KR20170066250A - 웨이퍼의 가공 방법 - Google Patents

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KR20170066250A
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cutting
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히로시 모리카즈
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

본 발명의 과제는 기능층을 적층하는 웨이퍼로서 경도가 높은 기판을 채용한 경우라도, 개개로 분리되는 디바이스를 얇게 할 수 있는 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것에 있다.
기판의 상면에 버퍼층을 통해 기능층이 적층되고 분할 예정 라인에 의해 구획되는, 복수의 디바이스를 표면에 구비한 웨이퍼를 분할 예정 라인을 따라 개개의 디바이스로 분할하는 웨이퍼의 가공 방법으로서, 분할 예정 라인을 따라 적어도 기능층을 절단하는 절단 공정과, 웨이퍼의 표면에 보호 부재를 배치하는 보호 부재 배치 공정과, 기판에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 버퍼층에 위치시켜 조사하여 버퍼층을 파괴하는 버퍼층 파괴 공정과, 상기 기판을 기능층으로부터 박리하여 디바이스 별로 분리하는 기판 박리 공정을 포함한다.

Description

웨이퍼의 가공 방법{WAFER PROCESSING METHOD}
본 발명은 표면에 기능층이 형성된 박판형의 웨이퍼를, 개개의 디바이스 별로 분리하는 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것이다.
사파이어 기판, SiC 기판의 상면에, 버퍼층을 통해 n형 반도체층, p형 반도체층으로 이루어지는 기능층(발광층: epi층이라고도 함)이 분할 예정 라인에 의해 구획된, 발광 디바이스가 표면에 형성된 웨이퍼, 또는, 상기 기판의 상면에 버퍼층을 통해 GaN 반도체층으로 이루어지는 기능층이 적층되고 분할 예정 라인에 의해 구획된, 파워 디바이스가 표면에 형성된 웨이퍼는, 레이저 가공 장치 등의 분할 장치에 의해, 분할 예정 라인을 따라 절단되어 개개의 발광 디바이스, 파워 디바이스로 분할되고, 각종 조명 기기, 혹은, 텔레비전 등의 전기 기기에 이용된다.
상기 각 디바이스는, 휴대 전화, 통신 기능을 구비한 손목 시계 등에 이용되는 것이며, 각 장치의 한층 더한 소형화, 경량화를 위해서, 그 두께를 보다 얇게 하는 기술이 요망되고 있다. 웨이퍼로부터 디바이스를 분리하여 제조할 때, 얇게 하는 기술로서는, 선(先)다이싱이라고 칭해지는 기술이 이미 제안되어 있다(예컨대, 특허문헌 1을 참조.).
이 기술은, 분할 예정 라인을 따라, 디바이스의 마무리 두께에 상당하는 깊이의 홈을 먼저 형성하고, 그 후, 웨이퍼의 표면에 보호 부재를 배치해서 웨이퍼의 이면을 연삭하여 상기 홈을 이면으로 노출시켜 웨이퍼를 개개의 디바이스로 분할하는 기술이다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 평성 제11-040520호 공보
상기 특허문헌 1에 기재된 기술은, 웨이퍼의 이면을 연삭함으로써 디바이스를 얇게 하는 기술인데, 경도가 단단한 웨이퍼, 예컨대, 사파이어, SiC 기판을 채용한 경우에는, 웨이퍼의 이면을 연삭하는 것이 곤란하여, 상기 선다이싱의 기술을 채용하여 분리되는 디바이스를 얇게 하는 것이 어렵다고 하는 문제가 있다.
본 발명은 상기 사실을 감안하여 이루어진 것으로, 그 주된 기술 과제는, 기능층을 적층하는 웨이퍼로서 경도가 높은 기판을 채용한 경우라도, 개개로 분리되는 디바이스를 얇게 할 수 있는 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것에 있다.
상기 주된 기술 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 의하면, 기판의 상면에 버퍼층을 통해 기능층이 적층되고 분할 예정 라인에 의해 구획되는, 복수의 디바이스를 표면에 구비한 웨이퍼를 분할 예정 라인을 따라 개개의 디바이스로 분할하는 웨이퍼의 가공 방법으로서, 분할 예정 라인을 따라 적어도 기능층을 절단하는 절단 공정과, 상기 절단 공정을 실시한 후, 웨이퍼의 표면에 보호 부재를 배치하는 보호 부재 배치 공정과, 상기 보호 부재 배치 공정을 실시한 후, 기판에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 버퍼층에 위치시켜 조사하여 버퍼층을 파괴하는 버퍼층 파괴 공정과, 상기 버퍼층 파괴 공정을 실시한 후, 상기 기판을 상기 기능층으로부터 박리하여 디바이스 별로 분리하는 기판 박리 공정을 구비하는 웨이퍼의 가공 방법이 제공된다.
바람직하게는, 상기 보호 부재 배치 공정에 있어서, 상기 웨이퍼를 수용하는 개구부를 갖는 프레임의 상기 개구부에 상기 웨이퍼를 수용하고 점착 테이프로 상기 웨이퍼의 표면과 프레임의 외주를 접착하며, 상기 점착 테이프를 통해 상기 웨이퍼를 프레임에 지지함으로써 상기 웨이퍼의 표면에 보호 부재를 배치하고, 상기 기판 박리 공정 후, 웨이퍼의 가공 방법은, 상기 점착 테이프를 확장시켜 각 디바이스의 간격을 확장시킴으로써 디바이스를 점착 테이프로부터 픽업하는 픽업 공정을 더 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 절단 공정으로서는, 절삭 블레이드에 의한 절단, 레이저 광선에 의한 절단, 플라즈마 에칭에 의한 절단, 웨트 에칭에 의한 절단 중 어느 하나를 포함한다.
본 발명의 웨이퍼의 가공 방법에 의하면, 경도가 높은 기판, 예컨대, 사파이어 기판, SiC 기판을 채용하여 형성한 기능층으로 구성되는 디바이스를 분리할 때에, 각 기판을 연삭하지 않고 기능층으로부터 박리할 수 있고, 그 결과, 매우 얇은 디바이스를 형성하는 것이 가능해진다.
또한, 기능층으로부터 기판을 연삭하지 않고 박리시키기 때문에, 박리한 기판은 기능층을 형성하기 위한 기판으로서 재이용하는 것이 가능하여, 경제적으로도 유리해진다.
도 1은 광디바이스 웨이퍼의 사시도 및 주요부 확대 단면도이다.
도 2는 절삭 공정을 도시한 설명도이다.
도 3은 보호 부재 배치 공정을 도시한 설명도이다.
도 4는 버퍼층 파괴 공정을 도시한 설명도이다.
도 5는 기판 박리 공정을 도시한 설명도이다.
도 6은 픽업 공정을 도시한 설명도이다.
이하, 본 발명 실시형태의 웨이퍼의 가공 방법에 대해, 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도 1의 (a) 및 도 1의 (b)에는, 피가공물로서의 광디바이스 웨이퍼(10)의 사시도 및 주요부 확대 단면도가 도시된다. 광디바이스 웨이퍼(10)는, 대략 원판 형상인 사파이어로 이루어지는 에피택시 기판(11)의 표면에 n형 질화갈륨 반도체층, 및 p형 질화갈륨 반도체층으로 이루어지는 광디바이스층(12)이 에피택셜 성장법에 의해 형성된다.
에피택시 기판(11)의 표면에 에피택셜 성장법에 의해 n형 질화갈륨 반도체층, 및 p형 질화갈륨 반도체층으로 이루어지는 광디바이스층(12)을 적층할 때에, 에피택시 기판(11)의 표면과 광디바이스층(12) 사이에는, 질화갈륨(GaN)으로 이루어지는, 두께가 예컨대 1 ㎛인 버퍼층(13)이 형성된다. 이와 같이 구성된 광디바이스 웨이퍼(10)는, 도시된 실시형태에서는, 광디바이스층(12)의 두께가 예컨대 5 ㎛로 형성된다. 한편, 상기 광디바이스층(12)에는, 도 1의 (a) 및 도 1의 (b)에 도시된 바와 같이, 격자 형상으로 형성되는 복수의 분할 예정 라인(21)에 의해 구획되는 복수의 영역에 디바이스(22)가 형성된다.
이하, 이 광디바이스 웨이퍼(10)를 분할 예정 라인(21)을 따라 개개의 디바이스(22)로 분할하는 웨이퍼의 가공 방법을 보다 구체적으로 설명한다.
(절단 공정)
먼저, 도 2의 (a) 내지 도 2의 (c)에 도시된 바와 같이, 소정의 두께를 갖는 절삭 블레이드에 의해 상기 광디바이스 웨이퍼(10)의 표면측으로부터 분할 예정 라인(21)을 따라, 기능층으로서 형성되어 있는 적어도 광디바이스층(12)의 두께에 상당하는 깊이의 절삭홈(21a)을 형성하여, 광디바이스층(12)을 절단한다.
도 2의 (a)에 도시된 절삭 장치(3)는, 피가공물을 유지하는 척 테이블(31)과, 상기 척 테이블(31)에 유지되는 피가공물을 절삭하는 절삭 수단(32)과, 상기 척 테이블(31)에 유지된 피가공물을 촬상하는 촬상 수단(33)을 구비한다. 척 테이블(31)은, 피가공물을 흡인 유지하도록 구성되고, 도시하지 않은 절삭 이송 수단에 의해 도 2의 (a)에 있어서 화살표(X)로 나타내는 절삭 이송 방향으로 이동되도록 이루어진다.
상기 절삭 수단(32)은, 실질적으로 수평으로 배치되는 스핀들 하우징(321)과, 상기 스핀들 하우징(321)에 회전 가능하게 지지되는 회전 스핀들(322)과, 상기 회전 스핀들(322)의 선단부에 장착되는 환형의 절삭날(323a)을 구비하는 절삭 블레이드(323)를 포함하고, 회전 스핀들(322)이 스핀들 하우징(321) 내에 배치되는 도시하지 않은 서보 모터에 의해 화살표(322a)로 나타내는 방향으로 회전되도록 이루어진다. 상기 촬상 수단(33)은, 현미경이나 CCD 카메라 등의 광학 수단으로 이루지고, 촬상한 화상 신호를 도시하지 않은 제어 수단에 보내서, 광디바이스 웨이퍼(10)에 형성된 분할 예정 라인(21)과, 절삭 블레이드(323)의 위치 맞춤을 행하기 위한 패턴 매칭 등의 화상 처리를 실행하여, 절삭 영역의 얼라인먼트를 수행한다.
이상과 같이 하여 얼라인먼트가 실시되었다면, 광디바이스 웨이퍼(10)를 유지한 척 테이블(31)을 절삭 가공 영역의 절삭 개시 위치로 이동시키고, 절삭 블레이드(323)를 하방으로 절삭 진입 이송하며, 절삭 블레이드(323)를 소정의 회전 속도로 회전시키고, 척 테이블(31)을 화살표(X)로 나타내는 방향으로 소정의 절삭 이송 속도로 이동시키며, X축 방향에 있어서의 절삭 종료 위치까지 이동시킴으로써 절삭홈(21a)이 형성되고(절삭홈 형성 공정), 척 테이블(31)의 이동을 정지시킨다. 그리고, 절삭 블레이드(323)를 상승시키고, 화살표(Y)로 나타내는 방향(인덱싱 이송 방향)으로 척 테이블(31)을 인덱싱 이송하여, 다음으로 절삭해야 할 분할 예정 라인(21)을 절삭 블레이드(323)와 대응하는 위치에 위치시켜, 전술한 절삭홈 형성 공정을 실시한다. 그리고, 전술한 절삭홈 형성 공정을 상기 광디바이스 웨이퍼(10)에 형성된 모든 분할 예정 라인(21)에 대해 실시한다[도 2의 (c)를 참조]. 한편, 상기 실시형태에서는, 광디바이스층(12)에 더하여, 버퍼층(13)도 동시에 절단되도록, 그 절삭 깊이가 설정된다. 이상으로, 절단 공정이 종료된다.
(보호 부재 배치 공정)
전술한 광디바이스 웨이퍼(10)에 대한 절단 공정을 실시했다면, 광디바이스 웨이퍼(10)의 광디바이스층(12)이 형성된 표면측에 보호 부재로서의 점착 테이프(T)를 접착하는 보호 부재 배치 공정을 실시한다. 즉, 도 3에 도시된 바와 같이, 환형의 프레임(F)의 내측 개구부를 덮도록 외주부가 장착된 보호 부재로서의 점착 테이프(T)의 표면에, 전술한 광디바이스 웨이퍼(10)의 표면, 즉 광디바이스층(12)측을 접착하고, 보호 부재 배치 공정이 종료된다. 따라서, 점착 테이프(T) 상에 접착된 광디바이스 웨이퍼(10)는, 이면측, 즉 에피택시 기판(11)측이 상측이 된다.
(버퍼층 파괴 공정)
보호 부재 배치 공정이 종료되었다면, 도 4에 도시된 바와 같은, 레이저 광선 조사 수단(4)을 구비한 레이저 가공 장치를 이용하여 버퍼층 파괴 공정을 실시한다. 한편, 상기 레이저 가공 장치도 주지의 레이저 가공 장치를 이용할 수 있으며, 본 발명의 주요부를 구성하지 않기 때문에, 전체 구조 및 그 상세한 것에 대해서는 그 설명을 생략한다.
도 4에 도시된 버퍼층 파괴 공정을 실시하기 위해서는, 상기 레이저 가공 장치가 구비한 척 테이블(도시 생략) 상에, 상기 보호 부재 배치 공정이 실시된 광디바이스 웨이퍼(10)의 점착 테이프(T)측을 배치한다. 그리고 도시하지 않은 흡인 수단을 작동함으로써, 점착 테이프(T)를 통해, 광디바이스 웨이퍼(10)를 척 테이블 상에 흡인 유지한다(웨이퍼 유지 공정). 한편, 도 4의 (a)에서는 생략하여 도시하고 있으나, 환형의 프레임(F)은, 척 테이블에 배치된 적절한 프레임 유지 부재에 의해 유지된다.
전술한 바와 같이, 웨이퍼 유지 공정이 실시되었다면, 광디바이스 웨이퍼(10)를 흡인 유지한 척 테이블을 레이저 가공 장치의 가공 영역으로 이동시켜, 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이, 레이저 광선 조사 수단(4)의 집광기(41) 바로 아래에 위치시킨다. 그리고, 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이, 도시하지 않은 제어 수단으로부터의 제어 신호에 의해, 레이저 광선 조사 수단(4)을 작동하여, 광디바이스 웨이퍼(10)의 에피택시 기판(11)측으로부터 버퍼층(13)에 대해, 에피택시 기판(11)을 구성하는 사파이어에 대해서는 투과성을 갖고, 버퍼층(13)을 구성하는 질화갈륨(GaN)에 대해서는 흡수성을 갖는 파장의 레이저 광선을 조사하여, 버퍼층(13)을 파괴하는 레이저 광선의 조사를 행한다. 이때, 레이저 광선을 조사하면서, 척 테이블을 화살표(X)로 나타내는 가공 이송 방향, 및 화살표(Y)로 나타내는 인덱싱 이송 방향으로 이동시켜, 집광기(41)로부터 조사되는 펄스 레이저 광선의 스폿이, 광디바이스 웨이퍼(10)의 버퍼층(13)의 전면(全面)에 조사되도록 제어된다(레이저 광선 조사 공정). 이 결과, 광디바이스층(12)과 에피택시 기판(11) 사이에 형성된 버퍼층(13)이 전역에서 파괴되어, 버퍼층(13)에 의한 에피택시 기판(11)과 광디바이스층(12)의 결합 기능이 상실된다.
상기 레이저 광선 조사 공정에서의 가공 조건은, 예컨대 다음과 같이 설정되어 있다.
광원 : DPSS 레이저(다이오드 여기 고체 레이저)
파장 : 266 nm
반복 주파수 : 50 ㎑
출력 : 0.2 W
스폿 직경 : φ50 ㎛
펄스 폭 : 10 ㎰
이송 속도 : 1000 ㎜/s
(기판 박리 공정)
전술한 버퍼층 파괴 공정이 실시되었다면, 다음으로 광디바이스 웨이퍼(10)의 에피택시 기판(11)을 박리하는 기판 박리 공정을 실시한다(도 5를 참조). 먼저, 버퍼층 파괴 공정이 종료되었다면, 상기 광디바이스 웨이퍼(10)가 배치된 척 테이블을 박리 기구(5)가 배치된 박리 위치로 이동시키고, 상기 척 테이블에 유지되어 있는 광디바이스 웨이퍼(10)를 지지 수단(52)에 지지된 흡착 수단(51) 바로 아래에 위치시키며 상기 흡착 수단(51)을 하강시킨다. 그리고, 에피택시 기판(11)에 흡인 통로(511)를 통해 지지되는 흡인 패드(512a∼512c)를 접촉시킨다. 흡인 패드(512a∼512c)가 에피택시 기판(11)의 이면에 접촉했다면, 도시하지 않은 흡인 수단을 작동시켜 상기 지지 수단(52), 및 흡인 통로(511)를 통해 부압을 작용시켜 상기 흡인 패드(512a∼512c)에 의해 에피택시 기판(11)의 이면을 흡착한다. 에피택시 기판(11)을 상기 흡인 패드(512a∼512c)에 의해 흡착했다면, 도 5에 도시되어 있는 바와 같이 상기 에피택시 기판(11)을 흡착한 흡인 패드(512a∼512c)를 광디바이스층(12)으로부터 이격하는 방향, 즉 상방으로 이동시켜 에피택시 기판(11)을 광디바이스층(12)으로부터 박리하고 기판 박리 공정이 종료된다. 이 기판 박리 공정이 종료되었다면, 도시하지 않은 에피택시 기판 수용 용기에, 박리한 에피택시 기판(11)을 수용하고, 척 테이블 상에 배치된 점착 테이프(T) 상에는, 에피택시 기판(11)에 적층되어 있던 복수의 디바이스(22)가 개개로 분리되어 유지된 상태가 된다. 한편, 상기 버퍼층 파괴 공정이 실시되고, 상기 기판 박리 공정이 실시되기까지의 사이에 광디바이스 웨이퍼(10)의 버퍼층(13)에 대한 가열, 냉각 공정을 끼워 넣음으로써, 보다 기판 박리 공정을 확실하게 실시할 수 있다.
(픽업 공정)
상기 기판 박리 공정이 종료되면, 상기 디바이스(22)를 점착 테이프(T)로부터 픽업하는 픽업 공정을 실시한다. 상기 픽업 공정은, 도 6에 그 일부를 도시한 픽업 장치(6)에 의해 실시되는 것이며, 상기 픽업 장치(6)는, 프레임 유지 부재(61)와, 그 상면부에 환형의 프레임(F)을 배치하여 상기 환형의 프레임(F)을 유지하는 클램프(62)와, 상기 클램프(62)에 의해 유지된 환형의 프레임(F)에 장착되는 점착 테이프(T)와 함께 상면에 유지된 개개의 디바이스(22)를 확장시키기 위한 적어도 상방이 개구된 원통 형상으로 이루어지는 확장 드럼(63)을 구비한다. 프레임 유지 부재(61)는, 확장 드럼(63)을 둘러싸도록 설치되는 복수의 에어 실린더(623a)와, 에어 실린더(623a)로부터 연장되는 피스톤 로드(623b)로 구성되는 지지 수단(623)에 의해 승강 가능하게 지지된다.
상기 확장 드럼(63)은, 환형의 프레임(F)의 내부 직경보다 작고, 환형의 프레임(F)에 장착된 점착 테이프(T)에 접착되는 광디바이스 웨이퍼(10)의 외부 직경보다 크게 설정된다. 여기서, 도 6에 도시된 바와 같이, 분리 장치(6)는, 프레임 유지 부재(61)와, 확장 드럼(63)의 상면부가 대략 동일한 높이가 되는 위치(점선으로 나타냄)와, 지지 수단(623)의 작용에 의해 프레임 유지 부재(61)가 하강되어, 확장 드럼(63)의 상단부가, 프레임 유지 부재(61)의 상단부보다 높아지는 위치(실선으로 나타냄)로 할 수 있다.
상기 프레임 유지 부재(61)를 하강시켜, 확장 드럼(63)의 상단을, 점선으로 나타낸 위치로부터, 실선으로 나타낸 프레임 유지 부재(61)보다 높은 위치가 되도록 상대적으로 변화시키면, 환형의 프레임(F)에 장착된 점착 테이프(T)는 확장 드럼(63)의 상단 가장자리에 접하여 확장된다. 이 결과, 점착 테이프(T)에 접착되어 있는 광디바이스 웨이퍼(10)에는 방사상으로 인장력이 작용하기 때문에, 이미 분할되어 있는 개개의 디바이스(22) 사이의 간격이 넓어진다. 그리고, 개개의 디바이스(22) 사이의 간격이 넓어진 상태에서, 픽업 콜릿(64)을 작동시켜 이미 분할되어 있는 디바이스(22)를 흡착하고, 점착 테이프(T)로부터 박리해서 픽업하여, 도시하지 않은 수용 트레이로 반송한다. 이상에 의해, 픽업 공정이 종료되고, 본 발명에 의한 웨이퍼의 가공 방법이 완료된다. 한편, 상기 설명에서는, 절단 공정에 있어서, 광디바이스층(12)에 더하여 버퍼층(13)도 동시에 절단하도록 하였으나, 반드시 이것에 한정되지 않는다. 절단 공정에서는, 적어도 광디바이스층(12)이 절단되도록 절삭 깊이가 설정되어 있으면 되고, 버퍼층(13)이 절단 공정에서 완전히 절단되지 않고 잔존하는 경우에는, 이 픽업 공정에서 점착 테이프(T)가 확장될 때에 완전히 분리된다.
본 발명에 의한 웨이퍼의 가공 방법은, 상기 실시형태에 기재한 구체적인 구성에 한정되지 않는다. 상기 실시형태에서는, 사파이어에 의해 형성되는 에피택시기판에 기능층(광디바이스)을 형성한 웨이퍼를 가공하는 예에 따라 설명하였으나, 예컨대, SiC 기판에 기능층(파워 디바이스)을 형성한 반도체 웨이퍼를 가공하는 경우에도 본 발명을 적용하는 것이 가능하다. 또한, 상기 설명에서는, 경도가 높은 기판에 대해 가공하는 경우에 본 발명이 유효하다는 취지를 설명하였으나, 반드시 경도가 높은 기판에 대해 가공하는 경우에 한정되는 것은 아니며, 경도가 낮은 기판에 대해 본 발명을 적용해도, 종래 기술에 비해, 두께가 얇은 디바이스를 용이하게 제조하는 것이 가능해지고, 상기한 실시형태와 동일한 작용 효과를 나타낼 수 있다.
또한, 상기 실시형태에서는, 절단 공정을 실시하는 구체적인 수단으로서, 절삭 블레이드를 이용하여 분할 예정 라인을 따라 절삭홈을 형성하도록 설명하였으나, 이것에 한정되지 않는다. 절삭홈을 형성하는 수단으로서는, 레이저 광선을 이용하여 절단하는 것, 플라즈마 에칭을 이용하여 절단하는 것, 웨트 에칭을 이용하여 절단하는 것 등, 어느 쪽의 절단 수단도 선택할 수 있다.
또한, 상기 실시형태에서는, 보호 부재 배치 공정에 있어서, 웨이퍼를 수용하는 개구부를 갖는 프레임의 개구부에 웨이퍼를 수용하고 점착 테이프로 웨이퍼의 표면과 프레임의 외주를 접착하며, 점착 테이프를 통해 웨이퍼를 프레임에 지지함으로써 웨이퍼의 표면에 보호 부재를 배치하는 것으로 하였으나, 이것에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 단순히 웨이퍼와 동일 형상을 이루는 보호 부재로서의 테이프를 웨이퍼의 표면에 접착하는 것, 혹은 수지 등을 웨이퍼의 표면에 코팅함으로써 보호 부재를 배치하는 것으로 해도 좋다.
상기한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 버퍼층을 통해 기능층을 형성한 기판측을 버퍼층 파괴 공정, 기판 박리 공정을 실시함으로써 거의 완전히 제거하는 것이 가능하기 때문에, 선다이싱에 의해 형성되는 디바이스에 비해, 기능층에 의해서만 형성되는 매우 얇은 디바이스를 얻을 수 있고, 휴대 전화, 통신 기능을 구비한 손목 시계 등에 이용됨으로써, 각 장치의 한층 더한 소형화, 경량화에 기여하는 것이 가능해진다. 또한, 기능층으로부터 기판을 연삭하지 않고 박리시키기 때문에, 박리한 기판은 기능층을 형성하기 위한 기판으로서 재이용하는 것이 가능하여, 경제적으로도 유리해진다.
3: 절삭 장치 31: 척 테이블
32: 절삭 수단 33: 촬상 수단
4: 레이저 광선 조사 수단 41: 집광기
5: 박리 기구 51: 흡착 수단
52: 지지 수단 6: 분리 장치
61: 프레임 유지 부재 62: 클램프
63: 확장 드럼 64: 픽업 콜릿
10: 광디바이스 웨이퍼 11: 에피택시 기판
12: 광디바이스층 13: 버퍼층
21: 분할 예정 라인 22: 디바이스

Claims (3)

  1. 기판의 상면에 버퍼층을 통해 기능층이 적층되고 분할 예정 라인에 의해 구획되는, 복수의 디바이스를 표면에 구비한 웨이퍼를 분할 예정 라인을 따라 개개의 디바이스로 분할하는 웨이퍼의 가공 방법으로서,
    분할 예정 라인을 따라 적어도 기능층을 절단하는 절단 공정과,
    상기 절단 공정을 실시한 후, 웨이퍼의 표면에 보호 부재를 배치하는 보호 부재 배치 공정과,
    상기 보호 부재 배치 공정을 실시한 후, 기판에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 버퍼층에 위치시켜 조사하여 버퍼층을 파괴하는 버퍼층 파괴 공정과,
    상기 버퍼층 파괴 공정을 실시한 후, 상기 기판을 상기 기능층으로부터 박리하여 디바이스 별로 분리하는 기판 박리 공정
    을 구비하는 것인, 웨이퍼의 가공 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 보호 부재 배치 공정에 있어서, 상기 웨이퍼를 수용하는 개구부를 갖는 환형 프레임의 상기 개구부에 상기 웨이퍼를 수용하고 점착 테이프로 상기 웨이퍼의 표면과 프레임의 외주를 접착하며, 상기 점착 테이프를 통해 상기 웨이퍼를 프레임에 지지함으로써 상기 웨이퍼의 표면에 보호 부재를 배치하고,
    상기 기판 박리 공정 후, 상기 점착 테이프를 확장시켜 각 디바이스의 간격을 확장시킴으로써 디바이스를 점착 테이프로부터 픽업하는 픽업 공정을 더 구비하는 것인, 웨이퍼의 가공 방법.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 절단 공정은, 절삭 블레이드에 의한 절단, 레이저 광선에 의한 절단, 플라즈마 에칭에 의한 절단, 웨트 에칭에 의한 절단 중 어느 하나를 포함하는 것인, 웨이퍼의 가공 방법.
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