KR101251821B1 - 발광 소자 패키지 - Google Patents

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Abstract

발광 소자 패키지가 개시된다. 발광 소자 패키지는 캐비티가 형성되는 몸체부; 상기 캐비티 내에 배치되는 발광 칩; 상기 캐비티를 덮는 커버부; 및 상기 커버부의 하면에 배치되고, 상기 발광 칩과 이격되는 광 변환부를 포함한다.

Description

발광 소자 패키지{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}
실시예는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.
최근에 전세계적으로 활발하게 진행되고 있는 질화갈륨(GaN)계 백색 발광다이오드(LED)의 제작방법은 단일 칩 형태의 방법으로 청색이나 UV LED 칩 위에 형광물질을 결합하여 백색을 얻는 방법과 멀티 칩 형태로 두 개나 혹은 세 개의 LED칩을 서로 조합하여 백색을 얻는 두 가지 방법으로 크게 나뉜다.
멀티 칩 형태로 백색 발광다이오드를 구현하는 대표적인 방법은 RGB의 3개 칩을 조합하여 제작하는 것인데, 각각의 칩마다 동작 전압의 불균일성, 주변 온도에 따라 각각의 칩의 출력이 변해 색 좌표가 달라지는 등의 문제점을 보이고 있다.
상기와 같은 문제점으로 인해, 멀티 칩 형태는 백색 발광다이오드의 구현보다는 회로 구성을 통해 각각의 LED 밝기를 조절하여 다양한 색상의 연출을 필요로 하는 특수 조명 목적에 적합하다.
따라서, 백색 발광다이오드의 구현 방법으로 비교적 제작이 용이하고, 효율이 우수한 청색 발광 LED와 상기 청색 발광LED에 의해 여기되어 황색을 발광하는 형광체를 조합한 바이너리 시스템(binary system)이 대표적으로 이용되고 있다.
바이너리 시스템에 있어서, 청색 LED를 여기 광원으로 사용하고, 희토류 3가 이온인 Ce3+을 활성제로 이용하는 이트륨 알루미늄 가넷계(YAG:Yttrium Aluminum Garnet)형광체, 즉 YAG:Ce 형광체를 상기 청색 LED에서 출사되는 여기광으로 여기시키는 형태의 백색 발광다이오드가 주로 사용되어 왔다.
또한, 백색 발광다이오드는 그 이용분야에 따라 여러 가지 형태의 패키지를 하여 사용중이며, 대표적으로 핸드폰의 백라이팅(backlighting)에 적용되는 표면실장형(SMD:Surface Mounting Device)형태인 초소형 발광다이오드 소자와 전광판 및 고체 표시 소자나 화상 표시용의 버티컬 램프 타입으로 대별된다.
한편, 백색광의 특성을 분석하는데 있어서 사용되는 지표로서, 상관 색온도(CCT:Correlated Color Temperature)와 연색성지수(CRI:Color Rendering Index)가 있다.
상관 색온도(CCT)는 물체가 가시광선을 내며 빛나고 있을때 그 색이 어떤 온도의 흑체가 복사하는 색과 같아 보일 경우, 그 흑체의 온도와 물체의 온도가 같다고 보고 그 온도를 의미한다. 색온도가 높을수록 눈이 부시고 푸른색을 띠는 백색이 된다.
즉, 같은 백색광이라도 색온도가 낮으면 그 색이 좀 더 따뜻하게 느껴지며, 색온도가 높으면 차게 느껴진다. 따라서, 색온도를 조절함으로써 다양한 색감을 요구하는 특수 조명의 특성까지도 만족시킬수 있다.
종래의 YAG:Ce 형광체를 이용한 백색 발광다이오드의 경우에 있어서는 색온도가 6000 ~ 8000K에 불과하였다. 또한, 연색성지수(CRI)는 태양광을 사물에 조사했을 때와 기타 인공적으로 제작한 조명을 조사했을 때 사물의 색깔이 달라지는 정도를 나타내며, 사물의 색깔이 태양광에서와 같을때 CRI 값을 100으로 정의한다. 즉, 연색성지수(CRI)는 인공조명하에서 사물의 색상이 태양광을 조사했을 때와의 색상과 얼마나 근접한지를 나타내는 지수로서 0 ~ 100까지의 수치를 갖는다.
다시 말해서, CRI가 100에 접근하는 백색광원일수록 태양광 아래서 인간의 눈이 인식하는 사물의 색상과 별반 차이가 없는 색상을 느끼게 되는 것이다.
현재 백열전구의 CRI는 80이상이고 형광램프는 75이상인데 비하여 상용화된 백색 LED의 CRI는 대략 70 ~ 75 정도를 나타낸다.
따라서, 종래의 YAG:Ce 형광체를 이용한 백색 LED는 색온도와 연색성지수가 다소 낮은 문제점이 있다.
또한, YAG:Ce 형광체만을 이용하기 때문에 색좌표 및 색온도, 연색성지수의 제어가 어려운 문제점이 있다.
이와 같이, 형광체를 사용하는 발광 다이오드와 관련하여, 한국 공개 특허 공보 10-2005-0098462 등이 공개되어 있다.
실시예는 용이하게 제조되고, 향상된 신뢰성 및 내구성을 가지는 발광 소자 패키지를 제공하고자 한다.
일 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 캐비티가 형성되는 몸체부; 상기 캐비티 내에 배치되는 발광 칩; 상기 캐비티를 덮는 커버부; 및 상기 커버부의 하면에 배치되고, 상기 발광 칩과 이격되는 광 변환부를 포함한다.
일 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 발광 칩; 상기 발광 칩 상에 배치되는 열 전달층; 상기 열 전달층 상에 배치되고, 상기 열 전달층보다 더 낮은 열 전도율을 가지는 단열층; 상기 단열층 상에 배치되는 광 변환부; 및 상기 열 전달층에 연결되는 방열부를 포함한다.
일 실시에에 따른 발광 소자 패키지는 발광 칩; 상기 발광 칩 상에 배치되는 제 1 열 전달층; 상기 제 1 열 전달층 상에 배치되는 제 1 단열층; 상기 제 1 단열층 상에 배치되는 제 2 열 전달층; 상기 제 2 열 전달층 상에 배치되는 제 2 단열층; 및 상기 제 2 단열층 상에 배치되는 광 변환부를 포함한다.
실시예에 따른 발광 소자 패키지는 상기 광 변환부를 상기 커버부 하면에 배치시킨다. 또한, 상기 광 변환부는 상기 발광 칩과는 이격된다. 즉, 상기 광 변환부가 상기 커버부의 하면에 배치된 후, 상기 커버부가 상기 몸체부에 접착될 수 있다.
즉, 상기 광 변환부는 상기 몸체부에 직접 형성되지 않고, 상기 커버부에 형성된다. 이때, 상기 커버부의 하면은 평평할 수 있고, 상기 광 변환부는 평평한 면에 용이하게 형성될 수 있다. 예를 들어, 투명한 플레이트에 상기 광 변환부가 프린팅되고, 상기 투명한 플레이트는 다수 개의 커버부들로 절단될 수 있다. 이와 같이 형성된 커버부는 상기 몸체부에 접착될 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 상기 캐비티에 상기 광 변환부를 주입하는 공정을 적용하지 않아도 용이하게 형성될 수 있다.
또한, 상기 광 변환부 및 상기 발광 칩이 서로 이격되므로, 상기 발광 칩으로부터 발생되는 열이 상기 광 변환부으로 전달되는 것이 억제될 수 있다. 특히, 상기 발광 칩에 의해서, 발생되는 열은 상기 열 전달층 및 상기 단열층에 의해서, 측방으로 방출될 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 열에 의해서, 상기 광 변환부가 변성되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 향상된 신뢰성 및 내구성을 가질 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 3 및 도 4는 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 제조하는 과정을 도시한 도면들이다.
도 5는 제 2 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 도시한 사시도이다.
도 6는 도 5에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 7은 제 3 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 일 단면을 도시한 단면도이다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 층, 막 또는 전극 등이 각 기판, 층, 막, 또는 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 도시한 사시도이다. 도 2는 도 1에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 실시예에 따른 발광다이오드 패키지는 몸체부(100), 리드 전극들(210, 220), 발광 칩(300), 광 변환부(400) 및 커버부(500)를 포함한다.
상기 몸체부(100)는 에폭시 또는 폴리프탈아미드(polyphthalamide;PPA)와 같은 수지 재질, 세라믹 재질, 액정 폴리머(LCP), SPS(Syndiotactic), PPS(Poly(phenylene ether)), 실리콘 재질 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 다만, 상기 몸체부(100)의 재질에 대해 한정하지는 않는다.
상기 몸체부(100)는 상부가 개방된 캐비티(C)를 포함한다. 상기 캐비티(C)는 상기 몸체부(100)에 대해 패터닝, 펀칭, 절단 공정 또는 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있다. 또한, 상기 캐비티(C)는 상기 몸체부(100)의 성형시 캐비티(C) 형태를 본뜬 금속 틀에 의해 형성될 수 있다.
상기 캐비티(C)의 형상은 컵 형상, 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있으며, 그 표면은 원형 형상, 다각형 형상, 또는 랜덤한 형상 등으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 캐비티(C)의 내측면은 따른 발광다이오드의 배광 각도를 고려하여 상기 캐비티(C)의 바닥면에 대해 수직하거나 경사진 면으로 형성될 수 있다.
상기 몸체부(100)는 베이스부(110) 및 외벽(120)을 포함한다.
상기 베이스부(110)는 상기 외벽(120)을 지지한다. 또한, 상기 베이스부(110)는 상기 리드 전극들(210, 220)을 지지한다. 상기 베이스부(110)는 예를 들어, 직육면체 형상을 가질 수 있다.
상기 외벽(120)은 상기 베이스부(110) 상에 배치된다. 상기 외벽(120)에 의해서, 상기 캐비티(C)가 정의된다. 즉, 상기 캐비티(C)는 상기 외벽(120)에 형성된 홈이다. 상기 외벽(120)은 상기 캐비티(C)의 주위를 둘러싼다. 상기 외벽(120)은 탑측에서 보았을 때, 폐루프(closed loop) 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 외벽(120)은 상기 캐비티(C)를 둘러싸는 벽 형상을 가질 수 있다.
상기 외벽(120)은 상면, 외측면 및 내측면을 포함한다. 상기 내측면은 상기 상면에 대하여 경사지는 경사면이다.
상기 캐비티(C)의 내측면에는 반사층이 형성될 수 있다. 즉, 상기 외벽(120)의 내측면에 반사 효과가 높은 물질, 예를 들어 백색의 PSR(Photo Solder Resist) 잉크, 은(Ag), 알루미늄(Al) 등이 코팅 또는 도포될 수 있으며, 이에 따라 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 발광 효율이 향상될 수 있다.
상기 리드 전극들(210, 220)은 상기 몸체부(100)와 일체화되어 형성될 수 있다. 더 자세하게, 하나의 몸체부에 두 개의 리드 전극들(210, 220)이 구비될 수 있다. 상기 리드 전극들(210, 220)은 리드 프레임으로 구현될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 리드 전극들(210, 220)은 상기 몸체부(100) 내에 배치되며, 상기 리드 전극들(210, 220)은 상기 캐비티(C)의 바닥면에 전기적으로 이격되게 배치될 수 있다. 상기 리드 전극들(210, 220)의 외측부는 상기 몸체(100)의 외측에 노출될 수 있다. 더 자세하게, 상기 리드 전극들(210, 220)은 상기 베이스부(110)에 구비된다.
상기 리드 전극들(210, 220)의 끝단은 상기 캐비티(C)의 일 측면 또는 캐비티(C) 반대측에 배치될 수 있다.
상기 리드 전극들(210, 220)은 리드 프레임으로 이루어질 수 있으며, 상기 리드 프레임은 상기 몸체부(100)의 사출 성형시 형성될 수 있다. 상기 리드 전극들(210, 220)은 예를 들어, 제 1 리드 전극(210) 및 제 2 리드 전극(220)일 수 있다.
상기 제 1 리드 전극(210) 및 상기 제 2 리드 전극(220)은 서로 이격된다. 상기 제 1 리드 전극(210) 및 상기 제 2 리드 전극(220)은 상기 발광 칩(300)에 전기적으로 연결된다.
상기 발광 칩(300)은 상기 캐비티(C) 내측에 배치된다. 상기 발광 칩(300)은 광을 발생시키는 발광부이다. 더 자세하게, 상기 발광 칩(300)은 광을 발생시키는 발광다이오드 칩일 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 칩(300)은 유색 컬러의 발광다이오드 칩 또는 UV 발광다이오드 칩 등을 포함할 수 있다. 하나의 캐비티(C)에 각각 하나의 발광 칩(300)이 배치될 수 있다.
상기 발광 칩(300)은 수직형 발광다이오드 칩일 수 있다. 상기 발광 칩(300)은 도전기판, 반사층, 제 1 도전형 반도체층, 제 2 도전형 반도체층, 활성층 및 제 2 전극을 포함할 수 있다.
상기 도전기판은 도전체로 이루어진다. 상기 도전기판은 상기 반사층, 상기 제 1 도전형 반도체층, 상기 제 2 도전형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제 2 전극을 지지한다.
상기 도전기판은 상기 반사층을 통하여, 상기 제 1 도전형 반도체층에 접속된다. 즉, 상기 도전기판은 상기 제 1 도전형 반도체층에 전기적인 신호를 인가하기 위한 제 1 전극이다.
상기 반사층은 상기 도전기판 상에 배치된다. 상기 반사층은 상기 활성층으로부터 출사되는 광을 상방으로 반사시킨다. 또한, 상기 반사층은 도전층이다. 따라서, 상기 반사층은 상기 도전기판을 상기 제 1 도전형 반도체층에 연결시킨다. 상기 반사층으로 사용되는 물질의 예로서는 은 또는 알루미늄과 같은 금속 등을 들 수 있다.
상기 제 1 도전형 반도체층은 상기 반사층 상에 배치된다. 상기 제 1 도전형 반도체층은 제 1 도전형을 가진다. 상기 제 1 도전형 반도체층은 n형 반도체층일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 도전형 반도체층은 n형 GaN층 일 수 있다.
상기 제 2 도전형 반도체층은 상기 제 1 도전형 반도체층 상에 배치된다. 상기 제 2 도전형 반도체층은 상기 제 1 도전형 반도체층과 마주보며, p형 반도체층일 수 있다. 상기 제 2 도전형 반도체층은 예를 들어, p형 GaN층 일 수 있다.
상기 활성층은 상기 제 1 도전형 반도체층 및 상기 제 2 도전형 반도체층 사이에 개재된다. 상기 활성층은 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조를 갖는다. 상기 활성층은 InGaN 우물층 및 AlGaN 장벽층의 주기 또는 InGaN 우물층과 GaN 장벽층의 주기로 형성될 수 있으며, 이러한 활성층의 발광 재료는 발광 파장 예컨대, 청색 파장, 레드 파장, 녹색 파장 등에 따라 달라질 수 있다.
상기 제 2 전극은 상기 제 2 도전형 반도체층 상에 배치된다. 상기 제 2 전극은 상기 제 2 도전형 반도체층에 접속된다.
이와는 다르게, 상기 발광 칩(300)은 수평형 LED일 수 있다. 이때, 수평형 LED를 상기 제 1 리드 전극(210)에 접속시키기 위해서, 추가적인 배선이 필요할 수 있다.
상기 발광 칩(300)은 상기 제 1 리드 전극(210)에 범프 등에 의해서 접속되고, 상기 제 2 리드 전극(220)에는 와이어에 의해서 연결될 수 있다. 특히, 상기 발광 칩(300)은 상기 제 1 리드 전극(210) 상에 직접 배치될 수 있다.
또한, 이와 같은 접속 방식에 한정되지 않고, 상기 발광 칩(300)은 와이어 본딩, 다이 본딩, 또는 플립 본딩 방식 등에 의해서, 상기 리드 전극들(210, 220)에 연결될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 광 변환부(400)는 상기 캐비티(C) 내에 배치된다. 상기 광 변환부(400)는 상기 발광 칩(300) 상에 배치된다. 상기 광 변환부(400)는 상기 커버부(500) 아래에 배치된다. 상기 광 변환부(400)는 상기 커버부(500)의 하면에 배치된다. 상기 광 변환부(400)는 상기 커버부(500)의 하면에 직접 배치될 수 있다. 상기 광 변환부(400)는 상기 발광칩과 이격된다. 이에 따라서, 상기 광 변환부(400) 및 상기 발광칩 사이에는 공기층(430)이 존재한다.
상기 공기층(430)은 단열층 기능을 수행할 수 있다. 이에 따라서, 상기 발광 칩(300)에 의해서 발생되는 열이 상기 광 변환부(400)로 전달되는 현상이 억제될 수 있다. 이에 따라서, 실시예에 따른 발광다이오드 패키지는 상기 발광 칩(300)에서 발생되는 열에 의한 상기 광 변환부(400)의 변성을 억제할 수 있다.
상기 광 변환부(400)는 상기 발광 칩(300)으로부터 출사되는 광의 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 발광 칩(300)이 청색 광을 발생시키는 경우, 상기 광 변환부(400)는 상기 청색 광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환부(400)는 상기 청색 광을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광 및 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
또한, 상기 발광 칩(300)이 자외선을 발생시키는 경우, 상기 광 변환부(400)는 상기 자외선을 청색 광, 녹색 광 또는 적색 광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환부(400)는 상기 자외선의 일부를 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색 광으로 변환시키고, 상기 자외선의 다른 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 자외선의 또 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
이에 따라서, 변환되지 않고 상기 광 변환부(400)를 통과하는 광 및 상기 광 변환부(400)에 의해서 변환된 광들은 백색광을 형성할 수 있다. 즉, 청색광, 녹색 광 및 적색 광이 조합되어, 실시예에 따른 발광다이오드 패키지는 상방으로 백색 광을 출사할 수 있다.
이와는 다르게, 실시예에 따른 발광다이오드는 적색 광만 출사하거나, 녹색 광만 출사할 수 있다.
더 자세하게, 상기 광 변환부(400)는 호스트(410) 및 다수 개의 광 변환 입자들(420)을 포함한다.
상기 호스트(410)는 상기 커버부(500)의 하면에 배치된다. 더 자세하게, 상기 호스트(410)는 상기 커버부(500)의 하면에 밀착될 수 있다. 상기 호스트(410)층로 사용되는 물질의 예로서는 실리콘계 수지 등을 들 수 있다.
상기 광 변환 입자들(420)은 상기 호스트(410) 내에 배치된다. 더 자세하게, 상기 파자 변환 입자들은 상기 호스트(410) 내에 균일하게 분산될 수 있다.
상기 광 변환 입자들(420)은 입사광의 파장을 변환시킨다. 더 자세하게, 상기 광 변환 입자들(420)은 상기 발광 칩(300)으로부터 출사되는 광의 파장을 변환시킬 수 있다.
예를 들어, 상기 광 변환 입자들(420)은 상기 발광 칩(300)으로부터 출사되는 청색광을 녹색광 또는 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 입자들(420) 중 일부는 상기 청색 광을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색 광으로 변환시키고, 상기 광 변환 입자들(420) 중 다른 일부는 상기 청색광을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색 광으로 변환시킬 수 있다.
이와는 다르게, 상기 광 변환 입자들(420)은 상기 발광 칩(300)으로부터 출사되는 자외선을 청색 광, 녹색 광 또는 적색 광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 입자들(420) 중 일부는 상기 자외선을 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색 광으로 변환시키고, 상기 광 변환 입자들(420) 중 다른 일부는 상기 자외선을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색 광으로 변환시킬 수 있다. 또한, 상기 광 변환 입자들(420) 중 또 다른 일부는 상기 자외선을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색 광으로 변환시킬 수 있다.
상기 광 변환 입자들(420)은 양자점일 수 있다.
상기 양자점은 코어 나노 결정 및 상기 코어 나노 결정을 둘러싸는 껍질 나노 결정을 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정에 결합되는 유기 리간드를 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정을 둘러싸는 유기 코팅층을 포함할 수 있다.
상기 껍질 나노 결정은 두 층 이상으로 형성될 수 있다. 상기 껍질 나노 결정은 상기 코어 나노 결정의 표면에 형성된다. 상기 양자점은 상기 코어 나오 결정으로 입광되는 빛의 파장을 껍질층을 형성하는 상기 껍질 나노 결정을 통해서 파장을 길게 변환시키고 빛의 효율을 증가시길 수 있다.
상기 양자점은 Ⅱ족 화합물 반도체, Ⅲ족 화합물 반도체, Ⅴ족 화합물 반도체 그리고 VI족 화합물 반도체 중에서 적어도 한가지 물질을 포함할 수 있다. 보다 상세하게, 상기 코어 나노 결정은 Cdse, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 또한, 상기 껍질 나노 결정은 CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 상기 양자점의 지름은 1 nm 내지 10 nm일 수 있다.
상기 양자점에서 방출되는 빛의 파장은 상기 양자점의 크기 또는 합성 과정에서의 분자 클러스터 화합물(molecular cluster compound)와 나노입자 전구체 (precurser)의 몰분율 (molar ratio)에 따라 조절이 가능하다. 상기 유기 리간드는 피리딘(pyridine), 메르캅토 알콜(mercapto alcohol), 티올(thiol), 포스핀(phosphine) 및 포스핀 산화물(phosphine oxide) 등을 포함할 수 있다. 상기 유기 리간드는 합성 후 불안정한 양자점을 안정화시키는 역할을 한다. 합성 후에 댕글링 본드(dangling bond)가 외곽에 형성되며, 상기 댕글링 본드 때문에, 상기 양자점이 불안정해 질 수도 있다. 그러나, 상기 유기 리간드의 한 쪽 끝은 비결합 상태이고, 상기 비결합된 유기 리간드의 한 쪽 끝이 댕글링 본드와 결합해서, 상기 양자점을 안정화 시킬 수 있다.
특히, 상기 양자점은 그 크기가 빛, 전기 등에 의해 여기되는 전자와 정공이 이루는 엑시톤(exciton)의 보어 반경(Bohr raidus)보다 작게 되면 양자구속효과가 발생하여 띄엄띄엄한 에너지 준위를 가지게 되며 에너지 갭의 크기가 변화하게 된다. 또한, 전하가 양자점 내에 국한되어 높은 발광효율을 가지게 된다.
이러한 상기 양자점은 일반적 형광 염료와 달리 입자의 크기에 따라 형광파장이 달라진다. 즉, 입자의 크기가 작아질수록 짧은 파장의 빛을 내며, 입자의 크기를 조절하여 원하는 파장의 가시광선영역의 형광을 낼 수 있다. 또한, 일반적 염료에 비해 흡광계수(extinction coefficient)가 100~1000배 크고 양자효율(quantum yield)도 높으므로 매우 센 형광을 발생한다.
상기 양자점은 화학적 습식방법에 의해 합성될 수 있다. 여기에서, 화학적 습식방법은 유기용매에 전구체 물질을 넣어 입자를 성장시키는 방법으로서, 화학적 습식방법에 의해서, 상기 양자점이 합성될 수 있다.
상기 커버부(500)는 상기 광 변환부(400)를 덮는다. 또한, 상기 커버부(500)는 상기 몸체부(100)를 덮는다. 더 자세하게, 상기 커버부(500)는 상기 외벽(120)의 상면을 덮을 수 있다. 즉, 상기 커버부(500)는 상기 캐비티(C)의 입구를 덮는다. 즉, 상기 커버부(500)는 상기 캐비티(C)의 내부를 밀봉한다.
상기 커버부(500)는 상기 몸체부(100)에 접착된다. 더 자세하게, 상기 커버부(500) 및 상기 몸체부(100) 상에 접착층(510)이 개재되고, 상기 접착층(510)에 의해서, 상기 커버부(500)는 상기 몸체부(100)에 접착된다. 상기 커버부(500)는 상기 외벽(120)의 상면에 접착될 수 있다.
상기 커버부(500)의 두께는 약 0.7㎜ 내지 약 2.0㎜일 수 있다.
상기 커버부(500)는 투명하다. 상기 커버부(500)는 플레이트 형상을 가질 수 있다. 이와는 다르게, 상기 커버부(500)는 렌즈 형상을 가질 수 있다. 상기 커버부(500)로 사용되는 물질의 예로서는 유리 또는 플라스틱 등을 들 수 있다.
상기 커버부(500)는 유리로 형성되는 경우, 상기 커버부(500)는 상기 광 변환 입자들(420)을 산소 및/또는 습기로부터 상기 광 변환 입자들(420)을 효과적으로 보호할 수 있다.
상기 커버부(500)는 상기 광 변환부(400)를 물리적 및/또는 화학적인 충격으로부터 보호한다. 더 자세하게, 상기 커버부(500)는 상기 광 변환부(400)의 상면, 하면 및 측면으로 습기 및/또는 산소 등이 침투하는 것을 방지할 수 있다.
이에 따라서, 상기 커버부(500)는 상기 광 변환 입자들(420)이 습기 및/또는 산소 등에 의해서 변성되는 현상을 방지하고, 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 신뢰성 및 내구성을 향상시킬 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 상기 광 변환부(400)를 상기 커버부(500) 하면에 배치시킨다. 또한, 상기 광 변환부(400)는 상기 발광 칩(300)과는 이격된다. 즉, 상기 광 변환부(400)가 상기 커버부(500)의 하면에 배치된 후, 상기 커버부(500)가 상기 몸체부(100)에 접착될 수 있다.
즉, 상기 광 변환부(400)는 상기 몸체부(100)에 직접 형성되지 않고, 상기 커버부(500)에 형성된다. 이때, 상기 커버부(500)의 하면은 평평할 수 있고, 상기 광 변환부(400)는 평평한 면에 용이하게 형성될 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 상기 캐비티(C)에 상기 광 변환부(400)를 주입하는 공정을 적용하지 않아도 용이하게 형성될 수 있다.
또한, 상기 광 변환부(400) 및 상기 발광 칩(300)이 서로 이격되므로, 상기 발광 칩(300)으로부터 발생되는 열이 상기 광 변환부(400)으로 전달되는 것이 억제될 수 있다. 특히, 상기 발광 칩(300)에 의해서, 발생되는 열은 상기 단열층에 의해서, 측방으로 방출될 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 열에 의해서, 상기 광 변환부(400)가 변성되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 향상된 신뢰성 및 내구성을 가질 수 있다.
도 3 및 도 4는 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 제조하는 과정을 도시한 도면들이다. 본 실시예에 따른 제조방법에 있어서, 앞서 설명한 발광다이오드 패키지에 대한 설명을 참조한다. 즉, 앞선 발광다이오드 패키지에 대한 설명은 본 제조방법에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.
도 3을 참조하면, 커버부(500) 및 광 변환부(400)가 형성된다. 상기 커버부(500) 상에 다수 개의 광 변환 입자들(420)이 포함된 수지 조성물이 코팅되고, 상기 코팅된 수지 조성물이 경화되어, 상기 광 변환부(400)가 형성된다.
상기 커버부(500)는 다수 개가 한꺼번에 형성될 수 있다. 예를 들어, 투명한 기판 상에 광 변환부(400)가 다수 개 코팅되고, 상기 투명한 기판이 절단되어, 다수 개의 커버부(500)들이 형성될 수 있다.
도 4를 참조하면, 몸체부(100) 및 다수 개의 리드 전극들(210, 220)이 형성된다. 상기 몸체부(100)는 이중 사출 공정에 의해서 형성될 수 있다. 이후, 상기 몸체부(100) 내에 발광 칩(300)이 실장된다. 상기 발광 칩(300)은 와이어에 의해서, 상기 리드 전극들에 연결될 수 있다.
이후, 상기 몸체부(100)의 상면에 접착층(510)이 형성된다. 상기 접착층(510)은 상기 몸체부(100)의 외벽(120)의 상면에 코팅될 수 있다.
이후, 상기 몸체부(100)에 상기 커버부(500)가 접착된다. 상기 커버부(500)는 상기 몸체부(100)의 캐비티(C)를 덮고, 상기 캐비티(C)를 밀봉하도록 접착된다.
이에 따라서, 실시예에 따른 발광다이오드 패키지가 제조될 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 상기 광 변환부(400)는 상기 몸체부(100)에 직접 형성되지 않고, 상기 커버부(500)에 형성된다. 이때, 상기 커버부(500)의 하면은 평평할 수 있고, 상기 광 변환부(400)는 평평한 면에 용이하게 형성될 수 있다. 투명한 기판에 상기 광 변환부(400)가 프린팅되고, 상기 투명한 플레이트는 다수 개의 커버부(500)들로 절단될 수 있다. 이와 같이 형성된 커버부(500)는 상기 몸체부(100)에 접착될 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 상기 캐비티(C)에 상기 광 변환부(400)를 주입하는 공정을 적용하지 않아도 용이하게 형성될 수 있다.
도 5는 제 2 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 도시한 사시도이다. 도 6는 도 5에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 본 실시예들에 대한 설명에서 있어서, 앞서 설명한 발광다이오드 패키지 및 이의 제조방법을 참조한다. 즉, 앞선 발광다이오드 패키지 및 제조방법에 대한 설명은 본 실시예에들 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.
도 6을 참조하면, 실시예에 따른 발광다이오드 패키지는 열 전달층(440) 및 방열부(600)를 포함한다.
상기 열 전달층(440)은 상기 캐비티(C) 내에 배치된다. 상기 열 전달층(440)은 광 변환부(400) 및 상기 발광칩 사이에 배치된다. 더 자세하게, 상기 열 전달층(440)은 공기층(430) 및 발광 칩(300) 사이에 배치된다. 즉, 상기 열 전달층(440)은 단열층 및 상기 발광 칩(300) 사이에 배치된다.
상기 열 전달층(440)은 상기 발광 칩(300)과 직접 접촉될 수 있다. 상기 열 전달층(440)은 상기 발광 칩(300)에서 발생되는 열을 상기 방열부(600)로 전달할 수 있다. 상기 열 전달층(440)은 투명하고, 높은 열 전도율을 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 열 전달층(440)은 상기 공기층(130)보다 더 높은 열 전도율을 가진다.
상기 열 전달층(440)으로 사용되는 물질의 예로서는 투명한 폴리머 등을 들 수 있다. 이때, 상기 열 전달층(440)은 높은 열 전도율을 가지는 입자들을 포함할 수 있다. 즉, 상기 열 전달층(440)은 금속 또는 금속 화합물 입자들을 포함할 수 있다.
상기 열 전달층(440)은 상기 광 변환부(400)와 이격된다. 이에 따라서, 상기 열 전달층(440) 및 상기 광 변환부(400) 사이에 상기 공기층(430)이 형성된다.
상기 외벽(120)의 내측면에는 반사층(130)이 형성된다. 상기 반사층(130)은 높은 반사율을 가진다. 상기 반사층(130)으로 금속 등이 사용될 수 있다. 또한, 상기 반사층(130)은 백색 도료층일 수 있다.
상기 방열부(600)는 상기 열 전달층(440)에 연결된다. 더 자세하게, 상기 방열부(600)는 상기 반사층(130)을 통하여, 상기 열 전달층(440)에 연결될 수 있다. 이와는 다르게, 상기 방열부(600)는 상기 열 전달층(440)에 직접 연결될 수 있다. 상기 방열부(600)는 상기 열 전달층(440)으로부터 전달되는 열을 외부로 방출한다. 상기 방열부(600)는 높은 열 전도율을 가지는 물질로 형성될 수 있다. 상기 방열부(600)는 알루미늄 또는 구리 등과 같은 금속을 포함할 수 있다.
상기 방열부(600)는 상기 외벽(120)을 관통할 수 있다. 즉, 상기 방열부(600)는 상기 캐비티(C) 내로부터, 상기 외벽(120)을 관통하여, 상기 몸체부(100) 외측으로 연장될 수 있다. 상기 방열부(600)의 일부는 상기 몸체부(100)의 외부에 노출된다.
상기 방열부(600)는 상기 베이스부(110)를 관통할 수 있다. 즉, 상기 방열부(600)는 상기 캐비티(C)의 바닥면으로부터 하방으로 연장되어, 상기 몸체부(100)의 외부에 노출될 수 있다.
이와 같이, 상기 발광 칩(300)으로부터 상방으로 발산되는 열은 상기 열 전달층(440) 및 상기 방열부(600)에 의해서, 측방으로 방출될 수 있다.
따라서, 본 실시예에 따른 발광다이오드 패키지는 상기 발광 칩(300)으로부터 발생되는 열로부터 광 변환 입자들(420)을 효과적으로 보호할 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 발광다이오드 패키지는 향상된 신뢰성 및 내구성을 가질 수 있다.
도 7은 제 3 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 일 단면을 도시한 단면도이다. 본 실시예들에 대한 설명에서 있어서, 앞서 설명한 발광다이오드 패키지 및 이의 제조방법을 참조한다. 즉, 앞선 발광다이오드 패키지 및 제조방법에 대한 설명은 본 실시예에들 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.
도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 발광다이오드 패키지는 제 1 열 전달층(440), 제 1 단열층(450), 제 2 열 전달층(460), 제 2 단열층(430) 및 보호막(470)을 포함한다.
상기 제 1 열 전달층(440)은 캐비티(C) 내에 배치된다. 상기 제 1 열 전달층(440)은 발광 칩(300)을 덮는다. 상기 제 1 열 전달층(440)은 상기 캐비티(C)의 바닥면에 배치된다. 상기 제 1 열 전달층(440)은 높은 열 전도율을 가진다. 상기 제 1 열 전달층(440)은 상기 제 1 단열층(450) 및 상기 제 2 단열층(430)보다 더 높은 열 전도율을 가질 수 있다.
상기 제 1 열 전달층(440)으로 사용되는 물질의 예로서는 투명한 폴리머 등을 들 수 있다. 이때, 상기 제 1 열 전달층(440)은 높은 열 전도율을 가지는 입자들을 포함할 수 있다. 즉, 상기 제 1 열 전달층(440)은 금속 또는 금속 화합물 입자들을 포함할 수 있다.
상기 제 1 단열층(450)은 상기 제 1 열 전달층(440) 상에 배치된다. 상기 제 1 단열층(450)은 상기 제 1 열 전달층(440)에 직접 접촉될 수 있다. 상기 제 1 단열층(450)은 낮은 열 전도율을 가진다. 상기 제1 단열층은 상기 제 1 열 전달층(440) 및 상기 제 2 열 전달층(460)보다 더 낮은 열 전도율을 가진다.
상기 제 1 단열층(450)으로 사용되는 물질의 예로서는 실리콘계 수지 또는 에폭시계 수지 등과 같은 투명한 폴리머 등을 들 수 있다. 상기 제 1 단열층(450)으로 낮은 열 전도율을 가지는 폴리머가 사용될 수 있다. 또한, 상기 제 1 단열층(450)은 다수 개의 기포들을 포함할 수 있다. 상기 기포들에 의해서, 상기 제 1 단열층(450)은 낮은 열 전도율을 가질 수 있다.
상기 제 2 열 전달층(460)은 상기 제 1 단열층(450) 상에 배치된다. 상기 제 2 열 전달층(460)은 상기 제 1 단열층(450)의 상면에 직접 배치될 수 있다. 상기 제 2 열 전달층(460)은 높은 열 전도율을 가진다. 예를 들어, 상기 제 2 열 전달층(460)은 상기 제 1 단열층(450) 및 상기 제 2 단열층(430)보다 더 높은 열 전도율을 가진다.
상기 제 2 열 전달층(460)으로 사용되는 물질의 예로서는 투명한 폴리머 등을 들 수 있다. 이때, 상기 제 2 열 전달층(460)은 높은 열 전도율을 가지는 입자들을 포함할 수 있다. 즉, 상기 제 2 열 전달층(460)은 금속 또는 금속 화합물 입자들을 포함할 수 있다.
상기 제 2 단열층(430)은 상기 제 2 열 전달층(460) 상에 배치된다. 상기 제 2 단열층(430)은 낮은 열 전도율을 가진다. 상기 제 2 단열층(430)은 공기층(430)이다. 이에 따라서, 상기 제 2 단열층(430)은 상기 제 1 열 전달층(440) 및 상기 제 2 열 전달층(460)보다 훨씬 낮은 열 전도율을 가질 수 있다.
이와 같이, 상기 다수 개의 열 전달층들(440, 460) 및 다수 개의 단열층들(430, 460)이 번갈아 배치된다. 도면에서는 두 개의 열 전달층들(440, 460) 및 두 개의 단열층들(430, 450)이 도시되어 있지만, 이에 한정되지 않고, 더 많은 수의 열 전달층들 및 단열층들이 번갈아 배치될 수 있다. 예를 들어, 실시예에 따른 발광다이오드 패키지는 상기 제 2 단열층(430) 및 상기 제 2 열 전달층(460) 사이에 제 3 단열층이 배치되고, 상기 제 2 단열층(430) 및 상기 제 3 단열층 사이에 제 3 열 전달층이 배치될 수 있다.
또한, 방열부(600)는 상기 제 1 열 전달층(440) 및 상기 제 2 열 전달층(460)에 연결된다. 이에 따라서, 상기 방열부(600)는 상기 제 1 열 전달층(440) 및 상기 제 2 열 전달층(460)으로부터의 열을 외부로 방출할 수 있다.
또한, 상기 방열부(600)는 다수 개이고, 상기 방열부(600)들 중 하나는 상기 제 1 열 전달층(440)에 대응해서 배치될 수 있다. 즉, 상기 제 1 열 전달층(440)은 대응하는 방열부(600)에 주로 열을 전달할 수 있다. 또한, 상기 방열부(600)들 중 다른 하나는 상기 제 2 열 전달층(460)에 대응하여 배치될 수 있다. 즉, 상기 제 2 열 전달층(460)은 대응하는 방열부(600)에 주로 열을 전달할 수 있다.
특히, 상기 열 전달층들 및 상기 단열층들이 번갈아 배치되고, 상기 방열부(600)는 외벽(120)에 배치되기 때문에, 상기 발광 칩(300)으로부터 발생되는 열은 측방으로 흐를 수 있다.
이에 따라서, 본 실시예에 따른 발광다이오드 패키지는 광 변환 입자들(420)이 열에 의해서 변성되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 보호막(470)은 상기 광 변환부(400)를 덮는다. 또한, 상기 보호막(470)은 상기 광 변환부(400) 아래에 배치된다. 상기 보호막(470)은 상기 광 변환부(400)의 하면 및 측면에 배치된다. 또한, 상기 보호막(470)은 커버부(500)의 하면에 배치된다. 상기 보호막(470)은 상기 커버부(500)의 하면에 직접 접촉될 수 있다.
또한, 상기 보호막(470)은 무기 물질을 포함할 수 있다. 상기 보호막(470)으로 실리콘 옥사이드 등과 같은 투명한 무기 물질이 사용될 수 있다. 또한, 상기 커버부(500)는 유리를 포함할 수 있다. 이에 따라서, 상기 보호막(470) 및 상기 커버부(500)의 밀착력은 더 향상될 수 있다.
이와 같이, 상기 보호막(470)은 상기 광 변환부(400)를 밀폐시킬 수 있다. 즉, 상기 보호막(470)은 상기 커버부(500)에 직접 접촉되고, 상기 커버부(500)와 함께 상기 광 변환부(400)를 샌드위치한다. 이에 따라서, 상기 보호막(470) 및 상기 커버부(500)는 상기 광 변환부(400)를 효과적으로 밀봉할 수 있다.
따라서, 상기 커버부(500) 및 상기 보호막(470)은 상기 광 변환부(400)에 포함된 광 변환 입자들(420)이 외부의 습기 및/또는 산소 등에 의해서 변성되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 발광다이오드 패키지는 향상된 신뢰성 및 내구성을 가질 수 있다.
또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (20)

  1. 캐비티가 형성되는 몸체부;
    상기 캐비티 내에 배치되는 발광 칩;
    상기 캐비티를 덮는 커버부;
    상기 커버부의 하면에 배치되고, 상기 발광 칩과 이격되는 광 변환부; 및
    상기 발광 칩 및 상기 광 변환부 사이에 개재되는 단열층을 포함하는 발광 소자 패키지.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 광 변환부는 상기 커버부의 하면에 직접 접촉되는 발광 소자 패키지.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 광 변환부는 상기 커버부의 하면에 직접 접촉되는 호스트; 및
    상기 호스트 내에 배치되는 다수 개의 광 변환 입자들을 포함하는 발광 소자 패키지.
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 단열층 및 상기 발광 칩 사이에 개재되고, 상기 단열층보다 더 높은 열 전도율을 가지는 열 전달층을 포함하는 발광 소자 패키지.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 커버부의 하면, 상기 광 변환부의 측면 및 상기 광 변환부의 하면에 배치되는 보호막을 포함하는 발광 소자 패키지.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 보호막은 상기 커버부와 직접 접촉되는 발광 소자 패키지.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 커버부 및 상기 보호막은 무기 물질을 포함하는 발광 소자 패키지.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 커버부 및 상기 몸체부 사이에 개재되고, 상기 커버부 및 상기 몸체부에 접착되는 접착층을 포함하는 발광 소자 패키지.
  10. 발광 칩;
    상기 발광 칩 상에 배치되는 열 전달층;
    상기 열 전달층 상에 배치되고, 상기 열 전달층보다 더 낮은 열 전도율을 가지는 단열층;
    상기 단열층 상에 배치되는 광 변환부; 및
    상기 열 전달층에 연결되는 방열부를 포함하는 발광 소자 패키지.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 단열층은 공기층을 포함하는 발광 소자 패키지.
  12. 제 10 항에 있어서, 상기 열 전달층은 투명한 폴리머 및 상기 폴리머 내에 배치되는 다수 개의 금속 입자들 또는 금속 화합물 입자들을 포함하는 발광 소자 패키지.
  13. 제 10 항에 있어서, 상기 발광 칩 및 상기 열 전달층을 수용하는 몸체부를 포함하고,
    상기 몸체부는
    상기 발광 칩 아래에 배치되는 베이스부; 및
    상기 베이스부로부터 상방으로 연장되고, 상기 열 전달층의 주위를 둘러싸는 외벽을 포함하고,
    상기 방열부는 상기 외벽을 관통하는 발광 소자 패키지.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 외벽의 내면에 배치되는 반사층을 포함하고,
    상기 방열부는 상기 반사층을 통하여, 상기 열 전달층에 연결되는 발광 소자 패키지.
  15. 제 10 항에 있어서, 상기 광 변환부 상에 배치되는 커버부를 포함하고,
    상기 단열층은 상기 광 변환부의 하면, 상기 광 변환부의 측면 및 상기 커버부의 하면에 배치되는 발광 소자 패키지.
  16. 발광 칩;
    상기 발광 칩 상에 배치되는 제 1 열 전달층;
    상기 제 1 열 전달층 상에 배치되는 제 1 단열층;
    상기 제 1 단열층 상에 배치되는 제 2 열 전달층;
    상기 제 2 열 전달층 상에 배치되는 제 2 단열층; 및
    상기 제 2 단열층 상에 배치되는 광 변환부를 포함하는 발광 소자 패키지.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 제 2 단열층 및 상기 광 변환부 사이에 개재되는 제 3 열 전달층; 및
    상기 제 3 열 전달층 및 상기 광 변환부 사이에 개재되는 제 3 단열층을 포함하는 발광 소자 패키지.
  18. 제 16 항에 있어서, 상기 제 1 단열층 또는 상기 제 2 단열층은 공기층을 포함하는 발광 소자 패키지.
  19. 제 16 항에 있어서, 상기 제 1 열 전달층 및 상기 제 2 열 전달층에 연결되는 방열부를 포함하는 발광 소자 패키지.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 제 1 열 전달층, 상기 제 1 단열층, 상기 제 2 열 전달층 및 상기 제 2 단열층의 측면에 배치되는 반사층을 포함하고,
    상기 제 1 열 전달층 및 상기 제 2 열 전달층은 상기 반사층을 통하여 상기 방열부에 연결되는 발광 소자 패키지.
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