CN107768495A - 微型发光二极管及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种微型发光二极管，包括磊晶叠层、第一电极以及第二电极。磊晶叠层包括第一型掺杂半导体层、发光层以及第二型掺杂半导体层。磊晶叠层具有第一平台部以及第二平台部并各别形成一第一型导电区以及一第二型导电区。第一电极设置于第一平台部。第二电极设置于第二平台部。第二电极与位于第二平台部的第一型掺杂半导体层、发光层以及第二型掺杂半导体层接触。另，一种微型发光二极管的制造方法亦被提供。

Description

微型发光二极管及其制造方法
技术领域
本发明是有关于一种发光二极管，且特别是有关于一种微型发光二极管(MicroLED,μLED)。
背景技术
随着照明技术的演进，传统白炽灯泡与荧光灯由于发光效率低落或者是环保的因素而逐渐被微型发光二极管所取代。微型发光二极管具有寿命长、体积小、高发光效率以及低功率消耗等优点，因而被使用于各种不同的应用领域。
近年来，发展出一种将原本发光二极管的尺寸缩小至微米等级，而被称为微型发光二极管(Micro LED,μLED)。当微型发光二极管用于显示技术的领域中时，每一个微型发光二极管可被当作显示面板中的子画素(Sub-pixel)，而此种显示面板则被称为微型发光二极管显示面板(Micro LED Display)。微型发光二极管显示面板的每一个子画素中的微型发光二极管可被寻址控制以及单点驱动发光，并具有高亮度、低功耗、高分辨率以及色彩饱和度等优点。相较于有机发光二极管显示面板(OLED Display)来说，微型发光二极管显示面板更具有寿命较长的优势。因此，微型发光二极管显示面板被视为下一个世代的显示技术的主流。
然而，微型发光二极管在制造的过程中常遭遇到以下的问题。举例来说，在一般的覆晶式(Flip-Chip)的微型发光二极管中，由于两个电极是分别设置在水平高度不同的平台部与凹陷部上，因此当微型发光二极管接合(Bonding)于外界的基板时，常会遭遇到倾斜的现象，造成接合的良率不佳。并且，由于微型发光二极管的尺寸相对于一般的发光二极管为小，因此上述倾斜的现象更为严重。为了解决上述倾斜的现象，一种做法是将两个电极设置在两个相同水平高度的平台部上，以使两个电极的表面设计为同一水平面。但由于此种解决方式需要将设置N型电极的平台部进行蚀刻出孔洞，再蒸镀保护层于此孔洞的表面以使N型电极与N型电极的平台部中的P型掺杂半导体层与发光层绝缘，并且蚀刻部分的保护层以暴露出N型掺杂半导体层，以使N型电极与N型掺杂半导体层电性连接。但由于此孔洞非常微小(约10微米x 10微米以下)，保护层较难以形成于孔洞中，造成微型发光二极管的制程更为困难。此外，保护层的存在也限制了N型电极的大小。因此，以现有制程制作微型发光二极管的制造良率低，限制了微型发光二极管的技术发展。
发明内容
本发明的实施例提供一种微型发光二极管，其具有简单的结构以及良好的制造良率。
本发明的实施例提供一种制造上述微型发光二极管的制造方法，其制造流程较为简单，且制造良率高。
本发明的实施例的微型发光二极管包括磊晶叠层(epitaxial stack layer)、第一电极以及第二电极。磊晶叠层包括第一型掺杂半导体层、发光层以及第二型掺杂半导体层。发光层位于第一型掺杂半导体层以及第二型掺杂半导体层之间。第一型掺杂半导体层与第二型掺杂半导体层电性相反。磊晶叠层具有第一平台部以及第二平台部并各别形成第一型导电区以及第二型导电区，且第一平台部与第二平台部透过第二型掺杂半导体层相连。第一电极电性连接于磊晶叠层，且设置于第一平台部。第二电极电性连接于磊晶叠层，且设置于第二平台部。第二电极与位于第二平台部的第一型掺杂半导体层、发光层以及第二型掺杂半导体层接触。
在本发明的一实施例中，上述的磊晶叠层具有第一凹陷部以及第二凹陷部。第一凹陷部定义出第一平台部与第二平台部且暴露出第二型掺杂半导体层。第二平台部具有第二凹陷部。第二凹陷部定义出在第二平台部中的第一子平台部与第二子平台部。第二凹陷部使在第二平台部中的第二型掺杂半导体层，部分第一型掺杂半导体层及部分发光层暴露。
在本发明的一实施例中，上述的第一电极具有暴露于外界的第一表面。第二电极具有暴露于外界的第二表面。至少部分的第一表面与至少部分的第二表面为同一水平面。
在本发明的一实施例中，上述的第一平台部中的部分第一型掺杂半导体层、部分发光层以及部分第二型掺杂半导体层构成第一二极管。第一子平台部中的部分第一型掺杂半导体层、部分发光层以及部分第二型掺杂半导体层构成第二二极管。第二子平台部中的部分第一型掺杂半导体层、部分发光层以及部分第二型掺杂半导体层构成第三二极管。第一二极管的正极端耦接于第一电极，第一二极管的负极端耦接于第二二极管的负极端与第三二极管的负极端。
在本发明的一实施例中，上述的微型发光二极管更包括电流分散层。第一电极或第二电极透过电流分散层与磊晶叠层电性连接。
在本发明的一实施例中，上述的第一型掺杂半导体层为P型掺杂半导体层与N型掺杂半导体层中的其中一者，且第二型掺杂半导体层为P型掺杂半导体层与N型掺杂半导体层中的其中另一者。
在本发明的一实施例中，上述的微型发光二极管更包括基板。磊晶叠层、第一电极以及第二电极设置于基板的同一侧。
在本发明的一实施例中，上述的微型发光二极管更包括绝缘层。绝缘层设置于磊晶叠层的侧面以及磊晶叠层的部分顶面以使第一平台部与第二平台部暴露。
在本发明的一实施例中，上述的第二电极覆盖部分的绝缘层。
在本发明的一实施例中，上述的绝缘层由磊晶叠层的侧面延伸至基板的表面。
在本发明的一实施例中，上述的磊晶叠层更包括未刻意掺杂的半导体层。未刻意掺杂的半导体层位于第二型掺杂半导体层与基板之间。
在本发明的一实施例中，上述的绝缘层与第一电极之间具有第一间隙，且绝缘层与第二电极之间具有第二间隙。
在本发明的一实施例中，上述的基板为图案化基板。
在本发明的一实施例中，上述的第一电极直接接触在第一平台部的第一型掺杂半导体层。
在本发明的一实施例中，上述的微型发光二极管的对角线长度落在小于100微米的范围内。
本发明的实施例提供一种微型发光二极管的制造方法，包括提供基板。形成磊晶叠层于该基板上。磊晶叠层包括第一型掺杂半导体层、发光层以及第二型掺杂半导体层。发光层位于第一型掺杂半导体层与第二型掺杂半导体层之间，且第一型掺杂半导体层与第二型掺杂半导体层电性相反。蚀刻磊晶叠层，以使磊晶叠层具有第一平台部以及第二平台部并各别形成第一型导电区及第二型导电区。分别在第一型导电区形成第一电极于第一平台部以及在第二型导电区形成第二电极于第二平台部。第一电极与第二电极与该磊晶叠层电性连接。第二电极与第二平台部的第一型掺杂半导体层、发光层以及第二型掺杂半导体层接触。
在本发明的一实施例中，上述的蚀刻磊晶叠层的步骤中更包括：蚀刻部分的第一型掺杂半导体层、部分的发光层以及部分的第二型掺杂半导体层，以使磊晶叠层具有第一凹陷部以及第二凹陷部。第一凹陷部定义出第一平台部与第二平台部各别形成第一型导电区及第二型导电区，且第二凹陷部定义出第二平台部中的第一子平台部以及第二子平台部。
在本发明的一实施例中，在上述的蚀刻磊晶叠层以使磊晶叠层具有第一平台部以及第二平台部的步骤后更包括：蚀刻磊晶叠层，以暴露出部分基板。
在本发明的一实施例中，在上述的蚀刻磊晶叠层以暴露出部分基板的步骤后更包括：形成绝缘层于磊晶叠层的侧面以及磊晶叠层的部分顶面以使第一平台部与第二平台部暴露。
在本发明的一实施例中，在上述的分别形成第一电极与第二电极于第一平台部以及第二平台部的步骤前，更包括：形成电流分散层于磊晶叠层。
本发明的实施例提供一种微型发光二极管的制造方法，包括提供基板。形成磊晶叠层于基板上。磊晶叠层包括第一型掺杂半导体层、发光层以及第二型掺杂半导体层。发光层位于第一型掺杂半导体层与第二型掺杂半导体层之间，且第一型掺杂半导体层与第二型掺杂半导体层电性相反。蚀刻磊晶叠层，以使磊晶叠层形成多个彼此分离的子磊晶叠层且暴露出该部分基板。各子磊晶叠层包括部分的第一型掺杂半导体层、部分的发光层以及部分的第二型掺杂半导体层。蚀刻各子磊晶叠层，以使各子磊晶叠层具有第一平台部以及第二平台部并各别形成第一型导电区及第二型导电区。在这些第一型导电区形成多个第一电极分别于这些第一平台部，在这些第二型导电区形成多个第二电极分别于这些第二平台部。各第一电极与其对应的子磊晶叠层电性连接，各第二电极与其对应的子磊晶叠层电性连接，以在基板上形成多个微型发光二极管。在各微型发光二极管中，第二电极与其对应的第二平台部的第一型掺杂半导体层、发光层以及第二型掺杂半导体层接触。各微型发光二极管透过基板相互连接。
在本发明的一实施例中，上述的蚀刻各子磊晶叠层的步骤中，更包括：蚀刻各子磊晶叠层中的部分的第一型掺杂半导体层、部分的发光层以及部分的第二型掺杂半导体层，以使各子磊晶叠层具有第一凹陷部以及第二凹陷部。第一凹陷部定义出第一平台部与第二平台部以各别形成第一型导电区及第二型导电区。第二凹陷部定义出第二平台部中的第一子平台部以及第二子平台部。
在本发明的一实施例中，在上述的在基板上形成这些微型发光二极管的步骤后，更包括：提供暂时基板。将在基板上的这些微型发光二极管中的至少部分选定为预定分离部分，将此预定分离部分中的这些微型发光二极管与基板分离。将分离后的预定分离部分中的这些微型发光二极管转移至暂时基板上。
在本发明的一实施例中，在暂时基板上的预定分离部分中的任一微型发光二极管为第一微型发光二极管。第一微型发光二极管在第一方向上与这些微型发光二极管中的第二微型发光二极管相邻，且第一微型发光二极管与第二微型发光二极管具有第一间距。第一微型发光二极管在不同于第一方向的第二方向上与这些微型发光二极管中的第三微型发光二极管相邻，且第一微型发光二极管与第三微型发光二极管具有第二间距。
在本发明的一实施例中，上述的第一平台部的正投影面积与第二平台部的正投影面积实质上相同。
基于上述，在本发明实施例的微型发光二极管中，透过将第二电极与位于第二平台部的第一型掺杂半导体层、发光层以及第二型掺杂半导体层接触的设计，相较于先前技术中所述及的在孔洞中蒸镀与蚀刻保护层的结构，本发明实施例的微型发光二极管的结构较为简单，且制造良率高，同时也不会限制第二电极的面积。另外，在本发明实施例的微型发光二极管的制造方法可以制造出上述的微型发光二极管，因此本发明实施例的微型发光二极管的制造方法可以制造流程较为简单，且制造良率高。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
图1A为本发明一实施例的微型发光二极管上视示意图。
图1B为图1A的剖线A-A的剖面示意图。
图1C是图1A的微型发光二极管外接于外界电源的等效电路图。
图2A至图2K是制造本发明图1A以及图1B实施例的微型发光二极管的制造流程图。
图3A为本发明另一实施例的微型发光二极管上视示意图。
图3B为图3A的剖线B-B的剖面示意图。
图4A为本发明再一实施例的微型发光二极管上视示意图。
图4B为图4A的剖线C-C的剖面示意图。
图5A为本发明又一实施例的微型发光二极管上视示意图。
图5B为图5A的剖线D-D的剖面示意图。
图6A为本发明另一实施例的微型发光二极管上视示意图。
图6B为图6A的剖线E-E的剖面示意图。
图7A为本发明另一实施例的微型发光二极管上视示意图。
图7B为图7A的剖线F-F的剖面示意图。
图8A为本发明另一实施例的微型发光二极管上视示意图。
图8B为图8A的剖线G-G的剖面示意图。
图9A至20A为制造本发明另一实施例的微型发光二极管的制造上视流程图。
图9B至图20B分别是图9A至图20A的制造剖面流程图。
图21为本发明的微型发光二极管于加热状态的示意图。
图22A至图26A为制造本发明又一实施例的微型发光二极管的制造上视流程图。
图22B至图26B分别是图22A至图26A的制造剖面流程图。
符号说明
100、100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g：微型发光二极管
100g1：第一微型发光二极管
100g2：第二微型发光二极管
100g3：第三微型发光二极管
100g4：第四微型发光二极管
110：磊晶叠层
110S：子磊晶叠层
112：第一型掺杂半导体层
114：发光层
116：第二型掺杂半导体层
118：未刻意掺杂的半导体层
120：第一电极
130：第二电极
140：电流分散层
150：绝缘层
160：基板
160’：图案化基板
A-A’、B-B’、C-C’、D-D’、E-E’、F-F’、G-G’、H-H’、I-I’、J-J’、K-K’、L-L’、M-M’、O-O’、P-P’、Q-Q’、R-R’、S-S’、T-T’、U-U’、V-V’、W-W’、X-X’：剖线
D1：第一凹陷部
D2：第二凹陷部
Dio1：第一二极管
Dio2：第二二极管
Dio3：第三二极管
G1：第一间距
G2：第二间距
i：电流
Mes1：第一平台部、第一型导电区
Mes2：第二平台部、第二型导电区
R：电阻
PE：预定接合电极
PSL：图案化牺牲层
PPR：图案化光阻层
PDP：预定分离部分
PBP：预定接合位置
S’：暂时基板
PS’：永久基板
SL：牺牲层
SMes1：第一子平台部
SMes2：第二子平台部
S1：第一表面
S2：第二表面
S3：第三表面
SS：磊晶叠层的侧面
S31：第一部分
S32：第二部分
S33：第三部分
TS：磊晶叠层的顶面
TP1、TP2、TP3：正极端
TN1、TN2、TN3：负极端
Vs：外接电源
W：对角线长度
X1：第一方向
X2：第二方向
具体实施方式
图1A为本发明一实施例的微型发光二极管上视示意图。图1B为图1A的剖线A-A的剖面示意图。图1C是图1A的微型发光二极管外接于外界电源的等效电路图。
参照图1A，在本实施例中，微型发光二极管100的形式例如是覆晶式的微型发光二极管。微型发光二极管100的尺寸大小例如是微米等级(Micron-level)的尺寸大小。详言之，微型发光二极管100的对角线W长度的尺寸例如是落在1微米(Micrometer,μm)至100微米的范围内，其中最佳的微型发光二极管100的对角线W长度落在10微米至50微米的范围。再参照图1B，微型发光二极管100包括磊晶叠层110、第一电极120、第二电极130、电流分散层140、绝缘层150以及基板160，于以下的段落中会详细地说明上述各元件的具体功能。
在本实施例中，磊晶叠层110包括第一型掺杂半导体层112、发光层114、第二型掺杂半导体层116以及未刻意掺杂(Unintentionally Doped)的半导体层118。发光层114位于第一型掺杂半导体层112与第二型掺杂半导体层116之间。第一型掺杂半导体层112、发光层114以及第二型掺杂半导体层116堆叠于未刻意掺杂的半导体层118上。详言之，磊晶叠层110具有第一平台部Mes1以及第二平台部Mes2，且磊晶叠层110具有第一凹陷部D1以及第二凹陷部D2。第一凹陷部D1定义出第一平台部Mes1以及第二平台部Mes2以各别形成第一型导电区及第二型导电区。第一平台部Mes1与第二平台部Mes2系透过磊晶叠层110中的第二型掺杂半导体层116相互连接。第二平台部Mes2具有第二凹陷部D2，第二凹陷部D2定义出第一子平台部SMes1以及第二子平台部SMes2。并且，第二凹陷部D2使在第二平台部Mes2中的第二型掺杂半导体层116暴露。在本实施例中，第一平台部Mes1、第一子平台部SMes1、第二子平台部SMes2皆具有部分的第一型掺杂半导体层112、部分的发光层114以及部分的第二型掺杂半导体层116。
在本实施例中，第一型掺杂半导体层112不同于第二型掺杂半导体层116。具体而言，第一型掺杂半导体层112与第二型掺杂半导体层116彼此电性相反。第一型掺杂半导体层112为P型掺杂半导体层与N型掺杂半导体层中的其中一者，且例如是P型掺杂半导体层，而P型掺杂半导体层的材料例如是P型氮化镓(p-GaN)。第二型掺杂半导体层116为P型掺杂半导体层与N型掺杂半导体层中的其中另一者，且例如是N型掺杂半导体层，而N型掺杂半导体层的材料例如是N型氮化镓(n-GaN)。发光层114的结构例如是由多层阱层(Well Layer)与多层阻障层(Barrier Layer)所交替堆叠而构成的多重量子阱层(Multiple QuantumWell,MQW)或由第一型掺杂半导体层112之电洞与第二型掺杂半导体层116之电子交汇形成的结合区。在本实施例中，多重量子阱层中的阱层例如是氮化铟镓层(InGaN)，且多重量子阱层中的阻障层例如是氮化镓层(GaN)。由于阱层相对于阻障层具有较低的能隙(EnergyBand Gap)，阻障层可以限制电子(Electron)和电洞(Hole)以使两者于阱层中结合，而发射出光子(Photon)。于其他的实施例中，发光层114的结构例如是单一量子阱层(SingleQuantum Well,SQW)，本发明并不以此为限制。并且，未刻意掺杂的半导体层118的材料例如是未刻意掺杂的氮化镓(u-GaN)，本发明并不以此为限制。总体来说，本发明实施例的磊晶叠层110例如是氮化物的半导体结构。于其他的实施例中，未刻意掺杂的半导体层118的材料例如是氮化铝(AlN)。
在本实施例中，第一电极120电性连接于磊晶叠层110，且设置于磊晶叠层110的第一平台部Mes1。第一电极120具有暴露于外界的第一表面S1。第一电极120例如是P型电极。第一电极120例如是金属电极，且其材料例如是金(Au)、镍(Ni)、铂(Pt)、锡(Sn)、铝(Al)、钛(Ti)、铝/铜合金(Al/Cu Alloy)、锡/银/铜合金(Sn/Ag/Cu alloy)、金/锡合金(Au/Snalloy)、锡合金(Sn alloy)或其合金，本发明并不以此为限制。
在本实施例中，第二电极130电性连接于磊晶叠层110，且设置于磊晶叠层110的第二平台部Mes2。第二电极130例如是N型电极。第二电极130具有暴露于外界的第二表面S2以及相对于第二表面S2的第三表面S3。第二电极130以第三表面S3与位于第二平台部Mes2的第一型掺杂半导体层112、发光层114以及第二型掺杂半导体层116直接接触。更详细来说，第三表面S3分成三个部分，分别是第一部分S31、第二部分S32以及第三部分S33。第二电极130以第三表面S3的第一部分S31与位于第一子平台部SMes1的第一型掺杂半导体层112、发光层114以及部分第二型掺杂半导体层116直接接触。第二电极130以第三表面S3的第二部分S32与位于第二平台部Mes2中被第二凹陷部D2暴露的第二型掺杂半导体层116直接接触。第二电极130以第三表面S3的第三部分S33与位于第二子平台部SMes2的第一型掺杂半导体层112、发光层114以及部分第二型掺杂半导体层116直接接触。第二电极130例如是金属电极，且其材料例如是金、镍、铂、锡、铝、钛、铝/铜合金、锡/银/铜合金、金/锡合金、锡合金或其合金，本发明并不以此为限制。
参照图1B，在本实施例中，至少部分的第一电极120的第一表面S1与至少部分的第二电极130的第二表面S2系为同一水平面。换言之，至少部分的第一表面S1与至少部分的第二表面S2实质上切齐。因此，本发明实施例的微型发光二极管100在与外界基板(例如是显示面板中的薄膜晶体管基板)进行接合时，较不容易遭遇到倾斜的问题，透过上述的设计可以进一步提升制造良率。另外本发明的实施例中，第一电极120与第二电极130的金属电极中，包含有一锡材料，使本发明实施例的微型发光二极管100在与外界基板(例如是显示面板中的薄膜晶体管基板)进行接合时，使微型发光二极管100可直接与外界基板电路电性接合，或者是外界基板上的电路金属电极中，包含有一锡材料，使本发明实施例的微型发光二极管100在与外界基板(例如是显示面板中的薄膜晶体管基板)进行接合时，使微型发光二极管100可直接与外界基板电路电性接合，透过上述的设计以减少微型发光二极管100与外界基板之间进行接合时额外的连接焊料的使用。
在本实施例中，电流分散层140(Current Spreading Layer)设置于第一电极120与第一平台部Mes1之间。第一电极120透过电流分散层140以与磊晶叠层110电性连接。电流分散层140的材质例如是铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)或铟锌氧化物(Indium ZincOxide，IZO)或透明金属层等透明导电材料或反射层等具反射功能的金属材料例如是金、镍、铂、锡、铝、钛、钨金合金、铝/铜合金、锡/银/铜合金、锡合金或其合金，本发明并不以此为限。
在本实施例中，绝缘层150设置于磊晶叠层110的侧面SS以及磊晶叠层110的部分顶面TS以使第一平台部Mes1与第二平台部Mes2暴露。绝缘层150与第一电极120以及第二电极130之间具有间隙。绝缘层150的材料例如是绝缘材料或二种不同折射率材料之堆叠组合，且具有保护或反射的作用，因此绝缘层150也可被视为保护层(Protective Layer)。绝缘层150例如是二氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)或二氧化钛(TiO2)，本发明并不以此为限制。
在本实施例中，基板160例如是蓝宝石基板(Sapphire Substrate,Al2O3)。在其他的实施例中，基板160可例如是硅基板(Silicon Substrate)、碳化硅基板(SiliconCarbide Substrate,SiC)或者是其他适于生长磊晶叠层110的基板。磊晶叠层110、第一电极120以及第二电极130设置于基板160的同一侧。更详细来说，磊晶叠层110中的未刻意掺杂的半导体层118、第二型掺杂半导体层116、发光层114以及第一型掺杂半导体层112依序堆叠于基板160上。
同时参照图1B以及图1C，在本实施例中，由于第一型掺杂半导体层112与第二型掺杂半导体层116电性相反，因此第一平台部Mes1中的部分第一型掺杂半导体层112、部分发光层114以及部分第二型掺杂半导体层116可被视为第一二极管Dio1。第一子平台部SMes1中的部分第一型掺杂半导体层112、部分发光层114以及部分第二型掺杂半导体层116可被视为第二二极管Dio2。第二子平台部SMes2中的部分第一型掺杂半导体层112、部分发光层114以及部分第二型掺杂半导体层116可被视为第三二极管Dio3。本实施例的微型发光二极管100等效适于外接一外接电源Vs(绘示于图1C)，外接电源Vs的正极耦接于微型发光二极管100的第一电极120。第一二极管Dio1的正极端TP1耦接于第一电极120，第一二极管Dio1的负极端TN1耦接于第二二极管Dio2的负极端TN2与第三二极管Dio3的负极端TN3。外接电源Vs的负极、第二二极管Dio2的正极端TP2与第三二极管Dio3的正极端TP3可被视为接地(Grounded)。微型发光二极管100中的元件所具有的电阻可被等效为电阻R。
再参照图1B以及图1C，当外接电源Vs对微型发光二极管100提供电流i时，由于电流i对于第一平台部Mes1的第一二极管Dio1系为顺向偏压，而电流i对于第一子平台部SMes1的第二二极管Dio2以及第二子平台部SMes2的第一二极管Dio2系为逆向偏压，因此电流i会较不容易从第一子平台部SMes1以及第二子平台部SMes2的顶面流往第二电极130。详细来说，电流i会依序通过第一电极120、电流分散层140、第一型掺杂半导体层112(即P型掺杂半导体层112)、发光层114、第二型掺杂半导体层116(即N型掺杂半导体层116)，接着再由第二电极130的第三表面S3的第二部分S32(即第二电极130中直接与第二型掺杂半导体层116接触的部分表面)进入第二电极130，电流i再由第二电极130离开微型发光二极管100。换言之，第二电极130与在第二平台部Mes2的第一型掺杂半导体层112接触的部分(即第一子平台部SMes1以及第二子平台部SMes2)具有电流阻碍的功能，而第二电极130与在第二平台部Mes2的第二型掺杂半导体层116接触的部分则具有导通电流的功能。
承上述，在本发明实施例的微型发光二极管100中，透过将第二电极130与位于第二平台部Mes2的第一型掺杂半导体层112、发光层114以及第二型掺杂半导体层116接触的设计，相较于先前技术中所述及的在孔洞中蒸镀与蚀刻保护层的结构，本发明实施例的微型发光二极管100的结构较为简单，且制造良率高，同时也不会限制第二电极130的面积。
图2A至图2K是制造本发明图1A以及图1B实施例的微型发光二极管的制造流程图。于以下的段落会详细地说明如何制造本发明实施例的微型发光二极管100。
参照图2A，提供基板160。基板160例如是用以成长磊晶叠层110的成长基板。
参照图2B，形成磊晶叠层110于基板160上，其中磊晶叠层110包括第一型掺杂半导体层112、发光层114、第二型掺杂半导体层116以及未刻意掺杂的半导体层(其作用例如是做为低温成核层(Low temperature nucleation layer)或缓冲层(Buffer Layer)，主要成份为氮化镓或氮化铝)118或经由非磊晶成长过程中形成的缓冲层(Buffer Layer)，例如是氮化镓、氮化铝、碳化硅(SiC)或包含有一碳材料或碳共价键结之组合。发光层114位于第一型掺杂半导体层112与第二型掺杂半导体层116之间。第一型掺杂半导体层112与第二型掺杂半导体层116电性相反。详细来说，先形成未刻意掺杂的半导体层118于基板160上。接着，形成第二型掺杂半导体层116于未刻意掺杂的半导体层118上。接着，形成发光层114于第二型掺杂半导体层116上。最后，形成第一型掺杂半导体层112于发光层114上。上述成长磊晶叠层110的方法例如是采用金属有机化学气相沉积法(Metal Organic Chemical VaporDeposition，MOCVD)，但不以此为限制。
参照图2C，形成一牺牲层SL(Sacrificial Layer)于磊晶叠层110上。牺牲层SL的材料例如是二氧化硅、二氧化钛或二种不同折射率材料之堆叠组合，本发明并不以此为限制。
参照图2D，形成图案化光阻层PPR于牺牲层SL上。
参照图2E，蚀刻(Etching)部分的牺牲层SL。蚀刻的方式例如是透过干式化学蚀刻、湿式化学蚀刻、物理蚀刻或以上三种的组合蚀刻牺牲层SL，将图案化光阻层PPR的形状转移到牺牲层SL上，以形成图案化牺牲层PSL且暴露出部分的磊晶叠层110。
参照图2F，蚀刻磊晶叠层110以使部分的第二型掺杂半导体层116暴露，形成第一凹陷部D1以及第二凹陷部D2。具体来说，蚀刻部分的第一型掺杂半导体层112、部分的发光层114以及部分的第二型掺杂半导体层116，以使磊晶叠层110具有第一平台部Mes1以及第二平台部Mes2，并且第二平台部Mes2更具有第一子平台部SMes1以及第二子平台部SMes2，其中图案化牺牲层PSL以及图案化光阻层PPR做为蚀刻的阻挡层。详细来说，在图2F的蚀刻制程中，系透过形成第一凹陷部D1，以定义出第一平台部Mes1与第二平台部Mes2，并且系透过形成第二凹陷部D2，以定义出第二平台部Mes2中的第一子平台部SMes1以及第二子平台部SMes2，其中更可透过蚀刻制程中，将图案化牺牲层PSL以及图案化光阻层PPR的形状转移定义出第一平台部Mes1与第二平台部Mes2的形状。在本实施例中，蚀刻的制程例如是透过干式化学蚀刻或者是物理蚀刻的方式，可透过只以图案化牺牲层PSL做为蚀刻的阻挡层，并定义出第一平台部Mes1与第二平台部Mes2，并且系透过形成第二凹陷部D2，以定义出第二平台部Mes2中的第一子平台部SMes1以及第二子平台部SMes2，但本发明并不以此为限制。
参照图2G，移除图案化光阻层PPR以及图案化牺牲层PSL，以暴露出第一平台部Mes1以及第二平台部Mes2。
参照图2H，蚀刻部分的第一型掺杂半导体层112、部分的发光层114、部分第二型掺杂半导体层116以及部分的未刻意掺杂的半导体层118，以暴露出部分基板160。详细来说，在图2H制程方法中，可如图2F制程中，有一图案化牺牲层及图案化光阻层或以一图案化牺牲层作为蚀刻时的阻挡层，以形成部分的第一型掺杂半导体层112、部分的发光层114、部分第二型掺杂半导体层116以及部分的未刻意掺杂的半导体层118，以及暴露出部分基板160。
参照图2I，形成绝缘层150于磊晶叠层110的侧面SS以及磊晶叠层110的部分顶面TS以使第一平台部Mes1与第二平台部Mes2暴露。形成绝缘层150的方式例如是透过电浆辅助化学气相(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)沉积或者是电子束蒸镀法(E-Gun Evaporation)来形成。或者是，使用黄光微影制程光阻剥离(Lift-off)或蚀刻方式，将图案化光阻层形成于磊晶叠层110上，并进行透过电浆辅助化学气相沉积或者是电子束蒸镀法来形成绝缘层在图案化光阻层及磊晶叠层110上，再经由光阻剥离方式去除图案化光阻层，以形成绝缘层150在磊晶叠层110及部分基板160上，本发明并不以此为限制。
参照图2J，形成电流分散层140于第一平台部Mes1处，其中电流分散层140与位于第一平台部Mes1处的第一型掺杂半导体层112接触。形成电流分散层140的方式例如是透过电子束蒸镀法或者是溅镀法(Sputtering)来形成。详细来说，形成电流分散层140的方式是使用黄光微影制程光阻剥离(Lift-off)或蚀刻方式，将图案化光阻层形成于磊晶叠层110上，并进行透过溅镀法沉积或者是电子束蒸镀法来形成电流分散层140在图案化光阻层及磊晶叠层110上，在经由光阻剥离方式去除图案化光阻层，以形成电流分散层140在磊晶叠层110上。
参照图2K，分别形成第一电极120与第二电极130于第一平台部Mes1以及第二平台部Mes2。第一电极120与第二电极130与磊晶叠层110电性连接。详细来说，至此，图1A以及图1B的实施例的微型发光二极管100大体上已经制作完成。
下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
图3A为本发明另一实施例的微型发光二极管上视示意图。图3B为图3A的剖线B-B的剖面示意图。
参照图3A以及图3B，图3A以及图3B的实施例的微型发光二极管100a大致类似于图1A以及图1B的实施例的微型发光二极管100，其主要差异在于：在本实施例中，微型发光二极管100a的基板160’例如是图案化基板160’，且例如是图案化的蓝宝石基板(PatternedSapphire Substrate,PSS)。
图4A为本发明再一实施例的微型发光二极管上视示意图。图4B为图4A的剖线C-C的剖面示意图。
参照图4A以及图4B，图4A以及图4B的实施例的微型发光二极管100b大致类似于图1A以及图1B的实施例的微型发光二极管100，其主要差异在于：在本实施例中，微型发光二极管100c的绝缘层150由磊晶叠层110的侧面SS更延伸至基板160的表面。换言之，绝缘层150覆盖基板160的局部表面。
图5A为本发明又一实施例的微型发光二极管上视示意图。图5B为图5A的剖线D-D的剖面示意图。
参照图5A以及图5B，图5A以及图5B的实施例的微型发光二极管100c大致类似于图1A以及图1B的实施例的微型发光二极管100，其主要差异在于：在本实施例中，微型发光二极管100c的第一电极120与第二电极130各别覆盖部分的绝缘层150。换言之，部分的绝缘层150设置于第一电极120与磊晶叠层110之间以及第二电极130与磊晶叠层110之间。
图6A为本发明另一实施例的微型发光二极管上视示意图。图6B为图6A的剖线E-E的剖面示意图。
参照图6A以及图6B，图6A以及图6B的实施例的微型发光二极管100d大致类似于图1A以及图1B的实施例的微型发光二极管100，其主要差异在于：在本实施例中，微型发光二极管100d的第一电极120直接接触在第一平台部Mes1的第一型掺杂半导体层112。
图7A为本发明另一实施例的微型发光二极管上视示意图。图7B为图7A的剖线F-F的剖面示意图。
参照图7A以及图7B，图7A以及图7B的实施例的微型发光二极管100e大致类似于图1A以及图1B的实施例的微型发光二极管100，其主要差异在于：在本实施例中，微型发光二极管100e的电流分散层140设置于第二平台部Mes2处、部分第一子平台部SMes1以及部分第二子平台部SMes2，其中电流分散层140与位于第二平台部Mes2处的第二型掺杂半导体层116电性接触。
图8A为本发明另一实施例的微型发光二极管上视示意图。图8B为图8A的剖线G-G的剖面示意图。
参照图7A以及图7B，图8A以及图8B的实施例的微型发光二极管100g大致类似于图1A以及图1B的实施例的微型发光二极管100，其主要差异在于：第一电极120覆盖电流分散层140，换言之，电流分散层140位于第一电极120投影于磊晶叠层110的投影区域内。第一电极120暴露于外界的第一表面S1具有不同的水平高度，且第二电极130暴露于外界的第二表面S2具有不同的水平高度。至少部分的第一表面S1与至少部分的第二表面S2为同一水平面。
图9A至20A为制造本发明另一实施例的微型发光二极管的制造上视流程图。图9B至图20B分别是图9A至图20A的制造剖面流程图。图21为本发明的微型发光二极管于加热状态的示意图。图22A至图26A为制造本发明又一实施例的微型发光二极管的制造上视流程图。图22B至图26B分别是图22A至图26A的制造剖面流程图。
图9A、图9B、图10A以及图10B的制造流程类似于图2A以及图2B，于此不再赘述。
参照图11A以及图11B，蚀刻磊晶叠层110并使基板160的局部表面暴露，以使磊晶叠层110形成多个彼此分离的子磊晶叠层110S。各子磊晶叠层110S包括部分的第一型掺杂半导体层112、部分的发光层114、部分的第二型掺杂半导体层116以及部分的未刻意掺杂的半导体层118。
参照图12A以及图12B，蚀刻各子磊晶叠层110S中的部分第一型掺杂半导体层112、部分的发光层114以及部分的第二型掺杂半导体层116，以使各子磊晶叠层110S具有第一凹陷部D1以及第二凹陷部D2。第一凹陷部D1定义出第一平台部Mes1与第二平台部Mes2且暴露出第二型掺杂半导体层116以各别形成第一型导电区及第二型导电区。第二平台部具有第二凹陷部D2。第二凹陷部D2定义出在第二平台部Mes2中的第一子平台部SMes1与第二子平台部SMes2。第二凹陷部D2使在第二平台部Mes2中的第二型掺杂半导体层116，部分第一型掺杂半导体层112及部分发光层114暴露。在本实施例中，第一平台部Mes1的正投影面积以及形状分别与第二平台部Mes2的正投影面积以及形状实质上相同。第一凹陷部D1位于第一型导电区与第二型导电区之间。
参照图13A以及图13B，在这些第一型导电区形成多个第一电极120分别于这些第一平台部Mes1。在这些第二型导电区形成多个第二电极130于该些第二平台部Mes2。各第一电极120与对应的子磊晶叠层110S电性连接，各第二电极130与对应的子磊晶叠层110S电性连接，以在基板160上形成多个微型发光二极管100g，其中，在各微型发光二极管100g中，第二电极130与位于第一平台部Mes2的第一型掺杂半导体层112、发光层114以及第二型掺杂半导体层116接触且各第二电极130包覆该各第二凹陷部D2。当然，在其他的实施例中，微型发光二极管100g亦可增设如同前述图式中的电流分散层或绝缘层等元件，本发明并不以此限制。
参照图14A以及图14B，提供暂时基板S’。暂时基板S'上例如设置有黏着层(Adhesive Layer)。
参照图15A以及图15B，将在基板160上的这些微型发光二极管100g倒置设置在暂时基板S'上。
参照图16A以及图16B，将设置在暂时基板S'上之基板160上的这些微型发光二极管100g中的至少部分选定为预定分离部分PDP。预定分离部分PDP中的这些微型发光二极管100g的数量例如是四个，且例如分别是第一微型发光二极管100g1、第二微型发光二极管100g2、第三微型发光二极管100g3以及第四微型发光二极管100g4。于其他的实施例中，预定分离部分PDP中的这些微型发光二极管100g的数量也可以是大于四个或者是小于四个，本发明并不以此为限制。
参照图17A以及图17B，将预定分离部分PDP与基板160的其余部分分离，分离的方式例如是透过激光剥离法、光化学反应法或者是光物理反应法
参照图18A以及图18B，移除基板160，以完成将预定分离部分PDP中的这些微型发光二极管100g转移至暂时基板S’的步骤。在暂时基板S’上的预定分离部分PDP中的任一微型发光二极管100g为第一微型发光二极管100g1。第一微型发光二极管100g1在第一方向X1上与这些微型发光二极管100g中的第二微型发光二极管100g2相邻，且第一微型发光二极管100g1与第二微型发光二极管100g2具有第一间距G1。第一微型发光二极管100g1在不同于第一方向X1的第二方向X2上与这些微型发光二极管100g中的第三微型发光二极管100g3相邻，且第一微型发光二极管100g1与第三微型发光二极管100g3具有第二间距G2。详言之，第一微型发光二极管100g1在第一方向X1上与第三微型发光二极管100g3相邻，且在第二方向X2上与第二微型发光二极管100g2相邻。第四微型发光二极管100g4在第二方向X2上与第三微型发光二极管100g3相邻，且在第一方向X1上与第二微型发光二极管100g2相邻。第一方向X1例如是垂直于第二方向X2，于其他的实施例中，第一方向X1与第二方向X2两者之间也可以具有一非90度的夹角，本发明并不以此为限。在本实施例中，第一间距G1大于第二间距G2，于其他的实施例中，第一间距G1也可以是等于第二间距G2，本发明并不以此为限制。第一间距G1与第二间距G2可依照微型发光二极管之对应封装或者是模块设计匹配而互相对应。此外，任一微型发光二极管100g在第一方向X1上的正投影于暂时基板S’上的长度大于或等于在第二方向X2上的正投影于暂时基板S’上的长度。于其他的实施例中，第一微型发光二极管100g1与第二微型发光二极管100g2之间的第二间距G2大于或等于第一微型发光二极管100g1与第三微型发光二极管100g3之间的第二间距G2。任一微型发光二极管100g正投影于暂时基板S’上的形状可为长方形或正方形，本发明并不以此为限制。
参照图19A以及图19B，提供永久基板PS’，且该永久基板PS’上具有多个预定接合位置PBP，且这些预定接合的位置PBP之间具有与这些微型发光二极管100g的第一间距G1与第二间距G2相对应的间距。且这些预定接合的位置PBP具有多个预定接合电极PE与这些微型发光二极管100g的第一电极120与第二电极130相对应设置。
参照图20A以及图20B，将如图18A以及图18B的暂时基板S’上的预定分离部分PDP中的这些微型发光二极管100g转移至永久基板PS’上，且这些微型发光二极管100g的多个第一电极120与多个第二电极130与永久基板PS’上多个预定接合电极PE相对应电性相接设。在上述转移至永久基板的过程中，更可包含有一加热、加压或二者的组合制程。参照图21，这些微型发光二极管100g被加热制程加热后其第一电极120、第二电极130形成半弧形状。这些微型发光二极管100g以具有多个半弧形状的第一电极120、第二电极130与永久基板PS’上多个预定接合电极PE形成共晶或焊接接合。透过半弧形状的电极120、130可以直接与永久基板上的预定接合电极PE直接接合且电性相接。
延续图16A以及图16B，参照图22A以及图22B将在基板160上的这些微型发光二极管100g中的至少部分选定为预定分离部分PDP，并且将此带有部分基板160的预定分离部分PDP与基板160的其余部分进行切割，切割的方式例如是透过激光切割法、光化学反应法或光物理反应法以在基板160形成多个痕迹。透过劈裂装置沿着这些痕迹将预定分离部分PDP与基板160的其余部分分离。
参照图23A以及图23B，将切割后的预定分离部分PDP的这些微型发光二极管100转移至暂时基板S’上。
参照图24A以及图24B，将切割后的预定分离部分PDP中的基板160分离，分离的方式例如是透过激光剥离、光化学反应或者是光物理反应，将预定分离部分PDP中的基板160与这些微型发光二极管100g分批性或一次性分离。
参照图25A以及图25B，移除基板160，完成将预定分离部分PDP中的这些微型发光二极管100g转移至暂时基板S’的步骤。在暂时基板S’上的预定分离部分中的任一微型发光二极管100g为第一微型发光二极管100g1。第一微型发光二极管100g1在第一方向X1上与这些微型发光二极管100g中的第二微型发光二极管100g2相邻，且第一微型发光二极管100g1与第二微型发光二极管100g2具有第一间距G1。第一微型发光二极管100g1在不同于第一方向X1的第二方向X2上与这些微型发光二极管100g中的第三微型发光二极管相邻100g3，且第一微型发光二极管100g1与第三微型发光二极管100g3具有第二间距G2。
参照图26A以及图26B，提供如图19A以及图19B的永久基板PS’，将暂时基板S’上的预定分离部分PDP中的这些微型发光二极管100g转移至永久基板PS’上并与永久基板PS’上的这些预定接合电极PE相对应电性相接设，其过程类似于图19A、图19B、图20A、图20B以及图21，于此不再赘述。
综上所述，在本发明实施例的微型发光二极管中，透过将第二电极与位于第二平台部的第一型掺杂半导体层、发光层以及第二型掺杂半导体层接触的设计，相较于先前技术中所述及的在孔洞中蒸镀与蚀刻保护层的结构，本发明实施例的微型发光二极管的结构较为简单，且制造良率高，同时也不会限制第二电极的面积。另外，在本发明实施例的微型发光二极管的制造方法可以制造出上述的微型发光二极管，因此本发明实施例的微型发光二极管的制造方法可以制造流程较为简单，且制造良率高。
虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定者为准。

Claims (17)

1.一种微型发光二极管，包括：
一磊晶叠层，包括一第一型掺杂半导体层、一发光层以及一第二型掺杂半导体层，且该发光层位于该第一型掺杂半导体层以及该第二型掺杂半导体层之间，该第一型掺杂半导体层与该第二型掺杂半导体层电性相反，其中该磊晶叠层具有一第一平台部以及一第二平台部并各别形成一第一型导电区以及一第二型导电区，且该第一平台部与该第二平台部透过该第二型掺杂半导体层相连；
一第一电极，电性连接于该磊晶叠层，且设置于该第一平台部；以及
一第二电极，电性连接于该磊晶叠层，且设置于该第二平台部，
其中，该第二电极与位于该第二平台部的该第一型掺杂半导体层、该发光层以及该第二型掺杂半导体层接触。
2.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，该磊晶叠层具有一第一凹陷部以及一第二凹陷部，该第一凹陷部定义出该第一平台部与该第二平台部且暴露出部分该第二型掺杂半导体层，且该第二平台部具有该第二凹陷部，该第二凹陷部定义出在该第二平台部中的一第一子平台部与一第二子平台部，且该第二凹陷部使在该第二平台部中的该第二型掺杂半导体层、部分该第一型掺杂半导体层及部分该发光层暴露。
3.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，该第一电极具有暴露于外界的一第一表面，该第二电极具有暴露于外界的一第二表面，至少部分的该第一表面与至少部分的该第二表面为同一水平面。
4.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，
该第一平台部中的部分该第一型掺杂半导体层、部分该发光层以及部分该第二型掺杂半导体层构成一第一二极管，
该第一子平台部中的部分该第一型掺杂半导体层、部分该发光层以及部分该第二型掺杂半导体层构成一第二二极管，
该第二子平台部中的部分该第一型掺杂半导体层、部分该发光层以及部分该第二型掺杂半导体层构成一第三二极管，
其中，该第一二极管的正极端耦接于该第一电极，该第一二极管的负极端耦接于该第二二极管的负极端与该第三二极管的负极端。
5.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，更包括一电流分散层，该第一电极或该第二电极透过该电流分散层与该磊晶叠层电性连接。
6.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，更包括一绝缘层，该绝缘层设置于该磊晶叠层的侧面以及该磊晶叠层的部分顶面以暴露该第一平台部与该第二平台部。
7.如权利要求6所述的微型发光二极管，其特征在于，该磊晶叠层更包括一未刻意掺杂的半导体层，且该未刻意掺杂的半导体层位于该第二型掺杂半导体层与该基板之间。
8.如权利要求6所述的微型发光二极管，其特征在于，该绝缘层与该第一电极之间具有一第一间隙，且该绝缘层与该第二电极之间具有一第二间隙。
9.一种微型发光二极管的制造方法，包括：
提供一基板；
形成一磊晶叠层于该基板上，其中该磊晶叠层包括一第一型掺杂半导体层、一发光层以及一第二型掺杂半导体层，该发光层位于该第一型掺杂半导体层与该第二型掺杂半导体层之间，且该第一型掺杂半导体层与该第二型掺杂半导体层电性相反；
蚀刻该磊晶叠层，以使该磊晶叠层具有一第一平台部以及一第二平台部并各别形成一第一型导电区及一第二型导电区；以及
分别在该第一型导电区形成一第一电极于该第一平台部以及在该第二型导电区形成该第二电极于该第二平台部，该第一电极与该第二电极与该磊晶叠层电性连接，
其中，该第二电极与该第二平台部的该第一型掺杂半导体层、该发光层以及该第二型掺杂半导体层接触。
10.如权利要求9所述的微型发光二极管的制造方法，其中在蚀刻该磊晶叠层的步骤中，其特征在于，更包括：
蚀刻部分的该第一型掺杂半导体层、部分的该发光层以及部分的该第二型掺杂半导体层，以使该磊晶叠层具有一第一凹陷部以及一第二凹陷部，
其中该第一凹陷部定义出该第一平台部与该第二平台部以各别形成该第一型导电区及该第二型导电区，
且该第二凹陷部定义出该第二平台部中的一第一子平台部以及一第二子平台部。
11.如权利要求9所述的微型发光二极管的制造方法，其特征在于，在蚀刻该磊晶叠层以使该磊晶叠层具有该第一平台部以及该第二平台部的步骤后更包括：
蚀刻该磊晶叠层，以暴露出部分该基板。
12.如权利要求11所述的微型发光二极管的制造方法，其特征在于，在蚀刻该磊晶叠层以暴露出部分该基板的步骤后更包括：
形成一绝缘层于该磊晶叠层的一侧面以及该磊晶叠层的部分顶面以使该第一平台部与该第二平台部暴露。
13.如权利要求9所述的微型发光二极管的制造方法，其特征在于，在分别形成该第一电极与该第二电极于该第一平台部以及该第二平台部的步骤前，更包括：
形成一电流分散层于该磊晶叠层。
14.一种微型发光二极管的制造方法，包括：
提供一基板；
形成一磊晶叠层于该基板上，其中该磊晶叠层包括一第一型掺杂半导体层、一发光层以及一第二型掺杂半导体层，该发光层位于该第一型掺杂半导体层与该第二型掺杂半导体层之间，且该第一型掺杂半导体层与该第二型掺杂半导体层电性相反；
蚀刻该磊晶叠层，以使该磊晶叠层形成多个彼此分离的子磊晶叠层，其中各该子磊晶叠层包括部分的该第一型掺杂半导体层、部分的该发光层以及部分的该第二型掺杂半导体层；
蚀刻各该子磊晶叠层，以使各该子磊晶叠层具有一第一平台部以及一第二平台部并各别形成一第一型导电区及一第二型导电区；以及
在该些第一型导电区形成多个第一电极分别于该些第一平台部，在该些第二型导电区形成多个第二电极分别于该些第二平台部，各该第一电极与其对应的该子磊晶叠层电性连接，各该第二电极与其对应的该子磊晶叠层电性连接，以在该基板上形成多个微型发光二极管，
其中，在各该微型发光二极管中，
该第二电极与其对应的该第二平台部的该第一型掺杂半导体层、该发光层以及该第二型掺杂半导体层接触。
15.如权利要求14所述的微型发光二极管的制造方法，其特征在于，在蚀刻各该子磊晶叠层的步骤中，更包括：
蚀刻各该子磊晶叠层中的部分的该第一型掺杂半导体层、部分的该发光层以及部分的该第二型掺杂半导体层，以使各该子磊晶叠层具有一第一凹陷部以及一第二凹陷部，
其中该第一凹陷部定义出该第一平台部与该第二平台部以各别形成该第一型导电区及该第二型导电区，且该第二凹陷部定义出该第二平台部中的一第一子平台部以及一第二子平台部。
16.如权利要求14所述的微型发光二极管制造方法，其特征在于，在该基板上形成该些微型发光二极管的步骤后，更包括：
提供一暂时基板；
将在该基板上的该些微型发光二极管中的至少部分选定为一预定分离部分，将该预定分离部分中的该些微型发光二极管与该基板分离；以及
将分离后的该预定分离部分中的该些微型发光二极管转移至该暂时基板上。
17.如权利要求16所述的微型发光二极管制造方法，其特征在于，在该暂时基板上的该预定分离部分中的任一该微型发光二极管为一第一微型发光二极管，其中，
该第一微型发光二极管在一第一方向上与该些微型发光二极管中的一第二微型发光二极管相邻，且该第一微型发光二极管与该第二微型发光二极管具有一第一间距，
该第一微型发光二极管在不同于该第一方向的一第二方向上与该些微型发光二极管中的一第三微型发光二极管相邻，且该第一微型发光二极管与该第三微型发光二极管具有一第二间距。
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