KR20080059618A - 전자기파를 방출하는 광전자 소자 및 이를 제조하는 방법 - Google Patents

전자기파를 방출하는 광전자 소자 및 이를 제조하는 방법 Download PDF

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허벌트 브루너
키어스틴 피터슨
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오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
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Abstract

본 발명은 하우징, 상기 하우징 내에 배치되어 유용 복사광을 방출하는 루미네센스 다이오드 칩(light-emitting diode chip)(1)을 포함하는 광전자 소자에 관한 것이다. 상기 하우징은 상기 유용 복사광에 대해 투광성을 가진 하우징 물질(5)을 포함하며, 상기 하우징 물질은 상기 방출된 유용 복사광의 빔 세기 또는 광도를 조정하기 위해 광 흡수 입자(radiation-absorbing particles)(6)를 포함한다. 상기 광 흡수 입자(6)에 의해, 빔 세기 또는 광도가 소정의 값으로 목적에 맞게 감소되는데, 이는 소자의 제공된 빔 세기 또는 광도를 조정하기 위함이다. 또한, 이러한 광전자 소자를 제조하는 방법도 제공된다.
하우징, 루미네센스 다이오드 칩, 하우징 물질, 광 흡수 입자, 유용 복사광

Description

전자기파를 방출하는 광전자 소자 및 이를 제조하는 방법{OPTOELECTRONIC COMPONENT WHICH EMITS ELECTROMAGNETIC RADIATION, AND METHOD FOR PRODUCTION OF AN OPTOELECTRONIC COMPONENT}
본 특허 출원은 독일 특허 출원 102006004397.9 및 102005047062.9의 우선권을 각각 주장하며, 그 개시 내용은 본문에서 반복적으로 기재될 것이다.
본 발명은 특허 청구 범위 1항에 따른 광전자 소자 및 이러한 광전자 소자를 제조하는 방법에 관한 것이다.
광을 방출하는 광전자 소자는 예를 들어, 미국 특허 US 5, 040, 868에 개시되어 있다. 이러한 광전자 소자는 도체 프레임의 두 개의 전기적 도전로(conductive path)를 변형시키고, 리세스를 포함하는 하우징 기본 몸체를 포함하는데, 상기 리세스에 전자기파를 방출하는 루미네센스 다이오드 칩이 도전적 및 기계적으로 실장된다. 상기 리세스는 광이 투과하는 캐스팅 컴파운드(casting compound)로 포팅되는데, 상기 컴파운드에 의해, 루미네센스 다이오드 칩(luminescence diode chip)으로부터의 전자기파 출력이 개선되고, 루미네센스 다이오드 칩이 외부의 영향으로부터 보호된다.
상기와 같은 소자에 사용되는 루미네센스 다이오드 칩은 제조시 소정의 제조상의 편차가 생기는데, 이는 구동시, 명칭상(nominal) 동일한 방식의 반도체 칩의 밝기에 있어서 편차가 자주 나타난다. 서로 다른 에피택시(epitaxy)-공정으로 제조된 웨이퍼 뿐만 아니라 하나의 공정으로 동시에 제조된 서로 다른 웨이퍼에 있어서도, 상기와 같은 제조상의 편차가 나타나는데, 이 때 특히 에피택시 공정 및 도핑 공정에서의 편차들도 포괄한다.
본 발명의 과제는, 도입부에 언급한 방식의 광전자 소자를 제공하는 데 있어서, 상기 소자가 소정의 빔 세기(beam intensity) 또는 광도(luminous intensity)에 의해 기술적으로 간단한 방법으로 제조 가능하도록 한다. 또한, 본 발명은 이러한 광전자 소자의 제조 방법을 제공하여야 한다.
상기 과제는 각각 독립항에 따른 광전자 소자 또는 그 제조방법에 의하여 해결된다. 상기 소자 및 상기 방법의 바람직한 실시예들은 종속항들에 기재된다.
광전자 소자는 하우징, 및 상기 하우징에 배치되고 전자기적 유용 복사 광(useful radiation)을 방출하는 루미네센스 다이오드 칩을 포함한다. 상기 하우징은 상기 유용 복사광에 대해 투광성을 가진 투과성 하우징 물질을 포함한다. 이러한 하우징 물질은 상기 방출된 유용 복사광의 소정의 빔 세기 또는 광도를 조정하기 위해서 광 흡수 입자(radiation-absorbing particles)가 첨가된다.
상기 유용 복사광의 파장 스펙트럼은 바람직하게는, 육안으로 볼 수 있는 영역을 포함한다. 이에 따라, 상기 광 흡수 입자에 의하여, 바람직하게는, 상기 광전자 소자로부터 방출된 유용 광의 광도가 조정된다.
본 출원과 관련하여, "광 흡수 입자"의 개념은, 상기 루미네센스 다이오드 칩으로부터 방출된 제1 파장 영역의 광을 흡수하고 이러한 광에 의하여 여기됨으로써, 제2 파장 영역의 전자기파를 방출하는 형광체를 의미하진 않는다. 다른 말로 하면, 상기 광 흡수 입자는, 상기 소자의 전자기적 유용 복사 광을 흡수한 경우, 광학적 복사를 재방출하지 않는다. 이에 반해, 상기 광 흡수 입자가 상기 유용 복사광을 흡수할 뿐만 아니라 부분적으로도 분산시키는 것도 가능하다.
상기 광 흡수 입자에 의하여, 상기 광전자 소자의 구동시 방출되는 빔 세기 또는 광도는 기술적으로 간단한 방식으로 감소된다. 따라서, 사용된 루미네센스 다이오드 칩의 변화하는 빔 세기 또는 광도와 무관하게, 광전자 소자의 빔 세기 또는 광도를 조정하기 위해서는, 광전자 소자의 효율성이 떨어지는 것을 감수해야 한다.
또한, 광전자 소자를 제조하는 방법이 제공된다. 상기 방법에서, 루미네센스 다이오드 칩이 준비된다. 이어서, 구동시 상기 루미네센스 다이오드 칩으로부터 방출되는 빔 세기 또는 광도가 측정된다. 상기 유용 복사광에 대해서 투광성을 가지고 광 흡수 입자를 가지는 재료의 준비에 있어서, 상기 광 흡수 입자의 농도는 상기 측정된 빔 세기 또는 광도에 따라서 선택된다. 이는 상기 소자의 원하는 빔 세기 또는 광도를 직접 조정하기 위함이다. 또 다른 방법 단계에서, 상기 유용 복사광에 대해서 투광성을 가진 재료는 구동시 상기 루미네센스 다이오드 칩으로부터 방출되는 전자기파의 광선 경로 안에 배치된다.
상기 재료는 바람직하게는 경화성 재료로서, 상기 재료에는 비 경화 상태에서 광 흡수 입자가 섞여 있다. 상기 제공된 방법을 이용하여, 원하는 밝기 즉, 상기 소자의 빔 세기 또는 광도를 조정할 때, 상기 루미네센스 다이오드 칩으로부터 방출된 빔 세기 또는 광도의 측정 및 그 측정 결과에 따른 광 흡수 입자의 농도 선택이 필요하다. 이는 기술적으로 간단한 방식으로 수행 가능하고, 밝기를 매우 정확하게 조정하는 것을 용이하게 한다.
상기 광 흡수 입자는 바람직하게는 상기 유용 복사광의 전체 파장 스펙트럼에 대해 흡수기능을 가진다. 추가적으로 또는 대안적으로, 상기 광 흡수 입자는 바람직하게는, 구동시 루미네센스 다이오드 칩으로부터 방출된 광의 총 파장 스펙트럼에 대해 흡수기능을 가진다. 더욱 바람직하게는, 상기 유용 복사광의 총 스펙트럼 내에서 상기 광 흡수 입자의 흡수 계수는 10% 미만으로 변화된다. 특히, 관련 파장영역 내의 상기 입자는 상기 흡수에 있어서, 파장에 대한 의존성이 경미하다. 이에 따라, 상기 유용 복사광의 발광 스펙트럼에 크게 영향을 미치지 않고 상기 소자의 밝기가 감소될 수 있다.
소자의 또 다른 바람직한 실시예에 따르면, 유용 복사광에 대해 투광성을 가지는 하우징 물질은 적어도 하나의 형광체를 포함한다. 이러한 경우, 밝기의 정확한 조정이 광 흡수 입자에 의해 가능하다는 것이 확인되었다.
더욱 바람직하게는, 광 흡수 입자는 카본 블랙을 포함한다. 카본 블랙은 일반적으로 연소공정에서 부산물로서 알려져 있다. 또한, 카본 블랙은 산업적으로 제조되고, 색소로서, 특히, 보강성 충전재로서 차량 타이어에 사용된다. 카본 블랙은 일반적으로, 그것의 흡수 처리에 있어서 상대적으로 높은 파장 의존성을 가지는데, 이는 특히, 가시광선에 대해서도 그러하다. 그러나, 가시적 파장 영역 내에서의 카본 블랙의 특정한 형태는 흡수 처리에 있어서 매우 낮은 파장 의존성을 가지는 것으로 확인되었다.
시판용 카본 블랙은 서로 다르게 정의된 기술적 특성을 가지고 제조된다. 카본 블랙은, 다수의 일차(primary) 입자로 구성된 응집체 형태로 제공된다. 광 흡수 입자로서 사용하기 위해서는 매우 작은 일차 입자 크기를 갖는 검댕이 더욱 적합하다. 또한, 콤팩트한 응집구조를 갖는 시판용 카본 블랙을 사용하는 것이 바람직하다. 상기와 같은 카본 블랙의 종류에 대해, 전문 분야에서는 영어식 표현 "Low structure carbon block(LSCB)을 사용한다. 상기 응집체는 바람직하게는, 1 ㎛ 이하의 평균 팽창을 가진다.
소자의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 광 흡수 입자는 전기 절연적이다. 따라서, 유용 복사광에 대해 투광성을 가진 하우징 물질은, 도전성 입자로 인한 단락(short circuit) 형성의 위험 없이, 루미네센스 다이오드 칩에 직접 인접할 수 있다. 대안적으로, 도전성 입자도 사용될 수 있다. 상기 하우징 물질 내의 도전성 입자의 농도가 충분히 낮은 경우, 단락 형성의 위험이 지속적으로 방지될 수 있다. 이 때, 최대 농도는 상기 응집체 크기에 의존한다. 일반적인 검댕 입자와 비교하여 작은 응집체 크기를 갖는 LSCB를 이용하면, 동일한 단락 형성의 위험을 가지고도 더 높은 농도가 사용될 수 있다.
일반적으로, 상기 광 흡수 입자는 바람직하게는, 100 ㎚ 이하의 평균 입자 직경을 갖는다(부분평균). 이러한 작은 입자는 하우징 물질 내에서 더 양호하게 분산된다. 카본 블랙의 경우, 상기 응집체의 일차 입자는 바람직하게는, 이러한 작은 평균 입자 직경을 갖는다.
상기 유용 복사광에 대해 투광성을 가진 하우징 물질은 바람직하게는, 캐스팅 컴파운드 또는 압축 컴파운드를 포함한다. 상기와 같은 물질을 이용하여, 하우징 부분이 소정의 형태 및 크기로 제조된다. 캐스팅 컴파운드는 포팅될 수 있거나 예를 들어 사출 캐스팅 방법으로 형성될 수 있다. 압축 컴파운드는 사출 압력 방법으로 가공될 수 있다.
바람직한 실시예에 따르면, 상기 유용 복사광에 대해 투광성을 가지고, 에폭시 수지, 아크릴레이트, 실리콘, 열가소성 물질 및 하이브리드(hybrid) 물질로 구성된 그룹의 적어도 하나의 물질인 하우징 물질은 이러한 물질을 적어도 하나는 포함한다.
또 다른 바람직한 실시예에 따르면, 루미네센스 다이오드 칩은 상기 유용 복사광에 대해 투광성을 가진 하우징 물질에 의하여 둘러싸이거나 형성된다. 특히, 상기 하우징 물질은 상기 루미네센스 다이오드 칩에 직접 인접할 수 있다.
바람직한 실시예에 따르면, 소자는 하우징 캐비티(cavity)를 구비하는 하우징 몸체를 포함하고, 상기 하우징 캐비티 안에는 상기 루미네센스 다이오드 칩이 실장된다. 상기 하우징 캐비티는 유용 복사광에 대해 투광성을 가진 하우징 물질에 의해 적어도 부분적으로 채워진다. 상기 하우징 캐비티를 채우는 것은 바람직하게는, 상기 유용 복사광에 대한 투과성 재료를 포팅함으로써 수행된다.
소자의 또 다른 바람직한 실시예에 따르면, 소자는 외면을 구비한 하우징 몸체를 포함한다. 유용 복사광에 대해 투광성을 가진 하우징 물질은 적어도 상기 하우징 몸체의 외면에 도포된다.
바람직하게는, 상기 하우징 몸체의 외면에 도포된 하우징 물질은 호일(foil)의 형태로 존재할 수 있다. 이는, 바람직하게는, 접착제를 사용하거나 라미네이팅에 의해 상기 하우징 몸체의 외면에 고정된다. 상기 호일은 바람직하게는 일정한 두께를 갖는다. 상기 호일은 바람직하게는 가요적으로(flexible) 구현된다. 대안적으로, 상기 호일의 두께가 변할 수도 있다. 이는, 예를 들어, 일정한 두께를 갖는 호일이 구조화되도록 구현될 수 있다.
추가적으로 또는 대안적으로, 하우징 물질로서, 광 흡수 입자가 구비된 호일이 사용될 수 있다.
루미네센스 다이오드 칩이 제공된다. 상기 칩의 외면은 덮개 물질을 구비하고, 상기 덮개 물질은 루미네센스 다이오드 칩으로부터 방출된 유용 복사광의 소정의 빔 세기 또는 광도를 조정하기 위해서 광 흡수 입자를 구비한다. 상기 덮개 물질은 바람직하게는, 상기 루미네센스 다이오드 칩에 직접 도포된다. 더욱 바람직하게는, 상기 덮개 물질은 호일의 형태로 제공된다. 상기 호일은 예를 들어, 라미네이팅에 의하거나 접착제를 사용하여 상기 루미네센스 다이오드 칩의 외면에 고정된다. 이는 웨이퍼 결합물 내에서 수행될 수도 있는데, 즉, 다수의 루미네센스 다이오드 칩이 공동의 결합물로부터 개별화되기 전에 수행될 수 있다.
소자 및 방법의 또 다른 장점들 및 바람직한 실시예들은 도 1 내지 도 12와 함께 설명된 실시예들로 이하에서 설명될 것이다.
도 1은 광전자 소자의 제1 실시예의 개략적 단면도이다.
도 2는 광전자 소자의 제2 실시예의 개략적 단면도이다.
도 3은 광전자 소자의 제3 실시예의 개략적 단면도이다.
도 4는 다양한 루미네센스 다이오드 칩을 포함한 소자에 있어서, 광 흡수 입자의 농도에 따른 발광 최대 값의 파장에 대한 그래프이다.
도 5는 다양한 루미네센스 다이오드 칩을 포함한 소자에 있어서, 광 흡수 입자의 농도에 따른 표준화된(normalized) 광도에 대한 그래프이다.
도 6은 다양한 루미네센스 다이오드 칩을 포함한 소자에 있어서, 광 흡수 입자의 농도에 따른 표준화된 광 전류에 대한 그래프이다.
도 7은 CIE-표색계의 산출된 x값에 따른 소자의 표준화된 휘도와 광 흡수 입자를 구비한 하우징 물질 내에서 형광체의 서로 다른 농도에 대한 그래프이다.
도 8은 CIE-표색계의 산출된 x값에 따른 소자의 표준화된 발광 전류와 광 흡수 입자를 구비한 하우징 물질 내에서 형광체의 서로 다른 농도에 대한 그래프이다.
도 9는 광 흡수 입자를 구비한 하우징 물질 내에 형광체를 포함한 소자에 있어서 광 흡수 입자의 농도에 따른 표준화된 광도에 대한 그래프이다.
도 10은 광 흡수 입자를 구비한 하우징 물질 내에 형광체를 포함한 소자에 있어서 광 흡수 입자의 농도에 따른 표준화된 광 전류에 대한 그래프이다.
도 11은 광전자 소자의 제4 실시예의 개략적 단면도이다.
도 12는 광전자 소자의 제5 실시예의 개략적 단면도이다.
실시예들 및 도면에서 동일하거나 동일하게 작용하는 부재들은 각각 동일한 참조 번호로 표시된다. 도시된 구성 요소들 및 상기 구성 요소들의 서로간 크기 비율은 반드시 축적에 맞는 것으로 간주될 수 없다. 오히려, 도면의 상세 사항은 보다 양호한 이해를 위해서 과장되어 확대 도시된다.
도 1에 도시된 광전자 소자에서, 루미네센스 다이오드 칩(1)은 예를 들어, 금속 땜납 또는 접착제와 같은 도전성 접합 수단을 이용하여, 후측 접촉부(11)에 의해 도체 프레임의 제1 전기 연결부(2) 위에 고정된다. 상기 후측 접촉부(11)를 등지고 있는 측에서, 루미네센스 다이오드 칩(1)은 전면측 접촉부(12)를 포함한다. 상기 전면 접촉부(12)는 본딩용 와이어(14)에 의하여 도체 프레임의 제2 전기 연결부(3)와 도전적으로 결합된다.
루미네센스 다이오드 칩(1)의 자유 표면, 본딩용 와이어(14) 및 전기 연결부(2, 3)의 부분영역은 하우징 물질(5)에 의해 직접적으로 둘러싸인다. 상기 하우징 물질(5)은, 구동 시 루미네센스 다이오드 칩(1)으로부터 방출된 전자기파에 대해서 투과성을 가진다. 이러한 하우징 물질(5)은 예를 들어, 80 중량-%이상의 에폭시드 캐스트 수지를 포함한 포팅 컴파운드이다. 또한, 상기 포팅 컴파운드는 예를 들어, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 텍오프렌(Tegopren) 6875-45, 및 에어로질(Aerosil) 200과 같은 추가 성분을 포함할 수 있다.
대안적으로 또는 추가적으로, 상기 하우징 물질(5)은 예를 들어, 적어도 하나의 하이브리드 물질을 포함한다. 상기 하이브리드 물질(5)에 의하여, 서로 다른 재료의 긍정적인 특성이 서로 조합될 수 있다. 이에 따라, 예를 들어, 한 물질의 부정적인 특성이 약화되거나 제거될 수 있다. 예를 들어, 폴리머-하이브리드 물질 이 사용된다. 예컨대, 하이브리드 물질로는 실리콘-개질된(silicon-modified) 에폭시 수지가 고려되는데, 상기 수지는 자외선이 작용할 때 종래의 폭시 수지보다 노화 저항성이 양호하고, 그러면서도 실질적으로 종래의 에폭시 수지의 긍정적인 물리적 특성을 포함한다. 또한, 적어도 하나의 에폭시 수지와 적어도 하나의 실리콘이 서로 혼합될 수 있다. 상기와 같이 접합한 하이브리드 물질에 대한 예시는 미국 특허 US 2002/0192477 A1 또는 US 2005/0129957 A1에 제공되며, 그 개시내용은 본문에서 반복적으로 기재될 것이다.
또한, 실리콘을 아크릴레이트와 조합시키거나 실리콘을 아크릴레이트 및 에폭시 수지와 조합시키는 것도 가능하다. 하이브리드 재료를 사용하지 않고, 예를 들어, 아크릴레이트, 실리콘 또는 열가소성 물질을 상기 하우징 물질(5)의 구성 요소로 사용하는 것도 또한 가능하다.
상기 포팅 컴파운드(5)에는 광 흡수 입자(6)가 혼합된다. 여기서, 예를 들어, 정의된 기술적 특성을 갖는 산업적으로 제조된 카본 블랙을 의미한다. 상기 카본 블랙 입자는 전체가 하나의 응집체 구조를 형성하는 다수의 일차 입자로 이루어진다. 이러한 응집체 구조는 가능한한 콤팩트(compact)한 것이 바람직하다. 상기 일차 입자는 100 ㎚ 이하의 평균 직경을 갖는다. 예를 들어, 상기 평균 직경은 50 내지 60 ㎚이다. 상기 평균 직경이란, 측정된 직경의 부분 평균으로서 이해될 수 있다. 상기 응집체는 1 ㎛ 이하의 평균 직경을 갖는다. 이에 적합한 카본 블랙은 예를 들어, 데구사(Degussa) 업체가 제조하여 시판중인 "프린텍스(Printex) 25"이다. 여기서, 콤팩트한 응집체 구조를 갖는 소위 "Low structure carbon black"(LSCB)를 의미한다.
상기 일차 입자와 상기 응집체의 입자 크기는 서로 다른 방법에 의해 결정될 수 있다. 두 개의 크기는 예를 들어, 전송-전자현미경(transmission-electron microscope; TEM)에 의하여 결정될 수 있으며, 이것이 바람직한 것이다. 상기 응집체 크기는 예를 들어, 분산광-세기측정에 의하여 산출될 수도 있다. 상기 일차 부분 크기를 결정하기 위해서, 예를 들어, 차등 이동성-분석기(differential mobility-analyzer; DMA)가 적합하다. 상기 분석기는 일반적으로 나노 스케일(nanoscale)의 에어로졸의 전기적 이동성 직경을 결정하기 위해 사용된다. 상기와 같은 방법 및 상기 관련 입자 직경을 산출하기 위해 가능한 또 다른 측정 방법은 당업자에게 잘 알려져 있다.
예를 들어, 길게 신장된 응집체 구조와 달리, 콤팩트한 응집체 구조는 그것이 섞여 있는 물질의 전기 도전성에 상대적으로 작게 영향을 미친다는 장점을 가진다. LSCB-입자가 4배 높은 부피 농도에서야 비로소, 소위 "High structure carbon black"(HSCB)로서 매트릭스 물질을 비 도전 상태에서 도전 상태로 브리징하는 것을 보여주는 연구들이 있다. LSCB-입자에 있어서 이러한 브리징은 예를 들어, 약 40 부피-%의 부피 농도부터 시작되며, 반면 HSCB-입자에 있어서는 10 부피-%의 농도일 때 이미 상기와 같은 경우일 수 있다. 염분이 제공되면, 이러한 브리징은 더 낮은 농도에서 일어날 수 있다.
종종, 카본 블랙 응집체로부터 형성되는 응집체는, 다수의 마이크로미터 또는 다수의 10 ㎛의 크기 등급에 포함될 수 있는 크기를 가진다. 상기와 같은 응집 체는 가능한한 방지되어야 한다. 상기 카본 블랙 입자를 상기 경화되지 않은 포팅 컴파운드에 혼합할 때, 매우 높은 속도에서 구동되는 회전 혼합기(rotation mixer)를 이용하여 상기 입자가 균일하게 주입될 수 있다. 이러한 주입 공정에서, 가능한 응집체가 큰 부분으로 파열되도록 작용하는 높은 전단력(shear force)이 발생한다.
상기 광 흡수 입자(6)는 예를 들어, 최대 0.01 중량-%의 농도를 가지고 상기 포팅 컴파운드에 혼합되는데, 이는 약 0.03 부피-%에 상응한다.
도 2에 도시된 소자의 실시예는, 도 1과 관련하여 설명된 실시예와 다른데, 루미네센스 다이오드 칩(1), 본딩용 와이어(14) 및 전기 연결부(2, 3)의 부분영역이 광 흡수 입자(6)를 포함하지 않은 투명한 내부 하우징 물질(15)에 의해 둘러싸인다는 점에서 차이가 난다. 이러한 내부 하우징 물질(15)은 예를 들어, 종래에 발광 다이오드 기술에서 사용된 에폭시 수지, 실리콘 수지 또는 아크릴레이트 수지로 구성되거나, 예를 들어, 무기(inorganic) 유리와 같이 또 다른 적합한 투광성 물질로 구성된다.
이러한 내부 하우징 물질(15) 위에, 광 흡수 입자(6)를 구비한 하우징 물질(5)이 도포된다. 상기 하우징 물질(5)은 층(4)의 형태로 제공되는데, 상기 층은 상기 내부 하우징 물질(15)의 전체 표면을 덮는다. 마찬가지로 고려될 수 있는 것은, 상기 층(4)이 상기 표면의 일부 영역만을 덮는 것이다. 상기 하우징 물질(5) 및 상기 광 흡수 입자는 앞서 도 1에 도시된 실시예와 관련하여 형성될 수 있다.
도 2에 도시된 실시예에 대해 대안적으로, 루미네센스 다이오드 칩(1)을 직접 둘러싸는 하우징 부분이 광 흡수 입자(6)를 구비할 수 있다. 상기 부분에는 광 흡수 입자를 포함하지 않는 투명한 하우징 물질이 다시 도포될 수 있다. 상기와 같은 대안적인 실시예는 예를 들어, 도 12를 참조로 하여 설명될 이하의 실시예에서도 가능하다.
도 3에 도시된 상기 광전자 소자의 실시예는 리세스(recess)(9)를 구비한 하우징 몸체(8)를 포함한다. 상기 루미네센스 다이오드 칩(1)은 상기 리세스(9) 안에서 도체 프레임의 제1 전기 연결부(2) 위에 배치된다. 도 1 및 도 2를 참조로 하여 설명된 실시예와 같이, 상기 루미네센스 다이오드 칩의 후측 접촉부(11)는 상기 제1 전기 연결부(2)와 결합하고, 전면측 접촉부(12)는 상기 리드 프레임의 제2 전기 연결부(3)에 결합한다.
상기 하우징 몸체(8)는 예를 들어 다이 캐스팅을 이용해 형성되는데, 이는 루미네센스 다이오드 칩(1)을 실장하기 전에 수행될 수 있다. 상기 하우징 몸체(8)는 예를 들어, 비 투광성의 플라스틱으로 구성된다. 상기 리세스(9)는 그것의 형태와 관련하여, 구동시 상기 루미네센스 다이오드 칩(1)으로부터 방출된 전자기파를 위한 반사경으로서 형성된다.
상기 리세스(9)는 소자로부터 방출된 유용 복사광에 대해서 투과성을 가지는 하우징 물질(5)로 채워진다. 상기 하우징 물질(5)은 특히, 균일하게 혼합된 광 흡수 입자(6)를 포함한다. 상기 하우징 물질(5) 및 상기 광 흡수 입자(6)는 도 1 및 도 2를 참조로 하여 설명한 실시예들에서와 같이 형성될 수 있다.
예컨대, 소자로부터 방출된 유용 복사광은 결국 상기 루미네센스 다이오드 칩(1)으로부터 방출된 광이다. 대안적으로, 이러한 전자기파를 적어도 하나의 형광 체를 이용하여 서로 다른 파장 영역의 광으로 전환시킬 수 있다. 특히, 형광체 입자를 상기 광 흡수 입자(6)와 함께 상기 소자의 유용 복사광에 대해 투광성을 가진 물질(5)에 혼합할 수도 있다. 형광체의 농도가 루미네센스 다이오드 칩(1)으로부터 방출된 전자기파의 광선 경로 내에서 충분히 높은 경우, 상기 전자기파는 완전히 전환될 수도 있다.
루미네센스 다이오드 칩은 예를 들어, UV-영역으로부터 전자기파를 방출한다. 상기 전자기파는 예를 들어, 하나 또는 다수의 형광체에 의하여 가시광선으로 전환된다. 대안적으로, 상기 루미네센스 다이오드 칩(1)은 예를 들어, 청색 광을 방출한다. 상기 청색 광은 형광체에 의하여 예를 들어, 황색 광으로 부분적으로 전환될 수 있으므로, 청색 광과 상기 황색 광이 조화로운 혼합 비율로 혼합됨으로써 백색 광을 발생시킬 수 있다.
형광체는 기본적으로 LED를 사용할 때 알려진 모든 형광체가 적합하다. 이러한, 컨버터로서 적합한 형광체 및 형광체 혼합물의 예시는 다음과 같다:
- 예컨대 독일 특허 DE 10036940 및 그의 종래 기술에 개시된 클로로금산 규산염.
- 예컨대 국제 특허 WO 2000/33390 및 그의 종래 기술에 개시된 오르토 규산염, 황화물, 티오 메탈(thio metal), 바나듐산염.
- 예컨대 미국 특허 US 6,616,862 및 그의 종래 기술에 개시된 알루민산염, 산화물, 할로포스페이트(halophosphate).
- 예컨대 독일 특허 DE 10147040 및 그의 종래 기술에 개시된 질화물, 시온 산(sione), 시알론(sialone).
- 예컨대 미국 특허 공개 US 2004-062699 및 그의 종래 기술에 개시된 YAG:Ce 와 알칼리토류 요소와 같은 희토류 석류석.
상기 루미네센스 다이오드 칩(1)은 질화물-화합물 반도체 물질을 기반으로 한 반도체 층 시퀀스(7)를 포함한다. 질화물-화합물 반도체 물질은 질소를 포함한 화합물 반도체 물질들로서, 예컨대 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 및 x + y ≤ 1에 해당하는 InxAlyGa1 -x- yN 체계로 이루어진 물질들과 같다. 본문에서, 질화물-화합물 반도체 물질을 기반으로 하는 광 방출성 루미네센스 다이오드 칩의 그룹이란, 특히, 반도체 층 시퀀스(7)에 질화물-화합물 반도체-물질체계로 구성된 물질을 가지는 적어도 하나의 개별 층이 포함되는 루미네센스 다이오드 칩을 말한다.
상기 반도체 층은 예를 들어, 종래기술에 따른 pn접합부, 더블 이종 구조, 단일 양자 웰 구조 (SQW-structure)또는 다중 양자 웰 구조(MQW-structure)를 포함할 수 있다. 이러한 구조는 당업자에게 알려져 있으므로, 여기서는 상세히 설명되지 않는다. 이러한 다중 양자 웰 구조의 예시는, 국제공개출원 WO 01/39282, 미국 특허 출원 US 6,172,382, US 5,831,277, 및 US 5,684,309에 기재되어 있으며, 그 개시내용은 본문에서 반복적으로 기재될 것이다.
도 4 내지 도 10에 그래프로 도시된 측정결과는, 도 3에서 전술된 소자의 형태로 형성되는 소자에 의해 획득되었다. 광 흡수 입자로서, 데구사(Degussa) 업체의 시판 카본 블랙인 프린텍스(Printex) 25가 사용되었다. 상기 측정을 위해서, 동 일한 하우징 형태가 네 번 사용되었으나, 상기 하우징에는 서로 다른 발광 스펙트럼을 갖는 서로 다른 루미네센스 다이오드 칩(1)이 실장되었다.
도 4에는, 상기 광 흡수 입자의 농도(conc)에 따른 4가지 소자 형태들( LED1, LED2, LED3, 및 LED4)의 발광 최대값을 갖는 파장이 제공된다. 상기 파장은 ㎚으로 제공되고, 상기 농도는 중량 퍼센트(wt%)로 제공된다.
도 4에서 확인할 수 있는 것은, 상기 광 흡수 입자의 0 wt% 와 0.01 wt% 사이의 농도 영역 내에서 상기 소자의 발광 최대값이 경미하게 변한다는 것이다. 제1 소자(LED1)의 루미네센스 다이오드 칩은 약 640 ㎚의 발광 최대값을 포함하는데, 이는 적색 광에 상응한다. 제2 소자(LED2)에 사용된 루미네센스 다이오드 칩의 발광 최대값은 약 570 ㎚으로, 이는 황록색에 상응한다. 제3 광전자 소자(LED3)로부터는, 약 560 ㎚의 발광 최대값을 갖는 녹색 광이 방출된다. 제4 소자(LED4)의 루미네센스 다이오드 칩은 약 460 ㎚의 발광 최대값을 갖는 청색 광을 방출한다.
도 6에는, 상기 광 흡수 입자의 농도에 따른, 4개의 소자 형태로부터 방출되는 광도(IV)가 도시된다. 상기 광도(IV)는 광 흡수 입자를 포함하지 않는(conc = 0 wt%) 소자로부터 방출되는 광도(IV0)에 표준화된다. 도 6에는, 상기 광 흡수 입자의 농도에 따른 광 전류(ΦV)의 값이 도시된다.
도 5 및 도 6에 도시된 그래프로부터, 상기 소자 형태들(LED2, LED3, 및 LED4)의 광도(IV) 및 광 전류(ΦV)가 거의 동일한 방식으로 상기 흡수 입자의 농도가 증가하면서 감소되는 것을 알 수 있다. 이러한 소자의 측정점은 삼각형으로 표 기되어 있으며, 상기 삼각형의 정점이 하부를 향해 있다. 이에 반해, 상기 제1 소자 형태(LED1)의 측정결과는 약간의 편차를 보여준다. 상기 흡수 입자의 농도가 증가하면서 광도(IV) 및 광 전류(ΦV)가 감소하는 대략적인 진행은 상기 제2 내지 제4 소자들(LED2, LED3, 및 LED4)의 광도(IV) 및 광 전류(ΦV)에 해당한다. 물론, 적색으로 방출하는 루미네센스 다이오드를 포함한 제1 소자(LED1)를 위한 광도(IV) 및 광 전류(ΦV)도 근소하게 감소한다.
직선으로 서로 연결되는 측정점들 외에도, 도 5 및 도 6에는 각각 두 개의 지수곡선(exponential curve)이 도시되어 있는데, 상기 지수곡선은 각각 상기 소자 형태들(LED1 및 LED2 내지 LED4)의 측정점에 맞추어져 있다.
도 7 및 도 8에는, 소자로부터 방출된 색 위치에 따른 상기 제4 소자 형태(LED4)(청색을 방출하는 루미네센스 다이오드 칩)의 광도(IV) 및 광 전류(ΦV)의 측정값이 도시되어 있다. 여기서, 상기 색 위치는 CIE-표색계의 x값으로 도시된다. 상기 도면에는 각각 네 개의 측정선이 표시되어 있는데, 이러한 측정선은 상기 광 흡수 입자의 서로 다른 네 가지 농도에 의해 수행되었다. 또한, 상기 소자의 포팅 컴파운드에는, 청색 광에 의하여 여기될 수 있는 황색 형광체가 혼합되어 있다. 이는, 여기서 Ce 활성화된 이트륨(yttrium) 알루미늄 가닛인 YAG:Ce을 의미한다.
하나의 측정선 내에서 상기 흡수 입자의 농도는 일정한데, 반면 상기 형광체에 대한 농도는 가변한다. 상기 흡수 입자에서의 농도가 0 wt%인 측정선 내에서, 약 0.23의 CIE_x-값은 형광체 함량이 증가하면서 약 0.41로 변한다. 상기 증가하는 형광체 농도가 도 7 및 도 8에서 다이어그램 하부에 각각 화살표로 표시되는데, 상기 화살표는 "converter"란 표현으로 표시되어 있다. 0.005 wt%, 0.01 wt% 또는 0.1 wt%의 농도를 갖는 흡수 입자가 포함된 또 다른 측정선과 비교하여, 대략 동일한 형광체 농도에서 측정된 상기 CIE_x값의 상한 및 하한이 각각 그보다 더 작은 값으로 이동된 것을 알 수 있다.
0.2과 0.25 사이의 CIE_x값 일 때, 황색 광과 청색 광의 혼합 광은 결과적으로 청색으로 나타나는 색조를 포함하는 반면에, 약 0.4와 0.45 사이의 CIE_x값에 있어서는 황색의 색 관여가 우세하다. 0.3과 0.35 사이의 영역에서는 청색 광과 황색 광의 혼합이 전체적으로 백색 광을 형성한다. 상기 결과는, 소자에 흡수 입자가 첨가되면 형광체 입자의 농도도 증가해야 한다는 것을 보여주는데, 이는 소자로부터 결과적으로 방출된 색 인상의 이동(shifting)을 방지하기 위함이다. 여기서 형광체 입자는 상기 소자의 포팅 컴파운드에 혼합되어 있다.
따라서, 컨버터 물질을 포함하는 소자의 제조시, 소정의 광도를 조정하기 위해서, 우선적으로 상기 광 흡수 입자의 농도를 루미네센스 다이오드 칩의 측정된 빔 세기 또는 광도에 따라 선택할 수 있다. 소기의 색 위치를 조정하기 위해서, 형광체의 농도는 광 흡수 입자의 농도에 따라서 선택될 수 있다.
도 9 및 도 10에는, 상기 흡수 입자의 농도에 따른 광도(IV) 및 광 전류(ΦV)가 도시되어 있다. 이는 다시 제4 소자 형태(LED4)를 의미하는데, 상기 소자에 있 어서 포팅 컴파운드에 형광체 입자가 일정한 항수의 농도로 혼합되어 있다. 상기 측정결과는, 형광체가 사용될 때에도 소자들의 빔 세기 또는 광도가 계속해서 조정될 수 있음을 보여준다.
도 11 및 도 12에 도시된 소자는 도 3에 도시된 소자와 유사하다. 그 차이점은, 상기 하우징 몸체(8)의 리세스(9)는 광 흡수 입자가 없는 하우징 물질(15)로 채워진다는 점이다. 상기 리세스(9)는 하우징 물질(15)로 채워지는데, 예를 들어, 상기 하우징 물질(15)에 의해, 상기 리세스(9) 내에 실장된 루미네센스 다이오드 칩(1)이 상기 하우징 물질(15)에 의해 캡슐화되도록 한다.
도 11 및 도 12에 도시된 소자들에 있어서, 하우징 기본 몸체(8) 및 하우징 물질(15)은 하나의 하우징 몸체를 형성한다. 이러한 하우징 몸체의 외면에는 또 다른 하우징 물질(5)가 도포되는데, 상기 또 다른 하우징 물질은 구동시 루미네센스 다이오드 칩(1)으로부터 방출된 전자기파에 대해서 투과성을 가지며 광 흡수 입자(6)를 포함한다. 상기 하우징 물질(5) 및 상기 광 흡수 입자(6)는 기본적으로, 그외의 실시예들과 관련하여 앞서 상술한 바와 같이 형성될 수 있다.
도 11에 도시된 소자에 있어서, 광 흡수 입자(6)를 포함하는 하우징 물질(5)은 층 형태로 상기 하우징 몸체(8, 15)의 외면에 적층된다. 상기 소자를 제조할 때, 상기 하우징 물질(5)은 하우징 몸체(8, 15)의 외면에 적층되기 전에, 사전에 제조되고 예컨대 일정한 두께를 가진 층의 형태로 준비될 수 있다. 상기 적층은, 예를 들어, 접착 또는 라미네이팅에 의해 수행된다. 특히, 층의 형태를 가진 하우징 물질(5)은 호일(foil)로 준비될 수도 있는데, 상기 호일은 가요성을 가지고 있 고 하우징 몸체의 평편하지 않은 외면에도 적층된다. 적층과정 이후, 호일이 경화되어 자체의 가요성을 상실할 수 있다.
편평하지 않은 외면을 구비한 하우징 몸체(8, 15)는 예시적으로 도 12에 도시되어 있다. 상기 편평하지 않은 외면에는 예를 들어, 호일로서 준비된, 광 흡수 입자(6)를 갖는 하우징 물질(5)이 도포될 수 있다. 하지만, 이러한 가능성은 도 12에 도시되어 있지 않다. 상기 도시된 실시예에서, 상기 리세스(9)는 단지 상기 하우징 물질(15)에 의해 부분적으로만 채워진다. 이러한 하우징 물질(15)의 외면은 오목한 만곡부를 포함하므로, 터브(tub) 형태 또는 골반 형태의 함몰부(depression)를 형성한다. 이러한 함몰부에 광 흡수 입자(6)를 포함하는 하우징 물질(5)이 채워진다. 상기 함몰부를 채우는 과정은, 예를 들어, 경화되지 않은 재료의 형태로 상기 하우징 물질(5)를 준비하고, 상기 하우징 물질(15)의 외면으로 형성된 함몰부를 상기 재료를 사용하여 포팅하고, 이어서, 상기 하우징 물질(5)를 경화함으로써 수행된다.
도 12에 도시된 소자에 있어서, 상기 하우징 물질(5)은 일정한 두께를 가지지 않는 층 형태를 포함한다. 상기 소자의 광학 축의 영역에서 상기 하우징 물질(5)은 최대 두께를 가지는데, 상기 최대 두께는 소자의 광학 축과의 간격이 증가하면서 점차 작아진다. 상기와 같이 가변하는 두께를 가진 하우징 물질 층들(5)에 의해, 소자로부터 방출된 광도 또는 빔 세기 뿐만 아니라 상기 소자의 방사특성도 목적에 맞추어 조정할 수 있다. 상기 하우징 물질(5)의 두께의 변화는 자명하게도 기본적으로 임의적일 수 있으며, 개개의 경우에 제공된 소자 및 추구하는 방사 특 성에 동조된다.
도 12에 도시된 실시예에 대해 대안적으로, 상기 하우징 물질 층(5)은 중앙에서보다 외부 영역에서 더 큰 두께를 가질 수 있다.
또한, 도 11 및 도 12에 기재된 실시예들에서, 상기 광전자 소자는 하우징 몸체(8)를 포함하지 않을 수 있다. 이는, 예를 들어, 도 1 및 도 2에 도시된 소자들과 같은 방식으로 하우징을 형성하여 구현할 수 있다.
모든 실시예들에서, 예를 들어, 광 흡수 입자(6)가 첨가된 하우징 물질을 사용하는 것에 대해서 추가적으로 또는 대안적으로 가능한 것은, 루미네센스 다이오드 칩이 광 흡수 입자가 첨가된 호일을 구비하는 것이다. 상기 호일은 예를 들어, 에폭시 수지를 갖는 실리콘 또는 하이브리드 물질을 포함한다. 상기 광 흡수 입자는 전술한 바와 같이 형성될 수 있다.
본 발명은 실시예에 의거한 기재 내용에만 제한되지 않는다. 오히려 본 발명은 새로운 특징들 및 그 특징들의 조합을 포괄하며, 특히 특징들의 조합은 청구 범위에 포함된다. 비록 이러한 특징들 또는 조합이 그 자체로 특허 청구 범위 또는 실시예들에 명확하게 제공되지 않더라도 말이다. 카본 블랙 외에도, 기본적으로 광 흡수 입자로서 상기 소자에 사용되는 데에 적합한 다수의 또 다른 물질들도 있다. 상기 물질의 적합성은 소자로부터 방출된 유용 복사광의 발광 스펙트럼에 의존할 수 있다.

Claims (21)

  1. 하우징;
    상기 하우징에 배치된 루미네센스 다이오드 칩을 포함하며, 유용 복사광(useful radiation)을 방출하는 광전자 소자에 있어서,
    상기 하우징은 상기 유용 복사광에 대해 투광성을 가진 하우징 물질을 포함하고, 상기 하우징 물질은 상기 방출된 유용 복사광의 빔 세기 또는 광도를 조정하기 위해서 광 흡수 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전자 소자.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 광 흡수 입자는 상기 유용 복사광의 총 파장 스펙트럼에 대해 흡수 기능을 가지는 것을 특징으로 하는 광전자 소자.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 광 흡수 입자는 구동시 상기 루미네센스 다이오드 칩으로부터 방출된 광선의 총 파장 스펙트럼에 대해 흡수 기능을 가지는 것을 특징으로 하는 광전자 소자.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유용 복사광에 대해 투광성을 가지는 하우징 물질은 캐스팅 재료 또는 압축 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전자 소자.
  5. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유용 복사광에 대해 투광성을 가지고, 에폭시 수지, 아크릴레이트, 실리콘, 열가소성 물질 및 하이브리드(hybrid) 물질로 구성된 그룹의 적어도 하나의 물질인 하우징 물질은 이러한 물질을 적어도 하나는 포함하는 것을 특징으로 하는 광전자 소자.
  6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 루미네센스 다이오드 칩은 상기 유용 복사광에 대해 투광성을 가진 하우징 물질에 의하여 둘러싸이거나 형성되는 것을 특징으로 하는 광전자 소자.
  7. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유용 복사광에 대해 투광성을 가진 하우징 물질은 적어도 하나의 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전자 소자.
  8. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광 흡수 입자는 카본 블랙(carbon black)을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전자 소자.
  9. 청구항 7에 있어서,
    상기 카본 블랙은 콤팩트한 응집구조를 갖는 시판용 카본 블랙인 LSCB(Low Structure Carbon Black)인 것을 특징으로 하는 광전자 소자.
  10. 청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광 흡수 입자는 100 ㎚ 이하의 평균 입자 직경을 가지는 것을 특징으로 하는 광전자 소자.
  11. 청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유용 복사광의 전체 스펙트럼 내의 광 흡수 입자의 흡수 계수는 10% 미만으로 가변하는 것을 특징으로 하는 광전자 소자.
  12. 청구항 1 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 소자는 하우징 캐비티(cavity)를 구비하는 하우징 몸체를 포함하고, 상기 하우징 캐비티 내에 상기 루미네센스 다이오드 칩이 실장되며 상기 하우징 캐비티는 유용 복사광에 대해 투광성을 가지는 하우징 물질에 의해 적어도 부분적으로 채워지는 것을 특징으로 하는 광전자 소자.
  13. 청구항 1 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 소자는 하우징 몸체를 포함하며, 상기 유용 복사광에 대해 투광성을 가 지는 하우징 물질은 상기 하우징 몸체의 외면에 도포되는 것을 특징으로 하는 광전자 소자.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 유용 복사광에 대해 투광성을 가지는 하우징 물질은 호일(foil)의 형태로 상기 하우징 몸체의 외면에 도포되는 것을 특징으로 하는 광전자 소자.
  15. 유용 복사광을 방출하는 광전자 소자의 제조 방법에 있어서,
    - 루미네센스 다이오드 칩을 준비하는 단계;
    - 상기 루미네센스 다이오드 칩으로부터 방출된 빔 세기 또는 광도를 측정하는 단계;
    - 광 흡수 입자를 포함하고, 상기 유용 복사광에 대해 투광성을 가진 재료를 준비하는 단계;
    - 상기 소자의 빔 세기 또는 광도를 조정하기 위해서, 상기 루미네센스 다이오드 칩의 측정된 빔 세기 또는 광도에 따라 상기 재료 내의 상기 광 흡수 입자의 농도를 선택하는 단계; 및
    - 구동시 상기 루미네센스 다이오드 칩으로부터 방출된 전자기파의 광선 경로 안에 상기 유용 복사광에 대해 투광성을 가진 재료를 배치하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전자 소자의 제조 방법.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 루미네센스 다이오드 칩은 상기 유용 복사광에 대해 투광성을 가진 재료에 의해 둘러싸이거나 형성되는 것을 특징으로 하는 광전자 소자의 제조 방법.
  17. 청구항 15 또는 청구항 16에 있어서,
    상기 광 흡수 입자 외에 적어도 하나의 형광체를 포함하고 상기 유용 복사광에 대해 투광성을 가진 재료를 준비하는 단계; 및 상기 소자로부터 방출되는 유용 복사광의 소기의 색 위치를 조정하기 위해서, 상기 광 흡수 입자의 선택된 농도에 따라 상기 재료 내의 형광체의 농도를 선택하는 단계를 포함하는 광전자 소자의 제조 방법.
  18. 청구항 15 내지 청구항 17 중의 어느 한 항에 있어서,
    - 하우징 캐비티를 구비한 하우징 몸체를 준비하는 단계;
    - 상기 루미네센스 다이오드 칩을 상기 하우징 캐비티 내에 실장하는 단계; 및
    상기 하우징 캐비티를 상기 유용 복사광에 대해 투광성을 가진 재료에 의해 적어도 부분적으로 포팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전자 소자의 제조 방법.
  19. 청구항 15 내지 청구항 17 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 루미네센스 다이오드 칩을 포함하고 외면을 구비한 하우징 몸체를 포함하는 소자를 준비하는 단계를 포함하고, 여기서 상기 유용 복사광에 대해 투광성을 가진 재료는 상기 하우징 몸체의 외면에 도포되는 것을 특징으로 하는 광전자 소자의 제조 방법.
  20. 청구항 19에 있어서,
    상기 유용 복사광에 대해 투광성을 가진 재료는 상기 외면에 도포되기 전에 사전 제조된 물질 층의 형태로 준비되는 것을 특징으로 하는 광전자 소자의 제조 방법.
  21. 청구항 19 또는 청구항 20에 있어서,
    상기 유용 복사광에 대해 투광성을 가진 재료는 상기 외면에 도포되기 전에 호일(foil)의 형태로 준비되는 것을 특징으로 하는 광전자 소자의 제조 방법.
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