JP2021170613A - ウエーハの生成方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】製造履歴を形成するレーザー光線がインゴットにダメージを与えることがないウエーハの生成方法を提供する。【解決手段】ウエーハの生成方法は、インゴット２の端面を平坦化する平坦化工程と、平坦化された端面からインゴット２に対して透過性を有する波長のレーザー光線ＬＢの集光点ＦＰを生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに位置づけてレーザー光線ＬＢをインゴット２に照射し剥離層２８を形成する剥離層形成工程と、生成すべきウエーハのデバイスが形成されない領域の上面に次に生成すべきウエーハにダメージを与えない特性のレーザー光線ＬＢ’の集光点ＦＰ’を位置づけてレーザー光線ＬＢ’をインゴット２に照射し製造履歴２９をアブレーション加工で形成する製造履歴形成工程と、インゴット２から剥離層２８を起点として生成すべきウエーハを剥離してウエーハを生成するウエーハ生成工程とから少なくとも構成される。【選択図】図６

Description

本発明は、インゴットからウエーハを生成するウエーハの生成方法に関する。
ＩＣ、ＬＳＩ、ＬＥＤ等のデバイスは、Ｓｉ（シリコン）やＡｌ２Ｏ３（サファイア）等を素材としたウエーハの表面に機能層が積層され分割予定ラインによって区画されて形成される。また、パワーデバイス、ＬＥＤ等は単結晶ＳｉＣ（炭化ケイ素）を素材としたウエーハの表面に機能層が積層され分割予定ラインによって区画されて形成される。デバイスが形成されたウエーハは、切削装置、レーザー加工装置によって分割予定ラインに加工が施されて個々のデバイスチップに分割され、分割された各デバイスチップは携帯電話やパソコン等の電気機器に利用される。
デバイスが形成されるウエーハは、一般的に円柱形状のインゴットをワイヤーソーで薄く切断することにより生成される。切断されたウエーハの表面および裏面は、研磨することにより鏡面に仕上げられる（たとえば特許文献１参照）。しかし、インゴットをワイヤーソーで切断し、切断したウエーハの表面および裏面を研磨すると、インゴットの大部分（７０〜８０％）が捨てられることになり不経済であるという問題がある。特に単結晶ＳｉＣインゴットにおいては、硬度が高くワイヤーソーでの切断が困難であり相当の時間を要するため生産性が悪いと共に、インゴットの単価が高く効率よくウエーハを生成することに課題を有している。
そこで、単結晶ＳｉＣに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を単結晶ＳｉＣインゴットの内部に位置づけて単結晶ＳｉＣインゴットにレーザー光線を照射して切断予定面に剥離層を形成すると共に、生成されるウエーハの内部に製造履歴を形成した後、剥離層が形成された切断予定面に沿って単結晶ＳｉＣインゴットからウエーハを剥離する技術が提案されている（たとえば特許文献２参照）。
特開２０００−９４２２１号公報 特開２０１９−２９３８２号公報
ところが、上記特許文献２に開示されている技術においては、製造履歴を形成するレーザー光線が剥離層を透過してインゴットにダメージを与えるため、次に生成すべきウエーハの品質を低下させるという問題がある。
上記事実に鑑みてなされた本発明の課題は、製造履歴を形成するレーザー光線がインゴットにダメージを与えることがないウエーハの生成方法を提供することである。
本発明は上記課題を解決するために以下のウエーハの生成方法を提供する。すなわち、インゴットからウエーハを生成するウエーハの生成方法であって、インゴットの端面を平坦化する平坦化工程と、平坦化された端面からインゴットに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに位置づけてレーザー光線をインゴットに照射し剥離層を形成する剥離層形成工程と、生成すべきウエーハのデバイスが形成されない領域の上面に次に生成すべきウエーハにダメージを与えない特性のレーザー光線の集光点を位置づけてレーザー光線をインゴットに照射し製造履歴をアブレーション加工で形成する製造履歴形成工程と、インゴットから剥離層を起点として生成すべきウエーハを剥離してウエーハを生成するウエーハ生成工程と、から、少なくとも構成されるウエーハの生成方法を本発明は提供する。
好ましくは、該製造履歴形成工程において形成する製造履歴は、インゴットのロットナンバー、生成されるウエーハの順番、製造年月日、製造工場、生成に寄与した機種のいずれかが含まれる。インゴットは、第一の端面と、該第一の端面と反対側の第二の端面と、該第一の端面から該第二の端面に至るｃ軸と、該ｃ軸に直交するｃ面とを有する単結晶ＳｉＣインゴットであり、該第一の端面の垂線に対して該ｃ軸が傾き該ｃ面と該第一の端面とでオフ角が形成されており、該剥離層形成工程において、単結晶ＳｉＣインゴットに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線の集光点を該第一の端面から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに位置づけると共に該オフ角が形成される方向と直交する方向に単結晶ＳｉＣインゴットと該集光点とを相対的に移動してＳｉＣがＳｉとＣとに分離し次に照射されるパルスレーザー光線が前に形成されたＣに吸収されて連鎖的にＳｉＣがＳｉとＣとに分離して形成される直線状の改質層およびクラックを形成し、該オフ角が形成される方向に単結晶ＳｉＣインゴットと該集光点とを相対的に移動して所定量インデックスして剥離層を形成するのが好適である。
本発明のウエーハの生成方法は、インゴットの端面を平坦化する平坦化工程と、平坦化された端面からインゴットに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに位置づけてレーザー光線をインゴットに照射し剥離層を形成する剥離層形成工程と、生成すべきウエーハのデバイスが形成されない領域の上面に次に生成すべきウエーハにダメージを与えない特性のレーザー光線の集光点を位置づけてレーザー光線をインゴットに照射し製造履歴をアブレーション加工で形成する製造履歴形成工程と、インゴットから剥離層を起点として生成すべきウエーハを剥離してウエーハを生成するウエーハ生成工程と、から、少なくとも構成されることから、製造履歴を形成するレーザー光線がインゴットの上面において十分吸収され、インゴットの内部への漏れ光がほとんどないので、漏れ光がインゴットにダメージを与えることがなく、次に生成すべきウエーハの品質を低下させるという問題が解消する。
（ａ）インゴットの正面図、（ｂ）インゴットの平面図。 （ａ）インゴットおよびサブストレートの斜視図、（ｂ）インゴットにサブストレートが装着された状態を示す斜視図。 レーザー加工装置のチャックテーブルにインゴットを載せる状態を示す斜視図。 （ａ）剥離層形成工程を実施している状態を示す斜視図、（ｂ）剥離層形成工程を実施している状態を示す正面図。 （ａ）剥離層が形成されたインゴットの平面図、（ｂ）（ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図。 （ａ）製造履歴形成工程を実施している状態を示す斜視図、（ｂ）製造履歴形成工程を実施している状態を示す正面図。 剥離装置の斜視図。 ウエーハ生成工程を実施している状態を示す剥離装置の断面図。 インゴットからウエーハが剥離された状態を示す斜視図。 平坦化工程を実施している状態を示す斜視図。
以下、本発明のウエーハの生成方法の好適実施形態について図面を参照しつつ説明する。
図１には、本発明のウエーハの生成方法に用いられ得る円柱状のインゴット２が示されている。図示の実施形態のインゴット２は六方晶単結晶ＳｉＣから形成されている。インゴット２は、円形状の第一の端面４と、第一の端面４と反対側の円形状の第二の端面６と、第一の端面４および第二の端面６の間に位置する周面８と、第一の端面４から第二の端面６に至るｃ軸（＜０００１＞方向）と、ｃ軸に直交するｃ面（｛０００１｝面）とを有する。
インゴット２においては、第一の端面４の垂線１０に対してｃ軸が傾いており、ｃ面と第一の端面４とでオフ角α（たとえばα＝１、３、６度）が形成されている。オフ角αが形成される方向を図１に矢印Ａで示す。また、インゴット２の周面８には、いずれも結晶方位を示す矩形状の第一のオリエンテーションフラット１２および第二のオリエンテーションフラット１４が形成されている。第一のオリエンテーションフラット１２は、オフ角αが形成される方向Ａに平行であり、第二のオリエンテーションフラット１４は、オフ角αが形成される方向Ａに直交している。図１（ｂ）に示すとおり、上方からみて、第二のオリエンテーションフラット１４の長さＬ２は、第一のオリエンテーションフラット１２の長さＬ１よりも短い（Ｌ２＜Ｌ１）。
なお、本発明のウエーハの生成方法に用いられ得るインゴットは、上記インゴット２に限定されず、たとえば、第一の端面の垂線に対してｃ軸が傾いておらず、ｃ面と第一の端面とのオフ角αが０度である（すなわち、第一の端面の垂線とｃ軸とが一致している）ＳｉＣインゴットでもよく、あるいはＳｉ（シリコン）やＧａＮ（窒化ガリウム）等の単結晶ＳｉＣ以外の素材から形成されているインゴットでもよい。
図示の実施形態では、まず、図２に示すとおり、インゴット２の第二の端面６に適宜の接着剤を介して円板状のサブストレート１６を装着させる。インゴット２にサブストレート１６を装着させるのは、第一のオリエンテーションフラット１２および第二のオリエンテーションフラット１４が形成されたインゴット２を後述する各装置の円形の吸着チャックによって所定の吸引力で吸引保持するためである。
サブストレート１６の直径は後述する各装置の吸着チャックの直径よりも若干大きいことから、サブストレート１６を下に向けてインゴット２を吸着チャックに載せた際に吸着チャックがサブストレート１６で覆われるため、第一のオリエンテーションフラット１２および第二のオリエンテーションフラット１４が形成されたインゴット２を吸着チャックによって所定の吸引力で吸引保持することができる。
なお、インゴット２の直径が吸着チャックよりも大きく、インゴット２が吸着チャックに載せられた際に吸着チャックの上面全部がインゴット２で覆われる場合には、吸着チャックによる吸引の際に吸着チャックの露出部分からエアーが吸込まれることがなく、吸着チャックによって所定の吸引力でインゴット２を吸着可能なため、インゴット２にサブストレート１６を装着させなくてもよい。
インゴット２にサブストレート１６を装着させた後、平坦化された端面からインゴット２に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに位置づけてレーザー光線をインゴット２に照射し剥離層を形成する剥離層形成工程を実施する。インゴット２は、通常、剥離層形成工程におけるレーザー光線の入射を妨げない程度に第一の端面４および第二の端面６が平坦化されているので、インゴット２に対して最初の剥離層形成工程を実施する前には、インゴット２の端面を平坦化する平坦化工程を実施しなくてもよい。
剥離層形成工程は、たとえば図３および図４に一部を示すレーザー加工装置１８を用いて実施することができる。レーザー加工装置１８は、インゴット２を吸引保持するチャックテーブル２０と、チャックテーブル２０に吸引保持されたインゴット２にパルスレーザー光線ＬＢを照射する集光器２２（図４参照。）とを備える。
チャックテーブル２０の上端部分には、吸引手段（図示していない。）に接続された多孔質の円形の吸着チャック２３（図３参照。）が配置されている。チャックテーブル２０は、吸引手段で吸着チャック２３の上面に吸引力を生成することにより、上面に載せられたインゴット２を吸引保持する。チャックテーブル２０は、上下方向に延びる軸線を中心として回転自在に構成されていると共に、図３に矢印Ｘで示すＸ軸方向と、Ｘ軸方向に直交するＹ軸方向（図３に矢印Ｙで示す方向）とのそれぞれに進退自在に構成されている。集光器２２はＸ軸方向およびＹ軸方向に進退自在に構成されている。なお、Ｘ軸方向およびＹ軸方向が規定するＸＹ平面は実質上水平である。
図３に示すとおり、剥離層形成工程では、まず、サブストレート１６を下に向けてチャックテーブル２０の上面でインゴット２を吸引保持する。次いで、レーザー加工装置１８の撮像手段（図示していない。）で上方からインゴット２を撮像し、撮像手段で撮像したインゴット２の画像に基づいて、インゴット２の向きを所定の向きに調整すると共にインゴット２と集光器２２とのＸＹ平面における位置を調整する。インゴット２の向きを所定の向きに調整する際は、図４（ａ）に示すとおり、第二のオリエンテーションフラット１４をＸ軸方向に整合させることによって、オフ角αが形成される方向Ａと直交する方向をＸ軸方向に整合させると共に、オフ角αが形成される方向ＡをＹ軸方向に整合させる。
次いで、インゴット２の第一の端面４から、生成すべきウエーハの厚みに相当する深さ（たとえば７００μｍ）に集光点ＦＰ（図４（ｂ）参照。）を位置づける。次いで、インゴット２と集光器２２とを相対的にＸ軸方向に所定の送り速度で移動させながら、インゴット２に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線ＬＢを集光器２２からインゴット２に照射する。これによって、図５に示すとおり、ＳｉＣがＳｉ（シリコン）とＣ（炭素）とに分離し次に照射されるパルスレーザー光線ＬＢが前に形成されたＣに吸収されて連鎖的にＳｉＣがＳｉとＣとに分離した改質層２４が、Ｘ軸方向に連続的に直線状に形成されると共に、改質層２４からｃ面に沿って等方的に延びるクラック２６が形成される。
次いで、クラック２６の幅を超えない範囲で所定インデックス量Ｌｉだけ、インゴット２と集光点ＦＰとをＹ軸方向に相対的にインデックス送りする。そして、パルスレーザー光線ＬＢの照射とインデックス送りとを交互に繰り返すことにより、Ｘ軸方向に延びる改質層２４をＹ軸方向に所定インデックス量Ｌｉの間隔をおいて複数形成すると共に、改質層２４からｃ面に沿って等方的に延びるクラック２６を順次形成して、Ｙ軸方向において隣接するクラック２６とクラック２６とが上下方向にみて重なるようにする。これによって、インゴット２の第一の端面４から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに、複数の改質層２４およびクラック２６からなる、インゴット２からウエーハを剥離するための強度が低下した剥離層２８を形成することができる。なお、剥離層形成工程は、たとえば以下の加工条件で実施することができる。
パルスレーザー光線の波長 ：１０６４ｎｍ
繰り返し周波数 ：１２０ｋＨｚ
平均出力 ：８．０Ｗ
集光点の直径 ：１μｍ
インデックス量 ：２５０〜４００μｍ
送り速度 ：９３４ｍｍ／ｓ
剥離層形成工程を実施した後、生成すべきウエーハのデバイスが形成されない領域の上面に次に生成すべきウエーハにダメージを与えない特性のレーザー光線の集光点を位置づけてレーザー光線をインゴット２に照射し製造履歴をアブレーション加工で形成する製造履歴形成工程を実施する。
製造履歴形成工程は、たとえば図６に一部を示すレーザー加工装置１８’を用いて実施することができる。製造履歴形成工程を実施するためのレーザー加工装置１８’は、インゴット２を吸引保持するチャックテーブル２０’と、チャックテーブル２０’に保持されたインゴット２にパルスレーザー光線ＬＢ’を照射する集光器２２’とを備えており、剥離層形成工程を実施することができるレーザー加工装置１８とほぼ同様の構成であるが、レーザー加工装置１８のパルスレーザー光線ＬＢとは異なるパルスレーザー光線ＬＢ’を被加工物に対して照射するようになっている。
図６を参照して説明を続けると、製造履歴形成工程では、まず、サブストレート１６を下に向けてチャックテーブル２０’の上面でインゴット２を吸引保持する。次いで、レーザー加工装置１８’の撮像手段（図示していない。）でインゴット２を撮像し、撮像手段で撮像したインゴット２の画像に基づいて集光器２２’の位置を調整する。
次いで、生成すべきウエーハのデバイスが形成されない外周余剰領域の上面（図示の実施形態では第一の端面４）に、次に生成すべきウエーハにダメージを与えない特性のパルスレーザー光線ＬＢ’の集光点ＦＰ’を位置づける。次いで、インゴット２と集光点ＦＰ’とを相対的に適宜移動させながらパルスレーザー光線ＬＢ’を集光器２２’からインゴット２に照射する。これによって、生成すべきウエーハのデバイスが形成されない外周余剰領域の上面にアブレーション加工を施し、バーコードの形態によって構成され得る製造履歴２９を形成することができる。
製造履歴形成工程におけるパルスレーザー光線ＬＢ’は、集光点ＦＰ’を位置づけたインゴット２の上面において十分吸収されるように波長や平均出力等が制御されたレーザー光線である。このようなパルスレーザー光線ＬＢ’を用いることによって、アブレーション加工によってインゴット２の上面に製造履歴２９を形成することができる一方、インゴット２における剥離層２８よりも下方の部分への漏れ光がほとんどなくなり、次に生成すべきウエーハにダメージを与えることがない。製造履歴形成工程におけるパルスレーザー光線ＬＢ’としては、たとえば以下の特性を有するレーザー光線を用いることができる。
波長 ：３５５ｎｍ
繰り返し周波数 ：４０ｋＨｚ
平均出力 ：１．１Ｗ
集光点の直径 ：４６μｍ
製造履歴形成工程において形成される製造履歴２９は、インゴット２のロットナンバー、インゴット２から生成されるウエーハの順番、ウエーハの製造年月日、ウエーハの製造工場、ウエーハの生成に寄与した機種のいずれかが含まれる。図示の実施形態では第一のオリエンテーションフラット１２に沿って製造履歴２９を形成しているが、生成すべきウエーハのデバイスが形成されない領域の上面であれば、第二のオリエンテーションフラット１４に沿って製造履歴２９を形成してもよく、あるいは弧状周縁に沿って製造履歴２９を形成してもよい。また、製造履歴２９の深さについては、インゴット２から剥離されたウエーハの表面および裏面が研削および研磨されてウエーハが薄化された際に、製造履歴２９が除去されないような深さ（たとえば２００〜３００μｍ程度）とする。
製造履歴形成工程を実施した後、インゴット２から剥離層２８を起点として生成すべきウエーハを剥離してウエーハを生成するウエーハ生成工程を実施する。ウエーハ生成工程は、たとえば図７ないし図９に一部を示す剥離装置３０を用いて実施することができる。剥離装置３０は、インゴット２を吸引保持するチャックテーブル３２と、チャックテーブル３２に保持されたインゴット２の上面を保持し剥離層２８を起点としてインゴット２からウエーハを剥離する剥離手段３４とを備える。
剥離手段３４は、インゴット２からウエーハを剥離する際にチャックテーブル３２と協働して液体を収容する昇降自在な液槽体３６を含む。液槽体３６には、液体供給手段（図示していない。）に接続された液体供給部３８が付設されていると共に、エアシリンダ４０が装着されている。図８に示すとおり、エアシリンダ４０のロッド４２の下端部には超音波発振部材４４が固定され、超音波発振部材４４の下面には吸着片４６が固定されている。
図７に示すとおり、ウエーハ生成工程では、まず、サブストレート１６を下に向けてチャックテーブル３２の上面でインゴット２を吸引保持する。次いで、図８に示すとおり、液槽体３６を下降させ、チャックテーブル３２の上面に液槽体３６の下端を密着させる。次いで、インゴット２の第一の端面４を吸着片４６で吸引保持する。
次いで、チャックテーブル３２の上面と液槽体３６の内面とで規定される液体収容空間４８に液体供給部３８から液体５０（たとえば水）を供給する。次いで、超音波発振部材４４から超音波を発振することにより、剥離層２８を刺激してクラック２６を伸長させ剥離層２８を破壊する。次いで、吸着片４６でインゴット２を吸引保持した状態で液槽体３６を上昇させることにより、図９に示すとおり、剥離層２８を起点として、製造履歴２９を有するウエーハ５２をインゴット２から剥離して生成することができる。
ウエーハ生成工程を実施した後、インゴット２の端面（剥離面５４）を平坦化する平坦化工程を実施する。平坦化工程は、たとえば図１０に一部を示す研削装置６０を用いて実施することができる。研削装置６０は、インゴット２を吸引保持するチャックテーブル６２と、チャックテーブル６２に吸引保持されたインゴット２の端面を研削して平坦化する研削手段６４とを備える。
上面においてインゴット２を吸引保持するチャックテーブル６２は、回転自在に構成されている。研削手段６４は、上下方向を軸心として回転自在に構成されたスピンドル６６と、スピンドル６６の下端に固定されたホイールマウント６８とを含む。ホイールマウント６８の下面にはボルト７０により環状の研削ホイール７２が固定されている。研削ホイール７２の下面の外周縁部には、周方向に間隔をおいて環状に配置された複数の研削砥石７４が固定されている。
図１０を参照して説明を続けると、平坦化工程では、まず、サブストレート１６を下に向けてチャックテーブル６２の上面でインゴット２を吸引保持する。次いで、チャックテーブル６２を回転させると共に、スピンドル６６を回転させる。次いで、スピンドル６６を下降させ、剥離面５４に研削砥石７４を接触させた後、所定の研削送り速度でスピンドル６６を下降させる。これによって、剥離層形成工程におけるパルスレーザー光線ＬＢや製造履歴形成工程におけるパルスレーザー光線ＬＢ’の入射を妨げない程度に、インゴット２の剥離面５４を研削して平坦化することができる。そして、剥離層形成工程、製造履歴形成工程、ウエーハ生成工程および平坦化工程を繰り返し実施することにより、製造履歴２９を有するウエーハ５２をインゴット２から複数生成する。
以上のとおりであり、図示の実施形態のウエーハの生成方法は、インゴット２の端面を平坦化する平坦化工程と、平坦化された端面からインゴット２に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線ＬＢの集光点ＦＰを生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに位置づけてパルスレーザー光線ＬＢをインゴット２に照射し剥離層２８を形成する剥離層形成工程と、生成すべきウエーハのデバイスが形成されない領域の上面に次に生成すべきウエーハにダメージを与えない特性のパルスレーザー光線ＬＢ’の集光点ＦＰ’を位置づけてパルスレーザー光線ＬＢ’をインゴット２に照射し製造履歴２９をアブレーション加工で形成する製造履歴形成工程と、インゴット２から剥離層２８を起点として生成すべきウエーハを剥離してウエーハを生成するウエーハ生成工程とから少なくとも構成されているので、製造履歴２９を形成するパルスレーザー光線ＬＢ’がインゴット２の上面において十分吸収され、インゴット２の内部への漏れ光がほとんどないので、漏れ光がインゴット２にダメージを与えることがなく、次に生成すべきウエーハの品質を低下させるという問題が解消する。
２：インゴット
４：第一の端面
６：第二の端面
８：周面
１０：垂線
２４：改質層
２６：クラック
２８：剥離層
２９：製造履歴
５２：ウエーハ
α：オフ角
Ａ：オフ角が形成される方向

Claims (3)

  1. インゴットからウエーハを生成するウエーハの生成方法であって、
    インゴットの端面を平坦化する平坦化工程と、
    平坦化された端面からインゴットに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに位置づけてレーザー光線をインゴットに照射し剥離層を形成する剥離層形成工程と、
    生成すべきウエーハのデバイスが形成されない領域の上面に次に生成すべきウエーハにダメージを与えない特性のレーザー光線の集光点を位置づけてレーザー光線をインゴットに照射し製造履歴をアブレーション加工で形成する製造履歴形成工程と、
    インゴットから剥離層を起点として生成すべきウエーハを剥離してウエーハを生成するウエーハ生成工程と、
    から、少なくとも構成されるウエーハの生成方法。
  2. 該製造履歴形成工程において形成する製造履歴は、インゴットのロットナンバー、生成されるウエーハの順番、製造年月日、製造工場、生成に寄与した機種のいずれかが含まれる請求項１記載のウエーハの生成方法。
  3. インゴットは、第一の端面と、該第一の端面と反対側の第二の端面と、該第一の端面から該第二の端面に至るｃ軸と、該ｃ軸に直交するｃ面とを有する単結晶ＳｉＣインゴットであり、該第一の端面の垂線に対して該ｃ軸が傾き該ｃ面と該第一の端面とでオフ角が形成されており、
    該剥離層形成工程において、
    単結晶ＳｉＣインゴットに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線の集光点を該第一の端面から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに位置づけると共に該オフ角が形成される方向と直交する方向に単結晶ＳｉＣインゴットと該集光点とを相対的に移動してＳｉＣがＳｉとＣとに分離し次に照射されるパルスレーザー光線が前に形成されたＣに吸収されて連鎖的にＳｉＣがＳｉとＣとに分離して形成される直線状の改質層およびクラックを形成し、該オフ角が形成される方向に単結晶ＳｉＣインゴットと該集光点とを相対的に移動して所定量インデックスして剥離層を形成する請求項１記載のウエーハの生成方法。
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