JP5755676B2 - 発光素子及び発光素子パッケージ - Google Patents

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Description

実施例は、発光素子及びこれを含む発光素子パッケージに関する。
半導体の３−５族又は２−６族化合物半導体物質を用いた発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）やレーザーダイオード（Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ：ＬＤ）などの発光素子は、薄膜成長技術及び素子材料の開発によって赤色、緑色、青色及び紫外線などの多様な色を実現することができ、蛍光物質を用いたり色を組み合わせることによって効率の良い白色光線も実現可能であり、蛍光灯、白熱灯などの既存の光源に比べて低消費電力、半永久的な寿命、速い応答速度、安全性、環境親和性の長所を有する。
一般に、白色光を実現するために蛍光体と樹脂を混合した樹脂組成物を発光チップの上部に塗布したり、発光チップを樹脂組成物で密封する方式を使用することができる。また、蛍光体を含有する樹脂のコーティング又はモールディング方法の代わりに、蛍光体を含む層、シート、又はプレートを発光チップの上部に配置する方法を使用することができる。この場合は、蛍光体層、蛍光体シート、又は蛍光体プレートを発光チップの上部に安定的に付着させることが重要である。
実施例は、蛍光体プレートの接着の正確度が向上し、熱に起因する蛍光体プレートの変色及びクラックを防止できる発光素子を提供する。
実施例に係る発光素子は、第１の半導体層、活性層、及び第２の半導体層を含む発光構造物；前記第２の半導体層上に配置される蛍光体プレート；及び前記発光構造物と前記蛍光体プレートとの間に配置され、前記蛍光体プレートを前記発光構造物にボンディングするボンディング部を含む。
前記ボンディング部は、前記第２の半導体層上に配置される第１のボンディング層；及び前記蛍光体プレートの一面上に配置され、前記第１のボンディング層に融着される第２のボンディング層を含み、前記第１のボンディング層と前記第２のボンディング層との間には、融着された境界面が存在し得る。
前記発光素子は、前記第２の半導体層上に配置され、ワイヤボンディングのためのパッド部をさらに含むことができ、前記蛍光体プレートは、前記パッド部を露出させる開口部を有することができる。
前記発光素子は、前記パッド部から拡張される拡張電極部をさらに含むことができ、前記ボンディング部は、前記蛍光体プレートの一面上に配置され、前記拡張電極部とボンディングされる第３のボンディング層を含むことができる。
前記拡張電極部と前記第３のボンディング層との間には、融着された境界面が存在し得る。
前記蛍光体プレートと前記発光構造物との間にはエアボイド（ａｉｒ ｖｏｉｄ）が存在し得る。
前記第２のボンディング層の融点は、前記第１のボンディング層の融点と互いに異なり得る。
前記第３のボンディング層の融点は、前記拡張電極部の融点と互いに異なり得る。
前記第３のボンディング層の幅は、前記拡張電極部の幅より小さいか同一であり得る。
前記第１のボンディング層と前記第２のボンディング層の数は複数であり、前記第１のボンディング層と前記第２のボンディング層は互いに対応するように位置し、第２のボンディング層のうちいずれか一つは、第１のボンディング層のうち対応するいずれか一つにボンディングすることができる。
前記第１のボンディング層及び前記第２のボンディング層は、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕのうち少なくとも一つを含むか、又はこれらを含む合金であり得る。
前記発光素子は、前記第１の半導体層の下側に配置される基板；前記第１の半導体層の一部が露出し、露出する一部上に配置される第１の電極；及び前記第２の半導体層上に配置される伝導層をさらに含むことができ、前記第１のボンディング電極は前記伝導層上に配置することができる。
また、前記発光素子は、前記第１の半導体層の下側に配置される反射層；前記第１の半導体層と前記反射層との間に位置するオーミック領域；及び前記反射層の下側に配置される支持層をさらに含むことができる。
また、前記発光素子は、前記第１の半導体層の下側に配置される第１の電極部；前記第１の電極部の下側に配置され、前記第１の電極部、前記第１の半導体層、及び前記活性層を通過して前記第２の半導体層に接触する第２の電極部；及び前記第１の電極部と前記第２の電極部との間、前記第１の半導体層と前記第２の電極部との間、及び前記活性層と前記第２の電極部との間に配置される絶縁層をさらに含むことができる。前記第２の電極部は、前記第１の電極部の下側に配置される下部電極層；及び前記下部電極層から分岐して前記第２の半導体層に接触する少なくとも一つの接触電極を含むことができる。
実施例は、蛍光体プレートの接着の正確度が向上し、熱に起因する蛍光体プレートの変色及びクラックを防止することができる。
実施例に係る発光素子の平面図である。 図１に示した発光素子のＡＢ方向の断面図である。 図１に示した発光素子のＣＤ方向の断面図である。 図１に示したボンディング部の第１のボンディング層を示す図である。 図１に示したボンディング部の第２のボンディング層を示す図である。 図１に示した発光素子の変形例のＡＢ方向の断面図である。 図６に示した変形例のＣＤ方向の断面図である。 第１のボンディング層と第２のボンディング層の融着を示す図である。 第１のボンディング層に融着された第２のボンディング層を示す図である。 他の実施例に係る発光素子の平面図である。 図１０に示した発光素子のＥＦ方向の断面図である。 図１０に示した第１のボンディング部の第１のボンディング層と第２の拡張電極のボンディング領域を示す図である。 図１０に示した第１のボンディング部の第２のボンディング層と第２のボンディング部の第３のボンディング電極を示す図である。 図１１に示した点線部分の拡大図である。 他の実施例に係る発光素子の平面図である。 図１５に示した発光素子のＡＢ方向の断面図である。 図１５に示した発光素子の変形例を示す平面図である。 図１７に示した変形例のＣＤ方向の断面図である。 他の実施例に係る発光素子の断面図である。 実施例に係る発光素子パッケージを示す図である。 実施例に係る発光素子パッケージを含む照明装置の分解斜視図である。 実施例に係る発光素子パッケージを含む表示装置を示す図である。 実施例に係る発光素子パッケージを含むヘッドランプを示す図である。
以下、各実施例は、添付の図面及び各実施例に対する説明を通して明白になるだろう。実施例の説明において、各層（膜）、領域、パターン又は各構造物が基板、各層（膜）、領域、パッド又は各パターンの「上（ｏｎ）」に又は「下（ｕｎｄｅｒ）」に形成されると記載する場合、「上（ｏｎ）」と「下（ｕｎｄｅｒ）」は、「直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）」又は「他の層を介在して（ｉｎｄｉｒｅｃｔｌｙ）」形成されることを全て含む。また、各層の上又は下は、図面を基準にして説明する。
図面において、大きさは説明の便宜及び明確性のために誇張又は省略したり、又は概略的に示した。また、各構成要素の大きさは、実際の大きさを全的に反映するものではない。また、同一の参照番号は、図面の説明を通して同一の要素を示す。以下、添付の図面を参照して実施例に係る発光素子を説明する。
図１は、実施例に係る発光素子１００−１の平面図で、図２は、図１に示した発光素子１００−１のＡＢ方向の断面図で、図３は、図１に示した発光素子１００−１のＣＤ方向の断面図で、図４は、図１に示したボンディング部１６０−１〜１６０−ｎの第１のボンディング層１７０−１〜１７０−ｎを示し、図５は、図１に示したボンディング部１６０−１〜１６０−ｎの第２のボンディング層１８０−１〜１８０−ｎを示す。
図１〜図５を参照すると、発光素子１００−１は、基板１１０、発光構造物１２０、第１の電極１４２、第２の電極１４４−１、１４４−２、第１のボンディング層１７０−１〜１７０−ｎ（ｎ≧１である自然数）及び第２のボンディング層１８０−１〜１８０−ｎ（ｎ≧１である自然数）を含む少なくとも一つのボンディング部１６０−１〜１６０−ｎ（ｎ≧１である自然数）、及び蛍光体プレート１５０を含む。
基板１１０は発光構造物１２０を支持する。基板１１０は、半導体物質の成長に適した物質で形成することができる。また、基板１１０は、熱伝導性に優れた物質で形成することができ、伝導性基板又は絶縁性基板であり得る。
例えば、基板１１０は、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、又はＧａＮ、ＳｉＣ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＰ、ＩｎＰ、Ｇａ２Ｏ３、ＧａＡｓのうち少なくとも一つを含む物質で形成することができる。このような基板１１０の上面には、光抽出を向上させるために凹凸を形成することができる。
基板１１０と発光構造物１２０との間の格子定数の差による格子不整合を緩和するために、第１の半導体層１２２と基板１１０との間にバッファー層（図示せず）を配置することができる。バッファー層は、３族元素及び５族元素を含む窒化物半導体であり得る。
例えば、バッファー層は、ＩｎＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮのうち少なくとも一つを含むことができる。バッファー層は単一層又は多層構造であり、これには２族元素又は４族元素を不純物としてドーピングすることもできる。
また、第１の半導体層１２２の結晶性向上のためにアンドープ半導体層（図示せず）を基板１１０と発光構造物１２０との間に介在させることができる。アンドープ半導体層は、ｎ型ドーパントがドーピングされないため第１の半導体層１２２に比べて低い電気伝導性を有することを除いては、第１の半導体層１２２と同一であり得る。
発光構造物１２０は、基板１１０上に配置され、光を発生させる。発光構造物１２０は、第１の半導体層１２２の一部を露出させることができる。例えば、第２の半導体層１２６、活性層１２４及び第１の半導体層１２２が部分的にエッチングされることによって第１の半導体層１２２の一部を露出させることができる。
第１の半導体層１２２は、基板１１０上に配置され、窒化物半導体層であり得る。
例えば、第１の導電型半導体層１２２は、ＩｎｘＡｌｙＧａ（１−ｘ−ｙ）Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料、例えば、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮなどから選択することができ、これにはＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅなどのｎ型ドーパントをドーピングすることができる。
活性層１２４は、第１の半導体層１２２と第２の半導体層１２６との間に配置することができる。活性層１２４は、第１の半導体層１２２から提供される電子と第２の半導体層１２６から提供される正孔との結合過程で発生するエネルギーによって光を生成することができる。
活性層１２４は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ―ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体であり、１回以上交互に配置される量子井戸層及び量子障壁層を含む量子井戸構造であり得る。例えば、活性層１２４は、多重量子井戸（ＭＱＷ：Ｍｕｌｔｉ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ）構造であり得る。量子障壁層のエネルギーバンドギャップは、量子井戸層のエネルギーバンドギャップより大きくなり得る。
第２の半導体層１２６は、活性層１２４上に配置され、窒化物半導体層であり得る。第２の半導体層１２６は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ―ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料、例えば、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮなどから選択することができ、これにはＭｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどのｐ型ドーパントをドーピングすることができる。
第１の電極１４２は、露出する第１の半導体層１２２上に配置され、第２の電極１４４−１、１４２は第２の半導体層１２６上に配置することができる。
第１の電極１４２及び第２の電極１４４−１、１４４−２のそれぞれは、導電物質、例えば、Ｐｂ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｇｅ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｌ、ｌｒ、ｌｎ、Ｍｇ、Ｐｔ、Ｐｄのうち少なくとも一つを含むか、又はこれらを含む合金からなり、単層又は複層であり得る。
図１に示した第１の電極１４２及び第２の電極１４４−１、１４４−２は、外部から電源を供給するためのワイヤがボンディングされる電極パッドであり得るが、これに限定されることはない。
蛍光体プレート１５０は、発光構造物１２０、例えば、第２の半導体層１２６上に配置される。蛍光体プレート１５０は、発光構造物１２０から出射される光の波長を変換させることができる。
蛍光体プレート１５０は、蛍光体と樹脂が混合された形態であり得る。蛍光体と混合される樹脂は、硬度が高く、信頼性が良い透明性の熱硬化性樹脂、例えば、シリコン樹脂、エポキシ樹脂、ガラス、ガラスセラミック、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ナイロン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエチレン樹脂、テフロン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリオレフィン樹脂などであり得る。望ましくは、蛍光体プレート１５０は、ポリカーボネート、ガラス、又はガラスセラミックのうちいずれか一つであり得る。
樹脂と混合される蛍光体は、その種類が一つ以上であり得る。蛍光体プレート１５０は、シリケート系蛍光体、ＹＡＧ系蛍光体又はナイトライド（Ｎｉｔｒｉｄｅ）系蛍光体のうち少なくとも一つを含むことができる。例えば、シリケート系蛍光体は、Ｃａ２ＳｉＯ４：Ｅｕ、Ｓｒ２ＳｉＯ４：Ｅｕ、Ｓｒ３ＳｉＯ５：Ｅｕ、Ｂａ２ＳｉＯ４：Ｅｕ、及び（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕであり、ＹＡＧ系蛍光体は、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｙ，Ｇｄ）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅであり、ナイトライド系蛍光体は、Ｃａ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ、ＣａＡｌＳｉＮ２：Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ２：Ｅｕ、α，β−ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕであり得る。
金型を用いてスラリー形態の樹脂と蛍光体の混合物をプレス成形することによって蛍光体プレートを製造できるが、これに限定されることはない。押出器によってスラリー形態の樹脂と蛍光体の混合物を金型から押し出す方法（「押出成形法」という。）によって蛍光体プレートを形成することもできる。又は、樹脂と蛍光体の混合物を底面に注いでおいた後、底面と一定の間隔を維持するように設計されたブレード（ｂｌａｄｅ）を混合物上に通過させて一定の厚さのプレートを作る方法（「ドクターブレード（ｄｏｃｔｏｒ ｂｌａｄｅ）法」という。）によって蛍光体プレートを形成することもできる。
上述した各方法で形成された蛍光体プレート原板は、ソーイング（ｓａｗｉｎｇ）又はスクライビング（ｓｃｒｉｂｉｎｇ）工程を通して所望の大きさ及び形状に切断し、蛍光体プレート１５０を形成することができる。
蛍光体プレート１５０には、ワイヤボンディングのために第２の電極１４４−１、１４４−２を露出させる少なくとも一つの開口部１５３−１、１５３−２を形成することができる。開口部１５３−１、１５３−２を介して第２の電極１４４−１、１４４−２の上面を露出させることができ、ワイヤは、第２の電極１４４−１、１４４−２の露出した上面に容易にボンディングすることができる。
開口部１５３−１、１５３−２の形態は、第２の電極１４４−１、１４４−２の位置及び形状に応じて多様な形態に具現することができる。例えば、第２の電極１４４−１、１４４−２が第２の半導体層１２６のコーナー付近に位置する場合、図５に示したように、開口部１５３−１、１５３−２は、蛍光体プレート１５０のコーナー部が切開された形状であり得る。
第２の電極１４４−１、１４４−２の個数が２個であるので、図５に示した蛍光体プレート１５０は、左側の２個のコーナーの一部が除去された形状であるが、これに限定されることはなく、第２の電極の個数及び位置に応じて多様な形態に具現することができる。例えば、他の実施例において、開口部は蛍光体プレート１５０を貫通することもできる。
また、蛍光体プレート１５０は、発光構造物１２０の形状に応じてその形状を決定することができる。例えば、第１の電極１４２を露出させるために、発光構造物１２０は除去された一部分を有することができるが、蛍光体プレート１５０は、第１の電極１４２を露出させる発光構造物１２０の一領域の形状に対応する開口部１５４を有することができる。開口部１５４は、第１の電極１４２にワイヤボンディングのために必要であり得る。
ボンディング部１６０−１〜１６０−ｎ（ｎ≧１である自然数）は、蛍光体プレート１５０と発光構造物１２０、例えば、第２の半導体層１２６との間に介在し、蛍光体プレート１５０を発光構造物、例えば、第２の半導体層１２６に付着又は固定する。ボンディング部１６０−１〜１６０−ｎ（ｎ≧１である自然数）は複数であり、複数のボンディング部１６０−１〜１６０−ｎ（ｎ＞１である自然数）は互いに離隔するように位置し得る。
ボンディング部１６０−１〜１６０−ｎ（ｎ≧１である自然数）は、第２の半導体層１２６上に位置する第１のボンディング層１７０−１〜１７０−ｎ（ｎ≧１である自然数）、及び蛍光体プレート１５０の一面（例えば、下面１５１）上に位置し、第１のボンディング層１７０−１〜１７０−ｎ（ｎ≧１である自然数）と互いにボンディングされる第２のボンディング層１８０−１〜１８０−ｎ（ｎ≧１である自然数）を含むことができる。
第１のボンディング層１７０−１〜１７０−ｎ（ｎ≧１である自然数）は複数であり、複数の第１のボンディング層（例えば、１７０−１〜１７０−ｎ、ｎ＝８）は、第２の半導体層１２６上に互いに離隔するように配置することができる。
例えば、第２の半導体層１２６上に金属物質を蒸着し、蒸着された金属物質をフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を通してパターニングし、第１のボンディング層１７０−１〜１７０−ｎ（ｎ≧１である自然数）を形成することができる。第１のボンディング層１７０−１〜１７０−ｎ（ｎ≧１である自然数）は、電源が供給される第２の電極１４４−１、１４４−２と互いに離隔するように位置し得る。
第２のボンディング層１８０−１〜１８０−ｎ（ｎ≧１である自然数）は複数であり、複数の第２のボンディング層（例えば、１８０−１〜１８０−ｎ、ｎ＝８）は、蛍光体プレート１５０の一面（例えば、下面１５１）上に互いに離隔するように位置し得る。このとき、蛍光体プレート１５０の一面１５１は、第２の半導体層１２６の上部面と向かい合う面であり得る。
例えば、蛍光体プレート１５０の一面１５１上に金属物質を蒸着し、蒸着された金属物質をフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を通してパターニングし、第２のボンディング層１８０−１〜１８０−ｎ（ｎ≧１である自然数）を形成することができる。
第１のボンディング層１７０−１〜１７０−ｎ（ｎ≧１である自然数）及び第２のボンディング層１８０−１〜１８０−ｎ（ｎ≧１である自然数）の水平断面形状は、円形、楕円形、又は多角形などの多様な形態に具現することができる。
蛍光体プレート１５０を第２の半導体層１２６に効果的に付着又は固定するために、第１のボンディング層１７０−１〜１７０−ｎ（例えば、ｎ＝８）は、第２の半導体層１２６の中央に配置し、第２の半導体層１２６のコーナーに隣接するように配置することができる。また、第２の電極１４４−１、１４４−２が第２の半導体層１２６のコーナーに隣接するように配置される場合、第１のボンディング層（例えば、１７０−２、１７０−３、１７０−４、１７０−５）は、第２の電極１４４−１、１４４−２に隣接するように配置することができる。
第２のボンディング層１８０−１〜１８０−ｎ（例えば、ｎ＝８）は、第１のボンディング層（例えば、１８０−１〜１８０−ｎ、ｎ＝８）に互いに対応するように蛍光体プレート１５０の一面上に配置又は整列することができる。例えば、第２のボンディング層（例えば、１８０−１〜１８０−ｎ、ｎ＝８）は、蛍光体プレート１５０の中央に配置し、蛍光体プレート１５０のコーナーに隣接するように配置することができる。
第２のボンディング層（例えば、１８０−１〜１８０−ｎ、ｎ＝８）のうちいずれか一つは、第１のボンディング層（例えば、１８０−１〜１８０−ｎ、ｎ＝８）のうち対応するいずれか一つとボンディングすることができ、このように互いにボンディングされた第１のボンディング層１７０−１〜１７０−ｎ（ｎ≧１である自然数）と第２のボンディング層１８０−１〜１８０−ｎ（ｎ≧１である自然数）は、ボンディング部１６０−１〜１６０−ｎ（ｎ≧１）を形成することができる。このとき、第１のボンディング層（例えば、１７０−１〜１７０−ｎ、ｎ＝８）と第２のボンディング層（例えば、１８０−１〜１８０−ｎ、ｎ＝８）は、共晶接合（Ｅｕｔｅｃｔｉｃ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方法を使用して互いにボンディングすることができる。
図８は、第１のボンディング層１７０−１と第２のボンディング層１８０−１の融着を示し、図９は、第１のボンディング層１７０−１に融着された第２のボンディング層１８０−１を示す。
図８及び図９を参照すると、第１のボンディング層（例えば、１７０−１）と第２のボンディング層（例えば、１８０−１）は互いに融着することができ、第１のボンディング層（例えば、１７０−１）と第２のボンディング層（例えば、１８０−１）との間には、融着された境界面１９０が存在し得る。
第１のボンディング層１７０−１〜１７０−ｎ（ｎ≧１）は、金属物質、例えば、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕのうち少なくとも一つを含むか、又はこれらを含む合金であり得る。
第２のボンディング層１８０−１〜１８０−ｎ（ｎ≧１）は、金属物質、例えば、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕのうち少なくとも一つを含むか、又はこれらを含む合金であり得る。第２のボンディング層（例えば、１８０―１〜１８０―ｎ、ｎ＝８）の融点は、第１のボンディング層（例えば、１７０−１〜１７０−ｎ、ｎ＝８）の融点と互いに異なり得る。
例えば、第２のボンディング層（例えば、１８０−１〜１８０−ｎ、ｎ＝８）の融点は、第１のボンディング層（例えば、１７０−１〜１７０−ｎ、ｎ＝８）の融点より低くなり得る。また、第１のボンディング層（例えば、１７０−１〜１７０−ｎ、ｎ＝８）はＡｕで、第２のボンディング層（例えば、１８０−１〜１８０−ｎ、ｎ＝８）はＡｕＳｎであり得る。
ボンディング部（例えば、１６０−１〜１６０−ｎ、ｎ＝８）は、第２のボンディング層（例えば、１８０−１〜１８０−ｎ、ｎ＝８）が第１のボンディング層（例えば、１７０−１〜１７０−ｎ、ｎ＝８）に融着された構造であり得る。すなわち、第２のボンディング層（例えば、１８０−１〜１８０−ｎ、ｎ＝８）が溶けて第１のボンディング層（例えば、１７０−１〜１７０−ｎ、ｎ＝８）に接着された構造であり得る。
蛍光体プレートをシリコン樹脂などの接着剤で発光構造物や伝導層に接着する場合、シリコン樹脂などの接着剤は高温に脆弱であるため信頼性が悪くなり、また、ワイヤがボンディングされるパッド部分を露出させる別途の工程（以下、「パッド露出工程」という。）が必要である。また、接着剤用樹脂は流動性を有するので、接着の正確度が低下するという問題がある。
しかし、実施例は、金属融着によって蛍光体プレート１５０を発光構造物１２０に付着するので、高温に強いため信頼性が向上し、正確な位置にボンディングが可能であるので接着の正確度が向上し、パッド部分を露出させる開口部を有するように蛍光体プレート１５０の形状を多様に具現できるという点で、上述したパッド露出工程が必要でないため工程を単純化することができる。
また、図２及び図３には、蛍光体プレート１５０の一面１５１が第２の半導体層１２６の表面に接触する場合を示したが、これに限定されることはなく、図９に示したように、ボンディング部（例えば、１６０−１〜１６０−ｎ、ｎ＝８）によって蛍光体プレート１５０の一面の少なくとも一部分を第２の半導体層１２６の表面から離隔させることができる。
ボンディング部（例えば、１６０−１〜１６０−ｎ、ｎ＝８）により、蛍光体プレート１５０と第２の半導体層１２６との間にはエアボイド（ａｉｒ ｖｏｉｄ）１６３が存在し得る。エアボイド１６３が存在するとしても、蛍光体プレート１５０の一面１５１の一部分は第２の半導体層１２６に接触することができる。
第２の半導体層１２６、エアボイド１６３、及び蛍光体プレート１５０の間には光屈折率の差が存在し得るので、その結果、発光素子１００−１の光拡散及び光抽出が向上し得る。
また、ボンディング部（例えば、１６０−１〜１６０−ｎ、ｎ＝８）は、蛍光体プレート１５０の熱を発散する通路としての役割をすることができる。これによって、実施例は、熱放出効率が向上し、熱に起因する蛍光体プレート１５０の変色及びクラックを防止することができる。
図６は、図１に示した発光素子の変形例１００−２のＡＢ方向の断面図で、図７は、図６に示した変形例１００−２のＣＤ方向の断面図である。変形例１００−２の平面図は図１と同一であり得る。図１〜図３と同一の図面符号は同一の構成を示し、上述した内容と重複する内容は省略したり簡略に説明する。
図６及び図７を参照すると、変形例は、図１に示した発光素子１００−１と比較すると、第２の半導体層１２６上に位置する伝導層１３０をさらに含むことができる。
伝導層１３０は全反射を減少させるだけでなく、透光性が良いので、活性層１２４から第２の半導体層１２６に放出される光の抽出効率を増加させることができる。
伝導層１３０は、電気伝導度の高い物質であり得る。伝導層１３０は、透明伝導性酸化物、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＴＯ（Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＡＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（Ａｎｔｉｍｏｎｙ ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＲｕＯｘ／ＩＴＯ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ、又はＮｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ／ＩＴＯのうち一つ以上を用いて単層又は多層からなり得る。
変形例１００―２の第２の電極１４４−１、１４４−２は伝導層１３０上に配置することができる。変形例１００−２のボンディング部１６０−１〜１６０−ｎ（ｎ≧１である自然数）は、蛍光体プレート１５０と伝導層１３０との間に介在させることができ、蛍光体プレート１５０を伝導層１３０に付着又は固定することができる。
変形例１００−２の第１のボンディング層１７０−１〜１７０−ｎ（ｎ≧１である自然数）は、伝導層１３０上に位置し得る。変形例１００−２の第１のボンディング層１７０−１〜１７０−ｎ（ｎ≧１である自然数）及び第２のボンディング層１８０−１〜１８０−ｎ（ｎ≧１）の形成方法と物質、及びボンディング部１６０−１〜１６０−ｎ（ｎ≧１である自然数）の形成方法（図８及び図９参照）などは上述したものと同一であり得る。
変形例１００−２は、上述した理由により、高温に強いため信頼性が向上し、蛍光体プレート１５０の接着の正確度が向上し、別途のパッド露出工程が必要でないため工程を単純化することができる。
ボンディング部（例えば、１６０−１）により、蛍光体プレート１５０と伝導層１３０との間には、図９を参照して説明したようにエアボイド１６３が存在し得る。
エアボイド１６３が存在するとしても、蛍光体プレート１５０の一面１５１の一部分は伝導層１３０に接触することができる。伝導層１３０、エアボイド１６３、及び蛍光体プレート１５０の間には光屈折率の差が存在し得るので、その結果、発光素子１００−２の光拡散及び光抽出が向上し得る。
図１０は、他の実施例に係る発光素子１００−３の平面図で、図１１は、図１０に示した発光素子１００−３のＥＦ方向の断面図である。図１〜図３と同一の図面符号は同一の構成を示し、上述した内容と重複する内容は省略したり簡略に説明する。
図１０及び図１１を参照すると、発光素子１００−３は、基板１１０、発光構造物１２０−１、伝導層１３０、第１の電極２１０、第２の電極２２０、第１のボンディング部２４０−１〜２４０−ｍ（ｍ≧１である自然数）、第２のボンディング部２３０−１〜２３０−ｎ（ｎ≧１である自然数）、及び蛍光体プレート１５０−１を含む。
図１に示した実施例１００−１と比較すると、発光素子１００−３は、電極の構造、それによる発光構造物の形状が異なり、蛍光体プレート１５０−１と拡張電極２２４、２２６をボンディングする第２のボンディング部２３０−１〜２３０−ｍ（ｍ≧１である自然数）をさらに含むことができる。
図１０に示した第１の半導体層１２２の露出部分Ｐ１の形状は図１のものと異なり得る。例えば、発光構造物１２０−１は、第１の半導体層１２２の第１の領域Ｐ１及び第２の領域Ｐ２を露出させることができる。第１の領域Ｐ１は、第１の電極２１０のパッド部２１２が位置する領域で、第２の領域Ｐ２は、第１の電極２１０の拡張電極２１４が位置する領域であり得る。
第１の電極２１０は、第１の半導体層１２２の第１の領域Ｐ１に位置するパッド部２１２、及び第１の半導体層１２２の第２の領域Ｐ２に位置する拡張電極２１４を含むことができる。
パッド部２１２は、第１の電源を受けるためにワイヤがボンディングされる第１の電極２１０の一部分であり得る。拡張電極２１４は、パッド部２１２から分岐して第１の方向に拡張される第１の電極２１０の残りの部分であり得る。第１の方向は、発光構造物（例えば、第１の半導体層１２２）の第１のコーナー１９１から第４のコーナー１９４に向かう方向であり得る。
図１０に示した実施例は、パッド部２１２から分岐する一つの拡張電極２１４を含むが、実施例がこれに限定されることはなく、拡張電極２１４の数は２以上であり得る。
第２の電極２２０は、伝導層１３０上に位置するパッド部２２２及び拡張電極２２４、２２６を含むことができる。他の実施例では、伝導層１３０を省略することができ、この場合、パッド部２２２及び拡張電極２２４は第２の半導体層１２６上に位置し得る。
パッド部２２２は、第２の電源を受けるためにワイヤ（図示せず）がボンディングされる第２の電極２２０の一部分であり得る。拡張電極２２４、２２６は、パッド部２２２から分岐されて拡張される第２の電極２２０の残りの部分であり得る。図１０には、２個の第２の拡張電極２２４、２２６を示したが、これに限定されることはなく、他の実施例では、第２の電極の拡張電極の数は１個又は３個以上であり得る。
例えば、いずれか一つの拡張電極２２４は、パッド部２２２の一側から分岐して第２の方向に拡張する第１の部分Ｆ１、及び第１の部分Ｆ１から分岐して第３の方向に拡張する第２の部分Ｆ２を含むことができる。
また、残りの他の一つの拡張電極２２６は、パッド部２２２の他の一側から分岐して第３の方向に拡張する第３の部分Ｆ３を含むことができる。ここで、第２の方向は、発光構造物１２０−１、例えば、第１の半導体層１２２の第３のコーナー１９３から第４のコーナー１９４に向かう方向で、第３の方向は第１の方向と反対方向であり得る。
図１０には、いずれか一つの拡張電極２２４と残りの他の一つの拡張電極２２６がパッド部２２２を基準にして左右非対称であるが、他の実施例では左右対称であり得る。
第１のボンディング部２４０−１〜２４０−ｎ（ｎ≧１である自然数）は、伝導層１３０と蛍光体プレート１５０−１との間に介在し、蛍光体プレート１５０−１を伝導層１３０にボンディングすることができる。
第１のボンディング部２４０−１〜２４０−ｎ（ｎ≧１である自然数）は、伝導層１３０上に位置する第１のボンディング層２８２−１〜２８２−ｎ（ｎ≧１である自然数）、及び蛍光体プレート１５０−１の一面上に位置する第２のボンディング層２８４−１〜２８４−ｎ（ｎ≧１である自然数）を含むことができる。
図１２は、図１０に示した第１のボンディング部２４０−１〜２４０−ｎの第１のボンディング層２８２−１〜２８２−ｎ（ｎ≧１である自然数）と第２のボンディング部２３０−１〜２３０−ｎ（ｎ≧１である自然数）の拡張電極２２４、２２６のボンディング領域Ａ１〜Ａｍ（ｍ≧１である自然数）を示す。
図１２を参照すると、第１のボンディング層２８２−１〜２８２−ｎ（ｎ≧１である自然数）は伝導層１３０上に形成することができ、図４を参照して説明した第１のボンディング層１７０−１〜１７０−ｎ（ｎ≧１である自然数）と同一の構造、材質、及び形状であり得る。
ボンディング領域Ａ１〜Ａｍ（ｍ≧１である自然数）は、第２のボンディング部２３０−１〜２３０−ｍ（ｍ≧１である自然数）の第３のボンディング層２８６−１〜２８６−ｍ（ｍ≧１である自然数）がボンディングされる拡張電極２２４、２２６の一領域であり得る。
図１３は、図１０に示した第１のボンディング部２４０−１〜２４０−ｎ（ｎ≧１である自然数）の第２のボンディング層２８４−１〜２８４−ｎ（ｎ≧１である自然数）と第２のボンディング部２３０−１〜２３０−ｎ（ｎ≧１である自然数）の第３のボンディング層２８６−１〜２８６−ｍ（ｍ≧１である自然数）を示す。
図１３を参照すると、第２のボンディング層２８４−１〜２８４−ｎ（ｎ≧１である自然数）は、蛍光体プレート１５０−１の一面１５１上に位置し得る。第２のボンディング層２８４−１〜２８４−ｎ（ｎ≧１である自然数）は、図５に示した第２のボンディング層１８０−１〜１８０−ｎ（ｎ≧１である自然数）と同一の構造、材質、及び形状であり得る。
蛍光体プレート１５０−１は、ワイヤボンディングのために第２の電極２２０のパッド部２２２を露出させる少なくとも一つの開口部２９１を有することができる。また、第１の電極２１０を露出させるために、発光構造物１２０−１は除去された一部分を有することができるが、蛍光体プレート１５０−１は、第１の電極２１０を露出させる発光構造物１２０−１の一領域の形状に対応する開口部２９２を有することができる。
図１４は、図１１に示した点線部分１１の拡大図である。
図１４を参照すると、第３のボンディング層２８６−１〜２８６−ｍ（ｍ≧１である自然数）は、第２のボンディング層２８４−１〜２８４−ｎ（ｎ≧１である自然数）と離隔し、ボンディング領域Ａ１〜Ａｍ（ｍ≧１である自然数）に対応したり、又は整列するように蛍光体プレート１５０−１の一面１５１上に位置することができる。
第３のボンディング層２８６−１〜２８６−ｍ（ｍ≧１である自然数）は、拡張電極２２４、２２６のボンディング領域Ａ１〜Ａｍ（ｍ≧１である自然数）にボンディングすることができる。
第３のボンディング層（例えば、２８６−１〜２８６−ｍ、ｍ≧１である自然数）は、ボンディング領域Ａ１〜Ａｍ（ｍ≧１である自然数）に互いに対応するように蛍光体プレート１５０−１の一面上に配置又は整列することができる。
第３のボンディング層（例えば、２８６−１〜２８６−ｍ、ｍ≧１である自然数）のうちいずれか一つ（例えば、２８６−１）は、各ボンディング領域（例えば、Ａ１〜Ａｍ、ｍ≧１である自然数）のうち対応するいずれか一つ（例えば、Ａ１）とボンディングすることができる。
このように互いにボンディングされた第３のボンディング層（例えば、２８６−１〜２８６−ｍ、ｍ≧１である自然数）とボンディング領域Ａ１〜Ａｍ（ｍ≧１である自然数）は、第２のボンディング部２３０−１〜２３０−ｍ（ｍ≧１である自然数）を形成することができる。このとき、第３のボンディング層（例えば、２８６−１〜２８６−ｍ、ｍ≧１である自然数）は、ボンディング領域（例えば、Ａ１〜Ａｍ、ｍ≧１である自然数）に共晶接合（Ｅｕｔｅｃｔｉｃ Ｂｏｎｄｉｎｇ）することができる。
第３のボンディング層２８６−１〜２８６−ｍ（ｍ≧１である自然数）の幅は、拡張電極２２４、２２６の幅より小さいか同一であり得る。これは、第３のボンディング層２８６−１〜２８６−ｍ（ｍ≧１である自然数）を拡張電極２２４、２２６に容易にボンディングするためである。
第３のボンディング層（例えば、２８６−１〜２８６−ｍ、ｍ≧１である自然数）と拡張電極２２４、２２６のボンディング領域Ａ１〜Ａｍ（ｍ≧１である自然数）との間には、融着された境界面１９０−１が存在し得る。
また、第３のボンディング層２８６−１〜２８６−ｍ（ｍ≧１である自然数）の融点は、第２の電極２２０、すなわち、拡張電極２２４、２２６の融点と互いに異なり得る。
例えば、第３のボンディング層２８６−１〜２８６−ｍ（ｍ≧１である自然数）の融点は、第２の電極２２０、すなわち、拡張電極２２４、２２６の融点より低くなり得る。これは、第３のボンディング層２８６−１〜２８６−ｍ（ｍ≧１である自然数）を拡張電極２２４、２２６に融着するためである。拡張電極２２４、２２６の融点が低い場合は、ボンディングによる融着時に拡張電極２２４、２２６の形状が変形し、第２の半導体層１２６に電流を円滑に供給できないためである。
第２の電極２２０は、図１を参照して説明した物質からなり、第３のボンディング層２８６−１〜２８６−ｍ（ｍ≧１である自然数）は、第２のボンディング層１８０−１〜１８０−ｎ（ｎ≧１である自然数）と同一の物質からなり得る。例えば、第２の電極２２０はＡｕを含むことができ、第３のボンディング層２８６−１〜２８６−ｍ（ｍ≧１である自然数）はＡｕＳｎからなり得るが、これに限定されることはない。
蛍光体プレート１５０−１は、その形状が図５に示した蛍光体プレート１５０と異なるだけで、残りは同一であり得る。
図１５は、他の実施例に係る発光素子２００−１の平面図で、図１６は、図１５に示した発光素子２００−１のＡＢ方向の断面図である。
図１５及び図１６を参照すると、発光素子２００−１は、第２の電極部４０５、保護層４４０、電流遮断層４４５、発光構造物４５０、パッシベーション層４６５、第１の電極部４７０、第１のボンディング部３１０−１〜３１０−ｎ（ｎ≧１である自然数）、及び蛍光体プレート１５０−２を含む。
第２の電極部４０５は、第１の電極部４７０と共に発光構造物４５０に電源を提供する。第２の電極部４０５は、支持層４１０、接合層４１５、バリア層４２０、反射層４２５、及びオーミック領域４３０を含むことができる。
支持層４１０は発光構造物４５０を支持する。支持層４１０は、金属又は半導体物質で形成することができる。また、支持層４１０は、電気伝導性と熱伝導性の高い物質で形成することができる。例えば、支持層４１０は、銅（Ｃｕ）、銅合金（Ｃｕ ａｌｌｏｙ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、及び銅―タングステン（Ｃｕ―Ｗ）のうち少なくとも一つを含む金属物質で形成するか、又はＳｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＺｎＯ、ＳｉＣのうち少なくとも一つを含む半導体であり得る。
接合層４１５は、支持層４１０とバリア層４２０との間に配置することができ、支持層４１０とバリア層４２０を接合させるボンディング層としての役割をすることができる。接合層４１５は、金属物質、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕのうち少なくとも一つを含むことができる。接合層４１５は、支持層４１０をボンディング方式で接合するために形成するものであるので、支持層４１０をめっきや蒸着方法で形成する場合は接合層４１５を省略することができる。
バリア層４２０は、反射層４２５、オーミック領域４３０、及び保護層４４０の下側に配置され、接合層４１５及び支持層４１０の金属イオンが反射層４２５、及びオーミック領域４３０を通過して発光構造物４５０に拡散することを防止することができる。例えば、バリア層４２０は、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｆｅ、Ｍｏのうち少なくとも一つを含むことができ、単層又は多層からなり得る。
反射層４２５はバリア層４２０上に配置することができ、発光構造物４５０から入射される光を反射させ、光抽出効率を改善することができる。反射層４２５は、光反射物質、例えば、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｆのうち少なくとも一つを含む金属又は合金で形成することができる。
反射層４２５は、金属又は合金とＩＺＯ、ＩＺＴＯ、ＩＡＺＯ、ＩＧＺＯ、ＩＧＴＯ、ＡＺＯ、ＡＴＯなどの透光性伝導性物質を用いて多層に形成することができ、例えば、ＩＺＯ／Ｎｉ、ＡＺＯ／Ａｇ、ＩＺＯ／Ａｇ／Ｎｉ、ＡＺＯ／Ａｇ／Ｎｉなどで形成することができる。
オーミック領域４３０は、反射層４２５と第２の半導体層４５２との間に配置することができ、第２の半導体層４５２にオーミック接触し、発光構造物４５０に電源を円滑に供給することができる。
透光性伝導層と金属を選択的に使用してオーミック領域４３０を形成することができる。例えば、オーミック領域４３０は、第２の半導体層４５２とオーミック接触する金属物質、例えば、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｆのうち少なくともいずれか一つを含むことができる。
保護層４４０は、第２の電極部４０５の縁部領域上に配置することができる。例えば、保護層４４０は、オーミック領域４３０の縁部領域、反射層４２５の縁部領域、バリア層４２０の縁部領域、又は支持層４１０の縁部領域上に配置することができる。
保護層４４０は、発光構造物４５０と第２の電極部４０５との間の界面が剥離されて発光素子２００−１の信頼性が低下することを防止することができる。保護層４４０は、電気絶縁性物質、例えば、ＺｎＯ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＯｘ（ｘは正の実数）、又はＡｌ２Ｏ３などで形成することができる。
電流遮断層４４５は、オーミック領域４３０と発光構造物４５０との間に配置することができる。電流遮断層４４５の上面は第２の半導体層４５２と接触し、電流遮断層４４５の下面、又は下面と側面はオーミック領域４３０と接触することができる。電流遮断層４４５は、垂直方向に第１の電極部４７０と少なくとも一部がオーバーラップされるように配置することができる。電流遮断層４４５は、オーミック領域４３０と第２の半導体層４５２との間に形成したり、反射層４２５とオーミック領域４３０との間に形成することができ、これに対して限定することはない。
電流遮断層４４５は、反射層４２５又はオーミック領域４３０より電気伝導性の低い物質、又は第２の半導体層４５２とショットキー接触（Ｓｃｈｏｔｔｋｙ ｃｏｎｔａｃｔ）を形成する物質、又は電気絶縁性物質で形成することができる。例えば、電流遮断層４４５は、ＺｎＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＡｉＮのうち少なくとも一つを含むことができる。
発光構造物４５０は、オーミック領域４３０及び保護層４４０上に配置することができる。発光構造物４５０の側面は、単位チップで区分するアイソレーション（ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）エッチング過程で傾斜面になり得る。
発光構造物４５０は、第２の半導体層４５２、活性層４５４、及び第１の半導体層４５６を含むことができる。第２の半導体層４５２、活性層４５４、及び第１の半導体層４５６は、図１を参照して説明したものと同一であり得るので、重複を避けるために説明を略する。
パッシベーション層４６５は、発光構造物４５０を電気的に保護するために発光構造物４５０の側面に配置することができる。パッシベーション層４６５は、第１の半導体層４５６の上面一部又は保護層４４０の上面にも配置することができる。パッシベーション層４６５は、絶縁物質、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙ、Ｓｉ３Ｎ４、又はＡｌ２Ｏ３で形成することができる。
第１の電極部４７０は、第１の半導体層４５６上に配置することができ、所定のパターン形状であり得る。第１の半導体層４５６の上面には、光抽出効率を増加させるためにラフネスパターン（図示せず）を形成することができる。また、光抽出効率を増加させるために第１の電極部４７０の上面にもラフネスパターン（図示せず）を形成することができる。
第１の電極部４７０は、外部電源を供給するためのワイヤがボンディングされるパッド部１０２ａ、１０２ｂ、及びパッド部１０２ａ、１０２ｂから拡張される拡張電極部９２ａ、９２ｂ、９２ｃ、９２ｄ、９４ａ、９４ｂを含むことができる。第１の電極部４７０をなす物質は、図１を参照して説明した第１の電極１４２及び第２の電極１４４−１、１４４−２の物質を含むことができる。
例えば、第１の電極部４７０は、Ｐｂ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｇｅ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｌ、ｌｒ、ｌｎ、Ｍｇ、Ｐｔ、Ｐｄのうち少なくとも一つを含むか、又はこれらを含む合金からなり得る。
拡張電極部９２ａ、９２ｂ、９２ｃ、９２ｄ、９４ａ、９４ｂ（図示せず）は、第１の半導体層４５６の上面縁部に沿って配置される外部電極９２ａ、９２ｂ、９２ｃ、９２ｄ、及び外部電極９２ａ、９２ｂ、９２ｃ、９２ｄの内部に配置される内部電極９４ａ、９４ｂを含むことができる。
パッド部１０２ａ、１０２ｂは、各外部電極又は各内部電極のうち少なくとも一つと接することができる。パッド部１０２ａ、１０２ｂは、隣接する各外部電極（例えば、９２ａと９２ｃ、９２ｂと９２ｃ）間に位置することができ、隣接する各外部電極９２ａ、９２ｃと接触することができる。
図１５に示した外部電極９２ａ、９２ｂ、９２ｃ、９２ｄ、内部電極９４ａ、９４ｂ、及びパッド部１０２ａ、１０２ｂは、第１の電極部４７０の一実施例に過ぎないもので、その形状がこれに限定されることはなく、多様な形態に具現することができる。
蛍光体プレート１５０―２は、第１の半導体層４５６上に配置することができる。蛍光体プレート１５０―２は、その形状が図５に示した蛍光体プレート１５０と異なるだけで、残りは上述したものと同一であり得る。蛍光体プレート１５０−２は、パッド部１０２ａ、１０２ｂを露出させる開口部１５３−３、１５３−４を有することができる。
第１のボンディング部３１０−１〜３１０−ｎ（ｎ≧１である自然数）は、第１の半導体層４５６と蛍光体プレート１５０−２との間に介在させることができ、蛍光体プレート１５０−２を第１の半導体層４５６にボンディングすることができる。
第１のボンディング部３１０−１〜３１０−ｎ（ｎ≧１である自然数）は、第１の半導体層４５６上に形成される第１のボンディング層（例えば、１７０−１〜１７０−ｎ、ｎ≧１である自然数）、及び蛍光体プレート１５０−２の一面１５１に形成される第２のボンディング層（例えば、１８０−１〜１８０−ｎ、ｎ≧１である自然数）を含むことができる。
第２のボンディング層（例えば、１８０−１〜１８０−ｎ、ｎ≧１である自然数）は、第１のボンディング層（例えば、１７０−１〜１７０−ｎ、ｎ≧１である自然数）に融着することができる。図１６に示した第１のボンディング部３１０−１〜３１０−ｎ（ｎ≧１である自然数）の第１のボンディング層（例えば、１７０−１）と第２のボンディング層（例えば、１８０−１）は、図８及び図９を参照して説明したものと同一であり得る。
第１のボンディング部３１０−１〜３１０−ｎ（ｎ≧１である自然数）によって蛍光体プレート１５０−２と第１の半導体層４５６との間にはエアボイドが存在し得る。エアボイドが存在するとしても、蛍光体プレート１５０−２の一面の一部分は第１の半導体層４５６に接触することができる。
図１７は、図１５に示した発光素子の変形例２００−２を示す平面図で、図１８は、図１７に示した変形例２００−２のＣＤ方向の断面図である。図１５及び図１６と同一の図面符号は同一の構成を示し、上述した内容と重複する内容は省略したり簡略に説明する。
図１７及び図１８を参照すると、変形例２００−２は、図１５及び図１６に示した第１のボンディング部３１０−１〜３１０−ｎ（ｎ≧１である自然数）の代わりに、第２のボンディング部３２０−１〜３２０−ｎ（ｎ≧１である自然数）を含むことができる。
第２のボンディング部３２０−１〜３２０−ｎ（ｎ≧１である自然数）は、第１の電極部４７０と蛍光体プレート１５０−２との間に介在し、蛍光体プレート１５０−２を第１の電極部４７０にボンディングすることができる。
蛍光体プレート１５０−２の一面１５１上には第３のボンディング層２８７−１〜２８７−ｎ（ｎ≧１である自然数）を形成することができる。第３のボンディング層２８７−１〜２８７−ｎ（ｎ≧１である自然数）は、図１３及び図１４を参照して説明した第３のボンディング層２８６−１〜２８６−ｍ（ｍ≧１である自然数）と同一であり得る。
第３のボンディング層２８７−１〜２８７−ｎ（ｎ≧１である自然数）は第１の電極部４７０の一領域にボンディングすることができる。すなわち、第３のボンディング層２８７−１〜２８７−ｎ（ｎ≧１である自然数）は、拡張電極部９２ａ、９２ｂ、９２ｃ、９２ｄ、９４ａ、９４ｂの一領域にボンディングすることができる。このとき、第３のボンディング層２８７−１〜２８７−ｎ（ｎ≧１である自然数）がボンディングされる拡張電極部９２ａ、９２ｂ、９２ｃ、９２ｄ、９４ａ、９４ｂの一領域をボンディング領域Ｂ１〜Ｂｎ（ｎ≧１である自然数）という。
第３のボンディング層２８７−１〜２８７−ｎ（ｎ≧１である自然数）は、第１の電極部４７０の外部電極９２ａ、９２ｂ、９２ｃ、９２ｄと内部電極９４ａ及び９４ｂのそれぞれのボンディング領域Ｂ１〜Ｂｎ（ｎ≧１である自然数）にボンディングすることができる。
第１の電極部４７０のボンディング領域Ｂ１〜Ｂｎ（ｎ≧１である自然数）とこれにボンディングされる第３のボンディング層２８７−１〜２８７−ｎ（ｎ≧１である自然数）は、第２のボンディング部３２０−１〜３２０−ｎ（ｎ≧１である自然数）を構成することができる。
第３のボンディング層２８７−１〜２８７−ｎ（ｎ≧１である自然数）の幅は、外部電極９２ａ、９２ｂ、９２ｃ、９２ｄと内部電極９４ａ及び９４ｂの幅より小さいか同一であり得る。また、第３のボンディング層２８７−１〜２８７−ｎ（ｎ≧１である自然数）の融点は、第１の電極部４７０の融点と異なり得る。例えば、第３のボンディング層２８７−１〜２８７−ｎ（ｎ≧１である自然数）の融点は、第１の電極部４７０の融点より低くなり得る。
第２のボンディング部３２０−１〜３２０−ｎ（ｎ≧１である自然数）によって蛍光体プレート１５０−２と第１の半導体層４５６との間にはエアボイドが存在し得る。エアボイドが存在するとしても、蛍光体プレート１５０−２の一面の一部分は第１の半導体層４５６に接触することができる。
図１９は、他の実施例に係る発光素子３００の断面図である。
図１９を参照すると、発光素子３００は、発光構造物５３０、第２の電極部５２０、第１の電極部５１６、支持基板５１０、絶縁層５４０、保護層５７０、第１の電極パッド５８０、第２の電極パッド５９０、蛍光体プレート１５０−３、及びボンディング部５６０−１〜５６０−ｎ（ｎ≧１である自然数）を含む。
発光構造物５３０は、第２の半導体層５３２、活性層５３４、及び第１の半導体層５３６を含み、図１を参照して説明したものと同一であり得る。
第２の電極部５２０は、発光構造物５３０、例えば、第２の半導体層５３２の下側に配置され、第２の半導体層５３２と接することができる。第２の電極部５２０は、オーミック層／反射層／ボンディング層の積層構造、オーミック層／反射層の積層構造、又は反射層（オーミック領域を含む。）／ボンディング層の積層構造であり得るが、これについて限定することはない。例えば、第２の電極部５２０は、絶縁層５４０上に反射層５２２及びオーミック層５２４が順次積層された構造であり得る。
第１の電極部５１６は、第２の電極部５２０の下側に配置され、第２の電極部５２０、第２の半導体層５３２、及び活性層５３４を通過して第１の半導体層５３６と接触することができる。
第１の電極部５１６は、下部電極層５１６−１及び接触電極５１６−２を含むことができる。下部電極層５１６−１は第２の電極部５２０の下側に位置し得る。例えば、下部電極層５１６−１は、支持基板５１０と第２の電極部５２０との間に位置し、支持基板５１０と接し、支持基板５１０と水平であり得る。
接触電極５１６−２は、下部電極層５１６−１から垂直方向に分岐又は拡張し、第２の電極部５２０、第２の半導体層５３２及び活性層５３４を通過し、第１の半導体層５３６と接触することができる。このとき、接触電極５１６−２の上面は、活性層５３４の上面より高く、第１の半導体層５３６の上面より下側に位置し得る。
第１の電極部５１６は、反射層及びボンディング層のうち少なくとも一つの層を含むことができる。第１の電極部５１６は、第１の半導体層５３６とオーミック接触するオーミック領域５１８を有することができ、反射金属又は伝導性酸化物を用いてオーミック接触することができる。
絶縁層５４０は、第１の電極部５１６と他の各層５２０、５３２、５３４との間を絶縁させる。絶縁層５４０は、第２の電極部５２０と第１の電極部５１６との間、第２の半導体層５３２と第１の電極部５１６との間、及び活性層５３４と第１の電極部５１６との間に配置することができる。
絶縁層５４０は、下部電極層５１６−１と反射層５２２との間に配置され、下部電極層５１６−１を反射層５２２から電気的に絶縁させることができる。また、絶縁層５４０の一部５４１は、接触電極５１６−２と第２の電極部５２０との間、接触電極５１６−２と第２の半導体層５３２との間、及び接触電極５１６−２と活性層５３４との間に配置され、接触電極５１６−２を他の各層５２０、５３２、５３４から電気的に絶縁させることができる。また、絶縁層５４０は、接触電極５１６−２と第１の半導体層５３６との間にも配置することができる。
支持基板５１０は、第１の電極部５１６の下側に配置することができる。支持基板５１０は、伝導性基板又は絶縁基板であり、発光構造物５３０を支持することができる。
例えば、支持基板５１０は、所定厚さを有するベース基板であり、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅―タングステン（Ｃｕ―Ｗ）、キャリアウエハー（例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＺｎＯ、ＳｉＣ）、及び伝導性シートのうち少なくとも一つを含むことができる。
第１の電極部５１６の一側、例えば、下部電極層５１６−１の一側領域は発光構造物５３０から外部に露出させることができる。第１の電極パッド５８０は、露出する第１の電極部５１６の一側領域Ｐ１上に配置することができる。第１の電極パッド５８０は、１個又は複数が互いに離隔するように配置することができる。
第２の電極部５２０の一側領域、例えば、オーミック層５２４又は／及び反射層５２２の一側領域は発光構造物５３０から露出させることができ、第２の電極パッド５９０は、露出した第２の電極部５２０の一側領域Ｐ２上に配置することができる。ここで、第２の電極部５２０の一側領域Ｐ２は第２の電極部５２０の一側縁部領域であり得る。
露出する第２の電極部５２０の一側領域Ｐ２は一つ又は複数であり、複数の第２の電極パッド５９０を備えることができる。第１の電極パッド５８０と第２の電極パッド５９０は、発光構造物５３０と垂直方向にオーバーラップされない場合もある。
保護層５７０は、発光構造物５３０の側面を覆うように配置することができる。保護層５７０は、少なくとも第２の半導体層５３２及び活性層５３４の側面を覆うことができる。
例えば、保護層５７０は、露出した第１の電極部５１６の一側領域Ｐ１及び露出した第２の電極部５２０の一側領域Ｐ２に隣接する第２の半導体層５３２の側面、活性層５３４の側面、及び第１の半導体層５３６の一部側面上に配置することができる。
また、保護層５７０は、発光構造物５３０の側面に隣接する第１の半導体層５３６の上面の縁部領域上にも配置できるが、これに限定されることはない。保護層５７０は、第１及び第２の電極パッド５８０、５９０と発光構造物５３０との間の電気的ショートを防止することができる。
蛍光体プレート１５０−３は、第１の半導体層５３６上に配置され、ボンディング部５６０−１〜５６０−ｎ（ｎ≧１である自然数）は蛍光体プレート１５０−３と第１の半導体層５３６との間に介在させることができ、蛍光体プレート１５０−３を発光構造物５３０に付着することができる。
蛍光体プレート１５０−３は、その形状が図５に示した蛍光体プレート１５０と異なるだけで、残りは同一であり得る。例えば、実施例では、ワイヤがボンディングされる電極パッド５８０、５９０が蛍光体プレート１５０−３と発光構造物５３０との間に位置しない。従って、蛍光体プレート１５０−３には、ワイヤボンディングのために電極パッド５８０、５９０を露出させる開口部が形成されない場合もある。
ボンディング部５６０−１〜５６０−ｎ（ｎ≧１である自然数）は、第１の半導体層５３６上に形成される第１のボンディング層１７０−１〜１７０−ｎ（ｎ≧１である自然数）、及び蛍光体プレート１５０−３の一面１５１上に形成される第２のボンディング層（例えば、１８０−１〜１８０−ｎ、ｎ≧１である自然数）を含むことができる。図１９に示した第１のボンディング層（例えば、１７０−１）と第２のボンディング層（例えば、１８０−１）は、図８及び図９を参照して説明したものと同一であり得る。
第１のボンディング層（例えば、１７０−１）と第２のボンディング層（例えば、１８０−１）は、第１の電極パッド５８０及び第２の電極パッド５９０と離隔するように位置し、電気的に互いに分離することができる。
図２０は、実施例に係る発光素子パッケージ４００を示す。
図２０を参照すると、発光素子パッケージ４００は、パッケージ本体６１０、リードフレーム６１２、６１４、発光素子６２０、反射板６２５、ワイヤ６３０及び樹脂層６４０を含む。
パッケージ本体６１０の上面にはキャビティ（ｃａｖｉｔｙ）を形成することができる。前記キャビティの側壁は傾斜するように形成することができる。図２０に示したパッケージ本体６１０はキャビティを有するが、実施例がこれに限定されることはなく、他の実施例では、パッケージ本体がキャビティを有さない場合もある。
パッケージ本体６１０は、シリコン基盤のウエハーレベルパッケージ（ｗａｆｅｒ ｌｅｖｅｌ ｐａｃｋａｇｅ）、シリコン基板、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、窒化アルミニウム（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｎｉｔｒｉｄｅ、ＡｌＮ）などのように絶縁性又は熱伝導度の良い基板で形成することができ、複数の基板が積層される構造であり得るが、パッケージ本体６１０は上述した材質、構造及び形状に限定されない。
リードフレーム６１２、６１４は、熱の排出や発光素子６２０の装着を考慮して、互いに電気的に分離されるようにパッケージ本体６１０に配置することができる。
発光素子６２０は、第２のリードフレーム６１２上に配置することができ、第１及び第２のリードフレーム６１２、６１４と電気的に連結することができる。発光素子６２０は、各実施例１００−１、１００−２、２００−１、２００−２、３００のうちいずれか一つであり得る。
反射板６２５は、発光素子６２０から放出された光を所定の方向に指向させるようにパッケージ本体６１０のキャビティ側壁に形成される。反射板６２５は、光反射物質からなり、例えば、金属コーティングや金属薄片であり得る。
樹脂層６４０は、パッケージ本体６１０のキャビティ内に位置する発光素子６２０を包囲することができ、発光素子６２０を外部環境から保護することができる。樹脂層６４０は、エポキシ又はシリコンなどの無色透明な高分子樹脂材質からなり得る。
実施例に係る発光素子６２０は、既に蛍光体プレート１５０、１５０−１〜１５０−３を含むので、樹脂層６４０には蛍光体が含まれない場合もある。しかし、他の実施例において、樹脂層６４０は、蛍光体プレートに含まれる蛍光体の種類と同一又は異なる種類の蛍光体を含むこともできる。
図２１は、実施例に係る発光素子パッケージを含む照明装置の分解斜視図である。図２１を参照すると、照明装置は、光を投射する光源７５０と、光源の熱を放出する放熱部７４０と、光源７５０と放熱部７４０を収納するハウジング７００と、光源７５０と放熱部７４０をハウジング７００に結合するホルダー７６０とを含む。
ハウジング７００は、電気ソケット（図示せず）に結合されるソケット結合部７１０と、ソケット結合部７１０と連結され、光源７５０が内蔵される本体部７３０とを含むことができる。本体部７３０には一つの空気流動口７２０を形成することができる。
ハウジング７００の本体部７３０上に複数の空気流動口７２０を備えることができ、空気流動口７２０は一つ又は複数であり得る。空気流動口７２０は、本体部７３０に放射状に配置したり、多様な形態に配置することができる。
光源７５０は、基板７５４上に実装される複数の発光素子パッケージ７５２を含むことができる。基板７５４は、ハウジング７００の開口部に挿入可能な形状を有し、後述するように、放熱部７４０に熱を伝達するために熱伝導率の高い物質からなり得る。例えば、発光素子パッケージ７５２は、図２０に示した実施例４００であり得る。
光源７５０の下部にはホルダー７６０が備えられ、ホルダー７６０はフレーム及び他の空気流動口を含むことができる。また、図示していないが、光源７５０の下部には光学部材が備えられ、この光学部材により、光源７５０の発光素子パッケージ７５２から投射される光を拡散、散乱又は収斂させることができる。
図２２は、実施例に係る発光素子パッケージを含む表示装置を示す。図２２を参照すると、表示装置８００は、ボトムカバー８１０と、ボトムカバー８１０上に配置される反射板８２０と、光を放出する発光モジュール８３０、８３５と、反射板８２０の前方に配置され、前記発光モジュール８３０、８３５から発散される光を表示装置の前方に案内する導光板８４０と、導光板８４０の前方に配置される各プリズムシート８５０、８６０を含む光学シートと、光学シートの前方に配置されるディスプレイパネル８７０と、ディスプレイパネル８７０と連結され、ディスプレイパネル８７０に画像信号を供給する画像信号出力回路８７２と、ディスプレイパネル８７０の前方に配置されるカラーフィルター８８０とを含むことができる。ここで、ボトムカバー８１０、反射板８２０、発光モジュール８３０、８３５、導光板８４０及び光学シートは、バックライトユニットなすことができる。
発光モジュールは、基板８３０上に実装される各発光素子パッケージ８３５を含むことができる。ここで、基板８３０としてはＰＣＢなどを使用することができ、発光素子パッケージ８３５は、図２０に示した実施例４００であり得る。
ボトムカバー８１０は、表示装置８００内の各構成要素を収納することができる。そして、反射板８２０は、本図面のように別途の構成要素として設けることもでき、導光板８４０の後面やボトムカバー８１０の前面に反射度の高い物質でコーティングされる形態で設けることも可能である。
ここで、反射板８２０は、反射率が高く、超薄型で使用可能な素材を使用して形成することができ、ポリエチレンテレフタレート（ＰｏｌｙＥｔｈｙｌｅｎｅ Ｔｅｒｅｐｈｔａｌａｔｅ；ＰＥＴ）を使用して形成することができる。
そして、導光板８３０は、ポリメチルメタクリレート（ＰｏｌｙＭｅｔｈｙｌＭｅｔｈＡｃｒｙｌａｔｅ；ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰｏｌｙＣａｒｂｏｎａｔｅ;ＰＣ）、又はポリエチレン（ＰｏｌｙＥｔｈｙｌｅｎｅ;ＰＥ）などで形成することができる。
そして、第１のプリズムシート８５０は、支持フィルムの一面に、透光性でありながら弾性を有する重合体材料で形成することができ、重合体は、複数の立体構造が繰り返し形成されたプリズム層を有することができる。ここで、複数のパターンは、図示したように山部と谷部が繰り返されるストライプタイプで備えることができる。
そして、第２のプリズムシート８６０で支持フィルムの一面の山部と谷部の方向は、第１のプリズムシート８５０内の支持フィルムの一面の山部と谷部の方向と垂直になり得る。これは、発光モジュールと反射シートから伝達された光をディスプレイパネル８７０の全面に均一に分散するためである。
そして、図示していないが、導光板８４０と第１のプリズムシート８５０との間に拡散シートを配置することができる。拡散シートは、ポリエステルとポリカーボネート系列の材料からなり、バックライトユニットから入射された光の屈折と散乱を通して光の投射角を最大に広げることができる。そして、拡散シートは、光拡散剤を含む支持層と、光出射面（第１のプリズムシート方向）と光入射面（反射シート方向）に形成され、光拡散剤を含まない第１のレイヤー及び第２のレイヤーを含むことができる。
実施例において、拡散シート、第１のプリズムシート８５０及び第２のプリズムシート８６０が光学シートをなすが、光学シートは、他の組み合わせ、例えば、マイクロレンズアレイからなるか、拡散シートとマイクロレンズアレイの組み合わせ又は一つのプリズムシートとマイクロレンズアレイの組み合わせなどからなり得る。
ディスプレイパネル８７０には液晶表示パネルを配置できるが、液晶表示パネルの他に光源を必要とする他の種類の表示装置を備えることができる。
図２３は、実施例に係る発光素子パッケージを含むヘッドランプ９００を示す。図２３を参照すると、ヘッドランプ９００は、発光モジュール９０１、リフレクタ９０２、シェード９０３、及びレンズ９０４を含む。
発光モジュール９０１は、基板（図示せず）上に配置される実施例に係る発光素子パッケージ４００を含むことができる。リフレクタ９０２は、発光モジュール９０１から照射される光９１１を一定方向、例えば、前方９１２に反射させることができる。
シェード９０３は、リフレクタ９０２とレンズ９０４との間に配置され、リフレクタ９０２によって反射されてレンズ９０４に向かう光の一部分を遮断又は反射し、設計者が望む配光パターンをなすようにする部材であって、シェード９０３の一側部９０３−１と他側部９０３−２は互いに高さが異なり得る。
発光モジュール９０１から照射される光は、リフレクタ９０２及びシェード９０３で反射された後、レンズ９０４を透過して車体の前方に向かうことができる。レンズ９０４は、リフレクタ９０２によって反射された光を前方に屈折させることができる。
以上で各実施例で説明した特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも一つの実施例に含まれるものであって、必ずしも一つの実施例のみに限定されるものではない。さらに、各実施例で例示した特徴、構造、効果などは、各実施例の属する分野で通常の知識を有する者が他の各実施例を組み合わせたり変形して実施可能である。したがって、このような組み合わせと変形と関係した内容は、本発明の範囲に含まれるものと解釈しなければならない。
１００−１ 発光素子
１２０ 発光構造物
１４２ 第１の電極
１４４−１、１４４−２ 第２の電極
１５０ 蛍光体プレート
１６０−１〜１６０−８ ボンディング部

Claims (15)

  1. 第１の半導体層、活性層、及び第２の半導体層を含む発光構造物；
    前記発光構造物上に配置される蛍光体プレート；
    前記発光構造物と前記蛍光体プレートとの間に配置され、前記蛍光体プレートを前記発光構造物にボンディングするボンディング部；
    前記第２の半導体層上に配置され、ワイヤボンディングのためのパッド部；及び
    前記パッド部から拡張される拡張電極部、を含む発光素子であって、
    前記蛍光体プレートと前記発光構造物との間にはエアボイドが存在し、
    前記蛍光体プレートは、前記パッド部を露出させる開口部を有し、
    前記ボンディング部は、前記蛍光プレートの一面上に配置され、前記拡張電極部とボンディングされる第３のボンディング層を含む、発光素子。
  2. 前記ボンディング部は、
    前記第２の半導体層上に配置される第１のボンディング層；及び
    前記蛍光体プレートの一面上に配置され、前記第１のボンディング層に融着される第２のボンディング層を含み、
    前記第１のボンディング層と前記第２のボンディング層との間には、融着された境界面が存在する、請求項１に記載の発光素子。
  3. 前記拡張電極部と前記第３のボンディング層との間には、融着された境界面が存在する、請求項１または２に記載の発光素子。
  4. 前記第２のボンディング層の融点は、前記第１のボンディング層の融点と互いに異なる、請求項２または３に記載の発光素子。
  5. 前記第３のボンディング層の融点は、前記拡張電極部の融点と互いに異なる、請求項１から４のいずれか１項に記載の発光素子。
  6. 前記第３のボンディング層の幅は、前記拡張電極部の幅より小さいか同一である、請求項１から５のいずれか１項に記載の発光素子。
  7. 前記第１のボンディング層と前記第２のボンディング層の数は複数で、前記第１のボンディング層と前記第２のボンディング層は互いに対応するように位置し、第２のボンディング層のうちいずれか一つは、第１のボンディング層のうち対応するいずれか一つにボンディングされる、請求項２または４に記載の発光素子。
  8. 前記第１のボンディング層及び前記第２のボンディング層は、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕのうち少なくとも一つを含むか、又はこれらを含む合金である、請求項２、４、及び７のいずれか一項に記載の発光素子。
  9. 前記第１の半導体層の下側に配置される基板；
    前記第１の半導体層の一部は露出し、露出する一部上に配置される第１の電極；及び
    前記第２の半導体層上に配置される伝導層をさらに含み、
    前記第１のボンディング層は前記伝導層上に配置される、請求項２から８のいずれか１項に記載の発光素子。
  10. 前記ボンディング部は、前記第１の半導体層上に配置される第１のボンディング層；及び
    前記蛍光体プレートの一面上に配置され、前記第１のボンディング層に融着される第２のボンディング層を含み、前記第１のボンディング層と前記第２のボンディング層との間には融着された境界面が存在し、
    前記発光素子は、
    前記第２の半導体層の下側に配置される反射層；
    前記第２の半導体層と前記反射層との間に位置するオーミック領域；及び
    前記反射層の下側に配置される支持層をさらに含む、請求項１に記載の発光素子。
  11. 前記ボンディング部は、前記第１の半導体層上に配置される第１のボンディング層；及び
    前記蛍光体プレートの一面上に配置され、前記第１のボンディング層に融着される第２のボンディング層を含み、前記第１のボンディング層と前記第２のボンディング層との間には融着された境界面が存在し、
    前記発光素子は、
    前記第２の半導体層の下側に配置される第２の電極部；
    前記第２の電極部の下側に配置され、前記第２の電極部、前記第２の半導体層及び前記活性層を通過して前記第１の半導体層に接触する第１の電極部；及び
    前記第１の電極部と前記第２の電極部との間、前記第２の半導体層と前記第１の電極部との間、及び前記活性層と前記第１の電極部との間に配置される絶縁層をさらに含む、請求項１に記載の発光素子。
  12. 前記第１の電極部は、
    前記第２の電極部の下側に配置される下部電極層；及び
    前記下部電極層から分岐して前記第１の半導体層に接触する少なくとも一つの接触電極を含む、請求項１１に記載の発光素子。
  13. 前記拡張電極部は、前記第２の半導体層と前記蛍光体プレートとの間に位置し、前記開口部は、前記パッド部と隣接する前記拡張電極部の一部を露出する、請求項１に記載の発光素子。
  14. 前記第１のボンディング層と前記第２のボンディング層は、前記パッド部と離隔し、前記パッド部と電気的に分離される、請求項２に記載の発光素子。
  15. 前記第１のボンディング層及び前記第２のボンディング層は金属物質であって、前記第２のボンディング層の融点は、前記第１のボンディング層の融点より低い、請求項１４に記載の発光素子。
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