CN110010542A - 微型led器件、微型led阵列及制造方法 - Google Patents

微型led器件、微型led阵列及制造方法 Download PDF

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CN110010542A CN201910311939.2A CN201910311939A CN110010542A CN 110010542 A CN110010542 A CN 110010542A CN 201910311939 A CN201910311939 A CN 201910311939A CN 110010542 A CN110010542 A CN 110010542A
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李成果
张树昕
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Abstract

本发明提供了一种微型LED器件、微型LED阵列及制造方法，涉及半导体发光器件技术领域。具体地，通过离子注入破坏被注入区域的晶格结构和电学性能，形成两个高电阻区，该区域具有较高的电阻，以限定LED的发光主要发生在未被离子注入的区域。本发明保留了LED外延层的平面结构，避免了在LED发光区域外围形成台阶结构，有利于器件的微缩，有利于在器件间形成复杂的互联和阵列结构。

Description

微型LED器件、微型LED阵列及制造方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种微型LED器件、微型LED阵列及制造方法。
背景技术
传统的发光二极管(Light Emitting Diode，LED)具有较大的尺寸，典型的尺寸范围在几十到上千微米。在制作这些传统LED的过程中，需要刻蚀掉部分P-型GaN层与量子阱层等结构以限定发光区域和形成隔离结构，这样就会在器件中形成台阶结构。在形成分立LED器件的过程中还需要通过刻蚀、切割等手段将每个LED分离，以形成独立的LED器件。
上述器件结构适合形成尺寸较大的LED器件，但对于器件尺寸很小的MicroLED(微型LED)和单光子器件，上述器件结构就会存在多个不利因素。MicroLED的器件尺寸仅有微米级别大小，单光子器件的发光区域仅有百纳米级别大小。如果在LED器件的外围形成了较深的台阶结构，将不不利于后续工艺和互联。同时，具有台阶结构的非平面化的结构不利于器件的微缩，难于形成较小的器件。此外，LED器件的台阶结构不利于器件间的互联，从而难以形成复杂的阵列。在刻蚀台阶结构时会造成刻蚀面的损伤，严重降低发光效率，小器件由于表面积占比高使得发光效率降低的尤为严重。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种微型LED器件、微型LED阵列及制造方法。
本发明提供的技术方案如下：
一种微型LED器件，包括：
基底；
位于所述基底一侧并间隔设置的第一高电阻层和第二高电阻层；
位于所述第一高电阻层和第二高电阻层之间，基于所述基底制作的第一N型半导体层、第一发光层和第一P型半导体层；
位于所述第二高电阻层远离所述第一高电阻层一侧，基于所述基底制作的第二N型半导体层、第二发光层和第二P型半导体层，其中，所述第一高电阻层和第二高电阻层的电阻大于所述第一N型半导体层、第一发光层、第一P型半导体层、第二N型半导体层、第二发光层和第二P型半导体层的电阻；
与所述第二N型半导体层相接触的N型欧姆电极；
基于所述第一P型半导体层制作的第一P型欧姆电极。
进一步地，该微型LED器件还包括：
第三N型半导体层，所述第三N型半导体层基于所述基底制作形成，设置在所述第二高电阻层、所述第一N型半导体层以及所述第二N型半导体层三者与所述基底之间，所述N型欧姆电极与所述第三N型半导体层相接触。
进一步地，该微型LED器件还包括：
基于所述第二P型半导体层制作的第二P型欧姆电极。
进一步地，所述基底包括衬底和基于所述衬底制作的缓冲层。
进一步地，所述第一高电阻层和第二高电阻层掺杂有C、N、Ar、B和F离子中的一种或多种。
本发明还提供了一种微型LED阵列，包括多个上述的微型LED器件，所述微型LED阵列中的微型LED器件成矩阵式排列，多个所述微型LED器件的第一N型半导体层或第二N型半导体层互相连通，多个所述微型LED器件之间通过所述第一高电阻层和第二高电阻层互相电隔离，多个所述微型LED器件的第一P型欧姆电极互相连通，多个所述微型LED器件的N型欧姆电极互相连通。
进一步地，该微型LED阵列还包括与互相连通的所述第一P型欧姆电极相连接的第一电极和与互相连通的所述N型欧姆电极连接的第二电极。
本发明还提供了一种微型LED器件的制造方法，包括：
提供一基底；
基于所述基底制作N型半导体层；
在所述N型半导体层远离所述基底一侧制作发光层；
在所述发光层远离所述N型半导体层一侧制作P型半导体层；
使用掩膜遮挡所述P型半导体层的一部分，基于暴露出的P型半导体层注入预设离子，所述预设离子被注入至部分P型半导体层、部分发光层及部分N型半导体层内，形成间隔设置的第一高电阻层和第二高电阻层，其中，所述第一高电阻层的厚度等于所述P型半导体层、发光层和N型半导体层的厚度之和，所述第二高电阻层的厚度大于所述P型半导体层和发光层的厚度之和，小于所述P型半导体层、发光层和N型半导体层的厚度之和；
制作与所述P型半导体层连接的P型欧姆电极和与所述N型半导体层连接的N型欧姆电极；
其中，所述第一高电阻层和第二高电阻层的电阻大于所述P型半导体层和N型半导体层的电阻，位于所述第一高电阻层和第二高电阻层之间的部分所述N型半导体层形成第一N型半导体层，位于所述第二高电阻层和N型欧姆电极之间的所述N型半导体层形成第二N型半导体层；
位于所述第一高电阻层和第二高电阻层之间的所述发光层形成第一发光层，位于所述第二高电阻层和N型欧姆电极之间的所述发光层形成第二发光层；
位于所述第一高电阻层和第二高电阻层之间的所述P型半导体层形成第一P型半导体层，位于所述第二高电阻层和N型欧姆电极之间的所述P型半导体层形成第二P型半导体层。
进一步地，设置在所述第二高电阻层、所述第一N型半导体层以及所述第二N型半导体层三者与所述基底之间保留有部分厚度的N型半导体层，形成第三N型半导体层。
进一步地，所述基底包括衬底和基于所述衬底制作的缓冲层。
本发明提供了一种新的器件结构和制作方法。通过在器件中形成两个高电阻区，两个高电阻区域具有较高的电阻，可以限定LED的发光区域主要发生在高电阻以外的区域。本发明保留了LED外延层的平面结构，避免了在LED发光区域外围形成台阶结构，有利于器件的微缩，有利于在器件间形成复杂的互联和阵列结构。
为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明实施例提供的一种微型LED器件的剖面结构示意图。
图2为本发明实施例提供的一种微型LED器件的另一剖面结构示意图。
图3为本发明实施例提供的一种微型LED器件的另一剖面结构示意图。
图4为本发明实施例提供的一种微型LED阵列的顶面示意图。
图5为本发明实施例提供的一种微型LED器件的制造方法中步骤S101的剖面结构示意图。
图6为本发明实施例提供的一种微型LED器件的制造方法中步骤S102的剖面结构示意图。
图7为本发明实施例提供的一种微型LED器件的制造方法中步骤S103的剖面结构示意图。
图8为本发明实施例提供的一种微型LED器件的制造方法中步骤S104的剖面结构示意图。
图9为本发明实施例提供的一种微型LED器件的制造方法中步骤S105的剖面结构示意图。
图10为本发明实施例提供的一种微型LED器件的制造方法中步骤S106的剖面结构示意图。
图标：10-微型LED器件；301，101-基底；102，306-第一高电阻层；103-第三N型半导体层；104，307-第二高电阻层；105-第一N型半导体层；106-第一发光层；107-第一P型半导体层；108-第二N型半导体层；109-第二发光层；110-第二P型半导体层；111，302-缓冲层；201-第一P型欧姆电极；202-N型欧姆电极；203-第二P型欧姆电极；204-绝缘层；303-N型半导体层；304-发光层；305-P型半导体层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本发明的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
本申请实施例提供了一种微型LED器件10，如图1所示，包括基底101、第一高电阻层102、第二高电阻层104、第一N型半导体层105、第一发光层106、第一P型半导体层107、第二N型半导体层108、第二发光层109、第二P型半导体层110、N型欧姆电极202和第一P型欧姆电极201。
详细的，本申请实施例中的基底101可以选用蓝宝石衬底、硅衬底或其他材质的衬底。在另一种实施方式中，基底101不仅可以包括衬底材料，还可以包括基于衬底材料制作的缓冲层111(如图3所示)。本申请实施例并不限制基底101的具体材质。
第一高电阻层102和第二高电阻层104间隔设置于所述基底101表面的一侧，第一高电阻层102和第二高电阻层104的厚度可以根据实际情况确定。第一高电阻层102和第二高电阻层104的厚度可以相同或不同，如图1所示，第一高电阻层102和第二高电阻层104的厚度相同，第一高电阻层102和第二高电阻层104都直接与基底101接触。
第一N型半导体层105、第一发光层106和第一P型半导体层107位于所述第一高电阻层102和第二高电阻层104之间，第一N型半导体层105、第一发光层106和第一P型半导体层107可以是基于所述基底101制作的，第一N型半导体层105位于基底101一侧，第一发光层106位于第一N型半导体层105远离基底101的一侧，第一P型半导体层107位于第一发光层106远离第一N型半导体层105的一侧。
第二N型半导体层108、第二发光层109和第二P型半导体层110位于所述第二高电阻层104远离所述第一高电阻层102一侧。所述第一高电阻层102的电阻和第二高电阻层104的电阻大于第一P型半导体层107、第一N型半导体层105、第二N型半导体层108及第二P型半导体层110的电阻。
N型欧姆电极202与第二N型半导体层108相接触。在另一种实施方式中，N型欧姆电极202与第二P型半导体层110、第二发光层109之间还可以制作绝缘材料，形成绝缘层204。
第一P型欧姆电极201基于所述第一P型半导体层107制作，第一P型欧姆电极201可以将第一高电阻层102和第二高电阻层104之间的第一P型半导体层107的表面全部覆盖或者覆盖一部分。
在另一种实施方式中，如图2所示，第一N型半导体层105、第二高电阻层104以及第二N型半导体层108三者与基底101之间还可以形成第三N型半导体层103。在图1所示结构中，第二高电阻层104将第一N型半导体层105和第二N型半导体层108相互隔离。在图2所示结构中，第一N型半导体层105、第二N型半导体层108以及第三N型半导体层103作为器件的N型半导体材料，第二高电阻层104没有将N型半导体材料完全隔离。在图2所示结构中，N型欧姆电极202可以与第三N型半导体层103相接触。
在另一种实施方式中，该LED还包括基于所述第二P型半导体层110制作的第二P型欧姆电极203。如图3所示，所述基底101还可以包括衬底和基于所述衬底制作的缓冲层111。
本申请实施例还提供了一种微型LED阵列，如图4所示，包括多个微型LED器件10，所述微型LED阵列中的微型LED器件10成矩阵式排列，多个所述微型LED器件10的第三N型半导体层103互相连通，多个所述微型LED器件10之间通过所述第一高电阻层102和第二高电阻层104互相电隔离，多个所述微型LED器件10的第一P型欧姆电极201和N型欧姆电极202互相连通。
该微型LED阵列还包括与互相连通的所述第一P型欧姆电极201相连接的第一电极和与互相连通的所述N型欧姆电极202连接的第二电极。
本申请实施例还提供了一种微型LED器件的制造方法，包括以下步骤。
步骤S101，如图5所示，提供一基底301。
本申请实施例中的基底301可以采用硅衬底或其他衬底材料，也可以既包括衬底材料，同时还包括如图6所示的基于衬底制作的缓冲层302。
步骤S102，再如图6所示，基于所述基底301制作N型半导体层303。
步骤S103，如图7所示，在所述N型半导体层303远离所述基底301一侧制作发光层304。
步骤S104，如图8所示，在所述发光层304远离所述N型半导体层303一侧制作P型半导体层305。
步骤S105，如图9所示，使用掩膜遮挡所述P型半导体层305的一部分，基于暴露出的P型半导体层305注入预设离子，所述预设离子被注入至部分P型半导体层305、部分发光层304及部分N型半导体层303内，形成第一高电阻层306和第二高电阻层307。
其中，所述第一高电阻层306的厚度等于所述P型半导体层305、发光层304和N型半导体层303的厚度之和，所述第二高电阻层307的厚度大于所述P型半导体层305和发光层304的厚度之和，小于所述P型半导体层305、发光层304和N型半导体层303的厚度之和；所述预设离子包括C、N、Ar、B、F离子中的一种或多种。
步骤S106，如图10所示，制作与所述P型半导体层305连接的P型欧姆电极和与所述N型半导体层303连接的N型欧姆电极202。
在本申请实施例中，在制作第二高电阻层307时，离子注入的深度不同，可以形成不同的结构。在第二高电阻层307所在位置注入的离子完全渗透N型半导体层303时，可以形成图1所示的器件结构。在第二高电阻层307所在位置注入的离子没有完全渗透N型半导体层303时，就可以形成如图2所示的结构。N型半导体层303可以形成前述图1和图2中的第一N型半导体层105、第二N型半导体层108和第三N型半导体层103。详细的，位于第一高电阻层306和第二高电阻层307之间的部分N型半导体层303形成第一N型半导体层105，位于第二高电阻层307和N型欧姆电极202之间的N型半导体层303形成第二N型半导体层108，其余部分的N型半导体层303形成第三N型半导体层103。P型欧姆电极可以包括第一P型欧姆电极201和第二P型欧姆电极203两部分。
位于第一高电阻层306和第二高电阻层307之间的发光层304形成第一发光层106，位于第二高电阻层307和N型欧姆电极202之间的发光层304形成第二发光层109。
位于第一高电阻层306和第二高电阻层307之间的P型半导体层305形成第一P型半导体层107，位于第二高电阻层307和N型欧姆电极202之间的P型半导体层305形成第二P型半导体层110。
所述第二高电阻层307与所述基底301之间保留有部分厚度的N型半导体层303。
所述基底101可以包括衬底和基于所述衬底制作的缓冲层302。
本发明提供了一种新的器件结构和制作方法。通过离子注入破坏被注入区域的晶格结构和电学性能，形成两个高电阻区，该区域具有较高的电阻，以限定LED的发光主要发生在未被离子注入的区域。本发明保留了LED外延层的平面结构，避免了在LED发光区域外围形成台阶结构，有利于器件的微缩，有利于在器件间形成复杂的互联和阵列结构。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种微型LED器件，其特征在于，包括：
基底；
位于所述基底一侧并间隔设置的第一高电阻层和第二高电阻层；
位于所述第一高电阻层和第二高电阻层之间，基于所述基底制作的第一N型半导体层、第一发光层和第一P型半导体层；
位于所述第二高电阻层远离所述第一高电阻层一侧，基于所述基底制作的第二N型半导体层、第二发光层和第二P型半导体层，其中，所述第一高电阻层和第二高电阻层的电阻大于所述第一N型半导体层、第一发光层、第一P型半导体层、第二N型半导体层、第二发光层和第二P型半导体层的电阻；
与所述第二N型半导体层相接触的N型欧姆电极；
基于所述第一P型半导体层制作的第一P型欧姆电极。
2.根据权利要求1所述的微型LED器件，其特征在于，该微型LED器件还包括：
第三N型半导体层，所述第三N型半导体层基于所述基底制作形成，设置在所述第二高电阻层、所述第一N型半导体层以及所述第二N型半导体层三者与所述基底之间，所述N型欧姆电极与所述第三N型半导体层相接触。
3.根据权利要求1所述的微型LED器件，其特征在于，该微型LED器件还包括：
基于所述第二P型半导体层制作的第二P型欧姆电极。
4.根据权利要求1所述的微型LED器件，其特征在于，所述基底包括衬底和基于所述衬底制作的缓冲层。
5.根据权利要求1所述的微型LED器件，其特征在于，所述第一高电阻层和第二高电阻层掺杂有C、N、Ar、B和F离子中的一种或多种。
6.一种微型LED阵列，其特征在于，包括多个权利要求1至4任意一项所述的微型LED器件，所述微型LED阵列中的微型LED器件成矩阵式排列，多个所述微型LED器件的第一N型半导体层或第二N型半导体层互相连通，多个所述微型LED器件之间通过所述第一高电阻层和第二高电阻层互相电隔离，多个所述微型LED器件的第一P型欧姆电极互相连通，多个所述微型LED器件的N型欧姆电极互相连通。
7.根据权利要求6所述的微型LED阵列，其特征在于，该微型LED阵列还包括与互相连通的所述第一P型欧姆电极相连接的第一电极和与互相连通的所述N型欧姆电极连接的第二电极。
8.一种微型LED器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基底；
基于所述基底制作N型半导体层；
在所述N型半导体层远离所述基底一侧制作发光层；
在所述发光层远离所述N型半导体层一侧制作P型半导体层；
使用掩膜遮挡所述P型半导体层的一部分，基于暴露出的P型半导体层注入预设离子，所述预设离子被注入至部分P型半导体层、部分发光层及部分N型半导体层内，形成间隔设置的第一高电阻层和第二高电阻层，其中，所述第一高电阻层的厚度等于所述P型半导体层、发光层和N型半导体层的厚度之和，所述第二高电阻层的厚度大于所述P型半导体层和发光层的厚度之和，小于所述P型半导体层、发光层和N型半导体层的厚度之和；
制作与所述P型半导体层连接的P型欧姆电极和与所述N型半导体层连接的N型欧姆电极；
其中，所述第一高电阻层和第二高电阻层的电阻大于所述P型半导体层和N型半导体层的电阻，位于所述第一高电阻层和第二高电阻层之间的部分所述N型半导体层形成第一N型半导体层，位于所述第二高电阻层和N型欧姆电极之间的所述N型半导体层形成第二N型半导体层；
位于所述第一高电阻层和第二高电阻层之间的所述发光层形成第一发光层，位于所述第二高电阻层和N型欧姆电极之间的所述发光层形成第二发光层；
位于所述第一高电阻层和第二高电阻层之间的所述P型半导体层形成第一P型半导体层，位于所述第二高电阻层和N型欧姆电极之间的所述P型半导体层形成第二P型半导体层。
9.根据权利要求8所述的微型LED器件的制造方法，其特征在于，设置在所述第二高电阻层、所述第一N型半导体层以及所述第二N型半导体层三者与所述基底之间保留有部分厚度的N型半导体层，形成第三N型半导体层。
10.根据权利要求8所述的微型LED器件的制造方法，其特征在于，所述基底包括衬底和基于所述衬底制作的缓冲层。
CN201910311939.2A 2019-04-18 2019-04-18 微型led器件、微型led阵列及制造方法 Pending CN110010542A (zh)

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111446335A (zh) * 2020-03-24 2020-07-24 京东方科技集团股份有限公司 一种发光二极管及其制备方法
WO2022104690A1 (zh) * 2020-11-20 2022-05-27 苏州晶湛半导体有限公司 半导体器件及其制备方法
WO2023142152A1 (en) * 2022-01-31 2023-08-03 Jade Bird Display (Shanghai) Company Micro led structure and micro display panel
WO2023142148A1 (en) * 2022-01-31 2023-08-03 Jade Bird Display (Shanghai) Company Micro led structure and micro display panel
WO2023142140A1 (en) * 2022-01-31 2023-08-03 Jade Bird Display (Shanghai) Company Micro led, micro led array panel and manufacuturing method thereof
WO2023142147A1 (en) * 2022-01-31 2023-08-03 Jade Bird Display (Shanghai) Company Micro led structure and micro display panel
WO2024031976A1 (zh) * 2022-08-12 2024-02-15 福州大学 一种超高分辨率micro-led显示器件及其金属薄膜键合方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104409585A (zh) * 2014-11-28 2015-03-11 杭州士兰明芯科技有限公司 一种垂直led结构及其制作方法
CN104409584A (zh) * 2014-11-28 2015-03-11 杭州士兰明芯科技有限公司 Led结构及其制作方法
WO2017184686A1 (en) * 2016-04-19 2017-10-26 The Penn State Research Foundation Gap-free microdisplay based on iii-nitride led arrays
CN107768495A (zh) * 2016-08-18 2018-03-06 新世纪光电股份有限公司 微型发光二极管及其制造方法
US20180277591A1 (en) * 2017-03-27 2018-09-27 PlayNitride Inc. Micro light emitting diode and display panel
CN209561369U (zh) * 2019-04-18 2019-10-29 广东省半导体产业技术研究院 微型led器件及微型led阵列

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104409585A (zh) * 2014-11-28 2015-03-11 杭州士兰明芯科技有限公司 一种垂直led结构及其制作方法
CN104409584A (zh) * 2014-11-28 2015-03-11 杭州士兰明芯科技有限公司 Led结构及其制作方法
WO2017184686A1 (en) * 2016-04-19 2017-10-26 The Penn State Research Foundation Gap-free microdisplay based on iii-nitride led arrays
CN107768495A (zh) * 2016-08-18 2018-03-06 新世纪光电股份有限公司 微型发光二极管及其制造方法
US20180277591A1 (en) * 2017-03-27 2018-09-27 PlayNitride Inc. Micro light emitting diode and display panel
CN209561369U (zh) * 2019-04-18 2019-10-29 广东省半导体产业技术研究院 微型led器件及微型led阵列

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111446335A (zh) * 2020-03-24 2020-07-24 京东方科技集团股份有限公司 一种发光二极管及其制备方法
CN111446335B (zh) * 2020-03-24 2021-12-14 京东方科技集团股份有限公司 一种发光二极管及其制备方法
WO2022104690A1 (zh) * 2020-11-20 2022-05-27 苏州晶湛半导体有限公司 半导体器件及其制备方法
WO2023142152A1 (en) * 2022-01-31 2023-08-03 Jade Bird Display (Shanghai) Company Micro led structure and micro display panel
WO2023142148A1 (en) * 2022-01-31 2023-08-03 Jade Bird Display (Shanghai) Company Micro led structure and micro display panel
WO2023142140A1 (en) * 2022-01-31 2023-08-03 Jade Bird Display (Shanghai) Company Micro led, micro led array panel and manufacuturing method thereof
WO2023142147A1 (en) * 2022-01-31 2023-08-03 Jade Bird Display (Shanghai) Company Micro led structure and micro display panel
WO2024031976A1 (zh) * 2022-08-12 2024-02-15 福州大学 一种超高分辨率micro-led显示器件及其金属薄膜键合方法

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