CN111033767A - 发光器件封装和发光器件封装模块 - Google Patents

发光器件封装和发光器件封装模块 Download PDF

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Abstract

一种发光器件封装包括：产生光的发光器件；主体框架，包括发光器件安装在其中的空腔；填充空腔的模制材料；以及吸收颜料，转换由发光器件产生的光。吸收颜料具有在490至520nm的波长范围内的峰值以及40至70nm的半峰全宽(FWHM)。

Description

发光器件封装和发光器件封装模块
技术领域
本公开涉及包括吸收颜料以满足DCI-P3基准的发光器件封装以及用于其的发光器件封装模块。
背景技术
DCI-P3色域是在美国电影产业中用于数字电影放映的通用RGB色彩空间。在CIE1931xy色度图中，DCI-P3色彩空间覆盖了所有色度的45.5％和指针色域的86.9％。
当前，许多电影院使用数字电影放映机来放映电影。为了满足DCI-P3基准，数字电影放映机的光源已经实现为氙灯或激光二极管。
例如，氙灯必须每隔几个月更换，难以放映具有给定亮度或更高亮度的电影，并且不能实现能够将特定图像部分的亮度提高5倍至10倍(70至150fl)的高动态范围(HDR)功能。
发明内容
技术问题
本公开涉及提供发光器件封装以及包括其的显示装置，该发光器件封装具有吸收颜料使得从该发光器件封装发射的光满足DCI-P3色域基准。更具体地，每种吸收颜料具有在490nm至520nm的波长范围内的峰值并具有40nm至70nm的半峰全宽(FWHM)。
对问题的技术方案
根据本公开的一方面，一种发光器件封装包括：发光器件，配置为产生光；主体框架，包括发光器件安装在其中的空腔；填充该空腔的模制材料；以及吸收颜料，转换由发光器件产生的光，其中吸收颜料具有在490nm至520nm的波长范围内的峰值和40nm至70nm的半峰全宽(FWHM)。
吸收颜料可以被包括在模制材料中。
发光器件封装可以包括提供在模制材料之上的膜，其中吸收颜料可以被包括在该膜中。
吸收颜料可以被提供为染料和颜料当中的至少一种。
吸收颜料可以将由发光器件产生的绿色(G)光转换为具有540nm至545nm的波长带的光。
吸收颜料可以将由发光器件产生的蓝色(B)光转换为具有460nm至464nm的波长带的光。
发光器件封装可以包括安装在空腔中的多个发光器件。
根据本公开的另一方面，一种发光器件封装模块包括：多个发光器件封装；以及吸收颜料，转换由发光器件封装产生的光，其中吸收颜料具有在490至520nm的波长范围内的峰值和40至70nm的半峰全宽(FWHM)。
所述多个发光器件封装当中的每个发光器件封装可以包括：发光器件，配置为产生光；主体框架，包括发光器件安装在其中的空腔；填充该空腔的模制材料；以及包括在模制材料中的吸收颜料。
发光器件封装模块可以包括围绕所述多个发光器件封装的模制层。
吸收颜料可以被包括在模制层中。
发光器件封装模块可以包括提供在模制层之上的膜，其中吸收颜料可以被包括在该膜中。
吸收颜料可以被提供为染料和颜料当中的至少一种。
吸收颜料可以将由发光器件产生的绿色(G)光转换为具有540至545nm的波长带的光。
吸收颜料可以将由发光器件产生的蓝色(B)光转换为具有460至464nm的波长带的光。
发明的有益效果
从以上描述而是明显的，实施方式可以提供发光器件封装以及用于其的发光器件封装模块，该发光器件封装被优化以允许根据吸收颜料的光源的颜色区域满足DCI-P3色域基准。
此外，由于发光器件封装中包括的吸收颜料，实施方式可以使散点图中的分箱(bin)的分散最小化。
附图说明
图1是示出根据一实施方式的DCI-P3色域的视图；
图2是示出根据一实施方式的发光器件封装的剖视图；
图3是示出图2所示的发光器件封装的透视图；
图4是示出根据一实施方式的发光器件的剖视图；
图5是示出吸收颜料的光吸收光谱的图；
图6和图7是示出基于吸收颜料的光谱变化的视图；
图8是示出根据另一实施方式的发光器件封装的剖视图；
图9是示出根据另一实施方式的发光器件封装的剖视图；
图10是示出根据另一实施方式的发光器件封装的剖视图；
图11是示出根据另一实施方式的发光器件封装模块的剖视图；以及
图12是示出根据另一实施方式的发光器件封装模块的剖视图。
具体实施方式
现在将详细参照实施方式，实施方式的示例在附图中示出，其中相似的附图标记始终指代相似的元件。在下文，将参照附图描述根据实施方式的发光器件封装和发光器件封装模块。
本公开涉及提供发光器件封装以及包括该发光器件封装的显示装置，该发光器件封装具有吸收颜料使得从发光器件封装发射的光满足DCI-P3色域基准。更详细地，每种吸收颜料具有在从490至520nm的波长范围内的峰值，并具有40至70nm的半峰全宽(FWHM)。
根据实施方式的发光器件封装和发光器件封装模块可以提供用于电影放映的显示装置，并且用于满足DCI-P3色域基准的特定吸收颜料可以被包括在发光器件封装中。
根据本公开的发光器件封装模块可以指的是多个发光器件封装的模块化。
在下文将参照附图描述由发光器件封装实现的DCI-P3色域基准。
图1是示出根据一实施方式的DCI-P3色域的视图。DCI-P3色域的色坐标在下面的表1中示出。
[表1]
Figure BDA0002381975800000031
Figure BDA0002381975800000041
根据本公开的发光器件封装旨在满足图1和表1所示的DCI-P3色域基准。换句话说，由发光器件封装产生的光旨在覆盖CIE 1931色坐标中的由红色(R)(0.680，0.320)、绿色(G)(0.265，0.690)和蓝色(B)(0.150，0.060)构成的区域。
为此，本公开可以提供在各个颜色区域中具有下面的表2所示的规格的电影发光器件封装以及包括该封装的显示装置。
[表2]
Figure BDA0002381975800000042
根据一实施方式的发光器件封装可以配置为容纳具有特定波长和半峰全宽(FWHM)的吸收颜料，从而满足DCI-P3色域基准。在下文将参照附图描述实施方式。
图2是示出根据一实施方式的发光器件封装100的剖视图。图3是示出图2所示的发光器件封装100的透视图。
参照图2和图3，发光器件封装100可以包括：产生光的发光器件110；引线框架120，电连接到发光器件110以形成位于空腔135的底表面处的至少一个区域；以及主体框架130，提供有空腔135以在其中容纳发光器件110。
发光器件110可以包括能够产生光的各种结构。例如，发光器件110可以包括至少一个发光二极管。
发光二极管可以具有包括PN结结构的堆叠化合物半导体，并可以包括N型半导体层、P型半导体层以及设置在N型半导体层与P型半导体层之间的发光层。
在发光二极管中，当正向电场被施加到N型半导体层和P型半导体层时，电子和空穴可以被注入到发光层中，并且被注入到发光层中的电子和空穴复合而发射光，使得发光器件可以产生并发射光。
发光器件110可以发射红色(R)、绿色(G)或蓝色(B)波长带的单色光。本公开旨在通过转换具有绿色(G)波长带的单色光的颜色区域和具有蓝色(B)波长带的单色光的颜色区域来提供与DCI-P3色域基准相匹配的发光器件封装100。在下文将使用其中发光器件封装100包括配置为发射具有绿色(G)波长带的单色光和具有蓝色(B)波长带的单色光的发光器件110的示例情况来描述实施方式。
发光二极管可以大致分为横向结构的发光二极管和垂直结构的发光二极管。横向结构的发光二极管可以分为顶部发射的发光二极管和倒装芯片发光二极管。
倒装芯片发光二极管可以形成为穿过蓝宝石基板发射光。发光二极管可以被管芯附接到基座(例如引线框架120)，并且由发光二极管产生的光可以穿过该二极管的没有管芯附接到该基座的一个表面发射。
在下文将使用倒装芯片发光二极管作为示例来描述发光器件110。
图4是示出根据一实施方式的发光器件110的剖视图。
参照图4，发光器件110可以具有基板111、N型半导体层112、发光层113和P型半导体层114的顺序堆叠结构。
基板111可以由具有蓝宝石的透明材料形成。基板111可以由蓝宝石形成，并且还可以由锌氧化物(ZnO)、镓氮化物(GaN)、硅碳化物(SiC)、铝氮化物(AlN)等形成。
缓冲层可以形成在基板111和N型半导体层112之间。缓冲层可以配置为在N型半导体层112在基板111上生长之前改善与基板111的晶格匹配，并且根据制造条件和元素特性可以省略缓冲层。
N型半导体层112可以由具有化学式InxAlyGa(1-x-y)N(其中0≤X，0≤Y，X+Y≤1)的半导体材料形成。更具体地，N型半导体层112可以由掺杂有N型导电杂质的GaN或GaN/AlGaN层形成。例如，N型导电杂质可以由硅(Si)、锗(Ge)、锡(Sn)等形成。
N型半导体层112可以分为第一区域112a和第二区域112b。第一区域112a可以用于限定发光表面。为了改善发光器件110的光学特性，第一区域112a可以在尺寸上比第二区域112b大。
发光层113和P型半导体层114顺序地堆叠在第一区域112a，从而形成发光结构。
发光层113可以由具有多量子阱结构的InGaN/GaN层形成。P型半导体层114可以由具有化学式InxAlyGa(1-x-y)N(其中0≤X，0≤Y，X+Y≤1)的半导体材料形成。更具体地，P型半导体层114可以由掺杂有P型导电杂质的GaN或GaN/AlGaN层形成。例如，P型导电杂质可以由镁(Mg)、锌(Zn)、铍(Be)等形成。
N型电极115可以形成在N型半导体层112之上，并且P型电极116可以形成在P型半导体层114之上。
粘合层117可以由多个金属层的堆叠结构形成，每个金属层包括单种元素。为了防止引线框架120的反射影响发光器件110的特性，粘合层117可以包括反射材料。例如，粘合层117可以由具有锡(Sn)或银(Ag)的金属形成。
尽管在图3中示出形成在LED封装的上部的N型半导体层112和形成在LED封装的下部的P型半导体层114，但是应当注意，根据需要，P型半导体层114可以形成在LED封装的上部并且N型半导体层112可以形成在LED封装的下部。
一个或更多个发光器件110可以安装在发光器件封装100上。例如，本实施方式是其中仅一个发光器件110安装在发光器件封装100上的示例。
引线框架120可以通过形成空腔135的底表面而反射由发光器件110产生的光，并可以为发光器件110提供外部电源。
引线框架120可以形成为具有单层结构或多层结构。如图4所示，可以使用两个引线框架120或多个引线框架120。
引线框架120可以具有单层结构，并且引线框架120可以包括第一引线框架121和第二引线框架122。参照图1和图2，第一引线框架121的一侧和第二引线框架122的一侧可以插入在上主体框架131和下主体框架132之间，并且第一引线框架121的另一侧和第二引线框架122的另一侧可以形成为围绕下主体框架132。
发光器件110可以附接到第一引线框架121或第二引线框架122，或者可以附接在第一引线框架121和第二引线框架122之上。
当发光器件110附接到第一引线框架121或第二引线框架122的上部时，发光器件110可以通过引线接合电连接到第二引线框架122或第一引线框架121。当发光器件110附接在第一引线框架121和第二引线框架122之上时，发光器件110可以通过粘合层117附接到每个引线框架120的顶表面。在图1和图2中已经示出发光器件110通过粘合层117附接到引线框架120的示例情况。
引线框架120可以包括从包括钛(Ti)、铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、铬(Cr)、钽(Ta)、铂(Pt)、锡(Sn)、银(Ag)、磷(P)、铝(Al)、铟(In)、钯(Pd)、钴(Co)、硅(Si)、锗(Ge)、铪(Hf)、钌(Ru)和铁(Fe)的组中选择的至少一种。
第一引线框架121和第二引线框架122可以彼此间隔开，使得第一引线框架121和第二引线框架122可以彼此电隔离。每个引线框架120可以形成位于空腔135的底表面处的至少一个区域。
主体框架130可以支撑和保护发光器件110，并可以包括上主体框架131和下主体框架132。
主体框架130可以由诸如聚邻苯二甲酰胺(PPA)的树脂、硅(Si)、铝(Al)、铝氮化物(AlN)、光敏玻璃(PSG)、聚酰胺9T(PA9T)、间规聚苯乙烯(SPS)、金属、蓝宝石(Al2O3)和铍氧化物(BeO)中的至少一种形成。
尽管主体框架130可以通过注射成型、蚀刻工艺等形成，但是实施方式不限于此。
上主体框架131可以以其直径在从其上部到其下部的范围内逐渐减小的方式形成为凹入的，并可以具有空腔135，引线框架120通过空腔135暴露。尽管空腔135可以在宽度和高度上大于发光器件110，但是实施方式不限于此。
上主体131可以包括围绕多个空腔135的壁部分133。壁部分133的内表面134可以形成为具有倾斜表面。从发光器件110发射的光的反射角可以根据该倾斜表面的角度而改变，从而可以调节向外发射的光的方向角。光的方向角越小，向外发射的光的集中(concentration)越高。相反，光的方向角越大，从发光器件110发射的光的集中越低。
空腔135可以填充有模制材料138，该模制材料138通过围绕发光器件来保护发光器件免受外部的影响。空腔135可以填充有覆盖发光器件110的侧部的模制材料138，使得模制材料138可以使发光器件110与外部隔离，以保护发光器件免受外部侵入材料等的影响。
填充空腔135的模制材料138可以形成为在从其上部到其下部的范围内是凹入的，并且还可以形成为具有平面形状或凸起形状。如果模制材料138的上部形成为是凹入的，则向外发射的光的方向角可以减小并且光的集中可以增加。如果模制材料138的上部形成为具有凸起形状，则向外发射的光的方向角可以增大并且光的集中可以减小。
模制材料138可以由具有优良的水密性、优良的耐腐蚀性和优良的绝缘特性的硅环氧树脂或另外的树脂材料形成，并可以利用紫外(UV)光或热固性特性来形成。
模制材料138可以包括吸收颜料(A)，由发光器件110产生的光的波长通过该吸收颜料(A)而改变，使得所得到的光可以与DCI-P3基准相匹配。吸收颜料(A)可以执行从发光器件110发射的具有绿色(G)或蓝色(B)波长带的单色光的转换。
图5是示出吸收颜料(A)的光吸收光谱的图。图6和图7是示出基于吸收颜料(A)的光谱变化的视图。
参照图5，吸收颜料(A)可以具有在从490nm至520nm的波长范围内的峰值，并可以具有在从40nm至70nm的范围的FWHM。术语“吸收颜料(A)”可以指满足不仅具有在从490nm至520nm的波长范围内的峰值而且具有在从40nm至70nm的范围的FWHM的规格的吸收颜料(A)。
由于吸收颜料(A)具有从490nm至520nm的波长范围，所以吸收颜料(A)可以通过吸收蓝色(B)光和绿色(G)光的一些部分而执行蓝色(B)光的颜色区域和绿色(G)光的颜色区域的转换。
参照图6和图7，吸收颜料(A)吸收蓝色(B)光和绿色(G)光的一些部分，从而改变蓝色(B)光的光谱和绿色(G)光的光谱。吸收颜料(A)的波长可以不与红色(R)光的波长范围重叠，使得红色(R)光的光谱不受吸收颜料(A)的影响。
本公开可以适当地调节发光器件封装100中包括的吸收颜料(A)的种类、密度等，从而也能够调节蓝色(B)光和绿色(G)光的光谱的变化程度。结果，本公开可以提供满足DCI-P3基准的发光器件封装100。
尽管吸收颜料(A)可以由染料和颜料形成，但是实施方式不限于此，并且应当注意，各种类型的吸收颜料(A)也可以在能够满足上述波长和FWHM范围的范围内应用于本公开。
模制材料138还可以包括用于散射由发光器件110产生的光的光扩散材料。
光散射材料可以形成为金属颗粒。如果光散射材料由金属形成，则发光器件封装100的光提取效率可以通过表面等离子体共振而增大。由光激发并形成的等离子体波具有以下特性：等离子体波不从金属层的平坦表面传播到内部或外部。由于可能需要使用光将表面等离子体波发射到外部，所以光散射材料可以具有球形。
为此，构成光散射材料的金属可以由金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)和铝(Al)中的至少一种形成，它们中的每种容易通过外部激励而发射电子并具有负(-)介电常数。
如上所述，已经公开根据一实施方式的发光器件封装100。在下文将描述各种修改的实施方式。
图8是示出根据另一实施方式的发光器件封装100a的剖视图。
参照图8，根据另一实施方式的发光器件封装100a可以包括：产生光的发光器件110a；引线框架120a，电连接到发光器件110a以形成位于空腔135的底表面处的至少一个区域；以及主体框架130，提供有空腔135以在其中容纳发光器件110a。发光器件封装100a的主体框架130与图2和图3的主体框架基本上相同，因此为了便于描述，这里将省略其详细描述。
与图2和图3的发光器件封装100不同，图8所示的发光器件封装100a可以包括在空腔135中的多个发光器件110a(包括118a、119a)，可以具有发光器件110a(包括118a、119a)和引线框架120a(包括121a、122a、123a)的布置结构，并可以具有在发光器件110a(118a、119a)和引线框架120a(121a、122a、123a)之间的连接结构。
更详细地，图8的发光器件封装100a可以包括两个发光器件110a(118a、119a)。此外，各个发光器件118a和119a可以布置在多个引线框架121a、122a和123a当中的一个引线框架120a(例如121a)中，并可以通过接合引线140a连接到另一引线框架120a(例如122a)。
发光器件110a(118a、119a)可以是分别发射蓝色(B)波长带的单色光、绿色(G)波长带的单色光和红色(R)波长带的单色光的发光器件110a(118a、119a)当中的至少一种发光器件110a(118a、119a)。换句话说，两个发光器件110a可以是分别发射具有相同波长带的单色光的发光器件118a和119a，并且可以是配置为发射具有不同波长带的不同单色光的发光器件118a和119a。
模制材料138可以包括吸收颜料(A)，由发光器件110a(118a、119a)产生的光的波长通过该吸收颜料而改变，使得改变后的光可以与DCI-P3基准相匹配。如果发光器件110a(118a、119a)的每个发射蓝色(B)波长带的单色光或绿色(G)波长带的单色光，则从每个发光器件110a(118a、119a)发射的蓝色(B)波长带的单色光或绿色(G)波长带的单色光的色域可以被吸收颜料(A)改变。关于吸收颜料(A)，为了便于描述，这里将省略与上述描述相同的内容。
图9是示出根据另一实施方式的发光器件封装100b的剖视图。图10是示出根据另一实施方式的发光器件封装100c的剖视图。
与上述发光器件封装100和100a不同，图9的发光器件封装100b可以通过将具有吸收颜料(A)的膜150b附接到其上来实现，图10中的发光器件封装100c可以通过将具有吸收颜料(A)的膜150c附接到其上来实现。
更详细地，图9的发光器件封装100b可以包括：产生光的发光器件110；至少一个引线框架120(121、122)，电连接到发光器件110以形成位于空腔135的底表面处的至少一个区域；以及至少一个主体框架130(131、132)，提供有空腔135以在其中容纳发光器件110。
空腔135可以填充有模制材料138，该模制材料138通过围绕发光器件来保护发光器件免受外部的影响。空腔135可以填充有覆盖发光器件110的侧部的模制材料138，使得模制材料138可以使发光器件110与外部隔离，以保护发光器件免受外部侵入材料等的影响。
模制材料138的上部可以包括具有吸收颜料(A)的膜150b。在膜150b的制造工艺中，膜150b可以被制造为包括吸收颜料(A)。在发光器件封装100b的制造工艺中，膜150b可以覆盖发光器件封装100b的上部。在这种情况下，吸收颜料(A)可以在种类上与上述实施方式所示的模制材料138中包括的吸收颜料(A)相同。
吸收颜料(A)的种类和密度可以在目标范围内是可改变的，在该目标范围内由发光器件110产生的光的波长被改变并且所得到的光与DCI-P3基准相匹配。
根据需要，基于图9的发光器件封装100b，根据另一实施方式的发光器件封装100b可以包括图10所示的至少两个发光器件110c(111c、112c)。
每个发光器件110c(111c、112c)可以是分别发射蓝色(B)波长带的单色光、绿色(G)波长带的单色光和红色(R)波长带的单色光的发光器件110c(111c、112c)当中的至少一种发光器件110c(111c、112c)。换句话说，两个发光器件110c(111c、112c)可以是分别发射具有相同波长带的单色光的发光器件，或者可以是配置为发射具有不同波长带的单色光的发光器件。
图11是示出根据另一实施方式的发光器件封装模块200的剖视图。图12是示出根据另一实施方式的发光器件封装模块200e的剖视图。
图11示出发光器件封装模块200，其中吸收颜料(A)被应用于其中发光器件封装被布置为阵列形状、然后被模块化的工艺。图12示出发光器件封装模块200e，其中吸收颜料(A)被应用于其中发光器件封装布置为阵列、然后被模块化的工艺。
参照图11，发光器件封装模块200可以包括多个发光器件封装100d、形成为围绕所述多个发光器件封装100d的模制层160、以及包括在模制层160中的吸收颜料(A)。
发光器件封装100d可以是分别发射具有相同波长带的单色光的发光器件封装，或者可以是配置为发射具有不同波长带的单色光的发光器件。
例如，发光器件封装100d可以是分别发射蓝色(B)波长带的单色光、绿色(G)波长带的单色光和红色(R)波长带的单色光的发光器件封装。根据实施方式，发光器件封装100d可以包括：发光器件封装，配置为发射蓝色(B)波长带的单色光；以及至少一个发光器件封装，配置为发射具有与蓝色(B)波长带不同的另一波长带的光。
模制层160可以包括吸收颜料(A)，由发光器件封装100d产生的光的波长通过该吸收颜料(A)改变，使得改变后的光可以与DCI-P3基准相匹配。吸收颜料(A)可以执行从发光器件100d发射的具有绿色(G)或蓝色(B)波长带的单色光的颜色区域的转变，使得根据本公开的发光器件封装模块200可以提供与DCI-P3基准相匹配的光。
包括在模制层160中的吸收颜料(A)的种类和密度可以考虑各种变量(例如，发光器件封装100d的高度、发光器件封装100d中包括的模制材料的种类和高度、模制层160的高度等)来改变由发光器件封装100d产生的光的波长，使得所得到的光可以在与DCI-P3基准相匹配的目标范围内调节。
参照图12，根据另一实施方式的发光器件封装模块200e可以包括多个发光器件封装100d、形成为围绕所述多个发光器件封装100d的模制层160e、形成在模制层160e之上的膜150e、以及包括在膜150e中的吸收颜料(A)。与图11中示出的发光器件封装模块200不同，图12中示出的发光器件封装模块200e可以提供包括在膜150e而不是模制层160e中的吸收颜料(A)。在下文将集中于与图11的那些不同的独特特性来描述图12的实施方式。
膜150e可以在其制造工艺中被制造为包括吸收颜料(A)。膜150e中包括的吸收颜料(A)的种类和密度可以考虑各种变量(例如，发光器件封装100d的高度、发光器件封装100d中包括的模制材料、模制层160e的高度、膜150e的厚度等)而改变由发光器件封装100d产生的光的波长，使得所得到的光可以在与DCI-P3基准相匹配的目标范围内调节。
尽管已经公开发光器件封装模块200和200e的实施方式，但是用于提供发光器件封装模块200和200e的方法不限于以上示例。也就是，尽管图11和图12所示的发光器件封装模块200和200e可以以如下方式配置：吸收颜料(A)不被包括在发光器件封装100d的模制材料中，而是被包括在单独的模制层160或者单独的膜200e中，但是应当注意，根据需要，发光器件封装100d的模制材料填充有吸收颜料(A)，或者具有填充有吸收颜料(A)的模制材料的发光器件封装和具有未填充有吸收颜料(A)的模制材料的另一发光器件封装被彼此结合。
如果具有填充有吸收颜料(A)的模制材料的发光器件封装被模块化，则根据本公开的发光器件封装模块可以被提供为当图2至图10的发光器件封装100、100a、100b和100c被模块化时实现的任何可获得的组合。在这种情况下，模制层或膜可以配置为不包括吸收颜料(A)，吸收颜料(A)可以具有相对低的密度。
如上所述已经公开了发光器件封装模块200和200e的各种实施方式。机壳(cabinet)可以由发光器件封装模块200和200e的组合形成。尽管机壳可以被制造为具有1至2米的水平尺寸和0.5至1米的垂直尺寸，但是实施方式不限于此。
多个机壳可以互连以提供大的屏幕。也就是，几个机壳可以被互连以构造2K(FHD：全高清)屏幕和4K(UHD：超高清)屏幕，使得2K屏幕或4K屏幕可以安装在需要大屏幕的地方(例如，电影院)。
根据本公开的发光器件封装100、100a、100b和100c以及发光器件封装模块200和200e可以提供实现满足DCI-P3基准的颜色和清晰度的大屏幕，使得所述大屏幕可以代替电影院中使用的常规投影仪和屏幕。
从以上描述而明显的，实施方式可以提供发光器件封装以及用于其的发光器件封装模块，该发光器件封装被优化以允许根据吸收颜料的光源的颜色区域满足DCI-P3色域基准。
此外，由于被包括在发光器件封装中的吸收颜料，实施方式可以使散点图中的分箱(bin)的分散最小化。
尽管已经示出和描述了几个实施方式，但是本领域技术人员将认识到，在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以在这些实施方式中进行改变，本发明的范围由权利要求书及其等同物限定。

Claims (15)

1.一种发光器件封装，包括：
发光器件，配置为产生光；
主体框架，包括所述发光器件安装在其中的空腔；
模制材料，填充所述空腔；以及
吸收颜料，转换由所述发光器件产生的光，
其中所述吸收颜料具有在490nm至520nm的波长范围内的峰值和40nm至70nm的半峰全宽(FWHM)。
2.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中所述吸收颜料被包括在所述模制材料中。
3.根据权利要求1所述的发光器件封装，还包括：
提供在所述模制材料之上的膜，
其中所述吸收颜料被包括在所述膜中。
4.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中所述吸收颜料被提供为染料和颜料当中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中所述吸收颜料将由所述发光器件产生的绿色(G)光转换为具有540nm至545nm的波长带的光。
6.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中所述吸收颜料将由所述发光器件产生的蓝色(B)光转换为具有460nm至464nm的波长带的光。
7.根据权利要求1所述的发光器件封装，还包括：
安装在所述空腔中的多个发光器件。
8.一种发光器件封装模块，包括：
多个发光器件封装；和
吸收颜料，转换由所述发光器件封装产生的光，
其中所述吸收颜料具有在490至520nm的波长范围内的峰值以及40至70nm的半峰全宽(FWHM)。
9.根据权利要求8所述的发光器件封装模块，其中所述多个发光器件封装当中的每个发光器件封装包括：
配置为产生光的发光器件、包括所述发光器件安装在其中的空腔的主体框架、填充所述空腔的模制材料、以及包括在所述模制材料中的吸收颜料。
10.根据权利要求8所述的发光器件封装模块，还包括：
模制层，围绕所述多个发光器件封装。
11.根据权利要求10所述的发光器件封装模块，其中所述吸收颜料被包括在所述模制层中。
12.根据权利要求10所述的发光器件封装模块，还包括：
提供在所述模制层之上的膜，
其中所述吸收颜料被包括在所述膜中。
13.根据权利要求8所述的发光器件封装模块，其中所述吸收颜料被提供为染料和颜料当中的至少一种。
14.根据权利要求8所述的发光器件封装模块，其中所述吸收颜料将由所述发光器件产生的绿色(G)光转换为具有540至545nm的波长带的光。
15.根据权利要求8所述的发光器件封装模块，其中所述吸收颜料将由所述发光器件产生的蓝色(B)光转换为具有460至464nm的波长带的光。
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