CN107768491B - 用于手环的MicroLED显示模块制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种用于手环的MicroLED显示模块制作方法，所述制作方法步骤依次包括：形成LED外延片；暴露N‑GaN层部分上表面；制作反射层；制作列电极绝缘层，暴露列电极电流通孔区域下的反射层；制作列电极层，所述列电极层与列电极电流通孔连接；制备行电极绝缘层；暴露行电极电流通孔区域下的N‑GaN层；制作行电极层，所述行电极层与行电极电流通孔连接；利用激光技术将晶圆上的器件进行切割，并利用裂片技术将芯片分离，形成独立的器件单元；利用倒装焊技术，将上述加工的显示芯片单元，与贴装有SSD1306 IC的柔性线路板的行列电极连接。本发明利用MicroLED技术，制作微型显示阵列，利用PM IC驱动，直接对微型显示阵列驱动，替代OLED屏幕，减少屏幕模组的能耗，提高待机时间。

Description

用于手环的MicroLED显示模块制作方法
技术领域
本发明涉及液晶显示模块技术领域，具体涉及一种用于手环的MicroLED显示模块制作方法。
背景技术
运动手环已成为大众消费品，大多数的手环采用的是OLED屏幕，由于OLED屏幕能耗较大，因此使得手环的待机时间一般只能持续：3~7天，且OLED发光效率低，显示亮度低，在户外强光下，很难识别屏幕内容；
近年来MicroLED技术的日渐发展起来，MicroLED即LED微缩化和矩阵化技术，指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列即LED微缩化和矩阵化技术，由于能够将独立的红色、绿色和蓝色子像素作为独立可控光源，能行成高对比度，宽示角的显示器，因此基于MicroLED的运动手环已成为大众消费品，但是用于手环的MicroLED显示模块的制作工艺仍不成熟。
发明内容
为了解决现有技术中存在的问题，本发明提供一种手环的MicroLED显示模块制作方法，此种MicroLED显示模块制作方法能够使得MicroLED显示模块的工作电流更低，亮度更高，有利于降低手环的能耗，提高待机时间。
根据本发明提供的技术方案，一种用于手环的MicroLED显示模块制作方法，包括：使N-GaN层、量子阱和P-GaN层依次自下而上生长在蓝宝石衬底上形成LED外延片；所述方法还包括以下步骤：
步骤一：利用正性光刻胶和SiO2双层掩膜技术和ICP刻蚀技术，刻蚀除去N-GaN层上表面需要外露的区域，使得需要外露的N-GaN层上表面部分外露；
步骤二：利用负性光刻胶掩膜技术，制作反射层的图形；通过电子束蒸镀或磁控溅射技术在反射层图形上表面制作形成反射层；
步骤三：利用PECVD或者磁控溅射技术，制备列电极绝缘层；利用正性光刻胶掩膜技术，在列电极绝缘层的上表面制作列电极电流通孔的图形，并利用HF溶液刻蚀列电极电流通孔图形区域的列电极绝缘层，暴露列电极电流通孔区域下的反射层；
步骤四：利用负性光刻胶掩膜技术，制作列电极层图形，并通过电子束蒸发设备和热阻蒸发设备在列电极层图形上表面制作列电极层，所述列电极层与列电极电流通孔连接；
步骤五：利用PECVD或者磁控溅射技术，制备行电极绝缘层；利用正性光刻胶掩膜技术，在行电极绝缘层的上表面制作行电极电流通孔的图形，刻蚀行电极电流通孔图形区域的行电极绝缘层，暴露行电极电流通孔区域下的N-GaN层；
步骤六：利用负性光刻胶掩膜技术，制作行电极层图形，并通过电子束蒸发设备和热阻蒸发设备制作行电极层，所述行电极层与行电极电流通孔连接；
步骤七：利用减薄、研磨设备将晶圆减薄到100~200um；
步骤八：利用激光技术将晶圆上的器件进行切割，并利用裂片技术将芯片分离，形成独立的器件单元；
步骤九：利用倒装焊技术，将上述加工的显示芯片单元，与贴装有SSD1306 IC的柔性线路板的行列电极连接。
进一步地，步骤一中通过ICP刻蚀技术刻蚀深度为1~1.5um。
进一步地，所述反射层采用高反射率的金属材料，反射层的厚度为100~500nm。
进一步地，所述列电极绝缘层和行电极绝缘层的厚度为100~2000nm，所述绝缘层的材料采用Si3N4或SiO2。
从以上所述可以看出本发明提供的一种手环的MicroLED显示模块制作方法与现有技术相比具备以下优点：本发明利用MicroLED技术，制作微型显示阵列，利用PM IC驱动，直接对微型显示阵列驱动，利用LED发光效率高、显示亮度高、相应快的优势，替代OLED屏幕，减少屏幕模组的能耗，提高待机时间。
附图说明
图1为本发明的流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
如图1所示，一种用于手环的MicroLED显示模块制作方法，所述方法包括以下步骤：
步骤一：利用MOCVD设备在蓝宝石衬底上依次生长N-GaN层，量子阱和P-GaN层，形成完整的LED外延结构，通过改变量子阱生长过程中温度和量子阱层中In、Al组分可以改变发光波长；
步骤二：利用正性光刻胶和SiO2双层掩膜技术和ICP刻蚀技术，刻蚀除去N-GaN层上表面需要外露的区域，使得需要外露的N-GaN层上表面部分外露；
步骤三：利用负性光刻胶掩膜技术，在P-GaN层制作反射层的图形；通过电子束蒸镀或磁控溅射技术在反射层图形上表面制作形成反射层；
步骤四：利用PECVD或者磁控溅射技术，在所述反射层上表面和N-GaN层上表面制备列电极绝缘层；利用正性光刻胶掩膜技术，在反射层上表面位置处的列电极绝缘层上制作列电极电流通孔的图形，并利用HF溶液刻蚀列电极电流通孔图形区域的列电极绝缘层，暴露列电极电流通孔区域下的反射层；
步骤五：利用负性光刻胶掩膜技术，制作列电极层图形，并通过电子束蒸发设备和热阻蒸发设备在列电极层图形上表面制作列电极层，所述列电极层与列电极电流通孔连接；
步骤六：利用PECVD或者磁控溅射技术，在列电极绝缘层上表面制备行电极绝缘层；利用正性光刻胶掩膜技术，在N-GaN层上表面位置处的行电极绝缘层上制作行电极电流通孔的图形，刻蚀行电极电流通孔图形区域处的的行电极绝缘层和列电极绝缘层，暴露行电极电流通孔区域下的N-GaN层；
步骤七：利用负性光刻胶掩膜技术，制作行电极层图形，并通过电子束蒸发设备和热阻蒸发设备制作行电极层，所述行电极层与行电极电流通孔连接；
步骤八：利用减薄、研磨设备将晶圆减薄到100~200um；
步骤九：利用激光技术将晶圆上的器件进行切割，并利用裂片技术将芯片分离，形成独立的器件单元；
步骤十：利用倒装焊技术，将上述加工的显示芯片单元，与贴装有SSD1306 IC的柔性线路板的行列电极连接。
优选地，上述步骤二中通过ICP刻蚀技术刻蚀深度为1~1.5um。
优选地，反射层采用：Al或Ag或Pt高反射率的金属材料，反射层的厚度为100~500nm。
优选地，所述列电极绝缘层和行电极绝缘层的厚度为100~2000nm，所述绝缘层的材料采用Si3N4或SiO2。
所属领域的普通技术人员应当理解：以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的主旨之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种用于手环的MicroLED显示模块制作方法，包括：使N-GaN层、量子阱和P-GaN层依次自下而上生长在蓝宝石衬底上形成LED外延片；其特征在于，所述方法还包括以下步骤：
步骤一：利用正性光刻胶和SiO2双层掩膜技术和ICP刻蚀技术，刻蚀除去N-GaN层上表面需要外露的区域，使得需要外露的N-GaN层上表面部分外露；
步骤二：利用负性光刻胶掩膜技术，在P-GaN层制作反射层的图形；通过电子束蒸镀或磁控溅射技术在反射层图形上表面形成反射层；
步骤三：利用PECVD或者磁控溅射技术，在所述反射层上表面和N-GaN层上表面制备列电极绝缘层；利用正性光刻胶掩膜技术，在反射层上表面位置处的列电极绝缘层的上表面制作列电极电流通孔的图形，并利用HF溶液刻蚀列电极电流通孔图形区域的列电极绝缘层，暴露列电极电流通孔区域下的反射层；
步骤四：利用负性光刻胶掩膜技术，制作列电极层图形，并通过电子束蒸发设备和热阻蒸发设备在列电极层图形上表面制作列电极层，所述列电极层与列电极电流通孔连接；
步骤五：利用PECVD或者磁控溅射技术，在列电极绝缘层上表面制备行电极绝缘层；利用正性光刻胶掩膜技术，在N-GaN层上表面位置处的行电极绝缘层的上表面制作行电极电流通孔的图形，刻蚀行电极电流通孔图形区域的行电极绝缘层，暴露行电极电流通孔区域下的N-GaN层；
步骤六：利用负性光刻胶掩膜技术，制作行电极层图形，并通过电子束蒸发设备和热阻蒸发设备制作行电极层，所述行电极层与行电极电流通孔连接；
步骤七：利用减薄、研磨设备将晶圆减薄到100~200μ m；
步骤八：利用激光技术将晶圆上的器件进行切割，并利用裂片技术将芯片分离，形成独立的器件单元；
步骤九：利用倒装焊技术，将步骤八得到的显示芯片单元，与贴装有SSD1306 IC的柔性线路板的行列电极连接。
2.如权利要求1所述用于手环的MicroLED显示模块制作方法，其特征在于，步骤一中通过ICP刻蚀技术刻蚀深度为1~1.5μ m。
3.如权利要求1所述用于手环的MicroLED显示模块制作方法，其特征在于，所述反射层采用高反射率的金属材料，反射层的厚度为100~500nm。
4.如权利要求1所述用于手环的MicroLED显示模块制作方法，其特征在于，所述列电极绝缘层和行电极绝缘层的厚度为100~2000nm，所述绝缘层的材料采用Si3N4或SiO2。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111564537B (zh) * 2020-05-13 2021-06-29 厦门乾照光电股份有限公司 一种微型发光元件及其制备方法
CN112701201B (zh) * 2021-03-23 2021-07-06 北京芯海视界三维科技有限公司 发光单元及发光模组

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101026204A (zh) * 2006-02-24 2007-08-29 中国科学院半导体研究所 利用倒装技术制作功率型微结构发光二极管管芯的方法
CN101859861A (zh) * 2010-05-13 2010-10-13 厦门市三安光电科技有限公司 具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管及其制备方法
CN102403425A (zh) * 2011-11-25 2012-04-04 俞国宏 一种倒装led芯片的制作方法
CN104300057A (zh) * 2014-10-11 2015-01-21 北京工业大学 一种高亮度GaN发光二极管器件的制作方法
CN104485401A (zh) * 2014-12-17 2015-04-01 聚灿光电科技(苏州)有限公司 GaN基倒装LED微显示结构及其制作方法
CN105914290A (zh) * 2016-05-17 2016-08-31 太原理工大学 基于3d打印制备侧壁反光镜duv led
CN106449619A (zh) * 2016-09-09 2017-02-22 华灿光电（浙江）有限公司 一种发光二极管芯片及其制作方法
CN107154452A (zh) * 2017-04-01 2017-09-12 中山大学 具有周期性微孔结构的GaN‑LED倒装结构及其制备方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102407827B1 (ko) * 2015-01-27 2022-06-13 서울바이오시스 주식회사 발광 소자
KR20160141063A (ko) * 2015-05-27 2016-12-08 삼성전자주식회사 발광소자 패키지, 그 제조 방법
CN105702821B (zh) * 2016-03-29 2018-01-30 苏州晶湛半导体有限公司 半导体发光器件及其制造方法
CN106981497A (zh) * 2017-02-14 2017-07-25 盐城东紫光电科技有限公司 一种高压倒装led芯片结构及其制造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101026204A (zh) * 2006-02-24 2007-08-29 中国科学院半导体研究所 利用倒装技术制作功率型微结构发光二极管管芯的方法
CN101859861A (zh) * 2010-05-13 2010-10-13 厦门市三安光电科技有限公司 具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管及其制备方法
CN102403425A (zh) * 2011-11-25 2012-04-04 俞国宏 一种倒装led芯片的制作方法
CN104300057A (zh) * 2014-10-11 2015-01-21 北京工业大学 一种高亮度GaN发光二极管器件的制作方法
CN104485401A (zh) * 2014-12-17 2015-04-01 聚灿光电科技(苏州)有限公司 GaN基倒装LED微显示结构及其制作方法
CN105914290A (zh) * 2016-05-17 2016-08-31 太原理工大学 基于3d打印制备侧壁反光镜duv led
CN106449619A (zh) * 2016-09-09 2017-02-22 华灿光电（浙江）有限公司 一种发光二极管芯片及其制作方法
CN107154452A (zh) * 2017-04-01 2017-09-12 中山大学 具有周期性微孔结构的GaN‑LED倒装结构及其制备方法

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