CN105895779A - 发光器件封装和包含发光器件封装的照明装置 - Google Patents

发光器件封装和包含发光器件封装的照明装置 Download PDF

Info

Publication number
CN105895779A
CN105895779A CN201610087811.9A CN201610087811A CN105895779A CN 105895779 A CN105895779 A CN 105895779A CN 201610087811 A CN201610087811 A CN 201610087811A CN 105895779 A CN105895779 A CN 105895779A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
luminescent device
red
range
moulded parts
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610087811.9A
Other languages
English (en)
Inventor
文智煜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Innotek Co Ltd
Original Assignee
LG Innotek Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Innotek Co Ltd filed Critical LG Innotek Co Ltd
Publication of CN105895779A publication Critical patent/CN105895779A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

本发明提供一种发光器件封装和包含发光器件封装的照明装置。实施例提供一种引线框架；第一发光器件，其被设置在所述引线框架上并且被构造为发射第一波长范围内的光，和第二发光器件，其被构造为发射与所述第一波长范围不同的第二波长范围内的光；以及模制件，其被设置为包围所述第一发光器件和所述第二发光器件。所述模制件包含氟基红色荧光体，所述氟基红色荧光体被发射自所述第一发光器件和所述第二发光器件中的至少一个的光激发，且所述红色荧光体具有在5nm～10nm的范围内的半峰全宽。

Description

发光器件封装和包含发光器件封装的照明装置
技术领域
实施例涉及发光器件封装和包含发光器件封装的照明装置。
背景技术
由于器件材料和薄膜生长技术的发展，使用III-V族或II-VI族化合物半导体的发光器件诸如发光二极管(LED)或激光二极管能够发射诸如红色、绿色和蓝色的各种颜色的可见光和紫外(UV)光。此外，这些发光器件通过使用荧光体或颜色组合能够发射具有高光视效能的白光，并且与常规光源诸如荧光灯和白炽灯相比具有低功耗、半永久寿命、快速的响应时间、安全和环境友好的优点。
发射白光的方法分为其中将荧光体与紫外(UV)发光二极管晶片结合的单晶片型方法和其中将多个晶片相互组合以实现白光的多晶片型方法。
在代表性的多片型方法的情况中，将三种晶片即红色、绿色和蓝色(RGB)晶片相互组合。然而，由于各个晶片不均衡的工作电压或因周围环境导致的各个晶片的输出之间的差异而导致该方法造成色度坐标变化的问题。
另外，在使用单晶片发射白光的情况中，使用的一种方法是通过使用发射自蓝色LED的光激发至少一种荧光体来获得白光。
同时，例如在显示装置中，可以将使用LED晶片的照明装置用作光源。这种显示应用需要具有高亮度以及高色纯度的照明装置以实现高色彩再现能力(color reproduction capacity)。
发明内容
实施例提供荧光体组合物，其通过包含蓝色发光器件、绿色发光器件和红色荧光体而实现高色纯度；发光器件封装；和照明装置。
在一个实施例中，发光器件封装包含：引线框架；第一发光器件和第二发光器件，所述第一发光器件被设置在引线框架上并且被构造为发射第一波长范围内的光，所述第二发光器件被构造为发射与第一波长范围不同的第二波长范围内的光；以及模制件，其被设置为包围第一发光器件和第二发光器件，其中模制件包含氟基红色荧光体，所述氟基红色荧光体被从第一发光器件和第二发光器件中的至少一个发射的光激发，且其中所述红色荧光体具有在5nm～10nm的范围内的半峰全宽。
另外，红色荧光体可以由化学式K2MF6:Mn4+(在此，M为Si、Ge和Ti中的至少一种)表示。
另外，发光器件封装可以进一步包含具有空腔的封装体，第一发光器件和第二发光器件可以设置在空腔的底表面上，且可以利用置于其中的模制件填充所述空腔。
另外，红色荧光体可以具有在620nm～640nm范围内的中心发射波长。
另外，第一波长范围内的光可以具有在440nm～460nm范围内的中心波长。
另外，第二波长范围内的光可以具有在520nm～535nm范围内的中心波长。
另外，模制件可以包含树脂基体，且红色荧光体在树脂基体内以预定的距离相互间隔开。
另外，包括在模制件中的红色荧光体的量可以在5wt％～25wt％的范围内。
另外，模制件可以具有圆顶状(dome shape)，且可以改变来自第一发光器件和第二发光器件的光的发射角。
另外，在另一个实施例中，发光器件封装包含：引线框架；第一发光器件和第二发光器件，所述第一发光器件被设置在引线框架上并且被构造为发射第一波长范围内的光，所述第二发光器件被构造为发射与第一波长范围不同的第二波长范围内的光；以及模制件，其被设置为包围第一发光器件和第二发光器件，其中模制件包含氟基红色荧光体，所述氟基红色荧光体被从第一发光器件和第二发光器件中的至少一个发射的光激发，且其中从红色荧光体发射的红光具有基于CIEI1931色度坐标系的位于由X和Y坐标限定的矩形内的色度坐标(0.600，0.260)、(0.690，0.260)、(0.600，0.310)和(0.690、0.310)。
另外，所述红色荧光体可以具有在5nm～10nm的范围内的半峰全宽。
另外，第一波长范围内的光可以具有在440nm～460nm范围内的中心波长。
另外，第二波长范围内的光可以具有在520nm～535nm范围内的中心波长。
另外，在又一个实施例中，照明装置包含发光器件封装，所述发光器件封装包含：引线框架；第一发光器件和第二发光器件，所述第一发光器件设置在引线框架上并且被构造为发射第一波长范围内的光，所述第二发光器件被构造为发射与第一波长范围不同的第二波长范围内的光；和模制件，所述模制件被设置为包围第一发光器件和第二发光器件，其中模制件包含氟基红色荧光体，所述氟基红色荧光体被从第一发光器件和第二发光器件中的至少一个发射的光激发；以及光学构件，其被构造为改变从发光器件封装发射的光的路径，其中红色荧光体具有在5nm～10nm的范围内的半峰全宽。
另外，发光器件封装可以发射其中将蓝光、绿光和红光混合的白光。
另外，蓝光可以具有基于CIEI 1931色度坐标系的位于由X和Y坐标限定的矩形内的色度坐标(0.130，0.050)、(0.160，0.050)、(0.130，0.080)和(0.160、0.080)。
另外，绿光可以具有基于CIEI 1931色度坐标系的位于由X和Y坐标限定的矩形内的色度坐标(0.140，0.650)、(0.160，0.650)、(0.140，0.680)和(0.160，0.680)。
另外，红光可以具有基于CIEI 1931色度坐标系的位于由X和Y坐标限定的矩形内的色度坐标(0.600，0.260)、(0.690，0.260)、(0.600，0.310)和(0.690，0.310)。
另外，红光的X-坐标值可能会随着模制件中的红色荧光体的含量的增加而增加。
另外，由蓝光、绿光和红光限定的三角形的面积可以为全国电视系统委员会(NTSC)面积的90％以上。
附图说明
可以参照以下附图对布置和实施例进行详细说明，所述附图中相同的附图标记指的是相同的元件，并且其中：
图1为说明根据实施例的发光器件封装的图；
图2为说明根据实施例的发光器件的图；
图3为说明发光器件封装的另一个实施例的图；
图4A和4B为说明发光器件封装的发射光谱的图；
图5为说明照明装置的一个实施例的图；
图6为说明模拟关于比较实例的色度坐标的结果的图；且
图7和8为说明模拟关于实施例的色度坐标的结果的图。
具体实施方式
下文中，将参照附图对具体实现上述目的的示例性实施例进行说明。
在实施例的以下说明中，应该明白，当指各个元件在其它元件“上”或“下”形成时，可以直接在其它元件“上”或“下”或者在它们之间具有一个或多个介于中间的元件的情况下间接地形成。另外，还应该明白的是，在元件“上”或“下”可以指的是元件向上的方向或向下的方向。
另外，说明书和权利要求中的相关术语“第一”、“第二”、“顶上/上面/之上”、“底部/下面/之下”等可以用来对任一种物质或元件与其它物质或元件进行区分，不一定是描述所述物质或元件之间的任何物理或逻辑关系或特定顺序。
在图中，为了清楚和方便，可以扩大、忽略或示意性表示各个层的厚度或尺寸。另外，各个组成元件的尺寸不完全反映它的实际尺寸。
图1为说明根据实施例的发光器件封装的图。
由附图标记200a指定的根据实施例的发光器件封装可以包含第一引线框架142和第二引线框架144，被设置在第一引线框架142和第二引线框架144上的第一发光器件110a和第二发光器件110b，以及被设置为包围第一和第二发光器件110a和110b的模制件160。
参照图1，第一引线框架142和第二引线框架144可以与第一发光器件110a和第二发光器件110b电连接。
可以将第一引线框架142和第二引线框架144固定地设置在基板100上。同时，可以由具有优异的导热性的陶瓷材料形成基板100，且例如可以为蓝宝石(Al2O3)基板。
可以由导电材料例如铜形成第一引线框架142和第二引线框架144，且可以在利用例如金(Au)镀敷之后进行设置。
第一引线框架142和第二引线框架144可以彼此电隔离，且可以向发光器件110a和110b供应电流。另外，第一引线框架142和第二引线框架144可以反射发射自发光器件110a和110b的光从而增加发光效率，并且向外放出在发光器件110a和110b中生成的热。
尽管在图1中示出的实施例中可以将发光器件110a和110b设置在第一引线框架142上且可以使用布线146连接至第二引线框架144，但除布线结合以外，还可以通过倒装晶片结合或管芯结合(die-bonding)将发光器件110a和110b连接至引线框架。
发光器件110a和110b可以为发光二极管。
图2为说明发光器件110a和110b的一个实施例的图。发光器件110a和110b中的每一个可以包含支撑衬底70、发光结构20、欧姆层40和第一电极80。
发光结构20可以包含第一导电半导体层22、有源层24和第二导电半导体层26。
第一导电半导体层22可以由例如III-V族或II-VI族化合物半导体形成，且可以利用第一导电掺杂物进行掺杂。第一导电半导体层22可以由选自具有如下组成的半导体材料中的任一种或多种形成：AlxInyGa(1-x-y)N(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)、AlGaN、GaN、InAlGaN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP。
当第一导电半导体层22为n型半导体层时，第一导电掺杂物可以包含n型掺杂物例如Si、Ge、Sn、Se或Te。第一导电半导体层22可以形成为单层或多层，但不局限于此。
有源层24可以被设置在第一导电半导体层22和第二导电半导体层26之间，且可以包含选自如下中的任一种结构：单阱结构、多阱结构、单量子阱结构、多量子阱结构、量子点结构和量子线结构。
有源层24可以由III-V族化合物半导体形成，且可以包含选自如下中的任一种或多种的具有成对结构的阱层和势垒层而不局限于此：AlGaN/AlGaN、InGaN/GaN、InGaN/InGaN、AlGaN/GaN、InAlGaN/GaN、GaAs(InGaAs)/AlGaAs和GaP(InGaP)/AlGaP。阱层可以由带隙能量低于势垒层的带隙能量的材料形成。
第二导电半导体层26可以由化合物半导体形成。也就是说，第二导电半导体层26可以由例如III-V族或II-VI族化合物半导体形成，且可以利用第二导电掺杂物进行掺杂。例如，第二导电半导体层26可以由选自具有如下组成的半导体材料中的任一种或多种形成：InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)、AlGaN、GaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP，且例如可以由具有AlxGa(1-x)N组成的材料形成。
当第二导电半导体层26为p型半导体层时，第二导电掺杂物可以为p型掺杂物诸如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba。第二导电半导体层26可以形成为单层或多层而不局限于此。
第一导电半导体层22可以具有图案化表面以提高光提取效率。另外，可以将第一电极80设置在第一导电半导体层22的表面上。尽管没有示出，但其上设置有第一电极80的第一导电半导体层22的表面可以不被图案化。第一电极80可以由选自如下中的至少一种形成：铝(Al)、钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、铜(Cu)和(Au)，且可以形成为单层或多层。
钝化层90可以形成在发光结构20的周围。钝化层90可以由绝缘材料诸如导电氧化物或氮化物形成。例如，钝化层90可以由二氧化硅(SiO2)层、氮氧化物(oxide nitride)层和铝氧化物(oxide aluminum)层形成。
必须将第二电极设置在发光结构20之下。欧姆层40和反射层50可以作为第二电极。可以将GaN层设置在第二导电半导体层26下面以确保空穴和电流顺利地引入第二导电半导体层26中。
欧姆层40可以具有约200埃的厚度。欧姆层40可以由选自如下中的至少一种形成：铟钛氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、IZO氮化物(IZON)、Al-Ga ZnO(AGZO)、In-Ga ZnO(IGZO)、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Sn、In、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf，但不限于这些材料。
反射层50可以为由如下形成的金属层：钼(Mo)、铝(Al)、银(Ag)、镍(Ni)、铂(Pt)、铑(Rh)或包含Al、Ag、P或Rh的合金。反射层50可以有效地反射发射自有源层24的光，从而显著地增强半导体器件的光提取效率。
支撑衬底70可以由导电材料诸如金属或半导体材料形成。更特别地，支撑衬底70可以由具有高导电性和导热性的金属形成。由于支撑衬底70需要充分地散发在半导体器件的工作期间生成的热，所以可以由高导热性的材料(例如金属)形成支撑衬底70。
例如，支撑衬底70可以由选自如下中的材料形成：钼(Mo)、硅(Si)、钨(W)、铜(Cu)和铝(Al)或它们的合金。另外，支撑衬底70可以选择性地包含(Au)、铜(Cu)合金、镍(Ni)、铜-钨(Cu-W)、载体晶片(carrier wafer)(例如GaN、Si、Ge、GaAs、ZnO、SiGe、SiC、SiGe和Ga2O3中的任一种)。
支撑衬底70可以具有50μm～200μm范围内的厚度，从而在划片过程或破损过程期间实现有效地分离为晶片而不引起氮化物半导体器件的弯曲得足够的机械强度。
粘合层60用来使反射层50和支撑衬底70相互粘合。粘合层60可以由选自如下中的材料形成：金(Au)、锡(Sn)、铟(In)、铝(Al)、硅(Si)、银(Ag)、镍(Ni)和铜(Cu)或它们的合金。
图2中示出的发光器件110的实施例涉及垂直型发光器件，而图1中示出的发光器件封装200a的实施例可采用水平型发光器件或倒装晶片型发光器件而不是图2中示出的垂直型发光器件。
同时，第一发光器件110a可以发射第一波长范围的光。
例如，第一发光器件110a可以发射蓝光，且发射自第一发光器件110a的光的中心波长可以在440nm～460nm的范围内。
第二发光器件110b可以发射不同于第一发光器件110a的第二波长范围的光。
例如，第二发光器件110b可以发射绿光，且发射自第二发光器件110b的光的中心波长可以在520nm～535nm的范围内。
再次参照图1，在根据实施例的发光器件封装200a中，可以以包围第一发光器件100a和第二发光器件100b的方式设置模制件160。
模制件160可以具有圆顶状，且可以具有任一种各种其它形状以调节发射自发光器件封装200a的光的发射角。模制件160可以作为透镜，所述透镜包围并保护发光器件110a和110b且改变发射自发光器件110a和110b的光的路径。
模制件160可以包含树脂基体和分布在树脂基体中的红色荧光体150。
红色荧光体150为在激发时发射在红色波长范围内的光的荧光体。
树脂基体可以由硅基树脂、环氧基树脂和丙烯酰基树脂中的任一种或它们的混合物形成。
另外，模制件160可以包含氟基红色荧光体150。
氟基红色荧光体150可以被第一发光器件110a和第二发光器件110b中的至少一个激发。
包含在模制件160中的氟基红色荧光体可以由化学式K2MF6:Mn4+表示。在此，“M”可以为硅(Si)、锗(Ge)和钛(Ti)中的至少一种。
氟基红色荧光体150的发射中心波长可以在620nm～640nm的范围内。在此，“红色荧光体150的发射中心波长”指的是当红色荧光体150由第一发光器件110a和第二发光器件110b中的至少一个激发时发射的光的中心波长。
另外，氟基红色荧光体可以具有比常规氮化物基红色荧光体小的半峰全宽(FWHM)。
例如，氟基红色荧光体的FWHM可以在5nm～10nm的范围内。
包含在模制件中的氟基红色荧光体的量可以在5wt％～25wt％的范围内。
也就是说，假设硅树脂的重量为Ws且氟基红色荧光体的重量为Wr，在模制件包含硅树脂和氟基红色荧光体的情况中，氟基红色荧光体与模制件的比率可以为如下：
5 w t % < ( W r W s + W r ) &times; 100 < 25 w t %
例如，当氟基红色荧光体的量为5wt％以下时，红色荧光体的量相对于模制件的含量不足，这可能会使发射自发光器件封装的光中的红光的色纯度劣化。另一方面，当包含在模制件中的氟基红色荧光体的量为25wt％以上时，由红色荧光体吸收的光的量相对于发射自发光器件封装的光的量增加，这可能会降低发光器件封装的整体亮度。
另外，当氟基红色荧光体在模制件中的量为25wt％以上时，发光器件封装的光学特性可能会在长时间使用发光器件封装时劣化，因为氟基红色荧光体易受温度、湿度和光的影响。
图3为说明发光器件封装200b的另一个实施例的图。
在关于图3的发光器件封装的以下说明中，将省略关于图1的发光器件封装的实施例的重复说明，并且将仅着眼于它们之间的不同对图3的发光器件封装进行说明。
根据图3中示出的一个实施例的发光器件封装200b可以包含具有空腔135的封装体130和被设置在空腔135的底表面上的第一和第二发光器件110a及110b。可以将第一引线框架142和第二引线框架144固定至封装体130从而电连接至发光器件110a及110b。
另外，可以利用模制件160填充空腔135使得模制件160包围发光器件110a及110b。
封装体130可以由硅材料、合成树脂材料或金属材料形成，且可以由具有优异导热性的陶瓷材料形成。
封装体130的顶部可以敞开(open)，且空腔135可以由封装体130的侧表面和底表面限定。
空腔135可以具有例如杯状或凹的容器状，且空腔135的侧表面可以垂直于底表面或相对于底表面倾斜，且可以具有各种尺寸和形状。
当从顶部观察时空腔135可以具有例如圆形形状、多边形形状或椭圆形形状且可以具有弯曲的角部(curved corner)，但不局限于此。
发光器件110a和110b可以位于空腔135的内部，且可以被设置在封装体130上，或者可以被设置在第一引线框架142或第二引线框架144上。
尽管设置在图3的发光器件封装中的发光器件110a和110b可以为图2中示出的垂直型发光器件，但实施例不限于此，且可以包括例如水平型发光器件。
在图3的实施例中，可以利用模制件160填充空腔135且可以将模制件160设置在封装体上以包围两个发光器件110a和110b。
同时，尽管可以在与空腔135的侧表面的顶部相同的线上形成模制件160的上表面，但实施例不限于此，且可以将模制件160的上表面形成为高于或低于空腔135的侧表面的顶部。
在本实施例中，模制件160可以包含树脂基体和分布在树脂基体中的红色荧光体150。各个组分的组成和重量百分比可以与上述实施例中的那些相同。
图4A和4B为说明发光器件封装的发射光谱的图。
图4A示出常规发光器件封装的发射光谱。比较实例1示出如下的发光器件封装的情况，所述发光器件封装包含发射蓝光的发光器件以及在蓝色发光器件上的红色荧光体和绿色荧光体。绿色荧光体和红色荧光体为在激发时分别发射在绿色波长范围内的光和在红色波长范围内的光的荧光体。另外，比较实例2示出如下的发光器件封装的情况，所述发光器件封装包含发射蓝光的发光器件以及在蓝色发光器件上的绿色荧光体和氟基红色荧光体。
同时，图4B为说明根据实施例的发光器件封装的发射光谱的图。在此，实例1～4可以具有根据图3中示出的实施例的发光器件封装的构造。
表1示出根据比较实例1、比较实例2和实例1～4的模制件的构造。
同时，构成根据表1中描述的比较实例1、比较实例2和实例1～4的模制件的树脂基体可以为硅树脂。
表1
在表1中，荧光体的总重量百分比(wt％)表示荧光体组合物的重量对模制件的总重量的比率，且模制件的总重量可以包含树脂基体和荧光体组合物的重量。同时，在模制件中包含不同种类的荧光体的情况下，荧光体的总重量可以包含全部不同种类的荧光体的重量。
也就是说，比较实例1说明荧光体1和荧光体2在模制件中占据10wt％的情况，比较实例2说明荧光体1和荧光体3在模制件中占据27wt％的情况，且实例说明其中包含在模制件中的仅荧光体3的量在5wt％～20wt％的范围内的情况。
同时，形成树脂基体的硅树脂可在比较实例1中占90wt％，在比较实例2中占73wt％，且在实例1～4中在80wt％～95wt％的范围内。
另外，荧光体1可对应于氮化物基绿色荧光体，荧光体2可对应于氮化物基红色荧光体，且荧光体3可对应于氟基红色荧光体。
例如，荧光体1可以为Ba3Si6O12N2:Eu2+，荧光体2可以为Ca2Si5N8:Eu2+，且荧光体3可以为K2SiF6:Mn4+。
图4A说明根据比较实例1和比较实例2的发光器件封装的发射光谱。在比较实例2的情况中，可以看出与比较实例1相比，发射光谱在红色发光波长范围内具有尖锐的发射峰和显著增加的照明功率。
也就是说，不同于比较实例1，在比较实例2的情况中可以领会到，归功于氟基红色荧光体的使用，发光器件封装实现了红光的亮度和色纯度的提高。
图4B说明根据基于荧光体3的含量比率的实例的发光器件封装的发射光谱。同时，在图4B中，实例1～4对应于在包含在模制件中的荧光体3的含量变化的情况中的发射光谱。
参照表1，荧光体3相对于模制件的含量比率在实例1中为5wt％，在实例2中为10wt％，在实例3中为15wt％，且在实例4中为20wt％。
参照图4B，与图4A中的比较实例1和比较实例2的发射光谱相比，可以领会到不同于比较实例1，实例的发射光谱在580nm～680nm的发红光的波长范围内具有尖锐的发射峰，且与比较实例1和比较实例2相比，在480nm～580nm的发绿光的波长范围内还具有更尖锐的发射峰。
也就是说，在根据实施例的发光器件封装的情况中，与比较实例的发光器件封装相比，通过利用绿色发光器件替换绿色荧光体并且通过使用氟基红色荧光体，发射光谱在绿色和红色发光波长范围内可以获得具有窄的FWHM的尖锐的发射峰，从而实现比仅使用发射蓝光的发光器件的情况高的色纯度。
图5为说明照明装置的一个实施例的图。
根据实施例的照明装置300可以包含至少一个上述实施例的发光器件封装200。
图5为照明装置300的截面图，所述照明装置300包含支撑构件210和多个发光器件封装200。
同时，尽管在图5中没有示出，但支撑构件210可以为利用其上的电极图案化的电路板，且例如可以为印刷电路板(PCB)或柔性印刷电路板(FPCB)。
可以将发光器件封装200设置在在支撑构件210上形成的电极图案上。
另外，可以将根据一个实施例的发光装置用作显示装置的光源。
例如，显示装置可以包含图像面板以形成图像，和照明装置以向图像面板供应光。同时，根据一个实施例的包含在显示装置中的照明装置可以为背光单元或正面光单元(front light unit)，且可以向形成图像的图像面板供应光。
在某些实施例中，可以使用多个照明装置的阵列，且可以将单个照明装置用作光源。
在其中将所述实施例的照明装置用作显示装置的光源的背光单元的情况中，照明装置还可以包含底盖，和被设置在底盖上的反射层以增加发光效率。
另外，在显示装置中包含照明装置的情况中，照明装置还可以包含在发光器件封装上的光学构件。
光学构件可以包含例如导光板和棱镜片，且可以用来将发射自照明装置的发光器件封装的光传输至图像面板并且增加照明装置的发光效率。
在实施例的照明装置中，发光器件封装可以发射其中将蓝光、绿光和红光混合的白光。
在来自照明装置的混合光中，蓝光可以具有基于CIE1931色度坐标系的位于由X和Y坐标限定的矩形内的色度坐标(0.130，0.050)、(0.160，0.050)、(0.130，0.080)和(0.160、0.080)。
另外，在来自照明装置的混合光中，绿光可以具有基于CIE1931色度坐标系的位于由X和Y坐标限定的矩形内的色度坐标(0.140，0.650)、(0.160，0.650)、(0.140，0.680)和(0.160，0.680)。
另外，在来自照明装置的混合光中，红光可以具有基于CIE1931色度坐标系的位于由X和Y坐标限定的矩形内的色度坐标(0.600，0.260)、(0.690，0.260)、(0.600，0.310)和(0.690，0.310)。
图6～8说明模拟液晶显示模块(LCM)的色度坐标的结果。
另外，表2和表3说明在根据比较实例和实例的LCM上的红色、绿色和蓝色的点处的色度坐标的模拟值。
在图6～8中，Cx为色度坐标的X轴值，且Cy为色度坐标的Y轴值。
图6和表2显示在照明装置包含上述比较实例的发光器件封装的情况中的LCM的模拟色度坐标的结果和产色能力(color productioncapacity)。同时，可以参照上述表1理解比较实例1和比较实例2的发光器件封装的构造。
由CIE1931色度坐标系表示的全国电视系统委员会(NTSC)的标准红色、绿色和蓝色的色度坐标可以分别为(0.67，0.33)、(0.21，0.71)和(0.14，0.08)。
另外，表2和表3中示出的NTSC面积比(％)可以指的是由根据比较实例或实例的新的三个R、G和B色度坐标限定的三角形的面积对由NTSC标准R、G和B色度坐标限定的三角形的面积的比率。
例如，NTSC面积比可以为色彩再现能力的值。
图6为说明在色度坐标体系中表示的NTSC三角形和由在比较实例1和比较实例2中的三个R、G和B点限定的三角形的图。
参照图6，可以领会到，比较实例1和比较实例2的三角形的面积与NTSC三角形的面积不一致，且比较实例2的三角形大于比较实例1的三角形。
另外，参照表2，可以看出与比较实例1的相比，比较实例2的NTSC面积比增加了约4％。
也就是说，在图6和表2中可以领会到，比较实例2的NTSC面积比大于比较实例1的NTSC面积比的原因在于，比较实例2的发光器件封装包含氟基红色荧光体，从而实现了色纯度的增加和因此增加的NTSC面积比，所述NTSC面积比以色彩再现能力为特征。同时，氟基红色荧光体可以为K2MF6:Mn4+(在此，M为Si、Ge和Ti中的至少一种)表示。
表2
图7和8以及表3为包含根据实施例的照明装置的LCM的模拟结果。
图7为比较NTSC标准R、G和B色度坐标和包含实施例的照明装置的实例的色度坐标的图。
参照图7，可以领会到，与图6中示出的比较实例1和比较实例2的色度坐标相比，作为实例中的绿色(G)的色度坐标的X轴值的Cx值小。
也就是说，不同于比较实例的色度坐标，在实施例的情况中，由于包含绿色发光器件而不是绿色荧光体，绿光的色度坐标的X轴值比NTSC绿色色度坐标的X轴值小。因此，由实例中的三个R、G和B点限定的三角形的面积比比较实例中的三角形的面积大。
参照图7，可以领会到，实施例中的三角形的面积与NTSC三角形的面积不一致，但与比较实例1和比较实例2中的三角形的面积相比，所述三角形的面积增加。
图8为比较实例1～4的色度坐标的图，且表3说明实例1～4的R、G和B色度坐标和NTSC面积比。
实例1～4对应于其中包含在上述实施例的照明装置中的氟基红色荧光体具有不同含量比率的情况。
也就是说，氟基红色荧光体的含量比率可以为在实例1中为5wt％，在实例2中为10wt％，在实例3中为15wt％，且在实例4中为20wt％。同时，氟基红色荧光体可以为K2MF6:Mn4+(在此，M为Si、Ge和Ti中的至少一种)表示。
参照图8和表3的模拟结果可以领会到，NTSC面积比率(％)随着氟基红色荧光体的含量的增加而增加。
同时，在根据实施例的照明装置的情况中，由蓝光、绿光和红光限定的三角形的面积可以为NTSC三角形的面积的90％以上。
另外，参照图8和表3的模拟结果可以领会到，红光的色度坐标的X轴值随着实例中的氟基红色荧光体的含量比率的增加而增加。
也就是说，Cx值即红光的色度坐标的X轴值随着氟基红色荧光体的含量比率从5wt％增加至20wt％而增加，从而明显更接近NTSC红色坐标的Cx值。
因此，包含实施例的照明装置的LCM的CIE1931色度坐标系中的三角形的面积随着氟基红色荧光体的含量的增加而增加，这可能会导致色彩再现能力的增加。
从图8中还可以看出，由三个R、G和B点限定的三角形的面积从实例1至实例4增加。也就是说，红色区域的色纯度随着氟基红色荧光体的含量的增加而增加，这可能会导致LCM的整体色彩再现能力的增加。
表3
同时，除了上述显示装置以外，照明装置还可以包含在例如灯或头灯中。
在图5中示出的照明装置300可以为光源模块。
所述灯可以包含作为光源模块的实施例的照明装置，且还可以包含散发来自光源模块的热的散热器，以及供电单元，所述供电单元处理或转换接收自外部的电信号并且将其传输至光源模块。
头灯可以包含作为发射模块的图5中示出的照明装置300；且还可以包含反射以给定的方向例如以向前方向发射自发射模块的光的反射器；透镜，所述透镜向前折射由反射器反射的光；和灯罩，所述灯罩阻挡或反射由反射器反射并且指向透镜的部分光，从而实现设计者所期望的光分布图案。在此，可以将反射器、透镜和灯罩称为光学构件。
从以上说明明显看出，例如在包含根据上述实施例的照明装置的显示装置、灯或头灯的情况中，发光器件封装包含适于发射不同波长范围的光的两个发光器件例如蓝色和绿色发光器件，和具有小FWHM的氟基红色荧光体，由此在激发荧光体组合物时发射高色纯度的光，从而实现色彩再现能力的增加。
尽管已经参照一些说明性实施例对实施例进行了描述，但应该理解，本领域的技术人员可以设想出将会落在本公开的原理的主旨和范围内的很多其它修改和实施例。更特别地，在公开内容、附图和附属权利要求的范围内，在组成部分和/或主题组合布置的排列方面的各种变化和修改都是可能的。除了在组成部分和/或排列方面的变化和修改以外，替代性使用对本领域的技术人员而言也将是显而易见的。

Claims (10)

1.一种发光器件封装，所述发光器件封装包含：
引线框架；
第一发光器件和第二发光器件，所述第一发光器件设置在所述引线框架上并且被构造为发射第一波长范围内的光，所述第二发光器件被构造为发射与所述第一波长范围不同的第二波长范围内的光；以及
模制件，所述模制件被设置为包围所述第一发光器件和所述第二发光器件，
其中所述模制件包含氟基红色荧光体，所述氟基红色荧光体被从所述第一发光器件和所述第二发光器件中的至少一个发射的光激发，且
其中红色荧光体具有在5nm～10nm的范围内的半峰全宽。
2.根据权利要求1所述的封装，其中所述红色荧光体由化学式K2MF6:Mn4+(在此，M为Si、Ge和Ti中的至少一种)表示。
3.根据权利要求1所述的封装，进一步包含具有空腔的封装体，
其中所述第一发光器件和所述第二发光器件设置在所述空腔的底表面上，并且
其中利用置于所述空腔中的所述模制件填充所述空腔。
4.根据权利要求1所述的封装，其中所述红色荧光体具有在620nm～640nm范围内的中心发射波长。
5.根据权利要求1所述的封装，其中所述第一波长范围内的光具有在440nm～460nm范围内的中心波长。
6.根据权利要求1所述的封装，其中所述第二波长范围内的光具有在520nm～535nm范围内的中心波长。
7.根据权利要求1所述的封装，其中所述模制件包含树脂基体，并且所述红色荧光体在所述树脂基体内以预定的距离相互间隔开。
8.根据权利要求7所述的封装，其中包括在所述模制件中的所述红色荧光体的量在5wt％～25wt％的范围内。
9.根据权利要求1所述的封装，其中所述模制件具有圆顶状，且改变来自所述第一发光器件和所述第二发光器件的光的发射角。
10.一种发光器件封装，所述发光器件封装包含：
引线框架；
第一发光器件和第二发光器件，所述第一发光器件被设置在所述引线框架上并且被构造为发射第一波长范围内的光，所述第二发光器件被构造为发射与所述第一波长范围不同的第二波长范围内的光；以及
模制件，所述模制件被设置为包围所述第一发光器件和所述第二发光器件，
其中所述模制件包含氟基红色荧光体，所述氟基红色荧光体被从所述第一发光器件和所述第二发光器件中的至少一个发射的光激发，且
其中从所述红色荧光体发射的红光具有基于CIEI 1931色度坐标系的位于由X和Y坐标限定的矩形内的色度坐标(0.600，0.260)、(0.690，0.260)、(0.600，0.310)和(0.690、0.310)。
CN201610087811.9A 2015-02-16 2016-02-16 发光器件封装和包含发光器件封装的照明装置 Pending CN105895779A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2015-0023223 2015-02-16
KR1020150023223A KR102408618B1 (ko) 2015-02-16 2015-02-16 발광 소자 패키지 및 이를 포함하는 조명 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105895779A true CN105895779A (zh) 2016-08-24

Family

ID=55456576

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610087811.9A Pending CN105895779A (zh) 2015-02-16 2016-02-16 发光器件封装和包含发光器件封装的照明装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20160240750A1 (zh)
EP (1) EP3057131B1 (zh)
JP (1) JP7113407B2 (zh)
KR (1) KR102408618B1 (zh)
CN (1) CN105895779A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110649007A (zh) * 2016-09-21 2020-01-03 首尔半导体株式会社 发光二极管封装件和发光二极管模块
CN111033767A (zh) * 2017-08-11 2020-04-17 三星电子株式会社 发光器件封装和发光器件封装模块
CN111986565A (zh) * 2019-05-21 2020-11-24 展晶科技(深圳)有限公司 光源装置及显示器

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6583203B2 (ja) 2016-09-30 2019-10-02 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
EP3394782B1 (en) * 2016-12-14 2020-07-29 Pivotal Software, Inc. Distributed validation of credentials
KR102432218B1 (ko) * 2017-05-19 2022-08-12 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 형광체, 발광 소자 패키지 및 이를 포함하는 조명 장치
JP7064129B2 (ja) * 2017-12-22 2022-05-10 日亜化学工業株式会社 発光装置
TWI703357B (zh) * 2019-05-21 2020-09-01 榮創能源科技股份有限公司 光源裝置及顯示器
CN112289910B (zh) * 2020-10-19 2021-06-25 刘成禹 Led无级调色温光源及其制造工艺

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1744316A (zh) * 2004-08-31 2006-03-08 日亚化学工业株式会社 发光装置
TW201115788A (en) * 2009-10-30 2011-05-01 Kingbright Electronics Co Ltd Improved white light LED lighting device
WO2014104147A1 (ja) * 2012-12-28 2014-07-03 信越化学工業株式会社 波長変換部材及び発光装置
CN102263098B (zh) * 2010-05-24 2015-09-16 Lg伊诺特有限公司 发光器件及具有该发光器件的光照单元

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW558775B (en) * 2002-06-27 2003-10-21 Solidlite Corp Package of compound type LED
KR20050113200A (ko) * 2003-02-26 2005-12-01 크리, 인코포레이티드 복합 백색 광원 및 그 제조 방법
JP4876626B2 (ja) * 2005-02-23 2012-02-15 三菱化学株式会社 半導体発光デバイス用部材及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体発光デバイス
JP4679183B2 (ja) 2005-03-07 2011-04-27 シチズン電子株式会社 発光装置及び照明装置
KR101200400B1 (ko) 2005-12-01 2012-11-16 삼성전자주식회사 백색 발광 다이오드
JP2007173397A (ja) 2005-12-20 2007-07-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュールとこれを用いた表示装置及び照明装置
KR100771772B1 (ko) * 2006-08-25 2007-10-30 삼성전기주식회사 백색 ｌｅｄ 모듈
US7800315B2 (en) * 2007-09-21 2010-09-21 Exclara, Inc. System and method for regulation of solid state lighting
KR101476421B1 (ko) 2008-03-31 2014-12-26 서울반도체 주식회사 백라이트 유닛
JP2010034183A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置
JP5682104B2 (ja) * 2008-09-05 2015-03-11 三菱化学株式会社 蛍光体及びその製造方法と、その蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、その発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置
US8779685B2 (en) 2009-11-19 2014-07-15 Intematix Corporation High CRI white light emitting devices and drive circuitry
CN102823002A (zh) * 2010-03-30 2012-12-12 三菱化学株式会社 发光装置
JP2010258479A (ja) 2010-08-16 2010-11-11 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置
JP5799212B2 (ja) * 2010-09-21 2015-10-21 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光モジュール、バックライト装置および表示装置
US8252613B1 (en) 2011-03-23 2012-08-28 General Electric Company Color stable manganese-doped phosphors
JP5418548B2 (ja) * 2011-07-06 2014-02-19 日亜化学工業株式会社 フッ化物蛍光体及びそのフッ化物蛍光体を用いた発光装置
US9564557B2 (en) * 2012-11-01 2017-02-07 Koninklijke Philips N.V. LED based device with wide color gamut
JP5783302B2 (ja) 2013-07-03 2015-09-24 日亜化学工業株式会社 フッ化物蛍光体及びそれを用いた発光装置並びに蛍光体の製造方法
TWI509844B (zh) * 2014-09-19 2015-11-21 Unity Opto Technology Co Ltd Applied to the backlight of the LED light-emitting structure

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1744316A (zh) * 2004-08-31 2006-03-08 日亚化学工业株式会社 发光装置
TW201115788A (en) * 2009-10-30 2011-05-01 Kingbright Electronics Co Ltd Improved white light LED lighting device
CN102263098B (zh) * 2010-05-24 2015-09-16 Lg伊诺特有限公司 发光器件及具有该发光器件的光照单元
WO2014104147A1 (ja) * 2012-12-28 2014-07-03 信越化学工業株式会社 波長変換部材及び発光装置
CN104885238A (zh) * 2012-12-28 2015-09-02 信越化学工业株式会社 波长转换部件和发光装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110649007A (zh) * 2016-09-21 2020-01-03 首尔半导体株式会社 发光二极管封装件和发光二极管模块
CN110649007B (zh) * 2016-09-21 2023-06-23 首尔半导体株式会社 发光二极管封装件和发光二极管模块
CN111033767A (zh) * 2017-08-11 2020-04-17 三星电子株式会社 发光器件封装和发光器件封装模块
CN111033767B (zh) * 2017-08-11 2023-08-29 三星电子株式会社 发光器件封装和发光器件封装模块
CN111986565A (zh) * 2019-05-21 2020-11-24 展晶科技(深圳)有限公司 光源装置及显示器

Also Published As

Publication number Publication date
JP7113407B2 (ja) 2022-08-05
JP2016152413A (ja) 2016-08-22
EP3057131B1 (en) 2020-06-17
KR102408618B1 (ko) 2022-06-14
KR20160100601A (ko) 2016-08-24
EP3057131A1 (en) 2016-08-17
US20160240750A1 (en) 2016-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105895779A (zh) 发光器件封装和包含发光器件封装的照明装置
CN102237479B (zh) 发光器件封装和具有发光器件封装的发光系统
CN102255017B (zh) 发光器件
JP6542509B2 (ja) 蛍光体及びそれを含む発光素子パッケージ
US8536591B2 (en) Light emitting device and lighting system
CN101740600A (zh) 发光器件以及具有该发光器件的发光器件封装
CN102163684A (zh) 发光器件封装和照明系统
KR20120089897A (ko) 발광소자, 발광소자 패키지 및 조명 시스템
CN102820404A (zh) 发光二极管封装
CN107532081A (zh) 荧光组合物、包括荧光组合物的发光器件封装和照明装置
US8173469B2 (en) Fabrication method of light emitting device
CN106604976A (zh) 荧光体成分、包括荧光体成分的发光元件封装和照明系统
CN108473868B (zh) 荧光体组合物、包括该荧光体组合物的发光器件封装和照明装置
KR20170123153A (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 포함하는 조명 장치
JP2011146707A (ja) 発光素子チップ、発光素子パッケージ
KR102409189B1 (ko) 형광체 구조물, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치
KR20170058775A (ko) 발광소자 패키지
KR102200076B1 (ko) 구형 형광체, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치
US9882098B2 (en) Light-emitting device package containing oxynitride-based phosphor and lighting apparatus containing same
KR102131309B1 (ko) 형광체 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
KR20190038105A (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR102671113B1 (ko) 형광체 조성물, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치
KR20180106377A (ko) 형광체, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치
KR20160093945A (ko) 형광체 필름, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치
KR20140092034A (ko) 발광소자 및 이를 포함하는 조명 통신 장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20160824

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication