CN106531870A - 发光装置以及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种发光装置及其制作方法，该发光装置包含一发光元件以及一波长转换层，发光元件包含一顶面、一底面、多个侧面及一第一电性接点。顶面及底面通过多个侧面相互连结，二者间的距离设为第一高度(h1)。第一电性接点形成在底面上，波长转换层包含第一区域(A1)及第二区域(A2)，第一区域位于发光元件的顶面上方，第二区域位于发光元件的侧面外围且围绕第一区域。第一区域具有第二高度(h2)，第二区域具有第三高度(h3)及第二宽度(w2)。其中，第二高度(h2)大于该第二宽度(w2)，第一高度(h1)与第二高度(h2)之合与第三高度(h3)的差值小于15微米。

Description

发光装置以及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种发光装置及其制造方法，尤其是涉及一种在不同视角下具有均匀色彩分布的发光装置及其制造方法。
背景技术
固态发光元件中的发光二极管元件(Light-Emitting Diode；LED)具有低耗电量、低发热量、操作寿命长、耐撞击、体积小以及反应速度快等特性，因此广泛应用于各种需要使用发光元件的领域，例如，车辆、家电、及照明灯具等。
要将LED所发出的纯色光，转换成其他颜色的光有数种方式可采用。举例来说，可于LED上覆盖一层荧光粉来达到此目的。荧光粉是一种光致发光的物质，也可说是波长转换材料，它可以吸收LED所发出的第一光线后发出不同于第一光的第二光线。若第一光线未被完全消耗，仍残留有部分第一光线与第二光线互相混合，可形成另一种颜色的混合光。
不过，在不同的角度下，若LED所发出的第一光线与被转换的第二光线互相混合的比例若是不同，第一光线与第二光线在不同的视角下会产生混合光的色彩分布不均匀的现象。
发明内容
本发明公开一种发光装置，包含一发光元件以及一波长转换层，发光元件包含一顶面，一底面，数个(二或更多)侧面及一第一电性接点，顶面及底面的距离设为第一高度(h1)且通过数个侧面连结，第一电性接点形成在底面上，波长转换层包含第一区域(A1)及第二区域(A2)，第一区域位于发光元件的顶面的上方且具有第二高度(h2)，第二区域该位于发光元件的侧面的外围且围绕第一区域且具有第三高度(h3)以及第二宽度(w2)。其中，第二高度(h2)大于第二宽度(w2)，第一高度(h1)与第二高度(h2)之合与第三高度(h3)的差值小于15微米。
本发明公开一种发光装置的形成方法。先形成多个发光元件于一载板上。接着，形成一波长转换片于多个发光元件上。切割波长转换片以形成多个波长转换层。多个发光装置中的一发光装置包含多个波长转换层中的一波长转换层。发光元件包含一顶面及一侧面，波长转换层包含位于顶面上方的第一区域(A1)及位于侧面之外的第二区域(A2)。第一区域具有第二高度(h2)，其中第二高度(h2)大于第二区域(A2)之宽。
本发明公开一种发光装置，包含一发光元件，一透镜以及一波长转换层。发光元件包含一第一顶面、一底面、一第一侧面及一第一电性接点。第一顶面及底面通过第一侧面连结，第一电性接点形成在底面上。透镜包覆第一顶面及第一侧面。波长转换层包含一第二顶面及一第二侧面，第二顶面位于透镜上方，第二侧面位于透镜外侧，其中第一顶面至透镜的表面的距离小于第一侧面至透镜的表面的距离，透镜的表面至第二顶面的距离大于透镜的表面至第二侧面的距离。
附图说明
图1A至图1B为本发明一实施例的一种发光装置的剖视图及上视图；
图2A至图2B为本发明的一种发光装置的比较例及实施例中视角对色座标的关系图；
图3为本发明另一实施例的一种发光装置的示意图；
图4A至图4D为本发明一实施例的流程图；
图5A至图5G为本发明另一实施例的流程图；
图6为本发明另一实施例的一种发光装置的剖视图。
符号说明
100、300、600：发光装置
110、220a、220b、220c、310、610：发光元件
112、222a：发光元件的顶面
114、224a：发光元件的底面
116、226a：发光元件的侧面
118a、118b：电性接点
120、230a、230b、230c、320、620：波长转换层
122、322、622：波长转换颗粒
124、324、624：透明粘合剂
125：波长转换层的顶面
126：波长转换层的底面
127：波长转换层的侧面
210：载具
212：载板
214：粘胶层
230：波长转换片
240：切割刀具
250：耐热胶
260：承载板
630：可透光层
A1、B1：第一区域
A2、B2：第二区域
B11：上区块
B12：下区块
h1：高度
h2：高度
h3：高度
w1：宽度
w2：宽度
具体实施方式
图1A为根据本发明一实施例所公开的一发光装置100的剖视图。发光装置100包含发光元件110及一波长转换层120，波长转换层120覆盖发光元件110。
发光元件110包含一顶面112、一底面114及多个侧面116，顶面112及底面114通过侧面116连结。在一实施例中，发光元件110为倒装式发光二极管管芯(flip chip LEDdie)。在一实施例中，两电性接点118a及118b位于发光元件110的同一侧，作为发光元件110与外界电性连结的界面。由顶面112至底面114之间依序可包含成长基板、第一半导体层、活化层以及第二半导体层(未显示)。在一实施例中，成长基板的一外表面即为发光元件110的出光面，其中成长基板可为蓝宝石基板。在另一实施例中，顶面112至底面114之间的叠层结构中不包含成长基板，或者成长基板被自叠层结构中移除。第一半导体层可为n-型半导体层，第二半导体层可为p-型半导体层。其中，电性接点118a及118b会分别与第一半导体层及第二半导体层电连接。此外，电性接点118a及118b可以突出于波长转换层120的底面126(如图所示)、或与底面126大约齐平(图未示)、或仅其中的一突出底面126(图未示)。在另一实施例中，发光元件110为一垂直式发光二极管管芯(vertical LED die/chip)，电性接点118a及118b可分别形成在顶面112及底面114上，并分别与第一半导体层及第二半导体层电连接。
在一实施例中，发光元件110有四个侧面，相对的侧面彼此大致上互相平行。顶面112与底面114也大致互相平行。此外，顶面112至底面114的距离在此定义为高度(h1)，两相对侧面116间的距离定义为宽度(w1)。此外，计算高度(h1)时，底面114是指发光元件110除电性接点118a及118b之外的下表面，换言之，电性接点118a及118b的下表面非本处所指的底面114。在一实施例中，高度(h1)是介于50微米(μm)至250微米(μm)之间，而宽度(w1)是介于900微米至1500微米之间。发光元件110可为一发光二极管管芯(LED die/chip)，例如但不限为蓝光发光二极管管芯或紫外光发光二极管管芯。在一实施例中，发光元件110为蓝光发光二极管管芯，可经由外在电源提供一电力而发出第一光线，第一光线的主波长(dominant wavelength)或峰值波长(peak wavelength)介于430nm至490nm之间。
波长转换层120可包含一透明粘合剂124以及多个分散于透明粘合剂124中的波长转换颗粒122，其中波长转换颗粒122可吸收发光元件110发出的第一光线，并将其转换成与第一光线波长或频谱相异的第二光线。在一实施例中，波长转换颗粒122吸收第一光线后被激发出来的第二光线为黄光，其主波长或峰值波长介于530nm至590nm之间。另一实施例中，波长转换颗粒122吸收第一光线后激发出来的第二光线为黄绿光，其主波长或峰值波长介于515nm至575nm之间。其他实施例中，波长转换颗粒122吸收第一光线后被激发出来的第二光线为红光，其主波长或峰值波长介于590nm至650nm之间。
波长转换层120可包含单一种类或多种的波长转换颗粒122。在一实施例中，波长转换层120包含可发出黄光的波长转换颗粒。另一实施例中，波长转换层120包含可发出黄绿光及红光的多种波长转换颗粒。
波长转换颗粒122的材料可包含无机的荧光粉(phosphor)、有机分子荧光色素(organic fluorescent colorant)、半导体材料(semiconductor)、或上述材料的组合。半导体材料包含纳米尺寸结晶体(nano crystal)的半导体材料，例如量子点(quantum-dot)发光材料。在一实施例中，波长转换颗粒122的材料为荧光粉，其可选自于由Y3Al5O12：Ce、Gd3Ga5O12：Ce、Lu3Al5O12：Ce、(Lu、Y)3Al5O12：Ce、Tb3Al5O12：Ce、SrS：Eu、SrGa2S4：Eu、(Sr、Ca、Ba)(Al、Ga)2S4：Eu、(Ca、Sr)S：(Eu、Mn)、(Ca、Sr)S：Ce、(Sr、Ba、Ca)2Si5N8：Eu、(Sr、Ba、Ca)(Al、Ga)SiN3：Eu、CaAlSiON：Eu、(Ba、Sr、Ca)2SiO4：Eu、(Ca、Sr、Ba)Si2O2N2：Eu、K2SiF6：Mn、K2TiF6：Mn、及K2SnF6：Mn所组成的群组。半导体材料可包含II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、或上述材料的组合。量子点发光材料可选自于由硫化锌(ZnS)、硒化锌(ZnSe)、碲化锌(ZnTe)、氧化锌(ZnO)、硫化镉(CdS)、硒化镉(CdSe)、碲化镉(CdTe)、氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)、硒化镓(GaSe)、锑化镓(GaSb)、砷化镓(GaAs)、氮化铝(AlN)、磷化铝(AlP)、砷化铝(AlAs)、磷化铟(InP)、砷化铟(InAs)、碲(Te)、硫化铅(PbS)、锑化铟(InSb)、碲化铅(PbTe)、硒化铅(PbSe)、碲化锑(SbTe)、硫化锌镉硒(ZnCdSeS)、及硫化铜铟(CuInS)所组成的群组。
透明粘合剂124可将波长转换颗粒122分散于空间中，且可固定波长转换颗粒122彼此间的相对位置。调整透明粘合剂124与波长转换颗粒122的重量比可以改变波长转换颗粒122在波长转换层120中的浓度。波长转换颗粒122的浓度越高，可将更多来自发光元件11的光线转换成另一种光线(转换比例越高)，且散射光线的效果更加明显。但波长转换颗粒122的浓度若太高则表示透明粘合剂124含量太少，可能无法有效固定波长转换颗粒122。在一实施例中，波长转换颗粒122于波长转换层120中的重量百分比在70％以下。在另一实施例中，波长转换颗粒122于波长转换层120中的重量百分比在25％～35％。波长转换颗粒在上述的重量百分比范围中可得到较佳的转换比例及散射效果，且可被有效地固定其在空间中的位置。此外，为了让激发波长转换颗粒122的第一光线以及波长转换颗粒122发射的第二光线能有较高的出光效率，透明粘合剂124具有对第一光线及第二光线有较高的穿透率者为佳，例如穿透率大于80％、90％、95％或99％。
透明粘合剂124的材料可为热固化树脂，热固化树脂可为环氧树脂或硅树脂。在一实施例中，透明粘合剂124为硅树脂。透明粘合剂124的折射率与发光元件110出光面的材料的折射率相差越小，出光的角度越大，光萃取的效率可更加提升。在一实施例中，发光元件110出光面的材料为蓝宝石(sapphire)，其折射率约为1.77，透明粘合剂124的折射率则大于1.50。
波长转换层120可覆盖发光元件110的一或多个出光面。在一实施例中，发光元件110的出光面包含顶面112及侧面116，波长转换层120同时覆盖发光元件110的顶面112及侧面116。在另一实施例中，波长转换层120与发光元件110的顶面112及数个侧面116直接接触。在另一实施例中，波长转换层120仅覆盖发光元件110的顶面112或与其直接接触，但不覆盖侧面116或与其接触。
参阅图1B(图1A的上视图)，波长转换层120可包含第一区域A1及第二区域A2。在一实施例中，第一区域A1与第二区域A2彼此相连，第一区域A1位于发光元件110的顶面112的正上方。第一区域A1具有一高度(h2)，如图1A所示。高度(h2)定义为发光元件110的顶面112至波长转换层120的顶面125的距离。第二区域A2位于发光元件110侧面116的外围且围绕第一区域A1，并具有一高度(h3)及一宽度(w2)，如图1A所示。高度(h3)定义为第二区域A2的底面126至波长转换层120的顶面125的距离。在一实施例中，高度(h2)介于50微米至1450微米之间，高度(h3)介于100微米至1500微米之间。宽度(w2)定义为波长转换层120的侧面127至发光元件110的侧面116之间的距离。在一实施例中，宽度(w2)介于50微米至500微米之间。在另一实施例中，第一高度(h1)与该第二高度(h2)之合与该第三高度(h3)的差值小于15微米。因此，侧面116可被波长转换层完全包覆，可避免光线由侧面116外漏。此外，波长转换层120也不会因为突出于发光元件110的底面114阻碍电性接点118a及118b固定于一另一载板上。
在一实施例中，第二高度(h2)大于第二宽度(w2)。例如，第二宽度(w2)与第二高度(h2)的比值介于0.4至0.6之间。若发光元件110的顶面112射出的第一光线的第一强度L1大于发光元件110的侧面116射出的第二强度L2，当顶面112上的波长转换层120的厚度与侧面116上的波长转换层120的厚度相等，表示第一光线L1行经第二高度(h2)的距离与第一光线行经第二宽度(w2)的距离相等，亦即第一光线L1行经第二高度(h2)与第二宽度(w2)后被波长转换颗粒122转换成第二光线L2的强度可能接近。如同上述，若顶面112方向上与侧面116方向上的第二光线强度相同，由于第一光线L1的在此二个方向上的强度不同(第一强度L1大于第二强度L2)，使得在顶面112方向上与侧面116方向上第一光线L1与第二光线L2的混光比不相同。因此，若顶面112上的波长转换层120的厚度较大时，更多比例的第一光线L1会被转换成第二光线L2。如此可使得第一光线L1与第二光线L2的混合比例在顶面112与侧面116上可以接近。此外，由于波长转换颗粒122具有散射并匀化光线的作用，在发光元件110的顶面112上提供较厚的波长转换层120可使得第一光线L1与第二光线L2在各视角下产生相近色彩的混合光。
表1列出一比较例与一实施例的发光装置的尺寸，其中比较例与实施例的发光装置的结构可参照图1A及图1B，波长转换颗粒于波长转换层中的重量百分比约在28％～31％。
第一高度h1 第二高度h2 第二宽度w2 第三高度h3
比较例 150 300 325 450
实施例 150 300 150 450
表1
表内的数值的单位为微米(μm)，比较例与实施例使用相同的发光元件，其中，图2A及图2B分别显示比较例(图2A)及实施例(图2B)中视角与色彩分布的关系图。
X轴表示视角，0°对应于垂直于顶面112的方向，90°及-90°分别为平行于顶面112的两个相对的方向。Y轴的△u’v’表示色座标上任一点与一基准点(u0’，v0’)的距离。换言之，△u’v’越大表示两点在色座标上距离越远，也就表示第一光线与第二光线混光的比例有较大的不同。其中，△u’v’＝(△u’2+△v’2)1/2，u’及v’分别表示CIE 1976表色系统下的色座标，△u’为u’-u0’，△v’为v’-v0’，基准值(u0’，v0’)定义为所有角度下色座标的平均值。
在角度分布区间内，△u’v’的变异越小表示于不同视角下的色彩分布的均匀度越好。在图2B中，0°至70°的△u’v’值相差小于0.0040，即表示实施例在发光装置的色彩分布的均匀度优于比较例。在比较例中，第二高度(h2)为300微米，第二宽度(w2)为325微米，第二高度(h2)小于第二宽度(w2)。在实施例中，第二高度(h2)为300微米，第二宽度(w2)为150微米，实施例的第二高度(h2)大于第二宽度(w2)。图2A于0°至30°范围内的△u’v’值相差大于0.0015，图2B于0°至30°范围内的△u’v’值相差小于0.0010，因此，在0°至30°范围内实施例的色彩分布的均匀度较比较例为佳。图2A于30°至60°范围内的△u’v’值相差约0.0040，图2B于30°至60°范围内的△u’v’值相差小于0.0020，在30°至60°的范围内实施例的色彩分布的均匀度也较比较例为佳。且在30°至60°内实施例与比较例的差异较0°至30°更大。图2A于60°至90°范围内的△u’v’值相差更至0.0100，图2B于60°至90°范围内的△u’v’值相差小于0.0020，亦即角度越大比较例的色彩分布的均匀度越差，但实施例的色彩分布的均匀度却大体上维持一定。若于0°至90°的范围内，图2A的△u’v’值相差大于0.0110，图2B的△u’v’值相差小于0.0030，可见当第二宽度(w2)为150微米、第二高度(h2)为300微米、及w2/h2的比值介于0.4至0.6之间时，色彩分布的均匀度较佳。
图3显示依据本发明另一实施例的发光装置300的示意图。发光装置300包含发光元件310及一波长转换层320，波长转换层320覆盖发光元件310。波长转换层320可区分为第一区域B1及第二区域B2。第一区域B1可再分成上区块B11及下区块B12。在一实施例中，第一区域B1及第二区域B2的波长转换颗粒322的平均重量百分比(或平均密度)相差小于5％，在另一实施例中，上区块B11及下区块B12的的波长转换颗粒322的平均重量百分比(或平均密度)相差小于5％。波长转换颗粒的平均重量百分比(或平均密度)是定义为于的波长转换层的区块内取数个不同的次区块(例如，3～10个次区块)，波长转换颗粒于所有次区块的重量百分比(或密度)的平均值。次区块的维度可视样品大小或检测方式调整。例如，次区块可以是二维或三维的形状，二维形状如八边形、六边形、四边形、三角形、圆形、椭圆形、或前述形状的组合，三围形状如柱体、立方体、长方体、圆球体。若采用热重分析(TGA)方式量测波长转换颗粒的重量百分比，即是量测次区块中的波长转换颗粒的总重量与次区块重量的比值。若采用电子显微镜方式量测波长转换颗粒的密度，可以量测在特定的面积下(例如，100X100微米平方)量测次区块中波长转换颗粒的总数目或总面积。次区块的重量百分比(或密度)与平均重量百分比(或平均密度)相差越小表示波长转换颗粒的分布较为均匀，如此不会因为波长转换颗粒集中在某些区域，造成这些区域中承受较多的热，可减缓透明粘合剂324因热产生的衰坏。
图4A至图4D为显示制作发光装置100的流程图。参照图4A，提供一载具210及发光元件220a、220b、220c，发光元件220a、220b、220c被安置在载具210上，其中，发光元件的数量在此仅为例示，并不限于三个。载具210包含一载板212及一粘胶层214。在一实施例中，载板212为一金属片或塑胶片，粘胶层214为一发泡胶，发泡胶例如是热解离胶(thermalrelease adhesive)或紫外线固化胶(UV curing adhesive)。发光元件220a包含一顶面222a、一底面224a及多个侧面226a。在一实施例中，底面224a与粘胶层214直接接触。发光元件220a与发光元件220b之间的走道宽为d1，发光元件220b与发光元件220c之间的走道宽为d2，走道宽d1与走道宽d2的大小可相同或不同。在一实施例中，走道宽d1与走道宽d2的大小为相同，走道宽d1或d2介于100微米至1000微米之间。
参照图4B，将一波长转换片230形成于载具210上，并同时覆盖发光元件220a、220b、220c。波长转换片230是将多个波长转换颗粒与透明粘合剂混合后预先形成的片状结构。片状结构的尺寸可依照需求进行调整，例如，片状结构包含数个彼此分离的波长转换片，此数个彼此分离的波长转换片可以批次或依序覆盖数个发光元件，亦即一个波长转换片230仅覆盖一个或少量的发光元件(例如，载具210上发光元件总数的1/50、1/100、或1/200以下)。又例如，片状结构是一卷带(tape)，可以连续且一次性地覆盖数个发光元件，亦即一个波长转换片同时覆盖多数个或载具210上的所有发光元件(例如，载具210上发光元件总数的1/50、1/100、1/200以上)。在一实施例中，波长转换片230贴合在发光元件220a、220b、220c上。贴合通过上模具(未显示)及下模具(未显示)的密合，同时对波长转换片230加热以及加压，以软化波长转换片230使其可紧密地与发光元件220a、220b、220c接合。此外，当上模具及下模具非常靠近，但波长转换片230尚未接触发光元件220a、220b、220c时抽气，可减少波长转换片230与发光元件220a220b、220c之间的气泡，提高波长转换片230与发光元件220a、220b、220c之间的接合力。
参照图4C，以切割刀具240切割波长转换片230，形成独立的发光装置200a、200b、200c。波长转换片230分离成多个波长转换层230a、230b、230c并分别覆盖发光元件220a、220b、220c。波长转换层230a、230b、230c于发光元件220a、220b、220c两侧的厚度(例如，图1A中第二区域A2的第二宽度w2)可小于或约当于走道宽度(d)的一半。以发光组件200a为例，发光元件220a的顶面222a上的厚度(h2)可大于走道宽度(d)的二分之一或大于图1A中第二区域(A2)的第二宽度(w2)，如此形成的发光装置具有较佳的色均匀度。
参照图4D，切割后可由载具210上拿取单一个发光装置。在此以发光装置200a为例，在拿取发光装置200a之前，可加热以固化波长转换层230a。加热前的波长转换层230a内含有的透明粘合剂通常为半固化的状态，或是称作B阶段。加热后的透明粘合剂则转变为完全固化的的状态，或是称作C阶段。此外，在特定的加热环境下可更容易由粘胶层214上取下发光装置200a。在一实施例中，加热至200℃以上，粘胶层214可与发光装置200a或载板212分离。
在加热温度较高及/或固化时间较长时，粘胶层214容易于发光装置200a或载板212上遗留残胶。图5A至图5G为根据本发明另一实施例所公开的一发光装置的制造流程图。参照图5A，提供一载具210及发光元件220a、220b、220c，发光元件220a、220b、220c安置在载具210上。参照图5B，将波长转换片230安置于载具210上，同时覆盖多个发光元件220a、220b、220c。参照图5C，在波长转换片230上覆盖一层耐热胶250后进行加热，将发光元件220a、220b、220c及波长转换片230自粘胶层214上移开，其后再进行固化。
参照图5D，波长转换片230及发光元件220a、220b、220c贴附至另一承载板260，其中，承载板260可以是蓝膜或其他可做为支撑波长转换片230及发光元件220a、220b、220c的材料或结构。参照图5E，将耐热胶250与波长转换片230分离。参照图5F，再以切割刀具240切割波长转换片230，形成多个发光装置200a、200b、200c，参照图5G，再由载具260上拿取被分割后发光装置。由于耐热胶250可于较高的温度及较长的时间下操作且不会形成残胶，因此可容易地与波长转换片230分离。
图6为显示根据本发明另一实施例的一发光装置600的剖视图。发光装置600包含发光元件610及一波长转换层620。波长转换层620覆盖发光元件610，并可包含一透明粘合剂624以及分散于透明粘合剂624中的波长转换颗粒622。发光元件610及一波长转换层620之间有一可透光层630。在一实施例中，可透光层630为透镜结构，例如凸透镜。在一实施例中，发光元件610的顶面至可透光层630的顶表面的距离小于发光元件610的侧面至可透光层630的外侧表面的距离。可透光层630的顶表面至波长转换层620的顶面的距离大于可透光层630的外侧表面至波长转换层320的外侧面的距离。
在一实施例中，发光元件610的侧面至波长转换层620的侧面的距离与发光元件610的顶面至波长转换层620的顶面的距离相等，但可透光层630的侧表面上的平均厚度(T1)可大于顶表面上的平均厚度(T2)。所以，但波长转换层620于发光元件610的侧面实际的平均厚度是小于波长转换层620于发光元件610的顶面实际的平均厚度。如此，当发光元件610的正向出光远大于侧向光时，通过可透光层630改变波长转换层620的上方及侧向厚度。再者，通过调整可透光层630的厚度及波长转换层620中波长转换颗粒622的密度，可以在不更动发光装置600的外部尺寸及发光元件610的规格之下，改变发光装置600的整体出光表现，如光型、不同视角下色彩分布(COA)等。此外，可通过可透光层630作为发光元件610与波长转换颗粒622之间的间隔，如此可减少因发光元件610产生的热造成波长转换颗粒622的效率下降。再者，若可透光层630的材料与透明粘合剂624的材料接近或相同时，可提高波长转换层620与透光层630的附着力。
以上所述的实施例仅为说明本发明的技术思想及特点，其目的在使熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，当不能以之限定本发明的专利范围，即大凡依本发明所揭示的精神所作的均等变化或修饰，仍应涵盖在本发明的专利范围内。

Claims (10)

1.一种发光装置，包含：
发光元件，包含一顶面、一底面、两个侧面及一第一电性接点，该顶面及该底面的距离为一第一高度且通过该些侧面连结，该第一电性接点形成在该底面上；以及
波长转换层，包含第一区域及第二区域，该第一区域位于该顶面的上方且具有第二高度，该第二区域位于该侧面的外围且围绕第一区域且具有第三高度以及第二宽度，
其中，该第二高度大于该第二宽度，该第一高度与该第二高度之合与该第三高度相差小于15微米。
2.如权利要求1的发光装置，其中该第二高度介于50微米至1450微米之间。
3.如权利要求1的发光装置，其中该第三高度大于100微米。
4.如权利要求1的发光装置，其中该第二宽度与该第二高度的比值介于0.4至0.6之间。
5.如权利要求1的发光装置，其中该发光装置的色彩分布的均匀度于视角0°至70°的范围皆小于0.004。
6.如权利要求1的发光装置，其中该波长转换层包含一透明接着剂及多个波长转换颗粒。
7.如权利要求6的发光装置，其中该第一区域还包含上区块及位于该上区块下方的下区块，其中该上区块的波长转换颗粒的平均密度或平均重量百分比与该下区块的荧光粉颗粒的平均密度或平均重量百分比相差小于5％。
8.如权利要求6的发光装置，其中该第一区域的波长转换颗粒的平均密度或平均重量百分比与该第二区域的荧光粉颗粒的平均密度或平均重量百分比相差小于5％。
9.一种发光装置的形成方法，包含：
形成多个发光元件于一载板上；
覆盖一波长转换片于该多个发光元件；
切割该波长转换片以形成多个波长转换层，
其中，该多个发光装置中的一发光装置包含该多个波长转换层中的一波长转换层，该发光元件包含顶面及侧面，该波长转换层包含位于该顶面上方的一第一区域及位于该侧面之外的一第二区域，该第一区域具有一第二高度，其中该第二高度大于该第二区域之宽。
10.一种发光装置，包含：
发光元件，包含一第一顶面、一底面、一第一侧面、及一第一电性接点，该第一侧面位于该第一顶面及该底面之间，该第一电性接点形成在该底面上；
可透光层包含一表面，该可透光层包覆该第一顶面及该第一侧面；以及
波长转换层，包含一第二顶面及一第二侧面，该第二顶面位于该第一顶面上方，该第二侧面位于该第一顶面外侧，其中该第一顶面至该表面的距离小于该第一侧面至该表面的距离，该表面至该第二顶面的距离大于该表面至该第二侧面的距离。
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