CN101859861A - 具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开的一种具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管及其制备方法，其采用分布布拉格反射层与金属反射层相结合的双重反射结构，充分发挥了反射层的优异反射性，大大提高发光二极管的发光效率；在分布布拉格反射层中制作开口结构用于填充金属反射层，形成导电功能，避免传统倒装发光二极管中金属反射层与其它金属电极相互扩散而致使金属反射层的反射率降低的现象发生。
Description
技术领域
本发明涉及氮化镓基发光二极管，尤其是一种具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管及其制备方法。
背景技术
发光二极管具有体积小、亮度高、功耗小、寿命长等优点，随着功率型GaN基LED的光效不断提高，LED灯具替代传统照明光源是大势所趋，但高亮度LED生产成本较高、发光效率较低，因此高亮度LED仍难以大规模推广应用。
中国发明专利(公开号CN1622349A)所公开的倒装芯片发光二极管及其制造方法，倒装芯片型发光器件包括衬底、n型覆层、有源层、p型覆层、由掺杂了锑、氟、磷、砷中至少一种的氧化锡形成的欧姆接触层、以及由反射材料形成的反射层；该发明通过应用具有低表面电阻率和高载流子浓度的导电氧化物电极结构，提高了电流-电压特性和耐久性；但该发明采用单一金属膜作为出光反射层，金属膜仍然会吸收一部分光，而且绝缘介质膜作为阻挡层仍可能与反射金属膜或其它电极金属发生扩散效应，导致金属反射层的反射率降低。
发明内容
为解决上述发光二极管的所存在的问题，本发明旨在提供一种具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管及其制备方法。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管的制备方法，其制作步骤如下：
1)在蓝宝石基板上依次生长GaN缓冲层、N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层；
2)形成透明导电层于P-GaN层上；
3)通过光罩、蚀刻，将透明导电层所在的部分台面蚀刻至暴露出N-GaN层；
4)形成N电极欧姆接触金属层于N-GaN层上；
5)形成布拉格反射层于透明导电层上；
6)形成开口结构于布拉格反射层中，使布拉格反射层呈网格状分布并暴露出透明导电层表面的一部分；
7)形成金属反射层设于分布布拉格反射层与透明导电层的表面暴露部分上，并填满上述开口结构；
8)形成P电极欧姆接触金属层于金属反射层上；
9)形成SiO2钝化层覆盖于P电极欧姆接触金属层、暴露的N-GaN层及N电极欧姆接触金属层上；
10)通过光罩、蚀刻，在SiO2钝化层上制作接触窗口；
11)取一散热基板，在散热基板上制作出共晶焊的金属导电层及金丝球焊点；
12)将步骤1)～10)形成的GaN基LED基片焊接到前一步骤的散热基板上；
13)将蓝宝石基板减薄、抛光并切割成独立的LED芯粒。
由上述工艺制得的具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管，其特征在于：在蓝宝石基板上依次生长GaN缓冲层、N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层；在P-GaN层上形成透明导电层；在N-GaN层上形成N电极欧姆接触金属层；网格状分布的布拉格反射层形成于透明导电层上；金属反射层形成于布拉格反射层与透明导电层的表面暴露部分上；金属反射层上形成P电极欧姆接触金属层；SiO2钝化层覆盖于P电极欧姆接触金属层、暴露的N-GaN层及N电极欧姆接触金属层上，在SiO2钝化层形成一接触窗口；SiO2钝化层的接触窗口通过金属导电层及金丝球焊点与Si散热基板粘合。
本发明中，所述的透明导电层选自ITO、ZnO、In掺杂ZnO、Al掺杂ZnO、Ga掺杂ZnO或前述的任意组合之一；N电极欧姆接触金属层材料选自Ni/Au、Cr/Pt/Au、Ti/Al/Ti/Au或前述的任意组合之一；P电极欧姆接触金属层材料选自Ti/Au、Pt/Au、Ti/Al/Ti/Au或前述的任意组合之一；布拉格反射层由交替的高折射率和低折射率材料层组成，高折射率层材料选自TiO、TiO2、Ti3O5、Ti2O3、Ta2O5、ZrO2或前述的任意组合之一，低折射率层材料选自SiO2、SiNX、Al2O3或前述的任意组合之一；布拉格反射层的图案形状为矩形、圆形或多边形；金属反射层材料选自Al、Ag或前述的组合之一；金属导电层材料选自Al、Au、Ni或前述的任意组合之一；金丝球焊点材料为Au或Au的合金；GaN基LED基片与散热基板的焊接采用共晶键合或熔融键合。
与现有技术相比，本发明采用分布布拉格反射层与金属反射层相结合的双重反射结构，充分发挥了反射层的优异反射性，大大提高发光二极管的发光效率；在分布布拉格反射层中制作开口结构用于填充金属反射层，形成导电功能，避免传统倒装发光二极管中金属反射层与其它金属电极相互扩散而使金属反射层的反射率降低的现象发生。
附图说明
图1～图10是本发明氮化镓基倒装发光二极管芯片制备过程的截面示意图。
图中附图标识如下：
1.蓝宝石基板 2.GaN缓冲层
3.N-GaN层 4.多量子阱层
5.P-GaN层 6.ITO透明导电层
7.N电极欧姆接触金属层 8.布拉格反射层
9.金属反射层 10.P电极欧姆接触金属层
11.SiO2钝化层 12.散热基板
13.金属导电层 14.金丝球焊点
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
兼具分布布拉格反射层和金属反射层的双反射层的氮化镓基倒装发光二极管的制备工艺，其步骤如下：
如图1所示，在蓝宝石基板1上依次生长GaN缓冲层2、N-GaN层3、多量子阱层4和P-GaN层5；
如图2所示，形成ITO透明导电层6于P-GaN层5上；
如图3所示，通过光罩、蚀刻，将ITO透明导电层6所在的部分台面蚀刻至暴露出N-GaN层3；
如图4所示，形成N电极欧姆接触金属层7于N-GaN层3上，N电极欧姆接触金属层7选用Ni/Au合金；
如图5所示，形成分布布拉格反射层8于ITO透明导电层6上，并通过光罩与蚀刻方式，形成开口结构于分布布拉格反射层8中，使分布布拉格反射层8图案为矩形呈网格状分布，并暴露出ITO透明导电层6表面的一部分，其中分布布拉格反射层8由交替的高折射率TiO2材料和低折射率的SiO2材料组成；
如图6所示，形成Al/Ag合金金属反射层9设分布布拉格反射层8与ITO透明导电层6的表面暴露部分上，并填满上述开口结构；
如图7所示，形成P电极欧姆接触金属层10于Al/Ag合金金属反射层9上，P电极欧姆接触金属层10选用Ti/Au合金；
如图8所示，形成SiO2钝化层11覆盖于P电极欧姆接触金属层10、暴露的N-GaN层3及N电极欧姆接触金属层7上，并通过光罩、蚀刻，在SiO2钝化层11上制作接触窗口；
如图9所示，取一Si散热基板12，并在Si散热基板12上制作出共晶焊的Ti/Au合金金属导电层13及Au金丝球焊点14；
如图10所示，选用共晶键合技术，将上述形成的GaN基LED基片焊接到前一步骤的散热基板上，将蓝宝石基板1减薄、抛光并切割成独立的LED芯粒。
依上述工艺制得的氮化镓基倒装LED芯片，如图10所示，包括：蓝宝石基板1；在蓝宝石基板1上依次形成GaN缓冲层2、N-GaN层3、多量子阱层4和P-GaN层5；ITO透明导电层6形成于P-GaN层5上；由Ni/Au合金制成的N电极欧姆接触金属层7形成于N-GaN层3上；图案为矩形呈网格状分布的布拉格反射层8形成于ITO透明导电层6上，其中分布布拉格反射层8由交替的高折射率TiO2材料和低折射率的SiO2材料组成；Al/Ag合金金属反射层9形成于分布布拉格反射层8与ITO透明导电层6的表面暴露部分上；由Ti/Au合金制成的P电极欧姆接触金属层10形成于Al/Ag合金金属反射层9上；SiO2钝化层11覆盖于P电极欧姆接触金属层10、暴露的N-GaN层3及N电极欧姆接触金属层7上，在SiO2钝化层11上制作接触窗口；SiO2钝化层11的接触窗口通过Ti/Au合金金属导电层13及Au金丝球焊点14与Si散热基板12粘合。
以上实施例仅供说明本发明之用，而非对本发明的限制，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以作出各种变换或变化。因此，所有等同的技术方案也应该属于本发明的范畴，应由各权利要求限定。
Claims (11)
1.具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管，其特征在于：
在蓝宝石基板上依次生长GaN缓冲层、N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层；
在P-GaN层上形成透明导电层；
在N-GaN层上形成N电极欧姆接触金属层；
网格状分布的布拉格反射层形成于透明导电层上；
金属反射层形成于布拉格反射层与透明导电层的表面暴露部分上；
金属反射层上形成P电极欧姆接触金属层；
SiO2钝化层覆盖于P电极欧姆接触金属层、暴露的N-GaN层及N电极欧姆接触金属层上，在SiO2钝化层形成一接触窗口；
SiO2钝化层的接触窗口通过金属导电层及金丝球焊点与Si散热基板粘合。
2.具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管的制备方法，其工艺步骤如下：
1)在蓝宝石基板上依次生长GaN缓冲层、N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层；
2)形成透明导电层于P-GaN层上；
3)通过光罩、蚀刻，将透明导电层所在的部分台面蚀刻至暴露出N-GaN层；
4)形成N电极欧姆接触金属层于N-GaN层上；
5)形成布拉格反射层于透明导电层上；
6)形成开口结构于布拉格反射层中，使布拉格反射层呈网格状分布并暴露出透明导电层表面的一部分；
7)形成金属反射层设于分布布拉格反射层与透明导电层的表面暴露部分上，并填满上述开口结构；
8)形成P电极欧姆接触金属层于金属反射层上；
9)形成SiO2钝化层覆盖于P电极欧姆接触金属层、暴露的N-GaN层及N电极欧姆接触金属层上；
10)通过光罩、蚀刻，在SiO2钝化层上制作接触窗口；
11)取一散热基板，在散热基板上制作出共晶焊的金属导电层及金丝球焊点；
12)将步骤1)～10)形成的GaN基LED基片焊接到前一步骤的散热基板上；
13)将蓝宝石基板减薄、抛光并切割成独立的LED芯粒。
3.如权利要求2所述的具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管的制备方法，其特征在于：透明导电层选自ITO、ZnO、In掺杂ZnO、Al掺杂ZnO、Ga掺杂ZnO或前述的任意组合之一。
4.如权利要求2所述的具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管的制备方法，其特征在于：N电极欧姆接触金属层材料选自Ni/Au、Cr/Pt/Au、Ti/Al/Ti/Au或前述的任意组合之一。
5.如权利要求2所述的具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管的制备方法，其特征在于：P电极欧姆接触金属层材料选自Ti/Au、Pt/Au、Ti/Al/Ti/Au或前述的任意组合之一。
6.如权利要求2所述的具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管的制备方法，其特征在于：布拉格反射层由交替的高折射率和低折射率材料层组成，高折射率层材料选自TiO、TiO2、Ti3O5、Ti2O3、Ta2O5、ZrO2或前述的任意组合之一，低折射率层材料选自SiO2、SiNx、Al2O3或前述的任意组合之一。
7.如权利要求2或6所述的具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管的制备方法，其特征在于：布拉格反射层的图案形状为矩形、圆形或多边形。
8.如权利要求2所述的具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管的制备方法，其特征在于：金属反射层材料选自Al、Ag或前述的组合之一。
9.如权利要求2所述的具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管的制备方法，其特征在于：金属导电层材料选自Al、Au、Ni或前述的任意组合之一。
10.如权利要求2所述的具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管的制备方法，其特征在于：金丝球焊点材料为Au或Au的合金。
11.如权利要求2所述的具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管的制备方法，其特征在于：GaN基LED基片与散热基板的焊接采用共晶键合或熔融键合。
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Cited By (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102064164A (zh) * | 2010-10-28 | 2011-05-18 | 山东华光光电子有限公司 | 倒装功率led管芯自由组合灯芯 |
| CN102122686A (zh) * | 2011-01-17 | 2011-07-13 | 泉州市金太阳电子科技有限公司 | 发光二极管的制造方法 |
| CN102315342A (zh) * | 2011-09-02 | 2012-01-11 | 华灿光电股份有限公司 | 一种新型GaN基LED外延片及其制备方法 |
| CN102354723A (zh) * | 2011-10-24 | 2012-02-15 | 南昌黄绿照明有限公司 | 一种倒装半导体发光器件及其制造方法 |
| CN102468420A (zh) * | 2010-10-29 | 2012-05-23 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件 |
| CN102479916A (zh) * | 2010-11-26 | 2012-05-30 | 金龙国际公司 | 发光二极管芯片结构 |
| CN102500933A (zh) * | 2011-11-07 | 2012-06-20 | 苏州德龙激光有限公司 | 与led内切割加工相匹配的激光加工方法 |
| CN102769077A (zh) * | 2012-07-12 | 2012-11-07 | 江苏扬景光电有限公司 | 一种倒装焊发光二极管的制造方法 |
| CN102779915A (zh) * | 2012-08-13 | 2012-11-14 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 倒装发光二极管及其制备方法 |
| CN103178075A (zh) * | 2011-12-21 | 2013-06-26 | 华夏光股份有限公司 | 发光二极管阵列及其形成方法 |
| WO2013159526A1 (zh) * | 2012-04-27 | 2013-10-31 | 无锡华润华晶微电子有限公司 | 发光二极管器件及其制造方法 |
| CN103943735A (zh) * | 2014-04-23 | 2014-07-23 | 陕西光电科技有限公司 | 一种led日光灯管的制作方法 |
| WO2014117419A1 (zh) * | 2013-02-01 | 2014-08-07 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 一种倒装led芯片及其制造方法 |
| CN104037295A (zh) * | 2014-06-16 | 2014-09-10 | 江苏汉莱科技有限公司 | 一种led倒装芯片及其制造方法 |
| CN104269480A (zh) * | 2014-10-22 | 2015-01-07 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种led倒装芯片及其制作方法 |
| CN104576874A (zh) * | 2013-10-22 | 2015-04-29 | 泰谷光电科技股份有限公司 | 一种覆晶式发光二极管结构 |
| CN104716251A (zh) * | 2015-03-04 | 2015-06-17 | 尤俊龙 | 新型led覆晶芯片及其制造方法 |
| CN105742426A (zh) * | 2016-04-30 | 2016-07-06 | 桂林明皓光电科技有限公司 | 一种倒装led外延片 |
| TWI548124B (zh) * | 2013-05-27 | 2016-09-01 | 崴發控股有限公司 | 覆晶式發光二極體元件及其封裝結構 |
| TWI555231B (zh) * | 2011-08-31 | 2016-10-21 | 日亞化學工業股份有限公司 | 半導體發光元件 |
| CN106449931A (zh) * | 2016-10-31 | 2017-02-22 | 江苏新广联半导体有限公司 | 一种led倒装芯片的钝化沉积方法 |
| CN106784221A (zh) * | 2016-12-23 | 2017-05-31 | 华南理工大学 | 一种基于表面等离子体效应的宽带高效GaN基LED芯片及其制备方法 |
| CN106997917A (zh) * | 2017-05-08 | 2017-08-01 | 珠海市芯半导体科技有限公司 | 一种led倒装芯片及其制备方法 |
| CN107180900A (zh) * | 2016-03-11 | 2017-09-19 | 三星电子株式会社 | 发光器件 |
| JP2017204571A (ja) * | 2016-05-11 | 2017-11-16 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子、半導体装置及び半導体素子の製造方法 |
| CN107768491A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-03-06 | 江苏新广联半导体有限公司 | 用于手环的MicroLED显示模块制作方法 |
| US20180145220A1 (en) * | 2016-01-18 | 2018-05-24 | Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Bonding Electrode Structure of Flip-chip LED Chip and Fabrication Method |
| CN108172674A (zh) * | 2018-02-06 | 2018-06-15 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种倒装led芯片及其制作方法 |
| CN108831977A (zh) * | 2018-06-26 | 2018-11-16 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种带光电隔离粗化层的发光二极管及其制备方法 |
| CN110246946A (zh) * | 2013-06-04 | 2019-09-17 | 克利公司 | 发光二极管介质镜 |
| CN110993765A (zh) * | 2015-02-17 | 2020-04-10 | 新世纪光电股份有限公司 | 具有布拉格反射镜的发光二极管及其制造方法 |
| CN112133801A (zh) * | 2020-09-25 | 2020-12-25 | 厦门大学 | 一种氮化镓基谐振腔发光二极管及其制备方法 |
| CN112563377A (zh) * | 2020-12-09 | 2021-03-26 | 武汉大学 | 生长在具有异质材料阵列的衬底上的倒装发光二极管芯片 |
| CN112992877A (zh) * | 2021-02-05 | 2021-06-18 | 业成科技（成都）有限公司 | 倒装发光二极管及其制造方法与背光模组 |
| CN113410354A (zh) * | 2021-04-29 | 2021-09-17 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 提高晶体质量的发光二极管外延片及其制备方法 |
| TWI780180B (zh) * | 2017-07-21 | 2022-10-11 | 日商日亞化學工業股份有限公司 | 發光裝置、整合式發光裝置及發光模組 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11340514A (ja) * | 1998-05-22 | 1999-12-10 | Nichia Chem Ind Ltd | フリップチップ型光半導体素子 |
| US6969874B1 (en) * | 2003-06-12 | 2005-11-29 | Sandia Corporation | Flip-chip light emitting diode with resonant optical microcavity |
| US20060033113A1 (en) * | 2004-08-11 | 2006-02-16 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Nitride semiconductor light emitting diode and method of manufacturing the same |
| US20080029773A1 (en) * | 2006-08-06 | 2008-02-07 | Jorgenson Robbie J | III-nitride light-emitting devices with one or more resonance reflectors and reflective engineered growth templates for such devices, and methods |
-
2010
- 2010-05-13 CN CN 201010180143 patent/CN101859861A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11340514A (ja) * | 1998-05-22 | 1999-12-10 | Nichia Chem Ind Ltd | フリップチップ型光半導体素子 |
| US6969874B1 (en) * | 2003-06-12 | 2005-11-29 | Sandia Corporation | Flip-chip light emitting diode with resonant optical microcavity |
| US20060033113A1 (en) * | 2004-08-11 | 2006-02-16 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Nitride semiconductor light emitting diode and method of manufacturing the same |
| US20080029773A1 (en) * | 2006-08-06 | 2008-02-07 | Jorgenson Robbie J | III-nitride light-emitting devices with one or more resonance reflectors and reflective engineered growth templates for such devices, and methods |
Cited By (55)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102064164A (zh) * | 2010-10-28 | 2011-05-18 | 山东华光光电子有限公司 | 倒装功率led管芯自由组合灯芯 |
| CN102064164B (zh) * | 2010-10-28 | 2012-03-21 | 山东华光光电子有限公司 | 倒装功率led管芯自由组合灯芯 |
| CN102468420A (zh) * | 2010-10-29 | 2012-05-23 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件 |
| CN102479916A (zh) * | 2010-11-26 | 2012-05-30 | 金龙国际公司 | 发光二极管芯片结构 |
| CN102479916B (zh) * | 2010-11-26 | 2014-08-13 | 金龙国际公司 | 发光二极管芯片结构 |
| CN102122686A (zh) * | 2011-01-17 | 2011-07-13 | 泉州市金太阳电子科技有限公司 | 发光二极管的制造方法 |
| TWI555231B (zh) * | 2011-08-31 | 2016-10-21 | 日亞化學工業股份有限公司 | 半導體發光元件 |
| CN102315342A (zh) * | 2011-09-02 | 2012-01-11 | 华灿光电股份有限公司 | 一种新型GaN基LED外延片及其制备方法 |
| CN102354723B (zh) * | 2011-10-24 | 2013-11-20 | 南昌黄绿照明有限公司 | 一种倒装半导体发光器件及其制造方法 |
| CN102354723A (zh) * | 2011-10-24 | 2012-02-15 | 南昌黄绿照明有限公司 | 一种倒装半导体发光器件及其制造方法 |
| CN102500933A (zh) * | 2011-11-07 | 2012-06-20 | 苏州德龙激光有限公司 | 与led内切割加工相匹配的激光加工方法 |
| CN103178075A (zh) * | 2011-12-21 | 2013-06-26 | 华夏光股份有限公司 | 发光二极管阵列及其形成方法 |
| WO2013159526A1 (zh) * | 2012-04-27 | 2013-10-31 | 无锡华润华晶微电子有限公司 | 发光二极管器件及其制造方法 |
| US9172002B2 (en) | 2012-04-27 | 2015-10-27 | Wuxi China Resources Huajing Microelectronic Co., Ltd. | Light-emitting device having a patterned substrate |
| US9356213B2 (en) | 2012-04-27 | 2016-05-31 | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics Co., Ltd. | Manufacturing method of a light-emitting device having a patterned substrate |
| CN102769077A (zh) * | 2012-07-12 | 2012-11-07 | 江苏扬景光电有限公司 | 一种倒装焊发光二极管的制造方法 |
| CN102779915A (zh) * | 2012-08-13 | 2012-11-14 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 倒装发光二极管及其制备方法 |
| WO2014117419A1 (zh) * | 2013-02-01 | 2014-08-07 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 一种倒装led芯片及其制造方法 |
| US9419173B2 (en) | 2013-02-01 | 2016-08-16 | Enraytek Optoelectronics Co., Ltd. | Flip-chip LED and fabrication method thereof |
| TWI548124B (zh) * | 2013-05-27 | 2016-09-01 | 崴發控股有限公司 | 覆晶式發光二極體元件及其封裝結構 |
| CN110246946A (zh) * | 2013-06-04 | 2019-09-17 | 克利公司 | 发光二极管介质镜 |
| CN110246946B (zh) * | 2013-06-04 | 2023-04-21 | 科锐Led公司 | 发光二极管介质镜 |
| CN104576874A (zh) * | 2013-10-22 | 2015-04-29 | 泰谷光电科技股份有限公司 | 一种覆晶式发光二极管结构 |
| CN104576874B (zh) * | 2013-10-22 | 2018-01-09 | 泰谷光电科技股份有限公司 | 一种覆晶式发光二极管结构 |
| CN103943735A (zh) * | 2014-04-23 | 2014-07-23 | 陕西光电科技有限公司 | 一种led日光灯管的制作方法 |
| CN103943735B (zh) * | 2014-04-23 | 2016-08-24 | 陕西光电科技有限公司 | 一种led日光灯管的制作方法 |
| CN104037295A (zh) * | 2014-06-16 | 2014-09-10 | 江苏汉莱科技有限公司 | 一种led倒装芯片及其制造方法 |
| CN104269480A (zh) * | 2014-10-22 | 2015-01-07 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种led倒装芯片及其制作方法 |
| CN104269480B (zh) * | 2014-10-22 | 2017-06-16 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种led倒装芯片及其制作方法 |
| CN110993765A (zh) * | 2015-02-17 | 2020-04-10 | 新世纪光电股份有限公司 | 具有布拉格反射镜的发光二极管及其制造方法 |
| CN104716251A (zh) * | 2015-03-04 | 2015-06-17 | 尤俊龙 | 新型led覆晶芯片及其制造方法 |
| US10276750B2 (en) * | 2016-01-18 | 2019-04-30 | Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Bonding electrode structure of flip-chip led chip and fabrication method |
| US20180145220A1 (en) * | 2016-01-18 | 2018-05-24 | Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Bonding Electrode Structure of Flip-chip LED Chip and Fabrication Method |
| CN107180900A (zh) * | 2016-03-11 | 2017-09-19 | 三星电子株式会社 | 发光器件 |
| US10978614B2 (en) | 2016-03-11 | 2021-04-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US10930817B2 (en) | 2016-03-11 | 2021-02-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light-emitting device |
| CN105742426A (zh) * | 2016-04-30 | 2016-07-06 | 桂林明皓光电科技有限公司 | 一种倒装led外延片 |
| JP2017204571A (ja) * | 2016-05-11 | 2017-11-16 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子、半導体装置及び半導体素子の製造方法 |
| CN106449931A (zh) * | 2016-10-31 | 2017-02-22 | 江苏新广联半导体有限公司 | 一种led倒装芯片的钝化沉积方法 |
| CN106449931B (zh) * | 2016-10-31 | 2018-10-12 | 江苏新广联半导体有限公司 | 一种led倒装芯片的钝化沉积方法 |
| CN106784221A (zh) * | 2016-12-23 | 2017-05-31 | 华南理工大学 | 一种基于表面等离子体效应的宽带高效GaN基LED芯片及其制备方法 |
| US11101406B2 (en) | 2016-12-23 | 2021-08-24 | South China University Of Technology | Efficient wide bandgap GaN-based LED chip based on surface plasmon effect and manufacturing method therefor |
| CN106784221B (zh) * | 2016-12-23 | 2019-06-18 | 华南理工大学 | 一种基于表面等离子体效应的宽带高效GaN基LED芯片及其制备方法 |
| WO2018112985A1 (zh) * | 2016-12-23 | 2018-06-28 | 华南理工大学 | 基于表面等离子体效应的宽带高效 GaN 基 LED 芯片及其制法 |
| CN106997917A (zh) * | 2017-05-08 | 2017-08-01 | 珠海市芯半导体科技有限公司 | 一种led倒装芯片及其制备方法 |
| TWI780180B (zh) * | 2017-07-21 | 2022-10-11 | 日商日亞化學工業股份有限公司 | 發光裝置、整合式發光裝置及發光模組 |
| CN107768491B (zh) * | 2017-10-31 | 2019-11-22 | 江苏新广联半导体有限公司 | 用于手环的MicroLED显示模块制作方法 |
| CN107768491A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-03-06 | 江苏新广联半导体有限公司 | 用于手环的MicroLED显示模块制作方法 |
| CN108172674A (zh) * | 2018-02-06 | 2018-06-15 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种倒装led芯片及其制作方法 |
| CN108831977A (zh) * | 2018-06-26 | 2018-11-16 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种带光电隔离粗化层的发光二极管及其制备方法 |
| CN112133801A (zh) * | 2020-09-25 | 2020-12-25 | 厦门大学 | 一种氮化镓基谐振腔发光二极管及其制备方法 |
| CN112563377A (zh) * | 2020-12-09 | 2021-03-26 | 武汉大学 | 生长在具有异质材料阵列的衬底上的倒装发光二极管芯片 |
| CN112992877A (zh) * | 2021-02-05 | 2021-06-18 | 业成科技（成都）有限公司 | 倒装发光二极管及其制造方法与背光模组 |
| CN112992877B (zh) * | 2021-02-05 | 2022-11-22 | 业成科技（成都）有限公司 | 倒装发光二极管及其制造方法与背光模组 |
| CN113410354A (zh) * | 2021-04-29 | 2021-09-17 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 提高晶体质量的发光二极管外延片及其制备方法 |
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