JP2008034665A - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents

発光装置及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2008034665A
JP2008034665A JP2006207275A JP2006207275A JP2008034665A JP 2008034665 A JP2008034665 A JP 2008034665A JP 2006207275 A JP2006207275 A JP 2006207275A JP 2006207275 A JP2006207275 A JP 2006207275A JP 2008034665 A JP2008034665 A JP 2008034665A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
light
emitting device
functional additive
sealing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006207275A
Other languages
English (en)
Inventor
Teppei Takano
鉄平 高野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Citizen Electronics Co Ltd
Original Assignee
Citizen Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Citizen Electronics Co Ltd filed Critical Citizen Electronics Co Ltd
Priority to JP2006207275A priority Critical patent/JP2008034665A/ja
Publication of JP2008034665A publication Critical patent/JP2008034665A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】 発光装置及びその製造方法において、蛍光体等の機能性添加剤を封止樹脂中の所望の領域に低コストでかつ少ないバラツキで集中させること。
【解決手段】 基板1と、基板1上に搭載された発光素子2と、発光素子2を樹脂材3により封止すると共に磁性化された機能性添加剤4が含有された封止樹脂部5とを備え、封止樹脂部5内に、機能性添加剤4を樹脂材3の封止時に磁場により集中させた高濃度添加領域Hが形成されている。これにより、機能性添加剤4の効果が高濃度添加領域Hで顕著に得られ、高濃度添加領域Hの位置に応じて機能性添加剤4による効果の強調や光特性の指向性を任意に得ることができる。
【選択図】 図1

Description

本発明は、例えば白色LED装置等の発光装置及びその製造方法に関する。
従来、白色LED装置は、基板に青色発光ダイオード素子や紫外光発光ダイオード素子等の発光ダイオード素子を搭載し、蛍光体を含有した封止樹脂で全体を封止したものが多く用いられている。この封止樹脂には、蛍光体や拡散剤等の機能性添加剤が含有されているが、これら添加剤が封止樹脂内に分散して含まれているため、所定の領域、例えば発光ダイオード素子の周囲等に蛍光体や拡散剤を集中的に分布させることは困難であった。
このため、例えば特許文献1では、LED素子を封止する光透過性材料において所定の比重とした光拡散体と蛍光体との混合体を沈降させることで、LED素子の周囲に光拡散部を配した発光装置が提案されている。この技術では、LED素子の周囲に沈降した蛍光体が効率良く励起されると共に、白色光を得るのに必要な蛍光体の使用量を低減することができる。
また、特許文献2では、LED素子を覆い蛍光体を含む第1の樹脂層と、第1の樹脂層を覆い紫外線吸収剤を含む第2の樹脂層とを備えた表面実装型発光ダイオードが提案されている。この技術では、紫外線吸収剤を別の樹脂層として蛍光体を含む樹脂層上に別工程で形成することで、蛍光体と紫外線吸収剤とを最適位置に混入させることができる。
特開2005−167079号公報 特開2000−124507号公報
しかしながら、上記従来の技術には、以下の課題が残されている。
すなわち、特許文献1の技術では、蛍光体を沈降によりLED素子の周辺に集中させているが、自然の沈降による場合は、沈み具合にバラツキがあり、蛍光体の分布や濃度にバラツキが生じ、工程の再現性が悪いという不都合があった。このため、色度バラツキ等が生じてしまう問題があった。また、特許文献2の技術では、紫外線吸収剤を別の樹脂封止で蛍光体を含む樹脂層とは別に積層状態に形成している点で明確に添加剤の分布を分けることができるが、封止工程が2度必要であり、工程数及び製造コストの増大を招いてしまう不都合があった。また、積層構造の樹脂層となるため、積層界面において高い接合強度が要求され、積層時の封止条件など、最適条件を得ることが困難であった。
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、機能性添加剤を封止樹脂中の所望の領域に低コストでかつ少ないバラツキで集中させた発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明の発光装置は、基体と、前記基体上に搭載された発光素子と、前記発光素子を封止すると共に磁性化された機能性添加剤が含有された封止樹脂部とを備え、前記封止樹脂部内に、前記機能性添加剤を前記封止時に磁場により集中させた高濃度添加領域が形成されていることを特徴とする。
また、本発明の発光装置の製造方法では、発光素子が搭載された基体上に前記発光素子を樹脂材で封止して封止樹脂部を形成する封止工程を備え、前記樹脂材に磁性化された機能性添加剤を予め含有させておき、前記封止工程時に、液状の前記樹脂材が硬化するまで、所定の方向から磁場を印加して前記機能性添加剤が集中した高濃度添加領域を前記封止樹脂部内に形成することを特徴とする。
これらの発光装置及びその製造方法では、封止樹脂部内に機能性添加剤を磁場により集中させた高濃度添加領域が形成されるので、磁場印加の方向に応じて所望の位置に高濃度添加領域を一度の封止工程で低コストかつ精度良く形成することができる。このようにして作製された発光装置は、機能性添加剤の効果が高濃度添加領域で顕著に得られ、高濃度添加領域の位置に応じて機能性添加剤による効果の強調や光特性の指向性を任意に得ることができる。
また、本発明の発光装置において、前記機能性添加剤が、磁性体と結合されて構成されていることを特徴とする。すなわち、この発光装置では、磁性体と結合された機能性添加剤を用いているので、磁性体の大きさや磁性特性に応じて磁場印加による機能性添加剤の集中度合い(分布や濃度)を高精度に調整することができる。
また、本発明の発光装置において、前記機能性添加剤が、蛍光体、拡散剤、顔料、紫外線吸収剤の少なくとも一種類であることを特徴とする。すなわち、この発光装置では、蛍光体、拡散剤、顔料、紫外線吸収剤の少なくとも一種類が機能性添加剤として用いられるので、高濃度添加領域の位置に応じて、例えば顔料や蛍光体の場合は、方向によって異なる色合いの光を放射させることが可能になり、例えば拡散剤の場合は、方向によって光量の異なる任意の指向性を得ることができる。
また、本発明の発光装置において、前記発光素子が、青色発光ダイオード素子又は紫外光発光ダイオード素子であり、前記機能性添加剤が、少なくともYAG蛍光体を含むことを特徴とする。すなわち、この発光装置では、青色発光ダイオード素子又は紫外光発光ダイオード素子による青色光又は紫外光によって高濃度添加領域のYAG蛍光体が励起されて変換されることで、高濃度添加領域の分布に応じた光特性の白色光を得ることができる。
また、本発明の発光装置において、前記高濃度添加領域が、前記基体上の片側に形成されていることを特徴とする。すなわち、この発光装置では、機能性添加剤が集中して基体上の片側に配されているので、例えば機能性添加剤として拡散剤を採用した場合、拡散剤が基体の一方側に集中して配された拡散剤の高反射効果によって、発光素子から出射した光が他方側に多く反射して他方側の光量が増大し、他方側の光指向性を高めることができる。また、例えば機能性添加剤として顔料や蛍光体を採用した場合、基体上の一方側と他方側とで、単体で異なる色合いの光を得ることが可能になる。
また、本発明の発光装置において、前記高濃度添加領域が、前記発光素子の上方を除いて前記発光素子の周囲に形成されていることを特徴とする。すなわち、この発光装置では、発光素子の上方を除いた周囲に機能性添加剤が集中して配されるので、例えば機能性添加剤として拡散剤を採用した場合、発光素子周囲に集中して配された拡散剤の高反射効果によって、発光素子から出射した光が発光素子上方側に多く反射して中央部の光量を増大させることができる。また、例えば機能性添加剤として顔料や蛍光体を採用した場合、発光素子の上方と周囲とで、単体で異なる色合いの光を得ることが可能になる。
本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係る発光装置及びその製造方法によれば、封止樹脂部内に蛍光体や拡散剤等の機能性添加剤を磁場により集中させた高濃度添加領域が形成されるので、機能性添加剤を封止樹脂中の所望の領域に少ないバラツキでかつ低コストで集中させることができる。したがって、高濃度添加領域の位置に応じて機能性添加剤による効果の強調や光特性の指向性を任意に得ることができ、多様な光指向性や色合い等を有する発光装置が得られる。
以下、本発明に係る発光装置及びその製造方法の第1実施形態を、図1及び図2に基づいて説明する。
本実施形態における発光装置は、例えば白色LED装置であって、図1の(a)に示すように、絶縁性の基板(基体)1と、基板1上に搭載された発光素子2と、発光素子2を樹脂材3で封止すると共に磁性化された機能性添加剤4が含有された封止樹脂部5とを備えている。
上記発光素子2は、例えば青色(波長λ:470〜490nm)LED素子又は紫外光(波長λ:470nm未満)LED素子であって、例えばサファイア基板などの絶縁性基板上に窒化ガリウム系化合物半導体(例えばInGaN系化合物半導体)の複数の半導体層が積層されて形成されたものである。
この発光素子2の上面には、p型半導体層(図示略)に電気的に接続されたp側電極(図示略)と、n型半導体層(図示略)に電気的に接続されたn側電極(図示略)とが形成されている。
上記基板1は、例えば略直方体形状のガラスエポキシ基板、BTレジン基板、セラミックス基板やメタルコア基板等の絶縁性基板である。この基板1の表面には、銅箔等で形成された図示しない電極パターンが設けられており、対応する上記p側電極及びn側電極と金線等のワイヤーWでそれぞれ電気的に接続されている。
上記封止樹脂部5は、シリコーン樹脂を主剤とした樹脂材3中に、図2に示すように、機能性添加剤4として磁性化されたYAG蛍光体4aが添加されている。このYAG蛍光体4aは、発光素子2からの青色光又は紫外光を黄色光に変換させて混色効果により白色光を生じさせるものである。なお、樹脂材3内の添加剤としては、他に拡散剤等を含有させても構わない。
上記機能性添加剤4は、例えば図2の(a)に示すように、YAG蛍光体4aを透明磁性体4bが覆うようにして結合状態にされ、磁性化されて形成されている。この透明磁性体4bは、YAG蛍光体4aまで青色光又は紫外光が透過可能であり、YAG蛍光体4aからの黄色光に対しても透過可能なものであって、例えばコバルト添加チタン酸化物、Y−Fe−O系ナノ粒子等が採用される。
なお、YAG蛍光体4aの全体を透明磁性体4bが覆う場合だけでなく、図2の(b)に示すように、YAG蛍光体4aの一部を覆うように透明磁性体4bが結合されたものでも構わない。また、機能性添加剤4の他の例として、図2の(c)又は(d)に示すように、鉄粉等の粒状の磁性体4cの全周又は一部を覆うようにYAG蛍光体4aが結合されて磁性化されたものでも構わない。この場合、磁性体4cは、上述した透明磁性体4bのような透明体でなくても構わない。
また、封止樹脂部5内には、機能性添加剤4を樹脂材3の封止時に磁場により集中させた高濃度添加領域Hが形成されている。本実施形態では、磁場Bを上方から垂直に印加して高濃度添加領域Hを封止樹脂部5の上面側に集中させている。したがって、この実施形態では、YAG蛍光体4aを封止樹脂部5の上面側に集中させることで、充分な白色光をYAG蛍光体4aの必要最小限の添加量で得ることができる。
次に、本実施形態の発光装置の製造方法について説明する。
まず、基板1上に発光素子2を接着剤(図示略)により固定し、ワイヤーボンディングによりワイヤーWで電極の電気的接続を行う。上記接着剤としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂製の絶縁性接着剤やハンダ剤やAgペースト等の導電性接着剤などが採用される。
さらに、基板1上の発光素子2を樹脂材3により封止する。この際、液状の樹脂材3により発光素子2を封止した直後では、図1の(b)に示すように、添加されている機能性添加剤4が全体にほぼ均一的に分散して含まれている。次に、液状の樹脂材3が硬化するまでの間、図1の(a)に示すように、所定の方向から磁場Bを印加して、磁化率の高い機能性添加剤4を一定方向に移動させて集中させることで、高濃度添加領域Hを形成する。本実施形態では、発光素子2の上方から垂直に磁場印加を行い、機能性添加剤4を樹脂材3上部に集中させて高濃度添加領域Hを形成させている。なお、印加される磁場Bは、ワイヤーWや発光素子2に悪影響を与えないと共に高濃度添加領域Hにおける機能性添加剤4の濃度などを考慮した最適な強度に設定される。
このように本実施形態では、封止樹脂部5内に、磁性化されたYAG蛍光体4aを含む機能性添加剤4を磁場により集中させた高濃度添加領域Hが形成されるので、磁場印加の方向に応じて所望の位置に高濃度添加領域Hを一度の封止工程で低コストかつ精度良く形成することができる。このようにして作製された発光装置は、機能性添加剤4に含まれるYAG蛍光体4aの効果が高濃度添加領域Hで顕著に得られ、YAG蛍光体4aの添加量を必要最小限に抑えることが可能になる。
また、透明磁性体4b又は磁性体4cと結合された機能性添加剤4を用いているので、透明磁性体4b又は磁性体4cの大きさや磁性特性に応じて磁場印加による機能性添加剤4の集中度合い(分布や濃度)を高精度に調整することができる。
次に、本発明に係る発光装置及びその製造方法の第2実施形態から第4実施形態について、図3から図5を参照して説明する。なお、以下の各実施形態の説明において、上記実施形態において説明した同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。
第2実施形態と第1実施形態との異なる点は、第1実施形態では、機能性添加剤4として磁性化したYAG蛍光体4aを採用し、高濃度添加領域Hを封止樹脂部5の上部に配しているのに対し、第2実施形態の発光装置では、図3に示すように、機能性添加剤14として磁性化した拡散剤を採用し、高濃度添加領域Hを基板1上の片側(樹脂材3の片側、図中の左側)に配した封止樹脂部15を有している点である。
すなわち、第2実施形態では、樹脂材3で封止する際に、磁場Bを基板1の側方(片側)から印加することで、拡散剤である機能性添加剤14を基板1上の片側に移動、集中させて高濃度添加領域Hを形成している。なお、第2実施形態では、磁性化されていない添加剤として、YAG蛍光体が樹脂材3に含有されており、封止樹脂部15内に一様に分散されている。
この第2実施形態の発光装置では、拡散剤である機能性添加剤14が集中して基板1上の片側に配されているので、基板1の一方側(方側)に集中して配された拡散剤(機能性添加剤14)の高反射効果によって、発光素子2から出射した光が他方側に多く反射して他方側の光量が増大し、他方側の光指向性を高めることができる。
第3実施形態と第1実施形態との異なる点は、第1実施形態では、磁性化されたYAG蛍光体4aからなる機能性添加剤4を樹脂材3の上部に集中させて高濃度添加領域Hを形成しているのに対し、第3実施形態の発光装置では、図4に示すように、磁性化されたYAG蛍光体4aからなる機能性添加剤4を基板1上の片側(樹脂材3の片側、図中の左側)に集中させて高濃度添加領域Hとした封止樹脂部25を有している点である。なお、第3実施形態では、発光素子2に青色発光ダイオード素子を採用している。
すなわち、第3実施形態では、YAG蛍光体4aを含む高濃度添加領域Hが基板1上の一方側(片側)に形成されているので、高濃度添加領域H側(図中の矢印方向A)からはYAG蛍光体4aによる変換が行われて白色光が得られると共に、高濃度添加領域Hの反対側(図中の矢印方向B)からは発光素子2から放射される原色の青色光が得られる。したがって、白色光と青色光との異なる2色を得ることができ、方向に応じて異なる色が得られる。
第4実施形態と第2実施形態との異なる点は、第2実施形態では、拡散剤からなる機能性添加剤14を基板1の片側(樹脂材3の片側)のみに集中させて高濃度添加領域Hを設けているのに対し、第4実施形態の発光装置では、図5に示すように、高濃度添加領域Hが、発光素子2の上方を除いて発光素子2の周囲に形成された封止樹脂部35を有している点である。
特に、高濃度添加領域Hは、基板1に近いほど発光素子2に近く、基板1から上方に離間するほど発光素子2の中心軸より遠くに分布している。
すなわち、第4実施形態では、発光素子2周囲に集中して配された拡散剤の高反射効果によって、発光素子2から出射した光が発光素子2上方側に多く反射して中央部の光量を増大させることができる。
なお、本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることができる。
例えば、第2実施形態では、機能性添加剤14として拡散剤を採用しているが、機能性添加剤として顔料や蛍光体を採用した場合、基板1上の一方側と他方側とで、単体で異なる色合いの光を得ることが可能になる。同様に、第4実施形態では、機能性添加剤として顔料や蛍光体を採用した場合、発光素子2の上方と周囲とで、単体で異なる色合いの光を得ることが可能になる。
また、機能性添加剤として紫外線吸収剤を採用しても構わない。
また、上記各実施形態では、発光素子2として青色発光ダイオード素子又は紫外光発光ダイオード素子による青色光又は紫外光によってYAG蛍光体が励起されて変換されることで白色光が得られる白色LED装置に適用しているが、赤色発光ダイオードや緑色発光ダイオード等の他のLED装置に適用しても構わない。
本発明に係る第1実施形態の発光装置及びその製造方法において、磁場印加後と磁場印加前の状態を示す発光装置の概略的な断面図である。 第2実施形態の発光装置及びその製造方法において、機能性添加剤を示す4つの例の概念的な断面図である。 本発明に係る第2実施形態の発光装置及びその製造方法において、発光装置を示す概略的な断面図である。 本発明に係る第3実施形態の発光装置及びその製造方法において、発光装置を示す概略的な断面図である。 本発明に係る第4実施形態の発光装置及びその製造方法において、発光装置を示す概略的な断面図である。
符号の説明
1…基板(基体)、2…発光素子、3…樹脂材、4、14…機能性添加剤、5、15、25、35…封止樹脂部、4a…YAG蛍光体、4b…透明磁性体、4c…磁性体、H…高濃度添加領域

Claims (7)

  1. 基体と、
    前記基体上に搭載された発光素子と、
    前記発光素子を封止すると共に磁性化された機能性添加剤が含有された封止樹脂部とを備え、
    前記封止樹脂部内に、前記機能性添加剤を前記封止時に磁場により集中させた高濃度添加領域が形成されていることを特徴とする発光装置。
  2. 請求項1に記載の発光装置において、
    前記機能性添加剤が、磁性体と結合されて構成されていることを特徴とする発光装置。
  3. 請求項1又は2に記載の発光装置において、
    前記機能性添加剤が、蛍光体、拡散剤、顔料、紫外線吸収剤の少なくとも一種類であることを特徴とする発光装置。
  4. 請求項3に記載の発光装置において、
    前記発光素子が、青色発光ダイオード素子又は紫外光発光ダイオード素子であり、
    前記機能性添加剤が、少なくともYAG蛍光体を含むことを特徴とする発光装置。
  5. 請求項3又は4に記載の発光装置において、
    前記高濃度添加領域が、前記基体上の片側に形成されていることを特徴とする発光装置。
  6. 請求項3又は4に記載の発光装置において、
    前記高濃度添加領域が、前記発光素子の上方を除いて前記発光素子の周囲に形成されていることを特徴とする発光装置。
  7. 発光素子が搭載された基体上に前記発光素子を樹脂材で封止して封止樹脂部を形成する封止工程を備え、
    前記樹脂材に磁性化された機能性添加剤を予め含有させておき、前記封止工程時に、液状の前記樹脂材が硬化するまで、所定の方向から磁場を印加して前記機能性添加剤が集中した高濃度添加領域を前記封止樹脂部内に形成することを特徴とする発光装置の製造方法。
JP2006207275A 2006-07-29 2006-07-29 発光装置及びその製造方法 Pending JP2008034665A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006207275A JP2008034665A (ja) 2006-07-29 2006-07-29 発光装置及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006207275A JP2008034665A (ja) 2006-07-29 2006-07-29 発光装置及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008034665A true JP2008034665A (ja) 2008-02-14

Family

ID=39123772

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006207275A Pending JP2008034665A (ja) 2006-07-29 2006-07-29 発光装置及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2008034665A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011222486A (ja) * 2010-04-13 2011-11-04 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法
CN102468405A (zh) * 2010-11-18 2012-05-23 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
JP2013118244A (ja) * 2011-12-02 2013-06-13 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置及びそれを用いた照明装置
KR101290507B1 (ko) 2012-06-04 2013-07-26 한국광기술원 자성 형광체를 구비한 발광다이오드 패키지 제조방법 및 이에 의해 제조된 발광다이오드 패키지
KR20140063139A (ko) * 2012-11-16 2014-05-27 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
CN108417696A (zh) * 2018-02-01 2018-08-17 广州硅能照明有限公司 一种荧光粉涂覆方法
CN108493318A (zh) * 2018-02-01 2018-09-04 广州硅能照明有限公司 一种磁性颗粒及其制作的led器件

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011222486A (ja) * 2010-04-13 2011-11-04 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法
CN102468405A (zh) * 2010-11-18 2012-05-23 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
JP2013118244A (ja) * 2011-12-02 2013-06-13 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置及びそれを用いた照明装置
KR101290507B1 (ko) 2012-06-04 2013-07-26 한국광기술원 자성 형광체를 구비한 발광다이오드 패키지 제조방법 및 이에 의해 제조된 발광다이오드 패키지
KR20140063139A (ko) * 2012-11-16 2014-05-27 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR101997250B1 (ko) 2012-11-16 2019-07-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
CN108417696A (zh) * 2018-02-01 2018-08-17 广州硅能照明有限公司 一种荧光粉涂覆方法
CN108493318A (zh) * 2018-02-01 2018-09-04 广州硅能照明有限公司 一种磁性颗粒及其制作的led器件

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3486345B2 (ja) 半導体発光装置
TWI636589B (zh) 發光二極體模組及其製作方法
US7781783B2 (en) White light LED device
KR101251821B1 (ko) 발광 소자 패키지
JP5089212B2 (ja) 発光装置およびそれを用いたledランプ、発光装置の製造方法
US8598608B2 (en) Light emitting device
JP2000031531A (ja) 発光装置
JP2000208822A (ja) 半導体発光装置
JP2008235824A5 (ja)
JP2007081090A (ja) 白色発光体及び照明装置
JP2007067204A (ja) 発光ダイオード装置
JP2010267826A (ja) Led照明装置および液晶表示装置
JP2008034665A (ja) 発光装置及びその製造方法
KR20080059618A (ko) 전자기파를 방출하는 광전자 소자 및 이를 제조하는 방법
JP2007012993A (ja) チップ型半導体発光素子
JP3725413B2 (ja) 半導体発光装置
JP2001298216A (ja) 表面実装型の半導体発光装置
JP2010034183A (ja) 発光装置
JP2005311395A (ja) 半導体発光装置の製造方法
JP3871668B2 (ja) 半導体発光装置
JP5200471B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
JP2007005549A (ja) 白色発光ledランプ
KR20090034412A (ko) 발광 칩 및 이의 제조 방법
JP2007266283A (ja) 発光装置
JP2005340494A (ja) 発光ダイオードランプ