JP2018093046A - ウエーハ生成方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】生産性の向上が図られるウエーハ生成方法を提供する。【解決手段】単結晶SiCに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線の集光点をインゴットの第一の面から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに位置づけてインゴットにパルスレーザー光線を照射しSiCがSiとCとに分離した改質部60をc面に形成し改質部を連続的に形成して改質部からc面に等方的にクラック62を形成しインゴットからウエーハを剥離するための剥離層64を形成し、剥離層を界面としてインゴットの一部を剥離してウエーハを生成する。剥離層形成において、改質部の直径をDとし隣接する集光点の間隔をLとするとD>Lの関係を有する領域でクラックが形成され、クラックの幅を超えない範囲でインゴットと集光点とを相対的にインデックス送りして改質部を連続的に形成してクラックとクラックとを連結させて剥離層を形成する。【選択図】図4
Description
本発明は、単結晶SiCインゴットからウエーハを生成するウエーハ生成方法に関する。
ICやLSI、LED等のデバイスは、Si(シリコン)やAl2O3(サファイア)等を素材としたウエーハの表面に機能層が積層され分割予定ラインによって区画されて形成される。また、パワーデバイスやLED等は単結晶SiC(炭化ケイ素)を素材としたウエーハの表面に機能層が積層され分割予定ラインによって区画されて形成される。デバイスが形成されたウエーハは、切削装置やレーザー加工装置によって分割予定ラインに加工が施されて個々のデバイスに分割される。分割された各デバイスは携帯電話やパソコン等の電気機器に利用されている。
デバイスが形成されるウエーハは、一般的に円柱形状のインゴットをワイヤーソーで薄く切断することにより生成される。切断されたウエーハの表面及び裏面は、研磨することにより鏡面に仕上げられる(特許文献1参照。)。しかし、インゴットをワイヤーソーで切断し、切断したウエーハの表面及び裏面を研磨すると、インゴットの大部分(70〜80%)が捨てられることになり不経済であるという問題がある。特に単結晶SiCインゴットにおいては、硬度が高くワイヤーソーでの切断が困難であり相当の時間を要するため生産性が悪いと共に、インゴットの単価が高く効率よくウエーハを生成することに課題を有している。
そこで、単結晶SiCに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を単結晶SiCインゴットの内部に位置づけて単結晶SiCインゴットにレーザー光線を照射することによって切断予定面に改質層を形成し、改質層が形成された切断予定面を切断して単結晶SiCインゴットからウエーハを生成する技術が提案されている(特許文献2参照。)。ところが、単結晶SiCインゴットからウエーハを生成するには改質層を10μm程度の間隔をおいて密に形成しなければならず生産性が悪いという問題がある。
上記事実に鑑みてなされた本発明の課題は、生産性の向上が図られるウエーハ生成方法を提供することである。
上記課題を解決するために本発明が提供するのは、以下のウエーハ生成方法である。すなわち、c軸と該c軸に直交するc面とを有する単結晶SiCインゴットからウエーハを生成するウエーハ生成方法であって、単結晶SiCに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線の集光点を単結晶SiCインゴットの端面から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに位置づけて単結晶SiCインゴットにパルスレーザー光線を照射しSiCがSiとCとに分離した改質部をc面に形成する改質部形成工程と、改質部を連続的に形成して改質部からc面に等方的にクラックを形成し単結晶SiCインゴットからウエーハを剥離するための剥離層を形成する剥離層形成工程と、該剥離層を界面として単結晶SiCインゴットの一部を剥離してウエーハを生成するウエーハ生成工程と、を含み、該剥離層形成工程において、改質部の直径をDとし隣接する集光点の間隔をLとするとD>Lの関係を有する領域でクラックが形成され、クラックの幅を超えない範囲で単結晶SiCインゴットと集光点とを相対的にインデックス送りして改質部を連続的に形成してクラックとクラックとを連結させて剥離層を形成するウエーハ生成方法である。
好ましくは、該剥離層形成工程において、改質部の直径をDとし隣接する集光点の間隔をLとすると0.75D>L>0.1Dの関係を有する。該剥離層形成工程において照射するパルスレーザー光線のエネルギーは9μJ以上であるのが好適である。該剥離層形成工程において、集光点を同じc面上に位置づけ改質部を連続的に形成するのが好都合である。単結晶SiCインゴットの端面の垂線に対してc軸が傾いている場合、該剥離層形成工程において、c面と端面とでオフ角が形成される方向と直交する方向に改質部を連続的に形成して改質部から等方的にクラックを形成し、該オフ角が形成される方向にクラックの幅を超えない範囲で単結晶SiCインゴットと集光点とを相対的にインデックス送りして該オフ角が形成される方向と直交する方向に改質部を連続的に形成して改質部から等方的にクラックを順次形成するのが好ましい。単結晶SiCインゴットの端面の垂線とc軸とが一致している場合、該剥離層形成工程において、連続的に形成された改質部から等方的に形成されたクラックの幅を超えない範囲で単結晶SiCインゴットと集光点とを相対的にインデックス送りして改質部を連続的に形成してクラックとクラックとを連結させるのが好適である。
本発明が提供するウエーハ生成方法では、連続的に延びる複数の改質部及び改質部から等方的に延びるクラックから構成され、かつインデックス送り方向において隣接するクラックとクラックとが連結した剥離層を界面として単結晶SiCインゴットの一部を剥離することにより、所望の厚みのウエーハを効率よく生成することができると共に捨てられる素材量を軽減でき、したがって生産性の向上が図られる。
本発明のウエーハ生成方法は、単結晶SiCインゴットのc軸が端面の垂線に対して傾いるか否かに関わらず使用することができるところ、まず、端面の垂線とc軸とが一致している単結晶SiCインゴットにおける本発明のウエーハ生成方法の実施形態について図1ないし図7を参照しつつ説明する。
図1には、本発明のウエーハ生成方法を実施可能なレーザー加工装置2が示されている。レーザー加工装置2は、基台4と、被加工物を保持する保持手段6と、保持手段6を移動させる移動手段8と、保持手段6に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段10と、保持手段6に保持された被加工物を撮像する撮像手段12と、撮像手段12によって撮像された画像を表示する表示手段14と、保持手段6に保持された被加工物の一部を剥離する剥離手段16とを備える。
保持手段6は、X方向において移動自在に基台4に搭載された矩形状のX方向可動板18と、Y方向において移動自在にX方向可動板18に搭載された矩形状のY方向可動板20と、Y方向可動板20の上面に回転自在に搭載された円筒形状のチャックテーブル22とを含む。なお、X方向は図1に矢印Xで示す方向であり、Y方向は図1に矢印Yで示す方向であってX方向に直交する方向である。X方向及びY方向が規定するXY平面は実質上水平である。
移動手段8は、X方向移動手段24と、Y方向移動手段26と、回転手段(図示していない。)とを含む。X方向移動手段24は、基台4上においてX方向に延びるボールねじ28と、ボールねじ28の片端部に連結されたモータ30とを有する。ボールねじ28のナット部(図示していない。)は、X方向可動板18の下面に固定されている。そしてX方向移動手段24は、ボールねじ28によりモータ30の回転運動を直線運動に変換してX方向可動板18に伝達し、基台4上の案内レール4aに沿ってX方向可動板18をX方向に進退させる。Y方向移動手段26は、X方向可動板18上においてY方向に延びるボールねじ32と、ボールねじ32の片端部に連結されたモータ34とを有する。ボールねじ32のナット部(図示していない。)は、Y方向可動板20の下面に固定されている。そしてY方向移動手段26は、ボールねじ32によりモータ34の回転運動を直線運動に変換してY方向可動板20に伝達し、X方向可動板18上の案内レール18aに沿ってY方向可動板20をY方向に進退させる。回転手段は、チャックテーブル22に内蔵されたモータ(図示していない。)を有し、Y方向可動板20に対してチャックテーブル22を回転させる。
レーザー光線照射手段10は、基台4の上面から上方に延び次いで実質上水平に延びる枠体36と、枠体36に内蔵された発振手段(図示していない。)と、枠体36の先端下面に配置された集光器38と、集光点位置調整手段(図示していない。)とを含む。発振手段は、パルスレーザー光線LBを発振する発振器と、発振器が発振するパルスレーザー光線LBの繰り返し周波数を設定する設定器と、発振器が発振したパルスレーザー光線LBの出力を調整する調整器とを有する(いずれも図示していない。)。集光器38は、発振器が発振したパルスレーザー光線LBを集光する集光レンズ(図示していない。)を有する。また、撮像手段12は、集光器38とX方向に間隔をおいて枠体36の先端下面に付設されている。表示手段14は枠体36の先端上面に搭載されている。
剥離手段16は、基台4上の案内レール4aの終端部から上方に延びる直方体状のケーシング40と、ケーシング40に昇降自在に支持された基端からX方向に延びるアーム42とを含む。ケーシング40には、アーム42を昇降させる昇降手段(図示していない。)が内蔵されている。アーム42の先端にはモータ44が付設され、モータ44の下面には、上下方向に延びる軸線を中心として回転自在に円盤状の吸着片46が連結されている。下面に複数の吸引孔(図示していない。)が形成されている吸着片46は、流路によって吸引手段(図示していない。)に接続されている。また吸着片46には、吸着片46の下面に対して超音波振動を付与する超音波振動付与手段(図示していない。)が内蔵されている。
図2に示す円柱形状の六方晶単結晶SiCインゴット50(以下「インゴット50」という。)は、円形状の第一の面52(端面)と、第一の面52と反対側の円形状の第二の面54と、第一の面52及び第二の面54の間に位置する円筒形状の周面56と、第一の面52から第二の面54に至るc軸(<0001>方向)と、c軸に直交するc面({0001}面)とを有する。インゴット50においては、第一の面52の垂線58に対してc軸が傾いておらず、垂線58とc軸とが一致している。
図示の実施形態では、まず、第一の面52から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さのc面にSiCがSiとCとに分離した改質部を形成する改質部形成工程を実施する。改質部形成工程では、まず、インゴット50の第二の面54とチャックテーブル22の上面との間に接着剤(たとえばエポキシ樹脂系接着剤)を介在させ、チャックテーブル22にインゴット50を固定する。あるいは、チャックテーブル22の上面に複数の吸引孔が形成されており、チャックテーブル22の上面に吸引力を生成してインゴット50を保持してもよい。次いで、撮像手段12によって第一の面52の上方からインゴット50を撮像する。次いで、撮像手段12によって撮像されたインゴット50の画像に基づいて、移動手段8によってチャックテーブル22を移動させることによって、インゴット50と集光器38とのXY平面における位置を調整する。次いで、集光点位置調整手段によって集光器38を昇降させ、第一の面52から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さの位置に集光点FPを位置づける。次いで、単結晶SiCに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線LBを集光器38からインゴット50に照射する。これによって、第一の面52から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さのc面にSiCがSiとCとに分離した改質部60を形成することができる。
改質部形成工程を実施した後、インゴット50からウエーハを剥離するための剥離層を形成する剥離層形成工程を実施する。剥離層形成工程では、改質部形成工程において形成した改質部60に続いて同一c面に改質部60を連続的に形成して同一c面に等方的にクラックを形成する改質部連続形成加工と、クラックの幅を超えない範囲でインゴット50と集光点FPとを相対的にインデックス送りするインデックス送りとを交互に行う。
改質部連続形成加工は、集光点FPとチャックテーブル22とを相対的に移動すればよく、たとえば図3に示すとおり、集光点FPを移動させずに集光点FPに対してチャックテーブル22を所定の加工送り速度でX方向移動手段24によってX方向に加工送りしながら、単結晶SiCに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線LBを集光器38からインゴット50に照射することにより行うことができる。これによって、第一の面52から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さの同一c面に、X方向に沿って連続的に延びる直線状の改質部60を形成することができると共に、図4に示すとおり、改質部60からc面に沿って等方的に延びるクラック62を形成することができる。図4に改質部60を中心としてクラック62が形成される領域を二点鎖線で示す。図5を参照して説明すると、改質部60の直径をDとし、加工送り方向において隣接する集光点FPの間隔をLとすると、D>Lの関係(すなわち、加工送り方向であるX方向において隣接する改質部60と改質部60とが重複する関係)を有する領域で改質部60から同一c面に沿って等方的にクラック62が形成される。加工送り方向において隣接する集光点FPの間隔Lは、集光点FPとチャックテーブル22との相対速度V、及びパルスレーザー光線LBの繰り返し周波数Fにより規定される(L=V/F)。図示の実施形態では、集光点FPに対するチャックテーブル22のX方向への加工送り速度Vと、パルスレーザー光線LBの繰り返し周波数Fとを調整することによってD>Lの関係を満たすことができる。
剥離層形成工程では改質部連続形成加工に続いて、クラック62の幅を超えない範囲で、集光点FPに対してチャックテーブル22をY方向移動手段26によってY方向に所定インデックス量Liだけインデックス送りする。そして、改質部連続形成加工とインデックス送りと交互に繰り返すことにより、X方向に沿って連続的に延びる改質部60をY方向にインデックス量Liの間隔をおいて複数形成すると共に、Y方向において隣接するクラック62とクラック62とを連結させる。これによって、第一の面52から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さの同一c面に、改質部60及びクラック62から構成される、インゴット50からウエーハを剥離するための剥離層64を形成することができる。
また、改質部連続形成加工は、集光点FPとチャックテーブル22とを相対的に移動すればよく、たとえば図6に示すとおり、集光点FPを移動させずに集光点FPに対してチャックテーブル22を上方からみて反時計回り(時計回りでもよい。)に所定の回転速度で回転手段によって回転させながら、単結晶SiCに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線LBを集光器38からインゴット50に照射することにより行うこともできる。これによって、第一の面52から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さのc面に、インゴット50の周方向に沿って連続的に延びる環状の改質部60を形成することができると共に、改質部60からc面に沿って等方的に延びるクラック62を形成することができる。上述したとおり、改質部60の直径をDとし、加工送り方向において隣接する集光点FPの間隔をLとすると、D>Lの関係を有する領域で改質部60からc面に沿って等方的にクラック62が形成され、また加工送り方向において隣接する集光点FPの間隔Lは、集光点FPとチャックテーブル22との相対速度V、及びパルスレーザー光線LBの繰り返し周波数Fにより規定される(L=V/F)ところ、図6に示す場合には、集光点FP位置における集光点FPに対するチャックテーブル22の周速度Vと、パルスレーザー光線LBの繰り返し周波数Fとを調整することによってD>Lの関係を満たすことができる。
改質部連続形成加工をインゴット50の周方向に沿って環状に行った場合には、クラック62の幅を超えない範囲で、集光点FPに対してチャックテーブル22をX方向移動手段24又はY方向移動手段26によってインゴット50の径方向に所定インデックス量Liだけインデックス送りする。そして、改質部連続形成加工とインデックス送りと交互に繰り返すことにより、インゴット50の周方向に沿って連続的に延びる改質部60をインゴット50の径方向にインデックス量Liの間隔をおいて複数形成すると共に、インゴット50の径方向において隣接するクラック62とクラック62とを連結させる。これによって、第一の面52から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さの同一c面に、改質部60及びクラック62から構成される、インゴット50からウエーハを剥離するための剥離層64を形成することができる。
剥離層形成工程を実施した後、剥離層64を界面としてインゴット50の一部を剥離してウエーハを生成するウエーハ生成工程を実施する。ウエーハ生成工程では、まず、移動手段8によってチャックテーブル22を吸着片46の下方に移動させる。次いで、昇降手段によってアーム42を下降させ、図7に示すとおり、吸着片46の下面をインゴット50の第一の面52に密着させる。次いで、吸引手段を作動させ、吸着片46の下面をインゴット50の第一の面52に吸着させる。次いで、超音波振動付与手段を作動させ、吸着片46の下面に対して超音波振動を付与すると共に、モータ44を作動させ吸着片46を回転させる。これによって、剥離層64を界面としてインゴット50の一部を剥離することができ、所望の厚みのウエーハ66を生成することができる。
以上のとおり本発明のウエーハ生成方法では、連続的に延びる複数の改質部60及び改質部60から等方的に延びるクラック62から構成され、かつインデックス送り方向において隣接するクラック62とクラック62とが連結した剥離層64を界面としてインゴット50の一部を剥離することにより、所望の厚みのウエーハ66を効率よく生成することができると共に捨てられる素材量を軽減でき、したがって生産性の向上が図られる。
次に、端面の垂線に対してc軸が傾いている単結晶SiCインゴットにおける本発明のウエーハ生成方法の実施形態について図8ないし図10を参照しつつ説明する。
図8に示す全体として円柱形状の六方晶単結晶SiCインゴット70(以下「インゴット70」という。)は、円形状の第一の面72(端面)と、第一の面72と反対側の円形状の第二の面74と、第一の面72及び第二の面74の間に位置する円筒形状の周面76と、第一の面72から第二の面74に至るc軸(<0001>方向)と、c軸に直交するc面({0001}面)とを有する。インゴット70においては、第一の面72の垂線78に対してc軸が傾いており、c面と第一の面72とでオフ角α(たとえばα=4度)が形成されている(オフ角αが形成される方向を図8に矢印Aで示す。)。またインゴット70の周面76には、結晶方位を示す矩形状の第一のオリエンテーションフラット80及び第二のオリエンテーションフラット82が形成されている。第一のオリエンテーションフラット80は、オフ角αが形成される方向Aに平行であり、第二のオリエンテーションフラット82は、オフ角αが形成される方向Aに直交している。図8(a)に示すとおり、垂線78の方向にみて、第二のオリエンテーションフラット82の長さL2は、第一のオリエンテーションフラット80の長さL1よりも短い(L2<L1)。
図示の実施形態では、まず、第一の面72から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さのc面にSiCがSiとCとに分離した改質部を形成する改質部形成工程を実施する。改質部形成工程では、まず、インゴット70の第二の面74とチャックテーブル22の上面との間に接着剤(たとえばエポキシ樹脂系接着剤)を介在させ、チャックテーブル22にインゴット70を固定する。あるいは、チャックテーブル22の上面に複数の吸引孔が形成されており、チャックテーブル22の上面に吸引力を生成してインゴット70を保持してもよい。次いで、撮像手段12によって第一の面72の上方からインゴット70を撮像する。次いで、撮像手段12によって撮像されたインゴット70の画像に基づいて、移動手段8によってチャックテーブル22を移動及び回転させることによって、インゴット70の向きを所定の向きに調整すると共に、インゴット70と集光器38とのXY平面における位置を調整する。インゴット70の向きを所定の向きに調整する際は、図9(a)に示すとおり、第一のオリエンテーションフラット80をY方向に整合させると共に、第二のオリエンテーションフラット82をX方向に整合させることによって、オフ角αが形成される方向AをY方向に整合させると共に、オフ角αが形成される方向Aと直交する方向をX方向に整合させる。次いで、集光点位置調整手段によって集光器38を昇降させ、第一の面72から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さの位置に集光点FPを位置づける。次いで、単結晶SiCに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線LBを集光器38からインゴット70に照射する。これによって、第一の面72から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さのc面にSiCがSiとCとに分離した改質部84を形成することができる。
改質部形成工程を実施した後、インゴット70からウエーハを剥離するための剥離層を形成する剥離層形成工程を実施する。剥離層形成工程では、改質部形成工程において形成した改質部84に続いて同一c面に改質部84を連続的に形成して同一c面に等方的にクラックを形成する改質部連続形成加工と、クラックの幅を超えない範囲でインゴット70と集光点FPとを相対的にインデックス送りするインデックス送りとを交互に行う。
改質部連続形成加工は、集光点FPとチャックテーブル22とを相対的に移動すればよく、たとえば図9に示すとおり、集光点FPを移動させずに集光点FPに対してチャックテーブル22を所定の加工送り速度でX方向移動手段24によってX方向(すなわち、オフ角αが形成される方向Aと直交する方向)に加工送りしながら、単結晶SiCに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線LBを集光器38からインゴット70に照射することにより行うことができる。これによって、第一の面72から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さの同一c面に、オフ角αが形成される方向Aと直交する方向に沿って連続的に延びる直線状の改質部84を形成することができると共に、図10に示すとおり、改質部84から同一c面に沿って等方的に延びるクラック86を形成することができる。上述したとおり、改質部84の直径をDとし、加工送り方向において隣接する集光点FPの間隔をLとすると、D>Lの関係を有する領域で改質部84から同一c面に沿って等方的にクラック86が形成される。また上述のとおり、加工送り方向において隣接する集光点FPの間隔Lは、集光点FPとチャックテーブル22との相対速度V、及びパルスレーザー光線LBの繰り返し周波数Fにより規定される(L=V/F)ところ、本実施形態では、集光点FPに対するチャックテーブル22のX方向への加工送り速度Vと、パルスレーザー光線LBの繰り返し周波数Fとを調整することによってD>Lの関係を満たすことができる。
剥離層形成工程では改質部連続形成加工に続いて、クラック86の幅を超えない範囲で、集光点FPに対してチャックテーブル22をY方向移動手段26によってY方向(すなわち、オフ角αが形成される方向A)に所定インデックス量Li’だけインデックス送りする。そして、改質部連続形成加工とインデックス送りと交互に繰り返すことにより、オフ角αが形成される方向Aと直交する方向に沿って連続的に延びる改質部84を、オフ角αが形成される方向Aにインデックス量Li’の間隔をおいて複数形成すると共に、オフ角αが形成される方向Aにおいて隣接するクラック86とクラック86とを連結させる。これによって、第一の面72から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに、改質部84及びクラック86から構成される、インゴット70からウエーハを剥離するための剥離層88を形成することができる。
剥離層形成工程を実施した後、剥離層88を界面としてインゴット70の一部を剥離してウエーハを生成するウエーハ生成工程を実施する。ウエーハ生成工程では、まず、移動手段8によってチャックテーブル22を吸着片46の下方に移動させる。次いで、昇降手段によってアーム42を下降させ、吸着片46の下面をインゴット70の第一の面72に密着させる。次いで、吸引手段を作動させ、吸着片46の下面をインゴット70の第一の面72に吸着させる。次いで、超音波振動付与手段を作動させ、吸着片46の下面に対して超音波振動を付与すると共に、モータ44を作動させ吸着片46を回転させる。これによって、剥離層88を界面としてインゴット70の一部を剥離することができ、所望の厚みのウエーハを生成することができる。
以上のとおり本発明のウエーハ生成方法では、第一の面72(端面)の垂線78に対してc軸が傾いているインゴット70においても、連続的に延びる複数の改質部84及び改質部84から等方的に延びるクラック86から構成され、かつインデックス送り方向において隣接するクラック86とクラック86とが連結した剥離層88を界面としてインゴット70の一部を剥離することにより、所望の厚みのウエーハを効率よく生成することができると共に捨てられる素材量を軽減でき、したがって生産性の向上が図られる。
ここで、単結晶SiCに剥離層を形成するための1パルス当たりのエネルギー(以下「パルスエネルギー」という。)、及び改質部の直径Dと隣接する集光点の間隔LとがD>Lの関係を有する領域でクラックが形成されることについて、下記の実験条件下で本発明者が行った実験結果に基づいて説明する。
[実験条件]
パルスレーザー光線の波長 :1064nm
繰り返し周波数F :5〜200kHz(変化範囲)
パルスエネルギー :1〜30μJ (変化範囲)
パルス幅 :4ns
スポット径 :3μm
集光レンズの開口数(NA) :0.65
加工送り速度V :200mm/s
パルスレーザー光線の波長 :1064nm
繰り返し周波数F :5〜200kHz(変化範囲)
パルスエネルギー :1〜30μJ (変化範囲)
パルス幅 :4ns
スポット径 :3μm
集光レンズの開口数(NA) :0.65
加工送り速度V :200mm/s
[実験1]
繰り返し周波数Fを30kHzとし、加工送り速度Vを200mm/sとし、上面の垂線とc軸とが一致している厚み500μmの単結晶SiCウエーハ(以下「実験用SiCウエーハ」という。)の上面からパルスレーザー光線の集光点を100μm内部に位置づけて、パルスエネルギーを1μJから1μJずつ上昇させて実験用SiCウエーハにパルスレーザー光線を照射することによって、SiCがSiとCとに分離した改質部が連続的に形成され剥離層が形成されるパルスエネルギーの臨界点を検証した。
[実験1の結果]
(1)パルスエネルギーが1μJ及び2μJでは改質部は形成されなかった。
(2)パルスエネルギーが3μJないし8μJでは連続的にではなく断続的に改質部が形成された。
(3)パルスエネルギーが9μJないし30μJでは連続的に改質部が形成された。したがって、剥離層が形成されるパルスエネルギーの臨界点は9μJであることが分かった。
繰り返し周波数Fを30kHzとし、加工送り速度Vを200mm/sとし、上面の垂線とc軸とが一致している厚み500μmの単結晶SiCウエーハ(以下「実験用SiCウエーハ」という。)の上面からパルスレーザー光線の集光点を100μm内部に位置づけて、パルスエネルギーを1μJから1μJずつ上昇させて実験用SiCウエーハにパルスレーザー光線を照射することによって、SiCがSiとCとに分離した改質部が連続的に形成され剥離層が形成されるパルスエネルギーの臨界点を検証した。
[実験1の結果]
(1)パルスエネルギーが1μJ及び2μJでは改質部は形成されなかった。
(2)パルスエネルギーが3μJないし8μJでは連続的にではなく断続的に改質部が形成された。
(3)パルスエネルギーが9μJないし30μJでは連続的に改質部が形成された。したがって、剥離層が形成されるパルスエネルギーの臨界点は9μJであることが分かった。
[実験2]
繰り返し周波数Fを5kHzとし、加工送り速度Vを200mm/sとし、実験用SiCウエーハの上面からパルスレーザー光線の集光点を100μm内部に位置づけて、パルスエネルギーを10μJから5μJずつ上昇させて実験用SiCウエーハにパルスレーザー光線を照射し、各パルスエネルギーにおいて形成された改質部の直径Dを検証した。
[実験2の結果]
パルスエネルギー 改質部の直径D
10μJ φ15.0μm
15μJ φ15.7μm
20μJ φ16.8μm
25μJ φ16.9μm
30μJ φ20.8μm
繰り返し周波数Fを5kHzとし、加工送り速度Vを200mm/sとし、実験用SiCウエーハの上面からパルスレーザー光線の集光点を100μm内部に位置づけて、パルスエネルギーを10μJから5μJずつ上昇させて実験用SiCウエーハにパルスレーザー光線を照射し、各パルスエネルギーにおいて形成された改質部の直径Dを検証した。
[実験2の結果]
パルスエネルギー 改質部の直径D
10μJ φ15.0μm
15μJ φ15.7μm
20μJ φ16.8μm
25μJ φ16.9μm
30μJ φ20.8μm
[実験3]
パルスエネルギーを10μJとし、加工送り速度Vを200mm/sとし、実験用SiCウエーハの上面からパルスレーザー光線の集光点を100μm内部に位置づけて、繰り返し周波数Fを5kHzから1kHzずつ上昇させて実験用SiCウエーハにパルスレーザー光線を照射し改質部を連続的に形成した。
[実験3の結果]
(1)繰り返し周波数Fが5kHzないし17kHzでは改質部が独立して形成された。
(2)繰り返し周波数Fが18kHzでクラックが形成され、改質部は直径φ30μmのクラックによって連結された。このときの隣接する集光点の間隔Lと改質部の直径Dとの比率は、
L/D=(V/F)/D
={200(mm/s)/18(kHz)}/15.0(μm)
={200×10−3(m/s)/18×103(Hz)}/15.0×10−6(m)
=0.74
である。なお、パルスエネルギーが10μJであるから実験2の結果より改質部の直径Dはφ15.0μmである。
(3)繰り返し周波数Fが40kHzのときに直径φ55μmのクラックが形成された。なお、繰り返し周波数Fが18kHzでクラックが形成されたため、これ以降の繰り返し周波数Fは20kHzから5kHzずつ上昇させた。
(4)繰り返し周波数Fが140kHzのときに直径φ65μmの最大クラックが形成された。このときの隣接する集光点の間隔Lと改質部の直径Dとの比率は、
L/D=(V/F)/D
={200(mm/s)/140(kHz)}/15.0(μm)
=0.095
である。
(5)繰り返し周波数Fが140kHzを超えるとクラックの直径が小さくなった。
パルスエネルギーを10μJとし、加工送り速度Vを200mm/sとし、実験用SiCウエーハの上面からパルスレーザー光線の集光点を100μm内部に位置づけて、繰り返し周波数Fを5kHzから1kHzずつ上昇させて実験用SiCウエーハにパルスレーザー光線を照射し改質部を連続的に形成した。
[実験3の結果]
(1)繰り返し周波数Fが5kHzないし17kHzでは改質部が独立して形成された。
(2)繰り返し周波数Fが18kHzでクラックが形成され、改質部は直径φ30μmのクラックによって連結された。このときの隣接する集光点の間隔Lと改質部の直径Dとの比率は、
L/D=(V/F)/D
={200(mm/s)/18(kHz)}/15.0(μm)
={200×10−3(m/s)/18×103(Hz)}/15.0×10−6(m)
=0.74
である。なお、パルスエネルギーが10μJであるから実験2の結果より改質部の直径Dはφ15.0μmである。
(3)繰り返し周波数Fが40kHzのときに直径φ55μmのクラックが形成された。なお、繰り返し周波数Fが18kHzでクラックが形成されたため、これ以降の繰り返し周波数Fは20kHzから5kHzずつ上昇させた。
(4)繰り返し周波数Fが140kHzのときに直径φ65μmの最大クラックが形成された。このときの隣接する集光点の間隔Lと改質部の直径Dとの比率は、
L/D=(V/F)/D
={200(mm/s)/140(kHz)}/15.0(μm)
=0.095
である。
(5)繰り返し周波数Fが140kHzを超えるとクラックの直径が小さくなった。
[実験4]
パルスエネルギーを15μJとし、加工送り速度Vを200mm/sとし、実験用SiCウエーハの上面からパルスレーザー光線の集光点を100μm内部に位置づけて、繰り返し周波数Fを5kHzから1kHzずつ上昇させて実験用SiCウエーハにパルスレーザー光線を照射し改質部を連続的に形成した。
[実験4の結果]
(1)繰り返し周波数Fが5kHzないし16kHzでは改質部が独立して形成された。
(2)繰り返し周波数Fが17kHzでクラックが形成され、改質部は直径φ45μmのクラックによって連結された。このときの隣接する集光点の間隔Lと改質部の直径Dとの比率は、
L/D=(V/F)/D
={200(mm/s)/17(kHz)}/15.7(μm)
=0.75
である。なお、パルスエネルギーが15μJであるから実験2の結果より改質部の直径Dはφ15.7μmである。
(3)繰り返し周波数Fが40kHzのときに直径φ80μmのクラックが形成された。なお、繰り返し周波数Fが17kHzでクラックが形成されたため、これ以降の繰り返し周波数Fは20kHzから5kHzずつ上昇させた。
(4)繰り返し周波数Fが160kHzのときに直径φ90μmの最大クラックが形成された。このときの隣接する集光点の間隔Lと改質部の直径Dとの比率は、
L/D=(V/F)/D
={200(mm/s)/160(kHz)}/15.7(μm)
=0.08
である。
(5)繰り返し周波数Fが160kHzを超えるとクラックの直径が小さくなった。
パルスエネルギーを15μJとし、加工送り速度Vを200mm/sとし、実験用SiCウエーハの上面からパルスレーザー光線の集光点を100μm内部に位置づけて、繰り返し周波数Fを5kHzから1kHzずつ上昇させて実験用SiCウエーハにパルスレーザー光線を照射し改質部を連続的に形成した。
[実験4の結果]
(1)繰り返し周波数Fが5kHzないし16kHzでは改質部が独立して形成された。
(2)繰り返し周波数Fが17kHzでクラックが形成され、改質部は直径φ45μmのクラックによって連結された。このときの隣接する集光点の間隔Lと改質部の直径Dとの比率は、
L/D=(V/F)/D
={200(mm/s)/17(kHz)}/15.7(μm)
=0.75
である。なお、パルスエネルギーが15μJであるから実験2の結果より改質部の直径Dはφ15.7μmである。
(3)繰り返し周波数Fが40kHzのときに直径φ80μmのクラックが形成された。なお、繰り返し周波数Fが17kHzでクラックが形成されたため、これ以降の繰り返し周波数Fは20kHzから5kHzずつ上昇させた。
(4)繰り返し周波数Fが160kHzのときに直径φ90μmの最大クラックが形成された。このときの隣接する集光点の間隔Lと改質部の直径Dとの比率は、
L/D=(V/F)/D
={200(mm/s)/160(kHz)}/15.7(μm)
=0.08
である。
(5)繰り返し周波数Fが160kHzを超えるとクラックの直径が小さくなった。
[実験5]
パルスエネルギーを20μJとし、加工送り速度Vを200mm/sとし、実験用SiCウエーハの上面からパルスレーザー光線の集光点を100μm内部に位置づけて、繰り返し周波数Fを5kHzから1kHzずつ上昇させて実験用SiCウエーハにパルスレーザー光線を照射し改質部を連続的に形成した。
[実験5の結果]
(1)繰り返し周波数Fが5kHzないし15kHzでは改質部が独立して形成された。
(2)繰り返し周波数Fが16kHzでクラックが形成され、改質部は直径φ70μmのクラックによって連結された。このときの隣接する集光点の間隔Lと改質部の直径Dとの比率は、
L/D=(V/F)/D
={200(mm/s)/16(kHz)}/16.8(μm)
=0.74
である。なお、パルスエネルギーが20μJであるから実験2の結果より改質部の直径Dはφ16.8μmである。
(3)繰り返し周波数Fが50kHzのときに直径φ100μmのクラックが形成された。なお、繰り返し周波数Fが16kHzでクラックが形成されたため、これ以降の繰り返し周波数Fは20kHzから5kHzずつ上昇させた。
(4)繰り返し周波数Fが120kHzのときに直径φ110μmの最大クラックが形成された。このときの隣接する集光点の間隔Lと改質部の直径Dとの比率は、
L/D=(V/F)/D
={200(mm/s)/120(kHz)}/16.8(μm)
=0.1
である。
(5)繰り返し周波数Fが120kHzを超えるとクラックの直径が小さくなった。
パルスエネルギーを20μJとし、加工送り速度Vを200mm/sとし、実験用SiCウエーハの上面からパルスレーザー光線の集光点を100μm内部に位置づけて、繰り返し周波数Fを5kHzから1kHzずつ上昇させて実験用SiCウエーハにパルスレーザー光線を照射し改質部を連続的に形成した。
[実験5の結果]
(1)繰り返し周波数Fが5kHzないし15kHzでは改質部が独立して形成された。
(2)繰り返し周波数Fが16kHzでクラックが形成され、改質部は直径φ70μmのクラックによって連結された。このときの隣接する集光点の間隔Lと改質部の直径Dとの比率は、
L/D=(V/F)/D
={200(mm/s)/16(kHz)}/16.8(μm)
=0.74
である。なお、パルスエネルギーが20μJであるから実験2の結果より改質部の直径Dはφ16.8μmである。
(3)繰り返し周波数Fが50kHzのときに直径φ100μmのクラックが形成された。なお、繰り返し周波数Fが16kHzでクラックが形成されたため、これ以降の繰り返し周波数Fは20kHzから5kHzずつ上昇させた。
(4)繰り返し周波数Fが120kHzのときに直径φ110μmの最大クラックが形成された。このときの隣接する集光点の間隔Lと改質部の直径Dとの比率は、
L/D=(V/F)/D
={200(mm/s)/120(kHz)}/16.8(μm)
=0.1
である。
(5)繰り返し周波数Fが120kHzを超えるとクラックの直径が小さくなった。
[実験6]
パルスエネルギーを25μJとし、加工送り速度Vを200mm/sとし、実験用SiCウエーハの上面からパルスレーザー光線の集光点を100μm内部に位置づけて、繰り返し周波数Fを5kHzから1kHzずつ上昇させて実験用SiCウエーハにパルスレーザー光線を照射し改質部を連続的に形成した。
[実験6の結果]
(1)繰り返し周波数Fが5kHzないし15kHzでは改質部が独立して形成された。
(2)繰り返し周波数Fが16kHzでクラックが形成され、改質部は直径φ70μmのクラックによって連結された。このときの隣接する集光点の間隔Lと改質部の直径Dとの比率は、
L/D=(V/F)/D
={200(mm/s)/16(kHz)}/16.9(μm)
=0.74
である。なお、パルスエネルギーが25μJであるから実験2の結果より改質部の直径Dはφ16.9μmである。
(3)繰り返し周波数Fが100kHzのときに直径φ150μmの最大クラックが形成された。このときの隣接する集光点の間隔Lと改質部の直径Dとの比率は、
L/D=(V/F)/D
={200(mm/s)/100(kHz)}/16.9(μm)
=0.12
である。なお、繰り返し周波数Fが16kHzでクラックが形成されたため、これ以降の繰り返し周波数Fは20kHzから5kHzずつ上昇させた。
(4)繰り返し周波数Fが100kHzを超えるとクラックの直径が小さくなった。
パルスエネルギーを25μJとし、加工送り速度Vを200mm/sとし、実験用SiCウエーハの上面からパルスレーザー光線の集光点を100μm内部に位置づけて、繰り返し周波数Fを5kHzから1kHzずつ上昇させて実験用SiCウエーハにパルスレーザー光線を照射し改質部を連続的に形成した。
[実験6の結果]
(1)繰り返し周波数Fが5kHzないし15kHzでは改質部が独立して形成された。
(2)繰り返し周波数Fが16kHzでクラックが形成され、改質部は直径φ70μmのクラックによって連結された。このときの隣接する集光点の間隔Lと改質部の直径Dとの比率は、
L/D=(V/F)/D
={200(mm/s)/16(kHz)}/16.9(μm)
=0.74
である。なお、パルスエネルギーが25μJであるから実験2の結果より改質部の直径Dはφ16.9μmである。
(3)繰り返し周波数Fが100kHzのときに直径φ150μmの最大クラックが形成された。このときの隣接する集光点の間隔Lと改質部の直径Dとの比率は、
L/D=(V/F)/D
={200(mm/s)/100(kHz)}/16.9(μm)
=0.12
である。なお、繰り返し周波数Fが16kHzでクラックが形成されたため、これ以降の繰り返し周波数Fは20kHzから5kHzずつ上昇させた。
(4)繰り返し周波数Fが100kHzを超えるとクラックの直径が小さくなった。
[実験7]
パルスエネルギーを30μJとし、加工送り速度Vを200mm/sとし、実験用SiCウエーハの上面からパルスレーザー光線の集光点を100μm内部に位置づけて、繰り返し周波数Fを5kHzから1kHzずつ上昇させて実験用SiCウエーハにパルスレーザー光線を照射し改質部を連続的に形成した。
[実験7の結果]
(1)繰り返し周波数Fが5kHzないし12kHzでは改質部が独立して形成された。
(2)繰り返し周波数Fが13kHzでクラックが形成され、改質部は直径φ70μmのクラックによって連結された。このときの隣接する集光点の間隔Lと改質部の直径Dとの比率は、
L/D=(V/F)/D
={200(mm/s)/13(kHz)}/20.8(μm)
=0.74
である。なお、パルスエネルギーが30μJであるから実験2の結果より改質部の直径Dはφ20.8μmである。
(3)繰り返し周波数Fが50kHzのときに直径φ170μmの最大クラックが形成された。このときの隣接する集光点の間隔Lと改質部の直径Dとの比率は、
L/D=(V/F)/D
={200(mm/s)/50(kHz)}/20.8(μm)
=0.19
である。なお、繰り返し周波数Fが13kHzでクラックが形成されたため、これ以降の繰り返し周波数Fは20kHzから5kHzずつ上昇させた。
(4)繰り返し周波数Fが50kHzを超えるとクラックの直径が小さくなった。
パルスエネルギーを30μJとし、加工送り速度Vを200mm/sとし、実験用SiCウエーハの上面からパルスレーザー光線の集光点を100μm内部に位置づけて、繰り返し周波数Fを5kHzから1kHzずつ上昇させて実験用SiCウエーハにパルスレーザー光線を照射し改質部を連続的に形成した。
[実験7の結果]
(1)繰り返し周波数Fが5kHzないし12kHzでは改質部が独立して形成された。
(2)繰り返し周波数Fが13kHzでクラックが形成され、改質部は直径φ70μmのクラックによって連結された。このときの隣接する集光点の間隔Lと改質部の直径Dとの比率は、
L/D=(V/F)/D
={200(mm/s)/13(kHz)}/20.8(μm)
=0.74
である。なお、パルスエネルギーが30μJであるから実験2の結果より改質部の直径Dはφ20.8μmである。
(3)繰り返し周波数Fが50kHzのときに直径φ170μmの最大クラックが形成された。このときの隣接する集光点の間隔Lと改質部の直径Dとの比率は、
L/D=(V/F)/D
={200(mm/s)/50(kHz)}/20.8(μm)
=0.19
である。なお、繰り返し周波数Fが13kHzでクラックが形成されたため、これ以降の繰り返し周波数Fは20kHzから5kHzずつ上昇させた。
(4)繰り返し周波数Fが50kHzを超えるとクラックの直径が小さくなった。
上述の実験1ないし7の結果から、下記(1)ないし(3)を確認することができた。
(1)単結晶SiCに剥離層を形成するためにパルスエネルギーは9μJ以上必要であること。また、安定した連続性をもって改質部を形成するためにはパルスエネルギーは10μJ以上であるのが好ましいこと。
(2)改質部の直径Dと、隣接する集光点の間隔LとがD>Lの関係を有する領域でクラックが形成されること。
(3)更に0.75D>L>0.1Dの関係を有する領域でクラックが良好に形成され、したがって良好な剥離層が形成され得ること。
(1)単結晶SiCに剥離層を形成するためにパルスエネルギーは9μJ以上必要であること。また、安定した連続性をもって改質部を形成するためにはパルスエネルギーは10μJ以上であるのが好ましいこと。
(2)改質部の直径Dと、隣接する集光点の間隔LとがD>Lの関係を有する領域でクラックが形成されること。
(3)更に0.75D>L>0.1Dの関係を有する領域でクラックが良好に形成され、したがって良好な剥離層が形成され得ること。
50:端面の垂線とc軸とが一致している単結晶SiCインゴット
52:第一の面(端面)
58:垂線
60:改質部
62:クラック
64:剥離層
66:ウエーハ
70:端面の垂線に対してc軸が傾いている単結晶SiCインゴット
72:第一の面(端面)
78:垂線
84:改質部
86:クラック
88:剥離層
FP:集光点
LB:パルスレーザー光線
D:改質部の直径
L:集光点の間隔
α:オフ角
A:オフ角が形成される方向
52:第一の面(端面)
58:垂線
60:改質部
62:クラック
64:剥離層
66:ウエーハ
70:端面の垂線に対してc軸が傾いている単結晶SiCインゴット
72:第一の面(端面)
78:垂線
84:改質部
86:クラック
88:剥離層
FP:集光点
LB:パルスレーザー光線
D:改質部の直径
L:集光点の間隔
α:オフ角
A:オフ角が形成される方向
Claims (6)
- c軸と該c軸に直交するc面とを有する単結晶SiCインゴットからウエーハを生成するウエーハ生成方法であって、
単結晶SiCに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線の集光点を単結晶SiCインゴットの端面から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに位置づけて単結晶SiCインゴットにパルスレーザー光線を照射しSiCがSiとCとに分離した改質部をc面に形成する改質部形成工程と、
改質部を連続的に形成して改質部からc面に等方的にクラックを形成し単結晶SiCインゴットからウエーハを剥離するための剥離層を形成する剥離層形成工程と、
該剥離層を界面として単結晶SiCインゴットの一部を剥離してウエーハを生成するウエーハ生成工程と、を含み、
該剥離層形成工程において、改質部の直径をDとし隣接する集光点の間隔をLとするとD>Lの関係を有する領域でクラックが形成され、クラックの幅を超えない範囲で単結晶SiCインゴットと集光点とを相対的にインデックス送りして改質部を連続的に形成してクラックとクラックとを連結させて剥離層を形成するウエーハ生成方法。 - 該剥離層形成工程において、改質部の直径をDとし隣接する集光点の間隔をLとすると0.75D>L>0.1Dの関係を有する請求項1記載のウエーハ生成方法。
- 該剥離層形成工程において照射するパルスレーザー光線のエネルギーは9μJ以上である請求項1記載のウエーハ生成方法。
- 該剥離層形成工程において、集光点を同じc面上に位置づけ改質部を連続的に形成する請求項1記載のウエーハ生成方法。
- 単結晶SiCインゴットの端面の垂線に対してc軸が傾いている場合、該剥離層形成工程において、
c面と端面とでオフ角が形成される方向と直交する方向に改質部を連続的に形成して改質部から等方的にクラックを形成し、該オフ角が形成される方向にクラックの幅を超えない範囲で単結晶SiCインゴットと集光点とを相対的にインデックス送りして該オフ角が形成される方向と直交する方向に改質部を連続的に形成して改質部から等方的にクラックを順次形成する請求項4記載のウエーハ生成方法。 - 単結晶SiCインゴットの端面の垂線とc軸とが一致している場合、該剥離層形成工程において、
連続的に形成された改質部から等方的に形成されたクラックの幅を超えない範囲で単結晶SiCインゴットと集光点とを相対的にインデックス送りして改質部を連続的に形成してクラックとクラックとを連結させる請求項4記載のウエーハ生成方法。
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