TW201306298A - 半導體發光裝置及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
一種半導體發光裝置及其製造方法。半導體發光裝置包括一磊晶結構，磊晶結構包括一第一型摻雜層、一發光層，及一第二型摻雜層。磊晶結構可包括一無摻雜層。一基板以一黏著層連接至磊晶結構之至少一表面上。至少一個或以上的柱體位於黏著層中。多個柱體視其設置的位置可以具有不同的寬度，以及/或者柱體可以只設置在磊晶結構的某些部分之下。
Description
本發明是有關於一種半導體發光元件，且特別是有關於一種發光二極體(LED)陣列及其製造方法。
第1圖繪示一種傳統水平式發光二極體(horizontal light emitting diode)之示意圖。請參照第1圖，水平式發光二極體100包括磊晶基板102。磊晶結構104藉由一磊晶成長製程(epitaxial growth process)自磊晶基板102長成。電極單元106形成於磊晶結構上，用以提供電能。磊晶基板102以例如藍寶石(sapphire)或碳化矽等材質製成，如此一來能夠將第三族氮化物(例如是氮化鎵系(GaN-based)或氮化銦鎵系(InGaN-based)半導體材料)磊晶成長於磊晶基板102上。
磊晶結構104通常以氮化鎵系半導體材料或氮化銦鎵系半導體材料製成。在磊晶成長製程中，氮化鎵系半導體材料或氮化銦鎵系半導體材料以磊晶方式自磊晶基板102長成，以形成n型摻雜層108和p型摻雜層110。當施加電能於磊晶結構108上時，位於n型摻雜層108和p型摻雜層110的交界處的發光部112產生電子電洞捕捉現象(electron-hole capture phenomenon)。如此一來，發光部112中的電子會掉入一較低的能階且以光子模式放出能量。舉例來說，發光部112是一個多重量子井(multiple quantum well，MQW)結構，能夠侷限電子和電洞在空間中
的移動。因此，電子和電洞碰撞的機率提高，使得電子電洞捕捉現象較容易發生，進而提高發光效率。
電極單元106包括第一電極114和第二電極116。第一電極114和第二電極116係分別地與n型摻雜層108和p型摻雜層110歐姆性接觸(ohmic contact)。上述電極用以提供電能至磊晶結構104。當施加電壓在第一電極114和第二電極116之間，電流會從第二電極116經由磊晶基板102流向第一電極114且水平分佈在磊晶結構104中。於是，許多光子由磊晶結構104裡的光電效應(photoelectric effect)而產生。水平式發光二極體100因為電流水平分佈在磊晶結構104中而發光。
水平式發光二極體100的製程簡單。然而，水平式發光二極體100會造成一些問題，例如電流群聚(current crowding)問題、發光不均勻(non-uniformity light emitting)的問題、以及蓄熱(thermal accumulation)問題等等，但不限於此。這些問題會造成水平式發光二極體100的發光效率下降以及/或水平式發光二極體100的損壞。
為了克服上述的問題而發展了垂直式發光二極體(vertical light emitting diode)。第2圖繪示一種傳統垂直式發光二極體的示意圖。垂直式發光二極體200包含磊晶結構204以及電極單元206，電極單元206設置於磊晶結構上用以提供電能。類似於第1圖所示的水平式發光二極體100，磊晶結構204可以由氮化鎵系半導體材料或氮化銦鎵系半導體材料經由一磊晶成長製程而製成。在磊晶成長製程中，氮化鎵系半導體材料和氮化銦鎵系半導體材料以
磊晶方式自磊晶基板(未繪示)長成，以形成n型摻雜層208、發光結構212、和p型摻雜層210。接著，剝除(stripping)磊晶基板之後，電極單元206連接至磊晶結構204。電極單元206包括第一電極214與第二電極216。第一電極214及第二電極216係分別地與n型摻雜層208及p型摻雜層210歐姆性接觸。此外，第二電極216可黏貼至散熱基板(heat dissipating substrate)202，以增加散熱效率。當施加一電壓於第一電極214與第二電極216之間時，電流係垂直地流通。因此垂直式發光二極體200可以有效地改善水平式發光二極體100的電流群聚問題、發光不均勻問題及蓄熱問題。然而，如第2圖繪示之傳統垂直式發光二極體具有電極遮蔽效應(shading effect)的問題。此外，形成垂直式發光二極體200的製程可能較為複雜。舉例而言，磊晶結構204可能因第二電極216黏貼至散熱基板202的高熱(high heat)而損壞。
近年來已發展出寬能帶隙氮化物系(wide-bandgap nitride-based)發光二極體，其波長範圍為紫外光至可見光譜之短波長部分。發光二極體裝置可應用於新的顯示技術，例如交通號誌、液晶電視及手機背光源。因缺少同質基板(native substrates)，氮化鎵薄膜以及相關的氮化物系化合物通常是長在藍寶石晶圓上。傳統的發光二極體(如本文前述者)因光子往四面八方發射而缺乏效率。發射出的光中有一大部分皆受限於藍寶石基板，而無法提供作為可用的發光。再者，藍寶石基板的低熱傳導性也是傳統氮化物發光二極體的一個問題。因此，不使用藍寶石的獨立式氮
化鎵光電元件(optoelectronic)是被傾向用來解決此一問題的技術。磊晶膜移轉技術(epilayer transferring technique)為一種廣為人知可實現超高亮度發光二極體(ultrabright LED)的發明。具有以雷射剝離(laser lift-off，LLO)技術在矽基板上製成之高反射性反射體的薄膜式p側向上型(p-side-up)氮化鎵發光二極體，並結合n型氮化鎵的表面粗化，已被確立為用於消除氮化物系異質磊晶結構中藍寶石之限制的有效工具。此結構被視為是一種提高氮化鎵系發光二極體之出光率(light extraction efficiency)的良好方式。然而，此技術同樣具有電極遮蔽問題。發出的光被電極遮蓋以及吸收，而導致發光效率的下降。
具有交叉指形埋置式電極(interdigitated imbedded electrode)的薄膜式n側向上(n-side-up)裝置氮化鎵發光二極體，可藉由減少一部分的電極遮蔽問題來改善發光情形。儘管相較於薄膜式p側向上裝置氮化鎵發光二極體而言，薄膜式n側向上裝置氮化鎵發光二極體提供了較佳的性質，對於p側向上裝置與n側向上裝置之改良結構及其改良製程的需求仍存在。
本發明係有關於一種半導體發光裝置及其製造方法。半導體發光裝置包括一磊晶結構，磊晶結構包括一第一型摻雜層、一發光層，及一第二型摻雜層。一基板可以一黏著層連接至磊晶結構之至少一表面上。至少一個或以上的柱體(分隔物)可位於黏著層中。
實施例中，磊晶結構可包括一無摻雜層。實施例中，多個柱體根視其設置的位置可以具有不同的寬度。實施例中，柱體只設置在磊晶結構的某些部分之下。
實施例中，至少一個或以上的柱體決定黏著層之一厚度。實施例中，柱體之材質與基板之材質係為相同。實施例中，柱體係由一導電性金屬製成。實施例中，在基板連接至磊晶結構之前，柱體形成於基板上。實施例中，基板連接至磊晶結構之前，柱體形成於磊晶結構上。
半導體發光裝置之製造方法包括提供一磊晶結構於一暫時基板上。磊晶結構包括一第一型摻雜層、一發光層，及一第二型摻雜層。磊晶結構之一第一表面耦合於暫時基板。一個或以上的柱體形成於一永久基板之一表面上。具有柱體之永久基板之表面耦合至具有一黏著層的磊晶結構之一第二表面，磊晶結構之第二表面係與磊晶結構之第一表面相對。接著，暫時基板從磊晶結構之第一表面移除。
實施例中，半導體發光裝置之製造方法包括提供一磊晶結構於一暫時基板上。磊晶結構包括一第一型摻雜層、一發光層，及一第二型摻雜層。磊晶結構之一第一表面耦合於暫時基板。一個或以上的柱體形成於一永久基板之一表面上。永久基板耦合至磊晶結構具有一黏著層之一第二表面。接著，暫時基板從磊晶結構之第一表面移除。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。圖式上的尺寸比例並非按照實際產品等比例繪製。實施例所提出
的細部結構和製程步驟僅為舉例說明之用，並非對本發明欲保護之範圍做限縮。該些步驟與結構僅為舉例說明之用，並非用以限縮本發明。具有通常知識者當可依據實際實施態樣的需要對該些步驟與結構加以修飾或變化。
本文中之「耦合(coupled to)」係指物體或元件之間直接地連接或不直接地連接(例如一個或以上的介於兩者之間的連接元件(intervening connections))。
第3圖繪示一實施例之p側向上薄膜式氮化鎵發光二極體的示意圖。p側向上發光二極體300包括p型摻雜氮化鎵層302、發光層304、以及n型摻雜氮化鎵層306。發光層304可以例如是多重量子井。實施例中，未摻雜氮化鎵層307耦合至n型摻雜層306的底表面。未摻雜氮化鎵層307例如是磊晶緩衝層(epitaxial buffer layer)。實施例中，p型摻雜氮化鎵層302具有一粗化的頂表面以及/或者未摻雜氮化鎵層307具有一粗化的底表面(例如是以濕式蝕刻粗化的表面)。表面粗化可以提升膜層的發光效率。
未摻雜氮化鎵層307的底表面以黏著層308連接至反射層310。反射層310可以連接於基板312上。黏著層308之材質例如是具有低折射率的黏膠(其折射率例如大約為1.4)。反射層310可包括分佈式布拉格反射鏡(distributed Bragg reflector，DBR)、全向性反射鏡(omni-directional reflector，ODR)、銀、鋁、鈦、以及/或其他反射性金屬。基板312可包括矽、氧化矽、金屬、陶瓷、高分子、或其
他具有高熱傳導性之適合的基板材質，其熱傳導係數例如是168 W/mK。
第一電極314和第二電極316可以分別地形成在p型摻雜層302上和n型摻雜層306上。因此，第一電極314作為p型摻雜層302的接觸點，第二電極316作為n型摻雜層306的接觸點。因為第一電極314和第二電極316形成於p型摻雜層302和n型摻雜層306之上，這些電極可能會遮蔽其下之膜層的部分區塊，而降低發光二極體300的發光效率。實施例中，膜層318形成於p型摻雜層302之上。膜層318可以是透明導電層，用以散佈電流(current spreading)。舉例來說，膜層318可以包括銦錫氧化物(ITO)。膜層318的頂表面可以是粗化的。
第4A~4F圖繪示一實施例之如發光二極體300之p側向上薄膜式氮化鎵發光二極體之製造方法的示意圖。第4A圖繪示磊晶結構402形成於第一基板400上的示意圖。第一基板400可以是一個暫時基板，例如是藍寶石基板。磊晶結構402可以藉由一般習知的磊晶技術形成於第一基板400上，例如是有機金屬化學汽相沈積法(metal organic chemical vapor deposition，MOCVD)。磊晶結構402可以包括無摻雜層404、第一摻雜層406、發光層408、以及第二摻雜層410。實施例中，無摻雜層404、第一摻雜層406、發光層408、以及第二摻雜層410係為氮化鎵層，且於多個沈積製程步驟中形成。
發光層408可以例如是多重量子井。實施例中，第一摻雜層406是n型摻雜層，第二摻雜層410是p型摻雜層。
實施例中，第二摻雜層410的頂表面例如是以濕式蝕刻粗化。經由圖案化發光層408和第二摻雜層410而曝露出第一摻雜層406之頂表面的一部份。第一電極412可以形成於第一摻雜層406的頂表面上。第二電極414可以形成於第二摻雜層410的頂表面上。可以利用一微影製程(photolithography process)來定義第一電極412和第二電極414的尺寸和形狀。
磊晶結構402形成於第一基板400上之後，如第4B圖所示，磊晶結構402的頂表面可以藉由第一黏著層418連接至第二基板416。在連接步驟之前或之後，整個裝置都可以如第4B圖所示上下顛倒翻轉，使得無摻雜層404位於磊晶結構402的上部，而第二摻雜層410位於磊晶結構402的下部。第二基板416可以是一個暫時基板(例如是玻璃基板、藍寶石基板、或其他絕緣材質之基板)。第一黏著層418可以例如是環氧樹脂黏膠、蠟、旋塗式玻璃(spin-on-glass，SOG)、光阻、單體、高分子、或任何已知可用來將氮化鎵層連接至陶瓷層或玻璃層的黏膠材質。實施例中，磊晶結構402以第一黏著層418連接至第二基板416，其操作溫度介於約200℃至約300℃之間，而當基板的厚度為2吋(inch)時，其操作壓力介於約5公斤至約30公斤之間。
第二基板416連接至磊晶結構402之後，如第4C圖所示，接著將第一基板400從磊晶結構402移除。第一基板400可以例如以雷射剝離技術移除。此時，第一基板400移除後曝露出無摻雜層404的頂表面。實施例中，如第4D
圖所示，無摻雜層404的頂表面係被粗化。無摻雜層404的頂表面可以例如是利用濕式蝕刻製程粗化。
如第4D圖所示之結構接著可以經由第二黏著層424連接至第三基板420，如第4E圖所示。在連接步驟之前或之後，整個裝置都可以如第4E圖所示上下顛倒翻轉，使得第三基板420位於磊晶結構402的下方。實施例中，第三基板420包括反射層422，反射層422位於第三基板420的頂表面上。第三基板420可以例如是矽基板或其他適合的熱傳導性之基板。第三基板420可以是磊晶結構402的永久基板。反射層422可包括分佈式布拉格反射鏡、全向性反射鏡、銀、鋁、鈦、以及/或其他反射性傳導材料。第二黏著層424的材質可以和第一黏著層418的材質相同或是不同。舉例來說，實施例中，第一黏著層418是乙醚系(ether-based)化合物，第二黏著層424是矽氧系(silicone-based)化合物或亞醯胺系(imide-based)化合物。實施例中，以第二黏著層424連接的操作溫度介於約150℃至約200℃之間，而當基板的厚度為2吋時，其操作壓力介於約300公斤至約400公斤之間。
第三基板420連接至磊晶結構402之後，如第4F圖所示，接著將第一黏著層418從磊晶結構402移除，以將第一黏著層418和第二基板416從磊晶結構402移除。第一黏著層418和第二基板416可以例如以雷射剝離技術、酸蝕刻製程(acid etching process)、或其他適合的蝕刻製程移除。至此形成的結構是一個p側向上發光二極體426，如第4F圖所示。p側向上發光二極體426是一種發光二極
體，其中具有第二(p型摻雜)摻雜層410位於磊晶結構402的上部，以及電極412和414曝露出來作為接觸墊使用。
第5圖繪示一實施例之n側向上薄膜式氮化鎵發光二極體的示意圖。n側向上發光二極體500包括n型摻雜氮化鎵層502、發光層504、以及p型摻雜氮化鎵層506。發光層504可以例如是多重量子井。實施例中，未摻雜氮化鎵層507耦合至p型摻雜層506的底表面。未摻雜氮化鎵層507例如是磊晶緩衝層。實施例中，n型摻雜氮化鎵層502具有一粗化的頂表面以及/或者未摻雜氮化鎵層507具有一粗化的底表面(例如是以濕式蝕刻粗化的表面)。表面粗化可以提升膜層的發光效率。
未摻雜氮化鎵層507的底表面以黏著層508連接至反射層510。反射層510可以連接於基板512上。黏著層508之材質例如是具有低折射率的黏膠(其折射率例如大約為1.4)。反射層510可包括分佈式布拉格反射鏡、全向性反射鏡、銀、鋁、鈦、以及/或其他反射性金屬。基板512可包括矽、氧化矽、金屬、陶瓷、高分子、或其他具有高熱傳導性之適合的基板材質。基板512的材質為矽時，其熱傳導係數例如是168 W/mK。
第一電極514和第二電極516可以分別地形成在p型摻雜層506上和n型摻雜層502上。因此，第一電極514作為p型摻雜層506的接觸點，第二電極516作為n型摻雜層502的接觸點。第一電極514和第二電極516可以埋置在發光二極體500中，如此一來則不會造成電極遮蔽現象，因而可提升發光二極體的發光效率。
第6A~6E圖繪示一實施例之如發光二極體500之n側向上薄膜式氮化鎵發光二極體之製造方法的示意圖。第6A圖繪示磊晶結構602形成於第一基板600上的示意圖(第一基板600例如是一個暫時基板)。第一基板600可以例如是藍寶石基板。磊晶結構602可以藉由一般習知的磊晶技術形成於第一基板600上，例如是有機金屬化學汽相沈積法。磊晶結構602可以包括無摻雜層604、第一摻雜層606、發光層608、以及第二摻雜層610。實施例中，無摻雜層604、第一摻雜層606、發光層608、以及第二摻雜層610係為氮化鎵層，且於多個沈積製程步驟中形成。
發光層608可以例如是多重量子井。實施例中，第一摻雜層606是n型摻雜層，第二摻雜層610是p型摻雜層。實施例中，第二摻雜層610的頂表面例如是以濕式蝕刻粗化。經由圖案化發光層608和第二摻雜層610而曝露出第一摻雜層606之頂表面的一部份。第一電極612可以形成於第一摻雜層606的頂表面上。第二電極614可以形成於第二摻雜層610的頂表面上。可以利用一微影製程來定義第一電極612和第二電極614的尺寸和形狀。
磊晶結構602形成於第一基板600上之後，如第6B圖所示，磊晶結構602的頂表面可以藉由第一黏著層618連接至第二基板616。在連接步驟之前或之後，整個裝置都可以如第6B圖所示上下顛倒翻轉，使得無摻雜層604位於磊晶結構602的上部，而第二摻雜層610位於磊晶結構602的下部。第二基板616可以例如是矽基板或其他適合的熱導性基板。第二基板616可以是磊晶結構602的永
久基板。實施例中，第二基板616包括反射層620和/或絕緣層622，絕緣層622位於第二基板616的頂表面上。反射層620可包括分佈式布拉格反射鏡、全向性反射鏡、銀、鋁、鈦、以及/或其他反射性傳導材料。絕緣層622可包括氧化物、氮化物、和/或其他適合的具有高光穿透率的電性絕緣材料。第一黏著層618可以例如是環氧樹脂黏膠、蠟、旋塗式玻璃、光阻、單體、高分子、或任何已知可用來將氮化鎵層連接至矽層、氧化矽層、金屬層、陶瓷層或高分子層的黏膠材質。
第二基板616連接至磊晶結構602之後，如第6C圖所示，接著將第一基板600從磊晶結構602移除。第一基板600可以例如以雷射剝離技術移除。此時，第一基板600移除後曝露出無摻雜層604的頂表面。
第一基板600移除之後，如第6D圖所示，移除部分無摻雜層604和部分第一摻雜層606，以曝露出至少一部份的第一電極612，和進一步移除部份的發光層608和第二摻雜層610，以曝露出至少一部份的第二電極614。部分無摻雜層604和部分第一摻雜層606例如是利用非等向性蝕刻製程(anisotropic etching process)移除，例如是感應耦合電漿(inductively coupled plasma，ICP)反應式離子蝕刻(reactive ion etching，RIE)。
實施例中，如第6E圖所示，無摻雜層604的頂表面被粗化。無摻雜層604的頂表面可以例如是利用濕式蝕刻製程粗化(例如是氫氧化鈉濕式蝕刻製程或磷酸濕式蝕刻製程)。至此形成的結構是一個n側向上發光二極體624，
如第6E圖所示。n側向上發光二極體624是一種發光二極體，其中具有第一(n型摻雜)摻雜層606位於磊晶結構602的上部，以及電極612和614曝露出來作為接觸墊使用，且電極並未遮蔽發光層608。
在如第4A~4F圖及第6A~6E圖所繪示的製程中，其中一個需考量的議題便是黏著層之厚度的控制。在利用黏著層的連接製程步驟中，提升溫度(例如高於約200℃)以使得黏著材料(例如是環氧樹脂黏膠)流動。此外，施加壓力(例如至少9.8百萬帕斯卡(MPa))在裝置上，以促使磊晶結構和基板之間的連接。由於黏著材料具有黏度，因此難以準確地控制黏著層的厚度。黏著層的厚度得以準確控制可以提供樣品之間以及/或製程之間的黏著層之厚度的一致性。
黏著層的厚度得以準確控制的一個可能的解決方案便是經由利用柱體或分隔物，在連接製程步驟中，黏著層中的柱體或分隔物在永久基板和磊晶結構之間維持一個選定的距離，而決定黏著層的厚度。第7A~7C圖繪示一實施例之基板和磊晶結構之間的黏著層中具有柱體之p側向上薄膜式氮化鎵發光二極體之製造方法的示意圖。第7A~7C圖繪示之實施例之製造方法中，類似於第4A~4F圖繪示之製造方法的部分係省略。
第7A圖繪示磊晶結構402形成於第一基板400上的示意圖。第一基板400可以例如是藍寶石基板。磊晶結構402可以包括無摻雜層404、第一摻雜層406、發光層408、以及第二摻雜層410。發光層408可以例如是多重量子井。
實施例中，第一摻雜層406是n型摻雜層，第二摻雜層410是p型摻雜層。實施例中，第二摻雜層410的頂表面的一部份411例如是以濕式蝕刻粗化(7A圖未顯示粗化)。
第一電極412可以形成於第一摻雜層406的頂表面上。第二電極414可以形成於第二摻雜層410的頂表面上。磊晶結構402形成於第一基板400上之後，如第7B圖所示，磊晶結構402的頂表面可以藉由第一黏著層418連接至第二基板416。第二基板416可以例如是玻璃基板、藍寶石基板、或其他絕緣材質之基板。
第二基板416連接至磊晶結構402之後，如第7B圖所示，接著將第一基板400從磊晶結構402移除。第一基板400可以例如以雷射剝離技術移除。第一基板400移除後曝露出無摻雜層404的表面。實施例中，無摻雜層404的表面可被粗化(7B圖未顯示粗化)。
如第7B圖所示之結構接著可以經由第二黏著層424連接至第三基板420，如第7C圖所示。第三基板420可以例如是矽基板或其他適合的熱傳導性之基板。第三基板420可以是磊晶結構402的永久基板。第三基板420連接至磊晶結構402之後，接著將第一黏著層418從磊晶結構402移除，以將第一黏著層418和第二基板416從磊晶結構402移除。
如第7C圖所示，第三基板420包括一個或以上的柱體428。柱體428具有之高度係為第二黏著層424的選定(期望)厚度。柱體428接觸第三基板420的表面，如此一來柱體428定義無摻雜層404和第三基板420之間的距
離。在利用第二黏著層424的連接製程步驟中，柱體428維持住無摻雜層404和第三基板420之間的距離。因此，柱體428之高度決定第二黏著層424的厚度。
實施例中，第三基板420和/或柱體428包括反射層422。反射層422可包括分佈式布拉格反射鏡、全向性反射鏡、銀、鋁、鈦、以及/或其他反射性傳導材料。第二黏著層424可以例如是環氧樹脂黏膠、蠟、旋塗式玻璃、光阻、單體、或高分子。
第8A~8D圖繪示一實施例之具有柱體428及反射層422的基板420之製造方法的示意圖。第8A圖繪示一實施例之基板420的示意圖。基板420可以包括以下群組中的一種或兩種以上之任意組合：矽、氧化矽、金屬、陶瓷、以及高分子。第8B圖繪示一實施例之基板420上之光罩430的示意圖。光罩430可以是以任何習知的微影技術圖案化的一個光阻層。如第8C圖所示，藉由基板420上之光罩430，以一乾式蝕刻製程或一濕式蝕刻製程蝕刻基板420以形成柱體428。在基板蝕刻步驟之後，如第8C圖所示，移除光罩430。柱體428形成之後，如第8D圖所示，形成反射層422於基板420上以及覆蓋柱體428。接著，如第8D圖所繪示之具有柱體428的基板420材料作為如第7C圖所繪示之第三基板420來使用。
實施例中，柱體428之材質與基板的材質不同。舉例來說，柱體428可以由金屬或其他適合的材料製成。第9A~9E圖繪示一實施例之具有金屬柱體428及反射層422的基板420之製造方法的示意圖。第9A圖繪示一實施例
之基板420的示意圖。第9B圖繪示一實施例之光罩432位於基板420上的示意圖。光罩432可以是以任何習知的微影技術圖案化的一個光阻層。如第8C圖所示，光罩432位於基板420上，形成金屬層434於基板420上和光罩432上。金屬層434的材質可以例如是鋁、鈦、其他適合的金屬材質、其他適合的柱體之材質、以及/或上述材質之兩種以上的任意組合。
沈積金屬層434之後，如第9D圖所示，以剝離製程(lift off process)移除光罩432以及位於光罩432之上的部分金屬層434。剝離製程可以是一個化學蝕刻製程(例如是濕式製程)用以將光罩材質從基板420上移除。剝離製程使得柱體428由金屬層434而形成。柱體428形成之後，如第9E圖所示，形成反射層422於柱體428和基板420之上且覆蓋柱體428。第10圖繪示一實施例之p側向上發光二極體426之基板420具有金屬柱體428形成於基板之上的示意圖。
一實施例中，反射層422形成於基板420上而形成於柱體428之下(例如反射層形成於柱體和基板之間)。第11A~11E圖繪示一實施例之具有反射層422位於金屬柱體428之下的基板420之製造方法的示意圖。第11A圖繪示一實施例之基板420的示意圖。如第11B圖所示，反射層422形成於基板420上且覆蓋基板420。如第11C圖所示，光罩432形成於反射層422上。如第11D圖所示，光罩432位於反射層422上，形成金屬層434於光罩432上且覆蓋反射層422。
沈積金屬層434之後，如第11E圖所示，以剝離製程移除光罩432以及位於光罩432之上的部分金屬層434。剝離製程使得柱體428由金屬層434形成且位於基板420上的反射層422之上。第12圖繪示一實施例之p側向上發光二極體426之基板420具有金屬柱體428形成於基板上的反射層422之上的示意圖。
實施例中，基板420位於柱體428之間的表面被粗化。粗化的基板表面可以增加p側向上發光二極體426的發光效率。第13A~13D圖繪示一實施例之具有柱體428及反射層422的基板420之粗化表面的製造方法的示意圖。第13A~13D圖所示之步驟與第8A~8D圖所示之步驟相似，第13A~13D圖係增加粗化步驟。
第13A圖繪示一實施例之基板420的示意圖。第13B圖繪示一實施例之基板420上之光罩430的示意圖。如第13C圖所示，藉由基板420上之光罩430，以一乾式蝕刻製程或一濕式蝕刻製程蝕刻基板420以形成柱體428。在乾式蝕刻製程或濕式蝕刻製程中，蝕刻基板420以粗化柱體428之間的基板表面。舉例來說，可以至少部分地過度蝕刻基板420以粗化基板表面。在基板蝕刻步驟之後，如第13C圖所示，移除光罩430。柱體428形成之後，如第13D圖所示，形成反射層422於基板420上以及覆蓋柱體428，使得反射層422為與基板420之一表面及柱體428形狀一致。第14圖繪示一實施例之p側向上發光二極體426之粗化的基板420具有由基板形成之柱體428的示意圖。
第15A~15F圖繪示一實施例之具有金屬柱體428及反射層422的粗化表面基板420之製造方法的示意圖。第15A~15F圖所示之步驟與第9A~9E圖所示之步驟相似，第15A~15F圖係增加粗化步驟。第15A圖繪示一實施例之基板420的示意圖。第15B圖繪示以乾式蝕刻製程或濕式蝕刻製程粗化基板420的示意圖。第15C圖繪示一實施例之基板420上之光罩432的示意圖。光罩432可以是以任何習知的微影技術圖案化的一個光阻層。如第15D圖所示，光罩432位於基板420上，形成金屬層434於基板420上以及光罩432上。
沈積金屬層434之後，如第15E圖所示，以剝離製程移除光罩432以及位於光罩432之上的部分金屬層434。剝離製程使得柱體428由金屬層434而形成。柱體428形成之後，如第15F圖所示，形成反射層422於柱體428和基板420之上且覆蓋柱體428。第16圖繪示一實施例之p側向上發光二極體426之粗化的基板420具有金屬柱體428形成於基板之上的示意圖。
第17A~17F圖繪示一實施例之具有反射層422位於金屬柱體428之下的粗化表面基板420之製造方法的示意圖。第17A~17F圖所示之步驟與第11A~11E圖所示之步驟相似，第17A~17F圖係增加粗化步驟。第17A圖繪示一實施例之基板420的示意圖。第17B圖繪示以乾式蝕刻製程或濕式蝕刻製程粗化基板420的示意圖。如第17C圖所示，反射層422形成於基板420上且覆蓋基板420，使得反射層422與基板420之一表面形狀一致。如第17D圖
所示，光罩432形成於反射層422上。如第17E圖所示，光罩432位於反射層422上，形成金屬層434於光罩432上且覆蓋反射層422。
沈積金屬層434之後，如第17F圖所示，以剝離製程移除光罩432以及位於光罩432之上的部分金屬層434。剝離製程使得柱體428由金屬層434形成且位於基板420上的反射層422之上。第18圖繪示一實施例之p側向上發光二極體426之粗化的基板420具有金屬柱體428形成於基板上的反射層422之上的示意圖。
一實施例中，在磊晶結構以黏著層連接至永久基板之前，形成柱體或其他結構於磊晶結構上。第19A~19E圖繪示一實施例之具有突起物位於無摻雜層上的磊晶結構之製造方法的示意圖。第19A圖繪示磊晶結構402形成於第一基板400上的示意圖。第一基板400可以例如是藍寶石基板。磊晶結構402可以包括無摻雜層404、第一摻雜層406、發光層408、以及第二摻雜層410。發光層408可以例如是多重量子井。實施例中，第一摻雜層406是n型摻雜層，第二摻雜層410是p型摻雜層。實施例中，第二摻雜層410的頂表面的一部份411例如是以濕式蝕刻粗化。第一電極412形成於第一摻雜層406的頂表面上。第二電極414形成於第二摻雜層410的頂表面上。
如第19A圖所示，無摻雜層404可以具有一個非平坦(non-flat)的底表面，其中突起物440形成於無摻雜層404的表面上。突起物440可以是無摻雜層404的一部份，在成長無摻雜層404於第一基板400上時一起形成。實施例
中，突起物440也可以在成長無摻雜層404之前先形成於第一基板400的表面上。
磊晶結構402形成於第一基板400上之後，如第19B圖所示，磊晶結構402的頂表面可以藉由第一黏著層418連接至第二基板416。第二基板416可以例如是玻璃基板、藍寶石基板、或其他絕緣材質之基板。
第二基板416連接至磊晶結構402之後，如第19C圖所示，接著將第一基板400從磊晶結構402移除。第一基板400可以例如以雷射剝離技術移除。第一基板400移除後曝露出無摻雜層404之具有突起物440的表面。
如第19C圖所示之結構接著可以經由第二黏著層424連接至第三基板420成為如第19D圖所示。第三基板420可以例如是矽基板或其他適合的熱傳導性之基板。第三基板420可以是磊晶結構402的永久基板。第三基板420連接至磊晶結構402之後，將第一黏著層418從磊晶結構402移除，以將第一黏著層418和第二基板416從磊晶結構402移除，如第19E圖所示。實施例中，第三基板420包括反射層422。反射層422可包括分佈式布拉格反射鏡、全向性反射鏡、銀、鋁、鈦、以及/或其他反射性傳導材料。第二黏著層424可以例如是環氧樹脂黏膠、蠟、旋塗式玻璃、光阻、單體、或高分子。
如第19D~19E圖所示，突起物440具有之高度係為第二黏著層424的選定(期望)厚度。突起物440接觸第三基板420的表面(例如是反射層422)，如此一來突起物440定義無摻雜層404和第三基板420之間的距離。在利用第
二黏著層424的連接製程步驟中，突起物440可以維持住無摻雜層404和第三基板420之間的距離。因此，突起物440之高度決定第二黏著層424的厚度。
一實施例中，在磊晶結構藉由黏著層連接至永久基板之前，除了突起物440之外，形成柱體於磊晶結構上。第20A~20F圖繪示一實施例之具有柱體及突起物在無摻雜層上之磊晶結構之製造方法的示意圖。第20A圖繪示磊晶結構402形成於第一基板400上的示意圖。無摻雜層404可以具有非平坦的底表面，其中突起物440形成於無摻雜層404的表面上。
磊晶結構402形成於第一基板400上之後，如第20B圖所示，磊晶結構402的頂表面可以藉由第一黏著層418連接至第二基板416。第二基板416連接至磊晶結構402之後，如第20C圖所示，接著將第一基板400從磊晶結構402移除。
第一基板400移除之後，如第20D圖所示，柱體442可以形成於無摻雜層404的表面上。柱體442可以由金屬製成，例如是鋁、鈦、其他適合的材料、以及/或以上材料之兩種以上的任意組合。實施例中，柱體442的材質和無摻雜層404的材質係為相同。柱體442可以延伸而具有一高度大於突起物440之高度。實施例中，多個柱體442中的一部份係自突起物440延伸。
柱體442形成之後，如第20D圖所示之結構接著可以經由第二黏著層424連接至第三基板420，如第20E圖所示。如第20F圖所示，第三基板420連接至磊晶結構402
之後，將第一黏著層418從磊晶結構402移除，以將第一黏著層418和第二基板416從磊晶結構402移除。實施例中，第三基板420包括反射層422。
如第20D~20E圖所示，柱體442具有之高度係為第二黏著層424的選定(期望)厚度。柱體442接觸第三基板420的表面(例如是反射層422)，如此一來柱體442定義無摻雜層404和第三基板420之間的距離。在利用第二黏著層424的連接製程步驟中，柱體442維持住無摻雜層404和第三基板420之間的距離。因此，柱體442之高度決定第二黏著層424的厚度。
一實施例中，在磊晶結構藉由黏著層連接至永久基板之前，形成柱體於磊晶結構上，而突起物並未形成於磊晶結構上。第21A~21F圖繪示一實施例之具有柱體在無摻雜層上之磊晶結構之製造方法的示意圖。第21A圖繪示磊晶結構402形成於第一基板400上的示意圖。實施例中，無摻雜層404具有平坦的底表面。
磊晶結構402形成於第一基板400上之後，如第21B圖所示，磊晶結構402的頂表面可以藉由第一黏著層418連接至第二基板416。第二基板416連接至磊晶結構402之後，如第21C圖所示，接著將第一基板400從磊晶結構402移除。
第一基板400移除之後，如第21D圖所示，柱體442可以形成於無摻雜層404的表面上。柱體442可以由金屬製成，例如是鋁、鈦、其他適合的材料、以及/或以上材料之兩種以上的任意組合。實施例中，柱體442形成於平坦
的無摻雜層404上。實施例中，柱體442的材質和無摻雜層404的材質係為相同。
柱體442形成之後，如第21D圖所示之結構接著可以經由第二黏著層424連接至第三基板420，形成如第21E圖所示。第三基板420連接至磊晶結構402之後，將第一黏著層418從磊晶結構402移除，以將第一黏著層418和第二基板416從磊晶結構402移除，形成如第21F圖所示。實施例中，第三基板420包括反射層422。
如第21D~21F圖所示，柱體442具有之高度係為第二黏著層424的選定(期望)厚度。柱體442接觸第三基板420的表面(例如是反射層422)，如此一來柱體442定義無摻雜層404和第三基板420之間的距離。在利用第二黏著層424的連接製程步驟中，柱體442維持住無摻雜層404和第三基板420之間的距離。因此，柱體442之高度決定第二黏著層424的厚度。
一實施例中，柱體428或柱體442只設置於磊晶結構的接觸墊(電極)之下。第22圖繪示一實施例之發光二極體426之柱體428/442只位於磊晶結構402上的第一電極412和第二電極414之下的側視示意圖。第23圖繪示一實施例之發光二極體426之柱體428/442只位於磊晶結構402上的第一電極412和第二電極414之下的俯視示意圖。如第22~23圖所示，黏著層424中的柱體428/442只位於第一電極412和第二電極414之下可減少使用的柱體之數量，並且，相較於增加設置柱體於磊晶結構402的其他區域之下，柱體428/442只位於第一電極412和第二電極414
可以減少光被遮蔽的情況。
然而，柱體的存在有可能增加磊晶結構402中之膜層(例如是無摻雜層404、第一摻雜層406、發光層408、以及第二摻雜層410)在連接製程步驟中破裂的可能性。膜層可能會因為在黏著層連接過程中施加在磊晶結構402上的高壓(例如是高於9.8百萬帕斯卡的壓力)而破裂。實施例中，設置在電極412、414之下的柱體428/442相較於可能設置在磊晶結構402之其他區域之下的柱體具有較大的寬度。柱體之寬度的增加可以增加柱體的強度，以及減少在連接製程步驟中破裂的可能性。設置在電極412、414之下的柱體428/442之寬度(直徑)最大可以大約等於電極的寬度(直徑)。舉例來說，柱體428/442之寬度最大可以約為100微米(μm)，柱體428/442之寬度最大也可以約為80微米，或者柱體428/442之寬度最大可以約為60微米。實施例中，柱體428/442之剖面的總面積可以小於疊置的電極412、414之剖面的總面積。
一實施例中，柱體設置於磊晶結構的接觸墊(電極)之下以及磊晶結構的其他區域之下。設置在電極之下的柱體相較於可能設置在磊晶結構之其他區域之下的柱體具有較大的寬度。第24圖繪示一實施例之發光二極體426之柱體428/442A位於電極412、414之下以及柱體428/442B位於磊晶結構402的其餘區域之下的側視示意圖。第25圖繪示一實施例之發光二極體426之柱體428/442A位於電極412、414之下以及柱體428/442B位於磊晶結構402的其餘區域之下的俯視示意圖。
如第24~25圖所示，設置較寬的柱體428/442A在電極412、414之下，在因為設置電極而使得光線被遮蔽的區域內可增加柱體的強度，並且減少在連接製程步驟中破裂的可能性。設置較窄的柱體428/442B在磊晶結構402的其餘區域之下，可以減少在磊晶結構的主動(晶片)區域之下之柱體造成的光被遮蔽的面積。因此，設置柱體428/442A和柱體428/442B可以減少膜層在連接製程步驟中破裂的可能性，並且同時使柱體在晶片區域之下對於光線的干擾降到最小。
柱體428/442A之寬度(直徑)最大可以大約等於疊置的電極的寬度(直徑)，而位於磊晶結構402的晶片區域之下的柱體428/442B之寬度(直徑)則是越小越好，實際最小尺寸視用以形成柱體的圖案化製程中光罩的解析度而定。舉例而言，柱體428/442B之寬度最大約為10微米，柱體428/442B之寬度最大可以約為5微米，或者柱體428/442B之寬度最大約為3微米。實施例中，柱體428/442B之寬度大約為3~5微米。柱體428/442B的尺寸(寬度/直徑)及數量可以視實際情況而定，例如視連接製程步驟中用來抑制磊晶結構402的膜層破裂所需的最小支撐量而定，以及/或視黏著層中的柱體對於光線之可容許的最小遮蔽量而定。因此，實施例中，柱體428/442B之剖面的總面積提供用以抑制磊晶結構402的膜層破裂所需的最小面積，並且維持光線對黏著層的最大可能穿透率。
一實施例中，柱體僅設置於磊晶結構的晶片區域之下(未設置於電極之下)。第26圖繪示一實施例之發光二極體
426之柱體428/442只位於磊晶結構402的晶片區域之下的側視示意圖。第27圖繪示一實施例之發光二極體426之柱體428/442只位於磊晶結構402的晶片區域之下的俯視示意圖。如第26~27圖所示，柱體428/442只位於晶片區域之下可減少使用的柱體之數量，並且，在減少連接製程步驟中膜層破裂的可能性時可以使用單一尺寸的柱體。
第7~27圖繪示將黏著層中之柱體應用於p側向上發光二極體之製造方法中，然而，相似的製程方法也可應用在n側向上發光二極體之製造方法中。舉例來說，相似的方法可以用來將柱體耦合至基板，以及/或將柱體耦合至用來製造n側向上發光二極體(例如如第6A~6E所繪示之實施例)之磊晶結構。因此，相似於前述的柱體可以形成於如第6E圖所示之基板與用來製造n側向上發光二極體624之磊晶結構之間的黏著層中。
此外，前述之柱體(例如柱體428和/或柱體442)使用於黏著層中更具有除前述優點之外的其他優點。舉例來說，柱體可以具有比黏著層更高的熱傳導性，如此一來，柱體位在黏著層中更可提升基板和磊晶結構之間的熱傳導。再者，柱體可以具有反射性之側壁，經由其光線反射特性以提升光線穿過黏著層的穿透率。
本發明並不限定於上述系統，而可對之進行更動。另外，在此所使用之用語僅用以描述特定的實施例，而非用於限定本發明。此處所使用之單數形式「一」及「該」亦用以包含複數形式，除非在文中已清楚指明另有其他含義。舉例而言，用語「一裝置」包含了二個或以上的裝置
之組合，並且，用語「一材料」包含了多種材料的混合物。
綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100、200、300、426、500、624‧‧‧發光二極體
102‧‧‧磊晶基板
104、204、402、602‧‧‧磊晶結構
106、206‧‧‧電極單元
108、208‧‧‧n型摻雜層
110、210‧‧‧p型摻雜層
112‧‧‧發光部
114、214、314、412、514、612‧‧‧第一電極
116、216、316、414、516、614‧‧‧第二電極
202‧‧‧散熱基板
212‧‧‧發光結構
302、506‧‧‧p型摻雜氮化鎵層
304、408、504、608‧‧‧發光層
306、502‧‧‧n型摻雜氮化鎵層
307、507‧‧‧未摻雜氮化鎵層
308、508‧‧‧黏著層
310、510‧‧‧反射層
312、512‧‧‧基板
318‧‧‧膜層
400、600‧‧‧第一基板
404、604‧‧‧無摻雜層
406、606‧‧‧第一摻雜層
410、610‧‧‧第二摻雜層
411‧‧‧部份
416、616‧‧‧第二基板
418、618‧‧‧第一黏著層
420‧‧‧第三基板
422、620‧‧‧反射層
424‧‧‧第二黏著層
428、442、442A、442B‧‧‧柱體
430、432‧‧‧光罩
434‧‧‧金屬層
440‧‧‧突起物
622‧‧‧絕緣層
第1圖繪示一種傳統水平式發光二極體之示意圖。
第2圖繪示一種傳統垂直式發光二極體的示意圖。
第3圖繪示一實施例之p側向上薄膜式氮化鎵發光二極體的示意圖。
第4A~4F圖繪示一實施例之如發光二極體之p側向上薄膜式氮化鎵發光二極體之製造方法的示意圖。
第5圖繪示一實施例之n側向上薄膜式氮化鎵發光二極體的示意圖。
第6A~6E圖繪示一實施例之如發光二極體之n側向上薄膜式氮化鎵發光二極體之製造方法的示意圖。
第7A~7C圖繪示一實施例之基板和磊晶結構之間的黏著層中具有柱體之p側向上薄膜式氮化鎵發光二極體之製造方法的示意圖。
第8A~8D圖繪示一實施例之具有柱體及反射層的基板之製造方法的示意圖。
9A~9E圖繪示一實施例之具有金屬柱體及反射層的基板之製造方法的示意圖。
第10圖繪示一實施例之p側向上發光二極體之基板具有金屬柱體形成於基板之上的示意圖。
第11A~11E圖繪示一實施例之具有反射層位於金屬柱體之下的基板之製造方法的示意圖。
第12圖繪示一實施例之p側向上發光二極體之基板具有金屬柱體形成於基板上的反射層之上的示意圖。
第13A~13D圖繪示一實施例之具有柱體及反射層的基板之粗化表面的製造方法的示意圖。
第14圖繪示一實施例之p側向上發光二極體之粗化的基板具有由基板形成之柱體的示意圖。
第15A~15F圖繪示一實施例之具有金屬柱體及反射層的粗化表面基板之製造方法的示意圖。
第16圖繪示一實施例之p側向上發光二極體之粗化的基板具有金屬柱體形成於基板之上的示意圖。
第17A~17F圖繪示一實施例之具有反射層位於金屬柱體之下的粗化表面基板之製造方法的示意圖。
第18圖繪示一實施例之p側向上發光二極體之粗化的基板具有金屬柱體形成於基板上的反射層之上的示意圖。
第19A~19E圖繪示一實施例之具有突起物位於無摻雜層上的磊晶結構之製造方法的示意圖。
第20A~20F圖繪示一實施例之具有柱體及突起物在無摻雜層上之磊晶結構之製造方法的示意圖。
第21A~21F圖繪示一實施例之具有柱體在無摻雜層上之磊晶結構之製造方法的示意圖。
第22圖繪示一實施例之發光二極體之柱體只位於磊晶結構上的第一電極和第二電極之下的側視示意圖。
第23圖繪示一實施例之發光二極體之柱體只位於磊晶結構上的第一電極和第二電極之下的俯視示意圖。
第24圖繪示一實施例之發光二極體之柱體位於電極之下以及柱體位於磊晶結構的其餘區域之下的側視示意圖。
第25圖繪示一實施例之發光二極體之柱體位於電極之下以及柱體位於磊晶結構402的其餘區域之下的俯視示意圖。
第26圖繪示一實施例之發光二極體之柱體只位於磊晶結構的晶片區域之下的側視示意圖。
第27圖繪示一實施例之發光二極體之柱體只位於磊晶結構的晶片區域之下的俯視示意圖。
400‧‧‧第一基板
402‧‧‧磊晶結構
404‧‧‧無摻雜層
406‧‧‧第一摻雜層
408‧‧‧發光層
410‧‧‧第二摻雜層
411‧‧‧部份
412‧‧‧第一電極基板
414‧‧‧第二電極
416‧‧‧第二基板
418‧‧‧第一黏著層
420‧‧‧第三基板
422‧‧‧反射層
424‧‧‧第二黏著層
426‧‧‧發光二極體
428‧‧‧柱體
Claims (18)
- 一種半導體發光裝置，包括：一磊晶結構，該磊晶結構包括一第一型摻雜層、一發光層，及一第二型摻雜層；一基板，該基板以一黏著層連接至該磊晶結構之至少一表面上；以及至少一柱體位於該黏著層中。
- 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光裝置，其中該至少一柱體之一高度決定該黏著層之一厚度。
- 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光裝置，更包括一無摻雜層於該磊晶結構中。
- 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光裝置，其中該至少一柱體之材質與該基板之材質係為相同。
- 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光裝置，其中該至少一柱體係由一導電性金屬製成。
- 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光裝置，其中該至少一柱體係形成該磊晶結構之一部份。
- 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光裝置，更包括一反射層設置於該基板和該黏著層之間。
- 如申請專利範圍第7項所述之半導體發光裝置，其中該反射層係與該基板之一表面形狀一致。
- 如申請專利範圍第7項所述之半導體發光裝置，其中該反射層係與該基板之一表面及該至少一柱體形狀一致。
- 如申請專利範圍第7項所述之半導體發光裝置， 更包括至少一接觸墊，該接觸墊係形成於該磊晶結構之該第一型摻雜層與該第二型摻雜層的其中之一上，其中該至少一柱體只設置於該接觸墊之下。
- 如申請專利範圍第7項所述之半導體發光裝置，更包括至少一接觸墊，該接觸墊係形成於該磊晶結構之該第一型摻雜層與該第二型摻雜層的其中之一上，其中該至少一柱體只設置於該磊晶結構，而不在有該接觸墊之區域之下。
- 如申請專利範圍第7項所述之半導體發光裝置，更包括至少一接觸墊，該接觸墊係形成於該磊晶結構之該第一型摻雜層與該第二型摻雜層的其中之一上，其中設置於該接觸墊之下之該至少一柱體之寬度大於未設置於該接觸墊之下之該至少一柱體之寬度。
- 一種半導體發光裝置之製造方法，包括：提供一磊晶結構於一暫時基板上，該磊晶結構包括一第一型摻雜層、一發光層，及一第二型摻雜層，其中該磊晶結構之一第一表面耦合於該暫時基板；形成至少一柱體於一永久基板之一表面上；耦合具有該至少一柱體之該永久基板之該表面至具有一黏著層的該磊晶結構之一第二表面，其中該磊晶結構之該第二表面係與該磊晶結構之該第一表面相對；以及從該磊晶結構之該第一表面移除該暫時基板。
- 如申請專利範圍第13項所述之製造方法，其中提供一磊晶結構於一暫時基板上步驟，包括：形成該磊晶結構於一第一暫時基板上，以耦合該磊晶 結構之該第二表面至該第一暫時基板；耦合該暫時基板至該磊晶結構之該第一表面；以及從該磊晶結構移除該第一暫時基板以曝露該磊晶結構之該第二表面，以提供該磊晶結構於該暫時基板上。
- 如申請專利範圍第13項所述之製造方法，更包括形成至少一接觸墊，該接觸墊係形成於該磊晶結構之該第一型摻雜層與該第二型摻雜層的其中之一上，其中該至少一柱體只設置於該接觸墊之下。
- 一種半導體發光裝置之製造方法，包括：提供一磊晶結構於一暫時基板上，該磊晶結構包括一第一型摻雜層、一發光層，及一第二型摻雜層，其中該磊晶結構之一第一表面耦合於該暫時基板；形成至少一柱體於該磊晶結構之一第二表面上，其中該磊晶結構之該第二表面係與該磊晶結構之該第一表面相對；耦合一永久基板至具有一黏著層的該磊晶結構之該第二表面；從該磊晶結構之該第一表面移除該暫時基板。
- 如申請專利範圍第16項所述之製造方法，其中提供一磊晶結構於一暫時基板上步驟，包括：形成該磊晶結構於一第一暫時基板上，以耦合該磊晶結構之該第二表面至該第一暫時基板；耦合該暫時基板至該磊晶結構之該第一表面；以及從該磊晶結構移除該第一暫時基板以曝露該磊晶結構之該第二表面，以提供該磊晶結構於該暫時基板上。
- 如申請專利範圍第16項所述之製造方法，更包括形成至少一接觸墊，該接觸墊係形成於該磊晶結構之該第一型摻雜層與該第二型摻雜層的其中之一上，其中該至少一柱體只設置於該接觸墊之下。
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