TW201327774A - 發光二極體陣列及其形成方法 - Google Patents
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Abstract
本發明係關於一種發光二極體陣列。該陣列包含一具有一第一電極的第一發光二極體，以及一具有一第二電極的第二發光二極體。第二發光二極體與第一發光二極體彼此分離。一第一介電層位於第一發光二極體與第二發光二極體之間。一互連線係至少部分地位於第一介電層之上，而將第一電極連接至第二電極。一第二介電層形成於第一介電層及互連線之上。一反射層形成於第二介電層之上。一永久基板耦接至該反射層。
Description
本發明是關於一種半導體發光元件，且特別是關於一種發光二極體(LED)陣列及製造此種LED陣列的方法。
第1圖為一傳統的水平式發光二極體(horizontal light emitting diode)的示意圖。請參照第1圖，水平式發光二極體100包含磊晶基板102。磊晶結構104係藉由一磊晶成長製程而自磊晶基板長成。電極單元106係形成於磊晶結構上以提供電能(electrical energy)。磊晶基板102由藍寶石(sapphire)或碳化矽(SiC)等材料製成，因此能夠在磊晶基板102上進行三族氮化物(例如氮化鎵系(GaN-based)或氮化銦鎵系(InGaN-based)半導體材料)的磊晶成長。
磊晶結構104通常由氮化鎵系半導體材料或氮化銦鎵系半導體材料製成。在磊晶成長製程中，氮化鎵系半導體材料或氮化銦鎵系半導體材料係自磊晶基板102磊晶成長，以形成n型摻雜層108與p型摻雜層110。當電能被施加至磊晶結構104時，位於n型摻雜層108與p型摻雜層110交界處之發光部(light emitting portion)112產生電子電洞捕捉現象(electron-hole capture phenomenon)。發光部112的電子因而落下至一較低能階，並以光子的模式放出能量。舉例而言，發光部112為一單一量子井(single quantum well，SQW)或一多重量子井(multiple quantum
well，MQW)結構，而可限制電子及電洞在空間中的運動。如此一來，電子與電洞彼此碰撞的可能性增加，而使得電子電洞捕捉現象更容易發生，從而改善發光效率。
電極單元106包含第一電極114與第二電極116。第一電極114及第二電極116係分別地與n型摻雜層108及p型摻雜層110歐姆接觸(ohmic contact)。電極提供磊晶結構104電能。當施加一電壓於第一電極114與第二電極116之間時，一電流自第二電極116流出，通過磊晶結構104並水平地分布於磊晶結構104中，再流向第一電極114。如此一來，一些光子係由發生於磊晶結構104內的光電效應產生。由於前述水平分布的電流，水平式發光二極體100自磊晶結構104發出光線。
水平式發光二極體100的製程簡單。然而，水平式發光二極體可能導致數種問題的發生，例如電流擁擠(current crowding)問題、發光不均(non-uniformity light emitting)問題及熱堆積(thermal accumulation)問題，但不限於此。這些問題可能造成水平式發光二極體發光效率的下降和/或水平式發光二極體的毀損。
為克服一部分的上述問題，垂直式發光二極體(vertical light emitting diode)被發展出來。第2圖為一傳統的垂直式發光二極體的示意圖。垂直式發光二極體200包含磊晶結構204以及配置於磊晶結構上以提供電能的電極單元206。類似於第1圖所示的水平式發光二極體100，可藉由一磊晶成長製程而以氮化鎵系半導體材料或氮化銦鎵系半導體材料製成磊晶結構204。在磊晶成長製程
中，氮化鎵系半導體材料和氮化銦鎵系半導體材料係自磊晶基板(未示於圖中)磊晶成長，以形成n型摻雜層208、發光結構(light emitting structure)212與p型摻雜層210。接著，在剝除(stripping)磊晶基板之後，係將電極單元206接合(bond)至磊晶結構204。電極單元206包含第一電極214與第二電極216。第一電極214及第二電極216係分別地與n型摻雜層208及p型摻雜層210歐姆接觸。此外，可將第二電極216黏貼至散熱基板(heat dissipating substrate)202，以增加散熱效率。當施加一電壓於第一電極214與第二電極216之間時，電流係垂直地流通。因此垂直式發光二極體200可以有效地改善水平式發光二極體100的電流擁擠問題、發光不均問題及熱堆積問題。然而，在描繪於第2圖的傳統垂直式發光二極體中，有著電極遮蔽效應(shading effect)的問題。此外，形成垂直式發光二極體200的製程可能較為複雜。舉例而言，在將第二電極216黏貼至散熱基板202時，磊晶結構204可能因高熱量(high heat)而毀損。
近年來已發展出寬能隙氮化物系(wide-bandgap nitride-based)發光二極體，其波長範圍為紫外光至可見光譜之短波長部分。發光二極體裝置可被應用於新的顯示技術，例如交通號誌、液晶電視及手機背光源。因缺少同質基板(native substrates)，氮化鎵薄膜以及相關的氮化物系化合物通常是長在藍寶石晶圓上。傳統的發光二極體(如前文所述者)因光子往四面八方發射而缺乏效率。發射出的光中有一大部分皆受限於藍寶石基板，而無法作為放出的可
用光。再者，藍寶石基板的低熱傳導性也是傳統氮化物發光二極體的一個問題。因此，不使用藍寶石的獨立式氮化鎵光電元件(optoelectronic)是種被傾向用來解決此一問題的技術。磊晶膜移轉技術(epilayer transferring technique)為一種廣為人知之可實現超高亮度發光二極體(ultrabright LED)的發明。具有以雷射剝離(laser lift-off，LLO)技術在矽基板上製成之高反射性反射體的薄膜式p側向上型(p-side-up)氮化鎵發光二極體，結合n型氮化鎵(n-GaN)的表面粗化，已被證實為用於消除氮化物系異質磊晶結構中藍寶石之限制的有效工具。前述結構被認為是一種提高氮化鎵系發光二極體之出光率(light extraction efficiency)的良好方式。然而，這樣的技術同樣具有電極遮蔽問題。發出的光被電極遮蓋吸收，而導致發光效率的下降。
具有掩埋式電極(interdigitated imbedded electrode)的薄膜式n側向上(n-side-up)裝置氮化鎵發光二極體，係可藉由減少一部分的電極遮蔽問題來改善發光情形。然而，儘管相較於薄膜式p側向上裝置氮化鎵發光二極體而言，薄膜式n側向上裝置氮化鎵發光二極體提供了較佳的性質，卻還是存在著提供能用來製造p側向上與n側向上裝置兩者之改良結構及製程的需求。
此外，水平式發光二極體100與垂直式發光二極體200通常是以單一晶粒(single-die)的形式進行封裝，而這樣的封裝形式並不利於大面積光源的製造。鑑於上述配合第1及2圖所討論的問題，需要提供能夠克服上述水平式發光二極體與垂直式發光二極體之缺陷，並有利於在單一基板
上製造大面積光源的發光二極體以及該種發光二極體的製造方法。
在某些實施例中，一發光二極體陣列係包含一具有一第一電極的第一發光二極體，以及一具有一第二電極的第二發光二極體。第二發光二極體與第一發光二極體彼此分離。一第一介電層係位於第一發光二極體與第二發光二極體之間。一互連線係至少部分地位於第一介電層之上，而將第一電極連接至第二電極。一第二介電層係形成於第一介電層及互連線之上。一反射層係形成於第二介電層之上。一永久基板係耦接至反射層。
在某些實施例中，形成一發光二極體陣列的方法包含形成一第一發光二極體及一第二發光二極體於一暫時基板上。一第一介電層形成於第一發光二極體與第二發光二極體之間。一互連線形成於第一發光二極體上之一第一電極與第二發光二極體上之一第二電極之間。互連線係至少部分地形成於第一介電層上。一第二介電層形成於第一介電層及互連線之上。一反射層形成於第二介電層之上。一永久基板耦接至反射層。暫時基板係自所述的發光二極體移除。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。圖式上的尺寸比例並非按照實際產品等比例繪製，因此並非作為限縮本發明保護範圍之用。
第3至8圖描繪一形成n側向上(n-side up)發光二極體(LED)陣列300之製程實施例。在某些實施例中，形成LED陣列300的製程係使用一介電材料(例如高分子材料)來部分或完全地填充位於第一基板314上之相鄰二個LED 304A、304B間的間隙306。LED陣列300由多個在相對低的電流密度下產生一定光量的LED裝置形成。低電流密度產生較少的熱，並允許高分子材料被用於LED陣列的形成中。
首先，在第一基板314上形成一LED結構(未示於圖中)。接著，進行一分離製程(例如使用雷射切割機(laser saw)、切割機(dicing and cutting saw)或是電感應耦合電漿反應式離子蝕刻(ICP-RIE)裝置)，以將LED結構分開成數個在第一基板314上由間隙(如間隙306)所分離的LED(如LED 304A、304B)，如第3圖所示。為求簡便，在第3及4圖中僅繪示並描述兩個相鄰的LED，包含LED 304A與LED 304B，以及一個間隙306。第一基板314可例如為一暫時基板(temporary substrate)，如一藍寶石基板。可使用習知之磊晶技術將前述LED結構形成於第一基板314上，例如有機金屬化學氣相沈積(MOCVD)。在某些實施例中，LED結構包含在多個沉積製程步驟中形成的氮化鎵(GaN)層，以形成氮化鎵LED。例如LED結構可包含一夾在n型與p型摻雜層間的發光層(例如一單一量子井層或一多重量子井層)。
第3A圖係描繪LED 304一個代表性的可能實施例。在某些實施例中，LED 304包含第一摻雜層340、發光層342、第二摻雜層344與第三摻雜層346。在某些實施例中，第一摻雜層340、發光層342、第二摻雜層344及第三摻雜層346為在多個沉積製程步驟中形成之氮化鎵系的層。
在某些實施例中，發光層342為一單一量子井層或一多重量子井層。在某些實施例中，第一摻雜層340為一n型摻雜氮化鎵層，第二摻雜層344為一p型摻雜氮化鋁鎵(AlGaN)層，而第三摻雜層346為一p型摻雜氮化鎵層。在一部分的實施例中，第三摻雜層346的表面被部分的粗化(roughen)。在某些實施例中，LED 304包含一形成於第三摻雜層346上的第一電極(例如陽極308)以及一形成於第一摻雜層340上的第二電極(例如陰極310)。在部分的實施例中，一未摻雜層(如一未摻雜之氮化鎵層)係形成於第一摻雜層340的底部(該未摻雜層例如是形成在第一摻雜層340與第一基板314之間)。
如第3圖所示，在LED結構被分開後，於第一個LED 304A與第二個LED 304B之間形成了間隙306。在某些實施例中，一介電材料被沉積於第一個LED 304A及第二個LED 304B之上，覆蓋第一個LED 304A及第二個LED 304B，並完全地填入間隙306，以形成第一介電層311。在某些實施例中，第一介電層311包含高分子材料、陶瓷材料或其任意組合。在一部分的實施例中，第一介電層311係由一(高分子)光阻材料製成，例如聚甲基戊二醯亞胺(polymethylglutarimide，PMGI)或是SU-8。在一部分的實
施例中，第一介電層311係由一陶瓷材料製成，例如矽氧化物(silicon oxide)、矽氮化物(silicon nitrides)、氮氧化矽(silicon oxynitride)、氧化鋁或是其他適合的陶瓷或氧化物材料，但不限於此。
在某些實施例中，第一介電層311之折射係數落於1至2.6的範圍(在空氧與半導體之間)，以改善出光情形。第一介電層311的光學透明度(optical transparency)可等於或大於約90%(例如等於或大於約99%)。一般而言，在陽極308上方所量測到的第一介電層311厚度約為2 μm。在部分的實施例中，若第一介電層為高分子，係預先將第一介電層311與螢光粉(約佔30%的重量)混合，以調整輸出光的顏色。然而需要協調高分子塗層厚度與螢光粉粒子大小之間的相對尺寸。舉例而言，當第一介電層311在陽極308處的厚度約為3 μm時，適當的螢光粉粒子大小為大約或小於3 μm。
接著，如第4圖所示，施加圖案化的光罩313於第一介電層311之上。光罩313可在陽極308與陰極310所在處具有開口315，以允許在陽極308與陰極310上之第一介電層311的移除。在部分的實施例中，介電材料移除製程使得第一介電層311之表面輪廓變得平滑。在部分實施例中，介電材料移除製程係移除位在第一個LED 304A與第二個LED 304B上之第一介電層311，只留下位於間隙306內的第一介電層311。
某些實施例中，在經歷介電材料移除製程而暴露出陽極308與陰極310之後，係在介電材料表面上進行表面親
水改質(例如氧電漿(oxygen plasma)處理高分子表面)，以將原本疏水的表面轉化成親水的表面。因此，後續形成的金屬基互連線與第一介電層311間可具有較佳的貼附情形。
而後，如第5圖所示，於第一介電層311上方形成串聯的互連線(interconnect)312，以連接相鄰LED的陽極308與陰極310。在某些實施例中，除了填充LED間的間隙306外，第一介電層311還覆蓋LED 304的一部分。第5圖中，繪示了四個LED(LED 304A-304D)，以及三條位於LED之陽極308與陰極310間的互連線312。由於第一介電層311的表面輪廓相對平滑，後續形成的金屬基互連線312可具有薄而平滑的輪廓。
如第6圖所示，於第一介電層311上形成互連線312之後，可於互連線與第一介電層之上形成黏著層317。黏著層317可例如為環氧膠(epoxy glue)、蠟、旋塗玻璃(spin-on-glass，SOG)、光阻、單體(monomer)、高分子或任何習知的膠型材料，以將氮化鎵層接合至矽層、矽氧化物層、金屬層、陶瓷層或高分子層。
如第7圖所示，黏著層317可被用於將LED陣列300接合至第二基板350、反射層352和/或絕緣層354。第二基板350可例如為一矽基板或其他適合的導熱基板(thermally conductive substrate)。第二基板350可為LED陣列300的永久基板。在某些實施例中，在與黏著層317接合之前，係於第二基板350的一表面上形成反射層352和/或絕緣層354。反射層352可包含分散式布拉格反射鏡
(distributed Bragg reflector，DBR)、全方位反射鏡(omni-directional reflector，ODR)、銀、鋁、鈦和/或其他種反射導電材料(reflective conducting material)。絕緣層354可包含氧化物、氮化物和/或其他合適之具有高透光性的電性絕緣材料。將LED陣列300接合至一永久基板(如第二基板350)時，黏著層317之較佳材料為單體或是未交聯的高分子(uncross-linking polymer)。在接合製程之後，可固化(cure)黏著層317以形成高分子或交聯高分子(cross-linked polymer)，以增加機械強度及化學穩定性。
如第8圖所示，在與第二基板350接合後，係將第一基板314自LED陣列300移除。例如可使用雷射剝離(LLO)製程來移除第一基板314。第一基板314之移除使得LED陣列300相對於互連線312的表面(例如LED陣列之n摻雜側的表面)以及第一介電層311暴露出來。在一部分的實施例中，係至少粗化暴露出之LED 304表面的一部分。舉例而言，對於一n側氮化鎵LED，可使用例如溼式蝕刻製程來粗化一暴露出的未摻雜氮化鎵層或一暴露出的n型摻雜之氮化鎵層。
在暴露出LED陣列300之相對於互連線312的表面以及第一介電層311後，可建立一或多個LED 304(例如位於最外側的LED，如第8圖中最右側的LED 304D與最左側的LED 304A)的外部電性連接(垂直，或者水平)。在某些LED陣列300的實施例中，絕緣層354係用以避免在接合製程中，由於接合製程中所施加之壓力不均，使得黏著層317的厚度不均勻，而造成之反射層352接觸陽極308和/
或陰極310的情形。然而由於LED 304與反射層352間存在絕緣層354、第一介電層311和/或黏著層317，而產生了潛在的問題。在部分實施例中，此種潛在問題可為絕緣層354、第一介電層311和/或黏著層317可吸收或捕捉光，而使得LED陣列300的透光效率下降。
為克服至少一部分上述與透光效率下降有關的問題，LED陣列可以是移除位於LED 304與反射層352間之絕緣層354、第一介電層311和/或黏著層317之部分或全體的形態。第9圖描繪LED陣列400之一實施例的剖面圖，第二介電層取代了黏著層而形成於互連線及第一介電層上。在形成互連線312及第一介電層311(如第3至5圖所示)之後，係形成第二介電層360於互連線312與第一介電層311之上。
第二介電層360可包含高分子材料、陶瓷材料或其任意組合。在某些實施例中，第二介電層360的材料與第一介電層311相同。例如第二介電層360可為SU-8光阻材料。在一部分的實施例中，第一介電層311為一高分子層，而第二介電層360為一陶瓷層。在一部分的實施例中，第一介電層311為一陶瓷層，而第二介電層360為一高分子層。在一部分的實施例中，第一介電層311及第二介電層360皆為陶瓷層。在某些實施例中，第二介電層360的光學透明度可等於或大於約90%(例如等於或大於約99%)。如此一來，第一介電層311與第二介電層360的光學透明度可等於或大於約90%。
如第10圖所示，在形成第二介電層360後，係形成
反射層352於第二介電層上。反射層352可包含分散式布拉格反射鏡(DBR)、全方位反射鏡(ODR)、銀、鋁、鈦或者其組合。可直接地將反射層352接合至第二介電層360(例如將反射層直接沉積於第二介電層上)。因此，反射層352與第二介電層360之間不需要黏著層或絕緣層。
如第11圖所示，在形成反射層352後，可形成黏著層317於反射層之上，以用來接合LED陣列400至第二基板350。黏著層317可例如為環氧膠、蠟、旋塗玻璃、光阻、單體、高分子或任何習知的膠型材料，以將氮化鎵層接合至矽層、矽氧化物層、金屬層、陶瓷層或高分子層。第二基板350可例如為一矽基板或其他適合的導熱基板。第二基板350可為LED陣列400的永久基板。將LED陣列400接合至一永久基板(如第二基板350)時，黏著層317之較佳材料為單體或是未交聯的高分子。在接合製程之後，可固化黏著層317以形成高分子或交聯高分子，以增加機械強度及化學穩定性。在一部分的實施例中，係以一金屬接合層、一共晶接合層(eutectic bonding layer)或另一可用以將第二基板350接合至反射層352的接合層，取代黏著層317。在一部分的實施例中，係使用一原位方法(in situ method)於反射層352上形成永久基板(如第二基板350)。該原位方法可包含下列族群中之任一者：物理氣相沉積、化學氣相沉積、電鍍以及無電電鍍。
如第12圖所示，在與第二基板350接合後，即將第一基板314自LED陣列400移除。例如可使用雷射剝離(LLO)製程來移除第一基板314。第一基板314的移除使得
LED陣列400之相對於互連線312的表面(例如LED陣列之n摻雜側的表面)與第一介電層311暴露出來。在一部分的實施例中，係至少粗化暴露出之LED 304表面的一部分。例如對於一n側氮化鎵LED而言，可使用例如溼式蝕刻製程來粗化一暴露出的未摻雜氮化鎵層或一暴露出的n型摻雜之氮化鎵層。
第9至12圖所示的製程係製造出LED陣列400，而未在反射層352與LED 304之間使用黏著層與絕緣層。因而LED陣列400提供一種具有高透光率、減少了光之吸收與捕捉的LED陣列。如第12圖所示，在反射層352與LED 304之間，LED陣列400只具有兩層薄的介電層(第一介電層311及第二介電層360)。因此，相較於第8圖所示的LED陣列300而言，描繪於第12圖的LED陣列400實施例中，在反射層352與LED 304間之光的吸收與捕捉情形較少，而產生較高的透光率。
本發明並不限定於上述系統，而可對之進行更動。另外，在此所用之術語僅用以描述特定的實施例，而非用於限定本發明。除非在文中已清楚指明，此處所使用之單數形式「一」及「該」亦用以包含複數形式。舉例而言，用語「一層」包含了二或多層的組合，而用語「一材料」包含了材料的混合物。
綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範
圍所界定者為準。
100‧‧‧水平式發光二極體
102‧‧‧磊晶基板
104、204‧‧‧磊晶結構
106、206‧‧‧電極單元
108、208‧‧‧n型摻雜層
110、210‧‧‧p型摻雜層
112‧‧‧發光部
114、214‧‧‧第一電極
116、216‧‧‧第二電極
200‧‧‧垂直式發光二極體
202‧‧‧散熱基板
212‧‧‧發光結構
300、400‧‧‧LED陣列
304、304A、304B、304C、304D‧‧‧LED
306‧‧‧間隙
308‧‧‧陽極
310‧‧‧陰極
311‧‧‧第一介電層
312‧‧‧互連線
313‧‧‧光罩
314‧‧‧第一基板
315‧‧‧開口
317‧‧‧黏著層
340‧‧‧第一摻雜層
342‧‧‧發光層
344‧‧‧第二摻雜層
346‧‧‧第三摻雜層
350‧‧‧第二基板
352‧‧‧反射層
354‧‧‧絕緣層
360‧‧‧第二介電層
第1圖繪示一傳統的水平式發光二極體的示意圖。
第2圖繪示一傳統的垂直式發光二極體的示意圖。
第3圖繪示一實施例之複數個LED形成於第一基板上且介電材料覆蓋LED並填充於LED之間的剖面圖。
第3A圖繪示一實施例之LED的示意圖。
第4圖繪示一實施例之複數個LED形成於第一基板上、介電材料覆蓋LED並填充於LED之間、且一圖案化光罩係位於介電材料之上的剖面圖。
第5圖繪示一實施例之複數個LED形成於第一基板上、第一介電層位於LED之間、且互連線位於LED之間的剖面圖。
第6圖繪示如第5圖所示實施例具有一接合至LED的黏著層的剖面圖。
第7圖繪示如第6圖所示實施例具有一接合至黏著層的第二基板的剖面圖。
第8圖繪示如第7圖所示實施例中第一基板被移除的剖面圖。
第9圖繪示之一實施例之LED陣列具有第二介電層形成於互連線及第一介電層上的剖面圖。
第10圖繪示一實施例之LED陣列具有反射層形成於第二介電層上的剖面圖。
第11圖繪示一實施例之LED陣列具有黏著層形成於
反射層及第二介電層之上、且黏著層接合至第二基板的剖面圖。
第12圖繪示如第11圖所示實施例中第一基板被移除的剖面圖。
304A、304B、304C、304D‧‧‧LED
306‧‧‧間隙
308‧‧‧陽極
310‧‧‧陰極
311‧‧‧第一介電層
312‧‧‧互連線
317‧‧‧黏著層
350‧‧‧第二基板
352‧‧‧反射層
360‧‧‧第二介電層
400‧‧‧LED陣列
Claims (16)
- 一種發光二極體陣列，包括：一第一發光二極體，包括一第一電極；一第二發光二極體，包括一第二電極，其中該第二發光二極體係與該第一發光二極體分離；一第一介電層，位於該第一發光二極體與該第二發光二極體之間；一互連線，係至少部分地位於該第一介電層之上，該互連線將該第一電極連接至該第二電極；一第二介電層，形成於該第一介電層及該互連線之上；一反射層，形成於該第二介電層之上；以及一永久基板，耦接至該反射層。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體陣列，其中該永久基板係耦接至該第一發光二極體與該第二發光二極體面對該互連線的一側。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體陣列，其中該第一介電層係至少部分地包覆該第一發光二極體及該第二發光二極體。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體陣列，其中該第二介電層係至少部分地包覆該第一介電層及該互連線。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體陣列，其中該反射層係直接地接合至該第二介電層。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體陣列，其中該第一介電層與該第二介電層係包括等於或大於90%的一 光學透明度。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體陣列，其中該第一介電層之材料係選自下列族群中之一者：高分子、陶瓷及其任意組合。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體陣列，其中該第二介電層之材料係選自下列族群中之一者：高分子、陶瓷及其任意組合。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體陣列，其中該反射層包含下列族群中之一者：分散式布拉格反射鏡(DBR)、全方位反射鏡(ODR)、銀、鋁、鈦及其任意組合。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體陣列，其中該發光二極體陣列包括一n側向上的陣列。
- 一種形成一發光二極體陣列的方法，包括：形成一第一發光二極體及一第二發光二極體於一暫時基板上；形成一第一介電層於該第一發光二極體與該第二發光二極體之間；形成一互連線於該第一發光二極體上之一第一電極與該第二發光二極體上之一第二電極之間，其中該互連線係至少部分地形成於該第一介電層上；形成一第二介電層於該第一介電層及該互連線之上；形成一反射層於該第二介電層之上；耦接一永久基板至該反射層；以及自該第一發光二極體與該第二發光二極體移除該暫時基板。
- 如申請專利範圍第11項所述之方法，更包括耦接該永久基板至該第一發光二極體與該第二發光二極體面對該互連線的一側。
- 如申請專利範圍第11項所述之方法，更包括至少部分地將該第一發光二極體及該第二發光二極體包覆於該第一介電層中。
- 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該第一發光二極體與該第二發光二極體係由一間隙分離。
- 如申請專利範圍第14項所述之方法，更包括藉由以一介電材料覆蓋該第一發光二極體及該第二發光二極體並填充位於該第一發光二極體與該第二發光二極體之間的該間隙，圖案化該介電材料，及根據欲用以形成該第一介電層之圖案移除部分的該介電材料，來形成該第一介電層。
- 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該暫時基板係以一黏著層暫時性地接合至該第一發光二極體及該第二發光二極體，且其中該黏著層係於該暫時基板被移除時被移除。
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