JP2014239099A - 発光チップ - Google Patents
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Abstract
【課題】光の取り出し効率を高めることができる新たな構成の発光チップを提供すること。
【解決手段】本発明の発光チップ(12)は、発光層を表面に備えたチップ(14)と、チップ(14)の裏面側に設けられた透光性樹脂(16)とを備えている。透光性樹脂(16)には、発光層から出射された光を透過し散乱する透光性粒子(16a)が含有されている。透光性粒子(16a)で光が散乱することで、発光層に戻る光の割合を少なくすることができる。
【選択図】図2
【解決手段】本発明の発光チップ(12)は、発光層を表面に備えたチップ(14)と、チップ(14)の裏面側に設けられた透光性樹脂(16)とを備えている。透光性樹脂(16)には、発光層から出射された光を透過し散乱する透光性粒子(16a)が含有されている。透光性粒子(16a)で光が散乱することで、発光層に戻る光の割合を少なくすることができる。
【選択図】図2
Description
本発明は、発光層が形成されたチップを備える発光チップに関する。
LED(Light Emitting Diode)、LD(Laser Diode)等を含む発光デバイスが実用化されている。これらの発光デバイスは、通常、電圧の印加によって光を放出する発光層が形成されたチップを有する発光チップを備える。かかるチップの製造は、先ず、結晶成長用基板上における格子状の分割予定ラインで区画された各領域に、発光層としてエピタキシャル層(結晶層)を成長させる。その後、結晶成長用基板を分割予定ラインに沿って分割して個片化することで、個々の発光チップ用のチップが形成される。
発光チップにおいて、緑や青色の光を出射する発光層がInGaN系のチップでは、サファイアが結晶成長用基板に一般的に用いられ、このサファイア基板上に順次n型GaN半導体層、InGaN発光層、p型GaN半導体層をエピタキシャル成長させる。そして、n型GaN半導体層とp型GaN半導体層とのそれぞれに外部取り出し用電極が形成される。
かかるチップの裏面側(サファイア基板側)を基台となるリードフレームに固定し、チップの表面側(発光層側)をレンズ部材で覆うことにより、発光ダイオードは形成される。このような発光ダイオードでは、輝度の向上が重要な課題とされており、これまでにも光の取り出し効率を高めるための様々な方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
ところで、電圧の印加によって発光層で生じる光は、主に、発光層を含む積層体の2つの主面(表面及び裏面)から放出される。例えば、積層体の表面(レンズ部材側の主面)から放出された光は、レンズ部材等を通じて発光ダイオードの外部に取り出される。一方で、積層体の裏面(サファイア基板側の主面)から放出された光は、サファイア基板を伝播し、その一部は、サファイア基板とリードフレームとの界面等で反射して積層体に戻る。
例えば、切削時の加工性向上等を目的としてチップに薄いサファイア基板を用いると、積層体の裏面と、サファイア基板及びリードフレームの界面との距離は短くなる。この場合、サファイア基板とリードフレームとの界面で反射して積層体に戻る光の割合は、サファイア基板が厚い場合と比較して高くなる。積層体は光を吸収するので、このように積層体に戻る光の割合が高くなると、発光ダイオードの光の取り出し効率は低下してしまう。
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、光の取り出し効率を高めることができる新たな構成の発光チップを提供することを目的とする。
本発明の発光チップは、発光層を表面に備えたチップと、該チップの裏面に配置された透光性樹脂と、を備えて構成され、前記透光性樹脂は、該発光層から出射された光を透過し散乱する粒子を含有したこと、を特徴とする。
この構成によれば、透光性樹脂に含有される粒子によって発光層から出射した光が散乱するので、チップの裏面に直交する方向に出射した光が、透光性樹脂による接着対象となるフレーム等で反射して発光層に戻る光の割合を少なくすることができる。また、透光性樹脂に粒子を含有することで、粒子を含有しない透光性樹脂に比べ、同じ粘度としつつ透光性樹脂の層厚を厚くすることができ、透光性樹脂の側面から放出する光の割合を多くすることもできる。
また、本発明の発光チップでは、該チップは、サファイア基板の上にGaN半導体層から成る発光層が積層されても良い。この構成によれば、青色や緑色の光を放つ発光チップにおいて、光の取り出し効率を高めることができる。また、サファイア基板を薄くしても、透光性樹脂の厚さに応じて、反射光を発光層から外れた位置へ入射できるので、光の取り出し効率を低下させることなく薄いサファイア基板を利用でき、薄い結晶成長用基板による加工性を維持することができる。
本発明によれば、光の取り出し効率を高めることができる新たな構成の発光チップを提供できる。
(実施の形態1)
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。図1は、実施の形態1に係る発光ダイオードの構成例を模式的に示す斜視図であり、図2は、実施の形態1に係る発光ダイオードの発光チップから光が放出される様子を示す断面模式図である。図1に示すように、発光ダイオード1は、基台となるリードフレーム11と、リードフレーム11に支持固定される発光チップ12とを備えている。
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。図1は、実施の形態1に係る発光ダイオードの構成例を模式的に示す斜視図であり、図2は、実施の形態1に係る発光ダイオードの発光チップから光が放出される様子を示す断面模式図である。図1に示すように、発光ダイオード1は、基台となるリードフレーム11と、リードフレーム11に支持固定される発光チップ12とを備えている。
リードフレーム11は、金属等の材料で円柱状に形成されており、一方の底面に相当する裏面側には、導電性を有する2本のリード部材111a,111bが設けられている。リード部材111a,111bは互いに絶縁されており、それぞれ発光ダイオード1の正極、負極として機能する。このリード部材111a,111bは、配線(不図示)等を通じて外部の電源(不図示)に接続される。
リードフレーム11の他方の底面に相当する表面11aには、互いに絶縁された2個の接続端子112a,112bが所定の間隔をあけて配置されている。接続端子112aとリード部材111aとは、リードフレーム11の内部において接続されている。また、接続端子112bとリード部材111bとは、リードフレーム11の内部において接続されている。このため、接続端子112a,112bの電位は、それぞれ、リード部材111a,111bの電位と同程度になる。
発光チップ12は、リードフレーム11の表面11aであって、接続端子112aと接続端子112bとの間に配置されている。図2に示すように、発光チップ12は、チップ14と、このチップ14の裏面14bに設けられた透光性樹脂16とを有する。チップ14は、平面形状が矩形状のサファイア基板141と、サファイア基板141の表面141aに設けられた積層体142とを備えている。積層体142は、GaN系の半導体材料を用いて形成される複数の半導体層(GaN半導体層)を含む。
積層体142は、電子が多数キャリアとなるn型半導体層(例えば、n型GaN層)、発光層となる半導体層(例えば、InGaN層)、正孔が多数キャリアとなるp型半導体層(例えば、p型GaN層)を順にエピタキシャル成長させることで形成される。また、サファイア基板141には、n型半導体層及びp型半導体層のそれぞれと接続され、積層体142に電圧を印加する2個の電極(不図示)が形成される。なお、これらの電極は、積層体142に含まれても良い。
透光性樹脂16は、発光層から出射された光を透過するダイボンディング剤等の樹脂材料からなり、チップ14の裏面14bの全体に設けられてチップ14の裏面14bとリードフレーム11の表面11aとを接着している。透光性樹脂16は、発光層から出射された光を透過し散乱する透光性粒子16aを含有している。透光性粒子16aの材質は、ガラスビーズ、ガラスフリット、Al2O3等とされる。透光性粒子16aは、透光性樹脂16に対し、その接着力を安定して発揮できる所定の配合率で添加される。
リードフレーム11に設けられた2個の接続端子112a,112bは、それぞれ、導電性を有するリード線17a,17bを介して、発光チップ12の2個の電極に接続されている。これにより、リード部材111a,111bに接続される電源の電圧が積層体142に印加される。積層体142に電圧が印加されると、発光層となる半導体層には、n型半導体層から電子が流れ込むと共に、p型半導体層から正孔が流れ込む。その結果、発光層となる半導体層において電子と正孔との再結合が生じ、所定の波長の光が放出される。本実施の形態では、GaN系の半導体材料を用いて発光層となる半導体層を形成しているので、GaN系の半導体材料のバンドギャップに相当する青色や緑色の光が放出される。
リードフレーム11の表面11a側の外周縁には、チップ14の表面14a側を覆うドーム状のレンズ部材18が取り付けられている。レンズ部材18は、所定の屈折率を有する樹脂等の材料で形成されており、チップ14の積層体142から出射される光を屈折させ、発光ダイオード1の外部の所定方向へと導く。このように、チップ14から出射された光は、レンズ部材18を通じて発光ダイオード1の外部に取り出される。
次に、実施の形態1に係る発光ダイオード1による輝度改善効果について、図3の比較用形態1に係る発光ダイオードを参照しながら説明する。図3は、実施の形態1と比較するための比較用形態1に係る発光ダイオードの発光チップから光が放出される様子を示す断面模式図である。図3に示すように、比較用形態1に係る発光ダイオードは、透光性樹脂16が変わる点を除き、実施の形態1に係る発光ダイオード1と共通の構成を備える。すなわち、比較用形態1に係る発光チップ22では、透光性樹脂26に透光性粒子が含有されてなく、その分、実施の形態1の透光性樹脂16と層厚が薄く変化したものとなる。また、平面形状が矩形状のサファイア基板241と、サファイア基板241の表面241aに設けられた積層体242とを備えるチップ24が透光性樹脂26によってリードフレーム11の表面11aに接着される。
図2に示すように、実施の形態1に係る発光ダイオード1(図1参照)において、発光層となる半導体層で生じた光は、主に、積層体142の表面142a(すなわち、発光チップ14の表面14a)、及び裏面142bから放出される。積層体142の表面142aから放出された光(例えば、光路A1)は、上述のように、レンズ部材18(図1参照)等を通じて発光ダイオード1の外部に取り出される。一方で、例えば、積層体142の裏面142bから出射されて直下方向に伝播する光(光路A2)は、サファイア基板141を透過して透光性樹脂16に入射し、透光性樹脂16を透過する間に透光性粒子16aによって散乱される。透光性粒子16aによって散乱された光としては、光路A3,A4,A5を伝播する光を例示できる。
光路A3を伝播する光は、サファイア基板141を透過してから積層体142に入射して吸収され、外部に取り出すことができない。一方、光路A4を伝播する光は、サファイア基板141を透過し、サファイア基板141の側面から外部へ放出される。光路A5を伝播する光は、透光性樹脂16を透過して、リードフレーム11の表面11aで反射される(光路A6)。そして、光路A6を伝播する光は、透光性樹脂16の側面に入射し、外部へ放出される。
また、例えば、積層体142の裏面142bから出射されて光路A7を伝播する光は、サファイア基板141及び透光性樹脂16を透過し、リードフレーム11の表面11aで反射される(光路A8)。そして、光路A8を伝播する光は、透光性樹脂16に入射し、透光性粒子16aによって散乱される。透光性粒子16aによって散乱された光は、一部がサファイア基板141の側面から外部へ放出され(光路A9)、他の一部が透光性樹脂16の側面に入射して外部へ放出される(光路A10)。
これに対し、図3に示すように、比較用形態1に係る発光チップ22の光路B1,B2は、実施の形態1に係る発光チップ12の光路A1,A2と同様となるが、実施の形態1の透光性粒子16aによる光の散乱は、比較用形態1では発生しない。従って、光路B2を伝播する光は、略全部が、透光性樹脂26を透過し、リードフレーム11の表面11aに直交する方向に入射して反射される(光路B3)。そして、光路B3を伝播する光も、リードフレーム11の表面11aに直交する方向となり、透光性樹脂26及びサファイア基板241を透過してから積層体242に入射して吸収され、外部に取り出すことができない。つまり、比較用形態1では、積層体242から出射した光のうち、光路B2と同様に伝播する光は、光路B3を経て、略全部が積層体242に吸収されて外部に取り出すことができなくなる。
以上のように、実施の形態1に係る発光ダイオード1によれば、積層体142から出射して光路A2と同様に伝播する光を透光性粒子16aで散乱させ、その光の一部を光路A4,A6のように伝播させて外部に取り出すことができる。従って、比較用形態1の光路B2を伝播した光に比べ、光路A2を伝播した光において積層体142に戻る光の割合を低く抑えることができる。これにより、サファイア基板141から出る光の割合を多くでき、光の取り出し効率を高めて、輝度の向上を図ることができる。また、透光性樹脂16が透光性粒子16aを含有するので、比較用形態1の透光性樹脂26と同様の接着力としながら、透光性樹脂16の層厚を厚くすることができる。これにより、透光性粒子16aで散乱したり、サファイア基板141を透過したりしてから、透光性樹脂16の側面より放出される光の割合を多くすることができる。
次いで、実施の形態1とは異なる実施の形態2,3について説明する。なお、実施の形態2,3において、実施の形態1と共通する構成要素については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
(実施の形態2)
図4Aは、実施の形態2に係る発光ダイオードの構成例を模式的に示す斜視図であり、図4Bは、実施の形態2に係る発光ダイオードの断面模式図である。図4A及び図4Bに示すように、実施の形態2に係る発光ダイオード3は、パッケージ30の凹部31における底面に形成された実装面32に発光チップ12を支持固定してなる。実装面32には、互いに絶縁された2個の接続電極32a,32bが所定の間隔をあけて配置されている。
図4Aは、実施の形態2に係る発光ダイオードの構成例を模式的に示す斜視図であり、図4Bは、実施の形態2に係る発光ダイオードの断面模式図である。図4A及び図4Bに示すように、実施の形態2に係る発光ダイオード3は、パッケージ30の凹部31における底面に形成された実装面32に発光チップ12を支持固定してなる。実装面32には、互いに絶縁された2個の接続電極32a,32bが所定の間隔をあけて配置されている。
実施の形態2の発光チップ12は、実施の形態1の発光チップ12と同様に、チップ14及びチップ14の裏面14b側に設けられて透光性粒子16aを含有する透光性樹脂16を備え、その上下の向きが実施の形態1に対して反転した状態で固定されている。実施の形態2におけるチップ14の表面14aに設けられた電極(不図示)は、バンプと呼ばれる突起状の端子によって形成され、チップ14の表面14aが実装面32に支持固定されることで、接続電極32a,32bに接続され、発光チップ12がフリップチップ実装される。
(実施の形態3)
図5は、実施の形態3に係る発光ダイオードの構成例を模式的に示す斜視図であり、図6は、実施の形態3に係る発光ダイオードの発光チップから光が放出される様子を示す断面模式図である。実施の形態3に係る発光ダイオード1は、実施の形態1の発光ダイオード1における透光性樹脂16とリードフレーム11の表面11aとの間に透光性部材15を設けて構成される。
図5は、実施の形態3に係る発光ダイオードの構成例を模式的に示す斜視図であり、図6は、実施の形態3に係る発光ダイオードの発光チップから光が放出される様子を示す断面模式図である。実施の形態3に係る発光ダイオード1は、実施の形態1の発光ダイオード1における透光性樹脂16とリードフレーム11の表面11aとの間に透光性部材15を設けて構成される。
透光性部材15は、透光性樹脂16によってのチップ14の裏面14bに接着されている。透光性部材15は、ガラス(例えば、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス等)や樹脂等からなり、発光層から出射された光を透過する材料で形成されている。透光性部材15の表面15aの面積は、サファイア基板141の裏面141bの面積より大きくなっている。また、透光性部材15は、サファイア基板141と同等以上の厚みを有することが望ましい。なお、透光性部材15の裏面15bは、リードフレーム11の表面11aに樹脂(不図示)によって接着され、かかる樹脂は透光性粒子16aを含まない透光性樹脂16と同様の材質とされる。
次に、実施の形態3に係る発光ダイオード1による輝度改善効果について、図7の比較用形態2に係る発光ダイオードを参照しながら説明する。図7は、実施の形態3と比較するための比較用形態2に係る発光ダイオードの発光チップから光が放出される様子を示す断面模式図である。図7に示すように、比較用形態2に係る発光ダイオードは、透光性樹脂16が変わる点を除き、実施の形態3に係る発光ダイオード1と共通の構成を備える。すなわち、比較用形態2に係る発光チップ22では、透光性樹脂26に透光性粒子が含有されてなく、その分、実施の形態3の透光性樹脂16と層厚が薄く変化したものとなる。また、平面形状が矩形状のサファイア基板241と、サファイア基板241の表面241aに設けられた積層体242とを備えるチップ24が透光性樹脂26によって透光性部材25に接着される。
図6に示すように、実施の形態3において、発光層となる半導体層で生じた光は、主に、積層体142の表面142a(すなわち、発光チップ14の表面14a)、及び裏面142bから放出される。積層体142の表面142aから放出された光(例えば、光路C1)は、上述のように、レンズ部材18(図5参照)等を通じて発光ダイオード1の外部に取り出される。一方で、例えば、積層体142の裏面142bから出射されて直下方向に伝播する光(光路C2)は、サファイア基板141を透過して透光性樹脂16に入射し、透光性樹脂16を透過する間に透光性粒子16aによって散乱される。透光性粒子16aによって散乱された光としては、光路C3,C4,C5を伝播する光を例示できる。
光路C3を伝播する光は、サファイア基板141を透過してから積層体142に入射して吸収され、外部に取り出すことができない。一方、光路C4を伝播する光は、サファイア基板141を透過し、サファイア基板141の側面から外部へ放出される。透光性部材15側へ透過して光路C5を伝播する光は、透光性部材15の裏面15bに入射して、リードフレーム11の表面11aで反射される(光路C6)。そして、光路C6を伝播する光は、透光性部材15の側面に入射し、外部へ放出される。
また、例えば、積層体142の裏面142bから出射されて光路C7を伝播する光は、サファイア基板141及び透光性樹脂16を透過し、リードフレーム11の表面11aで反射される(光路C8)。そして、光路C8を伝播する光は、透光性樹脂16に入射し、透光性粒子16aによって散乱される。透光性粒子16aによって散乱された光は、一部がサファイア基板141の側面から外部へ放出され(光路C9)、他の一部が透光性部材15の側面に入射して外部へ放出される(光路C10)。
これに対し、図7に示す比較用形態2に係る発光チップ22の光路D1,D2は、実施の形態3に係る発光チップ12の光路C1,C2と同様となるが、実施の形態3の透光性粒子16aによる光の散乱は、比較用形態2では発生しない。従って、光路D2を伝播する光は、略全部が、透光性樹脂26を透過し、透光性部材25に入射して透過される(光路D3)。光路D3を伝播する光は、透光性部材25の裏面25bに直交する方向に入射するので、リードフレーム11の表面11aで反射されて光路D4を伝播する光も、裏面25bに直交する方向となる。光路D4を伝播する光は、透光性部材25の表面25a、透光性樹脂26及びサファイア基板241を透過してから積層体242に入射して吸収され、外部に取り出すことができない。つまり、比較用形態2では、積層体242から出射した光のうち、光路D2と同様に伝播する光は、光路D3,D4を経て、略全部が積層体242に吸収されて外部に取り出すことができなくなる。
以上のように、実施の形態3に係る発光ダイオード1によれば、実施の形態1の構成に更に透光性部材15を設けた構成としたので、透光性粒子16aで散乱させた光を透光性部材15からも放出させることができ、光の取り出し効率をより一層高めることができる。
(実施の形態4)
次いで、実施の形態4について説明する。なお、実施の形態4において、実施の形態2と共通する構成要素については、同一の符号を付し、その説明を省略する。図8Aは、実施の形態4に係る発光ダイオードの構成例を模式的に示す斜視図であり、図8Bは、実施の形態4に係る発光ダイオードの断面模式図である。図8A及び図8Bに示すように、実施の形態4に係る発光ダイオード3は、実施の形態2の発光ダイオード3における透光性樹脂16に透光性部材15を接着して構成される。実施の形態4の発光チップ12は、実施の形態3の発光チップ12と同様に、透光性粒子16aを含有する透光性樹脂16で接着されたチップ14及び透光性部材15を備え、その上下の向きが実施の形態3に対して反転した状態で固定されている。
次いで、実施の形態4について説明する。なお、実施の形態4において、実施の形態2と共通する構成要素については、同一の符号を付し、その説明を省略する。図8Aは、実施の形態4に係る発光ダイオードの構成例を模式的に示す斜視図であり、図8Bは、実施の形態4に係る発光ダイオードの断面模式図である。図8A及び図8Bに示すように、実施の形態4に係る発光ダイオード3は、実施の形態2の発光ダイオード3における透光性樹脂16に透光性部材15を接着して構成される。実施の形態4の発光チップ12は、実施の形態3の発光チップ12と同様に、透光性粒子16aを含有する透光性樹脂16で接着されたチップ14及び透光性部材15を備え、その上下の向きが実施の形態3に対して反転した状態で固定されている。
なお、サファイア基板は硬くて加工が容易でないので、薄いサファイア基板を用いて加工性を高めておくことが望ましい。上記の各実施の形態に係る発光ダイオード1,3では、サファイア基板141を薄くしても透光性部材15や透光性樹脂16によって光の取り出し効率を高く維持できる。つまり、光の取り出し効率を維持するためにサファイア基板141を厚くして加工性を犠牲にする必要はない。
次に、上記の実施の形態に係る発光ダイオードの輝度改善効果を確認するために行った実験について説明する。本実験では、実施例1〜12として、図2に示す実施の形態1と同様の構成となる発光ダイオードを作成し、透光性樹脂16に含有される透光性粒子16aをそれぞれ異ならせた。また、比較例として、図3の比較用形態1と同様の構成となる発光ダイオードを作成し、透光性樹脂26には透光性粒子を添加しなかった。
本実験では、実施例1〜12、及び比較例の発光ダイオードの輝度を測定した。具体的には、各発光ダイオードから放射される全ての光の強度(パワー)の合計値を測定し(全放射束測定)、比較例を基準(100%)とする輝度に換算した。図9〜図11は、測定結果を示すグラフである。図9〜図11において、縦軸は、各発光ダイオードの全放射束(mW)、又は輝度(%)を示している。
実施例1〜12、及び比較例の全てにおいて同一仕様の発光チップ12,22(図2,3参照)を用いた。具体的には、発光チップ12,22は、表面及び裏面の面積(縦×横)が0.595mm×0.270mmで、厚み(高さ)が0.10mmのサファイア基板141,241に、GaN半導体層からなる発光層を含む積層体142,242が形成されたものとした。実施例1〜12、及び比較例の全てにおいて透光性樹脂16,26は、光を透過するダイボンディング剤を用い、ダイボンディング剤は、高輝度LED用シリコーンボンド剤KER−3000−M2(信越化学製)とした。
実施例1〜3の透光性粒子16aは、WA(Al2O3)とした。実施例1の透光性粒子16aは、粒度を#600、粒径の代表値を20μmとし、透光性樹脂16の層厚の平均を12.1μm、層厚の標準偏差を3.6とした。実施例2の透光性粒子16aは、粒度を#1000、粒径の代表値を12μm、透光性樹脂16の層厚の平均を7.2μm、層厚の標準偏差を1.5とした。実施例3の透光性粒子16aは、粒度を#2000、粒径の代表値を4μm、透光性樹脂16の層厚の平均を2.7μm、層厚の標準偏差を2.1とした。
図9に示すように、実施例1〜3は、比較例に比べ、輝度が0.6〜5.1%高まっており、光の取り出し効率を高めることができる。また、実施例1〜3の上記条件と図9の結果とから、透光性粒子16aが大きい程、透光性樹脂16の層厚が厚くなり、発光ダイオードの輝度が高まるという傾向を確認できた。
実施例4〜6の透光性粒子16aは、WA600とし、透光性樹脂16中の充填率をそれぞれ異ならせた。充填率は、2枚のガラス板に透光性粒子16aを含有する透光性樹脂16を挟み、顕微鏡における500倍の視野中の透光性粒子16aをカウントすることによって算出した。実施例4において、透光性粒子16aの充填率は、4Vol%とし、透光性樹脂16の層厚の平均を12.2μm、層厚の標準偏差を2.9とした。実施例5において、透光性粒子16aの充填率は、16Vol%とし、透光性樹脂16の層厚の平均を14.1μm、層厚の標準偏差を4.5とした。実施例6において、透光性粒子16aの充填率は、24Vol%とし、透光性樹脂16の層厚の平均を14.2μm、層厚の標準偏差を3.8とした。
図10に示すように、実施例4〜6は、基準(100%)に比べ、輝度が4.7〜6.8%高まっており、光の取り出し効率を高めることができる。また、実施例4〜6の上記条件と図10の結果とから、透光性樹脂16aが少なくなる程、発光ダイオードの輝度が高まるという傾向を確認できた。その要因の一つとして、透光性樹脂16aが少なくなる程、透光性樹脂16の側面から出る光の割合が多くなったことが推測される。
実施例7〜12の透光性粒子16aは、ガラスフリット又はガラスビーズからなるガラス粒子とした。実施例7,8において、透光性粒子16aは、ガラスフリット(日本フリット株式会社製、品種:CF0003−20C)とし、屈折率を1.58、中心粒径を25μmとした。実施例9,10において、透光性粒子16aは、ガラスフリット(日本フリット株式会社製、品種:CF0027−20C)とし、屈折率を1.48、中心粒径を21μmとした。実施例11,12において、透光性粒子16aは、ガラスビーズ(日本フリット株式会社製、品種:CF0055WB15−01)とし、中心粒径を20〜30μmとした。実施例8は実施例7より、実施例10は実施例9より、実施例12は実施例11より、透光性粒子16aの添加量を相対的に多くした。
図11に示すように、実施例7〜12は、比較例に比べ、輝度が2.2〜5.2%高まっており、光の取り出し効率を高めることができる。また、実施例7〜12の上記条件と図11の結果とから、透光性粒子16aの添加量が多い程、発光ダイオードの輝度が高まるという傾向を確認できた。その要因の一つとして、ガラス粒子の透光性が良い点が推測される。
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
例えば、上記実施の形態では、サファイア基板とGaN系の半導体材料とを用いるチップ14を例示したが、結晶成長用基板としてGaN基板を用いる等、結晶成長用基板及び半導体材料は実施の形態に限定されない。なお、加工性を高めるためには、サファイア基板等の結晶成長用基板を薄くすると良いが、結晶成長用基板は必ずしも薄くなくて良い。
また、上記実施の形態では、n型半導体層、発光する半導体層、及びp型半導体層を順に設けた積層体142を例示したが、積層体142の構成はこれに限定されない。積層体142は、少なくとも、電子と正孔との再結合により光を放出できるように構成されていれば良い。
また、チップ14は、赤外光を発するチップ(AlGaAs,GaAsPなど)としてもよく、この場合、透光性部材15が赤外光を透過する材質で形成することで、上述の実施の形態と同様の効果が得られる。更に、チップ14が紫外光を発し、透光性部材15が紫外光を透過する材質で形成した場合も、上述の実施の形態と同様の効果が得られる。
本発明は、発光層が形成されたチップを備える発光チップの光取り出し効率を高めるために有用である。
1 発光ダイオード
12 発光チップ
14 チップ
141 サファイア基板
15 透光性部材
16 透光性樹脂
16a 透光性粒子(粒子)
12 発光チップ
14 チップ
141 サファイア基板
15 透光性部材
16 透光性樹脂
16a 透光性粒子(粒子)
Claims (2)
- 発光層を表面に備えたチップと、該チップの裏面に配置された透光性樹脂と、を備えて構成され、
前記透光性樹脂は、該発光層から出射された光を透過し散乱する粒子を含有したこと、を特徴とする発光チップ。 - 該チップは、サファイア基板の上にGaN半導体層から成る発光層が積層されて成ること、を特徴とする請求項1記載の発光チップ。
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