JP2023111383A - ウエーハ生成装置 - Google Patents

ウエーハ生成装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2023111383A
JP2023111383A JP2022013216A JP2022013216A JP2023111383A JP 2023111383 A JP2023111383 A JP 2023111383A JP 2022013216 A JP2022013216 A JP 2022013216A JP 2022013216 A JP2022013216 A JP 2022013216A JP 2023111383 A JP2023111383 A JP 2023111383A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ingot
wafer
laser beam
holding
modified layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2022013216A
Other languages
English (en)
Inventor
圭司 能丸
Keiji Nomaru
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2022013216A priority Critical patent/JP2023111383A/ja
Priority to KR1020220189160A priority patent/KR20230117509A/ko
Priority to US18/152,878 priority patent/US20230241723A1/en
Priority to TW112101786A priority patent/TW202333214A/zh
Priority to CN202310101013.7A priority patent/CN116511740A/zh
Priority to DE102023200510.7A priority patent/DE102023200510A1/de
Publication of JP2023111383A publication Critical patent/JP2023111383A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • B23K26/0624Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses using ultrashort pulses, i.e. pulses of 1ns or less
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/0648Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising lenses
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/0665Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by beam condensation on the workpiece, e.g. for focusing
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/083Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/0869Devices involving movement of the laser head in at least one axial direction
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/70Auxiliary operations or equipment
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/70Auxiliary operations or equipment
    • B23K26/702Auxiliary equipment
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K37/00Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups
    • B23K37/04Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups for holding or positioning work
    • B23K37/0461Welding tables
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/04Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36Electric or electronic devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36Electric or electronic devices
    • B23K2101/40Semiconductor devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/56Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)

Abstract

Figure 2023111383000001
【課題】効率よくインゴットの内部に改質層を形成することができるウエーハの生成装置を提供する。
【解決手段】ウエーハ生成装置は、インゴットを保持する保持手段と、インゴットに対して透過性を有するレーザー光線LBの集光点をインゴットの内部に位置づけてレーザー光線LBをインゴットに照射し、生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに改質層を形成するウエーハ生成手段6と、保持手段とウエーハ生成手段6とを相対的に移動する移動手段とを備える。ウエーハ生成手段6は、レーザー光線LBを発振する発振器18と、発振器18が発振したレーザー光線LBをインゴットの内部に集光する集光レンズ20と、集光レンズ20をインゴットの端面に対して平行に回転させる回転手段22とを含む。
【選択図】図2

Description

本発明は、ウエーハを生成するウエーハ生成装置に関する。
IC、LSI、LED等のデバイスは、Si(シリコン)やAl(サファイア)等を素材としたウエーハの表面に機能層が積層され分割予定ラインによって区画されて形成される。また、パワーデバイス、LED等は、SiC(炭化ケイ素)、GaN(窒化ガリウム)等の六方晶単結晶を素材としたウエーハの表面に機能層が積層され分割予定ラインによって区画されて形成される。
デバイスが形成されたウエーハは、切削装置、レーザー加工装置によって分割予定ラインに加工が施されて個々のデバイスチップに分割され、分割された各デバイスチップは携帯電話やパソコン等の電気機器に利用される。
デバイスが形成されるウエーハは、一般的に円柱状のインゴットをワイヤーソーで薄く切断することにより生成される。生成されたウエーハの表面および裏面は、研磨することにより鏡面に仕上げられる(たとえば特許文献1参照)。
しかし、インゴットをワイヤーソーで切断し、切断したウエーハの表面および裏面を研磨すると、インゴットの大部分(70~80%)が捨てられることになり不経済であるという問題がある。特に、SiC、GaN等の単結晶インゴットにおいては、硬度が高くワイヤーソーでの切断が困難であり相当の時間を要するため生産性が悪いと共に、インゴットの単価が高く効率よくウエーハを生成することに課題を有している。
そこで、SiC等に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をインゴットの内部に位置づけてインゴットにレーザー光線を照射して切断予定面に改質層を形成し、改質層が形成された切断予定面に沿ってインゴットからウエーハを剥離する技術が提案されている(たとえば特許文献2参照)。
特開2000-94221号公報 特開2013-49161号公報
しかし、改質層同士の間隔を10μm程度として密に改質層を形成しなければならず、改質層の形成に時間がかかり生産性が悪いという問題がある。
本発明の課題は、効率よくインゴットの内部に改質層を形成することができるウエーハ生成装置を提供することである。
本発明によれば、上記課題を解決する以下のウエーハ生成装置が提供される。すなわち、
「ウエーハを生成するウエーハ生成装置であって、
インゴットを保持する保持手段と、インゴットに対して透過性を有するレーザー光線の集光点をインゴットの内部に位置づけてレーザー光線をインゴットに照射し、生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに改質層を形成するウエーハ生成手段と、該保持手段と該ウエーハ生成手段とを相対的に移動する移動手段と、を少なくとも備え、
該ウエーハ生成手段は、レーザー光線を発振する発振器と、該発振器が発振したレーザー光線をインゴットの内部に集光する集光レンズと、該集光レンズをインゴットの端面に対して平行に回転させる回転手段と、を含むウエーハ生成装置」が提供される。
好ましくは、該集光レンズは、回転方向に複数配設される。
本発明のウエーハ生成装置は、
インゴットを保持する保持手段と、インゴットに対して透過性を有するレーザー光線の集光点をインゴットの内部に位置づけてレーザー光線をインゴットに照射し、生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに改質層を形成するウエーハ生成手段と、該保持手段と該ウエーハ生成手段とを相対的に移動する移動手段と、を少なくとも備え、
該ウエーハ生成手段は、レーザー光線を発振する発振器と、該発振器が発振したレーザー光線をインゴットの内部に集光する集光レンズと、該集光レンズをインゴットの端面に対して平行に回転させる回転手段と、を含むので、効率よくインゴットの内部に改質層を形成することができる。
本発明に従って構成されたウエーハ生成装置の斜視図。 (a)図1に示すウエーハ生成手段の概略図、(b)(a)に示す回転体の底面図。 (a)インゴットの斜視図、(b)(a)に示すインゴットの平面図、(c)(a)に示すインゴットの正面図。 (a)改質層形成工程を示す斜視図、(b)改質層形成工程を示す側面図。 剥離工程を示す模式図。 (a)ウエーハ生成手段の第一の変形例を示す概略図、(b)(a)に示す回転体の底面図。 (a)ウエーハ生成手段の第二の変形例を示す概略図、(b)(a)に示す回転体の底面図。 (a)ウエーハ生成手段の第三の変形例を示す概略図、(b)(a)に示す回転体の底面図。
以下、本発明に従って構成されたウエーハ生成装置の好適実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
(ウエーハ生成装置2)
図1に示すとおり、ウエーハ生成装置2は、インゴットを保持する保持手段4と、インゴットに対して透過性を有するレーザー光線の集光点をインゴットの内部に位置づけてレーザー光線をインゴットに照射し、生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに改質層を形成するウエーハ生成手段6と、保持手段4とウエーハ生成手段6とを相対的に移動する移動手段8と、を少なくとも備える。
(保持手段4)
保持手段4は、X軸方向に移動自在に基台10に支持されたX軸可動板12と、Y軸方向に移動自在にX軸可動板12に支持されたY軸可動板14と、Y軸可動板14の上面に回転自在に支持された保持テーブル16と、保持テーブル16を回転させるモータ(図示していない。)とを含む。
なお、X軸方向は図1に矢印Xで示す方向であり、Y軸方向は図1に矢印Yで示す方向であってX軸方向に直交する方向である。X軸方向およびY軸方向が規定するXY平面は実質上水平である。
保持手段4においては、適宜の接着剤(たとえばエポキシ樹脂系接着剤)を介して保持テーブル16の上面でインゴットを保持する。あるいは、保持テーブル16の上面に複数の吸引孔が形成され、保持テーブル16の上面に吸引力を生成してインゴットを吸引保持するようになっていてもよい。
(ウエーハ生成手段6)
ウエーハ生成手段6は、図2に示すとおり、レーザー光線LBを発振する発振器18と、発振器18が発振したレーザー光線LBをインゴットの内部に集光する集光レンズ20と、集光レンズ20をインゴットの端面に対して平行に回転させる回転手段22とを含む。
(発振器18)
図1に示すとおり、ウエーハ生成手段6は、基台10の上面から上方に延び、次いで実質上水平に延びるハウジング24を有しており、発振器18は、ハウジング24に内蔵されている。発振器18は、被加工物であるインゴットに対して透過性を有する波長(たとえば、SiCインゴットの場合は1064nm)のパルスレーザー光線LBを発振するようになっている。
(集光レンズ20)
図1および図2に示すとおり、ウエーハ生成手段6は、さらに、ハウジング24の先端下面に配置された中空の回転体26を備えている。回転体26は、ハウジング24の先端下面に回転自在に支持された上側円筒部28と、上側円筒部28の下端から径方向外側に広がる下側円筒部30とを含む。そして、上記集光レンズ20は、図2に示すとおり、回転体26の下側円筒部30の下面周縁部に設けられている。
発振器18と集光レンズ20との間には、発振器18が発振したレーザー光線LBを反射するミラー32と、ミラー32によって反射したレーザー光線LBを平行光線にするコリメートレンズ34と、コリメートレンズ34を透過したレーザー光線LBを集光レンズ20に導く光ファイバ36とが配置されている。ミラー32は、ハウジング24内に設けられ、コリメートレンズ34および光ファイバ36は、回転体26に装着されている。
(回転手段22)
図2に示すとおり、回転手段22は、モータ38と、モータ38の出力軸に固定された歯車40とを有する。回転体26の上側円筒部28の外周面には、回転手段22の歯車40と噛み合う歯車(図示していない。)が形成されている。そして、回転手段22は、モータ38によって回転体26を回転させることにより、集光レンズ20をインゴットの端面に対して平行に回転させるようになっている。なお、モータ38の回転運動を回転体26に伝達する機構については、他の公知の機構であってもよい。
図1に示すとおり、ハウジング24の先端下面には、ウエーハ生成手段6によってレーザー加工を施すべき領域を検出する撮像手段42が付設されている。撮像手段42によって撮像された画像は、ハウジング24の先端上面に配置された表示手段44に表示される。
(移動手段8)
図1を参照して説明を続けると、移動手段8は、ウエーハ生成手段6に対して保持手段4をX軸方向に移動するX軸送り手段46と、ウエーハ生成手段6に対して保持手段4をY軸方向に移動するY軸送り手段48とを含む。
(X軸送り手段46)
X軸送り手段46は、X軸可動板12に連結されX軸方向に延びるボールねじ50と、ボールねじ50を回転させるモータ52とを有する。X軸送り手段46は、ボールねじ50によりモータ52の回転運動を直線運動に変換してX軸可動板12に伝達し、基台10上の案内レール10aに沿ってX軸可動板12をX軸方向に移動させる。
(Y軸送り手段48)
Y軸送り手段48は、Y軸可動板14に連結されY軸方向に延びるボールねじ54と、ボールねじ54を回転させるモータ56とを有する。Y軸送り手段48は、ボールねじ54によりモータ56の回転運動を直線運動に変換してY軸可動板14に伝達し、X軸可動板12上の案内レール12aに沿ってY軸可動板14をY軸方向に移動させる。
(剥離手段58)
さらに、図示の実施形態のウエーハ生成装置2は、生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに形成された改質層に沿って、インゴットからウエーハを剥離する剥離手段58を備えている。
剥離手段58は、基台10上の案内レール10aの端部から上方に延びるケーシング60と、ケーシング60に昇降自在に支持されX軸方向に延びるアーム62とを含む。ケーシング60には、アーム62を昇降させる昇降手段(図示していない。)が内蔵されている。
アーム62の先端にはモータ64が付設され、モータ64の下面には上下方向に延びる軸線を中心として回転自在に吸着片66が連結されている。吸着片66は吸引手段(図示していない。)に接続されており、吸着片66の下面には複数の吸引孔(図示していない。)が形成されている。また、吸着片66には、吸着片66の下面に対して超音波振動を付与する超音波振動付与手段(図示していない。)が内蔵されている。
(インゴット72)
図3には、上述したウエーハ生成装置2によって加工が施されるインゴット72が示されている。図示のインゴット72は、単結晶SiC(炭化ケイ素)から形成されている。
円柱状のインゴット72は、円形状の第一の端面74と、第一の端面74の反対側に位置する円形状の第二の端面76と、第一の端面74および第二の端面76の間に位置する周面78と、第一の端面74から第二の端面76に至るc軸と、c軸に直交するc面(図3(c)参照)とを有する。少なくとも第一の端面74は、レーザー光線LBの入射を妨げない程度に研削または研磨によって平坦化されている。
インゴット72においては、第一の端面74の垂線80に対してc軸が傾いており、c面と第一の端面74とでオフ角α(たとえばα=1、3、6度)が形成されている。オフ角αが形成される方向を図3に矢印Aで示す。
インゴット72の周面78には、いずれも結晶方位を示す矩形状の第一のオリエンテーションフラット82および第二のオリエンテーションフラット84が形成されている。第一のオリエンテーションフラット82は、オフ角αが形成される方向Aに平行であり、第二のオリエンテーションフラット84は、オフ角αが形成される方向Aに直交している。図3(b)に示すとおり、上方からみて、第二のオリエンテーションフラット84の長さL2は、第一のオリエンテーションフラット82の長さL1よりも短い(L2<L1)。
なお、本発明のウエーハ生成装置によって加工が施されるインゴットは、上記インゴット72に限定されず、第一の端面の垂線に対してc軸が傾いておらず、c面と第一の端面とのオフ角αが0度である(すなわち、第一の端面の垂線とc軸とが一致している)SiCインゴットでもよく、あるいは、Si(シリコン)やGaN(窒化ガリウム)等のSiC以外の素材から形成されているインゴットであってもよい。
(ウエーハ生成方法)
次に、上述したウエーハ生成装置2を用いて、インゴット72からウエーハを生成する方法について説明する。
(保持工程)
図示の実施形態では、まず、保持手段4によってインゴット72を保持する保持工程を実施する。保持工程においては、第一の端面74を上に向けて、適宜の接着剤(たとえばエポキシ樹脂系接着剤)を介してインゴット72を保持テーブル16の上面に固定する。なお、保持テーブル16の上面に複数の吸引孔が形成され、保持テーブル16の上面に吸引力を生成してインゴット72を吸引保持してもよい。
(改質層形成工程)
保持工程を実施したら、インゴット72に対して透過性を有するレーザー光線LBの集光点をインゴット72の内部に位置づけてレーザー光線LBをインゴット72に照射し、生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに改質層を形成する改質層形成工程を実施する。
改質層形成工程においては、まず、X軸送り手段46を作動させ、保持テーブル16を撮像手段42の直下に位置づける。次いで、撮像手段42でインゴット72を撮像し、撮像手段42で撮像したインゴット72の画像に基づいて、インゴット72と回転体26との位置関係を調整する。次いで、生成すべきウエーハの厚みに相当する深さ(たとえば500μm程度)に集光点FP(図4(b)参照)を位置づける。
次いで、図4(a)に矢印Rで示す方向に回転体26を回転手段22によって回転させると共に、保持テーブル16をX軸方向に加工送りしながら、インゴット72に対して透過性を有する波長のレーザー光線LBを集光レンズ20からインゴット72に照射する。すなわち、集光レンズ20をインゴット72の第一の端面74に対して平行に回転させると共に、インゴット72をX軸方向に移動させながら、レーザー光線LBを照射する。
これによって、SiCがSi(シリコン)とC(炭素)とに分離した多数の弧状改質層86を第一の端面74に対して平行に効率よく形成することができる。なお、図示していないが、弧状改質層86からはクラックが延びている。
このような改質層形成工程は、たとえば、以下の加工条件で実施することができる。
パルスレーザー光線の波長 :1064nm
平均出力 :6.0W
繰り返し周波数 :5MHz
パルス幅 :10ps
集光レンズの開口数(NA) :0.8
集光レンズの回転 :20Hz
なお、改質層形成工程においては、レーザー光線LBを吸収するビームダンパをインゴット72の周囲に設置するのが好ましい。これによって、保持テーブル16等のインゴット72以外の部分にレーザー光線LBが照射されてしまい、保持テーブル16等が損傷するのを防止することができる。
あるいは、集光点FPがインゴット72の内部に位置しているときはレーザー光線LBを照射する一方、集光点FPがインゴット72の外側に位置しているときはレーザー光線LBの照射を停止するようにしてもよい。
(剥離工程)
改質層形成工程を実施した後、生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに形成した改質層86に沿って、インゴット72からウエーハを剥離する剥離工程を実施する。
剥離工程では、まず、X軸送り手段46を作動させ、剥離手段58の吸着片66の下方に保持テーブル16を位置づける。次いで、図5に示すとおり、アーム62を下降させて吸着片66の下面をインゴット72の上面(第一の端面74)に密着させる。次いで、吸引手段を作動させ、吸着片66の下面をインゴット72の上面に吸着させる。
そして、超音波振動付与手段を作動させ、吸着片66の下面に対して超音波振動を付与すると共に、モータ64で吸着片66を回転させる。これにより、生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに形成した改質層86に沿って、インゴット72からウエーハ88を剥離することができる。なお、ウエーハ88を剥離した後、インゴット72の剥離面およびウエーハ88の剥離面を研削または研磨によって平坦化する。
以上のとおりであり、図示の実施形態のウエーハ生成手段6は、レーザー光線LBを発振する発振器18と、発振器18が発振したレーザー光線LBをインゴット72の内部に集光する集光レンズ20と、集光レンズ20をインゴット72の端面に対して平行に回転させる回転手段22と、を含むので、効率よくインゴット72の内部に改質層86を形成することができる。
(第一の変形例)
なお、本発明のウエーハ生成手段6は、上述した形態に限定されるものではない。たとえば、図2に示す光ファイバ36に代えて、図6に示す第一の変形例のように、コリメートレンズ34を透過したレーザー光線LBを集光レンズ20に導くための第一・第二のミラー90、92が、コリメートレンズ34と集光レンズ20との間に配置されていてもよい。
(第二の変形例)
図7に示す第二の変形例においては、回転体26の回転方向に間隔をおいて複数の集光レンズ20が配設されている。第二の変形例では、8個の集光レンズ20が配設されているが、集光レンズ20の個数、間隔は任意に設定され得る。
この場合、回転体26の内部には、ミラー32によって反射したレーザー光線LBを分岐する回折ビームスプリッタ94と、回折ビームスプリッタ94によって分岐されたレーザー光線LBを複数の集光レンズ20に導くための複数の光ファイバ36とが設けられる。
第二の変形例においては、発振器18が発振したレーザー光線LBは、ミラー32で反射した後、回折ビームスプリッタ94によって分岐され、複数の光ファイバ36を介して複数の集光レンズ20からインゴットに照射される。したがって、一層効果的にインゴットの内部に改質層を形成することができる。
(第三の変形例)
また、図8に示す第三の変形例のように、回転体26の回転方向に間隔をおいて配設された複数の集光レンズ20と、ミラー32によって反射したレーザー光線LBを分岐する回折ビームスプリッタ94と、回折ビームスプリッタ94によって分岐されたレーザー光線LBを複数の集光レンズ20に導くための複数セットの第一・第二のミラー90、92とが設けられていてもよい。
第三の変形例では、集光レンズ20が8個配設されており、8セットの第一・第二のミラー90、92が設けられているが、便宜上、図8(a)においては、2セットの第一・第二のミラー90、92を示している。
第三の変形例においても、図7に示す第二の変形例と同様に、発振器18が発振したレーザー光線LBは、ミラー32で反射した後、回折ビームスプリッタ94によって分岐され、複数セットの第一・第二のミラー90、92を介して複数の集光レンズ20からインゴットに照射される。したがって、一層効果的にインゴットの内部に改質層を形成することができる。
2:ウエーハ生成装置
4:保持手段
6:ウエーハ生成手段
8:移動手段
18:発振器
20:集光レンズ
22:回転手段
72:インゴット
86:改質層
LB:レーザー光線
FP:集光点

Claims (2)

  1. ウエーハを生成するウエーハ生成装置であって、
    インゴットを保持する保持手段と、インゴットに対して透過性を有するレーザー光線の集光点をインゴットの内部に位置づけてレーザー光線をインゴットに照射し、生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに改質層を形成するウエーハ生成手段と、該保持手段と該ウエーハ生成手段とを相対的に移動する移動手段と、を少なくとも備え、
    該ウエーハ生成手段は、レーザー光線を発振する発振器と、該発振器が発振したレーザー光線をインゴットの内部に集光する集光レンズと、該集光レンズをインゴットの端面に対して平行に回転させる回転手段と、を含むウエーハ生成装置。
  2. 該集光レンズは、回転方向に複数配設される請求項1記載のウエーハ生成装置。
JP2022013216A 2022-01-31 2022-01-31 ウエーハ生成装置 Pending JP2023111383A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022013216A JP2023111383A (ja) 2022-01-31 2022-01-31 ウエーハ生成装置
KR1020220189160A KR20230117509A (ko) 2022-01-31 2022-12-29 웨이퍼 제조 장치
US18/152,878 US20230241723A1 (en) 2022-01-31 2023-01-11 Wafer manufacturing apparatus
TW112101786A TW202333214A (zh) 2022-01-31 2023-01-16 晶圓製造裝置
CN202310101013.7A CN116511740A (zh) 2022-01-31 2023-01-18 晶片制造装置
DE102023200510.7A DE102023200510A1 (de) 2022-01-31 2023-01-24 Waferherstellungsvorrichtung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022013216A JP2023111383A (ja) 2022-01-31 2022-01-31 ウエーハ生成装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2023111383A true JP2023111383A (ja) 2023-08-10

Family

ID=87160545

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022013216A Pending JP2023111383A (ja) 2022-01-31 2022-01-31 ウエーハ生成装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20230241723A1 (ja)
JP (1) JP2023111383A (ja)
KR (1) KR20230117509A (ja)
CN (1) CN116511740A (ja)
DE (1) DE102023200510A1 (ja)
TW (1) TW202333214A (ja)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000094221A (ja) 1998-09-24 2000-04-04 Toyo Advanced Technologies Co Ltd 放電式ワイヤソー
JP5917862B2 (ja) 2011-08-30 2016-05-18 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230117509A (ko) 2023-08-08
US20230241723A1 (en) 2023-08-03
TW202333214A (zh) 2023-08-16
DE102023200510A1 (de) 2023-08-03
CN116511740A (zh) 2023-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI730141B (zh) SiC晶圓之生成方法
JP6669594B2 (ja) ウエーハ生成方法
TWI683737B (zh) 晶圓的生成方法
JP6773506B2 (ja) ウエーハ生成方法
JP6456228B2 (ja) 薄板の分離方法
TWI728140B (zh) SiC晶圓的生成方法
JP7321888B2 (ja) SiCインゴットの加工方法およびレーザー加工装置
KR20180063832A (ko) SiC 웨이퍼의 생성 방법
JP7128067B2 (ja) ウエーハの生成方法およびレーザー加工装置
JP2019161037A (ja) ウエーハの生成方法およびウエーハの生成装置
KR20180119481A (ko) SiC 웨이퍼의 생성 방법
JP2011129740A (ja) ウエーハ分割装置およびレーザー加工機
JP2022025566A (ja) Si基板生成方法
KR20210095025A (ko) 웨이퍼 생성 방법, 및 웨이퍼 생성 장치
JP2020035821A (ja) SiC基板の加工方法
JP2019129174A (ja) ウエーハの生成方法およびウエーハの生成装置
JP7210292B2 (ja) ウエーハの生成方法
JP2023116216A (ja) ウエーハの生成方法
JP2023111383A (ja) ウエーハ生成装置
JP2004111427A (ja) レーザーダイシング装置
KR20220063734A (ko) 웨이퍼의 생성 방법
JP4377717B2 (ja) ウエーハの分割方法
TWI855216B (zh) 晶圓生成方法以及晶圓生成裝置
JP2024024975A (ja) レーザー加工装置及びウエーハの生成方法
JP2024009647A (ja) ウエーハの生成方法