KR20230145917A - 웨이퍼의 제조 방법 - Google Patents

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KR20230145917A
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카즈야 히라타
사토시 겐다
아사히 노모토
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

(과제) 효율적으로 웨이퍼를 박리 가능한 웨이퍼의 제조 방법을 제공한다.
(해결 수단) 웨이퍼의 제조 방법은, 잉곳에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 잉곳의 단면으로부터 제조해야 할 웨이퍼의 두께에 대응하는 깊이에 위치시키고 레이저 광선을 잉곳에 조사하여 박리 기점을 형성하는 박리 기점 형성 공정과, 잉곳으로부터 제조해야 할 웨이퍼를 박리 기점으로부터 박리하는 박리 공정을 포함한다. 박리 공정에 있어서, 잉곳의 단면에 탈기수를 공급하여 탈기수의 층을 생성하고 초음파를 부여하여 박리 기점을 파괴한다.

Description

웨이퍼의 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING WAFER}
본 발명은, 잉곳으로부터 웨이퍼를 제조하는 웨이퍼의 제조 방법에 관한 것이다.
IC, LSI, LED 등의 디바이스는, Si(실리콘)나 Al2O3(사파이어) 등을 소재로 한 웨이퍼의 표면에 기능층이 적층되고, 이 기능층에 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획되어 형성된다. 또한, 파워 디바이스, LED 등은, SiC(탄화규소)를 소재로 한 웨이퍼의 표면에 기능층이 적층되고, 이 기능층에 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획되어 형성된다.
디바이스가 형성된 웨이퍼는, 절삭 장치, 레이저 가공 장치에 의해 분할 예정 라인에 가공이 실시되어 개개의 디바이스 칩으로 분할되고, 분할된 각 디바이스 칩은 휴대 전화나 퍼스널 컴퓨터 등의 전기 기기에 이용된다.
디바이스가 형성되는 웨이퍼는, 일반적으로 원기둥 형상의 잉곳을 와이어 쏘로 얇게 절단하는 것에 의해 제조된다. 제조된 웨이퍼의 표면 및 이면은, 연마하는 것에 의해 경면으로 마무리된다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).
그러나, 잉곳을 와이어 쏘로 절단하고, 절단한 웨이퍼의 표면 및 이면을 연마하면, 잉곳의 대부분(70~80%)이 버려지게 되어 비경제적이라는 문제가 있다. 특히, SiC 잉곳에 있어서는, 경도가 높아 와이어 쏘로의 절단이 곤란하여 상당한 시간을 필요로 하기 때문에 생산성이 나쁘다는 것과 함께, 잉곳의 단가가 높아 효율적으로 웨이퍼를 제조하는 것에 과제를 갖고 있다.
따라서, 본 출원인은, SiC에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 SiC 잉곳의 내부에 위치시켜 SiC 잉곳에 레이저 광선을 조사하여 절단 예정면에 박리 기점을 형성하고, 박리 기점이 형성된 절단 예정면을 따라 잉곳으로부터 웨이퍼를 박리하는 기술을 제안하였다(예를 들어, 특허문헌 2 참조).
또한, 본 출원인은, 잉곳으로부터 제조해야 할 웨이퍼의 박리를 용이하게 하기 위해, 물의 층을 통해 초음파를 잉곳에 부여하는 기술도 제안하였다(예를 들어, 특허문헌 3 참조).
특허문헌 1: 일본 공개특허공보 2000-94221호 특허문헌 2: 일본 공개특허공보 2016-111143호 특허문헌 3: 일본 공개특허공보 2016-146446호
그러나, 박리 기점을 형성한 잉곳에 초음파를 부여하는 것에 의해 박리성이 향상되지만, 잉곳으로부터 웨이퍼가 박리될 때까지는, 어느 정도의 시간이 걸리기 때문에, 초음파 부여를 개시하고 나서 웨이퍼의 박리가 완료될 때까지의 시간의 단축화가 요망되고 있다.
이와 같은 문제는, 실리콘, 사파이어 등의 잉곳에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 잉곳의 내부에 위치시키고 잉곳에 레이저 광선을 조사하여 박리 기점을 형성하고, 실리콘, 사파이어 등의 잉곳으로부터 웨이퍼를 박리하는 경우에 있어서도 일어날 수 있다.
따라서, 본 발명의 목적은, 효율적으로 웨이퍼를 박리 가능한 웨이퍼의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 잉곳으로부터 웨이퍼를 제조하는 웨이퍼의 제조 방법으로서, 상기 잉곳에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 상기 잉곳의 단면(端面)으로부터 제조해야 할 웨이퍼의 두께에 대응하는 깊이에 위치시키고 레이저 광선을 상기 잉곳에 조사하여 개질층을 형성하여 박리 기점을 형성하는 박리 기점 형성 공정과, 상기 잉곳으로부터 제조해야 할 상기 웨이퍼를 상기 박리 기점으로부터 박리하는 박리 공정을 구비하고, 상기 박리 공정에 있어서, 상기 잉곳의 단면에 탈기수를 공급하여 탈기수의 층을 생성하고 초음파를 부여하여 상기 박리 기점을 파괴하는, 웨이퍼의 제조 방법이 제공된다.
바람직하게는, 상기 박리 공정에 있어서, 감압조에 저류한 물에 초음파를 부여하고 감압조 내를 감압하여 상기 탈기수를 생성한다. 바람직하게는, 상기 박리 공정에 있어서, 산소 함유량이 2.0mg/리터 이하의 탈기수를 생성한다.
바람직하게는, 잉곳은, SiC 잉곳이면 된다. SiC 잉곳은, 제1 면과, 당해 제1 면의 반대 측의 제2 면과, 상기 제1 면으로부터 상기 제2 면에 이르는 c축과, 당해 c축에 직교하는 c면을 갖고, 상기 제1 면의 수선에 대해 c축이 기울어져 상기 c면과 상기 제1 면으로 오프각이 형성되어 있고, 박리 기점 형성 공정은, 상기 오프각이 형성되는 방향과 직교하는 방향으로 레이저 광선의 집광점과 상기 SiC 잉곳을 상대적으로 이동하여 직선형의 개질층을 형성하는 개질층 형성 공정과, 상기 오프각이 형성되는 방향으로 레이저 광선의 집광점과 상기 SiC 잉곳을 상대적으로 이동하여 소정량 인덱스 이송하는 인덱스 공정을 포함한다.
본 발명의 웨이퍼의 제조 방법에 따르면, 상기 박리 공정에 있어서, 잉곳의 단면에 탈기수를 공급하여 탈기수의 층을 생성하고 초음파를 부여하여 상기 박리 기점을 파괴하기 때문에, 효율적으로 웨이퍼를 박리할 수 있다.
도 1(a)는, 잉곳의 사시도이고, 도 1(b)는, 도 1(a)에 도시하는 잉곳의 평면도이고, 도 1(c)는, 도 1(a)에 도시하는 잉곳의 정면도이다.
도 2(a)는, 박리 기점 형성 공정을 도시하는 사시도이고, 도 2(b)는, 박리 기점 형성 공정을 도시하는 정면도이고, 도 2(c)는, 박리 기점이 형성된 잉곳의 단면도이다.
도 3은, 탈기수를 생성하고 있는 상태를 도시하는 단면도이다.
도 4는, 잉곳으로부터 웨이퍼를 박리하는 상태의 일례를 도시하는 단면도이다.
도 5는, 잉곳으로부터 웨이퍼를 박리하는 상태의 다른 예를 도시하는 정면도이다.
이하, 본 발명 실시 형태의 웨이퍼의 제조 방법에 대해, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다.
도 1 에는, 본 발명의 웨이퍼의 제조 방법에 의해 가공이 실시되는 원기둥 형상의 잉곳(2)이 도시되어 있다. 도시된 잉곳(2)은, 단결정 SiC(탄화규소)로 형성되어 있다.
잉곳(2)은, 원 형상의 제1 면(4)과, 제1 면(4)의 반대 측에 위치하는 원 형상의 제2 면(6)과, 제1 면(4) 및 제2 면(6)의 사이에 위치하는 둘레면(8)과, 제1 면(4)으로부터 제2 면(6)에 이르는 c축과, c축에 직교하는 c면(도 1(c) 참조)을 갖는다. 적어도 제1 면(4)은, 레이저 광선의 입사를 방해하지 않을 정도로 연삭 또는 연마에 의해 평탄화되어 있다.
잉곳(2)에 있어서는, 제1 면(4)의 수선(10)에 대하여 c축이 기울어져 있고, c면과 제1 면(4)으로 오프각(α)(예를 들어,α=1, 3, 6도)이 형성되어 있다. 오프각(α)이 형성되는 방향을 도 1에 화살표(A)로 나타낸다.
잉곳(2)의 둘레면(8)에는, 모두 결정 방위를 도시하는 직사각형 형상의 제1 오리엔테이션 플랫(12) 및 제2 오리엔테이션 플랫(14)이 형성되어 있다. 제1 오리엔테이션 플랫(12)은, 오프각(α)이 형성되는 방향(A)에 평행하고, 제2 오리엔테이션 플랫(14)은, 오프각(α)이 형성되는 방향(A)에 직교하고 있다. 도 1(b)에 도시하는 바와 같이, 상방에서 보아, 제2 오리엔테이션 플랫(14)의 길이(L2)는, 제1 오리엔테이션 플랫(12)의 길이(L1)보다 짧다(L2 < L1).
또한, 본 발명의 웨이퍼의 제조 방법에 의해 가공이 실시되는 잉곳은, 상기 잉곳(2)에 한정되지 않고, 제1 면의 수선에 대해 c축이 기울어져 있지 않고, c면과 제1 면의 오프각(α)이 0도인(즉, 제1 면의 수선과 c축이 일치하고 있는) SiC 잉곳이어도 되고, 또는, Si(실리콘)나 Al2O3(사파이어), GaN(질화갈륨) 등의 SiC 이외의 소재로 형성된 잉곳이어도 된다.
(박리 기점 형성 공정)
본 실시 형태에서는, 먼저, 잉곳(2)에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을, 잉곳(2)의 단면(端面)으로부터 제조해야 할 웨이퍼의 두께에 대응하는 깊이에 위치시키고, 레이저 광선을 잉곳(2)에 조사하여 개질층을 형성하여 박리 기점을 형성하는 박리 기점 형성 공정을 실시한다.
박리 기점 형성 공정은, 예를 들어, 도 2에 도시하는 레이저 가공 장치(16)를 이용하여 실시할 수 있다. 레이저 가공 장치(16)는, 잉곳(2)을 흡인 유지하는 척 테이블(18)과, 잉곳(2)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 펄스 레이저 광선(LB)을 출사하는 레이저 발진기(도시하고 있지 않음)와, 레이저 발진기가 출사한 펄스 레이저 광선(LB)을 집광하여, 척 테이블(18)에 흡인 유지된 잉곳(2)에 펄스 레이저 광선(LB)을 조사하는 집광기(20)를 구비한다.
척 테이블(18)은, 상하 방향으로 연장되는 축선을 중심으로 하여 회전 가능하게 구성되어 있음과 함께, 도 2(a)에 화살표(X)로 나타내는 X축 방향과, X축 방향에 직교하는 Y축 방향(도 2(a)에 화살표(Y)로 나타내는 방향)으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 또한, X축 방향 및 Y축 방향이 규정하는 XY 평면은 실질상 수평이다.
도 2를 참조하여 설명을 계속하면, 박리 기점 형성 공정에서는, 먼저, 제1 면(4)을 위로 향하게 하여, 척 테이블(18)의 상면에서 잉곳(2)을 흡인 유지한다. 계속해서, 레이저 가공 장치(16)의 촬상 유닛(도시하지 않음)으로 상방으로부터 잉곳(2)을 촬상하고, 촬상 유닛으로 촬상한 잉곳(2)의 화상에 기초하여, 잉곳(2)의 방향을 소정의 방향으로 조정함과 함께 잉곳(2)과 집광기(20)의 위치 관계를 조정한다.
잉곳(2)의 방향을 소정의 방향으로 조정할 때에는, 도 2(a)에 도시하는 바와 같이, 제2 오리엔테이션 플랫(14)을 X축 방향으로 정합시킨다. 이에 의해, 오프각(α)이 형성되는 방향(A)과 직교하는 방향을 X축 방향에 정합시킴과 함께, 오프각(α)이 형성되는 방향(A)을 Y축 방향에 정합시킨다.
계속해서, 잉곳(2)의 제1 면(4)으로부터, 제조해야 할 웨이퍼의 두께에 상당하는 깊이에 레이저 광선(LB)의 집광점(FP)(도 2(b) 참조)을 위치시킨다. 계속해서, X축 방향(오프각(α)이 형성되는 방향(A)과 직교하는 방향)으로, 집광점(FP)과 잉곳(2)을 상대적으로 이동시키면서, 잉곳(2)에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선(LB)을 집광기(20)로부터 잉곳(2)에 조사한다. 이에 따라, 도 2(c)에 도시되는 바와 같이, SiC가 Si(실리콘)와 C(탄소)로 분리된 직선형의 개질층(22)을 X축 방향을 따라 형성할 수 있다. 또한, 개질층(22)으로부터 c면을 따라 연장되는 크랙(24)도 형성된다(개질층 형성 공정).
계속해서, Y축 방향(오프각이 형성되는 방향(A))으로, 집광점(FP)과 잉곳(2)을 상대적으로 인덱스 이송한다(인덱스 공정). 인덱스량(Li)은, 크랙(24)의 폭을 초과하지 않는 길이로 하여, Y축 방향에 있어서 인접하는 크랙(24)과 크랙(24)이 상하 방향에서 볼 때 중첩되도록 한다. 그리고, 개질층 형성 공정과, 인덱스 공정을 교대로 반복하는 것에 의해, 제조해야 할 웨이퍼의 두께에 상당하는 깊이(절단 예정면)에, 복수의 개질층(22) 및 크랙(24)을 갖는 박리 기점(26)을 형성한다.
이러한 박리 기점 형성 공정은, 예를 들어, 이하의 가공 조건으로 실시할 수 있다.
펄스 레이저 광선의 파장: 1064nm
반복 주파수: 80kHz
평균 출력: 3.2W
펄스 폭: 4ns
집광점의 직경: 10㎛
개구수(NA): 0.45
인덱스량: 400㎛
제조해야 할 웨이퍼의 두께: 700㎛
(박리 공정)
박리 기점 형성 공정을 실시한 후, 잉곳(2)으로부터 제조해야 할 웨이퍼를 박리 기점(26)으로부터 박리하는 박리 공정을 실시한다.
박리 공정에 있어서는, 먼저, 감압조에 저류한 물에 초음파를 부여하고 감압조 내를 감압하여 탈기수를 생성한다. 탈기수를 생성할 때는, 예를 들어, 도 3에 도시하는 감압조(28)를 사용할 수 있다.
감압조(28)는, 바닥판(30)과, 바닥판(30)의 둘레 가장자리로부터 상방으로 연장되는 측벽(32)과, 측벽(32)의 상단에 설치된 천장판(34)을 구비한다. 측벽(32)에는, 탈기 전의 물(W)을 감압조(28)에 공급하기 위한 공급구(36)와, 탈기수를 감압조(28)로부터 배출하기 위한 배출구(38)가 형성되어 있다. 천장판(34)에는 흡인 구멍(40)이 설치되고, 흡인 구멍(40)은, 진공 펌프(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 또한, 감압조(28)의 내부에는, 초음파 발진기(42)가 설치되어 있다.
탈기수를 생성할 때는, 우선, 공급구(36)로부터 감압조(28) 내에 탈기 전의 물(W)을 공급한다. 계속해서, 초음파 발진기(42)를 작동시켜 물(W)에 초음파(예를 들어, 0.1MHz~1.0MHz 정도)를 부여한다. 또한, 진공 펌프를 작동시켜, 감압조(28) 내를 감압한다. 그렇게 하면, 도 3에 도시하는 바와 같이, 물(W)에 녹아 있던 기체가 기포로서 나타나, 물(W)로부터 기체를 제거할 수 있다. 이와 같이, 감압조(28)에 저류한 물(W)에 초음파를 부여하여 감압조(28) 내를 감압하는 것에 의해, 탈기수를 생성할 수 있다.
탈기수를 생성할 때의 감압조(28) 내의 공기압은 낮은 편이 좋다. 감압할수록 탈기가 촉진되기 때문이다. 이하에, 감압조(28) 내의 공기 압력과, 탈기수의 산소 함유량의 하한값의 관계를 나타낸다.
탈기수를 생성하면, 잉곳(2)의 단면에 탈기수를 공급하여 탈기수의 층을 생성하고 초음파를 부여하여 박리 기점(26)을 파괴한다. 박리 기점(26)의 파괴는, 예를 들어, 도 4에 도시하는 박리 장치(44)를 사용하여 실시할 수 있다.
박리 장치(44)는, 수조(46)와, 수조(46)의 상부에 승강 가능하게 배치된 로드(48)와, 로드(48)의 하단에 장착된 초음파 발진 부재(50)를 구비한다. 수조(46) 내에는, 잉곳(2)을 유지하는 유지 테이블(52)이 설치되어 있다. 수조(46)의 하단 측에는, 잉곳(2)으로부터 웨이퍼를 박리한 후에 탈기수를 배출하기 위한 배출구(54)가 형성되어 있다.
박리 기점(26)을 파괴할 때에는, 우선, 제조해야 할 웨이퍼를 위로 향하게 하여(즉, 박리 기점(26)에 가까운 쪽의 단면인 제1 면(4)을 위로 향하게 하여), 유지 테이블(52)로 잉곳(2)을 유지한다. 이 때는, 잉곳(2)의 제2 면(6)과 유지 테이블(52)의 상면의 사이에 접착제(예를 들어, 에폭시 수지계 접착제)를 개재시켜 잉곳(2)을 유지 테이블(52)에 고정하여도 좋고, 또는, 유지 테이블(52)의 상면에 흡인력을 생성하여 잉곳(2)을 흡인 유지하여도 좋다.
계속해서, 잉곳(2)의 상면보다도 수면이 높아질 때까지, 탈기수(W')를 수조(46) 내에 공급한다. 계속해서, 로드(48)를 하강시켜, 잉곳(2)의 제1 면(4)의 약간 상방에 초음파 발진 부재(50)를 위치시킨다. 제1면(4)과 초음파 발진 부재(50)의 간격은, 2~3mm 정도이면 된다. 그리고, 초음파 발진 부재(50)로부터 초음파를 발진하고, 제1 면(4)과 초음파 발진 부재(50)의 사이의 탈기수(W')의 층을 통해 초음파에 의해 박리 기점(26)을 파괴한다. 이에 의해, 잉곳(2)으로부터 제조해야 할 웨이퍼를 박리 기점(26)으로부터 박리할 수 있다.
상술한 예에서는, 수조(46) 내에 탈기수(W')를 저장하는 예를 설명하였지만, 도 5에 도시하는 바와 같이, 잉곳(2)의 제1 면(4)과 초음파 발진 부재(50)의 사이에, 공급 노즐(56)로부터 탈기수(W')를 공급하는 것에 의해 탈기수(W')의 층을 생성해도 된다.
이 때는, 제조해야 할 웨이퍼를 위를 향하게 하여, 유지 테이블(52)로 잉곳(2)을 유지하고, 계속해서, 제1 면(4)의 약간 상방에 초음파 발진 부재(50)를 위치시킨 후, 제1 면(4)과 초음파 발진 부재(50)의 사이에, 공급 노즐(56)로부터 탈기수(W')를 공급하여 탈기수(W')의 층을 생성한다. 그리고, 초음파 발진 부재(50)로부터 초음파를 발진하고, 제1 면(4)과 초음파 발진 부재(50)의 사이의 탈기수(W')의 층을 통해 초음파에 의해 박리 기점(26)을 파괴한다. 이에 의해, 잉곳(2)으로부터 제조해야 할 웨이퍼를 박리 기점(26)으로부터 박리할 수 있다.
도 4에 도시하는 예에 있어서는, 수조(46) 내에 탈기수(W')를 저장하는 시간이나, 웨이퍼의 박리 후에 수조(46)로부터 사용 완료된 탈기수(W')를 배출하는 시간이 걸리는 것에 반해, 도 5에 도시하는 예에서는, 제1 면(4)과 초음파 발진 부재(50)의 사이에 공급 노즐(56)로부터 탈기수(W')를 공급하는 것에 의해 탈기수(W')의 층을 즉시 생성할 수 있음과 함께, 잉곳(2)에 대한 초음파 부여와 동시에 사용 완료된 탈기수(W')의 배출이 가능하기 때문에, 도 4의 예보다 도 5의 예의 쪽이 박리 공정의 시간을 단축할 수 있다.
이상과 같이, 본 실시 형태에서는, 잉곳(2)의 단면에 탈기수(W')를 공급하여 탈기수(W')의 층을 생성하고, 탈기수(W')의 층을 통해 초음파를 잉곳(2)에 부여하여 박리 기점(26)을 파괴하기 때문에, 초음파의 에너지가 캐비테이션으로 변환되지 않아, 효과적으로 잉곳(2)에 초음파의 에너지를 부여할 수 있다. 따라서, 잉곳(2)으로부터 웨이퍼를 효율적으로 박리할 수 있다.
<실험>
본 발명자들은, 감압조 내의 공기 압력을 바꾸어 복수의 탈기수를 생성하고, 생성된 탈기수의 층을 통해 초음파를 잉곳에 부여하고, 박리 기점을 파괴하여 잉곳으로부터 웨이퍼가 박리될 때까지의 시간을 계측하였다. 또한, 잉곳에 초음파를 부여했을 때의 잉곳의 음압(진폭)을 계측하였다. 탈기수를 생성할 때의 초음파 주파수를 0.1MHz, 박리 기점을 파괴할 때에 잉곳에 부여한 초음파의 주파수를 25kHz로 하였다. 탈기수의 온도는 20℃이다.
<실험 결과>
상기 실험 결과를 참조하는 것에 의해 이해되는 바와 같이, 탈기수의 산소 함유량이 낮을수록, 잉곳으로부터 웨이퍼가 박리될 때까지의 시간이 짧아짐과 함께, 잉곳의 음압이 증가하였다. 또한, 탈기수의 산소 함유량이 3.1mg/리터일 때의 박리 시간이 753초, 탈기수의 산소 함유량이 1.96mg/리터일 때의 박리 시간은 356초이며, 탈기수의 산소 함유량이 3.1mg/리터로부터 1.96mg/리터로 바뀌면, 박리 시간이 절반 이하로 감소하였다. 따라서, 잉곳으로부터 웨이퍼를 효율적으로 제조하는 관점에서, 산소 함유량이 2.0mg/리터 이하인 탈기수를 생성하는 것이 바람직하다.
2: 잉곳
4: 제1 면
6: 제2 면
10: 수선
22: 개질층
26: 박리 기점
28: 감압조
LB: 레이저 광선
FP: 집광점
W': 탈기수

Claims (5)

  1. 잉곳으로부터 웨이퍼를 제조하는 웨이퍼의 제조 방법으로서,
    상기 잉곳에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 상기 잉곳의 단면(端面)으로부터 제조해야 할 웨이퍼의 두께에 대응하는 깊이에 위치시키고 레이저 광선을 상기 잉곳에 조사하여 개질층을 형성하여 박리 기점을 형성하는 박리 기점 형성 공정과,
    상기 잉곳으로부터 제조해야 할 상기 웨이퍼를 상기 박리 기점으로부터 박리하는 박리 공정을 구비하고,
    상기 박리 공정에 있어서, 상기 잉곳의 단면에 탈기수를 공급하여 탈기수의 층을 생성하고 초음파를 부여하여 상기 박리 기점을 파괴하는, 웨이퍼의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 박리 공정에 있어서, 감압조에 저류한 물에 초음파를 부여하고 감압조 내를 감압하여 상기 탈기수를 생성하는 것인, 웨이퍼의 제조 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 박리 공정에 있어서, 산소 함유량이 2.0mg/리터 이하의 탈기수를 생성하는 것인, 웨이퍼의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 잉곳은, SiC 잉곳인 것인, 웨이퍼의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 SiC 잉곳은, 제1 면과, 당해 제1 면의 반대 측의 제2 면과, 당해 제1 면으로부터 상기 제2 면에 이르는 c축과, 당해 c축에 직교하는 c면을 갖고, 상기 제1 면의 수선에 대해 c축이 기울어져 상기 c면과 상기 제1 면으로 오프각이 형성되어 있고,
    상기 박리 기점 형성 공정은, 상기 오프각이 형성되는 방향과 직교하는 방향으로 레이저 광선의 집광점과 상기 SiC 잉곳을 상대적으로 이동하여 직선형의 개질층을 형성하는 개질층 형성 공정과,
    상기 오프각이 형성되는 방향으로 레이저 광선의 집광점과 상기 SiC 잉곳을 상대적으로 이동하여 소정량 인덱스 이송하는 인덱스 공정을 포함하는, 웨이퍼의 제조 방법.
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