TWI636589B - 發光二極體模組及其製作方法 - Google Patents

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丁紹瀅
Shao-Ying Ting
黃冠傑
Kuan-Chieh Huang
黃靖恩
Jing-En Huang
黃逸儒
Yi-Ru Huang
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新世紀光電股份有限公司
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Abstract

一種發光二極體模組，包括一發光二極體封裝結構、一承載座以及一絕緣膠體。發光二極體封裝結構包括至少一發光單元、一第一封裝膠體以及一第一透光板。第一封裝膠體包覆部分發光單元。第一透光板設置於第一封裝膠體相對於發光單元的一側。發光二極體封裝結構設置於承載座上並與承載座電性連接。絕緣膠體配置於發光二極體封裝結構靠近承載座的一表面上以及與表面相鄰的一側表面上。

Description

發光二極體模組及其製作方法
本發明關於一種發光二極體模組及其製作方法，尤指一種可實現無封裝基板之封裝的發光二極體模組及其製作方法。
請參閱圖1，圖1為先前技術之發光二極體封裝結構1的示意圖。如圖1所示，發光二極體封裝結構1包含一封裝基板10、一發光二極體晶片12以及一封裝膠體14。發光二極體晶片12設置於封裝基板10上，且封裝膠體14點膠於封裝基板10與發光二極體晶片12上，以對發光二極體晶片12進行封裝，也就是說，發光二極體晶片12是位於封裝基板10與封裝膠體14之間。由於發光二極體晶片12需先設置於封裝基板10上才能進行封裝，製作較為不便，使得產能無法提升。
此外，一般將無封裝的發光二極體晶片與含電路結構的承載座或是電路板相連接時，發光二極體晶片的側底部，尤其是發光二極體晶片與含電路結構的承載座或電路板相連接的金屬部分通常會暴露在外，而易於與空氣或水氣直接接觸。因此，發光二極體晶片容易發生短路或是氧化，而導致良率不佳。
本發明提供一種可實現無封裝基板之封裝的發光二極體模組，其不易發生氧化且不易短路。
本發明提供一種可實現無封裝基板之封裝的發光二極體模組的製作方法，其製作的發光二極體模組不易發生氧化且不易短路。
本發明的一實施例提出一種發光二極體模組，包括發光二極體封裝結構、承載座以及絕緣膠體。發光二極體封裝結構包括至少一發光單元、第一封裝膠體以及第一透光板。第一封裝膠體包覆部分發光單元。第一透光板設置於第一封裝膠體相對於發光單元的一側。發光二極體封裝結構設置於承載座上並與承載座電性連接。絕緣膠體配置於發光二極體封裝結構靠近承載座的表面上以及與表面相鄰的側表面上。
本發明的一實施例提出一種發光二極體模組，包括發光二極體封裝結構、承載座以及絕緣膠體。發光二極體封裝結構包括至少一發光單元、第一封裝膠體、第一透光板、第二透光板以及第二封裝膠體。第一封裝膠體包覆部分發光單元。第一透光板設置於第一封裝膠體相對於發光單元的一側。第二透光板設置於第一透光板上。第二封裝膠體設置於第一透光板與第二透光板之間。第二封裝膠體包覆第一透光板與部分第一封裝膠體。發光二極體封裝結構設置於承載座上並與承載座電性連接。絕緣膠體配置於發光二極體封裝結構靠近承載座的表面上以及與表面相鄰的側表面上。
本發明的一實施例提出一種發光二極體模組的製作方法，包括形成一發光二極體封裝結構。發光二極體封裝結構包括至少一發光單元。將發光二極體封裝結構設置於一承載座上並與承載座電性連接。將一絕緣膠體配置於發光二極體封裝結構靠近承載座的一表面上以及與表面相鄰的一側表面上。
基於上述，由於本發明的實施例的發光二極體模組及其製作方法中，絕緣膠體配置於發光二極體封裝結構靠近承載座的表面上以及與表面相鄰的側表面上。因此，發光二極體模組不易發生氧化且不易短路。
關於本發明之優點與精神可以藉由以下的發明詳述及所附圖式得到進一步的瞭解。
請參閱圖2，圖2為根據本發明第一實施例之發光二極體封裝結構2的示意圖。如圖2所示，發光二極體封裝結構2包含一第一透光板20、一發光單元22以及一第一封裝膠體24。發光單元22設置於第一透光板20上，而第一封裝膠體24設置於發光單元22與第一透光板20之間且包覆部分發光單元22。
於此實施例中，發光單元22包含一基板220、一第一型半導體層222、一發光層224、一第二型半導體層226、一第一電極228、一第二電極230以及一反射層232。第一型半導體層222位於基板220上，發光層224位於第一型半導體層222上，第二型半導體層226位於發光層224上，反射層232位於第二型半導體層226上，第一電極228與第一型半導體層222電性連接，第二電極230與第二型半導體層226電性連接，且第一電極228與第二電極230外露於第一封裝膠體24外。發光單元22可為覆晶式發光二極體晶片，且基板220之材料可為藍寶石，但不以此為限。換言之，第一封裝膠體24並未包覆發光單元22之第一電極228與第二電極230。第一型半導體層222 可為N型半導體層（例如，N型氮化鎵層），且第二型半導體層226可為P型半導體層（例如，P型氮化鎵層）。此時，第一電極228即為N型電極，且第二電極230即為P型電極。需說明的是，發光單元22之發光原理係為習知技藝之人所熟知，在此不再贅述。
在本實施例中，反射層232之反射率可大於90%，且反射層232之材料可選自金、銀、鋁、銅、鎳及鉻所構成之材料群組，但不以此為限。反射層232可將光線反射，進而增加發光單元22的整體出光效率。需說明的是，本發明可根據實際出光需求決定是否設置反射層232。
請參閱圖3，圖3為以第一封裝膠體24及第一透光板20封裝多個發光單元22的示意圖。如圖3所示，本發明可直接將多個發光單元22以第一封裝膠體24封裝後再蓋上第一透光板20定型。接著，再針對第一封裝膠體24以及第一透光板20進行切割，以完成如圖2所示之發光二極體封裝結構2之製作。各發光二極體封裝結構2包括單一個發光單元22，得以實現發光二極體封裝結構2的無封裝基板之封裝。於切割後的發光二極體封裝結構2中，第一封裝膠體24之一側表面240即會與第一透光板20之一側表面200切齊。由於本發明係為無封裝基板之封裝，因此本發明之發光二極體封裝結構2製作相當方便，可有效提升產能。此外，本發明係利用第一透光板20對第一封裝膠體24進行定型，可不用額外模具的製作，進而節省成本。
如圖2所示，當發光單元22發光時，至少部分發光單元22發出之光線L即會依序穿過第一封裝膠體24與第一透光板20而射出。於此實施例中，第一透光板20針對發光單元22發出之光線L的透光率可大於90%，且第一透光板20之材料可為玻璃或陶瓷，但不以此為限。較佳地，發光單元22與第一封裝膠體24之側表面240間之距離D1可大於發光單元22與第一封裝膠體24之一底表面242間之距離D2，此為搭配發光單元22所發出之光形之設計，以增加發光單元22的整體出光效率及出光角度，其中第一透光板20係連接於第一封裝膠體24之底表面242。
於此實施例中，第一封裝膠體24內可摻雜複數個第一螢光粒子244。具體而言，第一螢光粒子244例如是螢光粉（phosphor）。較佳地，第一螢光粒子244的放射波長（Emission Wavelength）可大於發光單元22的主發光波長。第一螢光粒子244可將發光單元22發出之光線L的至少一部分的波長由較短波長轉換成較長波長，進而改變發光二極體封裝結構2發出之光線L的顏色。較佳地，發光單元22與第一封裝膠體24之側表面240間之距離D1可大於發光單元22與第一封裝膠體24之一底表面242間之距離D2，如此一來，發光二極體封裝結構可具有較佳的光均勻性及光強度。需說明的是，本發明可根據實際出光需求決定是否於第一封裝膠體內摻雜第一螢光粒子。
配合圖2，請參閱圖4，圖4為根據本發明第二實施例之發光二極體封裝結構3的示意圖。發光二極體封裝結構3與上述的發光二極體封裝結構2的主要不同之處在於，發光二極體封裝結構3之第一封裝膠體24包含一第一部分24a以及一第二部分24b。第一部分24a位於發光單元22與第二部分24b之間，而第二部分24b位於第一部分24a與第一透光板20之間。第一部分24a中的第一螢光粒子244之濃度小於第二部分24b中的第一螢光粒子244之濃度。藉此，可進一步增加發光單元22的整體出光效率。需說明的是，圖4中與圖2中所示相同標號的元件，其作用原理大致相同，在此不再贅述。
配合圖2，請參閱圖5，圖5為根據本發明第三實施例之發光二極體封裝結構4的示意圖。發光二極體封裝結構4與上述的發光二極體封裝結構2的主要不同之處在於，發光二極體封裝結構4之第一封裝膠體24內更包含複數個第二螢光粒子246。具體而言，第二螢光粒子246例如是螢光粉。於此實施例中，第一螢光粒子244之放射波長可小於第二螢光粒子246之放射波長。換言之，本發明可藉由第一螢光粒子244與第二螢光粒子246將發光單元22發出之光線L的波長的至少一部份由較短波長轉換為較長的二相異波長，進而使發光二極體封裝結構4的發光顏色改變。經第一螢光粒子244以及第二螢光粒子246轉換而發出的光以及其餘部分的發光單元22發出之光線L經過混合後，發光二極體封裝結構4的色飽和度得以提升。
配合圖2，請參閱圖6，圖6為根據本發明第四實施例之發光二極體封裝結構5的示意圖。發光二極體封裝結構5與上述的發光二極體封裝結構2的主要不同之處在於，發光二極體封裝結構5之第一封裝膠體24包含一第一部分24a以及一第二部分24b。第一部分24a位於發光單元22與第二部分24b之間，而第二部分24b位於第一部分24a與第一透光板20之間。第一部分24a內摻雜複數個第一螢光粒子244，且第二部分24b內摻雜複數個第二螢光粒子246。於此實施例中，第一螢光粒子244的放射波長可大於發光單元22的主發光波長，且第一螢光粒子244之放射波長可小於第二螢光粒子246之放射波長。發光單元22發出之光線L的顏色可先藉由第一螢光粒子244轉換為另一顏色，再藉由第二螢光粒子246轉換為另一顏色，進而產生不同的發光效果，混光後可提高發光二極體封裝結構5的色飽和度，較佳地，第一螢光粒子244的吸收波長與發光單元22的主發光波長的差值小於150nm，第二螢光粒子246的吸收波長與第一螢光粒子244之放射波長的差值小於150nm，如此可具有較佳的螢光轉換效率。需說明的是，圖6中與圖2中所示相同標號的元件，其作用原理大致相同，在此不再贅述。
配合圖2，請參閱圖7，圖7為根據本發明第五實施例之發光二極體封裝結構6的示意圖。發光二極體封裝結構6與上述的發光二極體封裝結構2的主要不同之處在於，發光二極體封裝結構6更包含一第二透光板60以及一第二封裝膠體62，且第一封裝膠體24內無摻雜第一螢光粒子244。在其他實施例中，第一封裝膠體24可以摻雜第一螢光粒子244。另外，如圖7所示，第二封裝膠體62包覆第一透光板20與一部分的第一封裝膠體24，第二透光板60配置於第二封裝膠體62的一底表面622上，且第二封裝膠體62之一側表面620與第二透光板60之一側表面600切齊。於此實施例中，第二封裝膠體62內可摻雜複數個第一螢光粒子244，第一螢光粒子244的放射波長可大於發光單元22的主發光波長，且第一螢光粒子244的粒徑可介於3微米到50微米之間。此外，發光單元22與第一封裝膠體24之底表面242的距離D2可為第一透光板20與第二封裝膠體62之底表面622的距離D3的1到30倍，由於發光單元22所發出之光線L會先經過第一封裝膠體24及第一透光板20後才激發第一螢光粒子244，因此第一封裝膠體24與第二封裝膠體62的厚度比在此範圍內具有較佳的導光效果，因此可導出較多的光線L去激發第一螢光粒子244。藉由上述之結構配置，可進一步增進整體出光效率及變換不同的出光效果。需說明的是，圖7中與圖2中所示相同標號的元件，其作用原理大致相同，在此不再贅述。
配合圖7，請參閱圖8，圖8為根據本發明第六實施例之發光二極體封裝結構7的示意圖。發光二極體封裝結構7與上述的發光二極體封裝結構6的主要不同之處在於，發光二極體封裝結構7之第二封裝膠體62內更包含複數個第二螢光粒子246。因此，第一封裝膠體24不需包含螢光粒子。然而在其他實施例中，第一封裝膠體24亦可以包含螢光粒子。於此實施例中，第二螢光粒子246的放射波長可大於第一螢光粒子244的放射波長。換言之，本發明可藉由第一螢光粒子244與第二螢光粒子246將發光單元22發出之光線L的波長轉換為二相異且較長的波長，進而改變發光二極體封裝結構7的發光顏色。經第一螢光粒子244以及第二螢光粒子246轉換而發出的光與發光單元22發出之光線L的剩餘部分相混合後，發光二極體封裝結構7的色飽和度得以提升。需說明的是，圖8中與圖7中所示相同標號的元件，其作用原理大致相同，在此不再贅述。
配合圖2，請參閱圖9，圖9為根據本發明第七實施例之發光二極體模組8的示意圖。如圖9所示，發光二極體模組8包含一承載座80、一發光二極體封裝結構2、一第一接合墊82以及一第二接合墊84。發光二極體封裝結構2設置於承載座80上並與承載座80電性連接。第一接合墊82以及第二接合墊84配置於承載座80上，且第一接合墊82與第二接合墊84用以電性連接發光二極體封裝結構2。於此實施例中，第一接合墊82可為N型接合墊，且第二接合墊84可為P型接合墊。如圖9所示，發光單元22之第一電極228與第一接合墊82電性連接，且發光單元22之第二電極230與第二接合墊84電性連接。於此實施例中，承載座80可具有可撓性，例如可撓性電路板，可應用在各種形狀的燈座上，但不以此為限。此外，圖9中的發光二極體封裝結構2亦可以圖4至圖8中的發光二極體封裝結構3-7替換，視實際應用而定。需說明的是，圖9中與圖2中所示相同標號的元件，其作用原理大致相同，在此不再贅述。
配合圖9，請參閱圖10，圖10為根據本發明第八實施例之發光二極體模組9的示意圖。發光二極體模組9與上述的發光二極體模組8的主要不同之處在於，發光二極體模組9包含多個發光二極體封裝結構2。如圖10所示，複數個第一接合墊82與複數個第二接合墊84設置於承載座80上，用以電性連接這些發光二極體封裝結構2。換言之，本發明可根據實際出光需求於承載座80上設置一個以上的發光二極體封裝結構2。此外，圖10中的發光二極體封裝結構2亦可以圖4至圖8中的發光二極體封裝結構3-7替換，視實際應用而定。需說明的是，圖10中與圖9中所示相同標號的元件，其作用原理大致相同，在此不再贅述。
請參閱圖11，圖11為根據本發明第九實施例之發光二極體封裝結構11的示意圖。如圖3所示，本發明可直接將多個發光單元22以第一封裝膠體24封裝後再蓋上第一透光板20定型。接著，再針對第一封裝膠體24以及第一透光板20進行切割，以形成各個如圖11所示之發光二極體封裝結構11。各發光二極體封裝結構11包含多個發光單元22。因此，發光二極體封裝結構11無封裝基板之封裝得以實現。如圖11所示，於切割後的發光二極體封裝結構11中係包含三個發光單元22，但不以此為限。本發明亦可針對兩個、四個或四個以上之發光單元進行切割，以完成包含多個發光單元22之發光二極體封裝結構11之製作。此外，在發光二極體封裝結構11切割完成後，第一封裝膠體24之一側表面240即會與第一透光板20之一側表面200切齊。需說明的是，圖11中與圖2中所示相同標號的元件，其作用原理大致相同，在此不再贅述。
請參閱圖12，圖12為根據本發明第十實施例之發光二極體模組13的示意圖。如圖12所示，發光二極體模組13包含一承載座80、一發光二極體封裝結構11。發光二極體封裝結構11包含複數個發光單元22。第一接合墊82與第二接合墊84配置於承載座80上並與這些發光單元22電性連接。比較圖10之發光二極體模組9與圖12之發光二極體模組13，可以視實際應用以及發光需求而定，將包括多個發光單元22的發光二極體封裝結構11設置於承載座80上。或者，可以視實際應用以及發光需求而將多個發光二極體封裝結構2設置於承載座80上，其中各發光二極體封裝結構2包含單一發光單元22。需說明的是，圖12中與第10、11圖中所示相同標號的元件，其作用原理大致相同，在此不再贅述。
請參閱圖13A至圖13C，圖13A至圖13C為根據本發明第十一實施例之發光二極體模組的製作方法的製作流程圖。如圖13A所示，在本實施例中，發光二極體模組的製作方法包括形成一如圖2所示的發光二極體封裝結構2。發光二極體封裝結構2包括至少一發光單元22。具體而言，形成發光二極體封裝結構2的方法包括以第一封裝膠體24包覆部分發光單元22，以及以第一透光板20覆蓋第一封裝膠體24，使第一透光板20設置於第一封裝膠體24相對於發光單元22的一側，以形成發光二極體封裝結構2。具體而言，本實施例發光二極體封裝結構2的構件以及相關敘述可以參考圖2的發光二極體封裝結構2的構件以及相關敘述，在此便不再贅述。
接著，請參考圖13B。在本實施例中，發光二極體模組的製作方法包括將發光二極體封裝結構2設置於承載座80上並與承載座80電性連接。具體而言，發光二極體封裝結構2透過第一接合墊82以及第二接合墊84與承載座80電性連接，而形成類似於圖9實施例的發光二極體模組8的結構。本實施例發光二極體封裝結構2透過第一接合墊82以及第二接合墊84與承載座80電性連接的相關敘述可以參考圖9實施例的發光二極體模組8的發光二極體封裝結構2透過第一接合墊82以及第二接合墊84與承載座80電性連接的相關敘述，在此便不再贅述。
請參考圖13C。在本實施例中，發光二極體模組的製作方法更包括將絕緣膠體300配置於發光二極體封裝結構2靠近承載座80的表面250上以及與表面250相鄰的側表面240上，而形成發光二極體模組14。具體而言，可以透過灌膠或是噴塗的方式將絕緣膠體300覆蓋發光二極體封裝結構2靠近承載座80的表面250的一部分以及與表面250相鄰的側表面240的至少一部分。在本實施例中，可以將絕緣膠體300覆蓋發光二極體封裝結構2的第一封裝膠體24靠近承載座80的表面的至少一部分。另外，可以透過例如是灌膠，將絕緣膠體300填入第一封裝膠體24與承載座80於發光二極體封裝結構2側邊所形成的空隙中，而使絕緣膠體300覆蓋部分第一電極228與部分第二電極230的側表面。此外，亦可以透過例如是灌膠，將絕緣膠體300填入位於發光單元22與承載座80之間，且位於第一電極228與第二電極230之間的空隙中，而使絕緣膠體300覆蓋第一電極228與第二電極230之間的發光二極體封裝結構2的表面250。在其他實施例中，可以透過例如是灌膠或是噴塗的方式，將絕緣膠體300包覆發光二極體封裝結構2的第一透光板20以及第一封裝膠體24，而使得整個發光二極體封裝結構2被包覆於絕緣膠體300之中，本發明並不以此為限。
在本實施例中，透過發光二極體模組的製作方法而形成的發光二極體模組14至少包括如上述的發光二極體封裝結構2、承載座80以及絕緣膠體300。在其他實施例中，本發明可根據實際出光需求決定發光二極體模組的製作方法中所使用的發光二極體封裝結構。發光二極體模組的製作方法所使用的發光二極體封裝結構可以例如是圖2的發光二極體封裝結構2、圖4的發光二極體封裝結構3、圖5的發光二極體封裝結構4、圖6的發光二極體封裝結構5、圖7的發光二極體封裝結構6、圖8的發光二極體封裝結構7、圖11的發光二極體封裝結構11或者其他種類的發光二極體封裝結構，本發明並不以此為限。
在本實施例中，由於發光二極體模組及其製作方法中，絕緣膠體300配置於發光二極體封裝結構2靠近承載座80的表面250上以及與表面250相鄰的側表面240上。因此，發光二極體模組14的發光單元22與承載座80相連接的部分，例如是第一電極228、第二電極230、第一接合墊82或第二接合墊84，得以由絕緣膠體300覆蓋或遮蔽，而不易直接接觸到外界的空氣或水氣。因此，發光二極體模組14的發光單元22與承載座80相連接的部分不易因外界的空氣或水氣而發生短路或是氧化的情形，使得發光二極體模組14的良率較佳。
請參閱圖14，圖14為根據本發明第十二實施例之發光二極體模組的示意圖。如圖14所示，在本實施例中，發光二極體模組15類似於圖13C的發光二極體模組14，發光二極體模組15的構件以及相關敘述可參考圖13C的發光二極體模組14，在此便不再贅述。發光二極體模組15與發光二極體模組14的差異在於，發光二極體模組15的製作方法是先以三個發光二極體封裝結構2設置於承載座80上並與承載座80電性連接，而形成類似於圖10的發光二極體模組9的結構。接著，將絕緣膠體300配置於這些發光二極體封裝結構2靠近承載座80的表面上以及與表面相鄰的側表面上。具體而言，絕緣膠體300包覆這些發光二極體封裝結構2的第一透光板20以及第一封裝膠體24。在本實施例中，可以透過例如是灌膠或是噴塗的方式將絕緣膠體300包覆第一透光板20以及第一封裝膠體24，本發明並不以此為限。
在本實施例中，由於發光二極體模組15的絕緣膠體300配置於這些發光二極體封裝結構2靠近承載座80的表面250上以及與表面250相鄰的側表面240上。具體而言，絕緣膠體300包覆這些發光二極體封裝結構2的第一透光板20以及第一封裝膠體24。因此，發光二極體模組15具有類似於發光二極體模組14不易發生氧化且不易短路的效果。
請參閱圖15，圖15為根據本發明第十三實施例之發光二極體模組的示意圖。如圖15所示，在本實施例中，發光二極體模組16類似於圖13C的發光二極體模組14，發光二極體模組16的構件以及相關敘述可參考圖13C的發光二極體模組14，在此便不再贅述。發光二極體模組16與發光二極體模組14的差異在於，發光二極體模組16的製作方法是先以如圖7的發光二極體封裝結構6設置於承載座80上並與承載座80電性連接。接著，將絕緣膠體300配置於發光二極體封裝結構6靠近承載座80的表面650上以及與表面650相鄰的側表面620上。
在本實施例中，形成發光二極體封裝結構6的方法包括以第一封裝膠體24包覆部分發光單元22。以第一透光板20覆蓋第一封裝膠體24，使第一透光板20設置於第一封裝膠體24相對於發光單元22的一側。接著，以第二封裝膠體62包覆第一透光板20與部分第一封裝膠體24。之後，設置第二透光板60，使第二封裝膠體62位於第一透光板20與第二透光板60之間，以形成發光二極體封裝結構6。具體而言，本實施例發光二極體封裝結構6的構件以及相關敘述可以參考圖7的發光二極體封裝結構6的構件以及相關敘述，在此便不再贅述。另外，在本實施例中，將絕緣膠體300配置於發光二極體封裝結構6靠近承載座80的表面650上以及與表面650相鄰的側表面620上的方法類似於圖13A至圖13C實施例中將絕緣膠體300配置於發光二極體封裝結構2靠近承載座80的表面250上以及與表面250相鄰的側表面240上的方法。
在本實施例中，具體而言，絕緣膠體300覆蓋這些發光單元22靠近承載座80的表面的一部分、第一封裝膠體24靠近承載座80的表面的至少一部分以及第二封裝膠體62靠近承載座80的表面的至少一部分。另外，可以透過例如是灌膠，將絕緣膠體300填入第一封裝膠體24、第二封裝膠體62與承載座80於發光二極體封裝結構6側邊所形成的空隙中，而使絕緣膠體300覆蓋部分第一電極228與部分第二電極230的側表面。此外，亦可以透過例如是灌膠，將絕緣膠體300填入位於發光單元22與承載座80之間，且位於第一電極228與第二電極230之間的空隙中，而使絕緣膠體300覆蓋第一電極228與第二電極230之間的發光二極體封裝結構6的表面650。在其他實施例中，可以透過例如是灌膠或是噴塗的方式，將絕緣膠體300包覆第二透光板60以及第二封裝膠體62，而使得整個發光二極體封裝結構6被包覆於絕緣膠體300之中，本發明並不以此為限。
在本實施例中，透過發光二極體模組的製作方法而形成的發光二極體模組16至少包括如上述的發光二極體封裝結構6、承載座80以及絕緣膠體300。由於發光二極體模組及其製作方法中，絕緣膠體300配置於發光二極體封裝結構6靠近承載座80的表面650上以及與表面650相鄰的側表面620上。因此，發光二極體模組16具有類似於發光二極體模組14不易發生氧化且不易短路的效果。
綜上所述，本發明可利用透光板與封裝膠體直接將多個發光單元封裝後進行切割，以完成發光二極體封裝結構之製作，進而實現無封裝基板之封裝。由於本發明係為無封裝基板之封裝，只要將封裝過後的發光單元進行切割，即可完成發光二極體封裝結構之製作，因此本發明之發光二極體封裝結構製作相當方便，可有效提升產能。此外，本發明於切割後的發光二極體封裝結構中，封裝膠體之側表面即會與透光板之側表面切齊。也就是說，本發明係利用透光板對封裝膠體進行定型，可不用額外模具的製作，進而節省成本。由於透光板之硬度大於封裝膠體之硬度，在後續將發光二極體封裝結構設置於承載座上時，透光板可保護發光單元，進而避免因外力破壞而影響出光。再者，本發明可於封裝膠體內摻雜螢光粒子，並且藉由調整螢光粒子的濃度及/或放射波長，來調整出光效率與光線顏色，同樣地，透光板也可以保護螢光粒子，具有防止封裝膠體表面的螢光粒子脫落的功效。另外，透光板及封裝膠體都具有導光功能，可提高光取出效率。此外，在本發明實施例的發光二極體模組中，由於絕緣膠體配置於發光二極體封裝結構靠近承載座的表面上以及與表面相鄰的側表面上，因此發光二極體模組不易發生氧化且不易短路。另外，本發明實施例的發光二極體模組的製作方法包括將絕緣膠體配置於發光二極體封裝結構靠近承載座的表面上以及與表面相鄰的側表面上，因此其製作的發光二極體模組不易發生氧化且不易短路。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
1、2、3、4、5、6、7、11‧‧‧發光二極體封裝結構
8、9、13、14、15、16‧‧‧發光二極體模組
10‧‧‧封裝基板
12‧‧‧發光二極體晶片
14‧‧‧封裝膠體
20‧‧‧第一透光板
22‧‧‧發光單元
24‧‧‧第一封裝膠體
60‧‧‧第二透光板
62‧‧‧第二封裝膠體
80‧‧‧承載座
82‧‧‧第一接合墊
84‧‧‧第二接合墊
24a‧‧‧第一部分
24b‧‧‧第二部分
200、240、600、620‧‧‧側表面
220‧‧‧基板
222‧‧‧第一型半導體層
224‧‧‧發光層
226‧‧‧第二型半導體層
228‧‧‧第一電極
230‧‧‧第二電極
232‧‧‧反射層
242、622‧‧‧底表面
244‧‧‧第一螢光粒子
246‧‧‧第二螢光粒子
250、650‧‧‧表面
300‧‧‧絕緣膠體
L‧‧‧光線
D1、D2、D3‧‧‧距離
圖1為先前技術之發光二極體封裝結構的示意圖。 圖2為根據本發明第一實施例之發光二極體封裝結構的示意圖。 圖3為以第一封裝膠體及第一透光板封裝多個發光單元的示意圖。 圖4為根據本發明第二實施例之發光二極體封裝結構的示意圖。 圖5為根據本發明第三實施例之發光二極體封裝結構的示意圖。 圖6為根據本發明第四實施例之發光二極體封裝結構的示意圖。 圖7為根據本發明第五實施例之發光二極體封裝結構的示意圖。 圖8為根據本發明第六實施例之發光二極體封裝結構的示意圖。 圖9為根據本發明第七實施例之發光二極體模組的示意圖。 圖10為根據本發明第八實施例之發光二極體模組的示意圖。 圖11為根據本發明第九實施例之發光二極體封裝結構的示意圖。 圖12為根據本發明第十實施例之發光二極體模組的示意圖。 圖13A至圖13C為根據本發明第十一實施例之發光二極體模組的製作方法的製作流程圖。 圖14為根據本發明第十二實施例之發光二極體模組的示意圖。 圖15為根據本發明第十三實施例之發光二極體模組的示意圖。

Claims (8)

  1. 一種發光二極體模組，包括：一發光二極體封裝結構，包括：至少一發光單元，包括一磊晶層、一第一電極、一第二電極及一反射層，該些電極與該磊晶層電性連接且設置在該磊晶層的同一側，該反射層至少設置在該磊晶層與該第二電極之間；一第一封裝膠體，包覆該發光單元的一側表面，且至少暴露出該些電極；以及一第一透光層，包括玻璃或陶瓷材料，該第一透光層設置於該發光單元上及至少部分該第一封裝膠體上；一承載座，該發光二極體封裝結構設置於該承載座上且該些電極與該承載座電性連接；以及一絕緣層，配置於該發光二極體封裝結構與該承載座之間。
  2. 一種發光二極體模組，包括：一發光二極體封裝結構，包括：至少一發光單元；一第一封裝膠體，包覆部分該發光單元；以及一第一透光板，設置於該第一封裝膠體相對於該發光單元的一側；一第二透光板，設置於該第一透光板上；以及一第二封裝膠體，設置於該第一透光板與該第二透光板之間，該第二封裝膠體包覆該第一透光板與部分該第一封裝膠體；一承載座，該發光二極體封裝結構設置於該承載座上並與該承載座電性連接；以及一絕緣膠體，配置於該發光二極體封裝結構靠近該承載座的一表面上以及與該表面相鄰的一側表面上。
  3. 一種發光二極體模組的製作方法，包括：形成一發光二極體封裝結構，其中該發光二極體封裝結構包括至少一發光單元；將該發光二極體封裝結構設置於一承載座上並與該承載座電性連接；以及將一絕緣膠體配置於該發光二極體封裝結構靠近該承載座的一表面上以及與該表面相鄰的一側表面上，其中形成該發光二極體封裝結構的方法包括：以一第一封裝膠體包覆部分該發光單元；以一第一透光板覆蓋該第一封裝膠體，使該第一透光板設置於該第一封裝膠體相對於該發光單元的一側；以一第二封裝膠體包覆該第一透光板與部分該第一封裝膠體；以及設置一第二透光板，使該第二封裝膠體位於該第一透光板與該第二透光板之間，以形成該發光二極體封裝結構。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體模組，其中該絕緣層覆蓋該發光單元的一下表面的一部分以及該第一封裝膠體靠近該承載座的一表面的至少一部分。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體模組，其中該絕緣層覆蓋該第一電極與該第二電極之間的該發光單元的一下表面。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體模組，其中該絕緣層覆蓋部分該第一電極與部分該第二電極。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體模組，其中該絕緣層包覆該第一透光層以及該第一封裝膠體。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體模組，其中該第一封裝膠體的一側表面與該第一透光層的一側表面共平面或切齊。
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