JP2011129740A - ウエーハ分割装置およびレーザー加工機 - Google Patents
ウエーハ分割装置およびレーザー加工機 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011129740A JP2011129740A JP2009287362A JP2009287362A JP2011129740A JP 2011129740 A JP2011129740 A JP 2011129740A JP 2009287362 A JP2009287362 A JP 2009287362A JP 2009287362 A JP2009287362 A JP 2009287362A JP 2011129740 A JP2011129740 A JP 2011129740A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- holding
- frame
- dicing tape
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- -1 gallium nitride compound Chemical class 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
- B28D5/0011—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
- B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
- B23K26/0853—Devices involving movement of the workpiece in at least in two axial directions, e.g. in a plane
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/70—Auxiliary operations or equipment
- B23K26/702—Auxiliary equipment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
【課題】ストリートに沿って強度が低下せしめられたウエーハを、ストリートに沿って正確且つ確実に効率よく分割することができるウエーハの分割装置およびこのウエーハの分割装置を装備したレーザー加工機を提供する。
【解決手段】環状のフレームに装着されたダイシングテープの上面に貼着され格子状に形成された複数のストリートに沿って強度が低下せしめられているウエーハを、複数のストリートに沿って分割するウエーハの分割装置であって、環状のフレームを保持するフレーム保持手段と、フレーム保持手段によって保持された該環状のフレームに装着されたダイシングテープを介してウエーハを保持する保持面を有するウエーハ保持テーブルと、フレーム保持手段とウエーハ保持テーブルとを保持面に対して垂直な方向に相対的に移動してダイシングテープを拡張するテープ拡張手段と、ウエーハ保持テーブルの保持面に振動を付与する振動発生手段とを具備している。
【選択図】図2
【解決手段】環状のフレームに装着されたダイシングテープの上面に貼着され格子状に形成された複数のストリートに沿って強度が低下せしめられているウエーハを、複数のストリートに沿って分割するウエーハの分割装置であって、環状のフレームを保持するフレーム保持手段と、フレーム保持手段によって保持された該環状のフレームに装着されたダイシングテープを介してウエーハを保持する保持面を有するウエーハ保持テーブルと、フレーム保持手段とウエーハ保持テーブルとを保持面に対して垂直な方向に相対的に移動してダイシングテープを拡張するテープ拡張手段と、ウエーハ保持テーブルの保持面に振動を付与する振動発生手段とを具備している。
【選択図】図2
Description
本発明は、格子状に形成された複数のストリートに沿って強度が低下して形成されているウエーハを複数のストリートに沿って分割するウエーハの分割装置およびこのウエーハの分割装置を装備したレーザー加工機に関する。
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に形成されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々のデバイスを製造している。また、サファイア基板や炭化珪素基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハもストリートに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。
上述した半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のストリートに沿った切断は、通常、ダイサーと呼ばれている切削装置によって行われている。この切削装置は、半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等の被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる切削送り手段とを具備している。切削手段は、回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードおよび回転スピンドルを回転駆動する駆動機構を含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径3μm程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって基台に固定し厚さ20μm程度に形成されている。
しかるに、サファイア基板、炭化珪素基板等はモース硬度が高いため、上記切削ブレードによる切断は必ずしも容易ではない。更に、切削ブレードは20μm程度の厚さを有するため、デバイスを区画するストリートとしては幅が50μm程度必要となる。このため、ストリートの占める面積比率が高くなり、生産性が悪いという問題がある。
一方、ウエーハをストリートに沿って分割する方法として、ウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を内部に集光点を合わせストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って破断の起点となる変質層を連続的に形成し、この破断起点となる変質層が形成され強度が低下せしめられたストリートに沿って外力を加えることにより、ウエーハを分割する方法が提案されている。(例えば、特許文献1参照。)
上述したようにストリートに沿って変質層が形成されたウエーハのストリートに沿って外力を付与し、ウエーハを個々のデバイスに分割する方法として、ウエーハが貼着されたダイシングテープを拡張してウエーハに引っ張り力を付与することにより、ウエーハを個々のデバイスに分割する技術が下記特許文献2に開示されている。
しかるに、ウエーハが貼着されたダイシングテープを拡張してウエーハに引張力を付与する方法は、ウエーハが貼着されたダイシングテープを拡張するとウエーハには放射状に引っ張り力が作用するため、格子状に形成されたストリートに対してランダムな方向に引張力が作用することになるので、ウエーハは不規則に分割され、分割されない未分割領域が残存するという問題がある。
このような問題を解消するために、ストリートに対してその両側に第1の吸引保持部材と第2の吸引保持部材を位置付け、第1の吸引保持部材と第2の吸引保持部材にダイシングテープを介してウエーハを吸引保持し、第1の吸引保持部材と第2の吸引保持部材を互いに離反する方向に移動して、ストリートと直交する方向に引張力を作用せしめことにより、強度が低下せしめられたストリートに沿って正確に且つ確実に分割するウエーハの分割装置が下記特許文献3に開示されている。
而して、上記特許文献3に開示されたウエーハの分割装置は、ウエーハをストリートに沿って正確に且つ確実に分割することはできるが、強度が低下せしめられたストリート毎に分割工程を実施しなければならず生産性が悪いという問題がある。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、ストリートに沿って強度が低下せしめられたウエーハを、複数のストリートに沿って正確且つ確実に効率よく分割することができるウエーハの分割装置およびこのウエーハの分割装置を装備したレーザー加工機を提供することである。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、環状のフレームに装着されたダイシングテープの上面に貼着され格子状に形成された複数のストリートに沿って強度が低下せしめられているウエーハを、複数のストリートに沿って分割するウエーハの分割装置において、
該環状のフレームを保持するフレーム保持手段と、
該フレーム保持手段によって保持された該環状のフレームに装着された該ダイシングテープを介してウエーハを保持する保持面を有するウエーハ保持テーブルと、
該フレーム保持手段と該ウエーハ保持テーブルとを該保持面に対して垂直な方向に相対的に移動して該ダイシングテープを拡張するテープ拡張手段と、
該ウエーハ保持テーブルの該保持面に振動を付与する振動発生手段と、を具備している、
ことを特徴とするウエーハの分割装置が提供される。
該環状のフレームを保持するフレーム保持手段と、
該フレーム保持手段によって保持された該環状のフレームに装着された該ダイシングテープを介してウエーハを保持する保持面を有するウエーハ保持テーブルと、
該フレーム保持手段と該ウエーハ保持テーブルとを該保持面に対して垂直な方向に相対的に移動して該ダイシングテープを拡張するテープ拡張手段と、
該ウエーハ保持テーブルの該保持面に振動を付与する振動発生手段と、を具備している、
ことを特徴とするウエーハの分割装置が提供される。
また、本発明によれば、環状のフレームに装着されたダイシングテープの上面に貼着されたウエーハを保持するウエーハ保持手段と、該ウエーハ保持手段に保持されたウエーハにレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該ウエーハ保持手段と該レーザー光線照射手段を加工送り方向に相対的に移動せしめる加工送り手段と、該ウエーハ保持手段と該レーザー光線照射手段を該加工送り方向と直交する割り出し送り方向に相対移動せしめる割り出し送り手段と、を具備するレーザー加工機において、
該ウエーハ保持手段は、該環状のフレームを保持するフレーム保持手段と、該フレーム保持手段によって保持された該環状のフレームに装着された該ダイシングテープを介してウエーハを保持する保持面を有するウエーハ保持テーブルと、該フレーム保持手段と該ウエーハ保持テーブルとを該保持面に対して垂直な方向に相対的に移動して該ダイシングテープを拡張するテープ拡張手段と、該ウエーハ保持テーブルの該保持面に振動を付与する振動発生手段と、を具備している、
ことを特徴とするレーザー加工機が提供される。
該ウエーハ保持手段は、該環状のフレームを保持するフレーム保持手段と、該フレーム保持手段によって保持された該環状のフレームに装着された該ダイシングテープを介してウエーハを保持する保持面を有するウエーハ保持テーブルと、該フレーム保持手段と該ウエーハ保持テーブルとを該保持面に対して垂直な方向に相対的に移動して該ダイシングテープを拡張するテープ拡張手段と、該ウエーハ保持テーブルの該保持面に振動を付与する振動発生手段と、を具備している、
ことを特徴とするレーザー加工機が提供される。
本発明によるウエーハの分割装置は上述したように構成されているので、格子状に形成された複数のストリートに沿って強度が低下せしめられているウエーハが貼着されているダイシングテープを拡張した状態で、振動発生手段を作動してウエーハ保持テーブルを振動させてウエーハに振動を付与するため、ウエーハを強度が低下せしめられている複数のストリートに沿って正確且つ確実に効率よく分割することができる。
また、本発明によるレーザー加工機は上述したように構成され、ウエーハを保持するウエーハ保持手段が上記ウエーハの分割装置と実質的に同一に構成されているので、ウエーハ保持手段にウエーハを保持した状態で、ウエーハの内部に複数のストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程および変質層が形成されたウエーハに振動を付与してウエーハを複数のストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハ分割工程を実施することができる。
また、本発明によるレーザー加工機は上述したように構成され、ウエーハを保持するウエーハ保持手段が上記ウエーハの分割装置と実質的に同一に構成されているので、ウエーハ保持手段にウエーハを保持した状態で、ウエーハの内部に複数のストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程および変質層が形成されたウエーハに振動を付与してウエーハを複数のストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハ分割工程を実施することができる。
以下、本発明によって構成されたウエーハ分割装置およびレーザー加工機の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図5には、環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの上面に貼着されたウエーハ10が示されている。ウエーハ10は、表面10aに複数のストリート101が格子状に形成されているとともに複数のストリート101によって区画された複数の領域にデバイス102が形成されている。このウエーハ10には、ウエーハ10に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を内部に集光点を合わせストリート10に沿って照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って破断の起点となる変質層103が連続的に形成されている。なお、変質層103は、上記特許文献1に開示されたレーザー加工方法によって実施することができる。
次に、上述したウエーハ10をストリート101に沿って分割するウエーハの分割装置について、図1乃至図3を参照して説明する。
図1には本発明に従って構成されたウエーハの分割装置の斜視図が示されており、図2には図1に示すウエーハの分割装置の断面図が示されている。図示の実施形態におけるウエーハの分割装置1は、環状のフレームFを保持するフレーム保持手段2と、該フレーム保持手段2によって保持された環状のフレームFに装着されたダイシングテープTを介してウエーハ10を保持する保持面を有するウエーハ保持テーブル3と、フレーム保持手段2とウエーハ保持テーブル3とを保持面に対して垂直な方向に相対的に移動してダイシングテープTを拡張するテープ拡張手段4を具備している。フレーム保持手段2は、環状のフレーム保持部材21と、該フレーム保持部材21の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ機構22とからなっている。フレーム保持部材21の上面は環状のフレームFを載置する載置面211を形成しており、この載置面211上に環状のフレームFが載置される。そして、載置面211上に載置された環状のフレームFは、クランプ機構22によってフレーム保持部材21に固定される。このように構成されたフレーム保持手段2は、後述するテープ拡張手段4によって上下方向に移動可能に支持されている。
図1には本発明に従って構成されたウエーハの分割装置の斜視図が示されており、図2には図1に示すウエーハの分割装置の断面図が示されている。図示の実施形態におけるウエーハの分割装置1は、環状のフレームFを保持するフレーム保持手段2と、該フレーム保持手段2によって保持された環状のフレームFに装着されたダイシングテープTを介してウエーハ10を保持する保持面を有するウエーハ保持テーブル3と、フレーム保持手段2とウエーハ保持テーブル3とを保持面に対して垂直な方向に相対的に移動してダイシングテープTを拡張するテープ拡張手段4を具備している。フレーム保持手段2は、環状のフレーム保持部材21と、該フレーム保持部材21の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ機構22とからなっている。フレーム保持部材21の上面は環状のフレームFを載置する載置面211を形成しており、この載置面211上に環状のフレームFが載置される。そして、載置面211上に載置された環状のフレームFは、クランプ機構22によってフレーム保持部材21に固定される。このように構成されたフレーム保持手段2は、後述するテープ拡張手段4によって上下方向に移動可能に支持されている。
ウエーハ保持テーブル3は、図2に示すように円柱状の本体31と、該本体31の上面に配設された通気性を有するウエーハ保持部材32と、該ウエーハ保持部材32の上面である保持面に振動を付与する振動発生手段33を具備している。本体31はステンレス鋼等の金属材によって形成されており、環状のフレームFの内径より小さく環状のフレームFに装着されたダイシングテープTに貼着されるウエーハ10の外径より大きい外径を有し、上記環状のフレーム保持部材21の内側に配設される。ウエーハ保持テーブル3を構成する本体31の上面には、円形の嵌合凹部311が設けられている。この嵌合凹部311には、底面の外周部に振動発生手段33が載置される環状の載置棚312が設けられている。また、本体31には嵌合凹部312に開口する通路313が設けられており、この通路313は図示しない吸引手段に連通されている。従って、図示しない吸引手段を作動することにより、通路313を介して嵌合凹部311に負圧が作用せしめられる。また、ウエーハ保持テーブル3を構成する本体31は、下端部に径方向に突出して形成された支持フランジ314を備えている。
上記ウエーハ保持部材32は、ポーラスなセラミックスによって円形に形成されており、本体31に形成された嵌合凹部311に嵌合され、その上面がウエーハを保持する保持面として機能する。上記振動発生手段33は、図2および図3に示すように円形の振動子331と、該振動子331の両側分極面にそれぞれ装着された円形の一対の電極板332、333とからなっている。振動子331は、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸鉛、リチウムタンタレート等の圧電セラミックスによって形成されている。一対の電極板332、333は、導電線334、335を介して交流電力供給手段336に接続される。振動子331および一対の電極板332、333には、それぞれ貫通する複数の穴331aおよび332a、333aが設けられている。従って、上述したように図示しない吸引手段を作動することにより通路313を介して嵌合凹部311に作用した負圧は、複数の穴331aおよび332a、333aを通して通気性を有するウエーハ保持部材32の上面に作用せしめられる。このように構成された振動発生手段33は、ウエーハ保持部材32の下側に配置され本体31に設けられた嵌合凹部311の載置棚312上に絶縁部材を介して載置される。
テープ拡張手段4は、図1および図2に示すように上記環状のフレーム保持部材21を保持テーブル3の保持面に対して垂直な方向である上下方向に移動可能な支持手段41を具備している。この支持手段41は、上記ウエーハ保持テーブル3を構成する本体31の下端部に設けられた支持フランジ314上に配設された複数のエアシリンダ411からなっており、そのピストンロッド412が上記環状のフレーム保持部材21の下面に連結される。このように複数のエアシリンダ411からなる支持手段41は、環状のフレーム保持部材21を載置面211がウエーハ保持テーブル3の上面と略同一高さとなる基準位置と、載置面211がウエーハ保持テーブル6の上面より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動せしめる。
図示の実施形態におけるウエーハの分割装置1は以上のように構成されており、以下その作動について主に図1および図4を参照して説明する。
上記図5に示すようにストリート101に沿って強度が低下されたウエーハ10をダイシングテープTを介して支持した環状のフレームFを、図4の(a)に示すようにフレーム保持手段2を構成するフレーム保持部材21の載置面211上に載置し、クランプ機構22によってフレーム保持部材21に固定する(フレーム保持工程)。このとき、フレーム保持部材21は、図4の(a)に示す基準位置に位置付けられている。
上記図5に示すようにストリート101に沿って強度が低下されたウエーハ10をダイシングテープTを介して支持した環状のフレームFを、図4の(a)に示すようにフレーム保持手段2を構成するフレーム保持部材21の載置面211上に載置し、クランプ機構22によってフレーム保持部材21に固定する(フレーム保持工程)。このとき、フレーム保持部材21は、図4の(a)に示す基準位置に位置付けられている。
ウエーハ10をダイシングテープTを介して支持した環状のフレームFをフレーム保持部材21に保持するフレーム保持工程を実施したならば、テープ拡張手段4を構成する支持手段41としての複数のエアシリンダ411を作動して、環状のフレーム保持部材21を図4の(b)に示す拡張位置に下降せしめる。この結果、フレーム保持部材21の載置面211上に固定されている環状のフレームFも下降するため、図4の(b)に示すように環状のフレームFに装着されたダイシングテープTはウエーハ保持テーブル3の上端縁に当接して拡張せしめられる(テープ拡張工程)。このようにテープ拡張工程が実施されると、ウエーハ保持テーブル3のウエーハ保持部材32上にダイシングテープTを介してウエーハ10が載置された状態となる。
上述したように環状のフレームFに装着されたダイシングテープTを拡張するテープ拡張工程を実施した状態で、図2に示す交流電力供給手段336によって例えば周波数が100Hzの交流電力を振動発生手段33の一対の電極板332、333間に印可する。この結果、振動子331は100Hzの周波数で振動し、ウエーハ保持テーブル3のウエーハ保持部材32が振動せしめられる。従って、ウエーハ保持部材32上にダイシングテープTを介して載置されているウエーハ10にウエーハ保持部材32の振動が伝達され、図4の(b)に示すようにウエーハ10は強度が低下せしめられている複数のストリート101に沿って個々のデバイス102に分割され、個々のデバイス102間には隙間Sが形成される(ウエーハ分割工程)。このように、環状のフレームFに装着されたダイシングテープTを拡張した状態で、ウエーハ保持テーブル3のウエーハ保持部材32を振動し、該ウエーハ保持部材32にダイシングテープTを介して載置されているウエーハ10に振動を付与することによって強度が低下せしめられている複数のストリート101に沿って個々のデバイス102に分割するので、ウエーハ10を複数のストリート101に沿って正確且つ確実に効率よく分割することができる。
上述したウエーハ分割工程を実施したならば、図4の(c)に示すようにピックアップ装置のピックアップコレットPCによってデバイス102を吸着し、ダイシングテープTから剥離してピックアップする(ピックアップ工程)。このとき、図示しない吸引手段を作動することにより、ウエーハ保持テーブル3の上面に負圧を作用せしめ、ウエーハ保持テーブル3上に個々に分割されたデバイス102が貼着されているダイシングテープTを吸引保持する。なお、ピックアップ工程においては、個々のデバイス102間が隙間Sに広げられているので、互いに隣接するデバイス102と接触することなく容易にピックアップすることができる。
次に、上述したウエーハの分割装置1を装備したレーザー加工機について、図6を参照して説明する。
図6に示すレーザー加工機5は、静止基台50と、該静止基台50に矢印Xで示す加工送り方向(X軸方向)に移動可能に配設され被加工物を保持する保持テーブル機構6と、静止基台50にX軸方向と直交する矢印Yで示す割り出し送り方向(Y軸方向)に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット支持機構7と、該レーザー光線照射ユニット支持機構7に矢印Zで示す集光点位置調整方向(Z軸方向)に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット8とを具備している。
図6に示すレーザー加工機5は、静止基台50と、該静止基台50に矢印Xで示す加工送り方向(X軸方向)に移動可能に配設され被加工物を保持する保持テーブル機構6と、静止基台50にX軸方向と直交する矢印Yで示す割り出し送り方向(Y軸方向)に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット支持機構7と、該レーザー光線照射ユニット支持機構7に矢印Zで示す集光点位置調整方向(Z軸方向)に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット8とを具備している。
上記保持テーブル機構6は、静止基台50上にX軸方向に沿って平行に配設された一対の案内レール61、61と、該案内レール61、61上にX軸方向に移動可能に配設された第1の滑動ブロック62と、該第1の滑動ブロック62上にY軸方向に移動可能に配設された第2の滑動ブロック63と、該第2の滑動ブロック63上に配設されたウエーハ保持手段60を具備している。このウエーハ保持手段60は、上記図1乃至図3に示すウエーハの分割装置1と実質的に同一の構成であるため、その説明は省略する。なお、第2の滑動ブロック63上に配設されたウエーハ保持手段60は、図示しない回転駆動機構によって回転せしめられるように構成されている。
上記第1の滑動ブロック62は、その下面に上記一対の案内レール61、61と嵌合する一対の被案内溝621、621が設けられているとともに、その上面にY軸方向に沿って平行に形成された一対の案内レール622、622が設けられている。このように構成された第1の滑動ブロック62は、被案内溝621、621が一対の案内レール61、61に嵌合することにより、一対の案内レール61、61に沿ってX軸方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構6は、第1の滑動ブロック62を一対の案内レール61、61に沿ってX軸方向に移動させるためのボール螺子機構からなる加工送り手段67を具備している。加工送り手段67は、上記一対の案内レール61と61の間に平行に配設された雄ネジロッド671と、該雄ネジロッド671を回転駆動するためのパルスモータ672等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド671は、その一端が上記静止基台50に固定された軸受ブロック673に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ672の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド671は、第1の滑動ブロック62の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ672によって雄ネジロッド671を正転および逆転駆動することにより、第1の滑動ブロック62は案内レール61、61に沿ってX軸方向に移動せしめられる。
上記第2の滑動ブロック63は、その下面に上記第1の滑動ブロック62の上面に設けられた一対の案内レール622、622と嵌合する一対の被案内溝631、631が設けられており、この被案内溝631、631を一対の案内レール622、622に嵌合することにより、Y軸方向に移動可能に構成される。図示の実施形態における保持テーブル機構6は、第2の滑動ブロック63を第1の滑動ブロック62に設けられた一対の案内レール622、622に沿ってY軸方向に移動させるためのボール螺子機構からなる第1の割り出し送り手段68を具備している。第1の割り出し送り手段68は、上記一対の案内レール622と622の間に平行に配設された雄ネジロッド681と、該雄ネジロッド681を回転駆動するためのパルスモータ682等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド681は、その一端が上記第1の滑動ブロック62の上面に固定された軸受ブロック683に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ682の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド681は、第2の滑動ブロック63の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ682によって雄ネジロッド681を正転および逆転駆動することにより、第2の滑動ブロック63は案内レール622、622に沿ってY軸方向に移動せしめられる。
上記レーザー光線照射ユニット支持機構7は、静止基台50上にY軸方向に沿って平行に配設された一対の案内レール71、71と、該案内レール71、71上にY軸方向に移動可能に配設された可動支持基台72を具備している。この可動支持基台72は、案内レール71、71上に移動可能に配設された移動支持部721と、該移動支持部721に取り付けられた装着部722とからなっている。装着部722は、一側面にZ軸方向に延びる一対の案内レール723、723が平行に設けられている。図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット支持機構7は、可動支持基台72を一対の案内レール71、41に沿ってY軸方向に移動させるためのボール螺子機構からなる第2の割り出し送り手段73を具備している。第2の割り出し送り手段73は、上記一対の案内レール71、71の間に平行に配設された雄ネジロッド731と、該雄ネジロッド731を回転駆動するためのパルスモータ732等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド731は、その一端が上記静止基台50に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ732の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド731は、可動支持基台72を構成する移動支持部721の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ732によって雄ネジロッド731を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台72は案内レール71、71に沿ってY軸方向に移動せしめられる。
図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット8は、ユニットホルダ81と、該ユニットホルダ81に取り付けられたレーザー光線照射手段82を具備している。ユニットホルダ81は、上記装着部722に設けられた一対の案内レール723、723に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝811、811が設けられており、この被案内溝811、811を上記案内レール723、723に嵌合することにより、Z軸方向に移動可能に支持される。
図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット8は、ユニットホルダ81を一対の案内レール723、723に沿って上記ウエーハ保持テーブル3の保持面に垂直な方向であるZ軸方向に移動させるため集光点位置調整手段83を具備している。集光点位置調整手段83は、上記加工送り手段67や第1の割り出し送り手段68および第2の割り出し送り手段73と同様にボール螺子機構からなっている。この集光点位置調整手段83は、一対の案内レール723、723の間に配設された雄螺子ロッド(図示せず)と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ832等の駆動源を含んでおり、パルスモータ832によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、ユニットホルダ81およびレーザー光線照射手段82を案内レール723、723に沿ってZ軸方向に移動せしめる。なお、図示の実施形態においてはパルスモータ832を正転駆動することによりレーザー光線照射手段82を上方に移動し、パルスモータ732を逆転駆動することによりレーザー光線照射手段82を下方に移動するようになっている。
図示のレーザー光線照射手段82は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング821を含んでいる。このケーシング821内にはパルスレーザー光線発振手段が配設されており、ケーシング821の先端にはパルスレーザー光線発振手段が発振するパルスレーザー光線を上記ウエーハ保持手段60のウエーハ保持テーブル3に保持される被加工物に照射せしめる集光器822が配設されている。パルスレーザー光線発振手段は、被加工物であるウエーハに対して透過性を有する波長(例えば波長が1064nm)のパルスレーザー光線を発振する。なお、上記レーザー光線照射手段82を構成するケーシング821の先端部には、レーザー光線照射手段82によってレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像手段85が配設されている。この撮像手段85は、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子(CCD)等を備え、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
図示の実施形態におけるレーザー加工機5は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
図7には、環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの上面に貼着されたウエーハ100が示されている。ウエーハ100は、表面100aに複数のストリート101が格子状に形成されているとともに複数のストリート101によって区画された複数の領域にデバイス102が形成されている。このウエーハ100は、上記図5に示すウエーハ10のように内部に複数のストリート101に沿って破断の起点となる変質層が形成されていない。以下、レーザー加工機5を用いてウエーハ100の内部に複数のストリート101に沿って破断の起点となる変質層を形成するレーザー加工について説明する。
図7には、環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの上面に貼着されたウエーハ100が示されている。ウエーハ100は、表面100aに複数のストリート101が格子状に形成されているとともに複数のストリート101によって区画された複数の領域にデバイス102が形成されている。このウエーハ100は、上記図5に示すウエーハ10のように内部に複数のストリート101に沿って破断の起点となる変質層が形成されていない。以下、レーザー加工機5を用いてウエーハ100の内部に複数のストリート101に沿って破断の起点となる変質層を形成するレーザー加工について説明する。
先ず、図7に示すようにウエーハ100をダイシングテープTを介して支持する環状のフレームFを、図6に示すレーザー加工機5のフレーム保持手段2を構成するフレーム保持部材21の載置面211上に載置する。そして、環状のフレームFを上記図4に示すようにクランプ機構22によってフレーム保持部材21に固定する(フレーム保持工程)。このとき、環状のフレーム保持部材21を載置面211がウエーハ保持テーブル3の上面と略同一高さとなる基準位置に位置付けられている。従って、ウエーハ100はダイシングテープTを介してウエーハ保持テーブル3上に載置されたことになる。次に、図示しない吸引手段を作動することにより、ウエーハ保持テーブル3の上面に負圧を作用せしめ、ウエーハ保持テーブル3上にウエーハ100をダイシングテープTを介して吸引保持する(ウエーハ保持工程)。
上述したようにウエーハ保持工程を実施したならば、加工送り手段67を作動してウエーハ100を吸引保持したウエーハ保持テーブル3を撮像手段822の直下に位置付ける。ウエーハ保持テーブル3が撮像手段822の直下に位置付けられると、撮像手段822および図示しない制御手段によってウエーハ100のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段822および図示しない制御手段は、ウエーハ100の所定方向に形成されているストリート101と、該ストリート101に沿って集光器822との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、アライメントを遂行する(アライメント工程)。また、ウエーハ100に形成されている所定方向と直交する方向に形成されているストリート101に対しても、同様にアライメントが遂行される。
上述したアライメント工程を実施したならば、ウエーハ100の内部にストリート101に沿って変質層を形成する変質層形成工程を実施する。
変質層形成工程は、先ずウエーハ保持テーブル3を移動して図8の(a)に示すように所定のストリート101の一端(図8の(a)において左端)を集光器822の直下に位置付ける。次に、レーザー光線照射手段82を作動して集光器822からウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつウエーハ保持テーブル3を図8の(a)において矢印X1で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる。そして、図8の(b)で示すように所定のストリート101の他端(図8の(b)において右端)が集光器822の直下に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにウエーハ保持テーブル3上の移動を停止する。この変質層形成工程においては、パルスレーザー光線の集光点Pをウエーハ100の厚み方向の中間部に合わせる。この結果、ウエーハ100の内部には、ストリート101に沿って変質層103が形成される。
変質層形成工程は、先ずウエーハ保持テーブル3を移動して図8の(a)に示すように所定のストリート101の一端(図8の(a)において左端)を集光器822の直下に位置付ける。次に、レーザー光線照射手段82を作動して集光器822からウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつウエーハ保持テーブル3を図8の(a)において矢印X1で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる。そして、図8の(b)で示すように所定のストリート101の他端(図8の(b)において右端)が集光器822の直下に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにウエーハ保持テーブル3上の移動を停止する。この変質層形成工程においては、パルスレーザー光線の集光点Pをウエーハ100の厚み方向の中間部に合わせる。この結果、ウエーハ100の内部には、ストリート101に沿って変質層103が形成される。
上記変質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源 :LD励起QスイッチNd:YVO4パルスレーザー
波長 :1064nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :80kHz
平均出力 :2W
集光スポット径 :φ1μm
加工送り速度 :300mm/秒
光源 :LD励起QスイッチNd:YVO4パルスレーザー
波長 :1064nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :80kHz
平均出力 :2W
集光スポット径 :φ1μm
加工送り速度 :300mm/秒
以上のようにして、ウエーハ100の所定方向に延在する全てのストリート101に沿って上記変質層形成工程を実行したならば、ウエーハ保持テーブル3を90度回動せしめて、上記所定方向に対して直交する方向に延びる各ストリート101に沿って上記変質層形成工程を実行する。このようにして、ウエーハ100に形成された全てのストリート101に沿って上記変質層形成工程を実行することにより、ウエーハ100は内部に全てのストリート101に沿って変質層103が形成された上記図5に示すウエーハ10と同様のウエーハとなる。
次に、全てのストリート101に沿って変質層103が形成されたウエーハ100を吸引保持しているウエーハ保持テーブル3を最初にウエーハ100を吸引保持した位置に戻し、ここでウエーハ100の吸引保持を解除する。そして、上記図4の(b)に示すようにテープ拡張工程およびウエーハ分割工程を実施することにより、複数のストリート101に沿って変質層103が形成されたウエーハ100は複数のストリート101に沿って正確且つ確実に効率よく分割される。
以上のように、図6に示すレーザー加工装置5は、ウエーハを保持するウエーハ保持手段60が上記図1乃至図3に示すウエーハの分割装置1と実質的に同一に構成されているので、ウエーハ保持手段60にウエーハを保持した状態で、ウエーハの内部に複数のストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程および変質層が形成されたウエーハに振動を付与してウエーハを複数のストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハ分割工程を実施することができる。
1:ウエーハの分割装置
2:フレーム保持手段
21:環状のフレーム保持部材
3:ウエーハ保持テーブル
31:ウエーハ保持テーブルの本体
32:ウエーハ保持部材
33:振動発生手段
331:振動子
332、333:一対の電極板
4:テープ拡張手段
5:レーザー加工機
6:保持テーブル機構
60:ウエーハ保持手段
67:加工送り手段
68:第1の割り出し送り手段
7:レーザー光線照射ユニット支持機構
73:第2の割り出し送り手段
8:レーザー光線照射ユニット
82:レーザー光線照射手段
822:集光器
83:集光点位置調整手段
10:ウエーハ
F:環状のフレーム
T:ダイシングテープ
2:フレーム保持手段
21:環状のフレーム保持部材
3:ウエーハ保持テーブル
31:ウエーハ保持テーブルの本体
32:ウエーハ保持部材
33:振動発生手段
331:振動子
332、333:一対の電極板
4:テープ拡張手段
5:レーザー加工機
6:保持テーブル機構
60:ウエーハ保持手段
67:加工送り手段
68:第1の割り出し送り手段
7:レーザー光線照射ユニット支持機構
73:第2の割り出し送り手段
8:レーザー光線照射ユニット
82:レーザー光線照射手段
822:集光器
83:集光点位置調整手段
10:ウエーハ
F:環状のフレーム
T:ダイシングテープ
Claims (2)
- 環状のフレームに装着されたダイシングテープの上面に貼着され格子状に形成された複数のストリートに沿って強度が低下せしめられているウエーハを、複数のストリートに沿って分割するウエーハの分割装置において、
該環状のフレームを保持するフレーム保持手段と、
該フレーム保持手段によって保持された該環状のフレームに装着された該ダイシングテープを介してウエーハを保持する保持面を有するウエーハ保持テーブルと、
該フレーム保持手段と該ウエーハ保持テーブルとを該保持面に対して垂直な方向に相対的に移動して該ダイシングテープを拡張するテープ拡張手段と、
該ウエーハ保持テーブルの該保持面に振動を付与する振動発生手段と、を具備している、
ことを特徴とするウエーハの分割装置。 - 環状のフレームに装着されたダイシングテープの上面に貼着されウエーハを保持するウエーハ保持手段と、該ウエーハ保持手段に保持されたウエーハにレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該ウエーハ保持手段と該レーザー光線照射手段を加工送り方向に相対的に移動せしめる加工送り手段と、該ウエーハ保持手段と該レーザー光線照射手段を該加工送り方向と直交する割り出し送り方向に相対移動せしめる割り出し送り手段と、を具備するレーザー加工機において、
該ウエーハ保持手段は、該環状のフレームを保持するフレーム保持手段と、該フレーム保持手段によって保持された該環状のフレームに装着された該ダイシングテープを介してウエーハを保持する保持面を有するウエーハ保持テーブルと、該フレーム保持手段と該ウエーハ保持テーブルとを該保持面に対して垂直な方向に相対的に移動して該ダイシングテープを拡張するテープ拡張手段と、該ウエーハ保持テーブルの該保持面に振動を付与する振動発生手段と、を具備している、
ことを特徴とするレーザー加工機。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009287362A JP2011129740A (ja) | 2009-12-18 | 2009-12-18 | ウエーハ分割装置およびレーザー加工機 |
US12/968,733 US8642920B2 (en) | 2009-12-18 | 2010-12-15 | Wafer dividing apparatus and laser processing apparatus |
CN201010591226.5A CN102136454B (zh) | 2009-12-18 | 2010-12-15 | 晶片分割装置以及激光加工机 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009287362A JP2011129740A (ja) | 2009-12-18 | 2009-12-18 | ウエーハ分割装置およびレーザー加工機 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011129740A true JP2011129740A (ja) | 2011-06-30 |
Family
ID=44149624
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009287362A Pending JP2011129740A (ja) | 2009-12-18 | 2009-12-18 | ウエーハ分割装置およびレーザー加工機 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8642920B2 (ja) |
JP (1) | JP2011129740A (ja) |
CN (1) | CN102136454B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014116338A (ja) * | 2012-12-06 | 2014-06-26 | Lintec Corp | 割断装置及び割断方法 |
JP2018182079A (ja) * | 2017-04-13 | 2018-11-15 | 株式会社ディスコ | 分割方法 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013008769A (ja) * | 2011-06-23 | 2013-01-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素基板の製造方法 |
CN102643018B (zh) | 2012-02-29 | 2014-07-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 裂片分离设备及方法 |
CN104647619A (zh) * | 2013-11-22 | 2015-05-27 | 烟台力凯电子科技有限公司 | 一种四导柱工作台式多线切割机 |
US20150224596A1 (en) * | 2014-02-10 | 2015-08-13 | Delta Industrial Services, Inc. | Portable beam delivery system |
JP6280459B2 (ja) * | 2014-06-27 | 2018-02-14 | 株式会社ディスコ | テープ拡張装置 |
TWI587970B (zh) * | 2016-10-12 | 2017-06-21 | Direct drive indexing plate adsorption structure | |
CN114352704B (zh) * | 2022-01-14 | 2024-03-15 | 深圳特斯特半导体设备有限公司 | 划片机刀片主轴结构 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005011984A (ja) * | 2003-06-19 | 2005-01-13 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2006203133A (ja) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Lintec Corp | チップ体の製造方法、デバイスの製造方法およびチップ体固着用粘接着シート |
JP2007067278A (ja) * | 2005-09-01 | 2007-03-15 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | エキスパンド方法及びエキスパンド装置 |
JP2007141999A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Denso Corp | 半導体基板の分断装置および半導体基板の分断方法 |
JP2008227470A (ja) * | 2007-02-13 | 2008-09-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法およびレーザー加工装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3433982A (en) * | 1962-08-07 | 1969-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Piezoelectric ceramic resonators |
JP3244238B2 (ja) * | 1993-02-25 | 2002-01-07 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振装置 |
JP3408805B2 (ja) | 2000-09-13 | 2003-05-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法 |
JP4554901B2 (ja) * | 2003-08-12 | 2010-09-29 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP4405211B2 (ja) * | 2003-09-08 | 2010-01-27 | パナソニック株式会社 | 半導体チップの剥離装置、剥離方法、及び半導体チップの供給装置 |
JP4574251B2 (ja) * | 2003-09-17 | 2010-11-04 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2005129607A (ja) | 2003-10-22 | 2005-05-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP4447392B2 (ja) * | 2004-07-23 | 2010-04-07 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法および分割装置 |
US7662668B2 (en) * | 2005-11-16 | 2010-02-16 | Denso Corporation | Method for separating a semiconductor substrate into a plurality of chips along with a cutting line on the semiconductor substrate |
JP4909657B2 (ja) * | 2006-06-30 | 2012-04-04 | 株式会社ディスコ | サファイア基板の加工方法 |
-
2009
- 2009-12-18 JP JP2009287362A patent/JP2011129740A/ja active Pending
-
2010
- 2010-12-15 US US12/968,733 patent/US8642920B2/en active Active
- 2010-12-15 CN CN201010591226.5A patent/CN102136454B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005011984A (ja) * | 2003-06-19 | 2005-01-13 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2006203133A (ja) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Lintec Corp | チップ体の製造方法、デバイスの製造方法およびチップ体固着用粘接着シート |
JP2007067278A (ja) * | 2005-09-01 | 2007-03-15 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | エキスパンド方法及びエキスパンド装置 |
JP2007141999A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Denso Corp | 半導体基板の分断装置および半導体基板の分断方法 |
JP2008227470A (ja) * | 2007-02-13 | 2008-09-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法およびレーザー加工装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014116338A (ja) * | 2012-12-06 | 2014-06-26 | Lintec Corp | 割断装置及び割断方法 |
JP2018182079A (ja) * | 2017-04-13 | 2018-11-15 | 株式会社ディスコ | 分割方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102136454B (zh) | 2014-11-12 |
CN102136454A (zh) | 2011-07-27 |
US20110147349A1 (en) | 2011-06-23 |
US8642920B2 (en) | 2014-02-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2011129740A (ja) | ウエーハ分割装置およびレーザー加工機 | |
JP5307612B2 (ja) | 光デバイスウエーハの加工方法 | |
CN102237452B (zh) | 光器件晶片的加工方法和激光加工装置 | |
JP5495876B2 (ja) | 光デバイスウエーハの加工方法 | |
KR20180063832A (ko) | SiC 웨이퍼의 생성 방법 | |
KR20160143529A (ko) | 웨이퍼의 생성 방법 | |
JP2019102513A (ja) | 剥離装置 | |
KR20180025209A (ko) | SiC 웨이퍼의 생성 방법 | |
JP2015226924A (ja) | チップの製造方法 | |
JP2011108856A (ja) | 光デバイスウエーハの加工方法 | |
JP5860219B2 (ja) | レーザー加工装置 | |
JP2007242787A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2019186276A (ja) | ウエーハの生成方法 | |
JP2012186287A (ja) | ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置 | |
JP5623807B2 (ja) | 光デバイスウエーハの分割方法 | |
JP4447392B2 (ja) | ウエーハの分割方法および分割装置 | |
JP2005332841A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2014093445A (ja) | 光デバイスウエーハの加工方法 | |
JP2006108273A (ja) | ウエーハの分割方法および分割装置 | |
JP2006202933A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2011253902A (ja) | サファイア基板の加工方法 | |
JP2018118296A (ja) | レーザー加工装置 | |
JP4511903B2 (ja) | ウエーハの分割装置 | |
JP2019129174A (ja) | ウエーハの生成方法およびウエーハの生成装置 | |
JP2012146879A (ja) | スクライバー装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121126 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140401 |