CN108145307B - SiC晶片的生成方法 - Google Patents

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Abstract

提供实现生产率提高的SiC晶片的生成方法。该SiC晶片的生成方法包括下述工序：改质部形成工序，将对于单晶SiC具有透过性的波长的脉冲激光光线(LB)的聚光点(FP)定位在距离SiC晶锭(50)的第一面(52)相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对SiC晶锭(50)照射脉冲激光光线(LB)，在c面上形成SiC分离成Si和C的改质部(60)；剥离层形成工序，连续地形成改质部(60)，从改质部(60)起在c面各向同性地形成裂纹(62)，形成用于从SiC晶锭(50)将SiC晶片剥离的剥离层(64)；和晶片生成工序，以剥离层(64)为界面将SiC晶锭(50)的一部分剥离而生成SiC晶片(66)。

Description

SiC晶片的生成方法
技术领域
本发明涉及一种SiC晶片的生成方法，其从单晶SiC晶锭生成SiC晶片。
背景技术
IC、LSI、LED等器件形成于将功能层层叠在以Si(硅)、Al2O3(蓝宝石)等作为材料的晶片的正面并由多条交叉的分割预定线所划分的区域。另外，功率器件、LED等形成于将功能层层叠在以单晶SiC(碳化硅)作为材料的晶片的正面并由多条交叉的分割预定线所划分的区域。形成有器件的晶片利用切削装置或激光加工装置对分割预定线实施加工而分割成各个器件芯片。分割得到的各器件芯片被用于移动电话、个人计算机等电气设备中。
形成器件的晶片通常是通过利用划片锯将圆柱形状的晶锭薄薄地切断而生成的。切断得到的晶片的正面和背面通过研磨而精加工成镜面(参见专利文献1)。但是，在利用划片锯将晶锭切断并对切断得到的晶片的正面和背面进行研磨时，晶锭的大部分(70％～80％)会被浪费，存在不经济的问题。特别是单晶SiC晶锭，其硬度高，难以利用划片锯进行切断，需要花费相当长的时间，因而生产率差，并且晶锭的单价高，在高效地生成晶片方面存在问题。
因此，有人提出了下述技术：将对于单晶SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在单晶SiC晶锭的内部来对单晶SiC晶锭照射激光光线，从而在切断预定面上形成改质层，将形成有改质层的切断预定面切断，从单晶SiC晶锭生成SiC晶片(参见专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2000-94221号公报
专利文献2：日本特开2013-49161号公报
发明内容
发明所要解决的课题
但是，在日本特开2013-49161号公报中记载的方法中，为了从单晶SiC晶锭生成SiC晶片，必须每隔10μm左右的间隔致密地形成改质层，存在生产率差的问题。
由此，本发明的目的在于提供实现生产率提高的SiC晶片的生成方法。
用于解决课题的手段
根据本发明，提供一种SiC晶片的生成方法，其从单晶SiC晶锭生成SiC晶片，该单晶SiC晶锭具有c轴和与该c轴垂直的c面，该SiC晶片的生成方法具备下述工序：改质部形成工序，将对于单晶SiC具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位在距离单晶SiC晶锭的端面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对单晶SiC晶锭照射脉冲激光光线，在c面上形成SiC分离成Si和C的改质部；剥离层形成工序，连续地形成该改质部，从该改质部起在c面各向同性地形成裂纹，形成用于从单晶SiC晶锭将SiC晶片剥离的剥离层；和SiC晶片生成工序，以该剥离层为界面将单晶SiC晶锭的一部分剥离而生成SiC晶片，在该剥离层形成工序中，将该改质部的直径设为D，将相邻的聚光点的间隔设为L时，在具有D>L的关系的区域形成裂纹，在不超过裂纹的宽度的范围对单晶SiC晶锭和聚光点相对地进行转位进给而连续地形成改质部，使裂纹与裂纹连结，形成该剥离层。
优选的是，在该剥离层形成工序中，将改质部的直径设为D，将相邻的聚光点的间隔设为L时，具有0.75D>L>0.1D的关系。在该剥离层形成工序中照射的脉冲激光光线的能量优选为9μJ以上。优选的是，在该剥离层形成工序中，将聚光点定位在相同的c面上，连续地形成改质部。
优选的是，在c轴相对于单晶SiC晶锭的端面的垂线倾斜的情况下，在该剥离层形成工序中，在与通过c面和端面形成偏离角的第2方向垂直的第1方向连续地形成改质部，从改质部起各向同性地形成裂纹，在该第2方向上在不超过裂纹的宽度的范围对单晶SiC晶锭和聚光点相对地进行转位进给，在该第1方向连续地形成改质部，从改质部起各向同性地依次形成裂纹。优选的是，在单晶SiC晶锭的端面的垂线与c轴一致的情况下，在该剥离层形成工序中，在不超过从连续形成的改质部起各向同性地形成的裂纹的宽度的范围，对单晶SiC晶锭和聚光点相对地进行转位进给，连续地形成改质部，使裂纹与裂纹连结。
发明效果
根据本发明的SiC晶片的生成方法，剥离层由连续延伸的多个改质部和从改质部起各向同性地延伸的裂纹构成且在转位进给方向上相邻的裂纹与裂纹连结在一起，以剥离层为界面，将单晶SiC晶锭的一部分剥离，由此能够高效地生成所期望的厚度的SiC晶片，并且能够减轻被浪费的材料量，因此可实现生产率的提高。
附图说明
图1是激光加工装置的立体图。
图2是端面的垂线与c轴一致的单晶SiC晶锭的立体图。
图3是示出实施剥离层形成工序的状态的立体图(a)和主视图(b)。
图4是示出从上方观察到的改质部和裂纹的示意图。
图5是示出从上方观察到的改质部的示意图。
图6是示出在剥离层形成工序中沿圆周方向连续地形成有改质部的状态的立体图。
图7是示出实施SiC晶片的生成工序的状态的立体图。
图8是c轴相对于端面的垂线倾斜的单晶SiC晶锭的俯视图(a)和主视图(b)。
图9是示出实施剥离层形成工序的状态的立体图(a)和主视图(b)。
图10是形成有剥离层的单晶SiC晶锭的俯视图(a)和B-B线截面图。
具体实施方式
无论单晶SiC晶锭的c轴相对于端面的垂线是否倾斜，均能使用本发明的SiC晶片的生成方法，首先，参照图1～图7，对端面的垂线与c轴一致的单晶SiC晶锭下的本发明的SiC晶片的生成方法的实施方式进行说明。
图1中示出了能够实施本发明的SiC晶片的生成方法的激光加工装置2。激光加工装置2具备：基台4；保持被加工物的保持单元6；使保持单元6移动的移动单元8；对保持单元6所保持的被加工物照射激光光线的激光光线照射单元10；对保持单元6所保持的被加工物进行拍摄的拍摄单元12；显示由拍摄单元12所拍摄的图像的显示单元14；和将保持单元6所保持的被加工物的一部分剥离的剥离单元16。
保持单元6包含：矩形状的X方向可动板18，其在X方向上自由移动地搭载在基台4上；矩形状的Y方向可动板20，其在Y方向上自由移动地搭载在X方向可动板18上；以及圆筒形状的卡盘工作台22，其自由旋转地搭载在Y方向可动板20的上表面上。另外，X方向是图1中箭头X所示的方向，Y方向是图1中箭头Y所示的方向，是与X方向垂直的方向。X方向和Y方向所规定的XY平面实际上是水平的。
移动单元8包含X方向移动单元24、Y方向移动单元26以及旋转单元(未图示)。X方向移动单元24具有：滚珠丝杠28，其在基台4上沿X方向延伸；以及电动机30，其与滚珠丝杠28的一个端部连结。滚珠丝杠28的螺母部(未图示)固定在X方向可动板18的下表面上。并且X方向移动单元24通过滚珠丝杠28将电动机30的旋转运动转换成直线运动而传递给X方向可动板18，使X方向可动板18沿着基台4上的导轨4a在X方向上进退。Y方向移动单元26具有：滚珠丝杠32，其在X方向可动板18上沿Y方向延伸；以及电动机34，其与滚珠丝杠32的一个端部连结。滚珠丝杠32的螺母部(未图示)固定在Y方向可动板20的下表面上。并且Y方向移动单元26通过滚珠丝杠32将电动机34的旋转运动转换成直线运动而传递给Y方向可动板20，使Y方向可动板20沿着X方向可动板18上的导轨18a在Y方向上进退。旋转单元具有内设在卡盘工作台22中的电动机(未图示)而使卡盘工作台22相对于Y方向可动板20进行旋转。
激光光线照射单元10包含：壳体36，其从基台4的上表面向上方延伸随后实际上水平延伸；振荡单元(未图示)，其内设在壳体36中；聚光器38，其配置在壳体36的前端下表面上；以及聚光点位置调整单元(未图示)。振荡单元具有：激光振荡器，其振荡出脉冲激光光线LB；设定器，其对激光振荡器所振荡出的脉冲激光光线LB的重复频率进行设定；以及调整器，其对激光振荡器所振荡出的脉冲激光光线LB的输出进行调整(均未图示)。聚光器38具有对激光振荡器所振荡出的脉冲激光光线LB进行会聚的聚光透镜(未图示)。并且，拍摄单元12与聚光器38在X方向上隔开间隔而附设在壳体36的前端下表面上。显示单元14搭载在壳体36的前端上表面上。
剥离单元16包含：长方体状的外壳40，其从基台4上的导轨4a的终端部向上方延伸；以及臂42，其从基端沿X方向延伸，由外壳40支承，可自由升降。在外壳40中内设有使臂42升降的升降单元(未图示)。在臂42的前端附设有电动机44，在电动机44的下表面上连结有圆盘状的吸附片46，该吸附片46以沿上下方向延伸的轴线为中心而自由旋转。在吸附片46的下表面上形成有多个吸引孔(未图示)，该吸附片46通过流路与吸引单元(未图示)连接。并且在吸附片46中内设有对吸附片46的下表面施加超声波振动的超声波振动施加单元(未图示)。
图2所示的圆柱形状的六方晶单晶SiC晶锭50(下文中称为“晶锭50”)具有：圆形状的第一面52(端面)；圆形状的第二面54，其处于第一面52的相反侧；圆筒形状的周面56，其位于第一面52和第二面54之间；c轴(<0001>方向)，其从第一面52至第二面54；以及c面({0001}面)，其与c轴垂直。在晶锭50中，c轴相对于第一面52的垂线58不倾斜，垂线58和c轴一致。
本实施方式中，首先，实施改质部形成工序，在距离第一面52相当于要生成的晶片的厚度的深度的c面上形成SiC分离成Si和C的改质部。在改质部形成工序中，首先，使粘接剂(例如环氧树脂系粘接剂)介于晶锭50的第二面54与卡盘工作台22的上表面之间，将晶锭50固定在卡盘工作台22。或者，也可以在卡盘工作台22的上表面上形成多个吸引孔而在卡盘工作台22的上表面上生成吸引力从而对晶锭50进行保持。接着，通过拍摄单元12从第一面52的上方对晶锭50进行拍摄。接着，根据拍摄单元12所拍摄的晶锭50的图像，通过移动单元8使卡盘工作台22移动，从而对晶锭50和聚光器38在XY平面中的位置进行调整。接着，通过聚光点位置调整单元使聚光器38升降，将聚光点FP定位在距离第一面52相当于要生成的晶片的厚度的深度的位置。接着，从聚光器38向晶锭50照射对于单晶SiC具有透过性的波长的脉冲激光光线LB。由此，能够在距离第一面52相当于要生成的晶片的厚度的深度的c面上形成SiC分离成Si和C的改质部60。
在实施改质部形成工序后，实施剥离层形成工序，形成用于将晶片从晶锭50剥离的剥离层。在剥离层形成工序中，交替地进行改质部连续形成加工和转位进给，改质部连续形成加工如下进行：接着在改质部形成工序中形成的改质部60继续在同一c面上连续地形成改质部60，在同一c面上各向同性地形成裂纹；转位进给如下进行：在不超过裂纹的宽度的范围，对晶锭50和聚光点FP相对地进行转位进给。
改质部连续形成加工只要使聚光点FP和卡盘工作台22相对地移动即可，例如，如图3所示，不使聚光点FP移动，而利用X方向移动单元24使卡盘工作台22相对于聚光点FP以规定的加工进给速度在X方向进行加工进给，同时由聚光器38向晶锭50照射对于单晶SiC具有透过性的波长的脉冲激光光线LB，从而能够进行改质部连续形成加工。由此，能够在距离第一面52相当于要生成的晶片的厚度的深度的同一c面上形成沿着X方向连续延伸的直线状的改质部60，并且如图4所示，能够形成从改质部60起沿着c面各向同性地延伸的裂纹62。图4中用双点划线示出以改质部60为中心而形成有裂纹62的区域。参照图5进行说明，将改质部60的直径设为D，将在加工进给方向上相邻的聚光点FP的间隔设为L时，在具有D>L的关系(即，在作为加工进给方向的X方向上相邻的改质部60与改质部60重复的关系)的区域，从改质部60起沿着同一c面各向同性地形成裂纹62。在加工进给方向上相邻的聚光点FP的间隔L由聚光点FP与卡盘工作台22的相对速度V、和脉冲激光光线LB的重复频率F所规定(L＝V/F)。本实施方式中，通过调整卡盘工作台22相对于聚光点FP在X方向的加工进给速度V以及脉冲激光光线LB的重复频率F，能够满足D>L的关系。
剥离层形成工序中，接着改质部连续形成加工继续在不超过裂纹62的宽度的范围，利用Y方向移动单元26使卡盘工作台22相对于聚光点FP在Y方向上按照规定的转位量Li进行转位进给。另外，通过交替地重复改质部连续形成加工和转位进给，在Y方向上隔着转位量Li的间隔形成多个沿着X方向连续延伸的改质部60，并且使在Y方向上相邻的裂纹62与裂纹62连结。由此，能够在距离第一面52相当于要生成的晶片的厚度的深度的同一c面上形成由改质部60和裂纹62构成的、用于将晶片从晶锭50剥离的剥离层64。
另外，改质部连续形成加工只要使聚光点FP和卡盘工作台22相对地移动即可，例如，如图6所示，不使聚光点FP移动，而利用旋转单元使卡盘工作台22相对于聚光点FP按照从上方观察为逆时针(也可以为顺时针)的方式以规定的旋转速度旋转，同时由聚光器38向晶锭50照射对于单晶SiC具有透过性的波长的脉冲激光光线LB，从而也能够进行改质部连续形成加工。由此，能够在距离第一面52相当于要生成的晶片的厚度的深度的c面上形成沿着晶锭50的圆周方向连续延伸的环状的改质部60，并且能够形成从改质部60起沿着c面各向同性地延伸的裂纹62。如上所述，将改质部60的直径设为D，将在加工进给方向上相邻的聚光点FP的间隔设为L时，在具有D>L的关系的区域，从改质部60起沿着c面各向同性地形成裂纹62，并且，在加工进给方向上相邻的聚光点FP的间隔L由聚光点FP与卡盘工作台22的相对速度V、和脉冲激光光线LB的重复频率F所规定(L＝V/F)，在图6所示的情况下，通过调整聚光点FP位置处的卡盘工作台22相对于聚光点FP的圆周速度V以及脉冲激光光线LB的重复频率F，能够满足D>L的关系。
沿着晶锭50的圆周方向以环状进行改质部连续形成加工的情况下，在不超过裂纹62的宽度的范围，利用X方向移动单元24或Y方向移动单元26使卡盘工作台22相对于聚光点FP在晶锭50的径向按照规定转位量Li进行转位进给。并且，通过交替地重复改质部连续形成加工和转位进给，在晶锭50的径向隔着转位量Li的间隔形成多个沿着晶锭50的圆周方向连续延伸的改质部60，并且使在晶锭50的径向上相邻的裂纹62与裂纹62连结。由此，能够在距离第一面52相当于要生成的晶片的厚度的深度的同一c面上形成由改质部60和裂纹62构成的、用于将晶片从晶锭50剥离的剥离层64。
在实施剥离层形成工序后，实施晶片生成工序，以剥离层64为界面将晶锭50的一部分剥离而生成晶片。在晶片生成工序中，首先，通过移动单元8使卡盘工作台22移动到吸附片46的下方。接着，通过升降单元使臂42下降，如图7所示，使吸附片46的下表面与晶锭50的第一面52密合。接着，使吸引单元进行动作，使吸附片46的下表面吸附在晶锭50的第一面52上。接着，使超声波振动施加单元进行动作，对吸附片46的下表面施加超声波振动，并且使电动机44进行动作而使吸附片46旋转。由此，能够以剥离面64为界面将晶锭50的一部分剥离，能够生成所期望的厚度的晶片66。
如上所述，本发明的SiC晶片的生成方法中，剥离层64由连续延伸的多个改质部60和从改质部60起各向同性地延伸的裂纹62构成，且在转位进给方向上相邻的裂纹62与裂纹62连结在一起，以剥离层64为界面，将晶锭50的一部分剥离，由此能够高效地生成所期望的厚度的晶片66，并且能够减轻被浪费的材料量，因此可实现生产率的提高。
接着，参照图8～图10，对c轴相对于端面的垂线倾斜的单晶SiC晶锭下的本发明的SiC晶片的生成方法的实施方式进行说明。
图8所示的整体为圆柱形状的六方晶单晶SiC晶锭70(下文中称为“晶锭70”)具有：圆形状的第一面72(端面)；圆形状的第二面74，其处于第一面72的相反侧；圆筒形状的周面76，其位于第一面72和第二面74之间；c轴(<0001>方向)，其从第一面72至第二面74；以及c面({0001}面)，其与c轴垂直。在晶锭70中，c轴相对于第一面72的垂线78倾斜，通过c面和第一面72形成偏离角α(例如α＝4度)(在图8中用箭头A表示形成有偏离角α的方向)。并且在晶锭70的周面76上形成有表示晶体取向的矩形状的第一定向平面80和第二定向平面82。第一定向平面80与形成有偏离角α的方向A平行，第二定向平面82与形成有偏离角α的方向A垂直。如图8的(a)所示，在垂线78的方向上观察，第二定向平面82的长度L2比第一定向平面80的长度L1短(L2<L1)。
本实施方式中，首先，实施改质部形成工序，在距离第一面72相当于要生成的晶片的厚度的深度的c面上形成SiC分离成Si和C的改质部。在改质部形成工序中，首先，使粘接剂(例如环氧树脂系粘接剂)介于晶锭70的第二面74与卡盘工作台22的上表面之间，将晶锭70固定在卡盘工作台22。或者，也可以在卡盘工作台22的上表面上形成多个吸引孔而在卡盘工作台22的上表面上生成吸引力从而对晶锭70进行保持。接着，通过拍摄单元12从第一面72的上方对晶锭70进行拍摄。接着，根据拍摄单元12所拍摄的晶锭70的图像，通过移动单元8使卡盘工作台22移动和旋转，从而将晶锭70的朝向调整为规定的朝向，并且对晶锭70和聚光器38在XY平面中的位置进行调整。在将晶锭70的朝向调整为规定的朝向时，如图9的(a)所示，使第一定向平面80与Y方向一致，并且使第二定向平面82与X方向一致，由此使形成有偏离角α的方向A与Y方向一致，并且使与形成有偏离角α的方向A垂直的方向与X方向一致。接着，通过聚光点位置调整单元使聚光器38升降，将聚光点FP定位在距离第一面72相当于要生成的晶片的厚度的深度的位置。接着，由聚光器38向晶锭70照射对于单晶SiC具有透过性的波长的脉冲激光光线LB。由此，能够在距离第一面72相当于要生成的晶片的厚度的深度的c面上形成SiC分离成Si和C的改质部84。
在实施改质部形成工序后，实施剥离层形成工序，形成用于将晶片从晶锭70剥离的剥离层。在剥离层形成工序中，交替地进行改质部连续形成加工和转位进给，改质部连续形成加工如下进行：接着在改质部形成工序中形成的改质部84继续在同一c面上连续地形成改质部84，在同一c面上各向同性地形成裂纹；转位进给如下进行：在不超过裂纹的宽度的范围，对晶锭70和聚光点FP相对地进行转位进给。
改质部连续形成加工只要使聚光点FP和卡盘工作台22相对地移动即可，例如，如图9所示，不使聚光点FP移动，而利用X方向移动单元24使卡盘工作台22相对于聚光点FP以规定的加工进给速度在X方向(即，与形成有偏离角α的方向A垂直的方向)进行加工进给，同时由聚光器38向晶锭70照射对于单晶SiC具有透过性的波长的脉冲激光光线LB，从而可以进行改质部连续形成加工。由此，能够在距离第一面72相当于要生成的晶片的厚度的深度的同一c面上形成沿着与形成有偏离角α的方向A垂直的方向连续延伸的直线状的改质部84，并且如图10所示，能够形成从改质部84起沿着同一c面各向同性地延伸的裂纹86。如上所述，将改质部84的直径设为D，将在加工进给方向上相邻的聚光点FP的间隔设为L时，在具有D>L的关系的区域，从改质部84起沿着同一c面各向同性地形成裂纹86。另外，如上所述，在加工进给方向上相邻的聚光点FP的间隔L由聚光点FP与卡盘工作台22的相对速度V、和脉冲激光光线LB的重复频率F所规定(L＝V/F)，本实施方式中，通过调整卡盘工作台22相对于聚光点FP的在X方向上的加工进给速度V以及脉冲激光光线LB的重复频率F，能够满足D>L的关系。
剥离层形成工序中，接着改质部连续形成加工继续在不超过裂纹86的宽度的范围，利用Y方向移动单元26使卡盘工作台22相对于聚光点FP在Y方向(即，形成有偏离角α的方向A)上按照规定的转位量Li’进行转位进给。并且，通过交替地重复改质部连续形成加工和转位进给，在形成有偏离角α的方向A上隔着转位量Li’的间隔形成多个沿着与形成有偏离角α的方向A垂直的方向连续延伸的改质部84，并且使在形成有偏离角α的方向A上相邻的裂纹86与裂纹86连结。由此，能够在距离第一面72相当于要生成的晶片的厚度的深度形成由改质部84和裂纹86构成的、用于将晶片从晶锭70剥离的剥离层88。
在实施剥离层形成工序后，实施晶片生成工序，以剥离层88为界面将晶锭70的一部分剥离而生成晶片。在晶片生成工序中，首先，通过移动单元8使卡盘工作台22移动到吸附片46的下方。接着，通过升降单元使臂42下降，使吸附片46的下表面与晶锭70的第一面72密合。接着，使吸引单元进行动作，使吸附片46的下表面吸附在晶锭70的第一面72上。接着，使超声波振动施加单元进行动作，对吸附片46的下表面施加超声波振动，并且使电动机44进行动作而使吸附片46旋转。由此，能够以剥离面88为界面将晶锭70的一部分剥离，能够生成所期望的厚度的晶片。
如上所述，本发明的SiC晶片的生成方法中，即便是c轴相对于第一面72(端面)的垂线78倾斜的晶锭70，也以剥离层88为界面，将晶锭70的一部分剥离，该剥离面88由连续延伸的多个改质部84和从改质部84起各向同性地延伸的裂纹86构成且在转位进给方向上相邻的裂纹86与裂纹86连结在一起，由此能够高效地生成所期望的厚度的晶片，并且能够减轻被浪费的材料量，因此可实现生产率的提高。
此处，关于用于在单晶SiC形成剥离层的每一脉冲的能量(下文中称为“脉冲能量”)、以及在改质部的直径D与相邻的聚光点的间隔L具有D>L的关系的区域中形成裂纹的情况，本发明人在下述实验条件下进行了实验，基于实验结果进行说明。
[实验条件]
脉冲激光光线的波长：1064nm
重复频率F：5～200kHz(变化范围)
脉冲能量：1～30μJ(变化范围)
脉冲宽度：4ns
光斑直径：3μm
聚光透镜的数值孔径(NA)：0.65
加工进给速度V：200mm/s
[实验1]
将重复频率F设为30kHz，将加工进给速度V设为200mm/s，从上表面的垂线和c轴一致的厚度500μm的单晶SiC晶片(下文中称为“实验用SiC晶片”)的上表面，将脉冲激光光线的聚光点定位在内部100μm，将脉冲能量从1μJ起每隔1μJ地升高，对实验用SiC晶片照射脉冲激光光线，由此连续地形成SiC分离成Si和C的改质部，形成剥离层，对该脉冲能量的临界点进行验证。
[实验1的结果]
(1)脉冲能量为1μJ和2μJ时，未形成改质部。
(2)脉冲能量为3μJ至8μJ时，断续地而不是连续地形成了改质部。
(3)脉冲能量为9μJ至30μJ时，连续地形成了改质部。因此，可知：形成剥离层的脉冲能量的临界点为9μJ。
[实验2]
将重复频率F设为5kHz，将加工进给速度V设为200mm/s，从实验用SiC晶片的上表面将脉冲激光光线的聚光点定位在内部100μm，将脉冲能量从10μJ起每隔5μJ地升高，对实验用SiC晶片照射脉冲激光光线，验证了在各脉冲能量下形成的改质部的直径D。
[实验2的结果]
Figure BDA0001471853680000111
[实验3]
将脉冲能量设为10μJ，将加工进给速度V设为200mm/s，从实验用SiC晶片的上表面将脉冲激光光线的聚光点定位在内部100μm，使重复频率F从5kHz起每隔1kHz地升高，对实验用SiC晶片照射脉冲激光光线，连续地形成改质部。
[实验3的结果]
(1)重复频率F为5kHz至17kHz时，独立地形成了改质部。
(2)重复频率F为18kHz时形成裂纹，改质部被直径30μm的裂纹所连结。此时相邻的聚光点的间隔L与改质部的直径D的比例为
L/D＝(V/F)/D
＝{200(mm/s)/18(kHz)}/15.0(μm)
＝{200×10-3(m/s)/18×103(Hz)}/15.0×10-6(m)
＝0.74。
需要说明的是，由于脉冲能量为10μJ，根据实验2的结果，改质部的直径D为15.0μm。
(3)重复频率F为40kHz时形成了直径为55μm的裂纹。需要说明的是，由于在重复频率F为18kHz时形成了裂纹，因此，这之后的重复频率F从20kHz起每隔5kHz地升高。
(4)重复频率F为140kHz时形成了直径为65μm的最大裂纹。此时相邻的聚光点的间隔L与改质部的直径D的比例为
L/D＝(V/F)/D
＝{200(mm/s)/140(kHz)}/15.0(μm)
＝0.095。
(5)重复频率F超过140kHz时，裂纹的直径变小。
[实验4]
将脉冲能量设为15μJ，将加工进给速度V设为200mm/s，从实验用SiC晶片的上表面将脉冲激光光线的聚光点定位在内部100μm，使重复频率F从5kHz起每隔1kHz地升高，对实验用SiC晶片照射脉冲激光光线，连续地形成改质部。
[实验4的结果]
(1)重复频率F为5kHz至16kHz时，独立地形成了改质部。
(2)重复频率F为17kHz时形成裂纹，改质部被直径45μm的裂纹所连结。此时相邻的聚光点的间隔L与改质部的直径D的比例为
L/D＝(V/F)/D
＝{200(mm/s)/17(kHz)}/15.7(μm)
＝0.75。
需要说明的是，由于脉冲能量为15μJ，根据实验2的结果，改质部的直径D为15.7μm。
(3)重复频率F为40kHz时形成了直径为80μm的裂纹。需要说明的是，由于在重复频率F为17kHz时形成了裂纹，因此，这之后的重复频率F从20kHz起每隔5kHz地升高。
(4)重复频率F为160kHz时形成了直径为90μm的最大裂纹。此时相邻的聚光点的间隔L与改质部的直径D的比例为
L/D＝(V/F)/D
＝{200(mm/s)/160(kHz)}/15.7(μm)
＝0.08。
(5)重复频率F超过160kHz时，裂纹的直径变小。
[实验5]
将脉冲能量设为20μJ，将加工进给速度V设为200mm/s，从实验用SiC晶片的上表面将脉冲激光光线的聚光点定位在内部100μm，使重复频率F从5kHz起每隔1kHz地升高，对实验用SiC晶片照射脉冲激光光线，连续地形成改质部。
[实验5的结果]
(1)重复频率F为5kHz至15kHz时，独立地形成了改质部。
(2)重复频率F为16kHz时形成裂纹，改质部被直径70μm的裂纹所连结。此时相邻的聚光点的间隔L与改质部的直径D的比例为
L/D＝(V/F)/D
＝{200(mm/s)/16(kHz)}/16.8(μm)
＝0.74。
需要说明的是，由于脉冲能量为20μJ，根据实验2的结果，改质部的直径D为16.8μm。
(3)重复频率F为50kHz时形成了直径为100μm的裂纹。需要说明的是，由于在重复频率F为16kHz时形成了裂纹，因此，这之后的重复频率F从20kHz起每隔5kHz地升高。
(4)重复频率F为120kHz时形成了直径为110μm的最大裂纹。此时相邻的聚光点的间隔L与改质部的直径D的比例为
L/D＝(V/F)/D
＝{200(mm/s)/120(kHz)}/16.8(μm)
＝0.1。
(5)重复频率F超过120kHz时，裂纹的直径变小。
[实验6]
将脉冲能量设为25μJ，将加工进给速度V设为200mm/s，从实验用SiC晶片的上表面将脉冲激光光线的聚光点定位在内部100μm，使重复频率F从5kHz起每隔1kHz地升高，对实验用SiC晶片照射脉冲激光光线，连续地形成改质部。
[实验6的结果]
(1)重复频率F为5kHz至15kHz时，独立地形成了改质部。
(2)重复频率F为16kHz时形成裂纹，改质部被直径70μm的裂纹所连结。此时相邻的聚光点的间隔L与改质部的直径D的比例为
L/D＝(V/F)/D
＝{200(mm/s)/16(kHz)}/16.9(μm)
＝0.74。
需要说明的是，由于脉冲能量为25μJ，根据实验2的结果，改质部的直径D为16.9μm。
(3)重复频率F为100kHz时形成了直径为150μm的最大裂纹。此时相邻的聚光点的间隔L与改质部的直径D的比例为
L/D＝(V/F)/D
＝{200(mm/s)/100(kHz)}/16.9(μm)
＝0.12。
需要说明的是，由于在重复频率F为16kHz时形成了裂纹，因此，这之后的重复频率F从20kHz起每隔5kHz地升高。
(4)重复频率F超过100kHz时，裂纹的直径变小。
[实验7]
将脉冲能量设为30μJ，将加工进给速度V设为200mm/s，从实验用SiC晶片的上表面将脉冲激光光线的聚光点定位在100μm内部，使重复频率F从5kHz起每隔1kHz地升高，对实验用SiC晶片照射脉冲激光光线，连续地形成改质部。
[实验7的结果]
(1)重复频率F为5kHz至12kHz时，独立地形成了改质部。
(2)重复频率F为13kHz时形成裂纹，改质部被直径70μm的裂纹所连结。此时相邻的聚光点的间隔L与改质部的直径D的比例为
L/D＝(V/F)/D
＝{200(mm/s)/13(kHz)}/20.8(μm)
＝0.74。
需要说明的是，由于脉冲能量为30μJ，根据实验2的结果，改质部的直径D为20.8μm。
(3)重复频率F为50kHz时形成了直径为170μm的最大裂纹。此时相邻的聚光点的间隔L与改质部的直径D的比例为
L/D＝(V/F)/D
＝{200(mm/s)/50(kHz)}/20.8(μm)
＝0.19。
需要说明的是，由于在重复频率F为13kHz时形成了裂纹，因此，这之后的重复频率F从20kHz起每隔5kHz地升高。
(4)重复频率F超过50kHz时，裂纹的直径变小。
由上述实验1～7的结果可以确认下述(1)～(3)。
(1)为了在单晶SiC中形成剥离层，脉冲能量需要为9μJ以上。另外，为了以稳定的连续性形成改质部，脉冲能量优选为10μJ以上。
(2)在改质部的直径D和相邻的聚光点的间隔L具有D>L的关系的区域形成裂纹。
(3)进而在具有0.75D>L>0.1D的关系的区域可良好地形成裂纹，因此可形成良好的剥离层。
符号说明
50：端面的垂线与c轴一致的单晶SiC晶锭
52：第一面(端面)
58：垂线
60：改质部
62：裂纹
64：剥离层
66：晶片
70：c轴相对于端面的垂线倾斜的单晶SiC晶锭
72：第一面(端面)
78：垂线
84：改质部
86：裂纹
88：剥离层
FP：聚光点
LB：脉冲激光光线
D：改质部的直径
L：聚光点的间隔
α：偏离角
A：形成有偏离角的方向

Claims (5)

1.一种SiC晶片的生成方法，其从单晶SiC晶锭生成SiC晶片，该单晶SiC晶锭具有c轴和与该c轴垂直的c面，
该SiC晶片的生成方法具备下述工序：
改质部形成工序，将对于单晶SiC具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位在距离单晶SiC晶锭的端面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对单晶SiC晶锭照射脉冲激光光线，在c面上形成SiC分离成Si和C的改质部；
剥离层形成工序，连续地形成该改质部，从该改质部起在c面各向同性地形成裂纹，形成用于从单晶SiC晶锭将SiC晶片剥离的剥离层；和
SiC晶片生成工序，以该剥离层为界面将单晶SiC晶锭的一部分剥离而生成SiC晶片，
在该剥离层形成工序中，将该改质部的直径设为D，将相邻的聚光点的间隔设为L时，在具有D>L的关系的区域形成裂纹，在不超过裂纹的宽度的范围对单晶SiC晶锭和聚光点相对地进行转位进给而连续地形成改质部，使裂纹与裂纹连结，形成该剥离层，其中，具有0.75D>L>0.1D的关系。
2.如权利要求1所述的SiC晶片的生成方法，其中，在该剥离层形成工序中照射的脉冲激光光线的能量为9μJ以上。
3.如权利要求1所述的SiC晶片的生成方法，其中，在该剥离层形成工序中，将聚光点定位在相同的c面上，连续地形成该改质部。
4.如权利要求3所述的SiC晶片的生成方法，其中，在c轴相对于单晶SiC晶锭的端面的垂线倾斜的情况下，在该剥离层形成工序中，
在与通过c面和端面形成偏离角的第2方向垂直的第1方向上连续地形成该改质部，从改质部起各向同性地形成裂纹，在该第2方向上在不超过裂纹的宽度的范围对单晶SiC晶锭和聚光点相对地进行转位进给，在该第1方向连续地形成改质部，从改质部起各向同性地依次形成裂纹。
5.如权利要求3所述的SiC晶片的生成方法，其中，在单晶SiC晶锭的端面的垂线与c轴一致的情况下，在该剥离层形成工序中，
在不超过从连续形成的改质部起各向同性地形成的裂纹的宽度的范围，对单晶SiC晶锭和聚光点相对地进行转位进给，连续地形成改质部，使裂纹与裂纹连结。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018093046A (ja) * 2016-12-02 2018-06-14 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
CN113518686B (zh) * 2019-03-28 2023-05-26 东京毅力科创株式会社 处理装置和处理方法
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
JP7330771B2 (ja) * 2019-06-14 2023-08-22 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法およびウエーハの生成装置
CN111215766A (zh) * 2019-12-26 2020-06-02 松山湖材料实验室 SiC晶片制造方法
CN111889896B (zh) * 2020-07-02 2022-05-03 松山湖材料实验室 一种超声协同激光的晶锭剥离方法
CN111986986A (zh) * 2020-08-24 2020-11-24 松山湖材料实验室 一种晶圆的剥离方法及剥离装置
CN114670288B (zh) * 2022-03-08 2023-08-15 海目星激光科技集团股份有限公司 超声波裂片方法及裂片装置
CN115770946B (zh) * 2022-12-09 2024-01-23 苏州龙驰半导体科技有限公司 一种晶圆切割方法
JP7398852B1 (ja) * 2023-06-23 2023-12-15 有限会社ドライケミカルズ 半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法
CN117020397A (zh) * 2023-09-20 2023-11-10 北京理工大学 一种基于时空同步聚焦激光的碳化硅晶锭剥片方法
JP7429080B1 (ja) 2023-11-28 2024-02-07 有限会社ドライケミカルズ 半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004080643A1 (ja) * 2003-03-12 2004-09-23 Hamamatsu Photonics K.K. レーザ加工方法
CN103380482A (zh) * 2011-02-10 2013-10-30 信越聚合物株式会社 单结晶基板制造方法及内部改质层形成单结晶部件
CN104339087A (zh) * 2013-08-01 2015-02-11 株式会社迪思科 加工装置
JP2016015463A (ja) * 2014-06-10 2016-01-28 エルシード株式会社 ＳｉＣ材料の加工方法及びＳｉＣ材料
JP2016111148A (ja) * 2014-12-04 2016-06-20 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6191382B1 (en) * 1998-04-02 2001-02-20 Avery Dennison Corporation Dynamic laser cutting apparatus
JP2000094221A (ja) 1998-09-24 2000-04-04 Toyo Advanced Technologies Co Ltd 放電式ワイヤソー
TWI261358B (en) * 2002-01-28 2006-09-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP4833657B2 (ja) * 2005-12-19 2011-12-07 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
CN105023973A (zh) * 2009-04-21 2015-11-04 泰特拉桑有限公司 形成太阳能电池中的结构的方法
JP5537081B2 (ja) * 2009-07-28 2014-07-02 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5917862B2 (ja) 2011-08-30 2016-05-18 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
US9768343B2 (en) * 2013-04-29 2017-09-19 OB Realty, LLC. Damage free laser patterning of transparent layers for forming doped regions on a solar cell substrate
JP6390898B2 (ja) * 2014-08-22 2018-09-19 アイシン精機株式会社 基板の製造方法、加工対象物の切断方法、及び、レーザ加工装置
JP5917677B1 (ja) * 2014-12-26 2016-05-18 エルシード株式会社 ＳｉＣ材料の加工方法
JP6395613B2 (ja) * 2015-01-06 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6482389B2 (ja) * 2015-06-02 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6478821B2 (ja) * 2015-06-05 2019-03-06 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6552898B2 (ja) * 2015-07-13 2019-07-31 株式会社ディスコ 多結晶ＳｉＣウエーハの生成方法
JP6486239B2 (ja) * 2015-08-18 2019-03-20 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6486240B2 (ja) * 2015-08-18 2019-03-20 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6604891B2 (ja) * 2016-04-06 2019-11-13 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6619685B2 (ja) * 2016-04-19 2019-12-11 株式会社ディスコ ＳｉＣウエーハの加工方法
JP2018093046A (ja) * 2016-12-02 2018-06-14 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP6773539B2 (ja) * 2016-12-06 2020-10-21 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004080643A1 (ja) * 2003-03-12 2004-09-23 Hamamatsu Photonics K.K. レーザ加工方法
CN103380482A (zh) * 2011-02-10 2013-10-30 信越聚合物株式会社 单结晶基板制造方法及内部改质层形成单结晶部件
CN104339087A (zh) * 2013-08-01 2015-02-11 株式会社迪思科 加工装置
JP2016015463A (ja) * 2014-06-10 2016-01-28 エルシード株式会社 ＳｉＣ材料の加工方法及びＳｉＣ材料
JP2016111148A (ja) * 2014-12-04 2016-06-20 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法

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