーハカセット76と、ウエーハ搬送手段78と、ウエーハ仮載置手段80と、ウエーハ搬入手段82と、ウエーハ搬出手段84と、洗浄手段86が配設されている。更に、ハウジング4の前方にはオペレータが研削条件等を入力する操作手段88が設けられている。
また、水平ハウジング部分6の概略中央部には、チャックテーブル54を洗浄する洗浄水噴射ノズル90が設けられている。この洗浄水噴射ノズル90は、チャックテーブルユニット54がウエーハ搬入・搬出領域に位置づけられた状態において、チャックテーブル54に保持された研削加工後のウエーハに向けて洗浄水を噴出する。
チャックテーブルユニット50は、チャックテーブル移動機構58のパルスモータ64をパルス駆動することにより、図3に示した装置奥側の研削領域と、ウエーハ搬入手段82からウエーハを受け取りウエーハ搬出手段84にウエーハを受け渡す手前側のウエーハ搬入・搬出領域との間で移動される。
このように構成された研削装置2の研削作業について以下に説明する。第1のウエーハカセット74中に収容されるウエーハは、保護テープが表面側(回路が形成されている側の面)に装着された半導体ウエーハであり、従ってウエーハは裏面が上側に位置する状態で第1のカセット74中に収容されている。このように複数の半導体ウエーハを収容した第1のウエーハカセット74は、ハウジング4の所定のカセットを搬入領域に載置される。
そして、カセット搬入領域に載置された第1のウエーハカセット74に収容されていた研削加工前の半導体ウエーハが全て搬出されると、空のウエーハカセット74に変えて複数個の半導体ウエーハを収容した新しい第1のウエーハカセット74が手動でカセット搬入領域に載置される。
一方、ハウジング4の所定のカセット搬出領域に載置された第2のウエーハカセット76に所定枚数の研削加工後の半導体ウエーハが搬入されると、かかる第2のウエーハカセット76は手動で搬出されて、新しい空の第2のウエーハカセット76がカセット搬出領域に載置される。
第1のウエーハカセット74に収容された半導体ウエーハは、ウエーハ搬送ロボット78の上下動作及び進退動作により搬送され、ウエーハ位置決めテーブル80に載置される。
ウエーハ位置決めテーブル80に載置されたウエーハは、ここで中心合わせが行われた後にローディングアーム82の旋回動作によって、ウエーハ搬入・搬出領域に位置せしめられているチャックテーブルユニット50のチャックテーブル54に載置され、チャックテーブル54によって吸引保持される。
このようにチャックテーブル54がウエーハを吸引保持したならば、チャックテーブル移動機構58を作動して、チャックテーブルユニット50を移動して装置後方の研削領域に位置づける。
チャックテーブルユニット50が研削領域に位置づけられると、チャックテーブル54に保持されたウエーハの中心が研削ホイール30の外周円を僅かに超えた位置に位置づけられる。
次に、チャックテーブル54を例えば100〜300rpm程度で回転し、サーボモータ26を駆動して研削ホイール30を4000〜7000rpmで回転するとともに、研削ユニット送り機構44のパルスモータ48を駆動して研削ユニット16を下降させる。
そして、図6に示すように、研削ホイール30の研削砥石34をチャックテーブル54上のウエーハ11の裏面(被研削面)に所定の荷重で押圧することにより、ウエーハ11の裏面が研削される。
このようにして所定時間研削することにより、ウエーハ11が所定の厚さに研削される。ウエーハの研削中は、後で詳細に説明する非接触厚み計測装置57によってウエーハの厚みを計測しながらウエーハの研削を遂行する。
研削が終了すると、チャックテーブル移動機構58を駆動してチャックテーブル54を装置手前側のウエーハ搬入・搬出領域に位置付ける。チャックテーブル54がウエーハ搬入・搬出領域に位置付けられたならば、洗浄水噴射ノズル90から洗浄水を噴射して、チャックテーブル54に保持されている研削加工されたウエーハ11の被研削面(裏面)を洗浄する。
チャックテーブル54に保持されているウエーハ11の吸引保持が解除されてから、ウエーハ11はアンローディングアーム84により洗浄手段86に搬送される。洗浄手段86に搬送されたウエーハ11は、ここで洗浄されるとともにスピン乾燥される。次いで、ウエーハ11がウエーハ搬送ロボット78により第2のウエーハカセット76の所定位置に収納される。
次に、図7を参照して、本発明のウエーハの研削方法を実施するのに適した非接触厚み計測装置57の詳細について説明する。92は非接触厚み計測装置57のハウジングであり、このハウジング92の先端部92aと、隔壁94と、チャックテーブル54の上面との間に水充填室96が画成されている。
管路98の一端98aは水源100に接続され、他端98bは水充填室96に開口している。102は切替弁である。ハウジング92の先端92aとチャックテーブル54に保持されたウエーハ11との間の間隔は約0.5〜1mmに維持するのが好ましい。
切替弁102を開くと、水充填室96内に流体層97が形成される。水充填室96内に供給される水は純水が好ましい。水充填室96内に水を供給して流体層97を形成するのは、ウエーハ11の研削中にはチャックテーブル54上に研削水が常に供給されて研削が行われるため、流体層97を形成せずに超音波を放射すると、超音波は空気層及び不安定な研削水の層を通過するため、その伝達速度は安定しない。よって、超音波を流体層97を介して伝達することにより、放射される超音波を安定させるためである。
106は超音波素子(超音波振動子)であり、その下端部が水充填室96に突出するように隔壁94に取り付けられている。超音波素子106は、例えばチタン酸ジルコン酸鉛(PB(Zi,Ti)O)、チタン酸バリウム(BaTiO)、リチウムナイオベート(LiNbO)、リチウムタンタレート(LiTaO)等から構成されている。チタン酸ジルコン酸鉛は、PZTの通称で呼ばれることがある。
超音波素子106は、例えば6MHz〜20MHzの超音波を発生する。超音波素子106が発生した超音波は流体層97を伝達して、チャックテーブル54に向けて放出される。パルス電圧発生部108は、例えば250Vのパルス電圧を1秒間に1000回程度発振して超音波素子106を駆動する。
次に、図7に示された非接触厚み検出装置57を使用してウエーハの厚みを計測しながらウエーハを研削する本発明実施形態のウエーハの研削方法について説明する。
まず、図7に示すように、チャックテーブル54上にウエーハを載置せずに、パルス電圧発生部108でパルス電圧を発生して超音波素子106を駆動し、超音波素子106から超音波を放射させる。
そして、チャックテーブル54の上面に向けて流体層97を介して超音波を放射してからチャックテーブル54の上面で反射した反射波が流体層97を介して超音波素子106で受信されるまでの時間T1を時間計測部110で計測する。
次いで、図8(A)に示すように、チャックテーブル54の上面へ厚さhの校正片116を載置し、チャックテーブル54で校正片116を吸引保持する。そして、超音波素子106を駆動し、チャックテーブル54で保持した厚さhの校正片116に向けて流体層97を介して超音波を放射してから校正片116の上面で反射した反射波を超音波素子106が流体層97を介して受信するまでの時間T2を時間計測部110で計測する。
次いで、演算部112で時間T1,T2及び校正片116の厚さhに基づいて、流体層97を形成する流体の音速Crを算出する。即ち、流体の音速をCrとすると、下記の式(1)が成立する。
1/2T1×Cr=1/2T2×Cr+h … (1)
式(1)から流体の音速Crは、Cr=2h/(T1−T2)として算出される。
次いで、チャックテーブル54の上面から校正片116を取り外して、図8(B)に示すように、研削すべきウエーハ11をチャックテーブル54の上面へ載置し、チャックテーブル54でウエーハ11を吸引保持する。
そして、超音波素子106を駆動し、チャックテーブル54で保持したウエーハ11に向けて流体層97を介して超音波を放射してからウエーハ11の上面で反射した反射波を超音波素子106が流体層97を介して受信するまでの時間T3を時間計測部110で計測する。
次いで、演算部112で時間T1,T3及び算出した流体の音速Crに基づいて、ウエーハ11の厚さtを算出する。即ち、ウエーハ11の厚さをtとすると、下記の式(2)が成立する。
1/2T1×Cr=1/2T3Cr+t … (2)
式(2)からウエーハ11の厚さtは、t=(T1−T3)/2×Crとして算出される。
次いで、図8(C)に示すように、流体層97を介して超音波をウエーハ11に向けて放射してからウエーハ11の下面で反射した反射波を超音波素子106が流体層97を介して受信するまでの時間T4を時間計測部110で計測する。
そして、演算部112で時間T1〜T4及び流体の音速Crに基づいて、ウエーハ11の音速Ciを算出する。即ち、ウエーハ11の音速をCiとすると、以下の式(3)が成立する。
Ci×(T4−T3)/2=t=(T1−T3)/2×Cr … (3)
式(3)からウエーハ11の音速Ciは、Ci=(T1−T3)Cr/(T4−T3)として算出される。このように、ウエーハ11の音速Ciが算出されると、研削中のウエーハ11の厚みtは、下記の式(4)から求めることができる。
t=(T4−T3)/2×Ci … (4)
ウエーハ11の研削を継続することでT3とT4が変化し、演算部112で式(4)を演算して得られたウエーハ11の厚みtは研削装置2のコントローラ114に入力され、ウエーハ11の厚みtが所望厚さt´と一致した時に研削装置2によるウエーハ11の研削を終了する。なお、図8において、校正片116及びウエーハ11のサイズは実際のサイズより小さく描かれている。
以上説明した本発明実施形態のウエーハの研削方法によると、予め校正片116を用いて流体層97の音速Crを求め、この流体層97の音速Crから研削すべきウエーハ11の音速Ciを求めることで、超音波素子106とチャックテーブル54間の距離が一定に保たれなくとも非接触でウエーハ11の厚みを計測することが可能となる。
また、一つのロットのウエーハの研削後に次のロットのウエーハを研削する際には、先に求めた流体層97の音速Crからウエーハの音速Ciを求めることが可能であるため、研削前に研削すべき全てのウエーハの厚みや音速を測定するのに比べて作業効率が良く、生産性を向上することができる。
半導体ウエーハの表側斜視図である。 保護テープが貼着された半導体ウエーハの裏面側斜視図である。 本発明実施形態の研削方法を実施するのに適した研削装置の外観斜視図である。 チャックテーブルユニット及びチャックテーブル送り機構の斜視図である。 下側から見た研削ホイールの斜視図である。 研削ホイールの縦断面図である。 本発明の研削方法を実施するのに適した非接触厚み計測装置の一部断面ブロック図である。 本発明の研削方法を説明する説明図である。
符号の説明
2 研削装置
11 半導体ウエーハ
16 研削手段(研削ユニット)
24 スピンドル
26 サーボモータ
30 研削ホイール
34 研削砥石
50 チャックテーブルユニット
54 チャックテーブル
57 非接触厚み計測装置
106 超音波素子
108 パルス電圧発生部
110 時間計測部
112 演算部

Claims (1)

  1. チャックテーブルに保持された板状物を研削する板状物の研削方法であって、
    該チャックテーブルの上面に向けて流体層を介して超音波を放射してから該チャックテーブルの上面で反射した反射波が該流体層を介して受信されるまでの時間T1を計測し、
    該チャックテーブルの上面へ厚さhの校正片を載置し、
    該チャックテーブルで保持した厚さhの校正片に向けて該流体層を介して超音波を放射してから該校正片の上面で反射した反射波を該流体層を介して受信するまでの時間T2を計測し、
    前記時間T1,T2及び前記校正片の厚さhに基づいて、該流体層を形成する流体の音速Crを算出し、
    該チャックテーブルの上面から前記校正片を取り外して研削すべき板状物を該チャックテーブルの上面へ載置し、
    該チャックテーブルで保持した該板状物に向けて該流体層を介して超音波を放射してから該板状物の上面で反射した反射波を該流体層を介して受信するまでの時間T3を計測し、
    前記時間T1,T3及び算出した流体の音速Crに基づいて、該板状物の厚さtを算出し、
    該チャックテーブルで保持した厚さtの板状物に向けて該流体層を介して超音波を放射してから該板状物の下面で反射した反射波を該流体層を介して受信するまでの時間T4を計測し、
    前記時間T1−T4及び流体の音速Crに基づいて、該板状物の音速Ciを算出し、
    該板状物の研削を実施し、
    (T4−T3)/2×Ciで求まる該板状物の厚みtが所望厚さに一致した時に研削を終了する、
    各ステップを具備したことを特徴とする板状物の研削方法。
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