KR101997250B1 - 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템 - Google Patents

발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR101997250B1
KR101997250B1 KR1020120130152A KR20120130152A KR101997250B1 KR 101997250 B1 KR101997250 B1 KR 101997250B1 KR 1020120130152 A KR1020120130152 A KR 1020120130152A KR 20120130152 A KR20120130152 A KR 20120130152A KR 101997250 B1 KR101997250 B1 KR 101997250B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
light
disposed
cavity
magnetic
Prior art date
Application number
KR1020120130152A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140063139A (ko
Inventor
김재욱
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020120130152A priority Critical patent/KR101997250B1/ko
Publication of KR20140063139A publication Critical patent/KR20140063139A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101997250B1 publication Critical patent/KR101997250B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item

Abstract

실시 예는 발광 소자에 관한 것이다.
실시 예에 따른 발광 소자는, 캐비티를 갖는 몸체; 상기 캐비티 내에 배치된 복수의 리드 프레임; 상기 복수의 리드 프레임 사이에 배치된 간극부; 상기 제1리드 프레임과 제2리드 프레임 중 적어도 하나의 위에 배치된 발광 칩; 상기 캐비티 내에 배치된 몰딩 부재; 상기 몰딩 부재 내에 배치된 형광체; 및 상기 몰딩 부재 내에 상기 형광체로부터 분리되어 배치된 자성체를 포함한다.

Description

발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템{LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHTING SYSTME HAVING THEREOF}
실시 예는 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종이다. 발광 다이오드는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다. 이에 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가되고 있는 추세이다.
종래 기술은 한국특허공개 번호 10-2010-0002483에 기재되었으며, 실린지(syringe)의 회전에 의해 원심력을 유발하지만, 형광체의 불균일한 분포를 가져올 수 있다.
실시 예는 몰딩 부재 내에 형광체와 이격된 자성체를 갖는 발광 소자를 제공한다.
실시 예는 자성체를 이용하여 형광체의 침강을 억제할 수 있도록 한 발광 소자를 제공한다.
실시 예에 따른 발광 소자는, 캐비티를 갖는 몸체; 상기 캐비티 내에 배치된 복수의 리드 프레임; 상기 복수의 리드 프레임 사이에 배치된 간극부; 상기 제1리드 프레임과 제2리드 프레임 중 적어도 하나의 위에 배치된 발광 칩; 상기 캐비티 내에 배치된 몰딩 부재; 상기 몰딩 부재 내에 배치된 형광체; 및 상기 몰딩 부재 내에 상기 형광체로부터 분리되어 배치된 자성체를 포함한다.
실시 예는 몰딩 부재 내의 형광체가 균일한 분포로 첨가됨으로써, 색도를 개선시켜 줄 수 있다.
실시 예는 광학 특성이 개선된 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
도 1은 제1실시 예에 따른 발광 소자의 측 단면도이다.
도 2 및 도 3은 도 1의 발광 소자의 몰딩 부재의 제조 과정을 나타낸 도면이다.
도 4는 제2실시 예에 따른 발광 소자의 측 단면도이다.
도 5는 제3실시 예에 따른 발광 소자의 측 단면도이다.
도 6은 제4실시 예에 따른 발광 소자의 측 단면도이다.
도 7은 실시 예에 따른 표시장치의 일 예를 나타낸 사시도이다.
도 8은 실시 예에 따른 표시장치의 다른 예를 나타낸 사시도이다.
도 9는 실시 예에 따른 조명 장치를 나타낸 도면이다.
실시 예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층 또는 각 구조물의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서 각층 또는 각 구조물의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 제1실시 예에 따른 발광 소자에 대해 설명한다.
도 1은 실시 예에 따른 발광 소자의 측 단면도이다.
도 1을 참조하면, 발광 소자(1)는 캐비티(12)를 갖는 몸체(11), 발광 칩(25), 및 형광체(42) 및 자성체(43)을 갖는 몰딩 부재(41), 제1 및 제2리드 프레임(21,22)을 포함한다.
상기 몸체(11)는 상기 발광 칩(25)에 의해 방출된 파장에 대해, 반사율이 투과율보다 더 높은 물질 예컨대, 70% 이상의 반사율을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(11)는 반사율이 70% 이상인 경우, 비 투광성의 재질로 정의될 수 있다. 상기 몸체(11)는 수지 계열의 절연 물질 예컨대, 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(11)는 실리콘 계열, 또는 에폭시 계열, 또는 플라스틱 재질을 포함하는 열 경화성 수지, 또는 고내열성, 고 내광성 재질로 형성될 수 있다. 상기의 실리콘은 백색 계열의 수지를 포함한다. 또한 상기 몸체(11) 내에는 산무수물, 산화 방지제, 이형재, 광 반사재, 무기 충전재, 경화 촉매, 광 안정제, 윤활제, 이산화티탄 중에서 선택적으로 첨가될 수 있다. 함유하고 있다. 상기 몸체(11)는 에폭시 수지, 변성 에폭시 수지, 실리콘 수지, 변성 실리콘 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종에 의해 성형될 수 있다. 예를 들면, 트리글리시딜이소시아누레이트, 수소화 비스페놀 A 디글리시딜에테르 등으로 이루어지는 에폭시 수지와, 헥사히드로 무수 프탈산, 3-메틸헥사히드로 무수 프탈산4-메틸헥사히드로 무수프탈산 등으로 이루어지는 산무수물을, 에폭시 수지에 경화 촉진제로서 DBU(1,8-Diazabicyclo(5,4,0)undecene-7), 조촉매로서 에틸렌 그리콜, 산화티탄 안료, 글래스 섬유를 첨가하고, 가열에 의해 부분적으로 경화 반응시켜 B 스테이지화한 고형상 에폭시 수지 조성물을 사용할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
또한 상기 몸체(11) 내에 차광성 물질 또는 확산제를 혼합하여 투과하는 광을 저감시켜 줄 수 있다. 또한 상기 몸체(11)는 소정의 기능을 갖게 하기 위해서, 열 경화성수지에 확산제, 안료, 형광 물질, 반사성 물질, 차광성 물질, 광 안정제, 윤활제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 적절히 혼합하여도 된다.
상기 몸체(11)은 에폭시 또는 실리콘과 같은 수지 재질에 금속 산화물이 첨가될 수 있으며, 상기 금속 산화물은 TiO2, SiO2, Al2O3중 적어도 하나를 포함하며, 상기 몸체(11) 내에 3wt% 이상의 비율로 첨가될 수 있다. 이에 따라 상기 몸체(11)는 입사되는 광을 효과적으로 반사시켜 줄 수 있다. 여기서, 상기 몸체(11) 내에 첨가된 금속 산화물의 함량이 3wt% 이하인 경우, 반사 효율이 저하될 수 있으며, 이러한 반사 효율이 저하되면 광 지향각 분포가 달라질 수 있다.
다른 예로서, 상기 몸체(11)는 투광성의 수지 물질 또는 입사 광의 파장을 변환시키는 형광체를 갖는 수지 물질로 형성될 수 있다.
상기 몸체(11)의 상측에는 캐쏘드 마크(cathode mark)가 형성될 수 있다. 상기 캐쏘드 마크는 상기 발광 소자(1)의 제1 리드 프레임(21) 또는 제2 리드 프레임(22)을 구분하여, 상기 제1,2 리드 프레임(21,22)의 극성의 방향에 대한 혼동을 방지할 수 있다.
상기 몸체(11) 내에는 캐비티(12)가 형성되며, 상기 캐비티(12)는 몸체(11)의 상면으로부터 리세스된 오목한 형상 또는 컵(cup) 형상으로 형성될 수 있다. 상기 캐비티(12)는 소자 탑측에서 볼 때, 원 형상, 타원 형상, 다각형 형상으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 캐비티(12)의 둘레 측벽(13)은 곡면 또는/및 각진 면으로 형성될 수 있으며, 상기 캐비티(12)의 바닥에 대해 수직한 축에 대해 경사지게 형성될 수 있다.
상기 캐비티(12)의 바닥에는 제1 및 제2리드 프레임(21,22)이 배치되고, 상기 제1 및 제2리드 프레임(21,22) 사이에는 간극부(15)가 배치된다. 상기 제1 및 제2리드 프레임(21,22)은 상기 간극부(15)로부터 몸체(11)의 서로 반대측 외측 방향으로 연장된다. 상기 간극부(15)는 상기 제1리드 프레임(21)과 상기 제2리드 프레임(22)을 물리적으로 분리시켜 주게 된다. 상기 간극부(15)는 상기 몸체(11)와 동일한 재질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(11)의 하면, 상기 간극부(15)의 하면, 및 상기 제1 및 제2리드 프레임(21,22)의 하면은 동일 평면 상에 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 캐비티(12)의 바닥에 제1리드 프레임(21) 및 상기 제2리드 프레임(22)이 배치됨으로써, 상기 제1 및 제2리드 프레임(21,22)은 상기 캐비티(12)의 바닥의 수평한 연장 선 아래에 배치되고, 컵 구조 또는 절곡 구조를 구비할 수 있다. 또한 제1 및 제2리드 프레임(21,22)은 상기 몸체(11)와의 결합을 위해 리세스된 구조로 형성될 수 있다.
상기 제1 및 제2리드 프레임(21,22)은 소정 두께를 갖는 금속 플레이트로 형성될 수 있으며, 상기 금속 플레이트의 표면에 다른 금속층이 도금될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1 및 제2리드 프레임(21,22)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1, 2리드 프레임(21,22)은 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1 및 제2리드 프레임(21,22)의 두께는 0.25mm~1.5mm일 수 있으며, 예컨대 0.3mm~0.8mm를 포함한다.
상기 캐비티(12)의 바닥에 배치된 제1리드 프레임(21)과 제2리드 프레임(22) 중 적어도 하나의 위에는 발광 칩(25)이 배치되며, 상기 발광 칩(25)은 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 가시광선 대역 또는 자외선(Ultra Violet) 대역을 발광하는 다이오드로 구현될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광 칩(25)은 도시된 것과 같이, 제1리드 프레임(21) 위에 탑재되고, 제1 및 제2리드 프레임(21,22)과 연결 부재(27,28)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 연결 부재(27,28)는 와이어를 포함한다. 상기 발광 칩(25)은 칩 내의 두 전극이 평행하게 배치된 수평형 칩, 또는 칩 내의 두 전극이 서로 반대 측면에 배치된 수직형 칩으로 구현될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 수평형 칩은 적어도 2개의 와이어에 연결될 수 있고, 수직형 칩은 적어도 1개의 와이어에 연결될 수 있다. 또는 상기 발광 칩(25)은 플립 방식으로 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 캐비티(12)에는 몰딩 부재(41)가 형성되며, 상기 몰딩 부재(41)는 에폭시 또는 실리콘과 같은 투광성의 수지 재질을 포함할 수 있다. 또한 상기 몰딩 부재(41)에는 형광체(42)와 자성체(43)가 첨가될 수 있다. 상기 형광체(42)는 예를 들면, YAG 계열, 실리케이트(Silicate) 계열, 또는 TAG 계열의 형광 물질 중 적어도 하나를 포함하거나, 레드 형광체, 블루 형광체, 그린 형광체, 엘로우 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 형광체(42)와 자성체(43)는 별도로 분리되어 상기 몰딩 부재(41) 내에 산포되며, 일부 형광체(42)는 자성체(43)와 접촉될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 자성체(43)는 금속 또는 금속 산화물과 같은 자성 물질로서, 자기장에 반응하는 물질을 포함한다. 또한 상기 자성체(43)는 상기 형광체(42)가 자성 물질을 포함하는 경우, 상기 형광체(42)의 자속 세기보다 더 큰 물질로 형성될 수 있다.
상기 자성체(43)의 재질은 예컨대, 실리콘(Si), 철(Fe), 구리(Cu), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 은(Ag), 알루미늄(Al) 중 적어도 하나 또는 이들의 선택적인 합금 재질을 포함한다. 또한 상기 자성체(43)는 상기 금속들 중 적어도 하나를 갖는 금속 산화물로 이루어질 수 있다.
상기 형광체(42)의 입자 크기는 50㎛ 이하 예컨대, 0.1㎛-15㎛ 범위로 형성될 수 있다. 상기 자성체(43)의 입자 크기는 10㎛ 이하 예컨대, 0.0005㎛-10㎛ 범위를 포함하며, 상기 자성체(43)의 입자 크기가 0.0005㎛이하일 경우에는 자성이 약하여 사용할 수 없으며, 10㎛ 이상의 입자 크기가 되면 자성이 너무 세고 형광체(42)의 기능이 약화될 수 있고 광 흡수에 따른 손실 문제가 증가될 수 있다. 상기 형광체(42)의 입자 크기와 다른 크기로서, 상기 형광체(42)의 입자 크기보다 크거나 작은 크기로 형성될 수 있다. 상기 자성체(43)의 형상은 상기 형광체(42)의 형상과 동일한 형상 또는 다른 형상으로 형성될 수 있으며, 예컨대 러프한 표면을 갖는 입체 형상이거나, 러프한 표면을 갖는 구 형상일 수 있다.
상기 형광체(42)가 균일하게 분포하게 됨으로써, 발광 소자(1)의 색도 분포의 저하를 방지할 수 있으며, 제조된 발광 소자(1)별 색도 분포의 차이가 개선될 수 있다.
상기 자성체(43)는 디스펜싱되기 전에 액상의 몰딩 부재 내에서 많은 량의 형광체(42)가 토출되는 것을 방지할 수 있다. 이에 대한 설명은 도 2 및 도 3을 참조하기로 한다.
상기 몰딩 부재(41) 위에는 광학 렌즈(미도시)가 형성될 수 있으며, 상기 광학 렌즈는 오목한 렌즈 형상, 볼록한 렌즈 형상, 일정 부분이 오목하고 다른 부분이 볼록한 형상의 렌즈를 포함할 수 있다.
도 2를 참조하면, 케이스(33) 내에 형광체(42)와 자성체(43)가 첨가된 액상의 몰딩 부재(41A)를 갖는 실린지(syringe)(30)와, 상기 실린지(33)의 주변에 자기장 발생수단(31,32)을 포함한다. 상기 자기장 발생수단(31,32)과 상기 실린지(30) 내에 첨가된 자성체(43) 사이에 자기장이 발생되며, 상기의 자성체(43)는 상기 자기장 발생수단(31,32)이 위치한 방향으로 수평 이동하게 되며, 이러한 자성체(43)의 이동에 의해 형광체(42)의 침전이 방지된다. 여기서, 상기 자기장 발생 수단(31,32) 및 상기 실린지(30) 중 적어도 하나는 정 방향 또는 역 방향으로 회전될 수 있으며, 이러한 회전에 의해 형광체(42)의 침전이 억제될 수 있다. 상기 실린지(30)은 회전 축(34)에 의해 회전될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기의 자기장 발생수단(31,32)은 상기의 자성체(43)를 움직일 수 있는 세기의 자기장을 발생하게 되며, 또는 인가되는 전류에 따라 자기장의 세기 및 회전 속도가 조절될 수 있다.
이러한 실린지(30) 내의 몰딩 부재(41A)에 첨가된 형광체(42)와 자성체(43)는 전 영역에서 균일하게 분포하게 된다. 만약 실린지가 회전하지 않거나 회전하더라도 외력이 작용하지 않으면 하부로 침전하게 되며, 상기 침전된 형광체(42)는 디스펜서에 의해 디스펜싱될 때 디스펜싱 순서에 따라 발광 소자별 함량 차이가 발생될 수 있다. 즉, 디스펜싱되는 순서에 따라 형광체(42)의 함량이 점차 줄어들게 되므로, 발광 소자별 형광체(42)의 함량 차이가 발생되고, 이러한 형광체의 함량 차이는 색도와 휘도 같은 광학적 특성의 차이를 유발하게 된다. 따라서, 발광 소자별 광학적 특성 차이로 인해 전체 소자들의 신뢰성을 저하시키게 된다.
실시 예는 실린지(30) 주변에 자기장 발생수단(31,32)을 배치하여, 자성체(43)에 의해 형광체(42)가 침전되는 것을 방지할 수 있으며, 또한 자성체(43)에 의해 형광체(42)가 균일하게 분포되도록 이동시켜 줄 수 있다.
그리고, 도 3과 같이 상기의 실린지(30)를 디스펜서(40)를 이용하여 발광 소자의 캐비티(12)에 디스펜싱하고, 소정의 온도로 경화시켜 줌으로써, 도 1과 같은 발광 소자를 제공할 수 있다. 즉, 각 발광 소자의 몰딩 부재에는 균일한 양의 형광체와 자성체가 첨가될 수 있고, 상기 형광체가 몰딩 부재 내에 균일하게 분포할 수 있게 된다. 또한 균일한 산포를 위해 상기 디스펜싱 과정에서도 회전을 줄 수 있다.
여기서, 상기 캐비티(12) 내에 상기 자성체(43)가 첨가되는 경우, 상기 자성체(43)는 10um 이하, 0.0005um-10um로 범위의 크기로 첨가될 수 있다. 이러한 자성체(43)는 실린지(30)과 캐비티(12) 내에서 자성체 역할과 더블어, 캐비티(12)의 광 흡수를 줄여주기 위한 크기가 될 수 있다. 다른 예로서, 상기 실린지(30) 내의 자성체가 캐비티에 첨가되지 않을 경우, 그 자성체는 100㎛ 이상 예컨대, 100㎛-10mm범위로 형성될 수 있다. 이는 실린지(30) 내에서 자성체가 크면 클수록 자성체의 의한 형광체를 균일하게 분포시켜 줄 수 있다.
도 4는 제2실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다.
도 4를 참조하면, 발광 소자는 캐비티(12)를 갖는 몸체(11), 발광 칩(25), 및 형광체(42) 및 자성체(43)을 갖는 몰딩 부재(41), 제1 및 제2리드 프레임(21,22)을 포함한다.
상기 캐비티(12) 내에 몰딩 부재(41)가 디스펜싱되면, 상기 몰딩 부재(41)는 형광체(42) 및 자성체(43)와 함께 디스펜싱된다. 이러한 몰딩 부재(41)가 디스펜싱되고 경화되기 전에, 발광 소자의 하부에 배치된 자기장 발생수단(M1)과 자성체(43) 사이에 자기장을 발생시켜 줄 수 있다. 이에 따라 상기 자성체(43)는 상기 리드 프레임(21,22)의 상면 즉, 상기 캐비티(12)의 바닥으로 이동하게 된다. 즉, 상기 몰딩 부재(41) 내에서의 자성체(43)는 상기 캐비티(12) 바닥에 상기 형광체(42)보다 더 많은 양이 분포하게 되므로, 발광 칩(25)으로부터 방출된 광 간섭을 최대한 줄일 수 있다. 여기서, 상기 캐비티(12)의 바닥은 상기 발광 칩의 상면의 연장 선과 상기 리드 프레임(21,22) 상면 사이의 영역을 포함한다.
상기의 자성체(43)가 반사 물질을 포함한 경우, 상기 자성체(43)는 상기 발광 칩으로부터 방출된 광을 반사시켜 줄 수 있으며, 상기의 자성체(43)는 반사율이 70% 이상인 물질을 포함한다.
도 5는 제3실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다.
도 5를 참조하면, 발광 소자는 캐비티(12)를 갖는 몸체(11), 발광 칩(25), 및 형광체(42) 및 자성체(43)을 갖는 몰딩 부재(41), 제1 및 제2리드 프레임(21,22)을 포함한다.
상기 캐비티(12) 내에 몰딩 부재(41)가 디스펜싱되면, 상기 몰딩 부재(41)는 형광체(42) 및 자성체(43)와 함께 디스펜싱된다. 이러한 몰딩 부재(41)가 디스펜싱되고 경화되기 전에, 발광 소자의 측 방향 즉, 몸체(11)의 외 측면에서 자기장 발생수단(M2)과 자성체(43) 사이에 자기장을 발생시켜 줄 수 있다. 이에 따라 상기 자성체(43)는 상기 캐비티(12)의 측벽(13)에 접착되거나 인접하게 된다. 즉, 상기 몰딩 부재(41) 내에서의 자성체(43)는 상기 형광체(42)보다 상기 캐비티(12)의 측벽(13)에 더 많은 양이 분포하게 되므로, 발광 칩(25)으로부터 방출된 광을 효과적으로 반사 및 산란시켜 줄일 수 있다.
상기의 자성체(43)가 반사 물질을 포함한 경우, 상기 자성체(43)는 상기 발광 칩으로부터 방출된 광을 반사시켜 줄 수 있으며, 상기의 자성체(43)는 반사율이 70% 이상인 물질을 포함한다.
도 6은 제4실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다.
도 6을 참조하면, 발광 소자는 캐비티(12)를 갖는 몸체(11), 발광 칩(25), 형광체(42)와 반사체(46)를 갖는 몰딩 부재(41), 제1 및 제2리드 프레임(21,22)을 포함한다.
상기 반사체(46)는 내부에 자성체(44)와 상기 자성체(44)의 표면에 절연 피막(45)을 포함한다. 상기 자성체(44)는 제1실시 예에 개시된 물질을 포함하며, 상기 절연 피막(45)은 실리콘 계열, 에폭시 계열, 세라믹 재질, 솔더 레지스트와 같은 재질 중 적어도 하나를 포함한다.
상기 자성체(44) 상에 절연 피막(45)이 형성됨으로써, 상기 자성체(44)에 의한 발광 칩(25)의 표면에서의 층간 쇼트, 상기 제1 및 제2리드 프레임(21,22) 간의 쇼트가 발생되는 것을 차단할 수 있다. 또한 상기 절연 피막(45)은 상기 자성체(44)를 보호하고, 입사되는 광을 다른 방향으로 굴절시켜 주게 된다. 이에 따라 광의 추출 효율 저하를 방지할 수 있다.
실시 예에 따른 발광 소자는 조명 시스템에 적용될 수 있다. 상기 조명 시스템은 복수의 발광 소자가 어레이된 구조를 포함하며, 도 7 및 도 8에 도시된 표시 장치, 도 9에 도시된 조명 장치를 포함하고, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판 등이 포함될 수 있다.
도 7은 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시 장치의 분해 사시도이다.
도 7을 참조하면, 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 광원 모듈(1031)와, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.
상기 도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl methacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthalate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphtha late) 수지 중 하나를 포함할 수 있다.
상기 광원 모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.
상기 광원 모듈(1031)은 적어도 하나를 포함하며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 광원 모듈(1031)은 기판(1033)과 상기에 개시된 실시 예에 따른 발광 발광 소자(1035)를 포함하며, 상기 발광 소자(1035)는 상기 기판(1033) 상에 소정 간격으로 어레이될 수 있다.
상기 기판(1033)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1033)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(1035)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 탑재될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 여기서, 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다.
그리고, 상기 복수의 발광 소자(1035)는 상기 기판(1033) 상에 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(1035)는 상기 도광판(1041)의 일측 면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 라이트 유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다.
상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
여기서, 상기 광원 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 8은 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 8을 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광 소자(1124)가 어레이된 기판(1120), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다.
상기 기판(1120)과 상기 발광 소자(1124)는 광원 모듈(1160)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 광원 모듈(1160), 광학 부재(1154)는 라이트 유닛(1150)으로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기의 광원 모듈(1160)은 기판(1120) 및 상기 기판(1120) 위에 배열된 복수의 발광 소자(1124)를 포함한다.
여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(poly methyl methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다.
상기 광학 부재(1154)는 상기 광원 모듈(1160) 위에 배치되며, 상기 광원 모듈(1160)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.
도 9는 실시 예에 따른 발광소자를 갖는 조명장치의 분해 사시도이다.
도 9를 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광소자를 포함할 수 있다.
예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(2100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.
상기 커버(2100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(2100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(2100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다.
상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.
상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 광원부(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.
상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 광원부(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 광원부(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.
상기 부재(2300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.
상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 구비할 수 있다.
상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다.
상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 돌출부(2670)를 포함할 수 있다.
상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 돌출부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 돌출부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 돌출부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 돌출부(2670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.
이상에서 실시예 들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
1: 발광 소자 11: 몸체
12: 캐비티 41: 몰딩 부재
25: 발광 칩 21,22: 리드 프레임
42: 형광체 43,44: 자성체
45: 절연 피막 46: 반사체

Claims (9)

  1. 캐비티를 갖는 몸체;
    상기 캐비티 내에 배치된 제1리드 프레임과 제2리드 프레임;
    상기 제1리드 프레임 및 상기 제2리드 프레임 사이에 배치된 간극부;
    상기 제1리드 프레임과 상기 제2리드 프레임 중 적어도 하나의 위에 배치된 발광 칩;
    상기 캐비티 내에 배치된 몰딩 부재;
    상기 몰딩 부재 내에 배치된 형광체; 및
    상기 몰딩 부재 내에 상기 형광체로부터 이격되어 배치된 자성체를 포함하고,
    상기 형광체의 입자 크기는 0.1㎛-15㎛ 범위로 형성되고,
    상기 자성체의 입자 크기는 0.0005㎛-10㎛ 범위로 형성되며,
    상기 자성체의 재질은 실리콘(Si), 철(Fe), 구리(Cu), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 은(Ag), 알루미늄(Al) 중 적어도 하나 또는 이들의 합금을 포함하며,
    상기 자성체는 반사율이 70% 이상인 물질을 포함하고,
    상기 자성체는 표면에 절연 피막을 포함하고,
    상기 절연 피막은 실리콘 계열, 에폭시 계열, 세라믹 재질, 솔더 레지스트와 같은 재질 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 캐비티의 바닥면과 인접한 영역에는 상기 형광체보다 상기 자성체가 더 많이 배치된 발광 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 자성체는 상기 캐비티의 경사면에 접착되거나 상기 캐비티의 경사면과 인접한 영역에 배치되는 발광 소자.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
KR1020120130152A 2012-11-16 2012-11-16 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템 KR101997250B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120130152A KR101997250B1 (ko) 2012-11-16 2012-11-16 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120130152A KR101997250B1 (ko) 2012-11-16 2012-11-16 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140063139A KR20140063139A (ko) 2014-05-27
KR101997250B1 true KR101997250B1 (ko) 2019-07-08

Family

ID=50891214

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120130152A KR101997250B1 (ko) 2012-11-16 2012-11-16 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101997250B1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170089053A (ko) 2016-01-25 2017-08-03 삼성전자주식회사 수지 도포 장치 및 이를 사용한 발광소자 패키지 제조방법
KR102452484B1 (ko) 2017-08-11 2022-10-11 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 모듈
CN108417696A (zh) * 2018-02-01 2018-08-17 广州硅能照明有限公司 一种荧光粉涂覆方法
CN108493318A (zh) * 2018-02-01 2018-09-04 广州硅能照明有限公司 一种磁性颗粒及其制作的led器件

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008034665A (ja) 2006-07-29 2008-02-14 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置及びその製造方法
KR101290507B1 (ko) 2012-06-04 2013-07-26 한국광기술원 자성 형광체를 구비한 발광다이오드 패키지 제조방법 및 이에 의해 제조된 발광다이오드 패키지

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110108753A (ko) * 2010-03-29 2011-10-06 서울반도체 주식회사 형광체 혼합물과 그 형광체 혼합물을 구비한 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008034665A (ja) 2006-07-29 2008-02-14 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置及びその製造方法
KR101290507B1 (ko) 2012-06-04 2013-07-26 한국광기술원 자성 형광체를 구비한 발광다이오드 패키지 제조방법 및 이에 의해 제조된 발광다이오드 패키지

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140063139A (ko) 2014-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9184349B2 (en) Light emitting device, adhesive having surface roughness, and lighting system having the same
KR101997250B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR102042214B1 (ko) 발광 모듈 및 이를 구비한 조명 장치
KR101997244B1 (ko) 광원 모듈 및 이를 구비한 조명시스템
KR20140145410A (ko) 발광 소자
KR20110128693A (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
KR102029795B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR101946922B1 (ko) 발광 소자 및 조명 장치
KR20130096095A (ko) 발광소자 패키지 및 이를 구비한 조명 시스템
KR20110138756A (ko) 발광 소자
KR102451866B1 (ko) 광학 플레이트, 조명 소자 및 광원 모듈
KR102004376B1 (ko) 발광소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR102045409B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치
KR102019503B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR20140061857A (ko) 발광 소자
KR20140077683A (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 조명 장치
KR102075080B1 (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 조명 장치
KR101997249B1 (ko) 발광 소자
KR102019504B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR101896692B1 (ko) 발광 소자
KR102019830B1 (ko) 발광소자 패키지
KR20180137241A (ko) 광학 플레이트, 조명 소자 및 이를 포함하는 광원 모듈
KR102042256B1 (ko) 발광소자 패키지
KR20140095915A (ko) 발광소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR20140011155A (ko) 발광 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant