TWI721005B - 發光裝置以及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
一種發光裝置，包含一發光元件、一波長轉換層以及一光調整層。發光元件包含一第一上表面、一下表面以及位於上表面及下表面之間之一側面。波長轉換層包含一透明黏合劑及多顆波長轉換粒子，且包含覆蓋第一上表面的第二上表面。一光調整層環繞發光元件之側面且具有一第一種組成或一第二種組成。第一種組成包含一第一接合劑以及分散於第一接合劑中的複數顆第一擴散粒子。複數顆第一擴散粒子相較於光調整層之重量百分比不小於20%。第二種組成包含一第二接合劑、分散於第二接合劑中的複數顆第二擴散粒子以及分散於第二接合劑中的複數顆光散射粒子。複數顆第二擴散粒子相較於光調整層的重量百分比不小於5%，且複數顆光散射粒子相較於光調整層的重量百分比不小於0.4%。
Description
本發明係關於一種發光裝置及其製造方法，尤關於一種包含波長轉換層以及光調整層之發光裝置及其製造方法。
固態發光元件中之發光二極體元件(Light-Emitting Diode；LED)具有低耗電量、低發熱量、操作壽命長、耐撞擊、體積小以及反應速度快等特性，因此廣泛應用於各種需要使用發光元件的領域，例如，車輛、家電、及照明燈具等。
要將LED所發出的純色光，轉換成其他顏色的光有數種方式可採用。舉例來說，可於LED上覆蓋一層波長轉換層，例如螢光粉層來達到此目的。螢光粉是一種光致發光的物質，也可說是波長轉換材料，它可以吸收LED所發出的第一光線後發出不同於第一光線之第二光線。若第一光線未被完全消耗，殘留的第一光線與第二光線互相混合，可形成另一種顏色的混合光。
不過，於不同的視角下，LED所發出的第一光線與被轉換的第二光線互相混合的比例若是不同，混合光的色彩或色溫分布便會有不均勻的現象產生。
波長轉換層形成在LED上的方法之中，可預先在多個LED上同時地覆蓋單一個波長轉換層，再分離波長轉換層以形成數個彼此分離的波長轉換
層，在分離時產生的誤差會造成各別的波長轉換層之厚度不均勻，是造成混合光的色彩或色溫分布不均勻的原因之一。
此外，在封裝後LED尺寸日漸縮小的趨勢下，LED與波長轉換材料的混光距離變的更小，因此也容易造成混合光的色彩或色溫分布不均勻的問題。
本發明係揭露一種發光裝置，包含一發光元件、一波長轉換層以及一光調整層。發光元件包含一第一上表面、一下表面以及位於上表面及下表面之間之一側面。波長轉換層包含一透明黏合劑及多顆波長轉換粒子，且包含覆蓋第一上表面的第二上表面。一光調整層環繞發光元件之側面且具有一第一種組成或一第二種組成。第一種組成包含一第一接合劑以及分散於第一接合劑中的複數顆第一擴散粒子。複數顆第一擴散粒子相較於光調整層之重量百分比不小於20%。第二種組成包含一第二接合劑、分散於第二接合劑中的複數顆第二擴散粒子以及分散於第二接合劑中的複數顆光散射粒子。複數顆第二擴散粒子相較於光調整層的重量百分比不小於5%，且複數顆光散射粒子相較於光調整層的重量百分比不小於0.4%。
100、200a、200b、200c、400、500a、500b、500c、700、800a、800b、800c、900、1000、1100:發光裝置
102:頂表面
104:底表面
106:側面
120、220a、220b、220c、420、520a、520b、520c、720、920、1020、1120:發光元件
121:上表面
122、722:承載基板
123:下表面
124、724:發光層
125:側面
126、126a、126b、226a、226b、226c、426a、426b、726、726a、726b:接觸電極
132、134、332a、334a、332b、334b、332c、334c、732、734、932、934、1032、1034、1132、1134:延伸墊
140、240a、240b、240c、440、540a、540b、540c、740、940、1040、1140:波長轉換層
142、442:透明黏合劑
144、444:波長轉換粒子
150、350、450、750、950、1050、1150:光反射層
160、260’、260、260a、260b、260c、360、460、560’、560、560a、560b、560c、760、960、1060、1160:光調整層
162、462、782:接合劑
164、464:擴散粒子
212、252、512:暫時性基板
214’、214、514’:黏膠層
240’、540’:波長轉換片
232、234、332、534:切割工具
432、434:凸塊
761:上表面
763:側表面
780、980、1080、1180:顯色層
781、981:上表面
783、983、1083:側表面
784:顏料
860’、860:光調整膜
880’、880:顯色膜
985:底表面
1041、1141:上表面
1043:側表面
1083:側表面
1161:上表面
Sd:光調整層之側邊厚度
Sp1、Sp2、Sp3、Sp4:波長轉換層之側邊厚度
St:總側邊厚度
Td:光調整層之上邊厚度
Tp:波長轉換層之上邊厚度
Tt:總上邊厚度
第1A圖係顯示本發明一實施例之一種發光裝置的剖面圖。
第1B圖係顯示第1A圖中發光裝置的上視圖。
第2A圖至第2F圖係顯示依據本發明一實施例之發光裝置的製造流程圖。
第3A圖至第3D圖係顯示依據本發明另一實施例之發光裝置的製造流程圖。
第4圖係顯示依據本發明另一實施例之發光裝置的剖面圖。
第5 A圖至第5F圖係顯示依據本發明另一實施例之發光裝置的製造流程圖。
第6圖係顯示本發明之一實施例中發光裝置之視角對色座標標準差的關係圖。
第7A圖係顯示依據本發明另一實施例之發光裝置的剖面圖。
第7B圖係顯示第7A圖中發光裝置的上視圖。
第8A圖至第8E圖係顯示依據本發明另一實施例之發光裝置的製造流程圖。
第9A圖係顯示依據本發明另一實施例之發光裝置的剖面圖。
第9B圖係顯示第9A圖中發光裝置的上視圖。
第10圖係顯示依據本發明另一實施例之發光裝置的剖面圖。
第11圖係顯示依據本發明另一實施例之發光裝置的剖面圖。
於本文中，發光裝置包含了至少一個發光元件，而發光裝置內具有一個或多個總側邊厚度St，其中總側邊厚度St是指發光裝置之側面至發光元件之側面之間的距離。總上邊厚度Tt是指發光裝置之頂表面至發光元件之上表面之間的距離。關於發光裝置之側面及頂表面或發光元件之側面及上表面的型態或配置可參閱底下各個實施例的說明。
第1A圖為根據本發明一實施例所揭露之一發光裝置100的剖面圖。發光裝置100包含發光元件120、一波長轉換層140及一光調整層160。波長轉換層140覆蓋發光元件120之部分表面。此外，光調整層160位於波長轉換層140之上，具體而言，光調整層160同時覆蓋發光元件120及波長轉換層140。發光裝置100包含一頂表面102、一底表面104及多個側面106，側面106位於頂面102及底面104之間。
在一實施例中，發光元件120包含一承載基板122、一發光層124以及接觸電極126。其中，發光層124之一側朝向承載基板122，另一側朝向接觸電極126。此外，發光元件120包含一上表面121、一下表面123及多個側面125，側面125位於頂面121及底面123之間。承載基板122可用以承載或支撐發光層124此外，承載基板122遠離發光層124的一面，也是發光元件120之上表面121，即為發光元件120之出光面。在一實施例中，承載基板122為成長基板(growth substrate)，例如可以是藍寶石(sapphire)基板，作為發光層124磊晶成長時之基板。在另一實施例中，承載基板122並非成長基板，在製造發光裝置100之製程中成長基板被移除或置換為其他基板(例如，不同材料、不同結構、或不同形狀的基板)。
在一實施例中，發光層124包含第一半導體層、活化層以及第二半導體層(未顯示)。第一半導體層可為n-型半導體層，第二半導體層可為p-型半導體層。在一實施例中，接觸電極126包含兩接觸電極126a及126b位在發光元件120之同一側，作為發光元件120與外界電性連結之介面。其中，下表面123並不包含兩接觸電極126a及126b之表面，因此於第1A圖中，下表面123是指發光層124的底面以及發光層124與接觸電極126a及126b交接的介面。接觸電極126a及126b會分別與第一半導體層及第二半導體層電連接。此外，接觸電極126a及126b可以突出於波長轉換層140的底面(如圖所示)、或與底面大約齊平(圖未示)、
或僅其中之一突出底面(圖未示)。側面125同時包含承載基板122及發光層124之側面，可為發光元件120之出光面。在一實施例中，發光元件120有四個側面125，相對的側面彼此大致上互相平行，亦即，由上視圖觀之，發光元件120為正方形、長方形或平行四邊形。上表面121與下表面123之一部分也大致互相平行。
在一實施例中，發光元件120為覆晶式發光二極體晶粒(flip chip LED die)。在另一實施例中，發光元件120為一垂直式發光二極體晶粒(vertical LED die)，接觸電極126a及126b可分別形成在發光元件的兩個相對側，並分別與第一半導體層及第二半導體層電連接。
發光元件120可為一發光二極體晶粒(LED die)，例如但不限為藍光發光二極體晶粒或紫外(UV)光發光二極體晶粒。在一實施例中，發光元件120為藍光發光二極體晶粒，可經由電源提供一電力而發出第一光線，第一光線的主波長(dominant wavelength)或峰值波長(peak wavelength)介於430nm至490nm之間。於另一實施例中，發光元件120為紫光發光二極體晶粒，第一光線的主波長(dominant wavelength)或峰值波長(peak wavelength)介於400nm至430nm之間。
波長轉換層140可包含一透明黏合劑142以及多個分散於透明黏合劑142中的波長轉換粒子144，其中波長轉換粒子144可吸收發光元件120發出的第一光線，並將其部分或全部轉換成與第一光線波長或頻譜相異之第二光線。第二光線發出的顏色例如是綠光、黃綠光、黃光、琥珀光、橘紅光或紅光。在一實施例中，波長轉換粒子144吸收第一光線(例如，藍光或UV光)後被激發出來的第二光線為黃光，其主波長或峰值波長介於530nm至590nm之間。另一實施例中，波長轉換粒子144吸收第一光線(例如，藍光或UV光)後被激發出來的第二光線為黃綠光，其主波長或峰值波長介於515nm至575nm之間。其他
實施例中，波長轉換粒子144吸收第一光線(例如，藍光或UV光)後被激發出來的第二光線為紅光，其主波長或峰值波長介於590nm至670nm之間。
波長轉換層140可包含單一種類或多種的波長轉換粒子144。在一實施例中，波長轉換層140包含可發出黃光之波長轉換顆粒。另一實施例中，波長轉換層140包含可發出綠光及紅光之多種波長轉換顆粒。如此，除了發出綠光的第二光線外，還包含發出紅光的第三光線，並可與未被吸收的第一光線產生一混合光。在另一實施例中，第一光線產完全或幾乎完全被波長轉換層140中的波長轉換顆粒吸收。在本文中，「幾乎完全」係指混合光中位於第一光線峰值波長的光強度小於在第二光線及/或第三光線峰值波長光強度的3%。
透明黏合劑142可將波長轉換顆粒144分散於空間中，且可固定波長轉換粒子144彼此間的相對位置，並傳導波長轉換粒子144產生的熱。調整透明黏合劑142與波長轉換粒子144的重量比可以改變波長轉換粒子144在波長轉換層140中的濃度。一般而言，波長轉換粒子144的濃度越高，可將更多來自發光元件120的光線轉換成另一種光線(轉換比例越高)。此外，在一實施例中，當波長轉換粒子144於波長轉換層140中的重量百分比在70%以下時，波長轉換粒子144於波長轉換層140中的重量百分比越高，散射光線的效果越顯著。但波長轉換粒子144的濃度若太高則表示透明黏合劑142含量太少，可能無法有效固定波長轉換粒子144。在一實施例中，波長轉換粒子144於波長轉換層140中的重量百分比在70%以下。在另一實施例中，波長轉換粒子144於波長轉換層140中的重量百分比在20%~60%。波長轉換粒子144在上述的重量百分比範圍中可得到較佳的轉換比例及散射效果，且可被有效地被固定在空間中的位置。此外，為了讓激發波長轉換粒子144的第一光線以及波長轉換粒子144發射的第二光線能有較高的出光效率，透明黏合劑142以具有對第一光線及第二光線有較高的穿透率者為佳，例如穿透率大於80%、90%、95%或99%。
透明黏合劑142的材料可為熱固化樹脂，熱固化樹脂可為環氧樹脂或矽氧樹脂。在一實施例中，透明黏合劑142為矽氧樹脂，矽氧樹脂的組成可根據所需的物理性質或光學性質的需求做調整。一實施例中，透明黏合劑142含有脂肪族的矽氧樹脂，例如，甲基矽氧烷化合物，並具有較大的延展性，較可以承受發光元件110產生的熱應力。另一實施例中，透明黏合劑142含有芳香族的矽氧樹脂，例如，苯基矽氧烷化合物，並具有較大的折射率，可以提高發光元件120的光萃取效率。透明黏合劑142的折射率與發光元件120出光面之材料的折射率相差越小，出光的角度越大，光萃取(light extraction)的效率可更加提升。在一實施例中，發光元件120出光面之材料為藍寶石(sapphire)，其折射率約為1.77，透明黏合劑142之材料為含有芳香族的矽樹脂，其折射率則大於1.50。
波長轉換粒子144的材料可包含無機的螢光粉(phosphor)、有機分子螢光色素(organic fluorescent colorant)、半導體材料(semiconductor)、或上述材料的組合。半導體材料包含奈米尺寸結晶體(nano crystal)的半導體材料，例如量子點(quantum-dot)發光材料。在一實施例中，波長轉換粒子144的材料為螢光粉，其可選自於由Y3Al5O12：Ce、Gd3Ga5O12：Ce、Lu3Al5O12：Ce、(Lu、Y)3Al5O12：Ce、Tb3Al5O12：Ce、SrS：Eu、SrGa2S4：Eu、(Sr、Ca、Ba)(Al、Ga)2S4：Eu、(Ca、Sr)S：(Eu、Mn)、(Ca、Sr)S：Ce、(Sr、Ba、Ca)2Si5N8：Eu、(Sr、Ba、Ca)(Al、Ga)SiN3：Eu、CaAlSiON：Eu、(Ba、Sr、Ca)2SiO4：Eu、(Ca、Sr、Ba)Si2O2N2：Eu、K2SiF6：Mn、K2TiF6：Mn、及K2SnF6：Mn所組成之群組。半導體材料可包含II-VI族半導體化合物、III-V族半導體化合物、IV-VI族半導體化合物、或上述材料的組合。量子點發光材料可包含主要發光的核心區(core)以及包覆核心區的殼(shell)，核心區的材料可選自於由硫化鋅(ZnS)、硒化鋅(ZnSe)、碲化鋅(ZnTe)、氧化鋅(ZnO)、硫化鎘(CdS)、硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、氮化鎵(GaN)、磷化
鎵(GaP)、硒化鎵(GaSe)、銻化鎵(GaSb)、砷化鎵(GaAs)、氮化鋁(AlN)、磷化鋁(AlP)、砷化鋁(AlAs)、磷化銦(InP)、砷化銦(InAs)、碲(Te)、硫化鉛(PbS)、銻化銦(InSb)、碲化鉛(PbTe)、硒化鉛(PbSe)、碲化銻(SbTe)、硒化鋅鎘(ZnCdSe)、硫化鋅鎘硒(ZnCdSeS)、及硫化銅銦(CuInS)所組成之群組。殼的材料與核心區的材料在材料、機械等特性上必須相互搭配(例如核心區與殼的材料的晶格常數需要匹配)，例如：核心區為硒化鎘，殼的材料可為硫化鋅。殼的結構可以是單層、多層或者材料組成為漸變的結構。
波長轉換層140可覆蓋發光元件120的一或多個出光面。在一實施例中，發光元件120之出光面包含上表面121及側面125，波長轉換層140同時覆蓋發光元件120之上表面121及側面125。此外，在一實施例中，波長轉換層140與發光元件120之上表面121及數個側面125直接接觸。在另一實施例中，波長轉換層140覆蓋發光元件120之上表面121及側面125，並由側面125之下方處彎折後沿著光調整層160之下表面向光調整層160的外側表面方向延伸而形成一尾部(圖未示)。尾部可以與光調整層160的外側表面齊平或被其所覆蓋。
光調整層160形成在發光元件120與波長轉換層140之上，用以將來自於發光元件120以及波長轉換層140的初步混合光再進一步混合以產生具有更均勻光色分布的混合光。具體而言，當發光元件120以及波長轉換層140發出具有多種頻譜的光線在進入光調整層160之前，於波長轉換層140內先初步混光，此初步混合光在經過光調整層160時，經過折射、反射及散射後會更均勻地相互混合，得以提高發光裝置100在不同視角下的色彩分布之均勻度(以下簡稱色均度)。色均度的判斷可透過視角對色座標標準差的關係圖。關係圖中X軸表示視角，0°對應於垂直於頂面121的方向，90°及-90°分別為平行於頂面121的兩個相對的方向。Y軸之△u’v’表示色座標上任一點與一基準點(u0’，v0’)的距離。換言之，△u’v’越大表示兩點在色座標上距離越遠，也就表示第一光線與第
二光線混光的比例有較大的不同。其中，△u’v’=(△u’2+△v’2)1/2，u’及v’分別表示CIE 1976表色系統下的色座標，△u’為u’-u0’，△v’為v’-v0’，基準值(u0’，v0’)定義為所有角度下色座標的平均值。在一實施例中，光調整層160包含一接合劑162以及分散於接合劑162中的擴散粒子164(第一種組成)，其中，與光調整層160相比，擴散粒子164的重量百分比不小於20%，較佳地，重量百分比在30%至50%。此處所稱之重量百分比是定義為光調整層160中特定物質重量佔所有物質重量的百分比。於一實施例中，光調整層160只包含了接合劑162以及擴散粒子164，光調整層160的總重量為接合劑162以及擴散粒子164重量之和。於其他實施例中，光調整層160除接合劑162以及擴散粒子164外還包含了其他添加劑，例如分散劑，分散劑的材料例如是矽烷(silane)，因此，光調整層160的總重量為接合劑162、擴散粒子164及分散劑重量之和。此外，量測重量百分比的方式可採用熱重分析(TGA)。
參閱第1B圖，在一實施例中，光調整層160中擴散粒子164的重量百分比不小於20%時，且當波長轉換層140之側邊厚度Sp1、Sp2、Sp3、Sp4的個別厚度與平均厚度之變異(variation)達10%以上時，仍可維持良好的色均度，例如，色均度於0°至70°(或0°至-70°)的視角下，△u’v’值小於0.010。在另一實施例中，側邊厚度Sp1、Sp2、Sp3、Sp4的個別厚度與平均厚度之變異在10%至30%之間。個別厚度與平均厚度之變異在此是定義為單一側邊厚度與所有側邊厚度的平均值之差的絕對值除以所有側邊厚度之平均值的百分比。
參閱第1A圖，接合劑162的材料可與透明黏合劑142相同、相似或不同。接合劑162的材料若與透明黏合劑142相同或相近，則光調整層160與波長轉換層140接合的效果較佳。材料相同或相近可以指材料在化學性質上相同或相近，例如：兩者皆為高分子且極性(Polarity)相同或相近。在一實施例中，接
合劑162與透明黏合劑142皆為矽氧樹脂。接合劑162的材料可參閱描述透明黏合劑142材料的相關段落。
擴散粒子164可以是對發光元件120以及波長轉換層140發出的光線具有可穿透的特性。擴散粒子164的材料例如：氧化矽。擴散粒子164的大小可影響對光線之擴散。一般而言，在相同的濃度下，較小的擴散粒子164更能夠散射光線，較大的擴散粒子較易被光線穿過。在一實施例中，擴散粒子164的平均粒徑不大於10微米(μm)。在另一實施例中，光調整層160中包含兩種粒徑尺寸的擴散粒子，一種平均粒徑在1至10微米，另一種平均粒徑在15到50微米之間。此外，在一實施例中，擴散粒子164之折射率在1.45至1.48之間。擴散粒子164與接合劑162的折射率可以是相同或不同。在一實施例中，接合劑162之折射率大於擴散粒子164且兩者折射率差小於0.1。
此外，光調整層160的外表面可作為發光裝置100的出光面。在一實施例中，承載基板122之折射率在1.76至1.82之間，波長轉換層140之折射率在1.52至1.76之間，光調整層160之折射率在1.40至1.60之間。
在另一實施例中，光調整層160可進一步包含光散射粒子(圖未示)，光散射粒子可透過光的反射或散射作用，強化混光的效果。在一實施例中，光散射粒子分散於接合劑162中。在一實施例中，光散射粒子的折射率大於擴散粒子之折射率，在此實施例中，光散射粒子的折射率可大於擴散粒子之折射率在0.5以上。此外，在一實施例中，擴散粒子164為氧化矽。若光散射粒子為白色顏料，例如：氧化鈦，如此，光調整層160同時可改變發光裝置100之外貌的顏色。當發光裝置100應用於電子產品時，例如：電腦或手機，透過選擇適當的散射粒子，發光裝置100的顏色可接近電子產品的外觀顏色，縮小發光裝置100與電子產品外觀間的顏色差異。光散射粒子的重量百分比可視對混光以及顏色的需求作調整。此外，光散射粒子也可幫助將發光元件120發出的光以及波長轉
換層140轉換的光均勻混合，因此可以降低擴散粒子164的使用量。在一實施例中(第二種組成)，其中，與光調整層160相比，擴散粒子164的重量百分比不小於5%，光散射粒子的重量百分比不小0.4%。在另一實施例中，擴散粒子164的重量百分比在5%至20%，光散射粒子的重量百分比在0.4%至3%。光散射粒子的重量百分比若大於5%，可能會增加光線被發光裝置100內部吸收的機率，因此發光裝置100的發光強度會減少。
發光裝置100的尺寸會影響色均度，特別是發光裝置100的長度及寬度越小時，總側邊厚度St越小，色均度不均勻的問題就容易出現。總側邊厚度St在此定義為波長轉換層140之個別側邊厚度Sp1、Sp2與光調整層160之側邊厚度Sd之合，即Sp1+Sd或Sp2+Sd。換言之，總側邊厚度St是指發光裝置100之側面106(最外表面)至對應的發光元件120之側面125的距離。在本實施例中，發光裝置100是一六面體結構，發光裝置100的長度及寬度是指發光裝置100之兩相對側面106間的最大距離。在一實施例中，發光裝置100的長度及寬度不大於2.5釐米(mm)，總側邊厚度St小於0.35釐米(mm)，此時，光調整層160中的擴散粒子164的重量百分比不小於20%具有較好的色均度。在另一實施例中，發光裝置100的長度及寬度不大於2.0釐米(mm)，總側邊厚度St小於0.25mm，擴散粒子164的重量百分比在30%至50%。
波長轉換層140之上邊厚度Tp與波長轉換層140之側邊厚度Sp1、Sp2也可影響色均度。在一實施例中，上邊厚度Tp大於側邊厚度Sp1、Sp2時，較上邊厚度Tp等於側邊厚度Sp1、Sp2的色均度為佳。在一實施例中，上邊厚度Tp與側邊厚度Sp1、Sp2的比可以在1.5至2.5之間。
發光裝置100中的總上邊厚度Tt中的波長轉換層140之上邊厚度Tp與光調整層160之上邊厚度Td的比也可影響色均度。總上邊厚度Tt在此定義為波長轉換層140之上邊厚度Tp與光調整層160之上邊厚度Td之合。在一實施例中，波
長轉換層140之上邊厚度Tp與光調整層160之上邊厚度Td的比可以在0.8至2.4之間的色均度為佳。
參閱第1A圖，波長轉換層140及光調整層160的下表面可被光反射層150所覆蓋。光反射層150可將發光元件120以及波長轉換層140發出的光線反射朝向出光面。在一實施例中，波長轉換層140與光反射層150直接接觸。光反射層150可由具光反射性質的不導電材料所組成。在一實施例中，光反射材料例如是氧化鈦(TiO2)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鈮(Nb2O5)、氧化鋁(Al2O3)、氧化矽(SiO2)、氟化鎂(MgF2)、氮化鋁(Al2N3)，在另一實例中，光反射材料是上述材料的顆粒與接著劑混合的光反射膠料所形成，接著劑例如是矽樹脂、壓克力樹脂或環氧樹脂。在一實施例中，可用網版印刷(screen-printing)形成光反射層150。
參閱第1A圖，接觸電極126a及126b的下表面可分別覆蓋延伸墊132、134。在一實施例中，延伸墊132、134覆蓋接觸電極126a及126b以及部分的光反射層150。如圖所示，延伸墊132、134會向內延伸而彼此靠近，且會向外側延伸並於碰觸光反射層150的外邊界前停止。然而，延伸墊132、134亦可以停止在光反射層150的外邊界上(未顯示)。在一實施例中，延伸墊132之表面積大於接觸電極126a之表面積及/或延伸墊134之表面積大於接觸電極126b之表面積。在一實施例中，光反射層150的厚度大於接觸電極126a及126b的厚度，延伸墊132、134由接觸電極126a及126b上延伸至光反射層150上時，由於光反射層150與接觸電極126間的高低差因此會形成一個斜面。在另一實施例中，接觸電極126a及126b與光反射層150若是共平面(未顯示)，則不存在上述的斜面。延伸墊132、134為一高導電的材料，例如但不限於銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)金屬。在一實施例中，可用電鍍方法形成延伸墊132、134。
第2A圖至第2F圖為製作發光裝置100的流程圖。參照第2A圖，提供一暫時性基板212、發光元件220a、220b、220c及一黏膠層214’以固定發光元件220a、220b、220c於暫時性基板212上，其中，發光元件的數量在此僅為例示，並不限於三個。在一實施例中，暫時性基板212為玻璃、藍寶石基板、金屬片或塑膠片材料，可做為支撐之用。此外，暫時性基板212具有一平坦的表面有利於後續切割或對位等製程。黏膠層214’為一紫外線固化膠(UV curing adhesive)，此時，黏膠層214’尚未被完全固化而仍具有黏性。
參照第2B圖，將一波長轉換片240’形成於黏膠層214’上，並同時覆蓋發光元件220a、220b、220c。波長轉換片240’是將多個波長轉換顆粒與透明黏合劑混合後預先形成之片狀結構。片狀結構的尺寸可依照需求進行調整，例如，片狀結構包含數個彼此分離的波長轉換片，此數個彼此分離的波長轉換片可以批次或依序覆蓋數個發光元件，亦即一個波長轉換片240’僅覆蓋一個或少量的發光元件(例如，暫時性基板212上發光元件總數的1/50、1/100、或1/200以下)。又例如，片狀結構是一捲帶(tape)，可以連續且一次性地覆蓋數個發光元件，亦即一個波長轉換片同時覆蓋多數個或暫時性基板212上的所有發光元件(例如，暫時性基板212上發光元件總數的1/50、1/100、1/200以上)。在一實施例中，波長轉換片240’係貼合在發光元件220a、220b、220c上。貼合係透過上模具(波長轉換片可以安置在上模具上，未顯示)及下模具(發光元件可以安置在下模具上，未顯示)的密合，同時對波長轉換片240’加熱以及加壓，以軟化波長轉換片240’使其可緊密地與發光元件220a、220b、220c接合。此時，波長轉換片240’尚未被完全固化。在一實施例中，波長轉換片240’在形成於發光元件220a、220b、220c時還包含一載板(未顯示)用以乘載波長轉換片240’。載板的材料可以是高分子，例如聚乙烯或聚酯。
參照第2C圖，透過分離的製程，將波長轉換片240分割成多個波長轉換層240a、240b、240c。此分離的製程可以為第一次分離。在分離的製程之前，可先將未固化的波長轉換片240’固化成波長轉換片240。在一實施例中，以加熱方式固化波長轉換片240’。在另一實施例中，可使用其他型態的能量固化波長轉換片240’，例如：輻射。分離的製程包含以切割工具232切割波長轉換片240以及部分或全部的黏膠層214’並形成切割道。
參照第2D圖，形成一光調整層260’於多個波長轉換層240a、240b、240c以及暫時性基板212之上。在一實施例中，光調整層260’會包覆波長轉換層240a、240b、240c之所有的上表面及側壁。此外，光調整層260’與黏膠層214’的表面直接接觸。光調整層260’形成方式可透過模具成形法(molding)，加熱且施加壓力使得光調整層260’包覆波長轉換層240a、240b、240c的上表面以及填入發光元件220a、220b、220c之間的凹陷處或切割道。在其他實施例中，光調整層260’的形成方式包含塗佈或貼合一膜材。在一實施例中，此階段的光調整層260’尚屬於半固化的狀態，或是稱作B階段(B-stage)的膠材。在一實施例中，可透過加熱方式固化光調整層260’。加熱後的光調整層260’轉變為完全固化的的狀態，或是稱作C階段(C-stage)的光調整層260。在另一實施例中，可以以其他能量型態固化波長轉換片240’，例如：光。在一實施例中，擴散粒子已預先與接合劑混合後預成形為一片狀結構，將此片狀結構設置在波長轉換層240a、240b、240c之上以形成光調整層260’。在另一實施例中，擴散粒子與接合劑混合後可直接塗佈至波長轉換層240a、240b、240c之上形成光調整層260’。
參照第2E圖，可以透過第二次分離的製程，將光調整層260分割。光調整層260分割後形成多個光調整層260a、260b、260c。在一實施例中，此步
驟可同時形多個發光裝置200a、200b、200c。第二次分離的製程包含以切割工具234切割光調整層260。根據一實施例，第二次分離的製程所使用的切割工具的寬度相較於第一次分離的製程較窄，因此可以切割出更窄的切割道。如此，光調整層260a、260b、260c可以環繞波長轉換層240a、240b、240c。
參照第2F圖，提供一能量(例如，輻射能或熱能)使得黏膠層214’的黏性降低或消失。根據一實施例，黏膠層214’為紫外線固化膠，暫時性基板212為玻璃或藍寶石基板等透明材料。此時，由暫時性基板212的方向照射紫外線使得紫外線固化膠固化後黏性降低。在另一實施例，黏膠層214’可以是熱固性固化膠，在加熱固化後黏膠層214’黏性降低。之後，將發光裝置200a、200b、200c轉換至另一暫時性基板270。轉換的步驟可以是透過抓取方式放置到另一暫時性基板270。暫時性基板270可以是藍膜。根據其他實施例，發光裝置200a、200b、200c可依序被放至捲帶中。
參考第1A圖，發光元件220a、220b、220c之底面也可以形成光反射層150及延伸墊132、134。在一實施例中，反射層150及延伸墊132、134可在形成於光調整層260’之後(第2D圖)，及第二次分離(第2E圖)之前。參照第3A圖，將發光元件220a、220b、220c反轉後透過一黏膠254分別貼到另一暫時基板252。其中，光調整層360與黏膠254接合以固定。並將暫時性基板212與發光元件220a、220b、220c分離，此時，發光元件220a露出接觸電極226a，發光元件220b露出接觸電極226b，以及發光元件220c露出接觸電極226c。
參照第3B圖，形成光反射層350於發光元件220a、220b、220c之接觸電極226a、226b及226c之周圍。光反射層350可凸出或與接觸電極226a、226b及226c齊平。此外，光反射層350覆蓋光調整層360之一部分或全部之一表面。反射層350可以透過網印或用曝光顯影的方式形成。
參照第3C圖，將延伸墊332a、334a分別形成在接觸電極226a之上，延伸墊332b、334b分別形成在接觸電極226b之上，以及延伸墊332c、334c分別形成在接觸電極226c之上。根據一實施例，延伸墊332a、334a及332b、334b及332c、334c是以電鍍方式形成。若不需形成光反射層及/或延伸墊，則可以略過第3A圖，第3B圖及/或第3C圖的步驟。
參照第3D圖，透過第二次分離的製程，將光反射層350以及光調整層360分離。與第2E圖不同的部分，此時，接觸電極226a、226b及226c朝上。此外，根據一實施例，以切割方式分離光反射層350以及光調整層360時，切割面上露出光反射層350及延伸墊332a、334a及332b、334b及332c、334c。以切割工具332切割光反射層350以及光調整層360以形成發光裝置300a、300b、300c。在一實施例中，以單一種切割工具332切割光反射層350以及光調整層360。在另一實施例中，可先以第一種刀具切割光反射層350再用第二種刀具切割光調整層360。
第4圖為根據本發明另一實施例所揭露之一發光裝置400的剖面圖。發光裝置400包含發光元件420、一波長轉換層440及光調整層460。波長轉換層440覆蓋發光元件420之部分表面。波長轉換層440包含一透明黏合劑442以及多個分散於透明黏合劑442中的波長轉換粒子444。光調整層460包含一接合劑462以及分散於接合劑462中的擴散粒子464。與第1圖的不同之處，光調整層460環繞波長轉換層440但並無覆蓋波長轉換層440之上表面441。換言之，波長轉換層440之上表面441可由光調整層460露出。在一實施例中，波長轉換層440之上表面441完全未覆蓋光調整層460。在另一實施例中，波長轉換層440之上表面441的部分無覆蓋光調整層460。在一實施例中，發光裝置400之底部包含凸塊(bump)
432及434以及光反射層450，於一實施例中，發光元件420具有接觸電極426a、426b，位在發光元件420之同一側。於一實施例中，接觸電極426a、426b以及凸塊(bump)432及434形成疊層結構且彼此電性連結。凸塊432及434的材質可以是金屬，例如：錫合金或銅。在另一實施例中，凸塊也可替換成延伸墊(圖未示)。此外，光反射層450環繞兩凸塊432及434。發光元件420、波長轉換層440、光反射層450以及光調整層460的具體結構、作用及形成的方法可以參考第1圖及相應之段落。發光裝置400之波長轉換層440之上表面441無覆蓋光調整層460，第一光線及第二光線由上表面441出光時，不會被光調整層460的散射作用造成部分光線無法被有效利用，因此可增加出光效率。
發光裝置400於發光元件420旁的總側邊厚度St為波長轉換層440之側邊厚度Sp與光調整層460之側邊厚度Sd之和。根據一實施例，光調整層460中的擴散粒子464的重量百分比不小於20%，總側邊厚度St小於0.25mm，具有良好的色均度。根據一實施例，波長轉換層440之側邊厚度Sp與光調整層460之側邊厚度Sd之比例在0.8至1.2時，具有良好的色均度。
第5A圖至第5F圖為製作發光裝置400的流程圖。參照第5A圖，提供一暫時性基板512、發光元件520a、520b、520c及一黏膠層514’以固定發光元件520a、520b、520c於暫時性基板512上。暫時性基板512以及黏膠層514’的作用及形成的方法可參閱第2A圖及相關的段落。
參照第5B圖，將一波長轉換片540’形成於黏膠層514’上，並同時覆蓋發光元件520a、520b、520c。參照第5C圖，透過分離的製程，將波長轉換片540分割成多個波長轉換層540a、540b、540c。波長轉換片540’及波長轉換層540a、540b、540c的作用及形成的方法可參閱第2B圖、第2C圖及相關的段落。
參照第5D圖，形成一光調整層560’於多個波長轉換層540a、540b、540c以及暫時性基板512之上。光調整層560’的作用及形成可參閱第2D圖及相關的段落。
參照第5E圖，減少光調整層560之厚度以露出波長轉換層540a、540b、540c。在一實施例中，在減少光調整層560厚度之前，可先透過加熱方式固化光調整層560’。加熱後的光調整層560’轉變為完全固化狀態的光調整層560。在一實施例中，減少光調整層560之厚度的方式是以切削工具來回切削光調整層560以將其厚度逐漸減薄至所需的厚度。在另一實施例中，減少光調整層560之厚度的方式是以去膠法(Deflash)，例如水刀去膠法(Water Jet Deflash)或濕式噴砂去膠法(Wet Blasting Deflash)。
參照第5F圖，透過第二次分離的製程，將光調整層560分離，以形成多個彼此分離的光調整層560a、560b、560c。光調整層560的分離方法以及切割工具534可參閱第2E圖及相關的段落。
第6圖係顯示第1A圖的實施例中發光裝置100於視角(Angle)對色座標標準差(△u’v’)的關係圖。在視角分布區間內，△u’v’的數值越小表示於不同視角下的色均度越好。在第6圖中，分別為樣品1(sample 1)至樣品7(sample 7)的發光裝置100，其中，各樣品的總上邊厚度Tt約為0.3釐米(mm)。樣品1的上邊厚度Tp與上邊厚度Td的比(以下簡稱Tp/Td)約為0.5；樣品2、樣品3及樣品4的Tp/Td約為1.0；樣品5、樣品6及樣品7的Tp/Td約為2.0。樣品1、樣品4及樣品7的擴散粒子重量百分比約為40%；樣品2及樣品5的擴散粒子重量百分比約為20%；樣品3及樣品6的擴散粒子重量百分比約為30%。
樣品1至樣品7的色均度於0°至70°(或0°至-70°)的視角下，△u’v’值小於0.010。特別是樣品5、樣品6及樣品7(Tp/Td=2.0)，0°至70°的△u’v’值小於0.004。樣品7的色均度於0°至90°(或0°至-90°)的視角下，△u’v’值都可保持在小於0.004。此外，在相同的Tp/Td下，例如樣品5及樣品7，擴散粒子重量百分比大的樣品7(40%)較重量百分比小的樣品5(20%)的△u’v’值小。
第7A圖為根據本發明另一實施例所揭露之一發光裝置700的剖面圖。發光裝置700包含發光元件720、一波長轉換層740、一光調整層760、延伸墊732、734以及光反射層750。發光元件720包含一承載基板722、一發光層724以及接觸電極726、726a、726b。與第1圖的實施例不同之處，至少有光調整層760之上還覆蓋一顯色層780。在一實施例中，顯色層780僅覆蓋光調整層760之上表面761且露出光調整層760之側表面763。
顯色層780可表現及調整發光裝置700之外貌的顏色。在發光裝置100的實施例之一，如第1A圖所示，發光裝置100中光調整層160是透明或霧狀，因此看到發光裝置100的顏色為較內層的波長轉換層140顏色。若波長轉換層140含有黃色螢光粉，看到的顏色即為黃色。然而，一實施例中，如第7A圖所示，顯色層780為白色，因此發光裝置700的頂面781即為白色。參閱第7B圖，第7B圖為發光裝置700的上視圖，大體上僅能看到顯色層780，並不會或僅能隱約看到發光元件720及波長轉換層740。若顯色層780外顯的顏色可與安裝發光裝置700的電子產品的外殼顏色相同或相近，則使用者不易察覺到發光裝置700的存在，可提升電子產品的整體感。此外，顯色層780可改變發光裝置700之發光角度與發光強度的分布。發光裝置700往上表面761方向行進的光線被顯色層780阻
擋而減少上表面761的光強度。此外，顯色層780可以使由側表面763發出的光量增加，因此使發光裝置700於小角度與大角度間的光強度分布較為均勻。
在一實施例中，發光裝置700應於閃光燈裝置之中，例如手機等電子產品的閃光燈。在一實施例中，發光裝置700的顯色層780與電子產品之外殼(未圖示)的顏色相同或相似。在另一實施例中，於相同環境下，發光裝置700(自顯色層780側觀察)與電子產品外殼之HSV色彩空間，兩者之H值相同，且兩者之V值差異不大於20，其中H表示色相(Hue)，S表示飽和度(Saturation)，V表示明度(Value或Brightness)。在又一實施例中，發光裝置700(自顯色層780側觀察)與電子產品外殼之HSV，兩者之H值相同，且兩者之V值差異不大於10。在一實施例中，發光裝置700(自顯色層780側觀察)的H值(H1)為0，S值(S1)為0至5之間，V值(V1)為90至100之間，電子產品鄰近發光裝置700處之外殼的H值(H2)為0，S值(S2)為0至5之間，V值(V2)為90至100之間。
顯色層780可包含一接合劑782以及多個分散於接合劑782中的顏料784。在一實施例中，顯色層780之接合劑782的種類可與光調整層760之接合劑(圖未示)相同或相似。在一實施例中，顯色層780之接合劑782與光調整層760之接合劑皆為矽氧樹脂。顏料784的類別可視顯色層780所需的顏色作調整，顯色層780的顏色例如：白色、銀色、金色黃色、藍色、紅色或黑色。在一實施例中，電子產品之外殼之主要色系或鄰近發光裝置處的顏色為白色，因此，顯色層780內的顏料784可以配合電子產品外觀顏色選擇白色顏料。白色顏料的材料例如：硫酸鋇，氧化鈦或氧化鋅。在其他實施例中，顯色層780內的顏料784可為銀色顏料、金色顏料、黃色顏料、藍色顏料或紅色顏料。銀色顏料的材料例如：氮化鋁(AlN)。金色顏料的材料例如：雲母及氧化鈦的多層組合。黃色
顏料的材料例如：鉻酸鉛或鉻酸鋅。藍色顏料的材料例如：鐵藍或鈷藍。紅色顏料的材料例如：鐵紅或鉬鉻紅。黑色顏料的材料例如：碳黑或氧化鐵黑。顏料784的重量百分比可視對顏色表現的需求，例如：顏色的飽和度或明度，作調整。在一實施例中，顏料784相對於顯色層780總重的重量百分比在1%至7%。在另一實施例中，顏料784的重量百分比在2%至5%。顏料784的重量百分比若大於7%，可能會發生光線被顏料784散射後往發光裝置700的內部並被吸收，因此發光裝置700的發光強度會減少。在一實施例中，顯色層780的厚度可在0.050釐米(mm)至0.400mm之間。顯色層780厚度例如是0.06mm、0.08mm、0.100mm、0.150mm、0.200mm、0.300mm或0.350mm。
發光裝置700除了具有良好的色均度外，同時可藉由顯色層780貼近電子產品的外殼顏色，提升電子產品整體外觀質量。此外，顯色層780也可勻化發光裝置700在小角度與大角度之間的發光分布。
第8A圖至第8E圖為製作發光裝置700的流程圖。參照第8A圖，提供一暫時性基板212、發光元件220a、220b、220c及一黏膠層214’。發光元件220a、220b、220c分別被獨立的波長轉換層240a、240b、240c覆蓋。波長轉換層240a、240b、240c形成的方法可參閱第2B圖及第2C圖及其相應說明。另外，提供一光調整膜860’以及一顯色膜880’。
參照第8B圖，光調整膜860’以及顯色膜880’是一起形成在波長轉換層240a、240b、240c之上且包覆各個波長轉換層(即240a、240b、240c)之上表面及所有側表面。在另一實施例中，光調整膜860’以及顯色膜880’可被依序地分別形成在波長轉換層上。在又一實施例中，光調整膜860’以及顯色膜880’在形成在波長轉換層240a、240b、240c之前或當下，光調整膜860’及顯色膜880’之接
合劑(圖未示)都是半固化或是稱作B階段(B-stage)的膠材。後續，提供一能量固化光調整膜860’以及顯色膜880’以形成光調整膜860以及顯色膜880。此時，光調整膜860以及顯色膜880之接合劑(圖未示)為已固化或是稱作C階段(C-stage)的膠材。在一實施例中，是以加熱作為固化光調整膜860以及顯色膜880之接合劑。固化光調整膜860以及顯色膜880之接合劑同時亦可以強化光調整膜860以及顯色膜880之間的黏合力(adhesive strength)。在另一實施例中，可以紫外光或其他光線固化光調整膜860以及顯色膜880之接合劑。
參照第8C圖，分離發光元件220a、220b、220c與暫時性基板212。在一實施例中，在分離發光元件220a、220b、220c與暫時性基板212步驟之前，顯色膜880與另一暫時性基板252先透過黏膠層254’彼此黏合後，再將發光元件(220a、220b、220c)、波長轉換層(240a、240b、240c)、光調整膜860以及顯色膜880與暫時性基板212分離。此時，由分離的表面暴露出接觸電極226a、226b。在一實施例中，分離之前，可先加熱黏膠層214’使其黏性降低或消失轉成低黏性的黏膠層214。
在一實施例中，若發光裝置不需形成延伸墊及光反射層，可以直接分離光調整膜860以及顯色膜880成多個發光裝置(圖未示)。分離製程之相關描述可參閱第2E圖或第3D圖及其相應說明。在另一實施例中，若需形成延伸墊及光反射層，可參照第8D圖，於接觸電極226a、226b周遭形成光反射層350，且於接觸電極226a形成延伸墊延伸墊332a、334a，接觸電極226b形成延伸墊延伸墊332b、334b以及接觸電極226c形成延伸墊332c、334c。製程之相關描述可參閱第3B及3C圖及其相應說明。
參照第8E圖，將光反射層350、光調整層860以及顯色膜880分離形成發光裝置800a、800b、800c。分離製程之相關描述可參閱第3D圖及其相應說明。在一實施例中，可利用單一種刀具分離光反射層350、光調整膜860以及顯色膜880。之後，可再將發光裝置800a、800b、800c翻轉至另一膜片或捲帶中(未圖示)。此外，為了減少發光裝置800a、800b、800c在後續拿取製程(pick-up)中，顯色膜880對拿取設備的沾粘，可進一步對顯色膜880的表面做一抗沾黏處理。在一實施例中，抗沾黏處理的方式可為物理的方式，例如：以刮刀移除一顯色膜880的表層，如此可移除殘留在顯色膜880上的膠。此外，可讓顯色膜880的表面有較大的粗糙度，如此拿取設備與顯色膜880會存在空氣，較不會產生沾黏。
第9A圖及第9B圖為根據本發明另一實施例所揭露之一發光裝置900的剖面圖及上視圖。發光裝置900包含一發光元件920、一波長轉換層940、一光調整層960、一顯色層980、延伸墊932、934以及一光反射層950。其中，發光裝置900之顯色層980的頂表面981與底表面985之面積(或寬度)不同。在一實施例中，顯色層980的側表面983為傾斜的平面，由底表面985往頂表面981向內傾斜。如此，可以增加顯色層980的側向出光及顯色層980周緣上方的出光，使發光裝置900的光強度分布更為均勻。在一實施例中，側表面983的形成方式可透過刀具、雷射切出所需的形狀。
發光裝置900除了具有良好的色均度外，同時可藉由顯色層980貼近電子產品的外殼顏色，提升電子產品整體外觀質量。此外，顯色層980也可勻化發光裝置900在整個發光角內的發光分布以及減少發光裝置900於頂表面981正上方較暗的問題。
第10圖為根據本發明另一實施例所揭露之一發光裝置1000的剖面圖。發光裝置1000包含一發光元件1020、一波長轉換層1040、一光調整層1060、一顯色層1080、延伸墊1032、1034以及一光反射層1050。其中，光調整層1060僅圍繞波長轉換層1040之側表面1043及顯色層1080之側表面1083，並未覆蓋波長轉換層1040之上表面1041。
第11圖為根據本發明另一實施例所揭露之一發光裝置1100的剖面圖。發光裝置1100包含發光元件1120、一波長轉換層1140、一光調整層1160、一顯色層1180、延伸墊1132、1134以及光反射層1150。其中，顯色層1180同時覆蓋波長轉換層1140之上表面1141以及光調整層1160之上表面1161。
以上所述之實施例僅係為說明本發明之技術思想及特點，其目的在使熟習此項技藝之人士能夠瞭解本發明之內容並據以實施，當不能以之限定本發明之專利範圍，即大凡依本發明所揭示之精神所作之均等變化或修飾，仍應涵蓋在本發明之專利範圍內。
100‧‧‧發光裝置
102‧‧‧頂表面
104‧‧‧底表面
106‧‧‧側面
120‧‧‧發光元件
121‧‧‧上表面
122‧‧‧成長基板
123‧‧‧下表面
124‧‧‧發光層
125‧‧‧側面
126、126a、126b‧‧‧接觸電極
132、134‧‧‧延伸墊
140‧‧‧波長轉換層
142‧‧‧透明黏合劑
144‧‧‧波長轉換粒子
150‧‧‧光反射層
160‧‧‧光調整層
162‧‧‧接合劑
164‧‧‧光擴散粒子
Sd‧‧‧光調整層之側邊厚度
Sp1、Sp2‧‧‧波長轉換層之側邊厚度
St‧‧‧總側邊厚度
Td‧‧‧光調整層之上邊厚度
Tp‧‧‧波長轉換層之上邊厚度
Tt‧‧‧總上邊厚度
Claims (10)
- 一種發光裝置，包含：一發光元件，包含一第一上表面、一下表面以及位於該上表面及該下表面間之複數個第一側面；一波長轉換層，包含多顆波長轉換粒子，且包含一位於該發光元件之該第一上表面正上方之第二上表面；以及一光調整層，環繞該複數個第一側面以暴露該第二上表面，其中，該光調整層具有一內表面、一外側表面以及一第一種組成或者一第二種組成，其中，光線由該內表面通過該光調整層後，再由該外側表面遠離該光調整層，其中，該第一種組成包含一第一接合劑以及分散於該第一接合劑中的複數顆第一擴散粒子，其中，該複數顆第一擴散粒子相較於該光調整層的重量百分比不小於20%，其中，該第二種組成包含一第二接合劑、分散於該第二接合劑中的複數顆第二擴散粒子以及分散於該第二接合劑中的複數顆光散射粒子，該複數顆第二擴散粒子相較於該光調整層的重量百分比不小於5%，且該複數顆光散射粒子相較於該光調整層的重量百分比不小0.4%。
- 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，該複數顆第一擴散粒子的重量百分比在30%至50%。
- 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，該複數顆第一擴散粒子或該複數顆第二擴散粒子的平均粒徑不大於10微米。
- 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，該波長轉換層具有一側邊厚度及一平均側邊厚度，該側邊厚度與該平均側邊厚度之變異不小於10%。
- 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，該發光裝置具有一最外表面，該最外表面與複數個第一側面其中之一的距離小於0.35釐米。
- 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，該波長轉換層具有一第一上邊厚度及一第一側邊厚度，該第一上邊厚度大於該第一側邊厚度。
- 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，該波長轉換層具有一第一上邊厚度，該光調整層具有一第二上邊厚度，該第一上邊厚度與該第二上邊厚度的比值在0.8至2.4之間。
- 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，該發光裝置的色彩分布之均勻度於0°至70°的視角下，△u’v’值相差小於0.0040。
- 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，該光調整層未 覆蓋該第二上表面。
- 如申請專利範圍第1項之發光裝置，更包含一顯色層，覆蓋該光調整層。
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