CN111986565A - 光源装置及显示器 - Google Patents

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张超雄
陈隆欣
陈滨全
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Rongchuang Energy Technology Co ltd
Zhanjing Technology Shenzhen Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种光源装置，包括至少一发光二极管封装结构，所述发光二极管封装结构包括一封装基板、一第一发光二极管晶粒、一第二发光二极管晶粒以及一封装层。所述第一发光二极管晶粒用于发射一第一光束，所述第一光束频带的半高宽为30～40nm；所述第二发光二极管晶粒用于发射一第二光束，所述第二光束频带的半高宽为30～40nm；所述封装层包括波长转换材料，所述波长转换材料用于受所述第一光束以及所述第二光束激发后产生一第三光束，所述第三光束频带的半高宽为10～50nm。本发明提供的光源装置颜色对比度高，能够提高消费者的使用体验。本发明还提供一种包括所述光源装置的显示器。

Description

光源装置及显示器
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种光源装置及显示器。
背景技术
随着科技的发展，显示器得到了广泛的应用。显示器一般包括光源、导光板、扩散板以及滤波片等，其中，光源的质量的高低将直接影响显示器的显示质量。目前，光源的颜色对比度较低，并不能满足消费者的要求，同时也严重影响了显示器的颜色对比度，给消费者较低的使用体验。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种颜色对比度高的光源装置。
另，还有必要一种具有该光源装置的显示器。
本发明提供一种光源装置，包括至少一发光二极管封装结构，所述发光二极管封装结构包括：
一封装基板；
一第一发光二极管晶粒，设置于所述封装基板上，所述第一发光二极管晶粒用于发射一第一光束，所述第一光束频带的半高宽为30～40nm；
一第二发光二极管晶粒，设置于所述封装基板上，所述第二发光二极管晶粒用于发射一第二光束，所述第二光束频带的半高宽为30～40nm；以及
一封装层，设置于所述封装基板上且包覆所述第一发光二极管晶粒以及所述第二发光二极管晶粒，所述封装层包括波长转换材料，所述波长转换材料用于受所述第一光束以及所述第二光束激发后产生一第三光束，所述第三光束频带的半高宽为10～50nm。
本发明还提供一种显示器，包括所述光源装置以及一导光板，所述导光板包括一侧面，所述光源装置朝向所述侧面设置。
本发明提供的光源装置颜色对比度高，能够提高消费者的使用体验。
附图说明
图1是本发明第一实施例的光源装置的结构示意图。
图2是图1所示的光源装置的载板的结构示意图。
图3是图1所示的光源装置的载板于另一实施方式中的结构示意图。
图4是图1所示的光源装置的局部区域的俯视图。
图5是图1所示的光源装置的发光二极管封装结构的主视图。
图6是图1所示的光源装置的第一发光二极管晶粒、第二发光二极管晶粒以及封装层中的波长转换材料发射的光谱图。
图7是图1所示的光源装置的工作原理图。
图8是本发明另一实施例的光源装置的工作原理图。
图9是本发明又一实施例的光源装置的工作原理图。
图10是图1所示的光源装置的整体俯视图。
图11是图1所示的另一实施例的光源装置的整体俯视图。
图12是本发明较佳实施例的显示器的结构示意图。
符号说明
Figure BDA0002067516750000021
Figure BDA0002067516750000031
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，当组件被称为“固定于”另一个组件，它可以直接在另一个组件上或者也可以存在居中的组件。当一个组件被认为是“连接”另一个组件，它可以是直接连接到另一个组件或者可能同时存在居中组件。当一个组件被认为是“设置于”另一个组件，它可以是直接设置在另一个组件上或者可能同时存在居中组件。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。
为能进一步阐述本发明达成预定目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施方式，对本发明作出如下详细说明。
请参阅图1，本发明第一实施例提供一种光源装置100，所述光源装置100包括一载板10以及至少一发光二极管封装结构20。
请参阅图2及图3，所述载板10包括一第一控制电路101以及一第二控制电路102。所述第一控制电路101与所述第二控制电路102相互独立。如图2所示，在本实施方式中，所述第一控制电路101与所述第二控制电路102平行排列。如图3所示，在另一实施方式中，所述第一控制电路101与所述第二控制电路102交叉排列。具体地，所述第一控制电路101以及所述第二控制电路102均大致呈波浪形，所述第一控制电路101的波峰对应所述第二控制电路102的波谷，使得所述第一控制电路101以及所述第二控制电路102交叉排列。所述第一控制电路101包括一第一阳极回路(图未示)以及一第一阴极回路(图未示)，所述第二控制电路102包括一第二阳极回路(图未示)以及一第二阴极回路(图未示)。
所述发光二极管封装结构20包括一封装基板201、一第一发光二极管晶粒206、一第二发光二极管晶粒207以及一封装层208。
所述封装基板201设置在所述载板10上。所述封装基板201与所述第一控制电路101以及所述第二控制电路102电性连接，以使所述封装基板201具有所述第一控制电路101以及所述第二控制电路102。
请参阅图4及图5，在本实施方式中，所述发光二极管封装结构20还包括至少一第一电极202、一第二电极203、一第三电极204以及一第四电极205。所述第一电极202、所述第二电极203、所述第三电极204以及所述第四电极205均设置在所述封装基板201上，且所述第一电极202与所述第二电极203以及所述第三电极204相距设置，所述第四电极205与所述第二电极203以及所述第三电极204相距设置。所述第一电极202与所述第三电极204之间通过所述第一阳极回路以及所述第一阴极回路电性连接，所述第二电极203与所述第四电极205之间通过所述第二阳极回路以及所述第二阴极回路电性连接。在本实施方式中，所述第一电极202与所述第三电极204分别与所述第一控制电路101电性连接，所述第二电极203与所述第四电极205分别与所述第二控制电路102电性连接。所述第一电极202、所述第二电极203、所述第三电极204以及所述第四电极205的材质可选自锗(Ge)、镍(Ni)、铬(Cr)、钛(Ti)、钨(W)以及金(Au)等金属元素中的至少一种。
请参阅图6，所述第一发光二极管晶粒206设置在所述第一控制电路101上且沿所述第一控制电路101排列。所述第一发光二极管晶粒206设置于所述第一电极202与所述第三电极204上且电连接所述第一电极202与所述第三电极204。所述第一电极202以及所述第三电极204与所述第一控制电路101电连接。所述第一发光二极管晶粒206可发射波段为440～480nm的一第一光束。所述第一光束波峰处的波长为450nm，所述第一光束频带的半高宽为30～40nm。所述第一光束为窄频带的光束。所述第一控制电路101控制所述第一发光二极管晶粒206发射所述第一光束。所述发光二极管封装结构20的数量为多个，所述发光二极管封装结构20所包括的多个第一发光二极管晶粒206沿所述第一控制电路101排列。
所述第二发光二极管晶粒207设置在所述第二控制电路102上且沿所述第二控制电路102排列。所述第二发光二极管晶粒207设置于所述第二电极203与所述第四电极205上且电连接所述第二电极203与所述第四电极205。所述第二电极203以及所述第四电极205与所述第二控制电路102电连接。所述第二发光二极管晶粒207可发射波段为500～545nm的一第二光束，所述第二光束波峰处的波长为530nm，所述第二光束频带的半高宽为30～40nm。所述第二光束为窄频带的光束。所述第二控制电路102控制所述第二发光二极管晶粒207发射所述第二光束。所述发光二极管封装结构20的数量为多个，所述发光二极管封装结构20所包括的多个第二发光二极管晶粒207沿所述第二控制电路102排列。
所述封装层208设置于所述封装基板201上且包覆所述第一发光二极管晶粒206以及所述第二发光二极管晶粒207。所述封装层208包括波长转换材料，所述波长转换材料为一种窄波宽的波长转换材料。所述波长转换材料受所述第一光束以及所述第二光束激发后产生一第三光束。所述第三光束的中心波长为635～640nm，所述第三光束频带的半高宽为10～50nm。所述第三光束为窄频带的光束。在本实施方式中，所述第三光束频带的半高宽约为10nm。当所述第三光束频带的半高宽从50nm降低到10nm时，所述光源装置100的颜色对比度明显提高，从而提高所述光源装置100的质量。在本实施方式中，所述波长转换材料包括含四价锰离子的化合物或氮化物。具体地，所述化合物的结构式为K2Si2F6:Mn4+，所述氮化物的结构式为SrLiAl3N4:Eu2+。将所述第一光束与所述第二光束的窄频带的半高宽均控制在40nm以内以及所述第三光束的窄频带的半高宽控制在50nm以内，能够提高所述光源装置100的颜色对比度，进而提高消费者的使用体验。
请参阅图7，所述光源装置100还包括一电源30，所述电源30分别与所述第一控制电路101以及所述第二控制电路102电性连接。所述电源30通过所述第一控制电路101将电能传输至所述第一发光二极管晶粒206，从而驱动所述第一发光二极管晶粒206发射所述第一光束。所述电源30还将电能传输至所述第二发光二极管晶粒207，从而驱动所述第二发光二极管晶粒207发射所述第二光束。
请参阅图8，在另一实施例中，所述光源装置100还包括一第一控制器40。所述第一控制器40与所述电源30、所述第一发光二极管晶粒206以及所述第二发光二极管晶粒207电性连接。所述电源30向所述第一控制器40提供电能，所述第一控制器40将电能分别传送至所述第一发光二极管晶粒206以及所述第二发光二极管晶粒207，以控制所述第一光束以及所述第二光束的发射。
请参阅图9，在又一实施例中，所述光源装置100还进一步包括一第二控制器50。所述第二控制器50与所述电源30以及所述第二发光二极管晶粒207电性连接。此时，所述电源30向所述第一控制器40以及所述第二控制器50提供电能。所述第一控制器40将电能传送至所述第一发光二极管晶粒206，以控制所述第一光束的发射。所述第二控制器50将电能传送至所述第二发光二极管晶粒207，以控制所述第二光束的发射。
请参阅图10及图11，在本实施方式中，所述发光二极管封装结构20的数量为多个。当所述第一控制电路101与所述第二控制电路102平行排列于所述载板10上时，多个所述第一发光二极管晶粒206沿所述第一控制电路101排列，所述发光二极管封装结构20所包括的多个第二发光二极管晶粒207沿所述第二控制电路102的方向排列，使得所述第一发光二极管晶粒206与所述第二发光二极管晶粒207也平行排列。当所述第一控制电路101与所述第二控制电路102交叉排列于所述载板10上时，多个所述第一发光二极管晶粒206沿所述第一控制电路101排列，所述发光二极管封装结构20所包括的多个第二发光二极管晶粒207沿所述第二控制电路102的方向排列，使得所述第一发光二极管晶粒206与所述第二发光二极管晶粒207也交叉排列。其中，所述第一发光二极管晶粒206与所述第二发光二极管晶粒207交叉排列有利于所述第一光束以及所述第二光束混合后达到更好的混合效果，进而提高所述第三光束的质量。
请参阅图12，本发明还提供一种显示器200，所述显示器200包括所述光源装置100以及层叠设置的一导光板210、一扩散板220、一滤光片230。
所述导光板210包括一侧面2101，所述光源装置100朝向所述侧面2101设置，以使所述第一光束、所述第二光束以及所述第三光束通过所述侧面2101入射至所述导光板210内。
所述导光板210还包括一第一出光面2102，所述第一出光面2102与所述导光板210的侧面垂直连接。从所述第一出光面2102出射的所述第一光束、所述第二光束以及所述第三光束可入射至所述扩散板220。
所述扩散板220设置于所述第一出光面2102上。所述扩散板220包括一第二出光面2201，所述第二出光面2201与所述第一出光面2102平行。所述第二出光面2201可发射从所述扩散板220出射的所述第一光束、所述第二光束以及所述第三光束至所述滤光片230。
所述滤光片230设置于所述第二出光面2201上。所述滤光片230包括一第三出光面2301，所述第三出光面2301可发射从所述滤光片230出射的所述第一光束、所述第二光束以及所述第三光束。
本发明提供的所述光源装置100的颜色对比度高，能够提高消费者的使用体验。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种光源装置，包括至少一发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构包括：
一封装基板；
一第一发光二极管晶粒，设置于所述封装基板上，所述第一发光二极管晶粒用于发射一第一光束，所述第一光束频带的半高宽为30～40nm；
一第二发光二极管晶粒，设置于所述封装基板上，所述第二发光二极管晶粒用于发射一第二光束，所述第二光束频带的半高宽为30～40nm；以及
一封装层，设置于所述封装基板上且包覆所述第一发光二极管晶粒以及所述第二发光二极管晶粒，所述封装层包括波长转换材料，所述波长转换材料用于受所述第一光束以及所述第二光束激发后产生一第三光束，所述第三光束频带的半高宽为10～50nm。
2.如权利要求1所述的光源装置，其特征在于，所述第一光束的波段为440～480nm，所述第一光束波峰处的波长为450nm，所述第二光束的波段为500～545nm，所述第二光束波峰处的波长为530nm，所述第三光束的中心波长为635～640nm。
3.如权利要求1所述的光源装置，其特征在于，所述波长转换材料包括含四价锰离子的化合物或氮化物，所述化合物的结构式为K2Si2F6:Mn4+，所述氮化物的结构式为SrLiAl3N4:Eu2+。
4.如权利要求1所述的光源装置，其特征在于，所述光源装置还包括一载板，所述载板包括一第一控制电路以及一第二控制电路，所述第一控制电路与所述第二控制电路相互独立，所述封装基板设置于所述载板上且与所述第一控制电路以及所述第二控制电路电连接，所述第一控制电路用于控制所述第一发光二极管晶粒发射所述第一光束，所述第二控制电路用于控制所述第二发光二极管晶粒发射所述第二光束。
5.如权利要求4所述的光源装置，其特征在于，所述第一控制电路与所述第二控制电路平行排列或交叉排列于所述载板上，所述发光二极管封装结构的数量为多个，所述发光二极管封装结构所包括的多个第一发光二极管晶粒沿所述第一控制电路排列，所述发光二极管封装结构所包括的多个第二发光二极管晶粒沿所述第二控制电路的方向排列。
6.如权利要求4所述的光源装置，其特征在于，所述发光二极管封装结构还包括至少一第一电极、一第二电极、一第三电极以及一第四电极，所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极以及所述第四电极均设置在所述封装基板上，所述第一发光二极管晶粒设置于所述第一电极与所述第三电极上且电连接所述第一电极与所述第三电极，所述第二发光二极管晶粒设置于所述第二电极与所述第四电极上且电连接所述第二电极与所述第四电极，所述第一控制电路与所述第一电极以及所述第三电极电连接，所述第二控制电路与所述第二电极以及所述第四电极电连接。
7.如权利要求4所述的光源装置，其特征在于，所述光源装置还包括一电源，所述电源为所述第一控制电路所述第二控制电路提供电能。
8.一种显示器，包括如权利要求1-7任一项所述的光源装置以及一导光板，所述导光板包括一侧面，所述光源装置朝向所述侧面设置。
9.如权利要求8所述的显示器，其特征在于，所述导光板还包括一第一出光面，所述第一出光面与所述导光板的侧面垂直连接，所述显示器还包括一扩散板，所述扩散板设置于所述第一出光面上。
10.如权利要求9所述的显示器，其特征在于，所述扩散板包括一第二出光面，所述第二出光面与所述第一出光面平行，所述显示器还包括一滤光片，所述滤光片设置于所述第二出光面上。
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