CN110649007A - 发光二极管封装件和发光二极管模块 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及发光二极管封装件和发光二极管模块。根据本发明的一实施例的发光二极管封装件包括：外壳；第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片，贴装于外壳；以及波长转换部，包含吸收从第一发光二极管芯片释放的光而释放其他波长的光的荧光体，第一发光二极管芯片相比第二发光二极管芯片释放较短的波长的光，所述波长转换部释放峰值波长为580nm至700nm的红色光，从所述波长转换部释放的红色光在600nm至660nm的波长中呈现三个以上的峰值，并且，所述发光二极管封装件由所述第一发光二极管芯片、第二发光二极管芯片和波长转换部释放的光的混合来形成白色光。

Description

发光二极管封装件和发光二极管模块
本申请是申请日为2017年9月21日、申请号为201710858991.0、题为“发光二极管封装件和发光二极管模块”的专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种发光二极管封装件和发光二极管模块，具体而言，涉及一种能够提高从发光二极管芯片释放的光的发光效率的发光二极管封装件和发光二极管模块。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode：LED)是具有半导体的p-n结结构的化合物半导体，其指一种通过少数载流子(电子和空穴)的再结合而发出预定的光的元件。发光二极管的电力消耗低，寿命长，且能够实现小型化。
通常，发光二极管以芯片形态提供，且通过封装发光二极管芯片而提供发光二极管封装件。发光二极管封装件可使用作为波长转换手段的荧光体来体现白色光。即，在发光二极管芯片上布置荧光体，从而通过发光二极管芯片的一次光的一部分和波长由于荧光体而转换的二次光的混色来体现白色光。
现有技术中，为了体现白色光，使用了被从蓝色光发光二极管芯片释放的光激发而释放黄色光的荧光体(黄色光荧光体)。然而，单独使用黄色光荧光体的发光二极管封装件的红色成分不足，所以具有显色指数较低，且色温较高的特性。为了解决上述的问题，相比于使用单一种类的黄色光荧光体的发光二极管封装件，使用一种如下的发光二极管封装件：将用于释放绿色光的荧光体(以下，称之为绿色光荧光体)或用于释放黄色光的荧光体(以下，称之为黄色光荧光体)和用于释放红色光的荧光体(以下，称之为红色光荧光体)混合，并将上述混合体分散在波长转换部。
然而，在将具有彼此不同的峰值波长的荧光体混合在单一的波长转换部而使用的情况下，会存在发光二极管封装件的发光效率显著地降低的问题。
具体而言，如果参照示出释放绿色光的荧光体和释放红色光的荧光体的光谱分布的图1，则可以确认绿色光的发光波长的峰值处于540nm附近，红色光的发光波长的峰值处于650nm附近。现有的白色发光二极管封装件由如下要素体现白色光：蓝色光发光二极管芯片、混合有被从蓝色光发光二极管芯片释放的光激发而释放绿色光的荧光体和释放红色光的荧光体的波长转换部。在混合有绿色光荧光体和红色光荧光体的情况下，从绿色光荧光体释放的绿色光的一部分会激发红色光荧光体。
因此，绿色光荧光体和红色光荧光体吸收从蓝色发光二极管芯片释放的光之后，释放基于各个波长的光，并且从绿色光荧光体释放的光的一部分可重新被红色光荧光体吸收而释放红色光，因此可预想到，荧光体的能量转换效率会降低。
与此相关地，如果参照图示针对绿色光荧光体和红色光荧光体的能量吸收与释放的光谱分布的图2，则红色光荧光体的激发光谱分布与基于绿色光荧光体的发光光谱分布有相当一部分重叠。
即，红色光荧光体不仅吸收从蓝色光发光二极管芯片释放的光，还吸收从绿色光荧光体释放的光，从而在绿色光荧光体和红色光荧光体之间发生能量干涉。此外，由于荧光体通常具有较宽的吸收带，所以从绿色光荧光体释放的绿色光还可能会重新被绿色光荧光体吸收。
结果，由于通过绿色光荧光体的蓝色光的转换效率、通过红色光荧光体的蓝色光的转换效率，在加上通过绿色光荧光体的绿色光的吸收以及通过红色光荧光体的绿色光的转换效率等，整体的能量转换效率会降低。尤其，由于在一个波长转换部内混合两种以上的荧光体，所以整体的荧光体密度会变高，因此，会发生由荧光体的非发光吸收引起的光损失。
因此，对发光二极管封装件而言，要求提出一种能够从根本上提高借助荧光体的能量转换效率的方案。
发明内容
本发明要解决的课题在于，提供一种既能够体现白色光，又能够防止基于波长转换的能量损失，从而能够改善波长转换效率的发光二极管封装件和发光二极管模块。
本发明要解决的另一课题在于，提供一种能够使色域(color gamut)变宽的发光二极管封装件和发光二极管模块。
本发明要解决的又一课题在于，提供一种能够防止荧光体的高密度引起的光损失的白色发光二极管封装件和白色发光二极管模块。
本发明要解决的又一课题在于，提供一种同时提高分辨率和光输出，从而能够减少电力消耗的发光二极管封装件和发光二极管模块。
本发明为了解决上述的问题，提供了一种发光二极管封装件，其中，包括：外壳；第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片，贴装于所述外壳；以及波长转换部，包含吸收从所述第一发光二极管芯片释放的光而释放其他波长的光的荧光体，所述第一发光二极管芯片相比所述第二发光二极管芯片释放较短的波长的光，所述波长转换部释放峰值波长为580nm至700nm的红色光，从所述波长转换部释放的红色光在600nm至660nm的波长中呈现三个以上的峰值，并且，所述发光二极管封装件由所述第一发光二极管芯片、第二发光二极管芯片和波长转换部释放的光的混合来形成白色光。
本发明为了解决上述的问题，提供了一种发光二极管模块，包括发光二极管封装件其中，所述发光二极管封装件包括：外壳；第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片，贴装于所述外壳；以及波长转换部，包含吸收从所述第一发光二极管芯片释放的光而释放其他波长的光的荧光体，其中，所述第一发光二极管芯片相比所述第二发光二极管芯片释放较短的波长的光，所述波长转换部释放峰值波长为580nm至700nm的红色光，从所述波长转换部释放的红色光在600nm至660nm的波长中呈现三个以上的峰值，并且，所述发光二极管封装件由所述第一发光二极管芯片、第二发光二极管芯片和波长转换部释放的光的混合来形成白色光。
此外，本发明为了解决如上所述的问题而提供一种在基板上贴装有如上所述的发光二极管封装件的发光二极管模块。
根据本发明的实施例，能够减少荧光体之间发生的能量干涉，从而提高能量转换效率。
此外，使用释放彼此不同的波长的发光二极管芯片而释放白色光，从而能够减少波长转换部内的荧光体密度，据此能够减少由荧光体的非发光吸收，从而可以减少光损失，并能够提高色彩饱和度。
附图说明
图1是示出绿色荧光体、红色荧光体和白色LED的发光光谱分布的图形。
图2是图示绿色荧光体和红色荧光体的激发光谱分布和发光光谱分布的图形。
图3至图4是图示根据本发明的一实施例的发光二极管封装件的立体图。
图5至图6是用于说明根据本发明的一实施例的发光二极管模块的立体图。
图7是图示根据本发明的一实施例的红色光发光荧光体的激发光谱的图形。
图8是图示根据本发明的一实施例的红色光发光量子点(quantum dot)的激发光谱的图形。
图9是图示根据本发明的一实施例的发光二极管封装件的光谱分布的图形。
符号说明
1、10：外壳 210：基板
11：第一腔室 12：第二腔室
131：第一发光二极管芯片 132：第二发光二极管芯片
140、141：波长转换部 151、152：荧光体
1000：第一发光二极管封装件 2000：第二发光二极管封装件
具体实施方式
参照附图对本发明的多样的实施例进行详细的说明。但是，本发明不限于以下公开的实施例，而是可以体现为彼此不同的多样的形态，只不过，本实施例是为了使本发明完整地公开且使在本领域中具有普通知识水平的技术人员完整地了解本发明的范围而被提供的。
当在本说明书中，被提到一个要素位于另一个要素的“上方”或“下方”时，所述一个要素可直接位于另一个要素“之上”或“之下”，或者在它们之间可夹设有追加的要素。在本说明书中，术语“上部”或“下部”是在观察者的观点上设定的相对性概念，如果观察者的观点变得不同，“上部”还可表示“下部”，“下部”还可表示“上部”。
在多个附图中，相同的附图标号实质上指代彼此相同的要素。此外，“包含”或“具有”等术语表示存在所描述的特征、数字、步骤、操作、构成要素、部件或它们的组合，其应当被理解为，不预先排除一个或一个以上的其他特征、数字、步骤、操作、构成要素、部件或它们的组合的存在或附加可能性。
以下，参照附图对上述的本发明的实施例进行具体的观察。
根据本发明的一实施例，提供一种如下的发光二极管封装件，包括：外壳(housing)；第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片，贴装于所述外壳；以及波长转换部，包含吸收从所述第一发光二极管芯片释放的光而释放其他波长的光的荧光体，并且，所述第一发光二极管芯片相比所述第二发光二极管芯片释放较短的波长的光，所述荧光体以激发光谱的425nm至475nm中表现的最大峰值(max intensity)下的荧光强度即100为基准，在从所述第二发光二极管芯片释放的光的峰值波长下具有10以下的荧光强度。
根据本发明的另一实施例，提供一种如下的发光二极管封装件，包括：外壳，具有第一腔室和第二腔室；第一发光二极管芯片，贴装于所述第一腔室内；第二发光二极管芯片，贴装于所述第二腔室内；以及波长转换部，布置于所述第一腔室内，且使从第一发光二极管芯片释放的光的波长转换，所述第一发光二极管芯片相比于所述第二发光二极管芯片释放较短的波长的光，从所述第二发光二极管芯片释放的光朝向所述波长转换部的入射被阻断。
此时，所述波长转换部还可包括分散有荧光体的透明树脂，所述第二腔室可布置有未分散有荧光体的透明树脂。
在一些实施例中，所述第一发光二极管芯片和所述第二发光二极管芯片可分别释放蓝色光和绿色光。
进而，所述第一发光二极管芯片可释放蓝色光，所述第二发光二极管芯片可释放绿色光，所述波长转换部可释放红色光。
进而，所述蓝色光的峰值波长可以为440nm至460nm，所述绿色光的峰值波长可以为515nm至530nm。
所述荧光体可包括由氮化物系荧光体、硫化物系荧光体、氟化物系荧光体和量子点荧光体构成的组中选择的任意一种或它们的组合。
此外，所述荧光体为氟化物系荧光体，且以所述激发光谱的最大峰值下的荧光强度即100为基准，在从所述第二发光二极管芯片释放的光的峰值波长下具有5以下的荧光强度。
此外，所述荧光体可以为量子点荧光体，并包括化合物半导体组，所述化合物半导体组包含由In、Zn、S、Cd、Se和Pb构成的组中选择的任意一种或者它们的组合。
在一些实施例中，从所述波长转换部释放的红色光在600nm至660nm中可呈现三个以上的峰值。
此外，可由所述第一发光二极管芯片、第二发光二极管芯片和波长转换部释放的光的混合来形成白色光。
另外，所述用于形成白色光的发光二极管封装件以国家电视系统委员会标准为基准，色彩饱和度(color gamut)可以为95％以上。
此外，可以提供一种在基板上贴装有所述发光二极管封装件的发光二极管模块。
图3是用于概略地说明根据本发明的实施例的发光二极管封装件的立体图。
参照图3，发光二极管封装件1000可包括：外壳1、第一发光二极管芯片131、第二发光二极管芯片132和包含荧光体151的波长转换部140。
外壳1可以包含腔室，且所述第一发光二极管芯片131和第二发光二极管芯片132可以分别布置于外壳1的腔室。
外壳1可以由一般的塑料(聚合物)或丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS：acrylonitrilebutadiene styrene)、液晶聚合物(LCP：liquid crystalline polymer)、聚苯硫醚(PPS：polyphenylene sulfide)、热塑性弹性体(TPE：thermoplastic elastomer)、环氧树脂模塑料(EMC：epoxy molding compound)或者硅胶模塑料(SMC：silicone molding compound)等形成，并可以由金属或陶瓷形成，且不仅局限于此，可由多样的物质形成。
第一发光二极管芯片131和第二发光二极管芯片132可布置于形成于外壳1的腔室，且分别可以为释放蓝色光的发光二极管芯片和释放绿色光的发光二极管芯片。例如，第一发光二极管芯片131相比于第二发光二极管芯片132而言可以释放具有较短的波长的光，且在包含一个波长转换部140而体现白色光的情况下，第一发光二极管芯片131可以是释放峰值波长为440nm至460nm的蓝色光的发光二极管芯片，且第二发光二极管芯片132可以是释放515nm至530nm的绿色光的发光二极管芯片。
第一发光二极管芯片131和第二发光二极管芯片132例如可以由氮化镓系半导体层形成。另外，如图3所示的发光二极管封装件1000公开了在腔室内布置有两个发光二极管芯片的形态，但是所布置的第一发光二极管131和
第二发光二极管132的数量和布置形态并不局限于此。
波长转换部140可以包括转换从第一发光二极管芯片131释放的光的波长的荧光体151。荧光体151可以以激发光谱的最大峰值(max intensity)下的荧光强度即100为基准，在从第二发光二极管芯片132释放的光的峰值波长下具有10以下的荧光强度。
具体而言，波长转换部包括荧光体151，且荧光体151可以吸收从第一发光二极管芯片131释放的蓝色光而释放峰值波长为580nm至700nm的红色光，所述荧光体可以包括由氮化物系荧光体、硫化物系荧光体、氟化物系荧光体和量子点荧光体构成的组中选择的任意一种或它们的组合，例如，可以包括氟化物系荧光体，但是根据本发明的荧光体151的种类并不局限于此。
另外，量子点荧光体(QDs：quantum dot)是由被称为纳米晶体(nanocrystals)的具有2nm至50nm单位的大小的粒子构成的化合物半导体，并可以包括元素周期表中的任意一个以上的2族至16族的离子，且可以包括2元、3元、4元物质。作为一例，可以是具有两个、三个和四个彼此不同的离子的物质。作为一例，量子点荧光体可以包括从由In、Zn、S、Cd、Se和Pb构成的组中选择的任意一个以上，例如，可以包括从包含CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、GaN、GaP、GaAs、AlN、AlP、AlAs、InN、InP和InAs的II-VI族或III-V族化合物半导体组的纳米晶体和它们的混合物及复合物构成的组中选择的任意一种，并且，所述复合物可以包括由CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HggZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe、GaNP、GaNAs、GaPAs、AlNP、AlNAs、AlPAs、InNP、InNAs、InPAs、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlPAs、GaInNP、GaInNAs、GaInPAs、InAlNP、InAlNAs、InAlPAs、SnS、CuInS、CuZnS、CuSnS、CuSnSe、CuSnGaS和CuSnGaSe构成的组中选择的任意一种以上，但是不限于此。
即，对根据本发明的一实施例的发光二极管封装件1000而言，其在能够通过用于释放峰值波长为440nm至460nm的蓝色光的第一发光二极管芯片131、用于释放峰值波长为515nm至530nm的绿色光的第二发光二极管芯片132和用于释放峰值波长为580nm至700nm的红色光的波长转换部140释放的光的混合来形成白色光的同时，使波长转换部140包含单一种类的荧光体151，据此从根源上阻断彼此不同的种类的荧光体之间的相互干涉，从而能够提高从发光二极管芯片释放的光的能量转换效率。
所述激发光谱可以测量并示出在改变具有相同能量的光的波长的同时向荧光体照射上述光时在630nm下所释放的荧光强度(fluorescence intensity)，并可以示出在各个波长下释放的光被荧光体吸收的程度。即，使从吸收第一发光二极管芯片131释放的蓝色光并释放红色光的荧光体151几乎不吸收从第二发光二极管芯片132释放的绿色光，据此能够减少通过荧光体151的非发光吸收而减少光损失。
图4是用于示意性地说明根据本发明的又一实施例的发光二极管封装件的立体图。
参照图4，发光二极管封装件2000可以包括：外壳10，具有第一腔室(cavity)11和第二腔室12；第一发光二极管芯片131；第二发光二极管芯片132；以及波长变换部141。
外壳10的种类、第一发光二极管芯片131和第二发光二极管芯片132的种类和形态可采用基于参照图3说明的发光二极管封装件的外壳1的种类、第一发光二极管芯片131和第二发光二极管芯片132的种类和形态，但是如图4所示的发光二极管封装件其外壳10可具有根据第一腔室11和第二腔室12而被彼此划分的区域，且第一发光二极管芯片131可布置于第一腔室11内，第二发光二极管芯片132可布置于第二腔室12内，在这一点上，发光二极管封装件2000与根据如图3所示的发光二极管封装件不同。
即，外壳10可具有以阻断从第二发光二极管芯片132释放的光入射到所述波长转换部141的方式被划分为第一腔室11和第二腔室12的形态。因此，在包含荧光体152的波长转换部141布置于第一腔室11或第二腔室12的情况下，可从根源上阻断通过荧光体152的非发光吸收。以下，对此进行具体的说明。
波长转换部141布置于第一腔室11内，并可包含用于转换从第一发光二极管芯片131释放的光的波长的荧光体152。具体而言，波长转换部141包含荧光体152，且荧光体152可以吸收从第一发光二极管芯片131释放的蓝色光而释放峰值波长为580nm至700nm的红色光，所述荧光体可以包括由氮化物系荧光体、硫化物系荧光体、氟化物系荧光体和量子点荧光体构成的组中选择的任意一种或它们的组合，并且可以是与上述荧光体151相同的种类或不同的种类。
此外，波长转换部141还可以包含分散有荧光体152的透明树脂。透明树脂的种类不受特殊的限定，但是可以包括硅树脂(silicone)、环氧树脂(epoxy)、聚甲基丙烯酸甲酯树脂(PMMA：polymethyl methacrylate)、聚乙烯树脂(PE：polyethylene)和聚苯乙烯树脂(PS：polystyrene)。
第二腔室12可以根据用户利用发光二极管封装件2000所要形成的光的颜色而包括或不包括包含荧光体的波长转换部。作为一例，在形成白色光的情况下，可以为第一发光二极管芯片131及波长转换部141布置于第一腔室11内且第二发光二极管芯片132布置于第二腔室12内的形态，其中，第一发光二极管芯片131释放蓝色光，波长转换部141包含用于吸收蓝色光而将其波长转换成红色光的荧光体152，并且第二发光二极管芯片132用于释放绿色光，此外，第二腔室12可以是布置未分散有荧光体的透明树脂而进行塑封(molding)的形态142。
即，对如图4所示的发光二极管封装件2000具有如下的形态：吸收蓝色光而被激发从而释放红色光的荧光体152布置于第一腔室11内，且在用于释放绿色光的第二发光二极管芯片132所布置的第二腔室12中布置有未分散荧光体152的透明树脂。通过具有如上所述的形态，能够从根源上防止发生现有的为了形成白色光而将红色光发光荧光体和绿色光发光荧光体混合使用而所导致的问题，即，彼此不同种类的荧光体之间的相互干涉问题，并解决由于从绿色光发光荧光体释放的光被红色光发光荧光体再吸收而发生能量损失的问题。
图5至图6是用于说明根据本发明的一实施例的发光二极管模块的立体图。
参照图5和图6，根据本发明的一实施例的发光二极管模块可以是根据上述实施例的发光二极管封装件1000、2000贴装于基板210上的形态。
基板210的形态不受特殊的限制，可考虑发光二极管封装件1000、2000的散热特性和电连接关系等而使用多样的物质，例如，可以将印刷电路板(printed circuit board)作为本实施例的基板210而使用。
作为一例，根据本发明的一实施例的发光二极管模块可通过从第一发光二极管芯片131、第二发光二极管芯片132和波长转换部140释放的光的混合来形成白色光，其中，第一发光二极管芯片131用于释放峰值波长为440nm至460nm的蓝色光，第二发光二极管芯片132用于释放峰值波长为515nm至530nm的绿色光，且波长转换部140释放峰值波长为580nm至700nm的红色光。
另外，在上述实施例中，主要针对体现白色光的情形进行了说明，但是本发明不限于白色光，本发明可适用于利用具有彼此不同的峰值波长的至少两种荧光体来释放混色光的多样的发光二极管封装件或者发光二极管模块。
试验例1
参照图3，制造了一种如下的发光二极管封装件1000(实施例)：用于释放大约450nm的峰值波长的蓝色光的蓝色光发光二极管芯片以及用于释放大约525nm的峰值波长的绿色光的绿色光发光二极管芯片分别贴装于外壳1，并且包含吸收蓝色光而被激发从而释放红色光的荧光体的波长转换部141布置于所述发光二极管芯片上。并且，对第二腔室12进行塑封(molding)的波长转换部141包含YAG系荧光体、LuAG系荧光体、正硅酸盐(OrthoSilicate)荧光体、硫代镓酸盐(Thio Gallate)荧光体、氮氧化合物(Oxynitride)荧光体或Beta-SiAlON系荧光体等荧光体152。
尤其，如果参照图示红色光发光荧光体的激发光谱的图7和图示红色光发光量子点(quantum dot)的激发光谱的图8，则可以确认，使用了如下的荧光体151：以激发光谱的最大峰值(max intensity)下的荧光强度即100为基准，在从所述绿色光发光二极管芯片释放的光的峰值波长下具有10以下的荧光强度。
此外，针对形成包含荧光体的波长转换部之前和之后，以颜色坐标(CIE)、光输出(IV)和国家电视系统委员会标准(NTSC：National Television System Committe)为基准而测量了色彩饱和度(color gamut)，并将该结果显示在如下的表1中。
另外，作为根据本发明的一实施例的发光二极管封装件的比较组，制造了根据现有技术的发光二极管封装件(比较例)，其贴装有蓝色光发光二极管芯片，并形成有将绿色光发光荧光体和红色光发光荧光体全部混合的波长转换部，并且，针对形成包含荧光体的波长转换部之前和之后，以颜色坐标(CIE)、光输出(IV)和国家电视系统委员会标准(NTSC：National Television System Committe)为基准而测量了色彩饱和度(color gamut)，并将该结果显示在如下的表1中，且将光谱分布图示于图9。
[表1]
Figure BDA0002202913640000111
如在上述表1中显示，根据本发明的一实施例而被制造的发光二极管封装件在保持目标颜色坐标而释放白色光，同时，可以确认根据本发明的一实施例而被制造的发光二极管封装件的光输出呈现为比根据现有技术的发光二极管封装件的光输出高30％以上。因此，可以确认根据本发明的一实施例而制造的发光二极管封装件在相同的电力条件下释放人类能够感受到的亮度更为显著的光，据此能够减少电力消耗，从而能够提高经济性或者提高发光二极管封装件的耐久性。
此外，以国家电视系统委员会标准(NTSC：National Television SystemCommitte)为基准测量的色彩饱和度在现有技术中只不过为93.2％，但是根据本发明的一实施例而制造的发光二极管封装件的色彩饱和度为100.2％，即能够确认实现95％以上的色彩饱和度，从而能够大幅度提高分辨率。
如上所述，针对本发明的具体的说明已通过参照所附附图的实施例而进行，但是上述实施例中，仅仅举出本发明的优选示例并进行了说明，因此本发明不能被理解为局限于上述的实施例，本发明的权利保护范围应当被理解为下述的权利要求书的范围以及其等同概念。

Claims (10)

1.一种发光二极管封装件，其中，包括：
外壳；
第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片，贴装于所述外壳；以及
波长转换部，包含吸收从所述第一发光二极管芯片释放的光而释放其他波长的光的荧光体，
所述第一发光二极管芯片相比所述第二发光二极管芯片释放较短的波长的光，
所述波长转换部释放峰值波长为580nm至700nm的红色光，
从所述波长转换部释放的红色光在600nm至660nm的波长中呈现三个以上的峰值，
并且，所述发光二极管封装件由所述第一发光二极管芯片、第二发光二极管芯片和波长转换部释放的光的混合来形成白色光。
2.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，
所述第一发光二极管芯片和所述第二发光二极管芯片分别释放蓝色光和绿色光。
3.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，
所述荧光体包括由氮化物系荧光体、硫化物系荧光体、氟化物系荧光体和量子点荧光体构成的组中选择的任意一种或它们的组合。
4.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，
所述荧光体以激发光谱的425nm至475nm中表现的最大峰值下的荧光强度即100为基准，在从所述第二发光二极管芯片释放的光的峰值波长下具有10以下的荧光强度。
5.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，
所述荧光体为氟化物系荧光体，且以所述激发光谱的最大峰值下的荧光强度即100为基准，在从所述第二发光二极管芯片释放的光的峰值波长下具有5以下的荧光强度。
6.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，
所述荧光体为量子点荧光体，并包括化合物半导体组，所述化合物半导体组包含由In、Zn、S、Cd、Se和Pb构成的组中选择的任意一种或者它们的组合。
7.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，
以国家电视系统委员会标准为基准，所述发光二极管封装件具有95％以上的色彩饱和度。
8.一种发光二极管模块，包括发光二极管封装件，其中，所述发光二极管封装件包括：
外壳；
第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片，贴装于所述外壳；以及
波长转换部，包含吸收从所述第一发光二极管芯片释放的光而释放其他波长的光的荧光体，
其中，所述第一发光二极管芯片相比所述第二发光二极管芯片释放较短的波长的光，
所述波长转换部释放峰值波长为580nm至700nm的红色光，
从所述波长转换部释放的红色光在600nm至660nm的波长中呈现三个以上的峰值，
并且，所述发光二极管封装件由所述第一发光二极管芯片、第二发光二极管芯片和波长转换部释放的光的混合来形成白色光。
9.根据权利要求8所述的发光二极管模块，其中，
所述第一发光二极管芯片和所述第二发光二极管芯片分别释放蓝色光和绿色光。
10.根据权利要求8所述的发光二极管模块，其中，
所述荧光体以激发光谱的425nm至475nm中表现的最大峰值下的荧光强度即100为基准，在从所述第二发光二极管芯片释放的光的峰值波长下具有10以下的荧光强度。
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