CN111564537B - 一种微型发光元件及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种微型发光元件及其制备方法，通过第一绝缘保护层覆盖所述外延叠层并分别裸露所述台面和所述凹槽的部分表面；金属夹层层叠于所述第一绝缘保护层背离所述外延叠层的一侧表面，且具有至少一通孔，所述通孔位于所述台面的上方且远离所述台面的裸露部设置；第二绝缘保护层覆盖所述金属夹层背离所述第一绝缘保护层的一侧表面，并填充所述金属夹层的所述通孔；所述第二绝缘保护层显露所述台面的裸露部及所述凹槽的裸露部。通过第一绝缘保护层、金属夹层及第二绝缘保护层三者在光反射时的相互配合，并调节所述金属夹层的所述通孔的大小、形状及其排布即可可控性地调节微型发光元件的发光角度，从而提高光的提取率。

Description

一种微型发光元件及其制备方法

技术领域

本发明涉及发光二极管领域，尤其涉及一种微型发光元件及其制备方法。

背景技术

随着LED技术的快速发展以及LED光效的逐步提高，LED的应用也越来越广泛，人们越来越关注LED在显示屏的发展前景。LED芯片，作为LED灯的核心组件，其功能就是把电能转化为光能，具体的，包括外延片和分别设置在外延片上的N型电极和P型电极。所述外延片包括P型半导体层、N型半导体层以及位于所述N型半导体层和P型半导体层之间的有源层，当有电流通过LED芯片时，P型半导体中的空穴和N型半导体中的电子会向有源层移动，并在所述有源层复合，使得LED芯片发光。

但是，在显示屏的应用中，RGB三色的发光角要相似，才能保证屏幕每个角度的色调一致，但实际应用中，由于红光外延采用的衬底与蓝绿光外延的衬底不同，形成了不同的发光角特点，从而当RGB组芯粒封装成显示屏后，呈现出不同角度的色调不同。

有鉴于此，本发明人专门设计了一种微型发光元件及其制备方法，本案由此产生。

发明内容

本发明的目的在于提供一种微型发光元件及其制备方法，以实现微型发光元件发光角度调节的可控性。

为了实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：

一种微型发光元件，包括：

衬底；

设置于所述衬底表面的外延叠层，所述外延叠层包括沿第一方向依次堆叠的第一型半导体层、有源区以及第二型半导体层，且所述外延叠层的局部区域蚀刻至部分所述的第一型半导体层形成凹槽及台面；所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述外延叠层；

第一绝缘保护层，其覆盖所述外延叠层并分别裸露所述台面和所述凹槽的部分表面；

金属夹层，其层叠于所述第一绝缘保护层背离所述外延叠层的一侧表面，且具有至少一通孔，所述通孔位于所述台面的上方且远离所述台面的裸露部设置；

第二绝缘保护层，其覆盖所述金属夹层背离所述第一绝缘保护层的一侧表面，并填充所述金属夹层的所述通孔；所述第二绝缘保护层显露所述台面的裸露部及所述凹槽的裸露部；

第一电极，其层叠于所述凹槽的裸露部并向上延伸至所述第二绝缘保护层的表面；

第二电极，其层叠于所述台面的裸露部并向上延伸至所述第二绝缘保护层的表面。

优选地，所有所述通孔的总表面积为S，所述金属夹层的水平铺设面积为A，则A/10≤S≤A/2。

优选地，所述金属夹层具有若干个子通孔及一中心通孔，且各所述子通孔围绕所述中心通孔均匀且间隔分布。

优选地，所述金属夹层包括一层或多层的金属层，所述金属层包括金属单质层或合金层中的至少一种。

优选地，所述金属层包括铝层或银层。

优选地，所述金属层包括锆铝合金层或锆银合金层。

优选地，所述外延叠层具有至少一衬底裸露部，其自所述第二型半导体层经所述有源区和所述第一型半导体层延伸至所述衬底，其中所述第一绝缘保护层、金属夹层及以第二绝缘保护层均以被保持在所述衬底裸露部的方式层叠于所述衬底。

优选地，所述衬底裸露部环绕所述外延叠层的四周；所述第一绝缘保护层、金属夹层及以第二绝缘保护层均以被保持在所述衬底裸露部的方式层叠于所述衬底，并环绕所述外延叠层的四周。

优选地，在所述台面背离所述衬底的一侧表面依次设有透明导电层和扩展电极，所述扩展电极层叠于所述透明导电层的部分表面；所述透扩展电极背离所述透明导电层一侧的表面部分裸露形成所述台面的裸露部；所述扩展电极设有手指件，所述手指件从所述扩展电极延伸至所述通孔，且所述手指件与所述通孔间隔或交叉分布。

优选地，所述第一型半导体层包括N型半导体层，所述第二型半导体层包括P型半导体层。

本发明还提供了一种微型发光元件的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：

步骤S01、提供一衬底；

步骤S02、层叠一外延叠层于所述衬底表面，所述外延叠层包括沿第一方向依次堆叠第一型半导体层、有源区以及第二型半导体层，所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述外延叠层；

步骤S03、将所述外延叠层的局部区域蚀刻至部分所述的第一型半导体层，形成凹槽及台面；

步骤S04、层叠一透明导电层于所述台面的表面；

步骤S05、层叠一扩展电极于所述透明导电层的部分表面；

步骤S06、生长一第一绝缘保护层，其覆盖所述外延叠层并分别裸露所述扩展电极和所述凹槽的部分表面；

步骤S07、沉积一金属夹层，其层叠于所述第一绝缘保护层的表面且具有至少一通孔，所述通孔位于所述台面的上方且远离所述扩展电极的裸露部设置；

步骤S08、生长一第二绝缘保护层，其覆盖所述金属夹层的表面，并填充所述金属夹层的所述通孔；所述第二绝缘保护层显露所述扩展电极的裸露部及所述凹槽的裸露部；

步骤S09、生长一第一电极和一第二电极，所述第一电极层叠于所述凹槽的裸露部并向上延伸至所述第二绝缘保护层的表面，所述第二电极层叠于所述扩展电极的裸露部并向上延伸至所述第二绝缘保护层的表面。

优选地，所有所述通孔的总表面积为S，所述金属夹层的水平铺设面积为A，则A/10≤S≤A/2。

优选地，所述金属夹层具有若干个子通孔及一中心通孔，且各所述子通孔围绕所述中心通孔均匀且间隔分布。

经由上述的技术方案可知，本发明提供的微型发光元件，通过在外延叠层表面依次设置第一绝缘保护层、金属夹层及第二绝缘保护层，且第一绝缘保护层，其覆盖所述外延叠层并分别裸露所述台面和所述凹槽的部分表面；金属夹层，其层叠于所述第一绝缘保护层背离所述外延叠层的一侧表面，且具有至少一通孔，所述通孔位于所述台面的上方且远离所述台面的裸露部设置；第二绝缘保护层，其覆盖所述金属夹层背离所述第一绝缘保护层的一侧表面，并填充所述金属夹层的所述通孔；所述第二绝缘保护层显露所述台面的裸露部及所述凹槽的裸露部。通过第一绝缘保护层、金属夹层及第二绝缘保护层三者在光反射时的相互配合，并调节所述金属夹层的所述通孔的大小、形状及其排布即可可控性地调节微型发光元件的发光角度，从而提高光的提取率。

其次，通过A/10≤S≤A/2的设置，其中所有所述通孔的总表面积为S，所述金属夹层的水平铺设面积为A；在保证外延叠层水平表面的有效出光面积的同时，还通过通孔与第一绝缘保护层及第二绝缘保护层的配合更好地实现微型发光元件四周的出光率，进一步提高光的提取率。

然后，通过所述金属夹层具有若干个子通孔及一中心通孔，且各所述子通孔围绕所述中心通孔均匀且间隔分布的设置，能有效集中光源后控制发光角使光均匀反射。

最后，通过在所述台面背离所述衬底的一侧表面依次设有透明导电层和扩展电极，所述扩展电极层叠于所述透明导电层的部分表面；所述透扩展电极背离所述透明导电层一侧的表面部分裸露形成所述台面的裸露部；所述扩展电极设有手指件，所述手指件从所述扩展电极延伸至所述通孔，且所述手指件与所述通孔间隔或交叉分布的设置，使电流沿着手指件和透明导电层均匀扩散到发光区，引导微型发光元件发光后，再通过第一绝缘保护层、金属夹层及第二绝缘保护层三者在光反射时的相互配合，并调节所述金属夹层的所述通孔的大小、形状及其排布即可可控性地调节微型发光元件的发光角度，从而提高光的提取率。

经由上述的技术方案可知，本发明提供的微型发光元件的制备方法，在实现上述微型发光元件的有益效果的同时，其工艺制作简单便捷，便于生产化。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例所提供的微型发光元件的结构示意图；

图2为本发明实施例所提供的微型发光元件的一个变形实施方式的示意图，其示意了所述微型发光元件的俯视状态；

图3为本发明实施例所提供的微型发光元件的另一个变形实施方式的示意图，其示意了所述微型发光元件的俯视状态；

图4为本发明实施例所提供的微型发光元件的另一个变形实施方式的示意图，其示意了所述微型发光元件的俯视状态；

图5为本发明实施例所提供的微型发光元件的又一个变形实施方式的示意图，其示意了所述微型发光元件的俯视状态；

图6为本发明实施例所提供的微型发光元件的再一个变形实施方式的示意图，其示意了所述微型发光元件的俯视状态；

图7为本发明实施例所提供的微型发光元件的另一个变形实施方式的示意图，其示意了所述微型发光元件的俯视状态；

图8.1至图8.9为本发明实施例所提供的微型发光元件的制备方法步骤所对应的结构示意图；

图中符号说明：1、衬底，1-1、衬底裸露部，2、外延叠层，2-1、第一型半导体层，2-2、有源区，2-3、第二型半导体层，2-4、凹槽，2-5、台面，3、透明导电层，4、扩展电极，4-1、手指件，5、第一绝缘保护层，6、金属夹层，6-1、通孔，7、第二绝缘保护层，8、第一电极，9、第二电极。

具体实施方式

为使本发明的内容更加清晰，下面结合附图对本发明的内容作进一步说明。本发明不局限于该具体实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图1所示，一种微型发光元件，包括：

衬底1；

设置于衬底1表面的外延叠层2，外延叠层2包括沿第一方向依次堆叠的第一型半导体层2-1、有源区2-2以及第二型半导体层2-3，且外延叠层2的局部区域蚀刻至部分的第一型半导体层2-1形成凹槽2-4及台面2-5；第一方向垂直于衬底1，并由衬底1指向外延叠层2；

值得一提的是，衬底的类型在本实施例的微型发光元件不受限制，例如，所述衬底可以是但不限于蓝宝石衬底、硅衬底等。另外，所述外延叠层的第一型半导体层、有源区以及第二型半导体层的类型在本实施例的微型发光元件也可以不受限制，例如，所述第一型半导体层可以是但不限于氮化镓层，相应地，所述第二型半导体层可以是但不限于氮化镓层；

第一绝缘保护层5，其覆盖外延叠层2并分别裸露台面2-5和凹槽2-4的部分表面；

值得一提的是，所述第一绝缘保护层的材料可以是但不限于SiO2(二氧化硅)。

金属夹层6，其层叠于第一绝缘保护层5背离外延叠层2的一侧表面，且具有至少一通孔6-1，通孔6-1位于台面2-5的上方且远离台面2-5的裸露部设置；

第二绝缘保护层7，其覆盖金属夹层6背离第一绝缘保护层5的一侧表面，并填充金属夹层6的通孔6-1；第二绝缘保护层7显露台面2-5的裸露部及凹槽2-4的裸露部；

值得一提的是，所述第二绝缘保护层的材料可以是但不限于SiO2(二氧化硅)。

第一电极8，其层叠于凹槽2-4的裸露部并向上延伸至第二绝缘保护层7的表面；

第二电极9，其层叠于台面2-5的裸露部并向上延伸至第二绝缘保护层7的表面。

进一步地，所有通孔6-1的总表面积为S，金属夹层6的水平铺设面积为A，则A/10≤S≤A/2。

优选地，如图7所示，金属夹层6具有若干个子通孔6-2及一中心通孔6-1，且各子通孔6-2围绕中心通孔6-1均匀且间隔分布。

金属夹层6包括一层或多层的金属层，金属层包括金属单质层或合金层中的至少一种。

金属层包括铝层或银层。

金属层包括锆铝合金层或锆银合金层。

外延叠层2具有至少一衬底裸露部1-1，其自第二型半导体层2-3经有源区2-2和第一型半导体层2-1延伸至衬底1，其中第一绝缘保护层5、金属夹层6及以第二绝缘保护层7均以被保持在衬底裸露部1-1的方式层叠于衬底1。

衬底裸露部1-1环绕外延叠层2的四周；第一绝缘保护层5、金属夹层6及以第二绝缘保护层7均以被保持在衬底裸露部1-1的方式层叠于衬底1，并环绕外延叠层2的四周。

第一型半导体层2-1包括N型半导体层，第二型半导体层2-3包括P型半导体层。

在台面2-5背离衬底1的一侧表面依次设有透明导电层3和扩展电极4，扩展电极4层叠于透明导电层3的部分表面；透扩展电极4背离透明导电层3一侧的表面部分裸露形成台面2-5的裸露部；扩展电极4设有手指件4-1，手指件从扩展电极4延伸至通孔6-1，且手指件与通孔6-1间隔或交叉分布；

如图2所示，其示意了所述手指件4-1与所述通孔6-1间隔设置，且第一电极8和第二电极9在衬底上的投影与通孔6-1在衬底上的投影均不重合；

如图3所示，其示意了所述手指件4-1与所述通孔6-1部分交叉设置，且第一电极8和第二电极9在衬底上的投影与通孔6-1在衬底上的投影均不重合；

如图4所示，其示意了所述手指件4-1嵌入所述通孔6-1设置，且第一电极8在衬底上的投影与通孔6-1在衬底上的投影部分重合；

如图5所示，其示意了所述手指件4-1与所述通孔6-1部分交叉设置，且第一电极8和第二电极9在衬底上的投影与通孔6-1在衬底上的投影部分重合；

如图6所示，其示意了所述手指件4-1嵌入所述通孔6-1设置，且第一电极8和第二电极9在衬底上的投影与通孔6-1在衬底上的投影部分重合；

如图7所示，其示意了金属夹层6具有若干个子通孔6-2及一中心通孔6-1，且各子通孔6-2围绕中心通孔6-1均匀且间隔分布的设置，且所述手指件4-1与中心通孔6-1部分交叉，第一电极8在衬底上的投影与通孔6-1在衬底上的投影部分重合，且第一电极8和第二电极9在衬底上的投影与部分子通孔6-2在衬底上的投影重合。

值得一提的是，所述手指件与通孔的排布方式在本实施例的微型发光元件不受限制，具体以微型发光元件的发光角度要求为基准进行调节。

本实施例还提供了一种微型发光元件的制备方法，制备方法包括如下步骤：

步骤S01、如图8.1所示，提供一衬底1；

步骤S02、如图8.2所示，层叠一外延叠层2于衬底1表面，外延叠层2包括沿第一方向依次堆叠第一型半导体层2-1、有源区2-2以及第二型半导体层2-3，第一方向垂直于衬底1，并由衬底1指向外延叠层2；

步骤S03、如图8.3所示，将外延叠层2的局部区域蚀刻至部分的第一型半导体层2-1，形成凹槽2-4及台面2-5；

步骤S04、如图8.4所示，层叠一透明导电层3于台面2-5的表面；

步骤S05、如图8.5所示，层叠一扩展电极4于透明导电层3的部分表面；

步骤S06、如图8.6所示，生长一第一绝缘保护层5，其覆盖外延叠层2并分别裸露扩展电极4和凹槽2-4的部分表面；

步骤S07、如图8.7所示，沉积一金属夹层6，其层叠于第一绝缘保护层5的表面且具有至少一通孔6-1，通孔6-1位于台面2-5的上方且远离扩展电极4的裸露部设置；

步骤S08、如图8.8所示，生长一第二绝缘保护层7，其覆盖金属夹层6的表面，并填充金属夹层6的通孔6-1；第二绝缘保护层7显露扩展电极4的裸露部及凹槽2-4的裸露部；

步骤S09、如图8.9所示，生长一第一电极8和一第二电极9，第一电极8层叠于凹槽2-4的裸露部并向上延伸至第二绝缘保护层7的表面，第二电极9层叠于扩展电极4的裸露部并向上延伸至第二绝缘保护层7的表面。

所有通孔6-1的总表面积为S，金属夹层6的水平铺设面积为A，则A/10≤S≤A/2。

金属夹层6具有若干个子通孔6-2及一中心通孔6-1，且各子通孔6-2围绕中心通孔6-1均匀且间隔分布。

经由上述的技术方案可知，本发明提供的微型发光元件，通过在外延叠层2表面依次设置第一绝缘保护层5、金属夹层6及第二绝缘保护层7，且第一绝缘保护层5，其覆盖外延叠层2并分别裸露台面2-5和凹槽2-4的部分表面；金属夹层6，其层叠于第一绝缘保护层5背离外延叠层2的一侧表面，且具有至少一通孔6-1，通孔6-1位于台面2-5的上方且远离台面2-5的裸露部设置；第二绝缘保护层7，其覆盖金属夹层6背离第一绝缘保护层5的一侧表面，并填充金属夹层6的通孔6-1；第二绝缘保护层7显露台面2-5的裸露部及凹槽2-4的裸露部。通过第一绝缘保护层5、金属夹层6及第二绝缘保护层7三者在光反射时的相互配合，并调节金属夹层6的通孔6-1的大小、形状及其排布即可可控性地调节微型发光元件的发光角度，从而提高光的提取率。

其次，通过A/10≤S≤A/2的设置，其中所有通孔6-1的总表面积为S，金属夹层6的水平铺设面积为A；在保证外延叠层2水平表面的有效出光面积的同时，还通过通孔6-1与第一绝缘保护层5及第二绝缘保护层7的配合更好地实现微型发光元件四周的出光率，进一步提高光的提取率。

然后，通过金属夹层6具有若干个子通孔6-2及一中心通孔6-1，且各子通孔6-2围绕中心通孔6-1均匀且间隔分布的设置，能有效集中光源后控制发光角使光均匀反射。

最后，通过在台面2-5背离衬底1的一侧表面依次设有透明导电层3和扩展电极4，扩展电极4层叠于透明导电层3的部分表面；透扩展电极4背离透明导电层3一侧的表面部分裸露形成台面2-5的裸露部；扩展电极4设有手指件，手指件从扩展电极4延伸至通孔6-1，且手指件与通孔6-1间隔或交叉分布的设置，使电流沿着手指件和透明导电层3均匀扩散到发光区，引导微型发光元件发光后，再通过第一绝缘保护层5、金属夹层6及第二绝缘保护层7三者在光反射时的相互配合，并调节金属夹层6的通孔6-1的大小、形状及其排布即可可控性地调节微型发光元件的发光角度，从而提高光的提取率。

经由上述的技术方案可知，本发明提供的微型发光元件的制备方法，在实现上述微型发光元件的有益效果的同时，其工艺制作简单便捷，便于生产化。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种微型发光元件，其特征在于，包括：

衬底；

设置于所述衬底表面的外延叠层，所述外延叠层包括沿第一方向依次堆叠的第一型半导体层、有源区以及第二型半导体层，且所述外延叠层的局部区域蚀刻至部分所述的第一型半导体层形成凹槽及台面；所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述外延叠层；

第一绝缘保护层，其覆盖所述外延叠层并分别裸露所述台面和所述凹槽的部分表面；

金属夹层，其层叠于所述第一绝缘保护层背离所述外延叠层的一侧表面，且具有至少一通孔，所述通孔位于所述台面的上方且远离所述台面的裸露部设置；其中，所有所述通孔的总表面积为S，所述金属夹层的水平铺设面积为A，则A/10≤S≤A/2；

第二绝缘保护层，其覆盖所述金属夹层背离所述第一绝缘保护层的一侧表面，并填充所述金属夹层的所述通孔；所述第二绝缘保护层显露所述台面的裸露部及所述凹槽的裸露部；

第一电极，其层叠于所述凹槽的裸露部并向上延伸至所述第二绝缘保护层的表面；

第二电极，其层叠于所述台面的裸露部并向上延伸至所述第二绝缘保护层的表面。

2.根据权利要求1所述的微型发光元件，其特征在于，所述金属夹层具有若干个子通孔及一中心通孔，且各所述子通孔围绕所述中心通孔均匀且间隔分布。

3.根据权利要求1所述的微型发光元件，其特征在于，所述金属夹层包括一层或多层的金属层，所述金属层包括金属单质层或合金层中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的微型发光元件，其特征在于，所述金属层包括铝层或银层。

5.根据权利要求3所述的微型发光元件，其特征在于，所述金属层包括锆铝合金层或锆银合金层。

6.根据权利要求1所述的微型发光元件，其特征在于，所述外延叠层具有至少一衬底裸露部，其自所述第二型半导体层经所述有源区和所述第一型半导体层延伸至所述衬底，其中所述第一绝缘保护层、金属夹层及以第二绝缘保护层均以被保持在所述衬底裸露部的方式层叠于所述衬底。

7.根据权利要求6所述的微型发光元件，其特征在于，所述衬底裸露部环绕所述外延叠层的四周；所述第一绝缘保护层、金属夹层及以第二绝缘保护层均以被保持在所述衬底裸露部的方式层叠于所述衬底，并环绕所述外延叠层的四周。

8.根据权利要求1至7任一项所述的微型发光元件，其特征在于，在所述台面背离所述衬底的一侧表面依次设有透明导电层和扩展电极，所述扩展电极层叠于所述透明导电层的部分表面；所述扩展电极背离所述透明导电层一侧的表面部分裸露形成所述台面的裸露部；所述扩展电极设有手指件，所述手指件从所述扩展电极延伸至所述通孔，且所述手指件与所述通孔间隔或交叉分布。

9.一种微型发光元件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

步骤S01、提供一衬底；

步骤S02、层叠一外延叠层于所述衬底表面，所述外延叠层包括沿第一方向依次堆叠第一型半导体层、有源区以及第二型半导体层，所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述外延叠层；

步骤S03、将所述外延叠层的局部区域蚀刻至部分所述的第一型半导体层，形成凹槽及台面；

步骤S04、层叠一透明导电层于所述台面的表面；

步骤S05、层叠一扩展电极于所述透明导电层的部分表面；

步骤S06、生长一第一绝缘保护层，其覆盖所述外延叠层并分别裸露所述扩展电极和所述凹槽的部分表面；

步骤S07、沉积一金属夹层，其层叠于所述第一绝缘保护层的表面且具有至少一通孔，所述通孔位于所述台面的上方且远离所述扩展电极的裸露部设置；其中，所有所述通孔的总表面积为S，所述金属夹层的水平铺设面积为A，则A/10≤S≤A/2；

步骤S08、生长一第二绝缘保护层，其覆盖所述金属夹层的表面，并填充所述金属夹层的所述通孔；所述第二绝缘保护层显露所述扩展电极的裸露部及所述凹槽的裸露部；

步骤S09、生长一第一电极和一第二电极，所述第一电极层叠于所述凹槽的裸露部并向上延伸至所述第二绝缘保护层的表面，所述第二电极层叠于所述扩展电极的裸露部并向上延伸至所述第二绝缘保护层的表面。

10.根据权利要求9所述的微型发光元件的制备方法，其特征在于，所述金属夹层具有若干个子通孔及一中心通孔，且各所述子通孔围绕所述中心通孔均匀且间隔分布。

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