JP2011253902A - サファイア基板の加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】切削ブレードの磨耗を少なくしてサファイア基板を設定された分割予定ラインに沿って分割することができるサファイア基板の加工方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板を設定された分割予定ラインに沿って分割するサファイア基板の加工方法であって、ダイヤモンド砥粒をニッケルメッキで固定した切刃を備えた切削ブレードをサファイア基板の分割予定ラインに位置付け、切削ブレードを回転しつつ切削ブレードとサファイア基板を相対的に加工送りし、サファイア基板に分割予定ラインに沿って破断起点となる切削溝を形成する切削溝形成工程と、切削溝形成工程が実施されたサファイア基板に外力を付与し、切削溝が形成された分割予定ラインに沿って破断する破断工程とを含み、切削溝形成工程は切削ブレードの回転速度が２００００〜３５０００rpm、切削ブレードの切り込み深さが５〜１５μm、加工送り速度が５０〜１５０mm／秒に設定されている。
【選択図】図５

Description

本発明は、光デバイスウエーハ等の基板として用いられるサファイア基板を設定された分割予定ラインに沿って分割するサファイア基板の加工方法に関する。

光デバイス製造工程においては、略円板形状であるサファイア基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体からなる光デバイス層が積層され格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域に発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスを形成して光デバイスウエーハを構成する。そして、光デバイスウエーハを分割予定ラインに沿って分割することにより個々の光デバイスを製造している。

上述した光デバイスウエーハを分割予定ラインに沿って分割する分割方法として、光デバイスウエーハを構成するサファイア基板に対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射してアブレーション加工することにより破断の起点となるレーザー加工溝を形成し、この破断の起点となるレーザー加工溝が形成された分割予定ラインに沿って外力を付与することにより割断する方法が提案されている。（例えば、特許文献１参照。）

しかるに、光デバイスウエーハを構成するサファイア基板の表面に形成された分割予定ラインに沿ってサファイア基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成すると、発光ダイオード等の光デバイスの側壁面にレーザー加工時に生成される変質物質が付着して光デバイスの輝度が低下し、光デバイスの品質が低下するという問題がある。

また、上述した光デバイスウエーハの分割予定ラインに沿った分割は、ダイサーと呼ばれている切削装置によって行われている。この切削装置は、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる切削送り手段とを具備している。切削手段は、回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードおよび回転スピンドルを回転駆動する駆動機構を含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、環状の切れ刃は例えば粒径が３〜４μｍのダイヤモンド砥粒をニッケルメッキによって基台に固定し、厚みが２０〜３０μｍに形成されている。（例えば、特許文献２参照。）このような切削装置の切削ブレードによって光デバイスウエーハを切断することにより、レーザー加工のように光デバイスの側壁面に変質物質が生成されることがなく加工することができる。

特開平１０−３０５４２０号公報 特開２００６−１８７８３４号公報

而して、サファイア基板はモース硬度が高いため、切削ブレードによって切削溝を形成する場合、加工送り速度を３μｍ／秒程度で実施しているが、切削ブレードの磨耗が激しく、切削ブレードを頻繁に交換しなければならず、不経済であるとともに生産性が悪いという問題がある。

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、切削ブレードの磨耗量を少なくしてサファイア基板を設定された分割予定ラインに沿って分割することができるサファイア基板の加工方法を提供することにある。

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、サファイア基板を設定された分割予定ラインに沿って分割するサファイア基板の加工方法であって、
ダイヤモンド砥粒をニッケルメッキで固定した切刃を備えた切削ブレードをサファイア基板の分割予定ラインに位置付け、切削ブレードを回転しつつ切削ブレードとサファイア基板を相対的に加工送りし、サファイア基板に分割予定ラインに沿って破断起点となる切削溝を形成する切削溝形成工程と、
該切削溝形成工程が実施されたサファイア基板に外力を付与し、切削溝が形成された分割予定ラインに沿って破断する破断工程と、を含み、
該切削溝形成工程は、切削ブレードの回転速度が２００００〜３５０００rpm、切削ブレードの切り込み深さが５〜１５μm、加工送り速度が５０〜１５０mm／秒に設定されている、
ことを特徴とするサファイア基板の加工方法が提供される。

上記切削溝形成工程は、分割予定ラインに沿って複数回実施することにより、切削溝の深さを累積させる。

本発明によるサファイア基板の加工方法においては、サファイア基板に分割予定ラインに沿って破断起点となる切削溝を形成する切削溝形成工程は、切削ブレードの回転速度が２００００〜３５０００rpm、切削ブレードの切り込み深さが５〜１５μm、加工送り速度が５０〜１５０mm／秒に設定されているので、サファイア基板に欠けが発生することなく、また、切削ブレードを構成する切れ刃が破損することなく、切削ブレードの磨耗量が低減するとともに、生産性を向上することができる。特に、本発明によるサファイア基板の加工方法においては、加工送り速度が５０〜１５０mm／秒に設定されているので、サファイア基板の切削加工において常識とされていた加工送り速度（３mm／秒）の１５〜５０倍の加工速度で加工することができ、生産性を向上することができるとともに、切削ブレードの磨耗量が１／２以下となり切削ブレードの交換頻度を１／２以下に減少することができる。

本発明によるサファイア基板の加工方法に従って加工される光デバイスウエーハを示す斜視図および要部拡大断面図。 本発明によるサファイア基板の加工方法におけるウエーハ支持工程の説明図。 本発明によるサファイア基板の加工方法における切削溝形成工程を実施するための切削装置の要部斜視図。 図３に示す切削装置に装備される切削ブレードの断面図。 本発明によるサファイア基板の加工方法における切削溝形成工程の説明図。 本発明によるサファイア基板の加工方法における切削溝形成工程が実施された光デバイスウエーハの要部を拡大して示す断面図。 本発明によるサファイア基板の加工方法における切削溝形成工程を分割予定ラインに沿って複数回実施した光デバイスウエーハの要部を拡大して示す断面図。 本発明によるサファイア基板の加工方法における破断工程を実施するためのウエーハ破断装置の斜視図。 本発明によるサファイア基板の加工方法における破断工程の説明図。

以下、本発明によるサファイア基板の加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。

図１の(a)および(b)には、本発明によるサファイア基板の加工方法に従って加工される光デバイスウエーハの斜視図および要部を拡大して示す断面図が示されている。図１の(a)および(b)に示す光デバイスウエーハ２は、例えば厚みが１００μmのサファイア基板２０の表面２０aに窒化物半導体からなる光デバイス層としての発光層（エピ層）２１が５μｍの厚みで積層されている。そして、発光層（エピ層）２１が格子状に形成された複数の分割予定ライン２２によって区画された複数の領域に発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイス２３が形成されている。以下、この光デバイスウエーハ２を分割予定ライン２２に沿って個々の光デバイス２３に分割する加工方法について説明する。

本発明によるサファイア基板の加工方法においては、先ず図２の（ａ）および（ｂ）に示すように光デバイスウエーハ２を構成するサファイア基板２０の裏面２０bを環状のフレーム３に装着されたダイシングテープ４の表面に貼着する（ウエーハ支持工程）。

上述したウエーハ支持工程を実施したならば、ダイヤモンド砥粒をニッケルメッキで固定した切れ刃を備えた切削ブレードをサファイア基板からなる光デバイスウエーハ２の分割予定ラインに位置付け、切削ブレードを回転しつつ切削ブレードとサファイア基板を相対的に加工送りし、サファイア基板に分割予定ラインに沿って破断起点となる切削溝を形成する切削溝形成工程を実施する。この切削溝形成工程は、図示の実施形態においては図３に示す切削装置５を用いて実施する。図３に示す切削装置５は、被加工物を保持するチャックテーブル５１と、該チャックテーブル５１に保持された被加工物を切削する切削手段５２と、該チャックテーブル５１に保持された被加工物を撮像する撮像手段５３を具備している。チャックテーブル５１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない切削送り手段によって図３において矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。

上記切削手段５２は、実質上水平に配置されたスピンドルハウジング５２１と、該スピンドルハウジング５２１に回転自在に支持された回転スピンドル５２２と、該回転スピンドル５２２の先端部に装着された切削ブレード５２３を含んでおり、回転スピンドル５２２がスピンドルハウジング５２１内に配設された図示しないサーボモータによって矢印Aで示す方向に回転せしめられるようになっている。なお、切削ブレード５２３は、図４に示すように基台５２４と、該基台５２４の側面外周部に装着された環状の切れ刃５２５とからなっている。環状の切れ刃５２５は、基台５２４の側面外周部に粒径が３〜４μｍのダイヤモンド砥粒をニッケルメッキで固めた電鋳ブレードからなっており、厚みが２０〜３０μｍで外径が５２mmに形成されている。

上記撮像手段５３は、スピンドルハウジング５２１の先端部に装着されており、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子（ＣＣＤ）等を備え、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。

上述した切削装置５を用いて切削溝形成工程を実施するには、図３に示すようにチャックテーブル５１上に光デバイスウエーハ２を構成するサファイア基板２０の裏面２０bが貼着されたダイシングテープ４側を載置し、図示しない吸引手段を作動することによりチャックテーブル５１上にダイシングテープ４を介して光デバイスウエーハ２を吸引保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル５１上に保持された光デバイスウエーハ２は、表面２aが上側となる。なお、図３においては、ダイシングテープ４が装着された環状のフレーム３を省いて示しているが、環状のフレーム３はチャックテーブル５１に配設されたクランプ機構によって固定されている。このようにして、光デバイスウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル５１は、図示しない切削送り手段によって撮像手段５３の直下に位置付けられる。

チャックテーブル５１が撮像手段５３の直下に位置付けられると、撮像手段５３および図示しない制御手段によって光デバイスウエーハ２の加工すべき領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段５３および図示しない制御手段は、光デバイスウエーハ２の表面２aに所定方向に形成されている分割予定ライン２２と切削ブレード５２３との位置合わせを行うためのアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、光デバイスウエーハ２の表面２aに上記所定方向に対して直交する方向に形成された分割予定ライン２２に対しても、同様に加工領域のアライメントが遂行される。

以上のようにしてチャックテーブル５１上に保持されている光デバイスウエーハ２の加工領域を検出するアライメントが行われたならば、光デバイスウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル５１を切削ブレード５２３の下方である加工領域の加工開始位置に移動する。そして、図５の(a)で示すように光デバイスウエーハ２の加工すべき分割予定ライン２２の一端（図５の(a)において左端）が切削ブレード５２３の直下より所定量右側に位置するように位置付ける（加工送り開始位置位置付け工程）。このようにして光デバイスウエーハ２を加工領域の加工開始位置に位置付けられたならば、切削ブレード５２３を矢印Aで示す方向に回転しつつ図５の(a)において２点鎖線で示す待機位置から下方に切り込み送りし、図５の(a)において実線で示すように所定の切り込み送り位置に位置付ける。この切り込み送り位置は、図５の（ａ）および図６の（ａ）に示すように切削ブレード５２３を構成する環状の切れ刃５２５の外周縁の下端が光デバイスウエーハ２の表面２a（上面）から例えば５〜１５μm下方の位置に設定されている。なお、切り込み深さを１５μmより深くすると切削ブレードにかかる負荷が大きくなりサファイア基板の上面に欠けや割れが発生するため、切り込み深さは１５μmが限界である。一方、切り込み深さが５μm未満では切削ブレードにかかる負荷は小さくなるが、所定の深さの切削溝を形成するには複数回切削する必要があるため生産性が悪い。従って、切削ブレードの切り込み深さは、５〜１５μmに設定することが望ましい。

次に、図５の(a)に示すように切削ブレード５２３を矢印Aで示す方向に所定の回転速度で回転しつつ、チャックテーブル５１を図５の(a)において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で加工送りする（切削溝形成工程）。この結果、図５の(b)および図６の（b）に示すように光デバイスウエーハ２には、分割予定ライン２２に沿って破断起点となる深さが５〜１５μmの切削溝２０１が形成される。この切削溝形成工程においては、切削ブレード５２３の回転速度を２００００〜３５０００rpmに設定するとともに、加工送り速度を５０〜１５０mm／秒に設定することが望ましい。切削ブレード５２３の回転速度が２００００rpm未満であると切削ブレードに破損が生じやすくなり、一方、切削ブレードの回転速度が３５０００rpmを超えると切削ブレードにブレが発生してサファイア基板に欠けが生ずる。また、加工送り速度については、本発明者の実験によると、所定の長さの切削溝を形成する場合に、加工送り速度が遅いほど切削ブレードを構成する環状の切れ刃の磨耗量が多く、加工送り速度が速いほど切削ブレードを構成する環状の切れ刃の磨耗量が少ないことが判った。以下、本発明者の実験例について説明する。

[実験例]
粒径が３〜４μｍのダイヤモンド砥粒をニッケルメッキで固め厚みが３０μｍで外径が５２mmに形成された電鋳ブレードからなる切れ刃を備えた切削ブレードを用いて、サファイア基板を切削した。このときの加工条件は、切り込み深さが１５μm、切削ブレードの回転速度が３００００rpm、加工送り速度を１〜１５０mm／秒に設定し、それぞれ１m切削加工した。
この実験により、次のような結果が得られた。
(1)加工送り速度が１mm／秒の場合、切削ブレードを構成する切れ刃の磨耗量は７μm
／加工長さ１m。
(2)加工送り速度が３mm／秒の場合、切削ブレードを構成する切れ刃の磨耗量は６μm
／加工長さ１m。
(3)加工送り速度が１０mm／秒の場合、切削ブレードを構成する切れ刃の磨耗量は５μ
m／加工長さ１m。
(4)加工送り速度が３０mm／秒の場合、切削ブレードを構成する切れ刃の磨耗量は４μ
m／加工長さ１m。
(5)加工送り速度が５０mm／秒の場合、切削ブレードを構成する切れ刃の磨耗量は２．
５μm／加工長さ１m。
(6)加工送り速度が１００mm／秒の場合、切削ブレードを構成する切れ刃の磨耗量は２
μm／加工長さ１m。
(7)加工送り速度が１５０mm／秒の場合、切削ブレードを構成する切れ刃の磨耗量は１
．８μm／加工長さ１m。
(8)加工送り速度が１６０mm／秒の場合、切削ブレードを構成する切れ刃の磨耗量は１
．８μm／加工長さ１m。但し、サファイア基板に欠けが発生。

上述した実験結果から、加工送り速度が遅いほど切削ブレードを構成する切れ刃の磨耗量が多く、加工送り速度が速いほど切削ブレードを構成する切れ刃の磨耗量が少ないことが判る。特に、加工送り速度を５０mm／秒にすると切削ブレードを構成する切れ刃の磨耗量は２．５μm／加工長さ１mで、従来サファイア基板の切削加工において常識とされていた加工送り速度（３mm／秒）の場合と比べて磨耗量が４２％となり、切削ブレードの寿命が２倍以上向上する。また、加工送り速度を１５０mm／秒にすると切削ブレードを構成する切れ刃の磨耗量は１．８μm／加工長さ１mで、従来サファイア基板の切削加工において常識とされていた加工送り速度（３mm／秒）の場合と比べて磨耗量が３０％となり、切削ブレードの寿命が３倍以上となる。一方、加工送り速度が１５０mm／秒を超え１６０mm／秒になるとサファイア基板に欠け発生するため、加工送り速度は１５０mm／秒以下に設定することが望ましい。

以上のように、加工送り速度を５０〜１５０mm／秒に設定することにより、サファイア基板の切削加工において常識とされていた加工送り速度（３mm／秒）の場合と比較して切削ブレードを構成する切れ刃の磨耗量が１／２以下となるので、切削ブレードの交換頻度を１／２以下に減少することができ経済的である。また、加工送り速度を５０〜１５０mm／秒に設定することにより、サファイア基板に欠けが発生したり切削ブレードを構成する切れ刃が破損することなく、サファイア基板の切削加工において常識とされていた加工送り速度（３mm／秒）の１５〜５０倍の加工速度で加工することができ、生産性を向上することができる。

以上のようにして、光デバイスウエーハ２の所定方向に延在する全ての分割予定ライン２２に沿って上記切削溝形成工程を実施したならば、チャックテーブル５１を９０度回動せしめて、上記所定方向に対して直交する方向に形成された各分割予定ライン２２に沿って上記切削溝形成工程を実施する。

なお、上述したようにサファイア基板を切削する場合には、切り込み深さを１５μmより深くすると切削ブレードに負荷がかかりサファイア基板の上面に欠けや割れが発生するため、切削ブレードの切り込み深さは１５μmが限界である。従って、破断起点となる切削溝の深さを例えば３０μmにしたい場合には、上記のように分割予定ライン２２に沿って破断起点となる切削溝２０１が形成された光デバイスウエーハ２に対して、切削溝２０１が形成された領域に再度切削溝形成工程を実施する。即ち、図７の（ａ）に示すように切削溝２０１が形成された領域に切削ブレード５２３を構成する切れ刃５２５を位置付け、切削ブレード５２３を構成する切れ刃５２５の外周縁の下端が光デバイスウエーハ２の表面２a（上面）から３０μm下方の位置（切削溝２０１の底面から１５μm下方の位置）に切り込み送りし、上記切削溝形成工程を実施する。この結果、図７の（b）に示すように光デバイスウエーハ２には、表面２a（上面）から３０μmの切削溝２０１が形成される。

上述したように切削溝形成工程を実施したならば、光デバイスウエーハに外力を付与し、破断起点となる切削溝２０１が形成された分割予定ラインに沿って破断する破断工程を実施する。この破断工程は、図８に示すウエーハ破断装置６を用いて実施する。図８に示すウエーハ破断装置６は、基台６１と、該基台６１上に矢印Ｙで示す方向に移動可能に配設された移動テーブル６２を具備している。基台６１は矩形状に形成され、その両側部上面には矢印Ｙで示す方向に２本の案内レール６１１、６１２が互いに平行に配設されている。この２本の案内レール６１１、６１２上に移動テーブル６２が移動可能に配設されている。移動テーブル６２は、移動手段６３によって矢印Ｙで示す方向に移動せしめられる。移動テーブル６２上には、上記環状のフレーム３を保持するフレーム保持手段６４が配設されている。フレーム保持手段６４は、円筒状の本体６４１と、該本体６４１の上端に設けられた環状のフレーム保持部材６４２と、該フレーム保持部材６４２の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ６４３とからなっている。このように構成されたフレーム保持手段６４は、フレーム保持部材６４２上に載置された環状のフレーム３をクランプ６４３によって固定する。また、図８に示すウエーハ破断装置６は、上記フレーム保持手段６４を回動せしめる回動手段６５を具備している。この回動手段６５は、上記移動テーブル６２に配設されたパルスモータ６５１と、該パルスモータ６５１の回転軸に装着されたプーリ６５２と、該プーリ６５２と円筒状の本体６４１に捲回された無端ベルト６５３とからなっている。このように構成された回動手段６５は、パルスモータ６５１を駆動することにより、プーリ６５２および無端ベルト６５３を介してフレーム保持手段６４を回動せしめる。

図８に示すウエーハ破断装置６は、上記環状のフレーム保持部材６４２に保持された環状のフレーム３にダイシングテープ４を介して支持されている光デバイスウエーハ２に分割予定ライン２２と直交する方向に引張力を作用せしめる張力付与手段６６を具備している。張力付与手段６６は、環状のフレーム保持部材６４内に配置されている。この張力付与手段６６は、矢印Y方向と直交する方向に長い長方形の保持面を備えた第１の吸引保持部材６６１と第２の吸引保持部材６６２を備えている。第１の吸引保持部材６６１には複数の吸引孔６６１aが形成されており、第２の吸引保持部材６６２には複数の吸引孔６６２aが形成されている。複数の吸引孔６６１aおよび６６２aは、図示しない吸引手段に連通されている。また、第１の吸引保持部材６６１と第２の吸引保持部材６６２は、図示しない移動手段によって矢印Y方向にそれぞれ移動せしめられるようになっている。

図８に示すウエーハ破断装置６は、上記環状のフレーム保持部材６４２に保持された環状のフレーム３にダイシングテープ４を介して支持されている光デバイスウエーハ２の分割予定ライン２２を検出するための検出手段６７を具備している。検出手段６７は、基台６１に配設されたＬ字状の支持柱６７１に取り付けられている。この検出手段６７は、光学系および撮像素子（ＣＣＤ）等で構成されており、上記張力付与手段６６の上方位置に配置されている。このように構成された検出手段６７は、上記環状のフレーム保持部材６４２に保持された環状のフレーム３にダイシングテープ４を介して支持されている光デバイスウエーハ２の分割予定ライン２２を撮像し、これを電気信号に変換して図示しない制御手段に送る。

上述したウエーハ破断装置６を用いて実施するウエーハ分割工程について、図９を参照して説明する。
上述した切削溝形成工程が実施された光デバイスウエーハ２をダイシングテープ４を介して支持する環状のフレーム３を、図９の（ａ）に示すようにフレーム保持部材６４２上に載置し、クランプ６４３によってフレーム保持部材６４２に固定する。次に、移動手段６３を作動して移動テーブル６２を矢印Ｙで示す方向（図８参照）に移動し、図９の（ａ）に示すように光デバイスウエーハ２に所定方向に形成された１本の分割予定ライン２２(図示の実施形態においては最左端の分割予定ライン)が張力付与手段６６を構成する第１の吸引保持部材６６１の保持面と第２の吸引保持部材６６２の保持面との間に位置付ける。このとき、検出手段６７によって分割予定ライン２２を撮像し、第１の吸引保持部材６６１の保持面と第２の吸引保持部材６６２の保持面との位置合わせを行う。このようにして、１本の分割予定ライン２２が第１の吸引保持部材６６１の保持面と第２の吸引保持部材６６２の保持面との間に位置付けられたならば、図示しない吸引手段を作動し吸引孔６６１aおよび６６２aに負圧を作用せしめることにより、第１の吸引保持部材６６１の保持面と第２の吸引保持部材６６２の保持面上にダイシングテープ４を介して光デバイスウエーハ２を吸引保持する(保持工程)。

上述した保持工程を実施したならば、張力付与手段６６を構成する図示しない移動手段を作動し、第１の吸引保持部材６６１と第２の吸引保持部材６６２を図９の(b)に示すように互いに離反する方向に移動せしめる。この結果、第１の吸引保持部材６６１の保持面と第２の吸引保持部材６６２の保持面との間に位置付けられた分割予定ライン２２には、分割予定ライン２２と直交する方向に引張力が作用し、光デバイスウエーハ２は切削溝２０１が破断の起点となって分割予定ライン２２に沿って破断される（破断工程）。この破断工程を実施することにより、ダイシングテープ４は僅かに伸びる。この破断工程においては、光デバイスウエーハ２は分割予定ライン２２に沿って切削溝２０１が形成され強度が低下せしめられているので、第１の吸引保持部材６６１と第２の吸引保持部材６６２を互いに離反する方向に０．５mm程度移動することにより、光デバイスウエーハ２をサファイア基板２０に形成された切削溝２０１が破断の起点となって分割予定ライン２２に沿って破断することができる。

上述したように光デバイスウエーハ２を所定方向に形成された１本の分割予定ライン２２に沿って破断する破断工程を実施したならば、上述した第１の吸引保持部材６６１および第２の吸引保持部材６６２による光デバイスウエーハ２の吸引保持を解除する。次に、移動手段６３を作動して移動テーブル６２を矢印Ｙで示す方向（図８参照）に分割予定ライン２２の間隔に相当する分だけ移動し、上記破断工程を実施した分割予定ライン２２の隣の分割予定ライン２２が張力付与手段６６を構成する第１の吸引保持部材６６１の保持面と第２の吸引保持部材６６２の保持面との間に位置付ける。そして、上記保持工程および破断工程を実施する。

以上のようにして、所定方向に形成された全ての分割予定ライン２２に対して上記保持工程および破断工程を実施したならば、回動手段６５を作動してフレーム保持手段６４を９０度回動せしめる。この結果、フレーム保持手段６４のフレーム保持部材６４２に保持された光デバイスウエーハ２も９０度回動することになり、所定方向に形成され上記破断工程が実施された分割予定ライン２２と直交する方向に形成された分割予定ライン２２が第１の吸引保持部材６６１の保持面と第２の吸引保持部材６６２の保持面と平行な状態に位置付けられる。次に、上記破断工程が実施された分割予定ライン２２と直交する方向に形成された全ての分割予定ライン２２に対して上述し保持工程および破断工程を実施することにより、光デバイスウエーハ２は分割予定ライン２２に沿って個々のデバイス２３に分割される。

２：光デバイスウエーハ
２０：サファイア基板
２１：光デバイス層としての発光層（エピ層）
３：環状のフレーム
４：ダイシングテープ
５：切削装置
５１：切削装置のチャックテーブル
５２：切削手段
５２３：切削ブレード
６：ウエーハ破断装置
６１：基台
６２：移動テーブル
６３：移動手段
６４：フレーム保持手段
６５：回動手段
６６：張力付与手段
６７：検出手段

Claims (2)

1. サファイア基板を設定された分割予定ラインに沿って分割するサファイア基板の加工方法であって、
   ダイヤモンド砥粒をニッケルメッキで固定した切刃を備えた切削ブレードをサファイア基板の分割予定ラインに位置付け、切削ブレードを回転しつつ切削ブレードとサファイア基板を相対的に加工送りし、サファイア基板に分割予定ラインに沿って破断起点となる切削溝を形成する切削溝形成工程と、
   該切削溝形成工程が実施されたサファイア基板に外力を付与し、切削溝が形成された分割予定ラインに沿って破断する破断工程と、を含み、
   該切削溝形成工程は、切削ブレードの回転速度が２００００〜３５０００rpm、切削ブレードの切り込み深さが５〜１５μm、加工送り速度が５０〜１５０mm／秒に設定されている、
   ことを特徴とするサファイア基板の加工方法。
2. 該切削溝形成工程は、分割予定ラインに沿って複数回実施することにより、切削溝の深さを累積させる、請求項１記載のサファイア基板の加工方法。

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