JP6307907B2 - 発光素子の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、発光素子の製造方法に関する。

従来から、発光ダイオード（ＬＥＤ）やレーザーダイオード（ＬＤ）等の半導体発光素子（以下、発光素子と記す）を配線基板に実装する方法として、発光素子を電極が設けられた面を、光の主な出射面として上に向けて載置し、この電極と配線基板表面の配線とを導電性のワイヤ等で電気的に接続するフェイスアップ実装や、バンプ等の接合手段が設けられた電極を下に向けて配線基板表面の配線と接合して搭載するフリップチップ実装（フェイスダウン実装）等が知られている。

一般的に発光素子は、基板上に、ｎ型半導体層、活性層、およびｐ型半導体層が順に積層されてなり、ｎ型、ｐ型の半導体層のそれぞれに接続した電極を同一面側に有する必要がある。そのために、発光素子は、上層のｐ型半導体層および活性層を除去して一部の領域に露出させたｎ型半導体層の上に、ｎ側電極を設けた構造を有する。その結果、ｎ側電極とｐ側電極のそれぞれの接続面には、少なくとも活性層とｐ型半導体層の厚さ分の段差を生じることになる。特に、発光素子をフリップチップ実装する場合は、配線基板に対して水平に実装することが困難となる。そこで、フリップチップ実装を容易にするための構造として、例えば特許文献１〜３には、電極形成面における電極やバンプが設けられていない領域を、樹脂等の絶縁材料（絶縁部材）で埋めた後に表面を研削する等して、実装面（接合面）を平坦化した発光素子が開示されている。

特開２００３−７９２９号公報 特開２０１１−２０４８４０号公報 特開２０１２−２３３２８号公報

しかしながら、前記従来技術のような絶縁部材で厚膜化された発光素子は、ウェハをダイシングにてチップに分割する（個片化）する際に、厚みのない（薄い）ブレードでは切断することが困難なために、ウェハにおいて、ブレードの厚みに対応して半導体構造（有効領域）のない「しろ」であるストリートを幅広に設ける必要がある。そのため、ウェハ１枚から取得できる発光素子の個数が制限され、生産性向上に限界がある。また、一般的に、樹脂材料はレーザで加工することができないため、絶縁部材が積層されたウェハは、ストリートの幅の狭いレーザによるダイシングを適用することができず、スクライブによる割断（ブレーク）も困難である。さらに、分割時の物理的衝撃で、サファイア基板や窒化物半導体のような無機物と、樹脂等の絶縁部材とが剥離する虞がある。

本発明は前記問題点に鑑みてなされたものであり、フリップチップ実装に好適な発光素子の、生産性に優れた製造方法を提供することが課題である。

すなわち本発明に係る発光素子の製造方法は、第１半導体層と前記第１半導体層上の一部の領域に積層した第２半導体層とを有する半導体構造体と、前記第１半導体層および前記第２半導体層のそれぞれに接続した電極とを備えた発光素子を、区画線に沿って分割することにより個片化して製造する方法である。そして、発光素子の製造方法は、前記半導体構造体を形成する半導体形成工程と、前記半導体構造体の前記第１半導体層および前記第２半導体層のそれぞれの上に前記電極を形成する電極形成工程と、前記電極を形成した前記半導体構造体を、前記電極における外部との電気的接続のための接続領域と前記区画線に沿った所定の幅の区画領域を含む領域とを除いて被覆する絶縁部材を形成する絶縁部材形成工程と、前記絶縁部材で被覆された半導体構造体を前記区画線に沿って分割することにより個片化して、前記区画領域が除去された発光素子にする個片化工程と、を行うことを特徴とする。

本発明に係る発光素子の製造方法によれば、実装面が平坦でフリップチップ実装に好適な発光素子を、ストリート幅を狭くしてウェハ１枚あたりに数多く配列することができるので、生産性を高くすることができる。

本発明の第１実施形態に係る発光素子の製造方法にて製造される発光素子の構成を説明する模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図である。 本発明に係る発光素子の製造方法における半導体形成工程と、電極形成工程と、バンプ形成工程と、を説明するフローチャートである。 本発明の第１実施形態に係る発光素子の製造方法における絶縁部材形成工程と、接合層形成工程と、を説明するフローチャートである。 本発明の第１実施形態に係る発光素子の製造方法における個片化工程と、波長変換部材形成工程と、を説明するフローチャートである。 本発明に係る発光素子の製造方法を説明する模式図であり、（ａ）〜（ｄ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図に相当する。 本発明に係る発光素子の製造方法を説明する模式図であり、（ａ）〜（ｃ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図に相当する。 本発明に係る発光素子の製造方法を説明する模式図であり、（ａ）〜（ｃ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図に相当する。 本発明に係る発光素子の製造方法を説明するためのウェハの模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線矢視断面図である。 本発明に係る発光素子の製造方法を説明する模式図であり、（ａ）、（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図に相当する。 本発明の第１実施形態の変形例に係る発光素子の製造方法にて製造される発光素子の構成を説明する模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線矢視断面図である。 本発明に係る発光素子の製造方法における個片化工程を説明する模式図であり、（ａ）は図１０（ａ）のＣ−Ｃ線矢視断面図に相当し、（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図に相当する。 本発明に係る発光素子の製造方法における波長変換部材形成工程を説明する模式図であり、（ａ）〜（ｃ）は図１０（ａ）のＣ−Ｃ線矢視断面図に相当する。 本発明の第１実施形態の変形例に係る発光素子の製造方法にて製造される発光素子の構成を説明する模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｅ，Ｆ−Ｇ−Ｈ線矢視断面図である。 本発明の第２実施形態に係る発光素子の製造方法にて製造される発光素子の構成を説明する模式図であり、図１（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図に相当する。 本発明の第２実施形態に係る発光素子の製造方法における絶縁部材形成工程と、接合層形成工程と、を説明するフローチャートである。 本発明の第２実施形態に係る発光素子の製造方法における個片化工程を説明するフローチャートである。 本発明の第２実施形態に係る発光素子の製造方法を説明する模式図であり、（ａ）〜（ｅ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図に相当する。 本発明の第３実施形態に係る発光素子の製造方法における絶縁部材形成工程と、接合層形成工程と、を説明するフローチャートである。 本発明の第３実施形態に係る発光素子の製造方法を説明する模式図であり、（ａ）、（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図に相当する。 本発明の第３実施形態の変形例に係る発光素子の製造方法における絶縁部材形成工程と、接合層形成工程と、を説明するフローチャートである。 本発明の第４実施形態に係る発光素子の製造方法にて製造される発光素子の構成を説明する模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図である。 本発明の第４実施形態に係る発光素子の製造方法の処理の流れを示すフローチャートである。 本発明の第４実施形態に係る発光素子の製造方法を説明する模式図であり、（ａ）〜（ｄ）は図２１（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図に相当する。 本発明の第４実施形態に係る発光素子の製造方法を説明する模式図であり、（ａ）〜（ｄ）は図２１（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図に相当する。 本発明の第４実施形態に係る発光素子の製造方法を説明する模式図であり、（ａ）〜（ｄ）は図２１（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図に相当する。 本発明の第４実施形態に係る発光素子の製造方法を説明する模式図であり、（ａ）〜（ｃ）は図２１（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図に相当する。 本発明の第５実施形態に係る発光素子の製造方法にて製造される発光素子の構成を説明する模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図である。 本発明の第５実施形態に係る発光素子の製造方法の処理の流れを示すフローチャートである。 本発明の第５実施形態に係る発光素子の製造方法を説明する模式図であり、（ａ）〜（ｄ）は図２８（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図に相当する。 本発明の第５実施形態に係る発光素子の製造方法を説明する模式図であり、（ａ）〜（ｄ）は図２８（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図に相当する。 本発明の第５実施形態に係る発光素子の製造方法を説明する模式図であり、（ａ）〜（ｄ）は図２８（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図に相当する。 本発明の第６実施形態に係る発光素子の製造方法にて製造される発光素子の構成を説明する模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図である。 本発明の第６実施形態に係る発光素子の製造方法の処理の流れを示すフローチャートである。 本発明の第６実施形態に係る発光素子の製造方法を説明する模式図であり、（ａ）〜（ｄ）は図３２（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図に相当する。 本発明の第６実施形態に係る発光素子の製造方法を説明する模式図であり、（ａ）〜（ｄ）は図３２（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図に相当する。 本発明の第６実施形態に係る発光素子の製造方法を説明する模式図であり、（ａ）、（ｂ）は図３２（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図に相当する。 本発明の第７実施形態に係る発光素子の製造方法にて製造される発光素子の構成を説明する模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図である。 本発明の第７実施形態に係る発光素子の製造方法の処理の流れを示すフローチャートである。 本発明の第７実施形態に係る発光素子の製造方法を説明する模式図であり、（ａ）〜（ｄ）は図３７（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図に相当する。 本発明の第７実施形態に係る発光素子の製造方法を説明する模式図であり、（ａ）〜（ｄ）は図３７（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図に相当する。 本発明の第７実施形態に係る発光素子の製造方法を説明する模式図であり、（ａ）〜（ｄ）は図３７（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図に相当する。 本発明の第７実施形態に係る発光素子の製造方法を説明する模式図であり、図３７（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図に相当する。

本発明に係る発光素子の製造方法について、図面を参照して説明する。まず、本発明の第１実施形態に係る発光素子の製造方法について、製造される発光素子を、図１を参照して説明する。なお、本明細書における発光素子の上下は、製造時における積層方向（下から上に積層される）であり、または、図面を参照して説明する際には、別途記載ない限り、その図面における上下とする。また、図面は、それぞれ要部を詳細に表すために寸法は一致しない。

〔第１実施形態：発光素子〕
発光素子１０は、電圧を印加することで自ら発光する半導体素子（半導体発光素子）であり、例えば窒化物半導体等から構成される発光ダイオード（ＬＥＤ）を適用できる。図１に示すように、本実施形態において、発光素子１０は、平面視形状が一辺（長辺）の長さ（以下、チップ長）Ｌ０の長方形である。発光素子１０は、透光性の基板２上に半導体構造体１が形成され、その上に、保護膜４、そしてｎ側の電極としてｎ側パッド電極５１が、ｐ側の電極として全面電極３１、カバー電極３２およびｐ側パッド電極５２がそれぞれ設けられ、さらにその上にバンプ７１，７２およびこれらの間を埋める絶縁部材６が設けられて、上面が平坦に形成されている。さらに発光素子１０は、バンプ７１，７２のそれぞれの上に、実装のための導電性の接合部材として、接合層９１，９２を備える。なお、図１（ａ）において、保護膜４は省略し、絶縁部材６および接合層９１，９２は破線で輪郭線のみを示す。さらに図１（ｂ）において、絶縁部材６は透明として輪郭線のみを示す。これらは、後記の変形例および第２実施形態においても、別途記載ない限り同様とする。発光素子１０は、上面を配線基板への実装面とし、基板２の側すなわち下面を光の主な出射面とするフリップチップ実装対応の発光素子である。以下、発光素子１０の要素について詳細に説明する。

（基板）
基板２は、半導体構造体１（活性層１２）が発光した光を透過し、後記するように窒化物半導体をエピタキシャル成長させることができる基板材料であればよく、大きさや厚さ等は特に限定されない。このような基板材料としては、Ｃ面、Ｒ面、Ａ面のいずれかを主面とするサファイア、（１１１）面を主面とするスピネル（ＭｇＡ１₂Ｏ₄）のような絶縁性基板、また炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ＺｎＳ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ダイヤモンド、および窒化物半導体と格子接合するニオブ酸リチウム、ガリウム酸ネオジム等の酸化物基板が挙げられる。また、窒化物半導体の成長時等の、発光素子１０の製造段階においては、多数の発光素子１０が１枚の基板２（ウェハ）に形成されるので、基板２は基台としてある程度の強度を要し、十分な厚さとする必要がある。一方、発光素子１０を構成する半導体構造体１やバンプ７１，７２等が形成された後は、分割し易いように、裏面から基板２を研削（バックグラインド）する等して薄肉化されることが好ましい。

（半導体構造体）
半導体構造体１は、ｎ型半導体層（第１半導体層）１１、活性層１２、ｐ型半導体層（第２半導体層）１３を順次、エピタキシャル成長させて積層してなり、これらの各層としては、特に限定されるものではないが、例えばＩｎ_XＡｌ_YＧａ_1-X-YＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ＜１）等の窒化ガリウム系化合物半導体が好適に用いられる。ｎ型半導体層１１、活性層１２、およびｐ型半導体層１３は、それぞれ単層構造でもよいが、組成および膜厚の異なる層の積層構造、超格子構造等であってもよい。特に発光層である活性層１２は、量子効果が生ずる薄膜を積層した単一量子井戸または多重量子井戸構造であることが好ましく、さらに井戸層がＩｎを含む窒化物半導体であることが好ましい。また、基板２上に、任意に基板２との格子定数の不整合を緩和させるためのバッファ層等の下地層（図示せず）を介してｎ型半導体層１１を形成してもよい。

発光素子１０は、上側にｎ型半導体層１１とｐ型半導体層１３のそれぞれに接続する電極が形成されるため、半導体構造体１は、平面視における一部の領域には活性層１２およびｐ型半導体層１３が積層されずにｎ型半導体層１１のみとして、その上にｎ側パッド電極５１を接続できるようにする。このような半導体構造体１は、基板２上にｎ型半導体層１１、活性層１２、ｐ型半導体層１３を順次、成長させて積層した後、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、ｎ側パッド電極５１が形成される領域（ｎ側コンタクト領域）においてｎ型半導体層１１が露出するようにｐ型半導体層１３および活性層１２を除去して形成される。さらに半導体構造体１は、平面視における周縁部でも、ｎ側コンタクト領域と同様にｐ型半導体層１３および活性層１２が除去されていることが好ましい。すなわち発光素子１０は、側面（端面）の４面に段差が形成されている。半導体構造体１は、このような形状とすることで、発光素子１０の製造において、当該発光素子１０が面方向に連結した状態（ウェハ２０、図８参照）で、個片化（スクライブまたはダイシング）を容易にするための溝が形成される。なお、図１（ａ）において、平面視形状が重複して積層している、基板２とｎ型半導体層１１、活性層１２とｐ型半導体層１３については、それぞれ上から「１１／２」、「１３／１２」と表す。

（電極）
ｐ型半導体層１３は、上に、全面電極３１、カバー電極３２、ｐ側パッド電極５２が順に積層されて、ｐ側のバンプ７２へ電気的に接続する。全面電極３１は、ｐ型半導体層１３に電流を面内均一に拡散するための電極であり、またフリップチップ実装をする発光素子１０において、活性層１２で発光した光を光取出し面である基板２の側へ反射するための反射層としても機能する。カバー電極３２は、全面電極３１と同様にｐ型半導体層１３の全面に電流を拡散するとともに、全面電極３１の上面および側面を被覆して、全面電極３１をｐ側パッド電極５２に接触しないように遮蔽し、全面電極３１の材料、特にＡｇのマイグレーションを防止するためのバリア層として機能する。したがって、全面電極３１は、ｐ型半導体層１３の上面におけるできるだけ多くの、より全面に近い領域に形成されるが、その端面を被覆するカバー電極３２が設けられるように、平面視でカバー電極３２よりも一回り小さく形成される。ｎ側パッド電極５１およびｐ側パッド電極５２は、発光素子１０の外部から電流を供給する端子であり、バンプ７１，７２を電解めっきにて形成する際のシード電極でもある。

全面電極３１は、ｐ型半導体層１３と電気的に良好に接続できるオーミック電極であることが好ましく、また、少なくとも活性層１２で発光する光の波長に対して、良好な反射率を有することが好ましい。したがって、全面電極３１は、光の反射率の高いＡｇやその合金からなる膜の単層膜、あるいは前記Ａｇ等の膜を最下層とするＮｉ，Ｔｉ等との多層膜を好適に用いることができる。より好ましくは、Ａｇを最下層（ｐ型半導体層１３側）とするＡｇ／Ｎｉ／Ｔｉ／Ｐｔ、Ａｇ／Ｎｉ／Ｔｉ／Ｒｕ、Ａｇ／Ｎｉ／Ｒｕ等の多層膜を用いることができ、この多層膜の膜厚は、例えば、それぞれ１０００ｎｍ程度とすることができる。全面電極３１は、これらの材料を、例えば、スパッタリングや蒸着により、順次積層して形成することができる。

カバー電極３２は、例えば、Ｔｉ，Ａｕ，Ｗ，Ａｌ，Ｃｕ等の金属、またはこれらの金属の合金の単層膜、あるいはこれらの金属または合金の多層膜を用いることができる。特に、Ｔｉを最下層（全面電極３１側）とするＴｉ（最下層）／Ａｕ／Ｗ／Ｔｉの多層膜を用いることが好ましい。

ｐ側パッド電極５２がカバー電極３２および全面電極３１を介してｐ型半導体層１３に電気的に接続するのに対して、ｎ側パッド電極５１はｎ型半導体層１１に直接に接続（接触）する。パッド電極５１，５２は、一般的な半導体素子と同様に、Ａｕ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｐｔ等の金属やこれらの合金のような金属電極材料の単層、または多層膜を用いることができる。パッド電極５１，５２は、例えば、Ｃｕ単層またはＣｕ／Ｎｉ積層膜を下層とし、ＡｕまたはＡｕＳｎ合金を上層とする多層膜とすることができる。また、ｎ側パッド電極５１は、ｎ型半導体層１１との良好な電気的コンタクトを得るために、最下層にＴｉ，Ａｌ、またはＡｌＣｕＳｉ合金、ＡｌＣｕ合金等が適用されることが好ましく、具体的には、下から、Ｔｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ、Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕ、Ａｌ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、ＡｌＣｕＳｉ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ等の多層膜が挙げられる。

（保護膜）
保護膜４は、半導体構造体１の露出した表面（上面および端面）や、電極における外部との接続領域を除く表面を被覆する。本実施形態で製造される発光素子１０においては、保護膜４は、半導体構造体１の表面およびカバー電極３２の上面において、パッド電極５１，５２の形成されていない領域に形成される。したがって、図１（ａ）において、保護膜４（図示省略）は、開口部がパッド電極５１，５２の輪郭線と一致する。これは、後記製造方法にて説明するように、パッド電極５１，５２が、保護膜４の形成後に同じマスクを用いて形成されることによる。保護膜４は、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｍｇ等の酸化物（ＳｉＯ₂，ＴｉＯ₂，Ｔａ₂Ｏ₅，Ｎｂ₂Ｏ₅，ＺｒＯ₂，ＭｇＯ）、Ｓｉ窒化物（例えばＳｉ₃Ｎ₄）、ＡｌＮ等の窒化物、あるいはフッ化マグネシウム（ＭｇＦ₂）等が適用できる。これらの材料は、発光素子１０の製造時に蒸着法、スパッタ法等の公知の方法によって成膜することができる。

（絶縁部材）
絶縁部材６は、パッド電極５１，５２の高さ位置の差を埋めて、パッド電極５１，５２を下地とするバンプ７１，７２の上面を含めて、発光素子１０の上面を平坦にするために設けられ、さらに発光素子１０のチップ強度を補填する効果も有する。ただし、絶縁部材６は、図１（ａ）に破線で示すように、発光素子１０において、平面視で周縁が当該発光素子１０（基板２およびｎ型半導体層１１）よりも内側になるように形成される。一方で、本実施形態においては、絶縁部材６は、半導体構造体１のｐ型半導体層１３および活性層１２の周縁よりも外側まで設けられ、このような形状により、活性層１２から側方へ出射した光を反射して下方（基板２側）へ多く出射させる。

絶縁部材６は、半導体構造体１（活性層１２）の発光した光や外光の透過し難い光透過率の低い材料で形成されることが好ましい。また、詳しくは後記製造方法にて説明するが、絶縁部材６は、製造時において、半導体構造体１上の、先に形成されたバンプ７１，７２間の隙間等に充填されるように形成されるために、液状の材料を固化させて形成することができ、固化させた後に、金属材料からなるバンプ７１，７２と共に研削されるためにある程度の強度（硬さ）を有する材料を適用する。さらに絶縁部材６は、リフトオフ法にて成形されるために、レジストマスクの除去の際、また後続の接合層９１，９２の形成におけるレジストマスクの形成（現像）と除去の際の、耐薬品性を有する材料を適用する。このような材料として熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂が挙げられ、具体的には、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ＢＴレジン、ＰＰＡ、シリコーン樹脂等が挙げられる。また、絶縁部材６は、半導体構造体１の側面（端面）から出射した光を反射させるために、反射率の高い白色であることが好ましい。さらに絶縁部材６は、反射率をいっそう高くするために、前記樹脂材料に、半導体構造体１が発光した光を吸収し難く、かつ母材である当該樹脂に対して屈折率差のある反射材料（例えばＴｉＯ₂，ＳｉＯ₂，Ａｌ₂Ｏ₃，ＺｒＯ₂，ＭｇＯ等）の粉末を、予め分散させて形成してもよい。

（バンプ）
バンプ７１，７２は、発光素子１０において互いに高さ位置の異なるパッド電極５１，５２を、実装基板（図示せず）の同一平面上の配線（リード電極）に電気的に接続するために、それぞれ下面でパッド電極５１，５２に接続して、発光素子１０の実装面である上面で面一に形成される。したがって、ｎ側のバンプ７１の方がｐ側のバンプ７２よりも厚みがある。なお、本発明に係る発光素子の製造方法による発光素子において、バンプ７１，７２は、側面（周面）全体を絶縁部材６で被覆されているので、狭義のバンプのように、フリップチップ実装の際にそれ自体がリード電極に押圧接触されて圧着するものではない。したがって、後記するように、発光素子１０は、バンプ７１，７２上にリード電極と接合させるための接合層９１，９２を備える。

バンプ７１，７２は、十分な厚さに生産性よく形成されるように、めっき膜であることが好ましく、パッド電極５１，５２をシード電極とした電解めっきで成膜可能な金属電極材料が適用される。具体的には、バンプ７１，７２として、Ｃｕ，Ａｕ，ＡｕＳｎ等の単層膜や、Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｃｕ／Ｎｉ／ＡｕＳｎ等の多層膜が挙げられる。

（接合層）
接合層９１，９２は、絶縁部材６の上面に形成され、それぞれバンプ７１，７２を介して、パッド電極５１，５２に電気的に接続して設けられている。接合層９１，９２は、バンプ７１，７２を実装基板（図示せず）の配線（リード電極）に電気的に接続しつつ接着するための導電性の接合部材である。接合層９１，９２は、絶縁部材６の平坦化された上面に形成されるので、リード電極との接合に必要かつ互いに同じ厚さに形成されればよく、Ａｕ−Ｓｎ，Ｓｎ−Ｃｕ，Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ等の共晶合金を適用することができ、あるいはボール（半球）状のＡｕバンプ等のいわゆる狭義のバンプとしてもよい。

〔第１実施形態：発光素子の製造方法〕
本発明の第１実施形態に係る発光素子の製造方法を、図２〜９を参照して説明する。なお、製造過程における模式図である図５〜９は、ウェハにおける発光素子（チップ）の１個とこれに連結したチップの一部を示す。また、図５〜９においては、発光素子を構成する各要素について、加工前の状態のものにも同じ符号を付す。

発光素子１０は、図２に示すように、基板２上に半導体構造体１を形成する半導体形成工程Ｓ１０、全面電極３１、カバー電極３２およびパッド電極５１，５２を形成する電極形成工程Ｓ２０、バンプ７１，７２を形成するバンプ形成工程Ｓ３０を行ってウェハが製造される。そして、図３，４に示すように、このウェハ上に絶縁部材６を形成する絶縁部材形成工程Ｓ４０、接合層９１，９２を形成する接合層形成工程（電極接合層形成工程）Ｓ５０、ウェハを分割する個片化工程Ｓ６０を行って、発光素子１０（チップ）が製造される。

このように、発光素子１０は、最後にウェハを分割してチップとなる。ここで、図８に、分割前の連結した状態の発光素子１０（ウェハ２０と表す）の一部を示す。図８に示すように、ウェハ２０はマトリクス状に連結した発光素子１０であり、隣り合うチップ（発光素子１０，１０）間の境界の中心線を区画線と称し、一点鎖線で表す。ウェハ２０はこの区画線に沿って分割され、そのために、区画線上のある程度の幅の領域が失われる。詳しくは、ウェハ２０は、スクライブで分割される場合には、予め（例えば半導体形成工程Ｓ１０時に）割断（ブレーク）のための溝が形成されるので、この溝における半導体構造体１、少なくともｐ型半導体層１３および活性層１２が除去される。また、ウェハ２０は、ダイシングで分割（切断）される場合には、切断時に少なくともブレード幅（厚み）の分が削られる。さらにウェハ２０は、ブレークやダイシングによる加工で、区画線に沿って、すなわちチップ周縁に、欠け（チッピング）を生じ得る。この失われる領域、正確にはチッピング等も含めた失われる可能性のある領域は、発光素子１０の領域外の「しろ」として予めウェハ２０に設けられるものであり、ストリート（または、スペーシング、スクライブライン、ダイシングレーン等）と称される。図８（ａ）に、幅ｗ１のストリート（区画領域）１０ｓを、ハッチングを付して表す。

はじめに、絶縁部材が形成される前のウェハの製造方法、すなわち工程Ｓ１０〜Ｓ３０の一例を説明する。

（半導体形成工程：半導体成長）
基板２上に、ｎ型半導体層１１、活性層１２、およびｐ型半導体層１３を構成するそれぞれの窒化物半導体を順に成長させ（Ｓ１１）、その後、窒素雰囲気でアニールを行って、ｐ型半導体層１３を低抵抗化する。

なお、本発明に係る発光素子の製造方法において、半導体構造体１の形成方法としては、特に限定されないが、ＭＯＶＰＥ（有機金属気相成長法）、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長法）、ＨＶＰＥ（ハイドライド気相成長法）、ＭＢＥ（分子線エピタキシー法）等、窒化物半導体の成長方法として公知の方法を好適に用いることができる。特に、ＭＯＣＶＤは結晶性よく成長させることができるので好ましい。また、半導体構造体１の各層１１，１２，１３は、種々の半導体の成長方法を使用目的により適宜選択して成長させることが好ましい。

（半導体形成工程：ｎ側コンタクト領域形成）
ｎ側パッド電極５１を接続するためのコンタクト領域として、表面（上面）の一部にｎ型半導体層１１を露出させるため、ｐ型半導体層１３および活性層１２をエッチングする。同時に、発光素子１０（チップ）の周縁となる領域も前記ｎ側コンタクト領域と同じ深さまでエッチングする（Ｓ１２）。このとき、後続の個片化工程Ｓ６０のために、ストリート１０ｓ（図８（ａ）参照）上を、正確にはストリート１０ｓの幅ｗ１以上の幅の領域をエッチングして、溝を形成する。この溝は、スクライブにおいては、前記した通りブレークの起点となり、一方、ダイシングにおいては、半導体構造体１（ｐ型半導体層１３および活性層１２）がブレードにより物理的衝撃を受けないように予め除去された状態となる。詳しくは、半導体構造体１の各層を成長させた基板２（以下、ウェハという）上に、フォトレジストにてｎ側コンタクト領域およびストリート１０ｓを空けたマスクを形成する。そして、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）にて、ｐ型半導体層１３および活性層１２、さらにｎ型半導体層１１の上部を除去して、その表面にｎ型半導体層１１におけるｎ側コンタクト層（図示省略）を露出させる。

（電極形成工程：全面電極およびカバー電極の形成）
ｐ型半導体層１３上に、全面電極３１をスパッタ法およびリフトオフ法等にて形成する（Ｓ２１）。さらにｐ型半導体層１３上に、カバー電極３２を同様に、全面電極３１よりも平面視で一回り大きく形成する（Ｓ２２）。この工程Ｓ２２完了時の断面図を図５（ａ）に示す。ここで、図５（ａ）に示す一点鎖線は、ウェハ２０の完成後の個片化工程Ｓ６０における区画線であり、発光素子１０の長辺方向（図面における横方向）の間隔（ピッチ）をＬ１（＞Ｌ０）とする。

（電極形成工程：保護膜およびパッド電極の形成）
ウェハ全面（半導体構造体１およびカバー電極３２の表面全体）に、保護膜４を形成するＳｉＯ₂等の絶縁膜を成膜する（Ｓ２３）。次に、図５（ｂ）に示すように、ウェハ（絶縁膜）上に、パッド電極５１，５２が形成される領域を空けたレジストマスクＰＲ１を形成する（Ｓ２４）。そして、エッチングにて絶縁膜を除去して保護膜４を形成する（Ｓ２５）。次に、図５（ｃ）に示すように、レジストマスクＰＲ１の上に、パッド電極５１，５２を形成する金属膜を成膜する（Ｓ２８）。これにより、半導体構造体１およびカバー電極３２の表面の保護膜４で被覆されていない領域に、ｎ側パッド電極５１およびｐ側パッド電極５２が形成される。

（バンプ形成工程）
図５（ｄ）に示すように、レジストマスクＰＲ１およびその上の金属膜のさらに上に、バンプ７１，７２が形成される領域を空けたレジストマスクＰＲ２を形成する（Ｓ３１）。そして、図６（ａ）に示すように、めっきにてパッド電極５１，５２上にバンプ７１，７２を形成する（Ｓ３２）。次に、レジストマスクＰＲ２を除去し（Ｓ３３）、引き続いてレジストマスクＰＲ１をその上の金属膜と共に除去する（リフトオフ、Ｓ２９）。これにより、図６（ｂ）に示す半導体構造体１が形成されたバンプ付きのウェハが製造される。

このようにして得られたバンプ付きのウェハから、下記の絶縁部材で表面（上面）がバンプも含めて平坦化された発光素子（チップ）を製造する、第１実施形態に係る発光素子の製造方法を以下に説明する。

（絶縁部材形成工程）
図６（ｃ）に示すように、ウェハ上に、区画線に沿って、所定の幅ｄ１のレジストマスクＰＲ３を形成する（Ｓ４１）。ここで、幅ｄ１は、ストリート１０ｓ（図８（ａ）参照）の幅ｗ１以上の幅（ｄ１≧ｗ１）に設ける。また、レジストマスクＰＲ３は、その上面が発光素子１０の完成時における上面の高さ位置よりも高くなる厚さに形成する。次に、絶縁部材６を形成する液状の樹脂材料をウェハ上に塗布し、図７（ａ）の破線で示すように、発光素子１０の完成時における上面の高さ位置よりも高く、好ましくはｐ側のバンプ７２の上面以上の高さに形成して硬化させる（Ｓ４２）。そして、硬化した樹脂材料（絶縁部材６）を上から研削して、図７（ａ）の実線で示すように、レジストマスクＰＲ３、およびバンプ７１，７２をウェハ上面に露出させ（頭出し）、かつ上面を平坦化する（Ｓ４４）。これにより、一対の電極の外部との電気的接続のための接続領域であるバンプ７１，７２が設けられた領域、ならびにレジストマスクＰＲ３が形成されている領域、すなわちストリート（区画領域）１０ｓを含む領域のそれぞれを除いて、絶縁部材６がウェハ上に被覆される。

（接合層形成工程）
図７（ｂ）に示すように、バンプ７１，７２上の接合層９１，９２が形成される領域を空けたレジストマスクＰＲ４を形成する（Ｓ５１）。次に、図７（ｃ）に示すように、レジストマスクＰＲ４の上に、接合層９１，９２を形成する金属膜を成膜する（Ｓ５２）。これにより、レジストマスクＰＲ４が形成されていない領域に、接合層９１，９２が形成される。次に、レジストマスクＰＲ４および区画線上にあるレジストマスクＰＲ３を除去する（Ｓ５３）。これにより、図８に示すように、発光素子１０が連結して、その区画線に沿った平面視格子状の、ストリート（区画領域）１０ｓを含む、幅ｄ１の隙間を空けた絶縁部材６が形成されたウェハ２０が得られ、さらに発光素子１０のそれぞれのバンプ７１，７２上に接合層９１，９２（図８（ａ）では輪郭線のみを破線で示す）が形成される。

（個片化工程）
図９（ａ）に示すように、ウェハ２０の絶縁部材６が形成された側を粘着シートＳＨＴ１と貼り合わせ（Ｓ６１）、基板２を研削して（裏面研削、バックグラインド）、図９（ａ）に実線で示すようにウェハ２０の分割が可能な厚さに薄肉化する（Ｓ６２）。次に、図９（ｂ）に示すように、ウェハ２０を区画線に沿って分割して（Ｓ６３）、１個の発光素子１０（チップ）が完成する。この分割により、区画線上のストリート１０ｓが削られて、得られる発光素子１０は、チップ長Ｌ０が（Ｌ１−ｗ１）となる（図８（ａ）参照）。なお、粘着シートＳＨＴ１は、半導体素子（半導体装置）の製造において、バックグラインド用、ダイシング用等として半導体素子（ウェハ、チップ）を保護するために使用されるものが適用される。

第１実施形態に係る発光素子の製造方法によれば、個片化工程Ｓ６０（分割Ｓ６３）において、切断（ダイシング）または割断（ブレーク）により欠落する領域（ストリート１０ｓ）に絶縁部材６がなく、加工（切断または割断）されるのが、薄肉化した基板２、半導体構造体１のｎ型半導体層１１、および保護膜４のみであるので、薄いブレードによるダイシングやレーザスクライブ等の、ストリート幅ｗ１の狭い分割方法を適用することができ、また絶縁部材６が剥離する虞もない。したがって、ウェハへのレイアウト段階で、隣り合うチップ間に設けられるストリートの幅を狭くして、ウェハ１枚あたりの発光素子の取得数を多くすることができる。

第１実施形態に係る発光素子の製造方法にて製造される発光素子１０は、半導体形成工程Ｓ１０のｎ側コンタクト領域形成（Ｓ１２）にて、半導体構造体１が、上（ｐ型半導体層１３側）に向かって面積を縮小した側面がテーパ状に形成されていてもよい（図示せず）。このような発光素子１０は、半導体構造体１の側面（端面）が傾斜していることで、側方へ出射した光が絶縁部材６で反射して基板２側へ出射し易い。また、下（底）に向かって狭く（細く）なる溝がストリート１０ｓに形成されることで、個片化工程Ｓ６０において、特にスクライブにてウェハ２０を分割する場合に、ブレークの位置精度が高くなる。

また、第１実施形態に係る発光素子の製造方法にて製造される発光素子１０は、ｐ型半導体層１３上の全面電極３１に代えて誘電体の多層膜を反射膜として備えた発光素子を製造することもできる。このような発光素子は、ｐ型半導体層の略全面に透明電極材料である導電性酸化膜を被覆し、その上に多数の孔を形成した多層膜を積層し、さらにその上にｐ側パッド電極を形成して、多層膜の孔で導電性酸化膜に接続する（図示せず）。

第１実施形態に係る発光素子の製造方法にて製造される発光素子１０は、バンプ７１，７２上に実装時の接合部材となる接合層９１，９２が設けられているが、接合部材を発光素子１０（チップ）に設けずに、実装時に、はんだやＡｇペースト等をバンプ７１，７２表面または配線基板のリード電極に塗布、滴下して接合することもできる。また、発光素子１０は、半導体構造体１（活性層１２）の端面に保護膜４を介して絶縁部材６で被覆することで、側方へ出射する光を反射させて基板２側へ高効率で出射する構成としたが、側方へも光を出射する構成とすることもできる。また、発光素子１０は、出射した光を波長変換させる場合は、配線基板への実装後に、蛍光体を添加した透光性の樹脂材料で封止すればよいが、発光素子１０（チップ）の段階で蛍光体を含有する樹脂で被覆した発光素子としてもよい。以下、図１０〜１２を参照して、本発明の第１実施形態の変形例（適宜、第１の変形例という）に係る発光素子の製造方法およびこの製造方法で製造される発光素子について説明する。第１実施形態と同一の要素については同じ符号を付して説明を省略する。

〔第１実施形態：第１の変形例〕
図１０に示すように、第１実施形態の第１の変形例に係る発光素子の製造方法で製造される発光素子１０Ａは、図１に示す発光素子１０から基板２を除いて、下面（光の主な出射面）および側面を波長変換部材８で被覆してなる。さらに発光素子１０Ａは、接合層９１，９２を備えないので、配線基板（図示省略）への実装時には、はんだ等の接合部材を用いる。また、発光素子１０Ａは、絶縁部材６Ａが、平面視周縁部における半導体構造体１のｐ型半導体層１３および活性層１２が除去されていない領域（ｎ側コンタクト領域を除く）の内側に設けられている。したがって、発光素子１０Ａは、半導体構造体１（活性層１２）から側方へ出射した光が絶縁部材６Ａで遮られずに、当該半導体構造体１の外へ出射して、さらに側面に被覆した波長変換部材８により波長変換されて取り出される。なお、本変形例のように波長変換部材を備えた発光素子については、その製造過程において波長変換部材を形成される前の状態を「発光素子（１０Ａ）」等と括弧付きの符号を付して表す。絶縁部材６Ａは、発光素子１０に設けられた絶縁部材６と同一材料で形成することができ、平面視形状が異なるのみである。以下に、波長変換部材８について説明する。

（波長変換部材）
波長変換部材８は、蛍光体を添加した透光性の樹脂材料で形成される。波長変換部材８は、発光素子１０Ａにおける下面と側面を一体に被覆して形成されるために、液状の材料を固化させて形成することができるように、バインダとなる樹脂材料は、具体的には、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂等が挙げられる。蛍光体は公知の材料を適用すればよく、例えば、Ｃｅ等で賦活されたＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光体や、Ｅｕ，Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活された、窒化物系蛍光体、酸窒化物系蛍光体等を用いることができる。これらの材料から、半導体構造体１の発光色と組み合わせて、所望の色調の光が得られるように選択する。例えば、緑色や黄色を発光するＹＡＧ系蛍光体やクロロシリケート蛍光体等のシリケート系蛍光体、赤色を発光する(Ｓｒ,Ｃａ)ＡｌＳｉＮ₃:Ｅｕ等のＳＣＡＳＮ系蛍光体、ＣａＡｌＳｉＮ₃:Ｅｕ等のＣＡＳＮ系蛍光体が挙げられ、また２種類以上の蛍光体を混合して用いてもよい。

本変形例に係る発光素子の製造方法は、絶縁部材６Ａを形成する前、すなわちバンプ形成工程Ｓ３０までは、第１実施形態と同様であるので、説明を省略する（図２、および図５から図６（ｂ）までを参照）。絶縁部材形成工程Ｓ４０以降（図３、図４参照）の第１実施形態と異なる工程について説明する。

（絶縁部材形成工程）
本変形例においては、絶縁部材形成工程Ｓ４０の手順は第１実施形態と同様であるが、形成する絶縁部材６Ａの平面視形状が異なり、また、後続の接合層形成工程Ｓ５０を行わない（図３参照）。詳しくは、図６（ｃ）に示すレジストマスクＰＲ３を、半導体構造体１の端面まで被覆するように幅広（幅ｄ２、図１１（ａ）参照）に形成する（Ｓ４１）。そして、第１実施形態と同様、図７（ａ）に示すように、絶縁部材６Ａ（図中、６）を形成する樹脂材料をウェハ上に塗布して硬化させ（Ｓ４２）、ウェハ上面を平坦化する（Ｓ４４）。次に、レジストマスクＰＲ３を除去する（Ｓ４５）。これにより、図８（ａ）に示すように、発光素子（１０Ａ）が連結して、その区画線に沿った平面視格子状の、幅ｄ２（図中、ｄ１）の隙間を空けた絶縁部材６Ａ（図中、６）が形成されたウェハ２０Ａ（接合層９１，９２を除く）が得られる。

（個片化工程）
第１実施形態と同様に、ウェハ２０Ａを粘着シートＳＨＴ１（図１１（ａ）参照）と貼り合わせ（Ｓ６１）、基板２を研削して薄肉化し（Ｓ６２）、図１１（ａ）に示すように、ウェハ２０Ａを区画線に沿って分割して（Ｓ６３）、１個の発光素子（１０Ａ）に個片化することができる。最後に、以下の通り、波長変換部材８を形成する波長変換部材形成工程Ｓ７０を行って、発光素子１０Ａが完成する。

（波長変換部材形成工程）
図１１（ａ）に示すように、個片化工程Ｓ６０完了時において、発光素子（１０Ａ）は、粘着シートＳＨＴ１上に幅ｗ１の間隔を空けてマトリクス状に配列されている。この状態で、粘着シートＳＨＴ１を下にして蛍光体を添加した樹脂材料を塗布することにより、側面にも波長変換部材８で被覆することができる。しかし、発光素子１０Ａのチップ間に、波長変換部材８すなわち樹脂の厚い層が形成されるので、削り取られる領域の幅を前記の幅ｗ１以下として切断することが困難である。そこで、波長変換部材８を形成する前に、発光素子（１０Ａ）を粘着シートＳＨＴ１から剥離して、図１２（ａ）に示すように、より広い間隔となるピッチＬ２（＞Ｌ１）で粘着シートＳＨＴ２上に配列して貼り合わせる（Ｓ７１）。なお、図１２においては、それ以前の工程における発光素子１０（１０Ａ）とは上下に１８０°回転させて示す。

レーザリフトオフ（ＬＬＯ）で基板２を半導体構造体１（ｎ型半導体層１１）から剥離する（Ｓ７２）。次に、図１２（ｂ）に示すように、蛍光体を添加した液状の樹脂材料を塗布して、隣り合う発光素子（１０Ａ）、（１０Ａ）間の隙間を充填し、発光素子（１０Ａ）の上面（半導体構造体１の上）を被覆してさらに表面（上面）を平坦に均して、固化させる（Ｓ７３）。次に、発光素子（１０Ａ）、（１０Ａ）間の中心線（図１２（ａ）に一点鎖線で示す）に沿って波長変換部材８を切断し、発光素子１０Ａが完成する（Ｓ７４）。さらに必要に応じて、発光素子１０Ａを粘着シートＳＨＴ２から剥離して、切断面（側面）や上面（光の主な取出し面）の波長変換部材８を研磨してもよい。

本変形例に係る発光素子の製造方法によれば、波長変換部材形成工程Ｓ７０において、チップ同士の間隔を十分に空けて配列してから波長変換部材８を形成するので、厚い樹脂の層である波長変換部材８を切断可能な厚いブレード（幅ｗ２）を用いても、半導体構造体１へのダメージを生じず、また発光素子１０Ａの側面にも十分な厚さに波長変換部材８が形成される。さらに、ウェハ２０Ａにおいてストリート１０ｓ（図８（ａ）参照）上に絶縁部材６Ａの隙間ｄ２を広く設けられているため、絶縁部材６Ａにより厚膜化したウェハ２０Ａであっても、個片化工程Ｓ６０において、図１１（ａ）に白抜き矢印で示すように、粘着シートＳＨＴ１の側から押し込むように折り曲げて割断し易い。

なお、発光素子１０Ａにおいては、絶縁部材６Ａが半導体構造体１（活性層１２）の端面を被覆しない構成とすることで、隙間ｄ２を広くして、個片化工程Ｓ６０における割断（Ｓ６３）の容易なウェハ２０Ａとしたが、発光素子１０（図１参照）と同様に絶縁部材６が活性層１２等の端面を被覆して、光を下方へ効率的に出射する構成としてもよい。このような構成とする場合、図１１（ｂ）に示すように、上（実装面側）に向かって面積を縮小した側面がテーパ状の絶縁部材６Ｂを形成することにより、同様に割断し易いウェハとすることができる。このような絶縁部材６Ｂは、絶縁部材形成工程Ｓ４０において、レジストマスクＰＲ３（図６（ｃ）参照）を、上へ広がった側面が逆テーパ状に形成することで得られる（図示せず）。

本変形例に係る発光素子の製造方法においては、波長変換部材形成工程Ｓ７０において、波長変換部材８を形成する前に基板２を除去した（Ｓ７２）が、基板２を残存させたままでもよい。また、第１実施形態と同様に、接合層形成工程Ｓ５０（図３、図７（ｂ）、（ｃ）参照）を行って、接合層９１，９２を設けた発光素子を製造することもできる（図示せず）。

前記の第１実施形態およびその第１の変形例に係る発光素子の製造方法では、ｎ型半導体層（ｎ側コンタクト領域）、ｐ型半導体層のそれぞれの直上に、外部との電気的接続のための接続領域としてｎ側、ｐ側のバンプを形成したが、ｎ側コンタクト領域の平面視形状にかかわらず、所望の配置および形状のバンプを設けた発光素子を製造することもできる。また、例えばｎ側、ｐ側の各電極（パッド電極、バンプ）が２箇所以上に設けられた大型の発光素子を製造することもできる。以下、図１３を参照して、本発明の第１実施形態の別の変形例（適宜、第２の変形例という）に係る発光素子の製造方法およびこの製造方法で製造される発光素子について説明する。第１実施形態およびその第１変形例と同一の要素については同じ符号を付して説明を省略する。

〔第１実施形態：第２の変形例〕
図１３（ａ）に示すように、本変形例に係る発光素子の製造方法で製造される発光素子１０Ｂは、平面視形状が略正方形で、左右対称な構造である。そこで図１３（ａ）においては、中心線の左側に基板２Ｂから保護膜４Ｂまでを示し、右側にパッド電極５１Ｂ，５２Ｂ、ならびに輪郭線でバンプ７１Ｂ，７２Ｂと絶縁部材６とを示す。発光素子１０Ｂは、前記第１の変形例の発光素子１０Ａ（図１０参照）と同様に、バンプ７１Ｂ，７２Ｂ上に接合層を備えず、また、各要素について、形状が異なること以外は第１実施形態における発光素子１０（図１参照）と同様の構成である。

発光素子１０Ｂは、一対のバンプ７１Ｂ，７２Ｂが、図１３（ａ）における縦方向に並んで設けられ、互いに略同一な、横方向に長い角丸長方形の平面視形状である。ただし、ｎ側のバンプ７１Ｂは、ｐ側のバンプ７２Ｂとの識別のために、平面視で凹部を有する。また、発光素子１０Ｂは、半導体構造体１Ｂが、図１３（ａ）の平面視における横方向に並んだ３箇所のｎ側コンタクト領域を形成され、さらにｎ側コンタクト領域のそれぞれが当該発光素子１０Ｂにおける略全長にわたるように縦に長く形成されて、その上の略全域にわたってｎ側の電極が接続されることで、ｎ型半導体層１１へ電流が面内均一に供給される。

ここで、第１実施形態の発光素子１０のように、ｎ型半導体層１１に直接にパッド電極５１Ｂを接続すると、その直上を避けてｐ側のバンプ７２Ｂを設ける必要があり、図１３（ａ）に示すような横に長い一体のバンプ７２Ｂを形成することができない。そこで、発光素子１０Ｂは、カバー電極３２Ｂが、ｐ型半導体層１３上（全面電極３１Ｂ上）だけでなくｎ型半導体層１１上にも形成され、さらにカバー電極３２Ｂの上が保護膜４Ｂに被覆されている。保護膜４Ｂは、発光素子１０Ｂにおいて、ｎ側のカバー電極３２Ｂとバンプ７１Ｂ、ｐ側のカバー電極３２Ｂとバンプ７２Ｂが、それぞれ平面視で重複する位置に開口部４ｈが形成されるように、上面全体を被覆する。そして発光素子１０Ｂは、保護膜４Ｂの上に、バンプ７１Ｂ，７２Ｂよりも平面視で一回り大きいパッド電極５１Ｂ，５２Ｂが形成されている。パッド電極５１Ｂ，５２Ｂは、それぞれ保護膜４Ｂの開口部４ｈのみで、それぞれが対応する極性のカバー電極３２Ｂに接続するので、互いに短絡することなく、ｎ型半導体層１１、ｐ型半導体層１３に電気的に接続する。また、発光素子１０（図１参照）と同様に、バンプ７１Ｂ，７２Ｂよりも平面視形状の大きなパッド電極５１Ｂ，５２Ｂが形成されているので、これらをシード電極として、電解めっきにてバンプ７１Ｂ，７２Ｂを形成し易い。

前記の通り、発光素子１０Ｂは、保護膜４Ｂに一部の領域で重複してパッド電極５１Ｂ，５２Ｂが形成される。したがって、本変形例に係る発光素子の製造方法は、保護膜４Ｂの形成からパッド電極５１Ｂ，５２Ｂの形成まで、すなわち電極形成工程Ｓ２０の一部の工程のみが第１実施形態と異なり、半導体形成工程Ｓ１０まで、およびバンプ形成工程Ｓ３０以降は、第１実施形態と同様である（図２〜４参照）。以下、第１実施形態と異なる工程について説明する。

（電極形成工程：全面電極およびカバー電極の形成）
半導体構造体１Ｂのｐ型半導体層１３上に、全面電極３１Ｂを形成する（Ｓ２１）。さらにｐ型半導体層１３上に全面電極３１Ｂを被覆するカバー電極３２Ｂを形成し、このとき、ｎ型半導体層１１（ｎ側コンタクト領域）上にもカバー電極３２Ｂを形成する（Ｓ２２）。

（電極形成工程：保護膜およびパッド電極の形成）
ウェハ全面（半導体構造体１Ｂおよびカバー電極３２Ｂの表面全体）に、保護膜４Ｂを形成する絶縁膜を成膜する（Ｓ２３）。次に、ウェハ（絶縁膜）上に、保護膜４Ｂの開口部４ｈが形成される領域を空けたレジストマスクＰＲ１を形成し（Ｓ２４）、エッチングにて絶縁膜を除去して保護膜４Ｂを形成した（Ｓ２５）後、レジストマスクＰＲ１を除去する（Ｓ２６）。次に、保護膜４Ｂの上に、パッド電極５１Ｂ，５２Ｂが形成される領域を空けたレジストマスク（図示せず）を形成して（Ｓ２７）、その上にパッド電極５１Ｂ，５２Ｂを形成する金属膜を成膜する（Ｓ２８）。このように、保護膜４Ｂとパッド電極５１Ｂ，５２Ｂとを別々のレジストマスクで形成することにより、平面視で保護膜４Ｂの開口部４ｈよりも大きいパッド電極５１Ｂ，５２Ｂが形成される。

（バンプ形成工程、絶縁部材形成工程、個片化工程）
第１実施形態の第１の変形例と同様に、バンプ形成工程Ｓ３０（図２参照）、絶縁部材形成工程Ｓ４０（図３参照）を行うことで、面方向に連結した発光素子１０Ｂに、平面視で格子状の隙間を空けた絶縁部材６が形成されたウェハ（図示省略）が形成される。最後に個片化工程Ｓ６０（図４参照）を行って、発光素子１０Ｂ（チップ）が完成する。

本変形例に係る発光素子の製造方法によれば、ｎ側コンタクト領域の平面視形状にかかわらず、一対のバンプのそれぞれの形状と配置を設計することができ、特に広範囲に分散してｎ側コンタクト領域が形成される大型の発光素子を製造するのに好適である。

発光素子１０Ｂにおいては、絶縁部材６が、発光素子１０Ａ（図１０、図１１（ａ）参照）と同様に半導体構造体１Ｂ（活性層１２）の端面を被覆しない構成として、側方へも光を出射する構成とすることもできる。あるいは、図１１（ｂ）に示した絶縁部材６Ｂのように、絶縁部材６が半導体構造体１Ｂ（活性層１２）の端面を被覆する構成として、絶縁部材６の側面をテーパ状に形成することもできる。これらの構成とすることにより、個片化工程Ｓ６０において割断し易いウェハとすることができる。

〔第２実施形態〕
第１実施形態およびその変形例に係る発光素子の製造方法においては、ウェハにバンプを形成して、その周囲を被覆する絶縁部材と共に研削することで、平坦な上面で外部（配線基板）との電気的接続を容易としたが、バンプを設けずに、平坦な上面で外部との電気的接続を容易にした構成（バンプレス）とすることもできる。以下、図１４〜１７および図２を参照して、本発明の第２実施形態に係る発光素子の製造方法およびこの製造方法で製造される発光素子について説明する。第１実施形態およびその変形例と同一の要素については同じ符号を付して説明を省略する。

図１４に示すように、第２実施形態に係る発光素子の製造方法で製造される発光素子１０Ｃは、図１に示す発光素子１０のバンプ７１，７２を省略して、接合層９１Ａ，９２Ａを直接にパッド電極５１，５２に接続してなる。したがって、発光素子１０Ｃは、上面に絶縁部材６の穴が形成されて、その内壁に沿って接合層９１Ａ，９２Ａが形成されている。この絶縁部材６の穴は、第１実施形態の発光素子１０におけるバンプ７１，７２と同一の位置および形状であり、すなわち絶縁部材６は、発光素子１０におけるものと同一形状である。また、発光素子１０Ｃは、下面（基板２の裏面）に波長変換部材８Ａが被覆されている。さらに発光素子１０Ｃは、平面視周縁部において、半導体構造体１Ｃをｎ型半導体層１１まで完全に除去し、さらに基板２の上部まで除去されて、保護膜４および絶縁部材６で被覆されている。したがって、発光素子１０Ｃは、半導体構造体１Ｃ（活性層１２）から側方へ出射した光の多くが絶縁部材６で反射して、下方へ特に効率的に出射する構成となり、さらに下面に被覆した波長変換部材８Ａにより波長変換される。波長変換部材８Ａは、発光素子１０Ａに設けられた波長変換部材８と同一の材料で形成することができ、形状が異なるのみである。

第２実施形態に係る発光素子の製造方法は、半導体形成工程Ｓ１０において、エッチングにてｎ側コンタクト領域およびストリート１０ｓ（図８（ａ）参照）にｎ型半導体層１１を露出させた（Ｓ１２）後、ストリート１０ｓのみにおいてさらにエッチングにてｎ型半導体層１１を完全に除去して、さらにその下の基板２の上部まで除去する（図示省略）。その後は、第１実施形態と同様に電極形成工程Ｓ２０（図２参照）を行って、全面電極３１、カバー電極３２、およびパッド電極５１，５２を形成する（図２のＳ１０〜Ｓ２０、および図５（ａ）〜（ｃ）参照）。本実施形態においては、バンプ形成工程Ｓ３０を行わないので、パッド電極５１，５２を形成する金属膜の成膜（Ｓ２８、図５（ｃ）参照）の次に、レジスト除去（Ｓ２９）にて、レジストマスクＰＲ１およびその上の金属膜を除去する（リフトオフ）。これにより、図１７（ａ）に示すような、半導体構造体１Ｃが形成され、上面にパッド電極５１，５２が設けられたウェハが製造される。このウェハに対して、絶縁部材６を形成する絶縁部材形成工程Ｓ４０Ａ、接合層９１Ａ，９２Ａを形成する接合層形成工程Ｓ５０Ａを行う。以降の第１実施形態と異なる工程について説明する。

（絶縁部材形成工程）
本実施形態においては、絶縁部材形成工程Ｓ４０Ａは第１実施形態の絶縁部材形成工程Ｓ４０とほぼ同様の手順であるが、上面に露出させるバンプ７１，７２が設けられていないので、レジストマスクによりパッド電極５１，５２上に開口部を形成する。詳しくは、図１７（ｂ）に示すように、区画線（ストリート１０ｓ）上だけでなく、パッド電極５１，５２上をマスクするレジストマスクＰＲ３Ａを形成する（Ｓ４１）。レジストマスクＰＲ３Ａは、第１実施形態のレジストマスクＰＲ３（図６（ｃ）参照）と同様に、その上面が発光素子１０Ｃの完成時における上面の高さ位置よりも高くなる厚さに形成する。次に、絶縁部材６を形成する液状の樹脂材料をウェハ上に塗布し、図１７（ｃ）の破線で示すように、発光素子１０Ｃの完成時における上面の高さ位置よりも高く形成して硬化させる（Ｓ４２）。そして、硬化した樹脂材料（絶縁部材６）を上から研削して、図１７（ｃ）の実線で示すように、レジストマスクＰＲ３Ａをストリート１０ｓ上およびパッド電極５１，５２上のすべてにおいてウェハ上面に露出させ（頭出し）、かつ上面を平坦化する（Ｓ４４Ａ）。これにより、レジストマスクＰＲ３Ａが形成されている領域、すなわちパッド電極５１，５２における外部と電気的に接続する領域、ならびにストリート（区画領域）１０ｓを含む領域のそれぞれを除いて、絶縁部材６がウェハ上に設けられる。次に、図１７（ｄ）に示すように、レジストマスクＰＲ３Ａを完全に除去して、絶縁部材６が形成される（Ｓ４５）。

（接合層形成工程）
図１７（ｅ）に示すように、パッド電極５１，５２上の絶縁部材６の開口部を含む領域であって、接合層９１Ａ，９２Ａが形成される領域を除いて、レジストマスクＰＲ４を形成する（Ｓ５１）。次に、レジストマスクＰＲ４から、接合層９１Ａ，９２Ａを形成する金属膜を成膜する（Ｓ５２）。これにより、レジストマスクＰＲ４が形成されていない領域に、接合層９１Ａ，９２Ａがパッド電極５１，５２に接続して形成される（図示省略）。次に、レジストマスクＰＲ４を除去する（Ｓ５３Ａ）。これにより、図８（ａ）に示すように、発光素子（１０Ｃ）が連結して、その区画線に沿った平面視格子状の、幅ｄ１の隙間、およびパッド電極５１，５２上の開口部を空けた絶縁部材６が形成されたウェハ２０Ｃ（バンプ７１，７２を除く）が得られ、さらにパッド電極５１，５２に接続した接合層９１Ａ，９２Ａ（輪郭線のみを破線で示す）が形成される。

（波長変換部材形成工程、個片化工程）
発光素子１０Ｃは、波長変換部材８Ａを裏面にのみ備えるので、図１６に示すように、ウェハの分割前に波長変換部材８Ａを形成する。まず、第１実施形態と同様に、ウェハ２０Ｃの絶縁部材６が形成された側を粘着シートＳＨＴ１と貼り合わせ（Ｓ６１）、基板２を研削（裏面研削）することによって、波長変換部材８Ａが積層された状態でウェハの分割が可能な厚さに薄肉化する（Ｓ６２）。次に、ウェハの裏面（基板２表面）に、第１実施形態の第１の変形例と同様に、蛍光体を添加した液状の樹脂材料を塗布して、平坦に均して固化させる（Ｓ７３Ａ）。最後に、発光素子１０Ｃ，１０Ｃ間の中心線（区画線）に沿ってウェハ２０Ｃ（波長変換部材８Ａ、基板２および保護膜４）を切断し（Ｓ６３Ａ）、発光素子１０Ｃが完成する。

本実施形態に係る発光素子の製造方法においては、波長変換部材８Ａで被覆されて厚膜化したウェハ２０Ｃを切断する（Ｓ６３Ａ）。したがって、ウェハ２０Ｃを幅（厚み）ｄ１以下の薄いブレードで切断することが困難な場合は、厚いブレードで波長変換部材８Ａを完全に、あるいはさらに基板２の一部までを切断し（ハーフカット）、その次に薄いブレードでウェハ２０Ｃを完全に切断すればよい。また、ウェハ２０Ｃは、ハーフカットにより区画線上における波長変換部材８Ａが除去されるので、その後に、レーザを用いたり、ブレークにて分割することもできる。このように、ウェハ２０Ｃは、半導体構造体１Ｃが形成された側の面に波長変換部材８Ａが形成されていないので、半導体構造体１Ｃに影響なく分割することができる。

第２実施形態に係る発光素子の製造方法によれば、バンプを設けなくても上面を絶縁部材で平坦化して、かつこの上面で外部（配線基板）へ電気的に接続できる発光素子を製造することができる。また、切断または割断により欠落する幅ｗ１の領域（ストリート１０ｓ）において、半導体構造体１Ｃが形成された側には、絶縁部材６や波長変換部材８Ａのような樹脂材料が設けられていない。このため、ウェハの分割（Ｓ６３Ａ）において、絶縁部材６が剥離することなく、薄いブレードによるダイシングやレーザスクライブ等の、ストリート幅ｗ１の狭い分割方法を適用することができる。

発光素子１０Ｃは、半導体形成工程Ｓ１０で、ストリートにおけるｎ型半導体層１１の除去（２回目のエッチング）で、上に広がった溝形状に形成されてもよい。あるいは、第１実施形態の発光素子１０と同様に、２回目のエッチングを行わなくてもよい。

なお、発光素子１０Ｃは、基板２に波長変換部材８Ａを積層しているが、第１実施形態の第１の変形例（図１０参照）のように、基板２を完全に除去して、ｎ型半導体層１１に波長変換部材８Ａを積層してもよい（図示せず）。すなわち、図１６に示すように、裏面研削（Ｓ６２）に代えて、ＬＬＯ等により基板２を半導体構造体１Ｃ（１）から剥離する（Ｓ７２Ａ）。この場合、半導体形成工程Ｓ１０での２回目のエッチングでストリート１０ｓにおけるｎ型半導体層１１が完全に除去されていると、基板２の剥離と同時にウェハが分割されて、後続の蛍光体入り樹脂８Ａの塗布による形成（Ｓ７３Ａ）で樹脂材料が実装面まで浸入することになる（図１２（ｂ）参照）。したがって、２回目のエッチングを行わずに、ストリート１０ｓに（好ましくは、ウェハ全面に）ｎ型半導体層１１を残存させた半導体構造体１とすることが好ましい（図９（ａ）のウェハ２０参照）。

発光素子１０Ｃは、第１実施形態の第１の変形例のように、ウェハにおいて隙間ｄ２の広い絶縁部材６Ａを形成してもよい（図１１（ａ）参照）。あるいは、発光素子１０Ｃは、図１１（ｂ）に示す絶縁部材６Ｂのように、側面がテーパ状の絶縁部材を形成してもよい。このような絶縁部材を形成する場合、レジストマスクＰＲ３Ａにより同時にパッド電極５１，５２上の開口部が成形されるため、絶縁部材の開口部が上方に広がった形状となる（図示せず）。

発光素子１０Ｃのようにバンプを設けない発光素子は、第１実施形態の第１の変形例（図１０参照）のように側面にも波長変換部材８を設けてもよいし、第１実施形態（図１参照）のように波長変換部材８Ａを設けない構成としてもよく、あるいは、第１実施形態の第２の変形例（図１３参照）のように、ｎ側コンタクト領域が広範囲に形成された構成としてもよい。また、第１実施形態のバンプを備えた発光素子１０（ウェハ２０）のように、裏面に波長変換部材８Ａを設けてもよい（図示せず）。

〔第３実施形態〕
第１、第２実施形態に係る発光素子の製造方法においては、リフトオフ法に表面研削（頭出し）を併せることで、絶縁部材をパターン形成しているが、絶縁部材を、レジストマスクと同様の感光性の材料で形成することで、レジストマスクを用いずに前記実施形態と同じ形状に成形することができる。以下、図１８〜２０を参照して、本発明の第３実施形態に係る発光素子の製造方法について説明する。第１、第２実施形態と同一の要素については同じ符号を付して説明を省略する。

第３実施形態に係る発光素子の製造方法においては、絶縁部材の形成方法のみが第１、第２実施形態と異なる。ここで、絶縁部材６は、前記した通り、発光素子の完成時において第１、第２実施形態と同じ形状であるため、同一の名称および符号で表すが、本実施形態においては以下の材料を適用する。

（絶縁部材）
絶縁部材６は、第１、第２実施形態と同様に、絶縁体であり、光透過率が低く反射率が高い材料であることが好ましく、液状の材料を固化させて形成することができて固化させた後はある程度の強度（硬さ）を有し、後続の接合層９１，９２の形成（接合層形成工程Ｓ５０Ａ）におけるレジストマスクの形成（現像）と除去の際の耐薬品性を有する材料を適用する。さらに本実施形態では、リフトオフ法によらずに所望のパターンに成形するために、光硬化性樹脂を適用する。具体的には、感光性のシリコーン樹脂やエポキシ樹脂等が挙げられる。

第３実施形態に係る発光素子の製造方法にて、図１に示す発光素子１０および図１０に示す発光素子１０Ａを製造する方法を説明する。第３実施形態に係る発光素子の製造方法は、絶縁部材形成工程Ｓ４０を除いて第１実施形態と同様であるので、説明を省略する（図２、および図３から図６（ｂ）までを参照）。以下、本実施形態に係る発光素子の製造方法の絶縁部材形成工程Ｓ４０Ｂについて、図１８および図１９を参照して説明する。

（絶縁部材形成工程）
ウェハ上の全面に、絶縁部材６を形成する樹脂材料を、その上面が発光素子１０の完成時における上面の高さ位置よりも高くなる厚さに、好ましくはｐ側のバンプ７２の上面以上の高さに塗布する（Ｓ４２Ａ）。次に、レチクルマスク（図示省略）を用いた露光により、図１９（ａ）に示すように、平面視において区画線に沿った幅ｄ１の格子状の隙間を空けたパターンに加工、硬化させる（Ｓ４３）。そして、硬化した樹脂材料（絶縁部材６）を上から研削して、図１９（ｂ）に示すように、バンプ７１，７２をウェハ上面に露出させ（頭出し）、かつ上面を平坦化する（Ｓ４４Ｂ）ことにより、絶縁部材６が形成される。

絶縁部材形成工程Ｓ４０Ｂの次に接合層形成工程Ｓ５０を行うことで、第１実施形態に係る発光素子の製造方法と同様に、図８に示すように、発光素子１０が連結して、その区画線に沿った平面視格子状の隙間を幅ｄ１で空けた絶縁部材６が形成されたウェハ２０が得られ、さらにバンプ７１，７２上に接合層９１，９２が形成される。最後に個片化工程Ｓ６０（図４、図９参照）を行って、発光素子１０が完成する。接合層９１，９２を備えない発光素子１０Ａを製造する場合は、絶縁部材形成工程Ｓ４０Ｂの後、接合層形成工程Ｓ５０を行わずに、個片化工程Ｓ６０、さらに波長変換部材形成工程Ｓ７０を行えばよい（図４、図１１（ａ）、図１２参照）。

〔第３実施形態：変形例〕
本実施形態に係る発光素子の製造方法にて、バンプを備えない図１４に示す発光素子１０Ｃを製造することもできる。第３実施形態の変形例に係る発光素子の製造方法として、絶縁部材形成工程Ｓ４０Ｃについて、図２０および適宜図１７を参照して説明する。

（絶縁部材形成工程）
電極形成工程Ｓ２０のレジスト除去（Ｓ２９）が完了した図１７（ａ）に示すウェハ上の全面に、絶縁部材６を形成する樹脂材料を、その上面が発光素子１０Ｃの完成時における上面の高さ位置よりも高くなる厚さに塗布する（Ｓ４２Ａ）。次に、レチクルマスク（図示省略）を用いた露光により、平面視において区画線に沿った幅ｄ１の格子状の隙間、およびパッド電極５１，５２上の開口部を空けたパターンに加工、硬化させる（Ｓ４３）。そして、硬化した樹脂材料（絶縁部材６）を上から研削して上面を平坦化する（Ｓ４４Ｃ）ことにより、図１７（ｄ）に示すように、絶縁部材６が形成される。

絶縁部材形成工程Ｓ４０Ｂの次に、図１７（ｅ）に示すように接合層形成工程Ｓ５０Ａを行うことで、第２実施形態に係る発光素子の製造方法と同様に、図８（ａ）に示すように、発光素子（１０Ｃ）が連結して、その区画線に沿った平面視格子状の、幅ｄ１の隙間、およびパッド電極５１，５２上の開口部を空けた絶縁部材６が形成されたウェハ２０Ｃ（バンプ７１，７２を除く）が得られ、さらにパッド電極５１，５２に接続した接合層９１Ａ，９２Ａが形成される。最後に個片化工程Ｓ６０Ａ（図１６参照）を行って、発光素子１０Ｃが完成する。

本変形例の絶縁部材形成工程Ｓ４０Ｃにおいては、樹脂材料の塗布（Ｓ４２Ａ）において、樹脂材料の厚さを硬化収縮等も加味して発光素子１０Ｃの完成時における上面の高さに調整し、さらに上面を必要な平坦性に形成することで、次のパターン形成（Ｓ４３）により絶縁部材６が形成され、絶縁部材６の研削（Ｓ４４Ｃ）を行わない態様とすることもできる。また、本実施形態またはその変形例において、パターン形成（Ｓ４３）の際に露光条件等を制御することで、図１１（ｂ）に示すような側面がテーパ状の絶縁部材６Ｂを形成することができる。

第３実施形態およびその変形例に係る発光素子の製造方法においては、絶縁部材６を形成する樹脂材料を感光性のものとすることで、１工程のレジストマスクが不要となる。なお、絶縁部材形成工程Ｓ４０Ｂ，Ｓ４０Ｃのパターン形成（Ｓ４３）により形成される絶縁部材６の形状は、第１、第２実施形態に係る発光素子の製造方法におけるレジストマスクＰＲ３，ＰＲ３Ａ（図６（ｃ）、図１７（ｂ）参照）のパターンを反転させたものである。

第３実施形態およびその変形例に係る発光素子の製造方法によれば、絶縁部材６が第１、第２実施形態に係る発光素子の製造方法によるものと同一形状に形成され、個片化工程Ｓ６０，Ｓ６０Ａにおいて、切断または割断により欠落する領域（ストリート１０ｓ）に絶縁部材６が設けられていないので、薄いブレードによるダイシングやレーザスクライブ等の、ストリート幅ｗ１の狭い分割方法を適用することができる。

〔第４実施形態〕
次に、本発明の第４実施形態に係る発光素子の製造方法およびこの製造方法によって製造される発光素子について説明する。前記した他の実施形態またはその変形例と同一の要素については、同じ符号を付して説明を適宜省略する。

［発光素子の構成］
まず、図２１を参照して、第４実施形態に係る発光素子の製造方法によって製造される発光素子１０Ｄについて説明する。
図２１に示すように、発光素子１０Ｄは、図１０に示した第１実施形態の第１の変形例に係る発光素子１０Ａと同様に、半導体材料を結晶成長させるための基板２（図２３（ａ）参照）が除去された半導体構造体１を備え、波長変換部材８が半導体構造体１の側面および下面、並びに絶縁部材６およびマスク部材６１の側面を被覆するように設けられている。
また、発光素子１０Ｄは、平面視において、半導体構造体１の外形と絶縁部材６の外形とマスク部材６１の外形とが一致するように形成されている。

また、半導体構造体１の上面に形成された段差の境界部の側面、すなわち、ｐ型半導体層１３および活性層１２の側面は、透光性の保護膜４を介して、光反射性を付与された絶縁部材６によって被覆されている。このため、活性層１２で発光し、半導体構造体１内を横方向に伝播する光は、絶縁部材６によって反射されて半導体構造体１に戻され、波長変換部材８を介して半導体構造体１の下面または側面から外部に取り出される。これによって、発光素子１０Ｄから出力される光の配光特性を向上させることができる。
なお、波長変換部材８は、半導体構造体１からの光が外部に取り出される面を被覆するように設けられていればよく、絶縁部材６が光反射性を有する場合は、絶縁部材６の側面に設けなくともよい。

本実施形態における発光素子１０Ｄは、発光素子１０Ａとは、バンプ７１，７２の上面に接合層９１，９２を有していることと、絶縁部材６の上面を被覆するようにマスク部材６１を有していることとが異なる。また、半導体構造体１の下層部であるｎ型半導体層１１の下面および側面は、粗面化されることによって、凹凸形状１ａを有している。凹凸形状１ａを設けることにより、半導体構造体１からの光取出し効率を向上させることができる。
なお、発光素子１０Ａや他の実施形態においても、基板２が除去された構成の場合は、ｎ型半導体挿１１の下面、または下面および側面を粗面化するようにしてもよい。

また、本実施形態における発光素子１０Ｄは、平面視で、接合層９１，９２が、それぞれ対応する極性のパッド電極５１，５２よりも小さく形成されているが、これに限定されるものではなく、接合層９１，９２の方が大きくなるように形成されてもよい。さらに、パッド電極５１，５２、バンプ７１，７２および接合層９１，９２の個数、形状、配置領域などは適宜に変更することができる。

（マスク部材）
マスク部材６１は、半導体構造体１が形成されたウェハにおいて、発光素子１０Ｄの区画領域における半導体構造体１をエッチングによって除去する際に用いたマスクが残存しているものである。マスク部材６１は、半導体構造体１をエッチングする際のマスクとして使用可能な耐エッチング性を有し、絶縁部材６との密着性が良好な材料を用いることが好ましく、例えば、ＳｉＯ_２などの絶縁材料を用いることができる。マスク部材６１は、完成後の発光素子１０Ｄには無くてもよく、エッチングのマスクとして用いた後に除去するようにしてもよい。

［発光素子の製造方法］
次に、図２２〜図２６を参照（適宜図２１参照）して、第４実施形態に係る発光素子の製造方法について説明する。

（半導体形成工程、電極形成工程、バンプ形成工程）
まず、第１実施形態と同様にして、半導体形成工程Ｓ１０と、電極形成工程Ｓ２０と、バンプ形成工程Ｓ３０とを行うことにより、図２３（ａ）に示すように、基板２上に半導体構造体１と、全面電極３１（図２１（ｂ）参照）、カバー電極３２（図２１（ｂ）参照）、保護膜４およびパッド電極５１，５２と、バンプ７１，７２とを順次に形成する。

なお、製造工程を説明するための断面図である図２２〜図２６、並びに後記する図２９〜図３１、図３４〜図３６および図３９〜図４２の各図においては、半導体構造体１の詳細な構造、並びに全面電極３１およびカバー電極３２の記載を省略している。これらの図において、半導体構造体１に段差が形成されているが、下段側の領域は、ｐ型半導体層１３、活性層１２およびｎ型半導体層１１の一部が除去され、その上面はｎ型半導体層１１である。また、半導体構造体１の上段側の領域は、活性層１２およびｐ型半導体層１３を有しており、ｐ型半導体層１３の上面の略全面を被覆するように、全面電極３１（不図示）およびカバー電極３２（不図示）が設けられている。また、半導体構造体１の上段側の領域において、ｐ側パッド電極５２はカバー電極３２上に設けられており、ｐ側パッド電極５２が形成された領域を除き、カバー電極３２は保護膜４によって被覆されている。

また、図２３（ａ）に示すように、本実施形態では、発光素子の区画線ＢＤに沿った区画領域は、保護膜エッチング工程Ｓ２５（図２参照）において保護膜４が除去されることで保護膜４に開口部４ａが形成されている。このため、開口部４ａにおいて、半導体構造体１のｎ型半導体層１１が露出している。また、開口部４ａは、幅が絶縁部材６の隙間の幅ｄ１以上となるように形成される。
なお、区画線ＢＤに沿った領域に保護膜４を設けないようにすることで、後記する基板面露出工程Ｓ８０Ｄにおいて、保護膜４と同種の絶縁材料を用いてマスク部材６１（図２４参照）を形成し、半導体構造体１をエッチングする際のマスクとして用いることができる。

（絶縁部材形成工程）
次に、絶縁部材形成工程Ｓ４０Ｄにおいて絶縁部材６を形成する。本実施形態における絶縁部材形成工程Ｓ４０Ｄには、３つのサブ工程として、レジストマスク形成工程Ｓ１４１と、樹脂塗布工程Ｓ１４２と、表面研削工程Ｓ１４３とが含まれる。

まず、レジストマスク形成工程Ｓ１４１において、フォトリソグラフィ法によって、図２３（ｂ）に示すように、区画線ＢＤに沿った幅ｄ１の領域を被覆するようにパターニングされたレジストマスクＰＲ５を形成する。本実施形態では、レジストマスクＰＲ５は、保護膜４の開口部４ａ内に露出する半導体構造体１のｎ型半導体層１１上に形成されている。また、レジストマスクＰＲ５は、半導体構造体１に形成されている段差の境界から離間して設けることが好ましい。これによって、後記する樹脂塗布工程Ｓ１４２において、光反射性を有する絶縁部材６によって、ｐ型半導体層１３および活性層１２の側面が、保護膜４を介して被覆されるように絶縁部材６を形成することができる。
なお、レジストマスク形成工程Ｓ１４１は、第１実施形態においてレジストマスクＰＲ３（図６（ｃ）参照）を形成するレジストマスク形成工程Ｓ４１（図３参照）と同様に行うことができる。

次に、樹脂塗布工程Ｓ１４２において、図２３（ｃ）に示すように、絶縁部材６を形成する液状の樹脂材料をウェハ上に、研削線Ｘ１よりも高くなるような厚さに塗布し、塗布した樹脂材料を硬化させる。これによって、バンプ７１，７２およびレジストマスクＰＲ５が絶縁部材６に埋設された状態となる。ここで、研削線Ｘ１は、発光素子１０Ｄが完成した際の絶縁部材６の高さである。
なお、樹脂塗布工程Ｓ１４２は、第１実施形態における樹脂塗布工程Ｓ４２と同様にして行うことができる。

次に、表面研削工程Ｓ１４３において、絶縁部材６を内在するバンプ７１，７２およびレジストマスクＰＲ５とともに研削線Ｘ１の高さまで、上面が平坦化されるように研削する。これによって、図２３（ｄ）に示すように、バンプ７１，７２およびレジストマスクＰＲ５の上面が絶縁部材６から露出するとともに、絶縁部材６の形状が完成する。
なお、表面研削工程Ｓ１４３は、第１実施形態における表面研削工程Ｓ４４と同様にして行うことができる。

（基板面露出工程）
次に、基板面露出工程Ｓ８０Ｄにおいて、区画領域における半導体構造体１を除去することによって、区画領域に基板２を露出させる。基板面露出工程Ｓ８０Ｄは、３つのサブ工程として、マスク成膜工程Ｓ１８１と、レジスト除去工程Ｓ１８２と、半導体層エッチング工程Ｓ１８３とが含まれる。

まず、マスク成膜工程Ｓ１８１において、スパッタ法や蒸着法などによって、図２４（ａ）に示すように、ウェハ上にマスク材料（例えば、ＳｉＯ_２）を用いて成膜することで、マスク部材６１を形成する。
次に、レジスト除去工程Ｓ１８２において、レジストマスクＰＲ５を、その上面に形成されたマスク部材６１とともに除去することによって、図２４（ｂ）に示すように、マスク部材６１および絶縁部材６に、区画線ＢＤに沿って幅ｄ１の開口部６ａが形成され、開口部６ａ内において半導体構造体１が露出する。

次に、半導体層エッチング工程Ｓ１８３において、マスク部材６１をマスクとして半導体構造体１をエッチングすることによって、図２４（ｃ）に示すように、区画線ＢＤに沿った幅ｄ１の領域、すなわち、平面視で絶縁部材６の開口部６ａが形成された領域について、基板２を露出させる。
なお、半導体層エッチング工程Ｓ１８３の終了後に、適宜な薬剤を用いてマスク部材６１を除去するようにしてもよい。

（接合層形成工程）
次に、接合層形成工程Ｓ５０Ｄにおいて、接合層９１，９２を形成する。
本実施形態における接合層形成工程Ｓ５０Ｄは、第１実施形態における接合層形成工程Ｓ５０（図３参照）と同様に、リフトオフによるパターン形成法を用いるものである。そのために、接合層形成工程Ｓ５０Ｄは、４つのサブ工程として、レジストマスク形成工程Ｓ１５１と、マスク部材エッチング工程Ｓ１５２と、接合層成膜工程Ｓ１５３と、レジスト除去工程Ｓ１５４とが含まれる。

まず、レジストマスク形成工程Ｓ１５１において、フォトリソグラフィ法によって、図２４（ｄ）に示すように、ウェハ上に、バンプ７１，７２の上方である接合層９１，９２を設ける領域に開口を有するレジストマスクＰＲ６を形成する。
次に、マスク部材エッチング工程Ｓ１５２において、レジストマスクＰＲ６をマスクとしてマスク部材６１をエッチングすることによって、図２５（ａ）に示すように、バンプ７１，７２の上面を露出させる。

次に、接合層成膜工程Ｓ１５３において、図２５（ｂ）に示すように、ウェハ上に、接合層９１，９２を形成する金属膜９０を成膜する。なお、接合層成膜工程Ｓ１５３は、第１実施形態における接合層成膜工程Ｓ５２と同様にして行うことができる。
次に、レジスト除去工程Ｓ１５４において、レジストマスクＰＲ６を、その上面に形成された金属膜９０とともに除去することによって金属膜９０がパターニングされ、図２５（ｃ）に示すように、接合層９１，９２が形成される。また、レジストマスクＰＲ６を除去することによって、絶縁部材６およびマスク部材６１の区画線ＢＤに沿った領域に、幅ｄ１の隙間が形成される。

（個片化工程）
次に、個片化工程Ｓ６０Ｄにおいて、発光素子１０Ｄを個片化する。本実施形態における個片化工程Ｓ６０Ｄは、３つのサブ工程として、シート貼合せ工程Ｓ１６１と、基板剥離工程Ｓ１６２と、半導体層粗面化工程Ｓ１６３とが含まれる。

まず、シート貼合せ工程Ｓ１６１において、図２５（ｄ）に示すように、ウェハの絶縁部材６が形成された側の面を粘着シートＳＨＴ１と貼り合わせる。なお、粘着シートＳＨＴ１は、第１実施形態におけるシート貼合せ工程Ｓ６１（図４参照）で用いる粘着シートＳＨＴ１と同様のものを用いることができる。

次に、基板剥離工程Ｓ１６２において、ＬＬＯ法などによって、図２６（ａ）に示すように、基板２を剥離することで除去する。本実施形態では、接合層形成工程Ｓ５０Ｄを終了後は、各発光素子は基板２のみで連結されている。このため、基板２を剥離して完全に除去することにより、発光素子が個片化される。なお、個片化された発光素子は、粘着シートによって連結されているだけであるから、コレットなど用いて個々の発光素子を粘着シートからピックアップすることができる状態である。

なお、前記したように、ウェハを分割するときに、ダイシングやレーザスクライブなどにより実際に除去される領域の幅をｗ１とすると、分割の際の位置精度を考慮したマージンを含めて、区画領域として確保すべき領域の幅がｄ１である（図７および図８参照）。
これに対して、本実施形態のように、ＬＬＯ法などで基板２を完全に除去することで発光素子を個片化する場合は、基板面露出工程Ｓ８０Ｄにおいて、エッチングによって除去される半導体構造体１の幅が、幅ｗ１に相当する。従って、個片化の際に、基板２を切断するために必要となる領域の幅ｗ１を別途に考慮する必要がなく、幅ｄ１は、半導体構造体１をエッチングする際の加工精度に基づいて定めることができる。

次に、半導体層粗面化工程Ｓ１６３において、図２６（ｂ）に示すように、基板２が除去されることによって露出した半導体構造体１の下面および側面を、例えば、ウェットエッチングにより粗面化することによって、凹凸形状１ａを形成する。この工程は省略するようにしてもよいが、半導体構造体１からの光取出し面となる下面および側面を粗面化することにより、光取出し効率を向上させることができる。

（波長変換部材形成工程）
次に、波長変換部材形成工程Ｓ７０Ｄにおいて、個片化された発光素子の下面および側面に波長変換部材８を形成する。
波長変換部材８は、第１実施形態の第１の変形例における波長変換部材形成工程Ｓ７０(図４参照)と同様にして形成することができる。

また、波長変換部材８は、スプレー法を用いて、さらに簡便な方法で形成することもできる。以下に、スプレー法を用いた波長変換部材８の形成方法について説明する。
本実施形態における波長変換部材形成工程Ｓ７０Ｄには、２つのサブ工程として、蛍光体入り樹脂塗布工程Ｓ１７１と、切断工程Ｓ１７２とが含まれる。

まず、蛍光体入り樹脂塗布工程Ｓ１７１において、図２６（ｃ）に示すように、蛍光体の粒子を含有した液状の樹脂（蛍光体入り樹脂）を、半導体構造体１の下面および側面、並びに絶縁部材６の側面に塗布した後に硬化させることによって、波長変換部材８を形成する。

なお、蛍光体入り樹脂の塗布は、スプレー法を用いることが好ましく、樹脂材料として熱硬化性の樹脂を用いてパルス状にスプレー噴射するパルススプレー法を用いることがさらに好ましい。パルススプレー法によれば、溶媒に蛍光体の粒子と熱硬化性樹脂とを含有させたスラリーを、パルス状に、すなわち間欠的に噴射することにより、単位時間当たりの噴射量を少なくすることができる。このため、スプレー装置を、少ない噴射量でスプレー噴射させながら低速で移動させることにより、凹凸形状を有する塗布面の側面や角部にも均一に塗布することができる。また、スラリーを少量ずつ塗布するごとに塗布膜を加熱して硬化させて薄膜を形成する操作を繰り返すようにして波長変換部材８を形成してもよい。これによって、前記操作の繰り返し回数、すなわち蛍光体を含有する薄膜の積層数を調整することで、波長変換部材８を、精度よい膜厚で形成することができる。

また、スプレー法によりスラリーを少量ずつ塗布することにより、スプレーノズルから一定以上離れるほど塗布量が低減されるように塗布することができる。従って、図２６（ｃ）において、ウェハの下方からスプレー噴射することにより、開口部６ａ内の奥側（粘着シートＳＨＴ１側）ほど薄くなるように、より好ましくは、奥側には塗布されないように蛍光体入り樹脂を塗布することができる。
ここで、下方とは、図２６（ｃ）における下方であって、重力場における下方を意味するものではない。従って、粘着シートＳＨＴ１を重力場の下側となるようにウェハを載置し、上方からスプレー噴射して塗布するようにしてもよい。

また、蛍光体入り樹脂塗布工程Ｓ１７１において、側面に形成する波長変換部材８の膜厚に対して、開口部６ａの幅ｄ１（図２４（ｃ）参照）が十分でない場合は、波長変換部材８を形成する前の発光素子１０Ｄを粘着シートＳＨＴ１からピックアップして、別の粘着シート上に、発光素子１０Ｄの側面の塗布に十分な間隔をあけて再配列させるようにしてもよい。また、粘着シートＳＨＴ１として、延伸性を有するエキスパンドシートを用い、蛍光体入り樹脂の塗布を行う前に、粘着シートＳＨＴ１を延伸させることで、発光素子１０Ｄの間隔を広げるようにしてもよい。

次に、切断工程Ｓ１７２において、波長変換部材８によって連結された発光素子１０Ｄを、区画線ＢＤに沿って切断することによって再度個片化する。
樹脂層である波長変換部材８は、ダイシング法により切断することができるが、より簡便な方法で行うこともできる。
蛍光体入り樹脂塗布工程Ｓ１７１において、開口部６ａ内の奥側（粘着シートＳＨＴ１側）ほど薄くなるように、蛍光体入り樹脂を塗布することにより、発光素子１０Ｄが波長変換部材８によって強固に連結されない。このため、例えば、粘着シートＳＨＴ１として、延伸性を有するエキスパンドシートを用い、粘着シートＳＨＴ１を面方向に延伸させることで、波長変換部材８を引き千切りによって切断することができる。
さらにまた、蛍光体入り樹脂塗布工程Ｓ１７１において、開口部６ａ内の奥側（粘着シートＳＨＴ１側）に蛍光体入り樹脂を塗布しないようにすることにより、発光素子１０Ｄが波長変換部材８によって連結されないため、切断工程Ｓ１７２を省略することができる。
以上の手順により、発光素子１０Ｄが完成する。

〔第５実施形態〕
次に、本発明の第５実施形態に係る発光素子の製造方法およびこの製造方法によって製造される発光素子について説明する。前記した他の実施形態またはその変形例と同一の要素については、同じ符号を付して説明を適宜省略する。

［発光素子の構成］
まず、図２７を参照して、第５実施形態に係る発光素子の製造方法によって製造される発光素子１０Ｅについて説明する。
図２７に示すように、発光素子１０Ｅは、図２１に示した第４実施形態に係る発光素子１０Ｄに対して、絶縁部材６の上面を被覆するマスク部材６１を有さず、絶縁部材６の側面を被覆するマスク部材６２を有することが異なる。また、発光素子１０Ｅにおいて、波長変換部材８は、マスク部材６２を介して絶縁部材６の側面を被覆している。また、発光素子１０Ｅは、平面視において、半導体構造体１の外形とマスク部材６２の外形とが一致するように形成されている。

（マスク部材）
マスク部材６２は、半導体構造体１が形成されたウェハにおいて、発光素子１０Ｅの区画領域における半導体構造体１をエッチングによって除去する際に用いたマスクが残存しているものである。第４実施形態におけるマスク部材６１とは異なり、本実施形態におけるマスク部材６２は、エッチング用のマスクとして用いられる際に、絶縁部材６の上面に加えて、開口部６ａ（図２４（ｂ）参照）内の側面も被覆するように形成される。完成後の発光素子１０Ｅにおけるマスク部材６２は、絶縁部材６の開口部６ａ内の側面に形成された部位が残存したものである。
また、本実施形態におけるマスク部材６２は、フォトレジストを用いて形成され、フォトリソグラフィ法によってパターニングされる。

［発光素子の製造方法］
次に、図２８〜図３１を参照（適宜図２７参照）して、第５実施形態に係る発光素子の製造方法について説明する。

（半導体形成工程、電極形成工程、バンプ形成工程）
まず、第４実施形態と同様にして、半導体形成工程Ｓ１０と、電極形成工程Ｓ２０と、バンプ形成工程Ｓ３０とを行うことにより、図２３（ａ）に示すように、基板２上に半導体構造体１と、全面電極３１（図２１（ｂ）参照）、カバー電極３２（図２１（ｂ）参照）、保護膜４およびパッド電極５１，５２と、バンプ７１，７２とを順次に形成する。

（絶縁部材形成工程）
次に、絶縁部材形成工程Ｓ４０Ｅにおいて絶縁部材６を形成する。第５実施形態における絶縁部材形成工程Ｓ４０Ｅには、４つのサブ工程として、レジストマスク形成工程Ｓ２４１と、樹脂塗布工程Ｓ２４２と、表面研削工程Ｓ２４３と、レジスト除去工程Ｓ２４４とが含まれる。

まず、レジストマスク形成工程Ｓ２４１、樹脂塗布工程Ｓ２４２および表面研削工程Ｓ２４３を、それぞれ第４実施形態におけるレジストマスク形成工程Ｓ１４１、樹脂塗布工程Ｓ１４２および表面研削工程Ｓ１４３と同様に行う。従って、表面研削工程Ｓ２４３を行った後は、図２３（ｄ）に示すように、絶縁部材６の上面と同一面となるように、バンプ７１，７２の上面およびレジストマスクＰＲ５の上面が露出した状態となる。
次に、レジスト除去工程Ｓ２４４において、レジストマスクＰＲ５を除去することによって、図２９（ａ）に示すように、区画線ＢＤに沿った幅ｄ１の領域の半導体構造体１を露出させる。

（基板面露出工程）
次に、基板面露出工程Ｓ８０Ｅにおいて、区画領域における半導体構造体１を除去することによって、区画領域に基板２を露出させる。基板面露出工程Ｓ８０Ｅは、３つのサブ工程として、レジストマスク形成工程Ｓ２８１と、半導体層エッチング工程Ｓ２８２と、表面研削工程Ｓ２８３とが含まれる。

まず、レジストマスク形成工程Ｓ２８１において、フォトリソグラフィ法によって、図２９（ｂ）に示すように、マスク部材６２を形成する。マスク部材６２は、絶縁部材６の開口部６ａ内の底面を除き、ウェハ全体を被覆するように形成される。但し、開口部６ａ内において、絶縁部材６の側面を被覆するマスク部材６２の厚さ分だけ、半導体構造体１の上面が被覆される。従って、絶縁部材６の開口部６ａは、マスク部材６２の膜厚分だけ幅が狭くなる。この幅をｄ３とすると、ｄ３＜ｄ１である（図２９（ａ）および図２９（ｃ）を比較参照）。

次に、半導体層エッチング工程Ｓ２８２において、マスク部材６２をマスクとして半導体構造体１をエッチングすることによって、図２９（ｃ）に示すように、区画線ＢＤに沿った幅ｄ３の領域において基板２を露出させる。

次に、表面研削工程Ｓ２８３において、ウェハの上面側から研削線Ｘ２の高さまで、上面が平坦化されるように研削する。これによって、図２９（ｄ）に示すように、ウェハの上面に形成されたマスク部材６２が除去されて、バンプ７１，７２の上面が露出する。

（接合層形成工程）
次に、接合層形成工程Ｓ５０Ｅにおいて、接合層９１，９２を形成する。
本実施形態における接合層形成工程Ｓ５０Ｅは、エッチングによるパターン形成法を用いるものである。そのために、接合層形成工程Ｓ５０Ｅは、４つのサブ工程として、接合層成膜工程Ｓ２５１と、レジストマスク形成工程Ｓ２５２と、接合層エッチング工程Ｓ２５３と、レジスト除去工程Ｓ２５４とが含まれる。

まず、接合層成膜工程Ｓ２５１において、図３０（ａ）に示すように、ウェハ上に、接合層９１，９２を形成する金属膜９０を成膜する。なお、接合層成膜工程Ｓ２５１は、第１実施形態における接合層成膜工程Ｓ５２と同様にして行うことができる。
次に、レジストマスク形成工程Ｓ２５２において、フォトリソグラフィ法によって、図３０（ｂ）に示すように、ウェハ上に、バンプ７１，７２の上方である接合層９１，９２を設ける領域を被覆するレジストマスクＰＲ７を形成する。

次に、接合層エッチング工程Ｓ２５３において、図３０（ｃ）に示すように、レジストマスクＰＲ７をマスクとして金属膜９０をエッチングすることによって、接合層９１，９２のパターンを形成する。また、当該エッチングによって、不要な金属膜９０を除去することで、区画線ＢＤに沿った幅ｄ３の領域に再び隙間が形成され、各素子は基板２のみによって連結された状態となる。
次に、レジスト除去工程Ｓ２５４において、図３０（ｄ）に示すように、レジストマスクＰＲ７を除去することによって、接合層９１，９２が形成される。

（個片化工程）
次に、個片化工程Ｓ６０Ｄにおいて、発光素子を個片化する。第５実施形態における発光素子の個片化は、第４実施形態における個片化工程Ｓ６０Ｄと同様にして行うものである。
すなわち、まず、シート貼合せ工程Ｓ１６１（図２２参照）において、図３１（ａ）に示すように、ウェハの絶縁部材６が形成された側の面を粘着シートＳＨＴ１と貼り合わせる。

次に、基板剥離工程Ｓ１６２（図２２参照）において、ＬＬＯ法などによって、図３１（ｂ）に示すように、基板２を剥離することで除去する。本実施形態においても、接合層形成工程Ｓ５０Ｅを終了後は、各発光素子は基板２のみで連結されている。このため、基板２を剥離して完全に除去することにより、発光素子が個片化される。
次に、半導体層粗面化工程Ｓ１６３（図２２参照）において、図３１（ｃ）に示すように、半導体構造体１の下面および側面を粗面化することによって、凹凸形状１ａを形成する。

（波長変換部材形成工程）
次に、第４実施形態と同様にして、波長変換部材形成工程Ｓ７０Ｄを行うことによって、図３１（ｄ）に示すように、個片化された発光素子の下面および側面に波長変換部材８を形成する。
以上の手順により、発光素子１０Ｅが完成する。

なお、本実施形態においては、区画線ＢＤに沿って形成された絶縁部材６の隙間である開口部６ａの幅が、マスク部材６２に被覆された分だけ狭くなっているが、第４実施形態と同様に、波長変換部材８を形成する際に、または／および、個々の発光素子１０Ｅに切断する際に、発光素子１０Ｅの配列間隔を広げるようにしてもよい。

〔第６実施形態〕
次に、本発明の第６実施形態に係る発光素子の製造方法およびこの製造方法によって製造される発光素子について説明する。前記した他の実施形態またはその変形例と同一の要素については、同じ符号を付して説明を適宜省略する。

［発光素子の構成］
まず、図３２を参照して、第６実施形態に係る発光素子の製造方法によって製造される発光素子１０Ｆについて説明する。
図３２に示すように、発光素子１０Ｆは、図２７に示した第５実施形態に係る発光素子１０Ｅに対して、絶縁部材６の側面を被覆するマスク部材６２を有さないことが異なる。また、発光素子１０Ｆは、発光素子１０Ｅのように側面が平らに形成されたものではなく、段差が設けられている。すなわち、発光素子１０Ｆは、高さ方向について、絶縁部材６が設けられた上部領域が、絶縁部材６が設けられていない下部領域よりも、発光素子１０Ｅのマスク部材６２（図２７参照）の厚さに相当する分だけ、内側になるように形成されている。

［発光素子の製造方法］
次に、図３３〜図３６を参照（適宜図３２参照）して、第６実施形態に係る発光素子の製造方法について説明する。

まず、第５実施形態と同様にして、半導体形成工程Ｓ１０と、電極形成工程Ｓ２０と、バンプ形成工程Ｓ３０と、絶縁部材形成工程Ｓ４０Ｅとを行うことにより、図２９（ａ）に示した状態のウェハを形成する。

（基板面露出工程）
次に、基板面露出工程Ｓ８０Ｆにおいて、区画領域における半導体構造体１を除去することによって、区画領域に基板２を露出させる。基板面露出工程Ｓ８０Ｆは、３つのサブ工程として、レジストマスク形成工程Ｓ３８１と、半導体層エッチング工程Ｓ３８２と、レジスト除去工程Ｓ３８３と、が含まれる。

レジストマスク形成工程Ｓ３８１および半導体層エッチング工程Ｓ３８２は、それぞれ第５実施形態における基板面露出工程Ｓ８０Ｅのレジストマスク形成工程Ｓ２８１および半導体層エッチング工程Ｓ２８２と同様に行う。これによって、図３４（ａ）に示すように、マスク部材６２をマスクとして、区画線ＢＤに沿った幅ｄ３の領域について、半導体構造体１が除去されることで基板２が露出した状態となる。この状態は、図２９（ｃ）に示した状態と同じである。

次に、レジスト除去工程Ｓ３８３において、適宜な薬剤などを用いて、図３４（ｂ）に示すように、マスク部材６２をすべて除去する。これによって、区画線ＢＤに沿った領域は、絶縁部材６が形成されている上部領域が幅ｄ１で開口するとともに、絶縁部材６が形成されていない下部領域が幅ｄ３で開口した状態となる。

（接合層形成工程）
次に、第５実施形態と同様に、接合層形成工程Ｓ５０Ｅを行うことにより、接合層９１，９２を形成する。
すなわち、まず、接合層成膜工程Ｓ２５１（図２８参照）において、図３４（ｃ）に示すように、ウェハ上に金属膜９０を成膜する。
次に、レジストマスク形成工程Ｓ２５２（図２８参照）において、図３４（ｄ）に示すように、ウェハ上に、バンプ７１，７２の上方である接合層９１，９２を設ける領域を被覆するレジストマスクＰＲ８を形成する。なお、レジストマスクＰＲ８は、第５実施形態におけるレジストマスクＰＲ７と同様にして形成される。

次に、接合層エッチング工程Ｓ２５３（図２８参照）において、図３５（ａ）に示すように、レジストマスクＰＲ８をマスクとして金属膜９０をエッチングすることによって、接合層９１，９２のパターンを形成する。
次に、レジスト除去工程Ｓ２５４（図２８参照）において、図３５（ｂ）に示すように、レジストマスクＰＲ８を除去することによって、接合層９１，９２が形成される。

（個片化工程）
次に、第４実施形態および第５実施形態と同様に、個片化工程Ｓ６０Ｄを行うことにより、発光素子を個片化する。
すなわち、まず、シート貼合せ工程Ｓ１６１（図２２参照）において、図３５（ｃ）に示すように、ウェハの絶縁部材６が形成された側の面を粘着シートＳＨＴ１と貼り合わせる。

次に、基板剥離工程Ｓ１６２（図２２参照）において、ＬＬＯ法などによって、図３５（ｄ）に示すように、基板２を剥離することで除去する。本実施形態においても、接合層形成工程Ｓ５０Ｅを終了後は、各発光素子は基板２のみで連結されている。このため、基板２を剥離して完全に除去することにより、発光素子が個片化される。
次に、半導体層粗面化工程Ｓ１６３（図２２参照）において、図３６（ａ）に示すように、半導体構造体１の下面および側面を粗面化することによって、凹凸形状１ａを形成する。

（波長変換部材形成工程）
次に、第４実施形態および第５実施形態と同様にして、波長変換部材形成工程Ｓ７０Ｄを行うことによって、図３６（ｂ）に示すように、個片化された発光素子の下面および側面に波長変換部材８を形成する。
以上の手順により、発光素子１０Ｆが完成する。

なお、本実施形態においては、区画線ＢＤに沿って形成された絶縁部材６の隙間である開口部６ａの幅はｄ１であるが、半導体構造体１の側面における隙間の幅はｄ３と狭くなっている。このため、第４実施形態と同様に、波長変換部材８を形成する際に、または／および、個々の発光素子１０Ｆに切断する際に、発光素子１０Ｆの配列間隔を広げるようにしてもよい。

また、本実施形態においては、波長変換部材８を設けることが好ましい領域である半導体構造体１の側面において、隙間の幅ｄ３が、絶縁部材６の側面における隙間の幅ｄ１より小さくなっており、底面視すると、絶縁部材６の側面が、半導体構造体１の側面の内側に隠されることとなる。すなわち、図３６（ｂ）において、発光素子１０Ｆの下方からスプレー法により蛍光体入り樹脂を塗布する場合は、絶縁部材６の側面に塗布されにくい形状となっている。従って、スプレー法により蛍光体入り樹脂を塗布するようにすることで、絶縁部材６の側面に波長変換部材８を薄く形成したり、絶縁部材６の側面に波長変換部材８を形成しないようにするために、より適した構造となっている。これによって、波長変換部材８を形成した後の切断工程Ｓ１７２（図２２参照）で、波長変換部材８を容易に切断したり、切断工程Ｓ１７２（図２２参照）を省略することができる。

〔第７実施形態〕
次に、本発明の第７実施形態に係る発光素子の製造方法およびこの製造方法によって製造される発光素子について説明する。前記した他の実施形態またはその変形例と同一の要素については、同じ符号を付して説明を適宜省略する。

［発光素子の構成］
まず、図３７を参照して、第７実施形態に係る発光素子の製造方法によって製造される発光素子１０Ｇについて説明する。
図３７に示すように、発光素子１０Ｇは、図３２に示した第６実施形態に係る発光素子１０Ｆに対して、基板２を有することと、絶縁部材６が、半導体構造体１の側面部を、厚さ方向についてすべて被覆するように設けられていることと、波長変換部材８が設けられていないこととが異なる。また、発光素子１０Ｇは、基板２を剥離されずに有しているため、半導体構造体１の下面および側面が粗面化されていない。

本実施形態においては、発光素子１０Ｇの半導体構造体１の側面のすべてを、光反射性を有する絶縁部材６で被覆することによって、半導体構造体１からの光を、半導体構造体１の下面からのみ外部に取り出される。このため、発光素子１０Ｇの下面の法線方向に出射される光の強度分布を一様にすることができる。

［発光素子の製造方法］
次に、図３８〜図４２を参照（適宜図３７参照）して、第７実施形態に係る発光素子の製造方法について説明する。

（半導体形成工程、電極形成工程、バンプ形成工程）
まず、第４実施形態ないし第６実施形態と同様にして、半導体形成工程Ｓ１０と、電極形成工程Ｓ２０と、バンプ形成工程Ｓ３０とを行うことにより、図２３（ａ）に示すように、基板２上に半導体構造体１と、全面電極３１（図２１（ｂ）参照）、カバー電極３２（図２１（ｂ）参照）、保護膜４およびパッド電極５１，５２と、バンプ７１，７２とを順次に形成する。

（基板面露出工程）
次に、基板面露出工程Ｓ８０Ｇにおいて、区画領域における半導体構造体１を除去することによって、区画領域に基板２を露出させるとともに、半導体構造体１の厚さ方向の全領域に亘って側面を露出させる。基板面露出工程Ｓ８０Ｇは、３つのサブ工程として、レジストマスク形成工程Ｓ４８１と、半導体層エッチング工程Ｓ４８２と、レジスト除去工程Ｓ４８３とが含まれる。

まず、レジストマスク形成工程Ｓ４８１において、フォトリソグラフィ法によって、図３９（ａ）に示すように、ウェハ上にレジストマスクＰＲ９を形成する。レジストマスクＰＲ９は、区画線ＢＤに沿った幅ｄ４の領域に開口部ＰＲ９ａを有するように形成される。

ここで、後記する個片化工程Ｓ６０Ｇにおいて、レーザスクライブ法や幅の薄いブレードを用いたダイシング法により分割するために確保すべき幅をｄ１とすると、ｄ４＞ｄ１となるように幅ｄ４が定められる。そして、半導体構造体１の側面に形成される絶縁部材６の厚さは、幅ｄ１と幅ｄ４との差分の１／２に相当する厚さとなる。従って、絶縁部材６が反射膜として十分に機能するように、幅ｄ１および幅ｄ４を定めることが好ましい。

次に、半導体層エッチング工程Ｓ４８２において、図３９（ｂ）に示すように、レジストマスクＰＲ９をエッチングマスクとして半導体構造体１をエッチングすることによって、区画線ＢＤに沿った幅ｄ４の領域について基板２を露出させる。
次に、レジスト除去工程Ｓ４８３において、適宜な薬剤などを用いて、図３９（ｃ）に示すように、レジストマスクＰＲ９を除去する。

（絶縁部材形成工程）
次に、絶縁部材形成工程Ｓ４０Ｇにおいて、ウェハ上に絶縁部材６を形成する。本実施形態における絶縁部材形成工程Ｓ４０Ｇには、４つのサブ工程として、レジストマスク形成工程Ｓ４４１と、樹脂塗布工程Ｓ４４２と、表面研削工程Ｓ４４３と、レジスト除去工程Ｓ４４４とが含まれる。
なお、本実施形態における絶縁部材形成工程Ｓ４０Ｇの各サブ工程は、第４実施形態における絶縁部材形成工程Ｓ４０Ｄの対応するサブ工程と同様に行うことができるが、第４実施形態では、レジストマスクＰＲ５（図２３（ｂ）参照）を半導体構造体１の露出面上に形成するのに対して、本実施形態では、レジストマスクＰＲ１０を基板２の露出面上に形成することが異なる。

まず、レジストマスク形成工程Ｓ４４１において、フォトリソグラフィ法によって、図３９（ｄ）に示すように、基板２の露出面を被覆するように、区画線ＢＤに沿って幅ｄ１にパターニングされたレジストマスクＰＲ１０を形成する。このとき、レジストマスクＰＲ１０は、半導体構造体１の側面から離間して設けられる。

次に、樹脂塗布工程Ｓ４４２において、図４０（ａ）に示すように、絶縁部材６を形成する液状の樹脂材料をウェハ上に、研削線Ｘ３よりも高くなるような厚さに塗布し、塗布した樹脂材料を硬化させる。これによって、バンプ７１，７２およびレジストマスクＰＲ１０が絶縁部材６に埋設された状態となる。ここで、研削線Ｘ３は、発光素子１０Ｇが完成した際の絶縁部材６の高さである。

次に、表面研削工程Ｓ４４３において、絶縁部材６を内在するバンプ７１，７２およびレジストマスクＰＲ１０とともに研削線Ｘ３の高さまで、上面が平坦化されるように研削する。これによって、図４０（ｂ）に示すように、バンプ７１，７２およびレジストマスクＰＲ１０の上面が絶縁部材６から露出する。

次に、レジスト除去工程Ｓ４４４において、レジストマスクＰＲ１０を除去することによって、図４０（ｃ）に示すように、区画線ＢＤに沿った幅ｄ１の領域において半導体構造体１を露出させる。
なお、レジスト除去工程Ｓ４４４を行わずに、後記する接合層形成工程Ｓ５０Ｇのレジスト除去工程Ｓ４５４でレジストマスクＰＲ１０を除去するようにしてもよい。

（接合層形成工程）
次に、第５実施形態および第６実施形態と同様に、接合層形成工程Ｓ５０Ｅを行うことにより、接合層９１，９２を形成する。
すなわち、まず、接合層成膜工程Ｓ２５１（図２８参照）において、図４０（ｄ）に示すように、ウェハ上に金属膜９０を成膜する。
次に、レジストマスク形成工程Ｓ２５２（図２８参照）において、図４１（ａ）に示すように、ウェハ上に、バンプ７１，７２の上方である接合層９１，９２を設ける領域を被覆するレジストマスクＰＲ１１を形成する。なお、レジストマスクＰＲ１１は、第５実施形態におけるレジストマスクＰＲ７と同様にして形成される。

次に、接合層エッチング工程Ｓ２５３（図２８参照）において、図４１（ｂ）に示すように、レジストマスクＰＲ１１をマスクとして金属膜９０をエッチングすることによって、接合層９１，９２のパターンを形成する。
次に、レジスト除去工程Ｓ２５４（図２８参照）において、図４１（ｃ）に示すように、レジストマスクＰＲ１１を除去することによって、接合層９１，９２が完成する。

（個片化工程）
次に、個片化工程Ｓ６０Ｇを行うことにより、発光素子を個片化する。本実施形態における個片化工程Ｓ６０Ｇは、２つのサブ工程として、シート貼合せ工程Ｓ４６１と、ウェハ分割工程Ｓ４６２とが含まれる。

まず、シート貼合せ工程Ｓ４６１において、第１実施形態におけるシート貼合せ工程Ｓ６１（図４参照）と同様にして、図４１（ｄ）に示すように、ウェハの絶縁部材６が形成された側の面を粘着シートＳＨＴ１と貼り合わせる。
次に、ウェハ分割工程Ｓ４６２において、図４２に示すように、区画線ＢＤに沿って基板２を切断することにより、個々の発光素子１０Ｇに分割する。なお、本実施形態におけるウェハ分割工程Ｓ４６２は、第１実施形態におけるウェハ分割工程Ｓ６３（図４参照）と同様に行うことができ、例えば、レーザスクライブ法によって区画線ＢＤに沿って基板２に加工を施し、ブレイキング法により割断することができる。

なお、本実施形態の個片化工程Ｓ６０Ｇにおいても、第１実施形態の個片化工程Ｓ６０と同様に、シート貼合せ工程Ｓ４６１とウェハ分割工程Ｓ４６２との間に、裏面研削工程Ｓ６２（図４参照）を行い、基板２を薄肉化するようにしてもよい。
以上の手順により、発光素子１０Ｇが完成する。

〔その他の変形例〕
なお、前記した各実施形態に説明した工程は、適宜に入れ替えて構成することもできる。
例えば、第１実施形態における接合層形成工程Ｓ５０や第４実施形態における接合層形成工程Ｓ５０Ｄは、リフトオフによるパターン形成法を用いるものであるが、第５実施形態における接合層形成工程Ｓ５０Ｅのように、エッチングによるパターン形成法を用いるようにしてもよい。
また、第５実施形態ないし第７実施形態において、接合層形成工程Ｓ５０Ｅに代えて、第１実施形態における接合層形成工程Ｓ５０や第４実施形態における接合層形成工程Ｓ５０Ｄのように、リフトオフによるパターン形成法を用いるようにしてもよい。

また、第４実施形態ないし第７実施形態において、第２実施形態のように、バンプ７１，７２を介さずに、接合層９１，９２を、パッド電極５１，５２と直接接合するように形成してもよい。

また、第４実施形態ないし第６実施形態において、基板２を剥離除去せずに、第１実施形態の個片化工程Ｓ６０や第７実施形態の個片化工程Ｓ６０Ｇのように、基板２を割断することで、発光素子を個片化するようにしてもよい。
また、第７実施形態において、個片化工程Ｓ６０Ｇに代えて、第４実施形態の個片化工程Ｓ６０Ｄを行い、さらに波長変換部材形成工程Ｓ７０Ｄを行うことで、波長変換部材８を形成するようにしてもよい。すなわち、第７実施形態において、基板２の割断に代えて、基板２を剥離除去することで個片化するようにしてもよい。また、基板２を除去した後で、光取出し効率が向上するように、露出した半導体構造体１の下面を粗面化することで凹凸形状１ａ（例えば、図２６（ｂ）参照）を形成するようにしてもよい。さらに、半導体構造体１の下面を粗面化した後で、または粗面化せずに、半導体構造体１の下面側に波長変換部材８（例えば、図２６（ｃ）参照）を形成するようにしてもよい。
さらにまた、第４実施形態ないし第６実施形態において、基板２を剥離除去せずに、第３実施形態またはその変形例と同様にして、基板２の下面側に波長変換部材８を形成するようにしてもよい。また、第７実施形態においても、第３実施形態またはその変形例と同様にして、基板２の下面側に波長変換部材８を形成するようにしてもよい。

以上説明したように、各実施形態に係る発光素子の製造方法は、第１半導体層（ｎ型半導体層１１）と第１半導体層上の一部の領域に積層した第２半導体層（ｐ型半導体層１３）とを有する半導体構造体（１，１Ｂ，１Ｃ）と、第１半導体層（１１）および第２半導体層（１３）のそれぞれに接続した電極（ｎ側パッド電極５１，ｐ側パッド電極５２，５１Ｂ，５２Ｂ）と、を備えた発光素子（１０，１０Ａ〜１０Ｇ）を、区画線に沿って分割することにより個片化して製造する発光素子の製造方法である。
そして、電極（５１，５２，５１Ｂ，５２Ｂ）を形成した半導体構造体１を、電極（５１，５２，５１Ｂ，５２Ｂ）における外部との電気的接続のための接続領域と、区画線に沿った所定の幅（ｗ１）の区画領域を含む領域（幅ｄ１）と、を除いて被覆する絶縁部材（６，６Ａ，６Ｂ）を形成する絶縁部材形成工程（Ｓ４０，Ｓ４０Ａ，Ｓ４０Ｄ，Ｓ４０Ｅ，Ｓ４０Ｇ）と、区画線に沿って、半導体構造体（１，１Ｂ，１Ｃ）を発光素子（１０，１０Ａ〜１０Ｇ）ごとに個片化する個片化工程（Ｓ６０，Ｓ６０Ａ，Ｓ６０Ｄ，Ｓ６０Ｇ）と、を有し、絶縁部材形成工程（Ｓ４０，Ｓ４０Ａ，Ｓ４０Ｄ，Ｓ４０Ｅ，Ｓ４０Ｇ）において、少なくとも区画領域上にマスク（ＰＲ３，ＰＲ３Ａ，ＰＲ５，ＰＲ１０）を形成した後に、半導体構造体（１，１Ｂ，１Ｃ）上を絶縁材料で被覆し、上面側からマスク（ＰＲ３，ＰＲ３Ａ，ＰＲ５，ＰＲ１０）が露出するように絶縁材料を除去した後に、マスク（ＰＲ３，ＰＲ３Ａ，ＰＲ５，ＰＲ１０）を除去することによって、絶縁部材（６，６Ａ，６Ｂ）を形成するものである。
絶縁材料を上面側から除去することで絶縁部材（６，６Ａ，６Ｂ）の高さ方向の形状が形成されるため、支持体としての絶縁部材（６，６Ａ，６Ｂ）を、精度よい厚さで形成することができる。また、個片化するために絶縁部材（６，６Ａ，６Ｂ）を切断する必要がないため、個片化のための切り代として確保すべき区画領域の幅を狭くすることができる。

また、絶縁部材形成工程（Ｓ４０，Ｓ４０Ａ，Ｓ４０Ｄ，Ｓ４０Ｅ，Ｓ４０Ｇ）において、マスク（ＰＲ３，ＰＲ３Ａ，ＰＲ５，ＰＲ１０）が露出するように絶縁材料を除去する際に、絶縁部材（６，６Ａ，６Ｂ）の上面を平坦化するようにしてもよい。
これによって、実装面となる絶縁部材（６，６Ａ，６Ｂ）の上面が平坦に形成されるため、信頼性の高い実装が可能な発光素子（１０，１０Ａ〜１０Ｇ）を製造することができる。

また、絶縁部材形成工程（Ｓ４０，Ｓ４０Ａ，Ｓ４０Ｄ，Ｓ４０Ｅ，Ｓ４０Ｇ）の前に、電極（５１，５２，５１Ｂ，５２Ｂ）の接続領域に、導電性材料でバンプ（７１，７２）を形成するバンプ形成工程（Ｓ３０）をさらに行い、絶縁部材形成工程（Ｓ４０，Ｓ４０Ａ，Ｓ４０Ｄ，Ｓ４０Ｅ，Ｓ４０Ｇ）において、バンプ（７１，７２）の上面が絶縁部材の上面と同じ高さになるように、バンプ（７１，７２）を絶縁部材（６，６Ａ，６Ｂ）と共に平坦化するようにしてもよい。
これによって、実装面となる絶縁部材（６，６Ａ，６Ｂ）の上面が、バンプ（７１，７２）を含めて平坦に形成されるため、信頼性の高い実装が可能な発光素子（１０，１０Ａ〜１０Ｇ）を製造することができる。

また、絶縁部材形成工程（Ｓ４０，Ｓ４０Ａ，Ｓ４０Ｄ，Ｓ４０Ｅ，Ｓ４０Ｇ）の後であって個片化工程（Ｓ６０，Ｓ６０Ａ，Ｓ６０Ｄ，Ｓ６０Ｇ）の前に、一部が絶縁部材（６，６Ａ，６Ｂ）の上面に形成されて電極（５１，５２，５１Ｂ，５２Ｂ）のそれぞれと電気的に接続する電極接合層（９１，９２，９１Ａ，９２Ａ）を形成する電極接合層形成工程（Ｓ５０，Ｓ５０Ａ，Ｓ５０Ｄ，Ｓ５０Ｅ）をさらに行うようにしてもよい。
これによって、実装時の接合性の高い発光素子（１０，１０Ａ〜１０Ｇ）を製造することができる。

また、半導体構造体（１）は、半導体材料を結晶成長さるための基板（２）上に形成されており、個片化工程（Ｓ６０Ｄ）よりも前に、区画領域について、半導体構造体（１）をすべて除去する半導体構造体除去工程（基板面露出工程Ｓ８０Ｄ，Ｄ８０Ｅ，Ｓ８０Ｆ）をさらに有し、個片化工程（Ｓ６０Ｄ）において、基板（２）を除去することにより、発光素子（１０Ａ〜１０Ｆ）を個片化するようにしてもよい。
これによって、発光素子（１０Ａ〜１０Ｆ）を容易に個片化することができる。また、基板（２）を切断するための領域を別途に確保する必要がないため、半導体構造体除去工程（基板面露出工程Ｓ８０Ｄ，Ｄ８０Ｅ，Ｓ８０Ｆ）において、半導体構造体（１）を除去可能な幅を個片化のために必要な区画領域の幅とすることができる。

以上、本発明に係る発光素子の製造方法について、本発明を実施するための形態について説明したが、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、これらの記載に基づいて種々変更、改変等したものも本発明の趣旨に含まれることはいうまでもない。

１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ 発光素子
１０Ｄ，１０Ｅ，１０Ｆ，１０Ｇ 発光素子
１０ｓ ストリート（区画領域）
１，１Ｂ，１Ｃ 半導体構造体
１１ ｎ型半導体層（第１半導体層）
１２ 活性層
１３ ｐ型半導体層（第２半導体層）
２０，２０Ａ，２０Ｃ ウェハ
２，２Ｂ 基板
３１，３１Ｂ 全面電極
３２，３２Ｂ カバー電極
４，４Ｂ 保護膜
４ｈ 開口部
５１，５１Ｂ ｎ側パッド電極（電極）
５２，５２Ｂ ｐ側パッド電極（電極）
６，６Ａ，６Ｂ 絶縁部材
７１，７１Ｂ ｎ側のバンプ（バンプ）
７２，７２Ｂ ｐ側のバンプ（バンプ）
８，８Ａ 波長変換部材
９１，９１Ａ ｎ側の接合層（電極接合層）
９２，９２Ａ ｐ側の接合層（電極接合層）
ＰＲ１，ＰＲ２，ＰＲ４ レジストマスク
ＰＲ３，ＰＲ３Ａ レジストマスク（パターンマスク、マスク）
ＰＲ５，ＰＲ１０ レジストマスク（パターンマスク、マスク）
ＰＲ６，ＰＲ７，ＰＲ８，ＰＲ９，ＰＲ１１ レジストマスク
Ｓ１０ 半導体形成工程
Ｓ２０ 電極形成工程
Ｓ３０ バンプ形成工程
Ｓ４０，Ｓ４０Ａ，Ｓ４０Ｂ，Ｓ４０Ｃ 絶縁部材形成工程
Ｓ４０Ｄ，Ｓ４０Ｅ，Ｓ４０Ｇ 絶縁部材形成工程
Ｓ５０，Ｓ５０Ａ 接合層形成工程（電極接合層形成工程）
Ｓ５０Ｄ，Ｓ５０Ｅ 接合層形成工程（電極接合層形成工程）
Ｓ６０，Ｓ６０Ａ 個片化工程
Ｓ６０Ｄ，Ｓ６０Ｇ 個片化工程
Ｓ７０ 波長変換部材形成工程
Ｓ７０Ｄ 波長変換部材形成工程
Ｓ８０Ｅ，Ｓ８０Ｆ，Ｓ８０Ｇ 基板面露出工程（半導体構造体除去工程）

Claims (23)

1. 第１半導体層と前記第１半導体層上の一部の領域に積層した第２半導体層とを有する半導体構造体と、前記第１半導体層および前記第２半導体層のそれぞれに接続した電極と、を備えたフリップチップ実装用の発光素子を、区画線に沿って分割することにより個片化して製造する発光素子の製造方法であって、
   前記半導体構造体を形成する半導体形成工程と、
   前記半導体構造体の上に保護膜を形成し、前記半導体構造体の前記第１半導体層および前記第２半導体層のそれぞれの上の前記保護膜で被覆されていない領域に、前記電極を形成する電極形成工程と、
   前記保護膜および前記電極を形成した前記半導体構造体を、前記電極における外部との電気的接続のための接続領域と、前記区画線に沿った所定の幅の区画領域を含む領域と、を除いて被覆する絶縁部材を形成する絶縁部材形成工程と、
   前記絶縁部材で被覆された半導体構造体を、前記区画線に沿って分割することにより個片化して、前記区画領域が除去された発光素子にする個片化工程と、を行い、
   前記電極形成工程の後であって前記絶縁部材形成工程の前に、前記電極の前記接続領域に、導電性材料でバンプを形成するバンプ形成工程をさらに行い、
   前記絶縁部材形成工程の前記平坦化作業において、前記バンプを、上面が前記絶縁部材の上面と同じ高さになるように、前記絶縁部材と共に平坦化することを特徴とする発光素子の製造方法。
2. 前記絶縁部材形成工程は、前記電極を形成した前記半導体構造体の上に前記絶縁部材で被覆しない領域を被覆するようにパターンマスクを形成した後に絶縁材料で被覆して、上面において前記パターンマスクが露出するように前記絶縁材料を除去した後に、前記パターンマスクを除去することによって、前記絶縁部材を形成することを特徴とする請求項１に記載の発光素子の製造方法。
3. 前記絶縁部材形成工程は、前記絶縁部材を、感光性樹脂材料で形成してフォトリソグラフィにて加工することを特徴とする請求項１に記載の発光素子の製造方法。
4. 前記絶縁部材形成工程において、前記絶縁部材の上面を平坦化する平坦化作業を行うことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法。
5. 前記絶縁部材形成工程の後であって前記個片化工程の前に、一部が前記絶縁部材の上面に形成されて前記電極のそれぞれと電気的に接続する電極接合層を形成する電極接合層形成工程をさらに行うことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法。
6. 前記半導体形成工程は、前記第１半導体層および前記第２半導体層を構成する各層を積層した後に、上面の一部の領域に前記第１半導体層が露出するように前記第２半導体層を除去し、
   前記一部の領域は、前記第１半導体層に接続する前記電極を形成する領域と、前記区画領域と、をそれぞれ含む領域であることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法。
7. 前記半導体構造体は、半導体材料を結晶成長させるための基板上に形成されており、
   製造後の発光素子では、平面視周縁部において、前記半導体構造体が前記第１半導体層まで除去され、さらに前記基板の上部まで除去されて、前記絶縁部材で被覆されていることを特徴とする請求項１ないし請求項６いずれか一項に記載の発光素子の製造方法。
8. 第１半導体層と前記第１半導体層上の一部の領域に積層した第２半導体層とを有する半導体構造体と、前記第１半導体層および前記第２半導体層のそれぞれに接続した電極と、を備えた発光素子を、区画線に沿って分割することにより個片化して製造する発光素子の製造方法であって、
   前記半導体構造体を形成する半導体形成工程と、
   前記半導体構造体の前記第１半導体層および前記第２半導体層のそれぞれの上に、前記電極を形成する電極形成工程と、
   前記電極を形成した前記半導体構造体を、前記電極における外部との電気的接続のための接続領域と、前記区画線に沿った所定の幅の区画領域を含む領域と、を除いて被覆する絶縁部材を形成する絶縁部材形成工程と、
   前記絶縁部材で被覆された半導体構造体を、前記区画線に沿って分割することにより個片化して、前記区画領域が除去された発光素子にする個片化工程と、を行い、
   前記絶縁部材形成工程は、前記電極を形成した前記半導体構造体の上に前記絶縁部材で被覆しない領域を被覆するようにパターンマスクを形成した後に絶縁材料で被覆して、上面において前記パターンマスクが露出するように前記絶縁材料を除去した後に、前記パターンマスクを除去することによって、前記絶縁部材を形成し、
   前記絶縁部材形成工程の後であって前記個片化工程の前に、一部が前記絶縁部材の上面に形成されて前記電極のそれぞれと電気的に接続する電極接合層を形成する電極接合層形成工程をさらに行うことを特徴とする発光素子の製造方法。
9. 前記絶縁部材形成工程において、前記絶縁部材の上面を平坦化する平坦化作業を行うことを特徴とする請求項８に記載の発光素子の製造方法。
10. 前記電極形成工程の後であって前記絶縁部材形成工程の前に、前記電極の前記接続領域に、導電性材料でバンプを形成するバンプ形成工程をさらに行い、
    前記絶縁部材形成工程の前記平坦化作業において、前記バンプを、上面が前記絶縁部材の上面と同じ高さになるように、前記絶縁部材と共に平坦化することを特徴とする請求項９に記載の発光素子の製造方法。
11. 前記半導体形成工程は、前記第１半導体層および前記第２半導体層を構成する各層を積層した後に、上面の一部の領域に前記第１半導体層が露出するように前記第２半導体層を除去し、
    前記一部の領域は、前記第１半導体層に接続する前記電極を形成する領域と、前記区画領域と、をそれぞれ含む領域であることを特徴とする請求項８ないし請求項１０のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法。
12. 前記半導体構造体は、半導体材料を結晶成長させるための基板上に形成されており、
    製造後の発光素子では、平面視周縁部において、前記半導体構造体が前記第１半導体層まで除去され、さらに前記基板の上部まで除去されて、前記絶縁部材で被覆されていることを特徴とする請求項８ないし請求項１１いずれか一項に記載の発光素子の製造方法。
13. 第１半導体層と前記第１半導体層上の一部の領域に積層した第２半導体層とを有する半導体構造体と、前記第１半導体層および前記第２半導体層のそれぞれに接続した電極と、を備えた発光素子を、区画線に沿って分割することにより個片化して製造する発光素子の製造方法であって、
    前記電極を形成した前記半導体構造体を、前記電極における外部との電気的接続のための接続領域と、前記区画線に沿った所定の幅の区画領域を含む領域と、を除いて被覆する絶縁部材を形成する絶縁部材形成工程と、
    前記区画線に沿って、前記半導体構造体を発光素子ごとに個片化する個片化工程と、を有し、
    前記絶縁部材形成工程において、少なくとも前記区画領域上にマスクを形成した後に、前記半導体構造体上を絶縁材料で被覆し、
    上面側から前記マスクが露出するように前記絶縁材料を除去した後に、前記マスクを除去することによって、前記絶縁部材を形成し、
    前記絶縁部材形成工程の後であって前記個片化工程の前に、一部が前記絶縁部材の上面に形成されて前記電極のそれぞれと電気的に接続する電極接合層を形成する電極接合層形成工程をさらに行うことを特徴とする発光素子の製造方法。
14. 前記絶縁部材形成工程において、前記マスクが露出するように前記絶縁材料を除去する際に、前記絶縁部材の上面を平坦化することを特徴とする請求項１３に記載の発光素子の製造方法。
15. 前記絶縁部材形成工程の前に、前記電極の前記接続領域に、導電性材料でバンプを形成するバンプ形成工程をさらに行い、
    前記絶縁部材形成工程において、前記バンプの上面が前記絶縁部材の上面と同じ高さになるように、前記バンプを前記絶縁部材と共に平坦化することを特徴とする請求項１４に記載の発光素子の製造方法。
16. 前記半導体構造体は、半導体材料を結晶成長させるための基板上に形成されており、
    前記個片化工程よりも前に、前記区画領域について、前記半導体構造体をすべて除去する半導体構造体除去工程をさらに有し、
    前記個片化工程において、前記基板を除去することにより、前記発光素子を個片化することを特徴とする請求項１３ないし請求項１５のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法。
17. 前記半導体構造体は、半導体材料を結晶成長させるための基板上に形成されており、
    製造後の発光素子では、平面視周縁部において、前記半導体構造体が前記第１半導体層まで除去され、さらに前記基板の上部まで除去されて、前記絶縁部材で被覆されていることを特徴とする請求項１３ないし請求項１６いずれか一項に記載の発光素子の製造方法。
18. 第１半導体層と前記第１半導体層上の一部の領域に積層した第２半導体層とを有する半導体構造体と、前記半導体構造体を被覆する保護膜およびその上を覆う絶縁部材と、前記第１半導体層および前記第２半導体層のそれぞれに接続した電極と、一部が前記絶縁部材の上面に形成されて前記電極のそれぞれと電気的に接続する電極接合層と、を備えたフリップチップ実装用の発光素子を、区画線に沿って分割することにより個片化して製造する発光素子の製造方法であって、
    前記保護膜および前記電極を形成した前記半導体構造体を、前記電極における前記電極接合層との接続領域と、前記区画線に沿った所定の幅の区画領域を含む領域と、を除いて被覆する前記絶縁部材を形成する絶縁部材形成工程と、
    前記区画線に沿って、前記半導体構造体を発光素子ごとに個片化する個片化工程と、を有し、
    前記絶縁部材形成工程において、少なくとも前記区画領域上にマスクを形成した後に、前記半導体構造体上を絶縁材料で被覆し、
    上面側から前記マスクが露出するように前記絶縁材料を除去した後に、前記マスクを除去することによって、前記絶縁部材を形成することを特徴とする発光素子の製造方法。
19. 前記絶縁部材形成工程において、前記マスクが露出するように前記絶縁材料を除去する際に、前記絶縁部材の上面を平坦化することを特徴とする請求項１８に記載の発光素子の製造方法。
20. 前記絶縁部材形成工程の前に、前記電極の前記接続領域に、導電性材料でバンプを形成するバンプ形成工程をさらに行い、
    前記絶縁部材形成工程において、前記バンプの上面が前記絶縁部材の上面と同じ高さになるように、前記バンプを前記絶縁部材と共に平坦化することを特徴とする請求項１９に記載の発光素子の製造方法。
21. 前記絶縁部材形成工程の後であって前記個片化工程の前に、一部が前記絶縁部材の上面に形成されて前記電極のそれぞれと電気的に接続する前記電極接合層を形成する電極接合層形成工程をさらに行うことを特徴とする請求項１８ないし請求項１９のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法。
22. 前記半導体構造体は、半導体材料を結晶成長させるための基板上に形成されており、
    前記個片化工程よりも前に、前記区画領域について、前記半導体構造体をすべて除去する半導体構造体除去工程をさらに有し、
    前記個片化工程において、前記基板を除去することにより、前記発光素子を個片化することを特徴とする請求項１８ないし請求項２１のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法。
23. 前記半導体構造体は、半導体材料を結晶成長させるための基板上に形成されており、
    製造後の発光素子では、平面視周縁部において、前記半導体構造体が前記第１半導体層まで除去され、さらに前記基板の上部まで除去されて、前記絶縁部材で被覆されていることを特徴とする請求項１８ないし請求項２２いずれか一項に記載の発光素子の製造方法。

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