CN110310887B - 晶片的生成方法和晶片的生成装置 - Google Patents

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Abstract

提供晶片的生成方法和晶片的生成装置，能够容易地以剥离层为起点将晶片从六方晶单晶锭剥离，并且能够容易地判别出晶片从六方晶单晶锭的剥离已完成。晶片的生成方法包含如下的工序：剥离层形成工序，将对于六方晶单晶锭(50)具有透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点(FP)定位于距离六方晶单晶锭(50)的端面相当于要生成的晶片的厚度的深度而对六方晶单晶锭(50)照射激光光线，从而形成剥离层(74)；超声波产生工序，将超声波产生单元(6)定位成隔着水层(LW)与要生成的晶片面对，使该超声波产生单元(6)产生超声波而将剥离层(74)破坏；以及剥离检测工序，将拍摄单元(10)定位于要生成的晶片的侧面而对要从六方晶单晶锭(50)生成的晶片的剥离进行检测。

Description

晶片的生成方法和晶片的生成装置
技术领域
本发明涉及晶片的生成方法和晶片的生成装置，从六方晶单晶锭生成晶片。
背景技术
IC、LSI、LED等器件是在以Si(硅)或Al2O3(蓝宝石)等为原材料的晶片的正面上层叠功能层并由分割预定线划分而形成的。另外，功率器件、LED等是在以单晶SiC(碳化硅)为原材料的晶片的正面上层叠功能层并由分割预定线划分而形成的。形成有器件的晶片通过切削装置、激光加工装置对分割预定线实施加工而分割成各个器件芯片，分割得到的各器件芯片被用于移动电话或个人计算机等电子设备。
供器件形成的晶片通常是利用线切割机将圆柱形状的半导体锭薄薄地切断而生成的。切断得到的晶片的正面和背面通过研磨而精加工成镜面(例如，参照专利文献1)。但是，当利用线切割机将半导体锭切断并对切断得到的晶片的正面和背面进行研磨时，半导体锭的大部分(70％～80％)会被浪费，存在不经济的问题。特别是六方晶单晶SiC锭，其硬度高，难以利用线切割机切断，需要花费相当长的时间，因此生产率差，并且六方晶单晶锭的单价高，在高效地生成晶片方面具有课题。
因此，本申请人提出了下述技术：将对于六方晶单晶SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于六方晶单晶SiC锭的内部而对六方晶单晶SiC锭照射激光光线，在切断预定面形成剥离层，以剥离层为起点将晶片从六方晶单晶SiC锭剥离(例如，参照专利文献2)。
专利文献1：日本特开2000-94221号公报
专利文献2：日本特开2016-111143号公报
但是，存在如下的问题：难以以剥离层为起点将晶片从六方晶单晶锭剥离，生产效率较差。另外，还存在如下的问题：难以判别晶片从六方晶单晶锭的剥离是否完成。
发明内容
由此，本发明的目的在于提供晶片的生成方法和晶片的生成装置，能够容易地以剥离层为起点将晶片从六方晶单晶锭剥离，并且能够容易地判别晶片从六方晶单晶锭的剥离已完成。
根据本发明的一个方式，提供晶片的生成方法，从六方晶单晶锭生成晶片，其中，该晶片的生成方法具有如下的工序：剥离层形成工序，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于距离六方晶单晶锭的端面相当于要生成的晶片的厚度的深度而对六方晶单晶锭照射激光光线，从而形成剥离层；超声波产生工序，将超声波产生单元定位成隔着水层而与要生成的晶片面对，使该超声波产生单元产生超声波而将剥离层破坏；以及剥离检测工序，将拍摄单元定位于要生成的晶片的侧面，对要从六方晶单晶锭生成的晶片的剥离进行检测。
优选六方晶单晶锭是六方晶单晶SiC锭，其具有c轴和与c轴垂直的c面，在该剥离层形成工序中，将对于六方晶单晶SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于距离六方晶单晶SiC锭的端面相当于要生成的晶片的厚度的深度而对六方晶单晶SiC锭照射激光光线从而形成剥离层，该剥离层由使SiC分离成Si和C而得的改质部和从改质部沿着c面按照各向同性延伸的裂纹构成。优选六方晶单晶锭是c轴相对于端面的垂线倾斜并且通过c面和端面形成有偏离角的六方晶单晶SiC锭，在该剥离层形成工序中，该剥离层按照如下的方式形成：在与形成有偏离角的方向垂直的方向上连续地形成改质部而生成从改质部沿着c面按照各向同性延伸的裂纹，在形成有偏离角的方向上在不超过裂纹的宽度的范围内将六方晶单晶SiC锭和聚光点相对地进行转位进给，在与形成有偏离角的方向垂直的方向上连续地形成改质部而依次生成从改质部沿着c面按照各向同性延伸的裂纹，从而形成所述剥离层。
根据本发明的另一方式，提供晶片的生成装置，其从形成有剥离层的六方晶单晶锭生成晶片，所述剥离层按照如下的方式形成：将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于距离六方晶单晶锭的端面相当于要生成的晶片的厚度的深度而对六方晶单晶锭照射激光光线，从而形成该剥离层，其中，该晶片的生成装置具有：超声波产生单元，其具有与要生成的晶片面对的端面，该超声波产生单元隔着水层而产生超声波；拍摄单元，其定位于要生成的晶片的侧面；以及剥离检测构件，其与该拍摄单元连结，根据要生成的晶片与六方晶单晶锭之间的间隔的变化，对要从六方晶单晶锭生成的晶片的剥离进行检测。
根据本发明的晶片的生成方法，能够容易地以剥离层为起点将晶片从六方晶单晶锭剥离，并且能够根据要生成的晶片的上表面的高度的变化容易地判别出晶片从六方晶单晶锭的剥离已完成。
根据本发明的晶片的生成装置，能够容易地以剥离层为起点将晶片从六方晶单晶锭剥离，并且能够根据要生成的晶片的上表面的高度的变化容易地判别出晶片从六方晶单晶锭的剥离已完成。
附图说明
图1是本发明实施方式的晶片的生成装置的立体图。
图2是示出将SiC锭保持于图1所示的锭保持单元的状态的晶片的生成装置的立体图。
图3的(a)是SiC锭的主视图，图3的(b)是SiC锭的俯视图。
图4的(a)是示出在图3所示的SiC锭上形成剥离层的状态的立体图，图4的(b)是示出在图3所示的SiC锭上形成剥离层的状态的主视图。
图5的(a)是形成有剥离层的SiC锭的俯视图，图5的(b)是图5的(a)中的B-B线剖视图。
图6是示出对SiC锭赋予超声波的状态的晶片的生成装置的主视图。
图7的(a)是赋予超声波前的SiC锭的二值化处理图像的示意图，图7的(b)是要生成的晶片与SiC锭之间的间隔超过了规定的值时的二值化处理图像的示意图。
图8是示出使晶片保持构件紧贴于已剥离的晶片的状态的晶片的生成装置的主视图。
图9是示出通过晶片保持构件对已剥离的晶片进行吸引保持的状态的晶片的生成装置的主视图。
标号说明
2：晶片的生成装置；6：超声波产生单元；6a：超声波产生单元的端面；10：拍摄单元；12：剥离检测构件；50：锭；52：第一端面；54：第二端面；58：第一端面的垂线；70：改质部；72：裂纹；74：剥离层；76：晶片；α：偏离角；A：形成有偏离角的方向；LB：激光光线；FP：聚光点；LW：水层。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的晶片的生成方法和晶片的生成装置的实施方式进行说明。
首先，对本发明的晶片的生成装置的实施方式进行说明。图1所示的晶片的生成装置2具有：锭保持单元4，其对六方晶单晶锭(以下简称为锭)进行保持；超声波产生单元6，其具有与要生成的晶片面对的端面6a，隔着水层而产生超声波；水提供构件8，其对要生成的晶片与超声波产生单元6之间提供水而生成水层；拍摄单元10，其定位于要生成的晶片的侧面；剥离检测构件12，其与拍摄单元10连结，根据要生成的晶片与锭之间的间隔的变化，对要从锭生成的晶片的剥离进行检测；以及晶片保持构件14，其对从锭剥离后的晶片进行保持。
参照图1和图2，对锭保持单元4进行说明。本实施方式中的锭保持单元4具有：圆柱状的基台16；圆柱状的保持工作台18，其旋转自如地搭载于基台16的上表面上；以及电动机(未图示)，其以通过保持工作台18的径向中心且在上下方向上延伸的轴线为中心而使保持工作台18旋转。锭保持单元4能够对借助适当的粘接剂(例如环氧树脂系粘接剂)而固定于保持工作台18的上表面上的锭进行保持。或者，锭保持单元4也可以构成为将与吸引构件(未图示)连结的多孔质的吸附卡盘(未图示)配置于保持工作台18的上端部分，利用吸引构件在吸附卡盘的上表面上生成吸引力，从而对锭进行吸引保持。
本实施方式中的晶片的生成装置2还具有Y轴方向移动机构20，该Y轴方向移动机构20使超声波产生单元6、水提供构件8以及晶片保持构件14在图1中箭头Y所示的Y轴方向上移动。Y轴方向移动机构20包含：长方体状的框体22，其形成有沿Y轴方向延伸的长方形状的引导开口22a；第一滚珠丝杠(未图示)，其在框体22的内部沿Y轴方向延伸；第一移动片24，其从与第一滚珠丝杠连结的基端部沿图1中箭头X所示的X轴方向延伸；第一电动机26，其与第一滚珠丝杠的一个端部连结；第二滚珠丝杠(未图示)，其在框体22的内部沿Y轴方向延伸；第二移动片28，其从与第二滚珠丝杠连结的基端部沿X轴方向延伸；以及第二电动机30，其与第二滚珠丝杠的一个端部连结。并且，Y轴方向移动机构20通过第一滚珠丝杠将第一电动机26的旋转运动转换成直线运动并传递至第一移动片24，使第一移动片24沿着引导开口22a在Y轴方向上移动，并且通过第二滚珠丝杠将第二电动机30的旋转运动转换成直线运动并传递至第二移动片28，使第二移动片28沿着引导开口22a在Y轴方向上移动。另外，X轴方向与Y轴方向垂直，由X轴方向和Y轴方向所限定的平面实质上是水平的。
在本实施方式中，如图1所示，在第一移动片24的前端下表面上连接有向下方延伸的圆柱状的第一升降构件32，在第一升降构件32的下端连接有圆柱状的超声波产生单元6。因此，通过使第一移动片24在Y轴方向上移动，第一升降构件32和超声波产生单元6在Y轴方向上移动。第一升降构件32例如可以由具有滚珠丝杠和电动机的电动气缸构成。并且，在第一升降构件32中，使超声波产生单元6升降并且在任意的位置停止，从而使超声波产生单元6的下侧的圆形状端面6a与要生成的晶片面对。超声波产生单元6由压电陶瓷等形成，产生超声波。
如图1所示，水提供构件8包含：圆筒状的连接口34，其附设于第一移动片24的前端上表面上；喷嘴36，其升降自如地支承于第一移动片24的前端下表面上；以及喷嘴升降机构(未图示)，其使喷嘴36升降。因此，通过使第一移动片24移动，水提供构件8在Y轴方向上移动。连接口34经由适当的供水软管(未图示)而与水提供源(未图示)连接。喷嘴36与超声波产生单元6在Y轴方向上隔开间隔而从第一移动片24的前端下表面向下方延伸，接着朝向超声波产生单元6略微向下方倾斜，并且在Y轴方向上延伸。另外，喷嘴36形成为中空状，与连接口34连通。喷嘴升降机构例如可以由电动气缸构成，该喷嘴升降机构使喷嘴36升降并且在任意的位置停止，从而将喷嘴36的出口36a定位于要生成的晶片与超声波产生单元6的端面6a之间。这样构成的水提供构件8将从水提供源提供至连接口34的水从喷嘴36的出口36a提供至要生成的晶片与超声波产生单元6的端面6a之间，生成水层。
在本实施方式中，如图1所示，拍摄单元10配置在喷嘴36的背后，以使得从喷嘴36的出口36a提供的水不会溅到拍摄单元10，拍摄单元10借助支承托架(未图示)而支承为升降自如。另外，拍摄单元10通过可由电动气缸构成的升降结构(未图示)进行升降，并且在任意的位置停止。并且，拍摄单元10定位于要生成的晶片的侧面，对形成于锭的剥离层、要生成的晶片与锭之间的间隔进行拍摄。另外，只要是不会因来自喷嘴36的出口36a的水而妨碍拍摄的位置，则拍摄单元10的配置可以不是喷嘴36的背后。对与拍摄单元10电连结的剥离检测构件12输入从拍摄单元10输出的电信号。剥离检测构件12由计算机构成，其包含：中央处理装置(CPU)，其按照控制程序进行运算处理；只读存储器(ROM)，其保存控制程序等；以及能够读写的随机存取存储器(RAM)，其保存运算结果等。并且，在剥离检测构件12中，根据要生成的晶片与锭之间的间隔的变化，对要从锭生成的晶片的剥离进行检测。具体而言，对拍摄单元10所拍摄到的锭50的图像实施二值化处理，在要生成的晶片与锭之间的间隔达到规定的值以上时，检测为晶片已剥离。
参照图1继续进行说明，在第二移动片28的前端下表面上连接有晶片保持构件14，通过使第二移动片28在Y轴方向上移动，晶片保持构件14在Y轴方向上移动。晶片保持构件14具有：圆柱状的第二升降构件38，其从第二移动片28的前端下表面向下方延伸；以及圆板状的保持片40，其与第二升降构件38的下端连接，对从锭剥离后的晶片进行吸引保持。第二升降构件38例如由电动气缸构成，通过使保持片40升降并且在任意的位置停止而使保持片40的下表面与要生成的晶片接触。在保持片40的下端部分附设有与吸引构件(未图示)连接的多孔质的吸附卡盘(未图示)。并且，在晶片保持构件14中，在使保持片40的下表面与已从锭剥离的晶片接触的状态下，利用吸引构件在吸附卡盘的下表面上生成吸引力，从而能够利用保持片40对已从锭剥离的晶片进行吸引保持。
在图3中示出了形成剥离层之前的状态下的锭50。锭50由六方晶单晶SiC整体形成为圆柱形状，锭50具有：圆形状的第一端面52；与第一端面52相反的一侧的圆形状的第二端面54；位于第一端面52和第二端面54之间的周面56；从第一端面52至第二端面54的c轴(＜0001＞方向)；以及与c轴垂直的c面({0001}面)。在锭50中，c轴相对于第一端面52的垂线58倾斜，通过c面和第一端面52形成有偏离角α(例如α＝1度、3度、6度)。在图3中用箭头A表示形成有偏离角α的方向。另外，在锭50的周面56上形成有表示晶体取向的矩形状的第一定向平面60和第二定向平面62。第一定向平面60与形成有偏离角α的方向A平行，第二定向平面62与形成有偏离角α的方向A垂直。如图3的(b)所示，在从上方观察时，第二定向平面62的长度L2比第一定向平面60的长度L1短(L2＜L1)。另外，在形成了剥离层之后能够通过上述的晶片的生成装置2剥离出晶片的锭并不限于上述锭50，例如可以为c轴相对于第一端面的垂线不倾斜、c面与第一端面的偏离角为0度(即，第一端面的垂线与c轴一致)的六方晶单晶SiC锭，或者可以为GaN(氮化镓)等由六方晶单晶SiC以外的原材料形成的六方晶单晶锭。
接着，对本发明的晶片的生成方法的实施方式进行说明。在本实施方式中，首先实施剥离层形成工序，将对于锭50具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于距离锭50的端面相当于要生成的晶片的厚度的深度而对锭50照射激光光线，形成剥离层。剥离层形成工序例如可以使用在图4中示出一部分的激光加工装置64来实施。激光加工装置64具有：卡盘工作台66，其对被加工物进行保持；以及聚光器68，其对卡盘工作台66所保持的被加工物照射脉冲激光光线LB。构成为在上表面上对被加工物进行吸引保持的卡盘工作台66利用旋转构件(未图示)以沿上下方向延伸的轴线为中心进行旋转，并且利用x轴方向移动构件(未图示)在x轴方向上进退，利用y轴方向移动构件(未图示)在y轴方向上进退。聚光器68包含聚光透镜(未图示)，该聚光透镜用于对激光加工装置64的脉冲激光光线振荡器(未图示)所振荡出的脉冲激光光线LB进行会聚而照射至被加工物。另外，x轴方向是图4中箭头x所示的方向，y轴方向是图4中箭头y所示的方向，是与x轴方向垂直的方向。由x轴方向和y轴方向所限定的平面实质上是水平的。另外，图1中大写字母的X和Y所示的X轴方向和Y轴方向与图4中小写字母的x和y所示的x轴方向和y轴方向可以一致，也可以不同。
参照图4继续进行说明，在剥离层形成工序中，首先使锭50的一个端面(在本实施方式中为第一端面52)朝上而将锭50吸引保持于卡盘工作台66的上表面上。或者也可以在锭50的另一端面(在本实施方式中为第二端面54)与卡盘工作台66的上表面之间夹设粘接剂(例如环氧树脂系粘接剂)而将锭50固定于卡盘工作台66。接着，利用激光加工装置64的拍摄单元(未图示)从上方对锭50进行拍摄。接着，根据拍摄单元所拍摄的锭50的图像，利用激光加工装置64的x轴方向移动构件、y轴方向移动构件以及旋转构件使卡盘工作台66移动和旋转，从而将锭50的朝向调整为规定的朝向，并且对锭50和聚光器68在xy平面上的位置进行调整。在将锭50的朝向调整为规定的朝向时，如图4的(a)所示，通过使第二定向平面62与x轴方向一致而使与形成有偏离角α的方向A垂直的方向对齐在x轴方向上，并且使形成有偏离角α的方向A对齐在y轴方向上。接着，利用激光加工装置64的聚光点位置调整构件(未图示)使聚光器68升降，如图4的(b)所示，将聚光点FP定位于距离锭50的第一端面52相当于要生成的晶片的厚度的深度(例如300μm)。接着，进行剥离层形成工序，一边使卡盘工作台66在与垂直于形成有偏离角α的方向A的方向对齐的x轴方向上按照规定的进给速度进行移动，一边从聚光器68对锭50照射对于单晶SiC具有透过性的波长的脉冲激光光线LB。当进行剥离层形成加工时，如图5所示，在与形成有偏离角α的方向A垂直的方向上连续地形成改质部70，并且生成从改质部70沿着c面各向同性地延伸的裂纹72，其中，随着脉冲激光光线LB的照射，使SiC分离成Si(硅)和C(碳)，接着照射的脉冲激光光线LB被之前形成的C吸收，使SiC连锁性地分离成Si和C而形成改质部70。另外，在进行剥离层形成加工时，也可以代替卡盘工作台66而使聚光器68移动。
参照图4和图5继续进行说明，接续于剥离层形成加工而继续利用y轴方向移动构件使卡盘工作台66移动，从而将锭50和聚光点FP在与形成有偏离角α的方向A对齐的y轴方向上在不超过裂纹72的宽度的范围内按照规定的转位量Li(例如250μm～400μm)相对地进行转位进给。另外，在转位进给时，也可以代替卡盘工作台66而使聚光器68移动。并且，交替地反复进行剥离层形成加工和转位进给，从而在形成有偏离角α的方向A上隔开规定的转位量Li的间隔形成多个在与形成有偏离角α的方向A垂直的方向上连续延伸的改质部70，并且依次生成从改质部70沿着c面按照各向同性延伸的裂纹72，在形成有偏离角α的方向A上相邻的裂纹72与裂纹72在从上下方向观察时是重叠的。由此，能够在距离锭50的第一端面52相当于要生成的晶片的厚度的深度形成由多个改质部70和裂纹72构成的、用于将晶片从锭50剥离的强度降低的剥离层74。另外，剥离层形成工序例如可以在以下的加工条件下进行。
在实施了剥离层形成工序之后，实施超声波产生工序，将超声波产生单元6定位成隔着水层与要生成的晶片面对，使该超声波产生单元6产生超声波而将剥离层74破坏。在本实施方式中的超声波产生工序中，首先如图2所示，使作为接近剥离层74的端面的第一端面52朝上而利用锭保持单元4对锭50进行保持。此时，可以在锭50的第二端面54与保持工作台18的上表面之间夹设粘接剂(例如环氧树脂系粘接剂)而将锭50固定于保持工作台18，或者也可以在保持工作台18的上表面上生成吸引力而对锭50进行吸引保持。接着，利用Y轴方向移动机构20的第一电动机26使第一移动片24移动，如图1所示使超声波产生单元6的端面6a与要生成的晶片(在本实施方式中是从第一端面52至剥离层74的部分)面对。接着，利用第一升降构件32使超声波产生单元6下降，若第一端面52与超声波产生单元6的端面6a之间达到规定的尺寸(例如2mm～3mm左右)，则停止第一升降构件32的动作。另外，利用喷嘴升降机构使喷嘴36移动，将喷嘴36的出口36a定位于第一端面52与超声波产生单元6的端面6a之间。接着，利用电动机使保持工作台18旋转，并且如图6所示，一边利用第一电动机26使第一移动片24在Y轴方向上移动，一边从喷嘴36的出口36a对第一端面52与超声波产生单元6的端面6a之间提供水，生成水层LW，并且使超声波产生单元6产生超声波。此时，使保持工作台18旋转并且使第一移动片24在Y轴方向上移动，以使得超声波产生单元6在整个第一端面52通过，从而对剥离层74整体赋予超声波。由此，借助水层LW将超声波传递至锭50而使剥离层74破坏，从而能够以剥离层74为起点从锭50剥离要生成的晶片76。
在超声波产生工序中，优选超声波产生单元6所产生的超声波的频率是锭50的固有频率附近的频率，通过这样设定超声波的频率，即使是比较低的输出(例如200W左右)的超声波，也能够利用比较短的时间(1分钟～3分钟左右)高效地将晶片76从锭50剥离。锭50的固有频率附近的频率具体是指锭50的固有频率的0.8倍～1.2倍左右，例如在锭50的固有频率为25kHz的情况下，为20kHz～30kHz左右。另外，即使是超过锭50的固有频率附近的频率的频率(在上述例子中为超过30kHz的频率)，只要是比较高的输出(例如400W～500W左右)的超声波，则也能够利用比较短的时间高效地将晶片76从锭50剥离。
另外，在超声波产生工序中，优选将提供至锭50的第一端面52与超声波产生单元6的端面6a之间的水的温度设定成使超声波产生单元6产生超声波时能够抑制水层LW产生气穴(Cavitation)的温度。具体而言，优选水的温度设定为0℃～25℃，由此超声波的能量不会转换成气穴，超声波的能量有效地传递至剥离层74，高效地破坏剥离层74。
如上所述，在实施超声波产生工序时，实施剥离检测工序，将拍摄单元10定位于要生成的晶片76的侧面，对要从锭生成的晶片的剥离进行检测，在剥离检测工序中，当剥离检测构件12检测到晶片76已从锭50剥离时(完成了晶片76的剥离时)，结束超声波产生工序。在本实施方式的剥离检测工序中，首先，将拍摄单元10定位于要生成的晶片76的侧面，利用拍摄单元10对锭50的上端部分进行拍摄。接着，通过剥离检测构件12对拍摄单元10所拍摄的图像实施二值化处理，对要生成的晶片76与锭50之间的间隔进行检测。在图7的(a)中示出了通过剥离检测构件12对在向锭赋予超声波之前由拍摄单元10拍摄到的图像实施了二值化处理后的图像的示意图。在图7的(a)所示的图像中，剥离层74的厚度(例如100μm左右)被检测为要生成的晶片76与锭50之间的间隔。当对锭50赋予超声波时，剥离层74被破坏，并且要生成的晶片76与锭50之间的间隔扩大。在要生成的晶片76与锭50之间的间隔为作为晶片76是否已从锭50剥离的基准的规定的值(例如400μm～500μm左右)以下的情况下，通过剥离检测构件12判定为要生成的晶片76未完全从锭50剥离的状态(晶片76的全部或一部分未发生剥离的状态)，继续进行超声波产生工序。然后，如图7的(b)所示，在要生成的晶片76与锭50之间的间隔达到上述规定的值以上时，剥离检测构件12检测为要生成的晶片76已从锭50剥离。在本实施方式中，在超声波产生工序时，保持工作台18进行旋转，因此剥离检测构件12在锭50的整个圆周上对要生成的晶片76与锭50之间的间隔进行检测，当在锭50的整个圆周上检测出的间隔达到上述规定的值以上的情况下，检测为要生成的晶片76已全部从锭50剥离。这样，当检测到要生成的晶片76的剥离时，结束超声波产生工序和剥离检测工序。
在实施了超声波产生工序和剥离检测工序之后，利用第一电动机26使第一移动片24移动，使超声波产生单元6和喷嘴36从锭50的上方离开，并且利用第二电动机30使第二移动片28移动，将晶片保持构件14定位于锭50的上方。接着，如图8所示，利用第二升降构件38使保持片40下降，使保持片40的下表面与第一端面52接触。接着，使与保持片40连接的吸引构件进行动作，在保持片40的下表面上生成吸引力，从而利用保持片40对已剥离的晶片76进行吸引保持。然后，如图9所示，利用第二升降构件38使保持片40上升，并且利用第二电动机30使第二移动片28移动，从而对已剥离的晶片76进行搬送。
如上所述，在本实施方式中，能够容易地以剥离层74为起点将晶片76从锭50剥离，并且能够容易地判别晶片76从锭50的剥离已完成。在本实施方式中，当晶片76的剥离完成时，结束超声波产生工序，因此不会不必要地增大超声波产生工序的时间，能够实现生产率的提高。另外，在本实施方式中，从水提供构件8对要生成的晶片76与超声波产生单元6的端面6a之间提供水，从而在要生成的晶片76与超声波产生单元6的端面6a之间生成水层LW，借助水层LW将超声波传递至锭50，因此不使用水槽便能够将晶片76从锭50剥离，因此能够节约在水槽中贮存水的时间及水的使用量，是经济的。
另外，在本实施方式的剥离层形成工序中对如下的例子进行了说明：在与形成有偏离角α的方向A垂直的方向上连续地形成改质部70，在形成有偏离角α的方向A上进行转位进给，但形成改质部70的方向可以不是与形成有偏离角α的方向A垂直的方向，进行转位进给的方向可以不是形成有偏离角α的方向A。另外，在本实施方式中，对使超声波产生单元6升降的第一升降构件32以及使喷嘴36升降的喷嘴升降机构为各自分开的结构的例子进行了说明，但也可以利用设置于第一移动片24的共通的升降机构使超声波产生单元6和喷嘴36升降，或者也可以通过使Y轴方向移动机构20的框体22升降而使超声波产生单元6、喷嘴36以及晶片保持构件14升降。

Claims (4)

1.一种晶片的生成方法，从六方晶单晶锭生成晶片，其中，
该晶片的生成方法具有如下的工序：
剥离层形成工序，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于距离六方晶单晶锭的端面相当于要生成的晶片的厚度的深度而对六方晶单晶锭照射激光光线，从而形成剥离层；
超声波产生工序，将超声波产生单元定位成隔着水层而与要生成的晶片面对，使该超声波产生单元产生超声波而将剥离层破坏；以及
剥离检测工序，将拍摄单元定位于要生成的晶片的侧面，对要生成的晶片与六方晶单晶锭之间的间隔进行拍摄，从而对要从六方晶单晶锭生成的晶片的剥离进行检测。
2.根据权利要求1所述的晶片的生成方法，其中，
六方晶单晶锭是六方晶单晶SiC锭，其具有c轴和与c轴垂直的c面，
在该剥离层形成工序中，将对于六方晶单晶SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于距离六方晶单晶SiC锭的端面相当于要生成的晶片的厚度的深度而对六方晶单晶SiC锭照射激光光线，从而形成剥离层，该剥离层由使SiC分离成Si和C而得的改质部和从改质部沿着c面按照各向同性延伸的裂纹构成。
3.根据权利要求2所述的晶片的生成方法，其中，
六方晶单晶锭是c轴相对于端面的垂线倾斜并且通过c面和端面形成有偏离角的六方晶单晶SiC锭，
在该剥离层形成工序中，该剥离层按照如下的方式形成：在与形成有偏离角的方向垂直的方向上连续地形成改质部而生成从改质部沿着c面按照各向同性延伸的裂纹，在形成有偏离角的方向上在不超过裂纹的宽度的范围内将六方晶单晶SiC锭和聚光点相对地进行转位进给，在与形成有偏离角的方向垂直的方向上连续地形成改质部而依次生成从改质部沿着c面按照各向同性延伸的裂纹，从而形成所述剥离层。
4.一种晶片的生成装置，其从形成有剥离层的六方晶单晶锭生成晶片，所述剥离层按照如下的方式形成：将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于距离六方晶单晶锭的端面相当于要生成的晶片的厚度的深度而对六方晶单晶锭照射激光光线，从而形成该剥离层，其中，
该晶片的生成装置具有：
超声波产生单元，其具有与要生成的晶片面对的端面，该超声波产生单元隔着水层而产生超声波；
拍摄单元，其定位于要生成的晶片的侧面，对要生成的晶片与六方晶单晶锭之间的间隔进行拍摄；以及
剥离检测构件，其与该拍摄单元连结，根据要生成的晶片与六方晶单晶锭之间的间隔的变化，对要从六方晶单晶锭生成的晶片的剥离进行检测。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7123583B2 (ja) * 2018-03-14 2022-08-23 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法およびウエーハの生成装置
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
JP7237427B2 (ja) * 2019-05-14 2023-03-13 株式会社ディスコ ウェーハの製造方法、及びインゴットの分断装置
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
JP7330771B2 (ja) * 2019-06-14 2023-08-22 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法およびウエーハの生成装置
JP7321888B2 (ja) * 2019-10-24 2023-08-07 株式会社ディスコ ＳｉＣインゴットの加工方法およびレーザー加工装置
JP7453013B2 (ja) * 2020-02-14 2024-03-19 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP7417464B2 (ja) * 2020-05-01 2024-01-18 株式会社ディスコ ウェーハの生成方法
JP2022096455A (ja) * 2020-12-17 2022-06-29 株式会社ディスコ ウエーハの生成装置
JP2023003324A (ja) * 2021-06-23 2023-01-11 株式会社ディスコ 剥離装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009154282A (ja) * 2007-12-28 2009-07-16 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の研削方法
JP2016132047A (ja) * 2015-01-16 2016-07-25 株式会社ディスコ 被加工物の研削方法
CN105855732A (zh) * 2015-02-09 2016-08-17 株式会社迪思科 晶片的生成方法
JP2016225534A (ja) * 2015-06-02 2016-12-28 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
CN107283078A (zh) * 2016-04-11 2017-10-24 株式会社迪思科 晶片生成方法和加工进给方向检测方法
CN107790898A (zh) * 2016-08-29 2018-03-13 株式会社迪思科 SiC晶片的生成方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000094221A (ja) 1998-09-24 2000-04-04 Toyo Advanced Technologies Co Ltd 放電式ワイヤソー
TWI236944B (en) * 2001-12-17 2005-08-01 Tokyo Electron Ltd Film removal method and apparatus, and substrate processing system
JP2005251986A (ja) * 2004-03-04 2005-09-15 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分離検出方法および分離検出装置
JP2007266557A (ja) * 2006-03-30 2007-10-11 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
US9847243B2 (en) * 2009-08-27 2017-12-19 Corning Incorporated Debonding a glass substrate from carrier using ultrasonic wave
JP6071775B2 (ja) * 2013-06-26 2017-02-01 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6366996B2 (ja) * 2014-05-19 2018-08-01 株式会社ディスコ リフトオフ方法
JP6399913B2 (ja) 2014-12-04 2018-10-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6391471B2 (ja) * 2015-01-06 2018-09-19 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6619685B2 (ja) * 2016-04-19 2019-12-11 株式会社ディスコ ＳｉＣウエーハの加工方法
JP6669594B2 (ja) * 2016-06-02 2020-03-18 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP6651257B2 (ja) * 2016-06-03 2020-02-19 株式会社ディスコ 被加工物の検査方法、検査装置、レーザー加工装置、及び拡張装置
JP6773506B2 (ja) * 2016-09-29 2020-10-21 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009154282A (ja) * 2007-12-28 2009-07-16 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の研削方法
JP2016132047A (ja) * 2015-01-16 2016-07-25 株式会社ディスコ 被加工物の研削方法
CN105855732A (zh) * 2015-02-09 2016-08-17 株式会社迪思科 晶片的生成方法
JP2016225534A (ja) * 2015-06-02 2016-12-28 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
CN107283078A (zh) * 2016-04-11 2017-10-24 株式会社迪思科 晶片生成方法和加工进给方向检测方法
CN107790898A (zh) * 2016-08-29 2018-03-13 株式会社迪思科 SiC晶片的生成方法

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