TWI712187B - 發光元件以及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種發光裝置，包含一發光元件以及一波長轉換層，發光元件包含一頂面、一底面、多個側面及一第一電性接點。頂面及底面透過多個側面相互連結，二者間的距離設為第一高度(h1)。第一電性接點形成在底面上，波長轉換層包含第一區域(A1)及第二區域(A2)，第一區域位於發光元件之頂面上方，第二區域位於發光元件之側面外圍且圍繞第一區域。第一區域具有第二高度(h2)，第二區域具有第三高度(h3)及第二寬度(w2)。其中，第二高度(h2)大於該第二寬度(w2)，第一高度(h1)與第二高度(h2)之合與第三高度(h3)的差值小於15微米。

Description

發光元件以及其製造方法
本發明係關於一種發光裝置及其製造方法，尤關於一種在不同視角下具有均勻色彩分布之發光裝置及其製造方法。
固態發光元件中之發光二極體元件(Light-Emitting Diode；LED)具有低耗電量、低發熱量、操作壽命長、耐撞擊、體積小以及反應速度快等特性，因此廣泛應用於各種需要使用發光元件的領域，例如，車輛、家電、及照明燈具等。
要將LED所發出的純色光，轉換成其他顏色的光有數種方式可採用。舉例來說，可於LED上覆蓋一層螢光粉來達到此目的。螢光粉是一種光致發光的物質，也可說是波長轉換材料，它可以吸收LED所發出的第一光線後發出不同於第一光之第二光線。若第一光線未被完全消耗，仍殘留有部分第一光線與第二光線互相混合，可形成另一種顏色的混合光。
不過，於不同的角度下，若LED所發出的第一光線與被轉換的第二光線互相混合的比例若是不同，第一光線與第二光線在不同的視角下會產生混合光的色彩分布不均勻的現象。
本發明係揭露一種發光裝置，包含一發光元件以及一波長轉換 層，發光元件包含一頂面，一底面，數個(二或更多)側面及一第一電性接點，頂面及底面的距離設為第一高度(h1)且透過數個側面連結，第一電性接點形成在底面上，波長轉換層包含第一區域(A1)及第二區域(A2)，第一區域位於發光元件之頂面之上方且具有第二高度(h2)，第二區域該位於發光元件之側面之外圍且圍繞第一區域且具有第三高度(h3)以及第二寬度(w2)。其中，第二高度(h2)大於第二寬度(w2)，第一高度(h1)與第二高度(h2)之合與第三高度(h3)的差值小於15微米。
本發明係揭露一種發光裝置的形成方法。先形成複數個發光元件於一載板上。接著，形成一波長轉換片於複數個發光元件上。切割波長轉換片以形成複數個波長轉換層。複數個發光裝置中之一發光裝置包含複數個波長轉換層中之一波長轉換層。發光元件包含一頂面及一側面，波長轉換層包含位於頂面上方之第一區域(A1)及位於側面之外的第二區域(A2)。第一區域具有第二高度(h2)，其中第二高度(h2)大於第二區域(A2)之寬。
本發明係揭露一種發光裝置，包含一發光元件，一透鏡以及一波長轉換層。發光元件包含一第一頂面、一底面、一第一側面及一第一電性接點。第一頂面及底面透過第一側面連結，第一電性接點形成在底面上。透鏡包覆第一頂面及第一側面。波長轉換層包含一第二頂面及一第二側面，第二頂面位於透鏡上方，第二側面位於透鏡外側，其中第一頂面至透鏡之表面的距離小於第一側面至透鏡之表面的距離，透鏡之表面至第二頂面的距離大於透鏡之表面至第二側面的距離。
100、300、600:發光裝置
110、220a、220b、220c、310、610:發光元件
112、222a:發光元件之頂面
114、224a:發光元件之底面
116、226a:發光元件之側面
118a、118b:電性接點
120、230a、230b、230c、320、620:波長轉換層
122、322、622:波長轉換顆粒
124、324、624:透明黏合劑
125:波長轉換層之頂面
126:波長轉換層之底面
127:波長轉換層之側面
210:載具
212:載板
214:黏膠層
230:波長轉換片
240:切割刀具
250:耐熱膠
260:承載板
630:可透光層
A1、B1:第一區域
A2、B2:第二區域
B11:上區塊
B12:下區塊
h1:高度
h2:高度
h3:高度
w1:寬度
w2:寬度
第1A圖至第1B圖係顯示本發明一實施例之一種發光裝置的剖面圖及上視圖。
第2A圖至第2B圖係顯示本發明之一種發光裝置的比較例及實施例中視角對色座標的關係圖。
第3圖係顯示依據本發明另一實施例之一種發光裝置的示意圖。
第4A圖至第4D圖係顯示依據本發明一實施例之流程圖。
第5A圖至第5G圖係顯示依據本發明另一實施例之流程圖。
第6圖係顯示依據本發明另一實施例之一種發光裝置的剖面圖。
第1A圖為根據本發明一實施例所揭露之一發光裝置100的剖面圖。發光裝置100包含發光元件110及一波長轉換層120，波長轉換層120覆蓋發光元件110。
發光元件110包含一頂面112、一底面114及多個側面116，頂面112及底面114透過側面116連結。在一實施例中，發光元件110為覆晶式發光二極體晶粒(flip chip LED die)。在一實施例中，兩電性接點118a及118b位在發光元件110之同一側，作為發光元件110與外界電性連結之介面。由頂面112至底面114之間依序可包含成長基板、第一半導體層、活化層以及第二半導體層(未顯示)。在一實施例中，成長基板之一外表面即為發光元件110之出光面，其中成長基板可為藍寶石基板。在另一實施例中，頂面112至底面114之間的疊層結構中不包含成長基板，或者成長基板被自疊層結構中移除。第一半導體層可為n-型半導體層，第二半導體層可為p-型半導體層。其中，電性接點118a及118b會分別與第一半導體層及第二半導體層電連接。此外，電性接點118a及118b可以突出於波長轉換層120的底面126(如圖所示)、或與底面126大約齊平(圖未示)、或僅其 中之一突出底面126(圖未示)。在另一實施例中，發光元件110為一垂直式發光二極體晶粒(vertical LED die/chip)，電性接點118a及118b可分別形成在頂面112及底面114上，並分別與第一半導體層及第二半導體層電連接。
在一實施例中，發光元件110有四個側面，相對的側面彼此大致上互相平行。頂面112與底面114也大致互相平行。此外，頂面112至底面114的距離在此定義為高度(h1)，兩相對側面116間的距離定義為寬度(w1)。此外，計算高度(h1)時，底面114是指發光元件110除電性接點118a及118b之外的下表面，換言之，電性接點118a及118b的下表面非本處所指之底面114。在一實施例中，高度(h1)是介於50微米(μm)至250微米(μm)之間，而寬度(w1)是介於900微米至1500微米之間。發光元件110可為一發光二極體晶粒(LED die/chip)，例如但不限為藍光發光二極體晶粒或紫外光發光二極體晶粒。在一實施例中，發光元件110為藍光發光二極體晶粒，可經由外在電源提供一電力而發出第一光線，第一光線的主波長(dominant wavelength)或峰值波長(peak wavelength)介於430nm至490nm之間。
波長轉換層120可包含一透明黏合劑124以及多個分散於透明黏合劑124中的波長轉換顆粒122，其中波長轉換顆粒122可吸收發光元件110發出的第一光線，並將其轉換成與第一光線波長或頻譜相異之第二光線。在一實施例中，波長轉換顆粒122吸收第一光線後被激發出來的第二光線為黃光，其主波長或峰值波長介於530nm至590nm之間。另一實施例中，波長轉換顆粒122吸收第一光線後激發出來的第二光線為黃綠光，其主波長或峰值波長介於515nm至575nm之間。其他實施例中，波長轉換顆粒122吸收第一光線後被激發出來的第二光線為紅光，其主波長或峰值波長介於590nm至650nm之間。
波長轉換層120可包含單一種類或多種的波長轉換顆粒122。在一實施例中，波長轉換層120包含可發出黃光之波長轉換顆粒。另一實施例中，波長轉換層120包含可發出黃綠光及紅光之多種波長轉換顆粒。
波長轉換顆粒122的材料可包含無機的螢光粉(phosphor)、有機分子螢光色素(organic fluorescent colorant)、半導體材料(semiconductor)、或上述材料的組合。半導體材料包含奈米尺寸結晶體(nano crystal)的半導體材料，例如量子點(quantum-dot)發光材料。在一實施例中，波長轉換顆粒122的材料為螢光粉，其可選自於由Y3Al5O12：Ce、Gd3Ga5O12：Ce、Lu3Al5O12：Ce、(Lu、Y)3Al5O12：Ce、Tb3Al5O12：Ce、SrS：Eu、SrGa2S4：Eu、(Sr、Ca、Ba)(Al、Ga)2S4：Eu、(Ca、Sr)S：(Eu、Mn)、(Ca、Sr)S：Ce、(Sr、Ba、Ca)2Si5N8：Eu、(Sr、Ba、Ca)(Al、Ga)Si N3：Eu、CaAlSi ON：Eu、(Ba、Sr、Ca)2SiO4：Eu、(Ca、Sr、Ba)Si2O2N2：Eu、K2SiF6：Mn、K2TiF6：Mn、及K2SnF6：Mn所組成之群組。半導體材料可包含II-VI族半導體化合物、III-V族半導體化合物、IV-VI族半導體化合物、或上述材料的組合。量子點發光材料可選自於由硫化鋅(ZnS)、硒化鋅(ZnSe)、碲化鋅(ZnTe)、氧化鋅(ZnO)、硫化鎘(CdS)、硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、氮化鎵(GaN)、磷化鎵(GaP)、硒化鎵(GaSe)、銻化鎵(GaSb)、砷化鎵(GaAs)、氮化鋁(AlN)、磷化鋁(AlP)、砷化鋁(AlAs)、磷化銦(InP)、砷化銦(InAs)、碲(Te)、硫化鉛(PbS)、銻化銦(InSb)、碲化鉛(PbTe)、硒化鉛(PbSe)、碲化銻(SbTe)、硫化鋅鎘硒(ZnCdSeS)、及硫化銅銦(CuInS)所組成之群組。
透明黏合劑124可將波長轉換顆粒122分散於空間中，且可固定波長轉換顆粒122彼此間的相對位置。調整透明黏合劑124與波長轉換顆粒122的重量比可以改變波長轉換顆粒122在波長轉換層120中的濃度。波長轉換顆粒122的濃度越高，可將更多來自發光元件11的光線轉換成另一種光線(轉換比例越 高)，且散射光線的效果更加明顯。但波長轉換顆粒122的濃度若太高則表示透明黏合劑124含量太少，可能無法有效固定波長轉換顆粒122。在一實施例中，波長轉換顆粒122於波長轉換層120中的重量百分比在70%以下。在另一實施例中，波長轉換顆粒122於波長轉換層120中的重量百分比在25%~35%。波長轉換顆粒在上述的重量百分比範圍中可得到較佳的轉換比例及散射效果，且可被有效地固定其在空間中的位置。此外，為了讓激發波長轉換顆粒122的第一光線以及波長轉換顆粒122發射的第二光線能有較高的出光效率，透明黏合劑124具有對第一光線及第二光線有較高的穿透率者為佳，例如穿透率大於80%、90%、95%或99%。
透明黏合劑124的材料可為熱固化樹脂，熱固化樹脂可為環氧樹脂或矽樹脂。在一實施例中，透明黏合劑124為矽樹脂。透明黏合劑124的折射率與發光元件110出光面之材料的折射率相差越小，出光的角度越大，光萃取的效率可更加提升。在一實施例中，發光元件110出光面之材料為藍寶石(sapphire)，其折射率約為1.77，透明黏合劑124的折射率則大於1.50。
波長轉換層120可覆蓋發光元件110的一或多個出光面。在一實施例中，發光元件110之出光面包含頂面112及側面116，波長轉換層120同時覆蓋發光元件110之頂面112及側面116。在另一實施例中，波長轉換層120與發光元件110之頂面112及數個側面116直接接觸。在另一實施例中，波長轉換層120僅覆蓋發光元件110之頂面112或與其直接接觸，但不覆蓋側面116或與其接觸。
參閱第1B圖(第1A圖之上視圖)，波長轉換層120可包含第一區域A1及第二區域A2。在一實施例中，第一區域A1與第二區域A2彼此相連，第一區域A1位於發光元件110之頂面112之正上方。第一區域A1具有一高度(h2)，如第1A圖所示。高度(h2)定義為發光元件110之頂面112至波長轉換層120之頂面125的距離。第二區域A2位於發光元件110側面116之外圍且圍繞第一區域 A1，並具有一高度(h3)及一寬度(w2)，如第1A圖所示。高度(h3)定義為第二區域A2之底面126至波長轉換層120之頂面125的距離。在一實施例中，高度(h2)介於50微米至1450微米之間，高度(h3)介於100微米至1500微米之間。寬度(w2)定義為波長轉換層120之側面127至發光元件110之側面116之間的距離。在一實施例中，寬度(w2)介於50微米至500微米之間。在另一實施例中，第一高度(h1)與該第二高度(h2)之合與該第三高度(h3)的差值小於15微米。因此，側面116可被波長轉換層完全包覆，可避免光線由側面116外漏。此外，波長轉換層120也不會因為突出於發光元件110之底面114阻礙電性接點118a及118b固定於一另一載板上。
在一實施例中，第二高度(h2)大於第二寬度(w2)。例如，第二寬度(w2)與第二高度(h2)之比值介於0.4至0.6之間。若發光元件110之頂面112射出的第一光線之第一強度L1大於發光元件110之側面116射出的第二強度L2，當頂面112上的波長轉換層120的厚度與側面116上的波長轉換層120的厚度相等，表示第一光線L1行經第二高度(h2)的距離與第一光線行經第二寬度(w2)的距離相等，亦即第一光線L1行經第二高度(h2)與第二寬度(w2)後被波長轉換顆粒122轉換成第二光線L2的強度可能接近。如同上述，若頂面112方向上與側面116方向上的第二光線強度相同，由於第一光線L1的在此二個方向上的強度不同(第一強度L1大於第二強度L2)，使得在頂面112方向上與側面116方向上第一光線L1與第二光線L2的混光比不相同。因此，若頂面112上的波長轉換層120的厚度較大時，更多比例的第一光線L1會被轉換成第二光線L2。如此可使得第一光線L1與第二光線L2的混合比例在頂面112與側面116上可以接近。此外，由於波長轉換顆粒122具有散射並勻化光線的作用，在發光元件110之頂面112上提供較厚的波長轉換層120可使得第一光線L1與第二光線L2在各視角下產生相近色彩的混合光。
表1列出一比較例與一實施例之發光裝置的尺寸，其中比較例與實施例的發光裝置之結構可參照第1A及1B圖，波長轉換顆粒於波長轉換層中的重量百分比約在28%~31%。
Figure 104130194-A0305-02-0011-2
表內的數值之單位為微米(μm)，比較例與實施例使用相同的發光元件，其中，第2A圖及2B圖分別顯示比較例(第2A圖)及實施例(第2B圖)中視角與色彩分布之關係圖。
X軸表示視角，0°對應於垂直於頂面112的方向，90°及-90°分別為平行於頂面112的兩個相對的方向。Y軸之△u’v’表示色座標上任一點與一基準點(u0’，v0’)的距離。換言之，△u’v’越大表示兩點在色座標上距離越遠，也就表示第一光線與第二光線混光的比例有較大的不同。其中，△u’v’=(△u’2+△v’2)1/2，u’及v’分別表示CIE 1976表色系統下的色座標，△u’為u’-u0’，△v’為v’-v0’，基準值(u0’，v0’)定義為所有角度下色座標的平均值。
在角度分布區間內，△u’v’的變異越小表示於不同視角下的色彩分布之均勻度越好。於第2B圖中，0°至70°的△u’v’值相差小於0.0040，即表示實施例在發光裝置的色彩分布之均勻度優於比較例。在比較例中，第二高度(h2)為300微米，第二寬度(w2)為325微米，第二高度(h2)小於第二寬度(w2)。在實施例中，第二高度(h2)為300微米，第二寬度(w2)為150微米，實施例的第二高度(h2)大於第二寬度(w2)。第2A圖於0°至30°範圍內的△u’v’值相差大於0.0015，第2B圖於0°至30°範圍內的△u’v’值相差小於0.0010，因此，於0° 至30°範圍內實施例的色彩分布之均勻度較比較例為佳。第2A圖於30°至60°範圍內的△u’v’值相差約0.0040，第2B圖於30°至60°範圍內的△u’v’值相差小於0.0020，於30°至60°的範圍內實施例的色彩分布之均勻度也較比較例為佳。且於30°至60°內實施例與比較例的差異較0°至30°更大。第2A圖於60°至90°範圍內的△u’v’值相差更至0.0100，第2B圖於60°至90°範圍內的△u’v’值相差小於0.0020，亦即角度越大比較例的色彩分布之均勻度越差，但實施例的色彩分布之均勻度卻大體上維持一定。若於0°至90°的範圍內，第2A圖的△u’v’值相差大於0.0110，第2B圖的△u’v’值相差小於0.0030，可見當第二寬度(w2)為150微米、第二高度(h2)為300微米、及w2/h2之比值介於0.4至0.6之間時，色彩分布之均勻度較佳。
第3圖顯示依據本發明另一實施例之發光裝置300的示意圖。發光裝置300包含發光元件310及一波長轉換層320，波長轉換層320覆蓋發光元件310。波長轉換層320可區分為第一區域B1及第二區域B2。第一區域B1可再分成上區塊B11及下區塊B12。在一實施例中，第一區域B1及第二區域B2之波長轉換顆粒322的平均重量百分比(或平均密度)相差小於5%，在另一實施例中，上區塊B11及下區塊B12的之波長轉換顆粒322的平均重量百分比(或平均密度)相差小於5%。波長轉換顆粒的平均重量百分比(或平均密度)是定義為於的波長轉換層的區塊內取數個不同的次區塊(例如，3~10個次區塊)，波長轉換顆粒於所有次區塊之重量百分比(或密度)的平均值。次區塊的維度可視樣品大小或檢測方式調整。例如，次區塊可以是二維或三維的形狀，二維形狀如八邊形、六邊形、四邊形、三角形、圓形、橢圓形、或前述形狀的組合，三圍形狀如柱體、立方體、長方體、圓球體。若採用熱重分析(TGA)方式量測波長轉換顆粒的重量百分比，即是量測次區塊中的波長轉換顆粒的總重量與次區塊重量的比值。若採用電子顯微鏡方式量測波長轉換顆粒的密度，可以量測在特定的面積 下(例如，100X100微米平方)量測次區塊中波長轉換顆粒的總數目或總面積。次區塊之重量百分比(或密度)與平均重量百分比(或平均密度)相差越小表示波長轉換顆粒的分布較為均勻，如此不會因為波長轉換顆粒集中在某些區域，造成這些區域中承受較多的熱，可減緩透明黏合劑324因熱產生的衰壞。
第4A圖至第4D圖為顯示製作發光裝置100的流程圖。參照第4A圖，提供一載具210及發光元件220a、220b、220c，發光元件220a、220b、220c被安置在載具210上，其中，發光元件的數量在此僅為例示，並不限於三個。載具210包含一載板212及一黏膠層214。在一實施例中，載板212為一金屬片或塑膠片，黏膠層214為一發泡膠，發泡膠例如是熱解離膠(thermal release adhesive)或紫外線固化膠(UV curing adhesive)。發光元件220a包含一頂面222a、一底面224a及多個側面226a。在一實施例中，底面224a與黏膠層214直接接觸。發光元件220a與發光元件220b之間的走道寬為d1，發光元件220b與發光元件220c之間的走道寬為d2，走道寬d1與走道寬d2的大小可相同或不同。在一實施例中，走道寬d1與走道寬d2的大小為相同，走道寬d1或d2介於100微米至1000微米之間。
參照第4B圖，將一波長轉換片230形成於載具210上，並同時覆蓋發光元件220a、220b、220c。波長轉換片230是將多個波長轉換顆粒與透明黏合劑混合後預先形成之片狀結構。片狀結構的尺寸可依照需求進行調整，例如，片狀結構包含數個彼此分離的波長轉換片，此數個彼此分離的波長轉換片可以批次或依序覆蓋數個發光元件，亦即一個波長轉換片230僅覆蓋一個或少量的發光元件(例如，載具210上發光元件總數的1/50、1/100、或1/200以下)。又例如，片狀結構是一捲帶(tape)，可以連續且一次性地覆蓋數個發光元件，亦即一個波長轉換片同時覆蓋多數個或載具210上的所有發光元件(例如，載具210上發光元件總數的1/50、1/100、1/200以上)。在一實施例中，波長轉換片230係貼合 在發光元件220a、220b、220c上。貼合係透過上模具(未顯示)及下模具(未顯示)的密合，同時對波長轉換片230加熱以及加壓，以軟化波長轉換片230使其可緊密地與發光元件220a、220b、220c接合。此外，當上模具及下模具非常靠近，但波長轉換片230尚未接觸發光元件220a、220b、220c時抽氣，可減少波長轉換片230與發光元件220a220b、220c之間的氣泡，提高波長轉換片230與發光元件220a、220b、220c之間的接合力。
參照第4C圖，以切割刀具240切割波長轉換片230，形成獨立的發光裝置200a、200b、200c。波長轉換片230分離成多個波長轉換層230a、230b、230c並分別覆蓋發光元件220a、220b、220c。波長轉換層230a、230b、230c於發光元件220a、220b、220c兩側的厚度(例如，第1A圖中第二區域A2的第二寬度w2)可小於或約當於走道寬度(d)的一半。以發光組件200a為例，發光元件220a之頂面222a上的厚度(h2)可大於走道寬度(d)的二分之一或大於第1A圖中第二區域(A2)的第二寬度(w2)，如此形成的發光裝置具有較佳的色均勻度。
參照第4D圖，切割後可由載具210上拿取單一個發光裝置。在此以發光裝置200a為例，在拿取發光裝置200a之前，可加熱以固化波長轉換層230a。加熱前的波長轉換層230a內含有的透明黏合劑通常為半固化的狀態，或是稱作B階段。加熱後的透明黏合劑則轉變為完全固化的的狀態，或是稱作C階段。此外，在特定的加熱環境下可更容易由黏膠層214上取下發光裝置200a。在一實施例中，加熱至200℃以上，黏膠層214可與發光裝置200a或載板212分離。
在加熱溫度較高及/或固化時間較長時，黏膠層214容易於發光裝置200a或載板212上遺留殘膠。第5A圖至第5G圖為根據本發明另一實施例所揭露之一發光裝置的製造流程圖。參照第5A圖，提供一載具210及發光元件220a、220b、220c，發光元件220a、220b、220c係安置在載具210上。參照第5B圖，將 波長轉換片230安置於載具210上，同時覆蓋多個發光元件220a、220b、220c。參照第5C圖，於波長轉換片230上覆蓋一層耐熱膠250後進行加熱，將發光元件220a、220b、220c及波長轉換片230自黏膠層214上移開，其後再進行固化。
參照第5D圖，波長轉換片230及發光元件220a、220b、220c貼附至另一承載板260，其中，承載板260可以是藍膜或其他可做為支撐波長轉換片230及發光元件220a、220b、220c的材料或結構。參照第5E圖，將耐熱膠250與波長轉換片230分離。參照第5F圖，再以切割刀具240切割波長轉換片230，形成多個發光裝置200a、200b、200c，參照第5G圖，再由承載板260上拿取被分割後發光裝置。由於耐熱膠250可於較高的溫度及較長的時間下操作且不會形成殘膠，因此可容易地與波長轉換片230分離。
第6圖為顯示根據本發明另一實施例之一發光裝置600的剖面圖。發光裝置600包含發光元件610及一波長轉換層620。波長轉換層620覆蓋發光元件610，並可包含一透明黏合劑624以及分散於透明黏合劑624中的波長轉換顆粒622。發光元件610及一波長轉換層620之間有一可透光層630。在一實施例中，可透光層630為透鏡結構，例如凸透鏡。在一實施例中，發光元件610之頂面至可透光層630之頂表面的距離小於發光元件610之側面至可透光層630之外側表面的距離。可透光層630之頂表面至波長轉換層620之頂面的距離大於可透光層630之外側表面至波長轉換層320之外側面的距離。
在一實施例中，發光元件610之側面至波長轉換層620之側面的距離與發光元件610之頂面至波長轉換層620之頂面的距離相等，但可透光層630之側表面上之平均厚度(T1)可大於頂表面上之平均厚度(T2)。所以，但波長轉換層620於發光元件610之側面實際的平均厚度是小於波長轉換層620於發光元件610之頂面實際的平均厚度。如此，當發光元件610的正向出光遠大於側向光 時，藉由可透光層630改變波長轉換層620的上方及側向厚度。再者，藉由調整可透光層630的厚度及波長轉換層620中波長轉換顆粒622的密度，可以在不更動發光裝置600的外部尺寸及發光元件610的規格之下，改變發光裝置600的整體出光表現，如光型、不同視角下色彩分布(COA)等。此外，可藉由可透光層630作為發光元件610與波長轉換顆粒622之間的間隔，如此可減少因發光元件610產生的熱造成波長轉換顆粒622的效率下降。再者，若可透光層630的材料與透明黏合劑624的材料接近或相同時，可提高波長轉換層620與透光層630的附著力。
以上所述之實施例僅係為說明本發明之技術思想及特點，其目的在使熟習此項技藝之人士能夠瞭解本發明之內容並據以實施，當不能以之限定本發明之專利範圍，即大凡依本發明所揭示之精神所作之均等變化或修飾，仍應涵蓋在本發明之專利範圍內。
100:發光裝置
110:發光元件
112:發光元件之頂面
114:發光元件之底面
116:發光元件之側面
118a、118b:電性接點
120:波長轉換層
122:波長轉換顆粒
124:透明黏合劑
125:波長轉換層之頂面
126:波長轉換層之底面
127:波長轉換層之側面
h1:高度
h2:高度
h3:高度
w1:寬度
w2:寬度

Claims (7)

  1. 一種發光裝置，包含：一發光元件，包含一第一頂面、一第一底面、一第一側面、及一第一電性接點，該第一側面位於該第一頂面及該第一底面之間，該第一電性接點形成在該第一底面上；一可透光層，包含一第二頂面及一第二側面，該可透光層包覆該第一頂面及該第一側面，該可透光層不包含波長轉換顆粒；以及一波長轉換層，包含一第三頂面及一第三側面，該第三頂面為平坦且位於該第一頂面上方，該第三側面位於該第一頂面外側，該波長轉換層包含複數個波長轉換顆粒，其中該第一頂面至該第二頂面的第一距離小於該第一側面至該第二側面的第二距離，該第二頂面至該第三頂面的第三距離大於該第二側面至該第三側面的第四距離。
  2. 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中該可透光層分隔該發光元件以及該波長轉換層。
  3. 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中該可透光層具有一弧形部分，該弧形部分介於該第二頂面以及該第二側面。
  4. 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中該第三側面包覆該第一側面。
  5. 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中該第三側面包覆該第二側面。
  6. 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中該第一距離於該第一頂面與該第二頂面之間非一定值。
  7. 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中該第三側面為平坦。
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