TWI677113B - 發光元件以及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種發光元件，其包含發光疊層、光反射圍欄、接觸電極及波長轉換層。發光疊層具有一第一（上）表面、一底面、以及至少一個連結第一（上）表面及底面的側面。光反射圍欄具有一第二（上）表面，並圍繞發光疊層之側面且暴露出第一（上）表面。接觸電極形成在發光疊層的底面。波長轉換層至少覆蓋第一（上）表面與第二（上）表面，其中，第二（上）表面具有多個微小的凹陷結構分布其上。

Description

發光元件以及其製造方法
本發明係關於一種發光元件以及其製造方法，尤關於一種具有光反射圍欄結構的發光元件以及其製造方法。
發光二極體元件（Light-Emitting Diode；LED）具有低耗電量、低發熱量、操作壽命長、耐撞擊、體積小以及反應速度快等良好特光電性，因此廣泛應用於各種需要使用發光元件的領域，例如，車輛、家電、及照明燈具等。
要將LED所發出的純色光，轉換成其他顏色的光有數種方式可採用。舉例來說，可於LED上覆蓋一層螢光粉將來自LED的光全部或部分轉換成另一種色光。螢光粉是一種光致發光的物質，也可說是波長轉換材料，它可以吸收LED所發出的第一光線後發出不同於第一光線之第二光線。若第一光線未被完全消耗，仍留有部分第一光線與第二光線互相混合，可形成另一種顏色的混合光。然而，因為第一光線與第二光線在不同視角下的光強度比例（混光比率）不同，造成混合光在不同的視角下的色溫也不同。
本發明係揭露一種發光元件的製造方法，其包含提供一發光疊層，其包含一第一（上）表面、一底面、至少一個側面連結第一表面及底面；形成一接觸電極在發光疊層的底面；連結發光疊層至一暫時基板，並於暫時基板上露出側面以及第一表面及底面的其中一者；覆蓋一光反射材料於露出的側面以及第一表面及底面的其中一者；移除部分的光反射材料以露出第一表面或底面以及形成一光反射圍欄，光反射圍欄包含一第二（上）表面，其中第二表面具有多個微小的凹陷結構；以及移除暫時基板。
本發明係揭露一種發光元件，其包含具有一第一（上）表面、一底面以及至少一個側面連結第一表面及底面的發光疊層；具有一第二（上）表面、一內側壁以及一外側壁的光反射圍欄，光反射圍欄圍繞發光疊層之側面，並暴露出第一表面，第二表面由內側壁朝外側壁方向向外隆起；以及一波長轉換層覆蓋第一表面與第二表面。
本發明係揭露一種發光元件，包含具有一上表面、一底面以及至少一個側面連結上表面及底面的發光疊層；一波長轉換層覆蓋上表面以及側面；具有一頂表面的透明保護層，透明保護層包覆波長轉換層且頂表面位於上表面之上；一光反射圍欄形成於透明保護層之上，並暴露出部分頂表面；以及一接觸電極形成在發光疊層的底面。
第1A圖顯示根據本發明一實施例所揭露之一發光元件100之上視圖。第1B圖則繪示自第1A圖剖面線A-A’所視之剖面圖。如第1A圖及第1B圖所示，發光元件100包含一發光疊層120，發光疊層120具有一上表面124、一底面126以及多個側面128，其中多個側面128連結上表面124以及底面126。於一實施例中，發光疊層120為一六面體結構因此具有四個側面128，但若發光疊層120為三角柱、六角柱或其他形狀則不以此為限。一光反射圍欄140圍繞發光疊層120之側面128，並暴露出上表面124。如第1B圖所示，光反射圍欄140具有一上表面142，其與發光疊層120之上表面124具有相近的水平位置且都朝向同一方向。上表面142具有多個微小的凹陷結構142a分布在上表面142上。一波長轉換層160同時覆蓋上表面124與上表面142。在一實例中，波長轉換層160可填滿多個微小的凹陷結構142a。此外，至少二個接觸電極122形成在發光疊層120的底面126上，例如，一個正端接觸電極122a及一個負端接觸電極122b分別形成在發光疊層120的底面126上。然而，接觸電極的數目並不以此為限，例如，正負端接觸電極的數量均大於或等於二。又例如，正負端接觸電極的數量可以不相等，例如一端接觸電極的數量大於或等於N，另一端接觸電極的數量小於N，N為大於2的正整數。
第1C圖顯示根據本發明一實施例所揭露之發光元件100之光跡示意圖。第一光線L1可由發光疊層120射出，經過波長轉換層160時部分第一光線L1被轉換成第二光線L2。第一光線L1及第二光線L2可於波長轉換層160中混合後射出。小角度的第一光線L1可直接穿過上表面124，部分大角度的第一光線L1可被光反射圍欄140反射或散射後往波長轉換層160的中間區域移動，射出的第一光線L1被光反射圍欄140反射後由上表面124離開發光疊層120。因此，藉由將第一光線L1集中在上表面124的上方並減少自側面128離開發光元件100的光，可消除在上表面124上與側面128外圍的混光比例不同造成的色彩分布（color distribution）不均勻的現象，進而達到提高不同視角下色彩分布之均勻度（uniformity of color distribution），同時可提高小角度光線的強度。不同視角下的色彩分布可由不同視角下的△u’v’來表示，其中△u’v’表示u’v’所對應的色座標與一基準值（u0 ’，v0 ’）的偏差值，基準值（u0 ’，v0 ’）定義為所有角度下色座標的平均值。△u’v’數值越大表示兩者的色座標與平均值相距越遠，也就表示色彩分布之均勻性較差。若波長轉換層160具有較均勻的厚度，例如厚度變異量相對於平均厚度小於5%，也可使得來自各方向的第一光線L1經過波長轉換層160的距離較為一致，從而混光光線的顏色也會較為一致。此外，光反射圍欄140之上表面142具有多個微小的凹陷結構142a，因此，光反射圍欄140與波長轉換層160相較於平坦表面可具有更強的接合強度。且凹陷結構142a可散射光線，提高光萃取效果，因此可增加光的均勻性及光強度。
發光疊層120可為一發光二極體結構，可將電能轉換成光能進而發射出第一光線L1。在一實施例中，發光疊層120為覆晶式（flip-chip）的發光二極體晶粒，由上而下分別可包含成長基板（圖未示）、第一半導體層（圖未示）、活性層（圖未示）以及第二半導體層（圖未示），其中成長基板可為藍寶石基板，第一半導體層可為n-型半導體層，第二半導體層可為p-型半導體層。接觸電極122a/122b分別電連接至第一半導體層以及第二半導體，其中接觸電極122a/122b提供發光元件100與外界的電性連結。
光反射圍欄140可反射發光疊層120發出的第一光線L1，使發光疊層120的出光向上表面124集中。光反射圍欄140可覆蓋發光疊層120之側面128的全部或部分。於一實施例中，光反射圍欄140覆蓋發光疊層120之側面128的部分或全部時，可減少發光疊層120發射出第一光線L1由側面漏光。此外，光反射圍欄140還可覆蓋到接觸電極122的側壁之部分或全部，或是高於發光疊層120的上表面124，如此，也可減少對發光疊層發射出第一光線L1由側面漏光。
接觸電極122a及/或122b的底部至上表面142具有一平均高度，接觸電極122a及/或122b的底部至上表面124也具有一平均高度，上述兩者平均高度間的差異可視所需的光學性質做調整。平均高度在此的定義為發光元件100的剖面圖中，接觸電極122a及/或122b的底部至發光疊層的上表面124或光反射圍欄的上表面142，由左至右大約等距離地取5個位置的高度之平均值。在一實施例中，兩個平均高度之間的落差小於40微米，若兩者落差大於40微米，則波長轉換層160在形成時可能會因為兩者之間的落差太大造成在兩者界面之間產生空隙進而影響光學性質（例如，形成全反射）以及可能造成波長轉換層160在兩者界面之間的曲率過大容易產生裂隙。
光反射圍欄140具有多個微小的凹陷結構142a分布在上表面142上，凹陷結構142a可以是規則分布或是不規則分布。在一實施例中，光反射圍欄140之上表面142的表面粗糙度（surface roughness）大於發光疊層120之上表面124的表面粗糙度。在一實施例中，上表面142的表面粗糙度在5微米（µm）x5微米的面積下，均方根值（RMS， Rq ）大於100奈米（nm）。在另一實施例中，在5微米（µm）x5微米的面積下，RMS介於100奈米至400奈米之間。
光反射圍欄140可由光反射材料所組成。在一實例中，光反射材料例如是氧化鈦（TiO2 ）、氧化鋯（ZrO2 ）、氧化鈮（Nb2 O5 ）、氧化鋁（Al2 O3 ）、氧化矽（SiO2 ）、氟化鎂（MgF2 ）、氮化鋁（Al2 N3 ）的塊材，在另一實例中，光反射材料是上述材料的顆粒與接著劑混合的光反射膠料所形成，接著劑例如是矽樹脂、壓克力樹脂或環氧樹脂。
波長轉換層160可包含一透明黏合劑以及多個分散於透明黏合劑中的波長轉換顆粒，其中波長轉換顆粒可吸收第一光線轉換成第二光線。在一實施例中，用來激發波長轉換顆粒的第一光線為發光二極體發出的藍光，第一光線的主波長介於430nm至490nm之間。波長轉換顆粒吸收第一光線後激發出來的第二光線為黃光，黃光的主波長介於530nm至590nm之間。波長轉換層160可包含單一種類或多種材料的波長轉換顆粒。在又一實施例中，波長轉換層160包含發出黃光之波長轉換顆粒。另一實施例中，波長轉換層160包含可發出黃綠光及紅光之波長轉換顆粒。
波長轉換顆粒的材料可包含無機的螢光粉（phosphor）、有機分子螢光色素（Organic Fluorescent Colorants）、半導體材料（Semiconductors）或上述材料的混合。在一實施例中，波長轉換顆粒的材料為螢光粉，螢光粉可選自於Y3 Al5 O12 、Gd3 Ga5 O12 ：Ce、（Lu、Y）3 Al5 O12 ：Ce、SrS：Eu、SrGa2 S4 ：Eu、（Sr、Ca、Ba）（Al、Ga）2 S4 ：Eu、（Ca、Sr）S：（Eu、Mn）、（Ca、Sr）S：Ce、（Sr、Ba、Ca）2 Si5 N8 ：Eu、（Sr、Ba、Ca）（Al、Ga）Si N3 ：Eu、（Ba、Sr、Ca）2 SiO4 ：Eu、（Ca、Sr、Ba）Si2 O2 N2 ：Eu、K2 （Si、Ti、Zr、Sn）F6 ：Mn、Na2 （Ti、Zr）F6 ：Mn所組成之群組。半導體材料可包含II-VI族半導體化合物、III-V族半導體化合物、IV-VI族半導體化合物、或上述材料的組合。半導體材料也可包含量子點(Quantum-dot)材料。量子點材料可選自於硫化鋅（ZnS）、硒化鋅（ZnSe）、碲化鋅（ZnTe）、氧化鋅（ZnO）、硫化鎘（CdS）、硒化鎘（CdSe）、碲化鎘（CdTe）、氮化鎵（GaN）、磷化鎵（GaP）、硒化鎵（GaSe）、銻化鎵（GaSb）、砷化鎵（GaAs）、氮化鋁（AlN）、磷化鋁（AlP）、砷化鋁（AlAs）、磷化銦（InP）、砷化銦（InAs）、碲（Te）、硫化鉛（PbS）、銻化銦（InSb）、碲化鉛（PbTe）、硒化鉛（PbSe）、碲化銻（SbTe）、硫化鋅鎘硒（ZnCdSeS）、及硫化銅銦（CuInS）所組成之群組。
第2圖顯示根據本發明另一實施例之發光元件200之剖面示意圖。發光元件200包含一發光疊層220、一光反射圍欄240圍繞發光疊層220、一波長轉換層260同時覆蓋發光疊層220與光反射圍欄240。發光元件200的底面226上形成有接觸電極222a及222b以及一反射層280，反射層280圍繞接觸電極222a及/或222b（由下視圖觀之）。此外，接觸電極222a及/或222b上分別形成一延伸墊228，延伸墊228與接觸電極222a及/或222b彼此電連接，且延伸墊228與接觸電極222a或222b的面積比例可視其中發光元件200的設計需要做調整。在一實施例中，延伸墊228之一表面積大於接觸電極222a或222b之表面積，延伸墊228完全覆蓋接觸電極222a及/或222b的一個表面並同時覆蓋反射層280的部分表面。在一實施例中，反射層280的厚度大於接觸電極222a及/或222b的厚度，延伸墊228由接觸電極222a及/或222b上延伸至反射層280上時，由於兩者之間具一高低差因此會形成一個斜面228a。在另一實施例中，接觸電極222a及/或222b與反射層280若是共平面，則不存在上述的斜面228a。反射層280可包含光反射材料，反射層280的光反射材料可與光反射圍欄240所使用的相同或不同。反射層280可用網印的方法形成。延伸墊228為一高導電的材料，例如但不限於銅（Cu）、銀（Ag）、金（Au）金屬。在一實施例中，可用電鍍銅的方法形成延伸墊228。
第3A圖至第3G圖顯示根據本發明一實施例之一發光元件的製造流程示意圖。首先提供數個發光疊層120a、120b、120c。發光疊層120a、120b、120c的具體結構可參閱上開敘述。在一實施例中，發光疊層120a、120b、120c具有相同或相近的發光波長，例如皆為紫外光、藍光、紅光、遠紅外光等。此外，各發光疊層120a、120b、120c之底面皆可預先形成至少一個接觸電極，例如，覆晶式的發光二極體晶粒可預形成至少二個接觸電極於發光疊層120a、120b、120c之底面。
參照第3A圖，將發光疊層120a、120b、120c透過一連接層130固定至一暫時基板110上。兩相鄰發光疊層之間有一間隙，例如，發光疊層120a與120b之間以及發光疊層120b與120c之間分別有一間隙150a及150b。發光疊層120a、120b、120c可露出側面、及頂表面或底面其中一者。在一實施例中，發光疊層120a、120b、120c分別露出上表面124a、124b、124c以及側面128a、128b、128c。之後，覆蓋一光反射材料140b於發光疊層露出的表面，如第3C圖所示。光反射材料140b的形成方式可透過模具成形法，例如轉移成型（transfer molding）或是壓縮成形（compression molding）。若使用壓縮成形法，暫時基板110可貼附在第一模具172上。參照第3B圖，將一尚未固化的光反射材料140a，例如是光反射膠料，填入第二模具174中，第二模具174具有一凹槽可容納光反射膠料。再將第一模具172與第二模具174相壓合，如此，多個發光疊層120a、120b、120c埋入至光反射膠料內。光反射材料140a的形狀被第一模具172與第二模具174限制。此步驟中或之後可加熱促使光反射材料140a固化及定型。加熱的溫定視光反射材料140a的性質而定。此外，可藉由調整膠量或是模具內的壓力控制固化後光反射材料140b所需的厚度。參照第3C圖，膠料固化後可將第二模具174脫模，此時，固化後的光反射材料140b覆蓋於多個發光疊層120a，120b及120c的上表面124a、124b、124c及側表面128a、128b、128c。在一實施例中，頂表面124a、124b、124c為發光二極體結構（發光疊層）之成長基板（未顯示）的表面，因此光反射材料140b是覆蓋於發光二極體結構之成長基板的表面。在另一實例中，光反射材料140b覆蓋多個發光疊層120a、120b 、120c的底面(未顯示)及側表面128a、128b、128c，底面為接觸電極的表面，此時，光反射材料140b是覆蓋於發光二極體結構之接觸電極的表面。
參照第3D圖及第3E圖，移除部分的光反射材料140b以露出發光疊層120a、120b、120c的上表面124a、124b、124c以及形成一光反射圍欄140c。移除光反射材料140b的方式包含濕式去膠法，例如水刀去膠法（Water Jet Deflash）或濕式噴砂去膠法（Wet Blasting Deflash）。水刀去膠法的原理是利用噴嘴192將液體，例如水，噴出後利用噴出後壓力將光反射材料140b移除。濕式噴砂去膠法則在液體中添加特定的粒子，同時以液體的壓力以及粒子碰撞光反射材料140b的表面來移除光反射材料140b。在一實施例中，頂表面為發光二極體結構之成長基板的表面，因此，移除部分的光反射材料140b後露出成長基板的表面。在另一實施例中，移除部分的光反射材料140b露出發光疊層120a、120b、120c的底面（未顯示），底面為接觸電極的表面。因此，移除部分的光反射材料140b後露出接觸電極的表面。可藉由物質的碰撞力的大小控制移除光反射材料140b的速度。此外，由物質的碰撞力可產生光反射圍欄140c之上表面具有多個微小的凹陷結構。
參照第3F圖，在露出發光疊層120a、120b、120c的頂表面以及形成一光反射圍欄140c之後，可覆蓋一波長轉換層160a於發光疊層120a、120b、120c的上表面以及光反射圍欄140c的上表面，覆蓋波長轉換層160a的方式可包含塗佈方式、熱壓貼合方式或模塑方式。於一實施例中，熱壓貼合一波長轉換片以形成波長轉換層160a。
參照第3G圖，切割光反射圍欄140c以分離光反射圍欄140c形成一具有光反射圍欄140d的發光元件100。根據一實施例，在覆蓋波長轉換層160a之後可一併切割光反射圍欄140c及波長轉換層160a。因此，發光元件100的側壁包含光反射圍欄140d及波長轉換層160b。換言之，光反射圍欄140d及波長轉換層160b具有共同的平面以形成發光元件100的側壁。切割方式可透過一刀具194做為切割的工具。
第4A圖顯示根據本發明之另一實施例之發光元件200之上視圖。第4B圖顯示第4A圖剖面線I-I之剖面圖。第4C圖顯示第4A圖剖面線II-II之剖面圖。如第4A圖及第4B圖所示，一發光元件300包含一發光疊層320，發光疊層320具有一上表面324、一底面326以及多個側面328，其中多個側面328連結上表面324以及底面326。一光反射圍欄340圍繞發光疊層320之多個側面328，並暴露出頂表面324。光反射圍欄340具有一上表面342、一內側壁348a以及一外側壁348b。如第4B圖所示，光反射圍欄340之上表面342與發光疊層320之上表面324位於同一側且在上表面324的外側。一波長轉換層360同時覆蓋上表面324與上表面342。此外，接觸電極322a及322b形成在發光疊層320的底面326上。如第4A圖、第4B圖及第4C圖所示，光反射圍欄340之上表面342具有一隆起結構342a以及一平緩區342b，其中隆起結構342a由內側壁348a向外隆起至外側壁348b。此外，隆起結構342a位於光反射圍欄340的四個角落處，可以是一弧形結構。內側壁348a的高度低於外側壁348b的高度，若由上視圖（第4A圖）觀之，隆起結構342a與平緩區342b位於發光疊層320的周圍且平緩區342b位於兩相鄰隆起結構342a之間。
光反射圍欄340可提高不同視角下色彩分布之均勻度，同時可提高小角度光線的強度。此外，光反射圍欄340之上表面342具有一由內側壁348a向外隆起至外側壁348b之結構可提高光反射圍欄340與波長轉換層360之間的接觸面積因而可提高兩者之間的接著強度。
第5A圖至第5F圖顯示發光元件300的製造流程示意圖。參照第5A圖，連結發光疊層320a、320b、320c至一暫時基板310上，其中連結的方式可透過一連接層330。兩個發光疊層之間可有一間隙，例如，發光疊層320a與320b之間以及發光疊層320b與320c之間分別有一間隙350a、350b。之後，參照第5B圖，以點膠機370填滿間隙350a、350b以形成光反射材料342’。參照第5C圖及第5D圖，點膠機370填滿各間隙的方式可依序將每行及每列填滿。於一實施例中，先將每一行填滿後再將每一列填滿，在每行與每列的交錯處會重複點膠，因此於此交錯處會產生一凸起結構342’a，凸起結構342’a之間及發光疊層320a、320b、320c側邊的外圍處則是一平緩區342’b。但填滿間隙的方式並不限於上述方式，因此凸起結構342’a可能形成在所有的交錯處，也可能形成在部分的交錯處。
參照第5E圖，覆蓋一波長轉換層360’於發光疊層320a，320b及320c的頂表面以及光反射材料342’的上表面，覆蓋波長轉換層360’的方式可參照前開實施例的說明。之後，參照第5F圖，以刀具390切割光反射材料342’以及波長轉換層360’以形成具有光反射圍欄342以及波長轉換層360的一發光元件300。發光元件300的側壁包含光反射圍欄342及波長轉換層360，且光反射圍欄342及波長轉換層360同平面以形成發光元件300的側壁。
第6A圖顯示本發明之再一實施例之一發光元件400之上視圖。第6B圖顯示第6A圖剖面線B-B’之剖面圖。如第6A圖及第6B圖所示，一發光元件400包含一發光疊層420，發光疊層420具有一上表面424、一底面426以及多個側面428，其中多個側面428連結上表面424以及底面426。接觸電極422a及422b形成在發光疊層420的底面426上。一波長轉換層460覆蓋發光疊層420之上表面424以及多個側面428。一透明保護層480包覆波長轉換層460，其中透明保護層480包含一頂表面482位於發光疊層420的上表面424之上。一光反射圍欄440形成於透明保護層480的頂表面482之上，並暴露出部分的頂表面482。在一實施例中，由上視圖（第6A圖）觀之，光反射圍欄440為口字型，圍繞發光疊層420並暴露出一部份透明保護層480的頂表面482。
第6A圖至第6B圖之實施例所揭露之一發光元件400之光反射圍欄440可提高不同視角下色彩分布之均勻性，同時可提高小角度光線的強度。此外，利用透明保護層480包覆波長轉換層460可避免波長轉換層460內之材料接觸外界的水氣或氧氣，提高波長轉換層460的可靠度。
透明保護層480的材料可以是任何可透光及具有防止外界的水氣或氧氣性質的材料，例如是矽樹脂、環氧樹脂、玻璃。
第7A圖至第7F圖顯示發光元件400的製造流程示意圖。參照第7A圖，連結發光疊層420a，420b，420c至一暫時基板410上。兩個發光疊層之間可有一間隙，例如，發光疊層420a與420b之間以及發光疊層420b與420c之間分別有一間隙450a及450b，其中連結的方式可透過一連接層430。之後，參照第7B圖，覆蓋一波長轉換層460於發光疊層420a、420b、420c的頂表面及多個側面。於一實施例中，將一波長轉換膜460貼合到發光疊層420a、420b、420c的上方。此時，間隙450a、450b並未被波長轉換膜460填滿。於另一實施例中，波長轉換膜460填滿間隙450a、450b。之後，可移除間隙450a、450b內部分的波長轉換膜460使波長轉換膜460之間彼此分離。
之後，參照第7C圖，覆蓋一透明保護層480a於波長轉換層460上。於一實施例中，透明保護層480a完全填滿間隙450a、450b且形成一平坦表面。於一實施例中，於暫時基板410及連接層430上的外圍處先形成一圈圍欄（圖未示），再將未固化的透明保護層480a的材料填入圍欄內並覆蓋波長轉換層460。之後，固化透明保護層480a的材料。於一實施例中，透明保護層480a可在固化步驟之後透過研磨方式使得透明保護層480a的表面更為平整。覆蓋透明保護層480a之方式可以是塗佈、貼合或模塑法。之後，參照第7D圖及第7E圖，形成光反射材料440’於透明保護層480a之上。於一實施例中，光反射材料440’對位已覆蓋波長轉換層460之發光疊層420a、420b、420c，以多個格子狀的結構形成在透明保護層480a之上。光反射材料440’露出部分的透明保護層480a，使得各個格子對應一個發光疊層。光反射材料440’的形成方式可透過網版印刷。由於透明保護層480a已形成一平坦之表面，因此光反射材料440’可輕易的以網版印刷處理。之後，參照第7F圖，以刀具490切割光反射材料440’以及透明保護層480a以形成具有光反射圍欄440以及透明保護層480b的一發光元件400。發光元件400的側壁包含光反射圍欄440及透明保護層480b，且光反射圍欄440及透明保護層480b共平面以形成發光元件400的側壁。
以上所述之實施例僅係為說明本發明之技術思想及特點，其目的在使熟習此項技藝之人士能夠瞭解本發明之內容並據以實施，當不能以之限定本發明之專利範圍，即大凡依本發明所揭示之精神所作之均等變化或修飾，仍應涵蓋在本發明之專利範圍內。
100、200、300、400‧‧‧發光元件
110、310、410‧‧‧暫時基板
120、120a、120b、120c、220、320、320a、320b、320c、420、420a、420b、420c‧‧‧發光疊層
122、122a、122b、222a、222b、322a、322b、422a、422b‧‧‧接觸電極
124、324、424‧‧‧發光疊層之上表面
126、226、326、426‧‧‧發光疊層之底面
128、328、428‧‧‧發光疊層之側面
130、330、430‧‧‧連接層
140、140c、140d、240、340、440‧‧‧光反射圍欄
140a、140b、342’、440’‧‧‧光反射材料
142、342、442‧‧‧光反射圍欄之上表面
142a‧‧‧凹陷結構
150a、150b、350a、350b、450a、450b‧‧‧間隙
160、160a、160b、260、360、360’、460‧‧‧波長轉換層
172‧‧‧第一模具
174‧‧‧第二模具
192‧‧‧噴嘴
194、390、490‧‧‧刀具
228‧‧‧延伸墊
280‧‧‧反射層
342a‧‧‧隆起結構
342b、342’b‧‧‧平緩區
342’a‧‧‧凸起結構
348a‧‧‧內側壁
348b‧‧‧外側壁
370‧‧‧點膠機
480、480a、480b‧‧‧透明保護層
482‧‧‧透明保護層之頂表面
第1A圖至第1C圖係顯示依據本發明一實施例之一種發光元件的示意圖；
第2圖係顯示依據本發明另一實施例之發光元件之剖面圖；
第3A圖至第3G圖係顯示第1A圖至第1C圖之發光元件的製造流程示意圖；
第4A圖至第4C圖係顯示依據本發明再一實施例之一種發光元件的示意圖；
第5A圖至第5F圖係顯示第4A圖至第4C圖之發光元件的製造流程示意圖；
第6A圖至第6B圖係顯示依據本發明再一實施例中所揭示之一種發光元件的上視圖及剖面圖；及
第7A圖至第7F圖係顯示第6A圖至第6B圖之發光元件的製造流程示意圖。
無
無

Claims (10)

  1. 一種發光元件，包含：一發光疊層，包含一第一表面、一底面、以及至少一個側面連結該第一表面及該底面；一光反射圍欄，包含一第二表面並圍繞該側面且暴露出該第一表面，該光反射圍欄之厚度等於或大於該發光疊層之厚度；一接觸電極，形成在該發光疊層的該底面；以及一波長轉換層，至少覆蓋該第一表面與該第二表面，其中，該第二表面具有複數個凹陷結構分布其上，該第一表面的表面粗糙度小於該第二表面的表面粗糙度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中，該波長轉換層填滿該複數個凹陷結構。
  3. 一種發光元件的製造方法，包含：提供一發光疊層及一接觸電極，該發光疊層包含一第一表面、一底面、以及至少一個側面連結該第一表面及該底面，該接觸電極形成在該發光疊層的該底面；連結該發光疊層至一暫時基板，並於該暫時基板上露出該側面、以及該第一表面及該底面其中之一；覆蓋一光反射材料於露出的該側面以及、該第一表面及該底面其中之一；移除部分的該光反射材料以露出該第一表面或該底面以及形成一光反射圍欄，該光反射圍欄包含一第二表面，其中該第二表面具有複數個凹陷結構分布在該第二表面上；以及移除該暫時基板。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之發光元件，其中，於該暫時基板上係露出該第一表面。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之發光元件，其中更包含覆蓋一波長轉換層於該第一表面及該第二表面上。
  6. 如申請專利範圍第3項所述之發光元件，其中，覆蓋該光反射材料的方法包含轉移成型或是壓縮成形。
  7. 如申請專利範圍第3項所述之發光元件，其中，移除該光反射材料的方法包含濕式去膠法。
  8. 一種發光元件，包含：一發光疊層，包含一第一表面、一底面、以及至少一個側面連結該第一表面及該底面；一光反射圍欄，包含一第一隆起結構、一第二隆起結構、以及位於該第一隆起結構以及該第二隆起結構之間的一平緩區，該光反射圍欄圍繞該發光疊層之該側面，並暴露出該第一表面；以及一波長轉換層覆蓋該第一隆起結構，其中，該第一隆起結構，該第二隆起結構以及該平緩區位於該發光疊層的同一側。
  9. 一種發光元件，包含：一發光疊層，包含一上表面、一底面、以及至少一個側面連結該上表面及該底面；一波長轉換層，覆蓋該上表面以及該側面；一透明保護層，包含一頂表面並包覆該波長轉換層，其中該頂表面位於該上表面之上；一光反射圍欄，形成於該透明保護層之上並暴露出部分該頂表面；以及一接觸電極形成在該發光疊層的該底面。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之發光元件，更包含兩接觸電極形成在該底面上。
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