CN105742454A - 发光元件以及其制造方法 - Google Patents

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CN105742454A CN201510982037.3A CN201510982037A CN105742454A CN 105742454 A CN105742454 A CN 105742454A CN 201510982037 A CN201510982037 A CN 201510982037A CN 105742454 A CN105742454 A CN 105742454A
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许明祺
余仁杰
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Abstract

本发明公开一种发光元件以及其制造方法。该发光元件包含发光叠层、光反射围栏、接触电极及波长转换层。发光叠层具有一第一(上)表面、一底面、以及至少一个连结第一(上)表面及底面的侧面。光反射围栏具有一第二(上)表面，并围绕发光叠层的侧面且暴露出第一(上)表面。接触电极形成在发光叠层的底面。波长转换层至少覆盖第一(上)表面与第二(上)表面，其中，第二(上)表面具有多个微小的凹陷结构分布其上。

Description

发光元件以及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种发光元件以及其制造方法，尤其是涉及一种具有光反射围栏结构的发光元件以及其制造方法。
背景技术
发光二极管元件(light-emittingdiode；LED)具有低耗电量、低发热量、操作寿命长、耐撞击、体积小以及反应速度快等良好光电特性，因此广泛应用于各种需要使用发光元件的领域，例如，车辆、家电、及照明灯具等。
要将LED所发出的纯色光，转换成其他颜色的光有数种方式可采用。举例来说，可于LED上覆盖一层荧光粉将来自LED的光全部或部分转换成另一种色光。荧光粉是一种光致发光的物质，也可说是波长转换材料，它可以吸收LED所发出的第一光线后发出不同于第一光线的第二光线。若第一光线未被完全消耗，仍留有部分第一光线与第二光线互相混合，可形成另一种颜色的混合光。然而，因为第一光线与第二光线在不同视角下的光强度比例(混光比率)不同，造成混合光在不同的视角下的色温也不同。
发明内容
本发明公开一种发光元件，其包含具有一第一(上)表面、一底面以及至少一个侧面连结第一表面及底面的一发光叠层、具有一第二(上)表面的一光反射围栏、形成在发光叠层底面的一接触电极、以及一波长转换层。其中，光反射围栏围绕发光叠层的侧面，并暴露出第一表面。波长转换层至少覆盖第一表面与第二表面，其中，第二表面具有多个微小的凹陷结构分布在第二表面上。
本发明公开一种发光元件的制造方法，其包含提供一发光叠层，其包含一第一(上)表面、一底面、至少一个侧面连结第一表面及底面；形成一接触电极在发光叠层的底面；连结发光叠层至一暂时基板，并于暂时基板上露出侧面以及第一表面及底面的其中一者；覆盖一光反射材料于露出的侧面以及第一表面及底面的其中一者；移除部分的光反射材料以露出第一表面或底面以及形成一光反射围栏，光反射围栏包含一第二(上)表面，其中第二表面具有多个微小的凹陷结构；以及移除暂时基板。
本发明公开一种发光元件，其包含具有一第一(上)表面、一底面以及至少一个侧面连结第一表面及底面的发光叠层；具有一第二(上)表面、一内侧壁以及一外侧壁的光反射围栏，光反射围栏围绕发光叠层的侧面，并暴露出第一表面，第二表面由内侧壁朝外侧壁方向向外隆起；以及一波长转换层覆盖第一表面与第二表面。
本发明公开一种发光元件，包含具有一上表面、一底面以及至少一个侧面连结上表面及底面的发光叠层；一波长转换层覆盖上表面以及侧面；具有一顶表面的透明保护层，透明保护层包覆波长转换层且顶表面位于上表面之上；一光反射围栏形成于透明保护层之上，并暴露出部分顶表面；以及一接触电极形成在发光叠层的底面。
附图说明
图1A至图1C为本发明一实施例的一种发光元件的示意图；
图2为本发明另一实施例的发光元件的剖视图；
图3A至图3G为图1A至图1C的发光元件的制造流程示意图；
图4A至图4C为本发明再一实施例的一种发光元件的示意图；
图5A至图5F为图4A至图4C的发光元件的制造流程示意图；
图6A至图6B为本发明再一实施例中所揭示的一种发光元件的上视图及剖视图；及
图7A至图7F为图6A至图6B的发光元件的制造流程示意图。
符号说明
100、200、300、400：发光元件
110、310、410：暂时基板
120、120a、120b、120c、220、320、320a、320b、320c、420、420a、420b、420c：发光叠层
122、122a、122b、222a、222b、322a、322b、422a、422b：接触电极
124、124a、124b、124c、324、424：发光叠层的顶表面
126、226、326、426：发光叠层的底面
128、328、428：发光叠层的侧面
130、330、430：连接层
140、140c、140d、240、340、440：光反射围栏
140a、140b、342’、440’：光反射材料
142、342、442：光反射围栏的上表面
142a：凹陷结构
150a、150b、350a、350b、450a、450b：间隙
160、160a、160b、260、360、360’、460：波长转换层
172：第一模具
174：第二模具
192：喷嘴
194、390、490：刀具
228：延伸垫
280：反射层
342a：隆起结构
342b、342’b：平缓区
342’a：凸起结构
348a：内侧壁
348b：外侧壁
370：点胶机
480、480a、480b：透明保护层
482：透明保护层的顶表面
具体实施方式
图1A显示根据本发明一实施例所揭露的一发光元件100的上视图。图1B则绘示自图1A剖面线A-A’所视的剖视图。如图1A及图1B所示，发光元件100包含一发光叠层120，发光叠层120具有一顶表面124、一底面126以及多个侧面128，其中多个侧面128连结顶表面124以及底面126。在一实施例中，发光叠层120为一六面体结构因此具有四个侧面128，但若发光叠层120为三角柱、六角柱或其他形状则不以此为限。一光反射围栏140围绕发光叠层120的侧面128，并暴露出顶表面124。如图1B所示，光反射围栏140具有一上表面142，其与发光叠层120的顶表面124具有相近的水平位置且都朝向同一方向。上表面142具有多个微小的凹陷结构142a分布在上表面142上。一波长转换层160同时覆盖顶表面124与上表面142。在一实例中，波长转换层160可填满多个微小的凹陷结构142a。此外，至少二个接触电极122形成在发光叠层120的底面126上，例如，一个正端接触电极122a及一个负端接触电极122b分别形成在发光叠层120的底面126上。然而，接触电极的数目并不以此为限，例如，正负端接触电极的数量均大于或等于二。又例如，正负端接触电极的数量可以不相等，例如一端接触电极的数量大于或等于N，另一端接触电极的数量小于N，N为大于2的正整数。
图1C显示根据本发明一实施例所揭露的发光元件100的光迹示意图。第一光线L1可由发光叠层120射出，经过波长转换层160时部分第一光线L1被转换成第二光线L2。第一光线L1及第二光线L2可于波长转换层160中混合后射出。小角度的第一光线L1可直接穿过顶表面124，部分大角度的第一光线L1可被光反射围栏140反射或散射后往波长转换层160的中间区域移动，射出的第一光线L1被光反射围栏140反射后由顶表面124离开发光叠层120。因此，通过将第一光线L1集中在顶表面124的上方并减少自侧面128离开发光元件100的光，可消除在顶表面124上与侧面128外围的混光比例不同造成的色彩分布(colordistribution)不均匀的现象，进而达到提高不同视角下色彩分布的均匀度(uniformityofcolordistribution)，同时可提高小角度光线的强度。不同视角下的色彩分布可由不同视角下的△u’v’来表示，其中△u’v’表示u’v’所对应的色坐标与一基准值(u0’，v0’)的偏差值，基准值(u0’，v0’)定义为所有角度下色坐标的平均值。△u’v’数值越大表示两者的色坐标与平均值相距越远，也就表示色彩分布的均匀性较差。若波长转换层160具有较均匀的厚度，例如厚度变异量相对于平均厚度小于5％，也可使得来自各方向的第一光线L1经过波长转换层160的距离较为一致，从而混光光线的颜色也会较为一致。此外，光反射围栏140的上表面142具有多个微小的凹陷结构142a，因此，光反射围栏140与波长转换层160相较于平坦表面可具有更强的接合强度。且凹陷结构142a可散射光线，提高光萃取效果，因此可增加光的均匀性及光强度。
发光叠层120可为一发光二极管结构，可将电能转换成光能进而发射出第一光线L1。在一实施例中，发光叠层120为倒装式(flip-chip)的发光二极管结构，由上而下分别可包含成长基板(图未示)、第一半导体层(图未示)、活性层(图未示)以及第二半导体层(图未示)，其中成长基板可为蓝宝石基板，第一半导体层可为n-型半导体层，第二半导体层可为p-型半导体层。接触电极122a/122b分别电连接至第一半导体层以及第二半导体，其中接触电极122a/122b提供发光元件100与外界的电性连结。
光反射围栏140可反射发光叠层120发出的第一光线L1，使发光叠层120的出光向顶表面124集中。光反射围栏140可覆盖发光叠层120的侧面128的全部或部分。在一实施例中，光反射围栏140覆盖发光叠层120的侧面128的部分或全部时，可减少发光叠层120发射出第一光线L1由侧面128漏光。此外，光反射围栏140还可覆盖到接触电极122的侧壁的部分或全部，或是高于发光叠层120的顶表面124，如此，也可减少对发光叠层120发射出第一光线L1由侧面漏光128。
接触电极122a及/或122b的底部至上表面142具有一平均高度，接触电极122a及/或122b的底部至顶表面124也具有一平均高度，上述两者平均高度间的差异可视所需的光学性质做调整。平均高度在此的定义为发光元件100的剖视图中，接触电极122a及/或122b的底部至发光叠层120的顶表面124或光反射围栏140的上表面142，由左至右大约等距离地取5个位置的高度的平均值。在一实施例中，两个平均高度之间的落差小于40微米，若两者落差大于40微米，则波长转换层160在形成时可能会因为两者之间的落差太大造成在两者界面之间产生空隙进而影响光学性质(例如，形成全反射)以及可能造成波长转换层160在两者界面之间的曲率过大容易产生裂隙。
光反射围栏140具有多个微小的凹陷结构142a分布在上表面142上，凹陷结构142a可以是规则分布或是不规则分布。在一实施例中，光反射围栏140的上表面142的表面粗糙度(surfaceroughness)大于发光叠层120的顶表面124的表面粗糙度。在一实施例中，上表面142的表面粗糙度在5微米(μm)x5微米的面积下，均方根值(RMS，Rq)大于100纳米(nm)。在另一实施例中，在5微米(μm)x5微米的面积下，RMS介于100纳米至400纳米之间。
光反射围栏140可由光反射材料所组成。在一实例中，光反射材料例如是氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铌(Nb2O5)、氧化铝(Al2O3)、氧化硅(SiO2)、氟化镁(MgF2)、氮化铝(Al2N3)的块材，在另一实例中，光反射材料是上述材料的颗粒与接着剂混合的光反射胶料所形成，接着剂例如是硅树脂、压克力树脂或环氧树脂。
波长转换层160可包含一透明粘合剂以及多个分散于透明粘合剂中的波长转换颗粒，其中波长转换颗粒可吸收第一光线转换成第二光线。在一实施例中，用来激发波长转换颗粒的第一光线为发光二极管发出的蓝光，第一光线的主波长介于430nm至490nm之间。波长转换颗粒吸收第一光线后激发出来的第二光线为黄光，黄光的主波长介于530nm至590nm之间。波长转换层160可包含单一种类或多种材料的波长转换颗粒。在又一实施例中，波长转换层160包含发出黄光的波长转换颗粒。另一实施例中，波长转换层160包含可发出黄绿光及红光的波长转换颗粒。
波长转换颗粒的材料可包含无机的荧光粉(phosphor)、有机分子荧光色素(OrganicFluorescentColorants)、半导体材料(Semiconductors)或上述材料的混合。在一实施例中，波长转换颗粒的材料为荧光粉，荧光粉可选自于Y3Al5O12、Gd3Ga5O12：Ce、(Lu、Y)3Al5O12：Ce、SrS：Eu、SrGa2S4：Eu、(Sr、Ca、Ba)(Al、Ga)2S4：Eu、(Ca、Sr)S：(Eu、Mn)、(Ca、Sr)S：Ce、(Sr、Ba、Ca)2Si5N8：Eu、(Sr、Ba、Ca)(Al、Ga)SiN3：Eu、(Ba、Sr、Ca)2SiO4：Eu、(Ca、Sr、Ba)Si2O2N2：Eu、K2(Si、Ti、Zr、Sn)F6：Mn、Na2(Ti、Zr)F6：Mn所组成的群组。半导体材料可包含II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、或上述材料的组合。半导体材料也可包含量子点(Quantum-dot)材料。量子点材料可选自于硫化锌(ZnS)、硒化锌(ZnSe)、碲化锌(ZnTe)、氧化锌(ZnO)、硫化镉(CdS)、硒化镉(CdSe)、碲化镉(CdTe)、氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)、硒化镓(GaSe)、锑化镓(GaSb)、砷化镓(GaAs)、氮化铝(AlN)、磷化铝(AlP)、砷化铝(AlAs)、磷化铟(InP)、砷化铟(InAs)、碲(Te)、硫化铅(PbS)、锑化铟(InSb)、碲化铅(PbTe)、硒化铅(PbSe)、碲化锑(SbTe)、硫化锌镉硒(ZnCdSeS)、及硫化铜铟(CuInS)所组成的群组。
图2显示根据本发明另一实施例的发光元件200的剖面示意图。发光元件200包含一发光叠层220、一光反射围栏240围绕发光叠层220、一波长转换层260同时覆盖发光叠层220与光反射围栏240。发光元件200的底面226上形成有接触电极222a及222b以及一反射层280，反射层280围绕接触电极222a及/或222b(由下视图观之)。此外，接触电极222a及/或222b上分别形成一延伸垫228，延伸垫228与接触电极222a及/或222b彼此电连接，且延伸垫228与接触电极222a或222b的面积比例可视其中发光元件200的设计需要做调整。在一实施例中，延伸垫228的一表面积大于接触电极222a或222b的表面积，延伸垫228完全覆盖接触电极222a及/或222b的一个表面并同时覆盖反射层280的部分表面。在一实施例中，反射层280的厚度大于接触电极222a及/或222b的厚度，延伸垫228由接触电极222a及/或222b上延伸至反射层280上时，由于两者之间具一高低差因此会形成一个斜面228a。在另一实施例中，接触电极222a及/或222b与反射层280若是共平面，则不存在上述的斜面228a。反射层280可包含光反射材料，反射层280的光反射材料可与光反射围栏240所使用的相同或不同。反射层280可用网印的方法形成。延伸垫228为一高导电的材料，例如但不限于铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)金属。在一实施例中，可用电镀铜的方法形成延伸垫228。
图3A至图3G显示根据本发明一实施例的一发光元件的制造流程示意图。首先提供数个发光叠层120a、120b、120c。发光叠层120a、120b、120c的具体结构可参阅上开叙述。在一实施例中，发光叠层120a、120b、120c具有相同或相近的发光波长，例如都为紫外光、蓝光、红光、远红外光等。此外，各发光叠层120a、120b、120c的底面都可预先形成至少一个接触电极，例如，倒装式的发光二极管管芯可预形成至少二个接触电极于发光叠层120a、120b、120c的底面。
参照图3A，将发光叠层120a、120b、120c通过一连接层130固定至一暂时基板110上。两相邻发光叠层之间有一间隙，例如，发光叠层120a与120b之间以及发光叠层120b与120c之间分别有一间隙150a及150b。发光叠层120a、120b、120c可露出侧面、及顶表面或底面其中一者。在一实施例中，发光叠层120a、120b、120c分别露出顶表面124a、124b、124c以及侧面128a、128b、128c。之后，覆盖一光反射材料140b于发光叠层露出的表面，如图3C所示。光反射材料140b的形成方式可通过模具成形法，例如转移成型(transfermolding)或是压缩成形(compressionmolding)。若使用压缩成形法，暂时基板110可贴附在第一模具172上。参照图3B，将一尚未固化的光反射材料140a，例如是光反射胶料，填入第二模具174中，第二模具174具有一凹槽可容纳光反射胶料。再将第一模具172与第二模具174相压合，如此，多个发光叠层120a、120b、120c埋入至光反射胶料内。光反射材料140a的形状被第一模具172与第二模具174限制。此步骤中或之后可加热促使光反射材料140a固化及定型。加热的温定视光反射材料140a的性质而定。此外，可通过调整胶量或是模具内的压力控制固化后光反射材料140b所需的厚度。参照图3C，胶料固化后可将第二模具174脱模，此时，固化后的光反射材料140b覆盖于多个发光叠层120a，120b及120c的顶表面124a、124b、124c及侧表面128a、128b、128c。在一实施例中，顶表面124a、124b、124c为发光二极管结构(发光叠层)的成长基板(未显示)的表面，因此光反射材料140b是覆盖于发光二极管结构的成长基板的表面。在另一实例中，光反射材料140b覆盖多个发光叠层120a、120b、120c的底面(未显示)及侧表面128a、128b、128c，底面为接触电极的表面，此时，光反射材料140b是覆盖于发光二极管结构的接触电极的表面。
参照图3D及图3E，移除部分的光反射材料140b以露出发光叠层120a、120b、120c的顶表面124a、124b、124c以及形成一光反射围栏140c。移除光反射材料140b的方式包含湿式去胶法，例如水刀去胶法(WaterJetDeflash)或湿式喷砂去胶法(WetBlastingDeflash)。水刀去胶法的原理是利用喷嘴192将液体，例如水，喷出后利用喷出后压力将光反射材料140b移除。湿式喷砂去胶法则在液体中添加特定的粒子，同时以液体的压力以及粒子碰撞光反射材料140b的表面来移除光反射材料140b。在一实施例中，顶表面为发光二极管结构的成长基板的表面，因此，移除部分的光反射材料140b后露出成长基板的表面。在另一实施例中，移除部分的光反射材料140b露出发光叠层120a、120b、120c的底面(未显示)，底面为接触电极的表面。因此，移除部分的光反射材料140b后露出接触电极的表面。可通过物质的碰撞力的大小控制移除光反射材料140b的速度。此外，由物质的碰撞力可产生光反射围栏140c的上表面具有多个微小的凹陷结构。
参照图3F，在露出发光叠层的顶表面以及形成一光反射围栏140c之后，可覆盖一波长转换层160a于发光叠层的顶表面以及光反射围栏140c的上表面，覆盖波长转换层160a的方式可包含涂布方式、热压贴合方式或模塑方式。在一实施例中，热压贴合一波长转换片以形成波长转换层160a。
参照图3G，切割光反射围栏140c以分离光反射围栏140c形成一具有光反射围栏140d的发光元件100。根据一实施例，在覆盖波长转换层160a之后可一并切割光反射围栏140c及波长转换层160a。因此，发光元件100的侧壁包含光反射围栏140d及波长转换层160b。换言之，光反射围栏140d及波长转换层160b具有共同的平面以形成发光元件100的侧壁。切割方式可通过一刀具194做为切割的工具。
图4A显示根据本发明的另一实施例的发光元件200的上视图。图4B显示图4A剖面线I-I的剖视图。图4C显示图4A剖面线II-II的剖视图。如图4A及图4B所示，一发光元件300包含一发光叠层320，发光叠层320具有一顶表面324、一底面326以及多个侧面328，其中多个侧面328连结上表面324以及底面326。一光反射围栏340围绕发光叠层320的多个侧面328，并暴露出顶表面324。光反射围栏340具有一上表面342、一内侧壁348a以及一外侧壁348b。如图4B所示，光反射围栏340的上表面342与发光叠层320的顶表面324位于同一侧且在顶表面324的外侧。一波长转换层360同时覆盖顶表面324与上表面342。此外，接触电极322a及322b形成在发光叠层320的底面326上。如图4A、图4B及图4C所示，光反射围栏340的上表面342具有一隆起结构342a以及一平缓区342b，其中隆起结构342a由内侧壁348a向外隆起至外侧壁348b。此外，隆起结构342a位于光反射围栏340的四个角落处，可以是一弧形结构。内侧壁348a的高度低于外侧壁348b的高度，若由上视图(图4A)观之，隆起结构342a与平缓区342b位于发光叠层320的周围且平缓区342b位于两相邻隆起结构342a之间。
光反射围栏340可提高不同视角下色彩分布的均匀度，同时可提高小角度光线的强度。此外，光反射围栏340的上表面342具有一由内侧壁348a向外隆起至外侧壁348b的结构可提高光反射围栏340与波长转换层360之间的接触面积因而可提高两者之间的接着强度。
图5A至图5F显示发光元件300的制造流程示意图。参照图5A，连结发光叠层320a、320b、320c至一暂时基板310上，其中连结的方式可通过一连接层330。两个发光叠层之间可有一间隙，例如，发光叠层320a与320b之间以及发光叠层320b与320c之间分别有一间隙350a、350b。之后，参照图5B，以点胶机370填满间隙350a、350b以形成光反射材料342’。参照图5C及图5D，点胶机370填满各间隙的方式可依序将每行及每列填满。在一实施例中，先将每一行填满后再将每一列填满，在每行与每列的交错处会重复点胶，因此于此交错处会产生一凸起结构342’a，凸起结构342’a之间及发光叠层320a、320b、320c侧边的外围处则是一平缓区342’b。但填满间隙的方式并不限于上述方式，因此凸起结构342’a可能形成在所有的交错处，也可能形成在部分的交错处。
参照图5E，覆盖一波长转换层360’于发光叠层320a，320b及320c的顶表面以及光反射材料342’的上表面，覆盖波长转换层360’的方式可参照前开实施例的说明。之后，参照图5F，以刀具390切割光反射材料342’以及波长转换层360’以形成具有光反射围栏342以及波长转换层360的一发光元件300。发光元件300的侧壁包含光反射围栏342及波长转换层360，且光反射围栏342及波长转换层360同平面以形成发光元件300的侧壁。
图6A显示本发明的再一实施例的一发光元件400的上视图。图6B显示图6A剖面线B-B’的剖视图。如图6A及图6B所示，一发光元件400包含一发光叠层420，发光叠层420具有一顶表面424、一底面426以及多个侧面428，其中多个侧面428连结顶表面424以及底面426。接触电极422a及422b形成在发光叠层420的底面426上。一波长转换层460覆盖发光叠层420的顶表面424以及多个侧面428。一透明保护层480包覆波长转换层460，其中透明保护层480包含一顶表面482位于发光叠层420的顶表面424之上。一光反射围栏440形成于透明保护层480的顶表面482之上，并暴露出部分的顶表面482。在一实施例中，由上视图(图6A)观之，光反射围栏440为口字型，围绕发光叠层420并暴露出一部分透明保护层480的顶表面482。
图6A至图6B的实施例所揭露的一发光元件400的光反射围栏440可提高不同视角下色彩分布的均匀性，同时可提高小角度光线的强度。此外，利用透明保护层480包覆波长转换层460可避免波长转换层460内的材料接触外界的水气或氧气，提高波长转换层460的可靠度。
透明保护层480的材料可以是任何可透光及具有防止外界的水气或氧气性质的材料，例如是硅树脂、环氧树脂、玻璃。
图7A至图7F显示发光元件400的制造流程示意图。参照图7A，连结发光叠层420a，420b，420c至一暂时基板410上。两个发光叠层之间可有一间隙，例如，发光叠层420a与420b之间以及发光叠层420b与420c之间分别有一间隙450a及450b，其中连结的方式可通过一连接层430。之后，参照图7B，覆盖一波长转换层460于发光叠层420a、420b、420c的顶表面及多个侧面。在一实施例中，将一波长转换膜贴合到发光叠层420a、420b、420c的上方。此时，间隙450a、450b并未被波长转换膜填满，再对应各发光叠层420a、420b、420c分离波长转换膜以形成波长转换层460。在另一实施例中，波长转换膜填满间隙450a、450b。之后，可移除间隙450a、450b内部分的波长转换膜使波长转换膜之间彼此分离。
之后，参照图7C，覆盖一透明保护层480a于波长转换层460上。在一实施例中，透明保护层480a完全填满间隙450a、450b且形成一平坦表面。在一实施例中，在暂时基板410及连接层430上的外围处先形成一圈围栏(图未示)，再将未固化的透明保护层480a的材料填入围栏内并覆盖波长转换层460。之后，固化透明保护层480a的材料。在一实施例中，透明保护层480a可在固化步骤之后通过研磨方式使得透明保护层480a的表面更为平整。覆盖透明保护层480a的方式可以是涂布、贴合或模塑法。之后，参照图7D及图7E，形成光反射材料440’于透明保护层480a之上。在一实施例中，光反射材料440’对位已覆盖波长转换层460的发光叠层420a、420b、420c，以多个格子状的结构形成在透明保护层480a之上。光反射材料440’露出部分的透明保护层480a，使得各个格子对应一个发光叠层。光反射材料440’的形成方式可通过网版印刷。由于透明保护层480a已形成一平坦的表面，因此光反射材料440’可轻易的以网版印刷处理。之后，参照图7F，以刀具490切割光反射材料440’以及透明保护层480a以形成具有光反射围栏440以及透明保护层480b的一发光元件400。发光元件400的侧壁包含光反射围栏440及透明保护层480b，且光反射围栏440及透明保护层480b共平面以形成发光元件400的侧壁。
以上所述的实施例仅为说明本发明的技术思想及特点，其目的在于使熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，当不能以的限定本发明的专利范围，即大凡依本发明所揭示的精神所作的均等变化或修饰，仍应涵盖在本发明的专利范围内。

Claims (10)

1.一种发光元件，包含：
发光叠层，包含一第一表面、一底面、以及至少一个侧面连结该第一表面及该底面；
光反射围栏，包含一第二表面并围绕该侧面且暴露出该第一表面；
接触电极形成在该发光叠层的该底面；以及
波长转换层，至少覆盖该第一表面与该第二表面，其中，该第二表面具有多个微小的凹陷结构分布其上。
2.如权利要求1所述的发光元件，其中，该第一表面的表面粗糙度小于该第二表面的表面粗糙度。
3.如权利要求1所述的发光元件，其中，该波长转换层填满该多个微小的凹陷结构。
4.一种发光元件的制造方法，包含：
提供一发光叠层及一接触电极，该发光叠层包含一第一表面、一底面、以及至少一个侧面连结该第一表面及该底面，该接触电极形成在该发光叠层的该底面；
连结该发光叠层至一暂时基板，并于该暂时基板上露出该侧面、以及该第一表面及该底面其中之一；
覆盖一光反射材料于露出的该侧面以及、该第一表面及该底面其中之一；
移除部分的该光反射材料以露出该第一表面或该底面以及形成一光反射围栏，该光反射围栏包含一第二表面，其中该第二表面具有多个微小的凹陷结构分布在该第二表面上；以及
移除该暂时基板。
5.如权利要求4所述的发光元件的制造方法，其中，在该暂时基板上露出该第一表面。
6.如权利要求4所述的发光元件的制造方法，其中还包含覆盖一波长转换层于该第一表面及该第二表面上。
7.如权利要求4所述的发光元件的制造方法，其中，覆盖该光反射材料的方法包含转移成型或是压缩成形。
8.如权利要求4所述的发光元件的制造方法，其中，移除该光反射材料的方法包含湿式去胶法。
9.一种发光元件，包含：
发光叠层，包含一第一表面、一底面、以及至少一个侧面连结该第一表面及该底面；
光反射围栏，包含一第二表面、一内侧壁、以及一外侧壁，该光反射围栏围绕该发光叠层的该侧面，并暴露出该第一表面，该第二表面由该内侧壁向外隆起至该外侧壁；
接触电极形成在该发光叠层的该底面；以及
波长转换层覆盖该第一表面与该第二表面。
10.一种发光元件，包含：
发光叠层，包含一上表面、一底面、以及至少一个侧面连结该上表面及该底面；
波长转换层，覆盖该上表面以及该侧面；
透明保护层，包含一顶表面并包覆该波长转换层，其中该顶表面位于该上表面之上；
光反射围栏，形成于该透明保护层之上并暴露出部分该顶表面；以及
接触电极形成在该发光叠层的该底面。
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