CN112701203B - 一种发光单元及发光模组 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及半导体技术领域，公开了一种发光单元，包括：发光半导体，包括由下向上依次叠层设置的第一半导体层、有源层、第二半导体层，以及由第二半导体层下陷到第一半导体层的下陷结构；透明导电层，设置于第二半导体层的顶面；绝缘层，设置于透明导电层的顶面，以及下陷结构中；绝缘层的顶面位于透明导电层的顶面的所在平面的上方；其中，发光单元内设置有贯穿绝缘层，到达第一半导体层的第一孔；以及贯穿绝缘层，到达透明导电层的第二孔；发光单元还包括第一电极和第二电极，分别设置于第一孔和第二孔内。本申请提供的发光单元可以增加发光单元内的电流传导性。本申请还公开了一种发光模组。

Description

一种发光单元及发光模组
技术领域
本申请涉及半导体技术领域，例如涉及一种发光单元及发光模组。
背景技术
目前，存在发光单元的内部的电流传导性差，以及电流传导不均匀的问题；此外，还存在由于绝缘层的顶面的部分区域的高度低于第二半导体层而导致的封装困难以及与其他组件连接困难的问题。
发明内容
为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。该概括不是泛泛评述，也不是要确定关键／重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。
本公开实施例提供了一种发光单元及发光模组，以解决电流传导性差，以及封装困难的技术问题。
在一些实施例中，一种发光单元，包括：
发光半导体，包括由下向上依次叠层设置的第一半导体层、有源层、第二半导体层，以及由所述第二半导体层下陷到所述第一半导体层的下陷结构；
透明导电层，设置于所述第二半导体层的顶面；
绝缘层，设置于所述透明导电层的顶面，以及所述下陷结构中；所述绝缘层的顶面位于所述透明导电层的顶面的所在平面的上方；
其中，所述发光单元内设置有贯穿所述绝缘层，到达所述第一半导体层的第一孔；以及贯穿所述绝缘层，到达所述透明导电层的第二孔；
所述发光单元还包括第一电极和第二电极，分别设置于所述第一孔和第二孔内。
在一些实施例中，所述绝缘层的顶面为平面。
在一些实施例中，所述绝缘层包括第一绝缘部和第二绝缘部，设置于所述透明导电层的顶面的所述绝缘层为第一绝缘部，设置于下陷结构中的所述绝缘层为所述第二绝缘部；
其中，所述第一绝缘部的材料和所述第二绝缘部的材料不同或至少部分相同。
在一些实施例中，满足以下条件中至少之一：
所述第一孔的开口在所述第一孔的底面的所在平面的投影覆盖所述第一孔的底面；
所述第二孔的开口在所述第二孔的底面的所在平面的投影覆盖所述第二孔的底面。
在一些实施例中，所述下陷结构包括台阶结构或凹形结构。
在一些实施例中，所述第一电极包括第一欧姆接触层和第一接触电极；所述第一欧姆接触层设置于所述第一孔的底面，所述第一接触电极设置于所述第一孔中的第一欧姆接触层上；
所述第二电极包括第二欧姆接触层和第二接触电极；所述第二欧姆接触层设置于所述第二孔的底面，所述第二接触电极设置于所述第二孔中的第二欧姆接触层上。
在一些实施例中，所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层的材料相同或不同。
在一些实施例中，所述第一接触电极和所述第二接触电极的材料相同或者不同。
在一些实施例中，一种发光模组，包括：发光单元层，所述发光单元层包括多个如上所述的发光单元。
在一些实施例中，多个所述发光单元，包括：
发光二极管LED、迷你发光二极管Mini LED、微发光二极管Micro LED中至少之一。
本公开实施例提供的发光单元及发光模组，可以实现以下技术效果：
通过设置透明导电层，可以增加发光单元内的电流传导性和电流传导的均匀性。通过设置绝缘层的顶面位于透明导电层的顶面的所在平面的上方，则有利于发光单元的封装，或有利于发光单元与其他组件连接。
以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的，不用于限制本申请。
附图说明
至少一个实施例通过与之对应的附图进行示例性说明，这些示例性说明和附图并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件示为类似的元件，附图不构成比例限制，并且其中：
图1是本公开实施例提供的一种发光单元的结构示意图；
图2是本公开实施例提供的发光单元的结构示意图；
图3是本公开实施例提供的发光单元的结构示意图；
图4是本公开实施例提供的发光单元的结构示意图；
图5是本公开实施例提供的发光单元的结构示意图；
图6是本公开实施例提供的发光单元的结构示意图；
图7是本公开实施例提供的发光单元的结构示意图；
图8是本公开实施例提供的发光单元的结构示意图；
图9是本公开实施例提供的发光单元的结构示意图；
图10是本公开实施例提供的发光单元的结构示意图；
图11是本公开实施例提供的发光单元的结构示意图；
图12是本公开实施例提供的一种发光半导体的结构示意图；
图13是本公开实施例提供的另一种发光半导体的结构示意图；
图14是本公开实施例提供的发光模组的结构示意图。
附图标记：
100：发光单元；101：绝缘层；104：第二半导体层；105：有源层；106：第一半导体层；107：第一欧姆接触层；108：第一接触电极；109：第二欧姆接触层；110：第二接触电极；111：透明导电层；115：第二半导体层的顶面；118：第一面；119：第二面；120：第一绝缘部；121：第二绝缘部；122：绝缘层的顶面；L1：透明导电层的截面长度；L2：第二半导体层的上表面的截面长度；L3：第二孔的底面的截面长度；L4：第一欧姆接触层的截面的长度；L5：第一接触电极的截面长度；L6：第二欧姆接触层的截面长度；L7：第二接触电极的截面长度；200：发光单元层；300：发光模组。
具体实施方式
为了能够更加详尽地了解本公开实施例的特点与技术内容，下面结合附图对本公开实施例的实现进行详细阐述，所附附图仅供参考说明之用，并非用来限定本公开实施例。在以下的技术描述中，为方便解释起见，通过多个细节以提供对所披露实施例的充分理解。然而，在没有这些细节的情况下，至少一个实施例仍然可以实施。在其它情况下，为简化附图，熟知的结构和装置可以简化展示。
如图1、图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10和图11所示，在一些实施例中，本公开实施例提供了一种发光单元100，包括：
发光半导体，包括由下向上依次叠层设置的第一半导体层106、有源层105、第二半导体层104，以及由所述第二半导体层104下陷到所述第一半导体层106的下陷结构；
透明导电层111，设置于所述第二半导体层的顶面115；
绝缘层101，设置于所述透明导电层111的顶面，以及所述下陷结构中；所述绝缘层的顶面122位于所述透明导电层111的顶面的所在平面的上方；
其中，所述发光单元100内设置有贯穿所述绝缘层101，到达所述第一半导体层106的第一孔；以及贯穿所述绝缘层101，到达所述透明导电层111的第二孔；
所述发光单元100还包括第一电极和第二电极，分别设置于所述第一孔和第二孔内。
在一些实施例中，下陷结构可以为不同的形状。如图1和图2所示，所述下陷结构包括台阶结构或凹形结构。可选地，如图12所示，下陷结构可以为台阶结构，当下陷结构为台阶结构时，下陷结构可以具有相交的第一面118和第二面119；其中，第一面118为与所述第二半导体层的顶面115平行的面。可选地，对于第一面118和第二面119之间的角度没有限定，图1和图12中只是示例性地示出了第一面118和第二面119垂直的情况。
在一些实施例中，如图12和图13所示，第二半导体层的顶面115为第二半导体层104的远离有源层105的一面，在第二半导体层104上的位置如图12和图13所示。
在一些实施例中，如图3和图10所示，所述透明导电层的截面长度L1与所述第二半导体层的上表面的截面长度L2可以相等，也可以不相等。图3和图10中只是示例性地示出了透明导电层的截面长度L1和第二半导体层的上表面的截面长度L2相等的情况。可选地，透明导电层的截面长度L1可以短于第二半导体层的上表面的截面长度L2，透明导电层111的截面短于第二半导体层104的上表面的部分可以由绝缘层101填充。
在一些实施例中，继续如图3和图10所示，透明导电层的截面长度L1大于第二孔的底面的截面长度L3。
在一些实施例中，透明导电层111的顶面为透明导电层111远离第二半导体层104的面。
如图1、图6、图7和图8所示，在一些实施例中，绝缘层的顶面122为绝缘层101的远离发光半导体的面。继续如图1、图6、图7和图8所示，绝缘层的顶面122位于透明导电层111的顶面的所在平面的上方。可选地，绝缘层的顶面122可以为非平面，例如，绝缘层的顶面122的局部区域可以具有一些凹陷或一些凸起，此时，绝缘层的顶面122的最低点位于透明导电层111的顶面的所在平面的上方。可选地，绝缘层的顶面122为平面。可选地，绝缘层的顶面122为与第二半导体层104平行的平面。图1、图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10和图11中示例性地示出了绝缘层的顶面122为平面的情况。
本申请中，通过设置透明导电层111，可以增加发光单元100内的电流传导性和电流传导的均匀性。通过设置绝缘层的顶面122位于透明导电层111的顶面的所在平面的上方，则有利于发光单元100的封装，或有利于发光单元100与其他组件连接。
通常情况下，发光单元100中的位于第一半导体层106上的电极和位于第二半导体层104上的电极会有部分不同，例如，位于第二半导体层104上的电极比位于第一半导体层106上的电极多了透明导电层111，因此需要逐次制作两个电极，造成了制作工艺复杂，不能同时制作两个电极的问题。本申请中，通过先在第二半导体层104上制作出两个电极相区别的结构（即透明导电层111），之后在第一电极和第二电极的材料相同的情况下，再制作第一电极和第二电极便可以实现第一电极和第二电极的同时填装，实现简化制作工艺的目的。
在一些实施例中，所述绝缘层101包括第一绝缘部120和第二绝缘部121，设置于所述透明导电层111的顶面的所述绝缘层101为第一绝缘部120，设置于下陷结构中的所述绝缘层101为所述第二绝缘部121；
其中，所述第一绝缘部120的材料和所述第二绝缘部121的材料不同或至少部分相同。
在一些实施例中，设置于所述透明导电层111的顶面的所述绝缘层101为第一绝缘部120，在绝缘层101中，除去第一绝缘部120，剩余的绝缘层101则为第二绝缘部121。
在一些实施例中，如图1、图2、图3、图4、图5所示，第一绝缘部120和第二绝缘部121的材料相同。
在一些实施例中，如图6、图8、图11所示，第一绝缘部120和第二绝缘部121的材料不同。
在一些实施例中，如图7、图9、图10所示，第一绝缘部120的部分材料与第二绝缘部121的材料相同。可选地，第一绝缘部120的靠近所述第一绝缘部120的顶面的材料与第二绝缘部121的材料相同。
在一些实施例中，如图6、图8、图11所示，第一绝缘部120的材料包括氮化硅，第二绝缘部121的材料包括氧化硅。由于第一绝缘部120和第二绝缘部121的材料不同，厚度不同，与刻蚀液对于不同材料的选择刻蚀性，所以可以实现第一孔和第二孔同时完成刻蚀。例如，如图6、图8和图11所示，第二绝缘部121的厚度大于第一绝缘部120的厚度，所选择的刻蚀液为对第二绝缘部121的刻蚀能力更强的刻蚀液，即，在同一时间段内，对第二绝缘部121的刻蚀厚度要大于对第一绝缘部120的刻蚀厚度，此时，通过选择第二绝缘部121的材料、选择第一绝缘部120的材料，选择刻蚀液和设置第一绝缘部120和第二绝缘部121的厚度比例，则可以实现第一孔和第二孔同时完成刻蚀。
在一些实施例中，如图7、图9、图10所示，第一绝缘部120的上部分的材料包括氧化硅，第一绝缘部120的下部分的材料包括氮化硅，第二绝缘部121的材料包括氧化硅。由于第一绝缘部120的上部分的材料与第二绝缘部121的材料相同，第一绝缘部120的下部分的材料与第二绝缘部121的材料不同，第一绝缘部120和第二绝缘部121的厚度不同，与刻蚀液对于不同材料的选择刻蚀性，所以可以实现第一孔和第二孔同时完成刻蚀。例如，如图7、图9和图10所示，分别对第一绝缘部120的上部分和第二绝缘部121进行刻蚀，当刻蚀液刻蚀到达第一绝缘部120的下部分时，第二绝缘部121的未被刻蚀的部分的厚度大于第一绝缘部120的下部分的厚度，所选择的刻蚀液为对第二绝缘部121的材料刻蚀能力更强的刻蚀液，即，在同一时间段内，对第二绝缘部121的刻蚀厚度要大于对第一绝缘部120的下部分的刻蚀厚度，此时，通过选择第二绝缘部121的材料、选择第一绝缘部120的下部分的材料，选择刻蚀液和设置第一绝缘部120的下部分和第二绝缘部121的厚度比例，则可以实现第一孔和第二孔同时完成刻蚀。
在一些实施例中，满足以下条件中至少之一：
所述第一孔沿所述第一孔的径向方向的截面形状相同或不同；
所述第二孔沿所述第二孔的径向方向的截面形状相同或不同。
在一些实施例中，满足以下条件中至少之一：
所述第一孔沿所述第一孔的径向方向的截面面积相同或不同；
所述第二孔沿所述第二孔的径向方向的截面面积相同或不同。
在一些实施例中，所述第一孔沿所述第一孔的径向方向的截面形状与所述第二孔沿所述第二孔的径向方向的截面形状彼此独立地选自圆形、椭圆形、矩形、正方形、平行四边形、菱形、六边形或不规则形状。
在一些实施例中，满足以下条件中至少之一：
所述第一孔的开口在所述第一孔的底面的所在平面的投影覆盖所述第一孔的底面；
所述第二孔的开口在所述第二孔的底面的所在平面的投影覆盖所述第二孔的底面。
在一些实施例中，以第一孔的靠近第一半导体层106的一端与第一半导体层106的表面的交线为边界，位于交线内的第一半导体层106的表面为第一孔的底面。
在一些实施例中，以第二孔的靠近透明导电层111的一端与透明导电层111的表面的交线为边界，位于交线内的透明导电层111的表面为第二孔的底面。
在一些实施例中，满足的条件可以为：所述第一孔的开口在所述第一孔的底面的所在平面的投影覆盖所述第一孔的底面。可选地，满足的条件可以为：所述第二孔的开口在所述第二孔的底面的所在平面的投影覆盖所述第二孔的底面。可选地，满足的条件可以为：所述第一孔的开口在所述第一孔的底面的所在平面的投影覆盖所述第一孔的底面；所述第二孔的开口在所述第二孔的底面的所在平面的投影覆盖所述第二孔的底面。
在一些实施例中，对于第一孔的开口的形状和面积不做具体限定，对于第一孔的底面的形状和面积不做具体限定，只要第一孔的开口在第一孔的底面的所在平面的投影能够覆盖第一孔的底面即可。
在一些实施例中，对于第二孔的开口的形状和面积不做具体限定，对于第二孔的底面的形状和面积不做具体限定，只要第二孔的开口在第二孔的底面的所在平面的投影能够覆盖第二孔的底面即可。
在一些实施例中，所述第一电极包括第一欧姆接触层107和第一接触电极108；所述第一欧姆接触层107设置于所述第一孔的底面，所述第一接触电极108设置于所述第一孔中的第一欧姆接触层107上；
所述第二电极包括第二欧姆接触层109和第二接触电极110；所述第二欧姆接触层109设置于所述第二孔的底面，所述第二接触电极110设置于所述第二孔中的第二欧姆接触层109上。
在一些实施例中，所述第一欧姆接触层107和所述第二欧姆接触层109的材料相同或不同。
本申请中，通过先在第二半导体层104上制作出两个电极相区别的结构（即透明导电层111），之后在第一欧姆接触层107和第二欧姆接触层109相同的情况下，可同时完成第一欧姆接触层107和第二欧姆接触层109的制作，实现简化制作工艺的目的。
在一些实施例中，所述第一接触电极108和所述第二接触电极110的材料相同或者不同。
本申请中，通过先在第二半导体层104上制作出两个电极相区别的结构（即透明导电层111），之后在第一接触电极108和第二接触电极110的材料相同的情况下，可同时完成第一接触电极108和第二接触电极110的制作，实现简化制作工艺的目的。
本申请中，通过先在第二半导体层104上制作出两个电极相区别的结构（即透明导电层111），之后在第一欧姆接触层107和第二欧姆接触层109的材料相同，以及第一接触电极108和第二接触电极110的材料相同的情况下（即在第一电极和第二电极的材料相同的情况下），可同时完成第一欧姆接触层107和第二欧姆接触层109的制作，也可同时完成第一接触电极108和第二接触电极110的制作（即可以同时完成第一电极和第二电极的制作），实现简化制作工艺的目的。
如图4、图5和图11所示，在一些实施例中，满足以下条件中至少之一：
所述第一接触电极108在所述第一孔的底面的所在平面的投影覆盖所述第一欧姆接触层107在所述第一孔的底面的所在平面的投影；
所述第二接触电极110在所述第二孔的底面的所在平面的投影覆盖所述第二欧姆接触层109在所述第二孔的底面的所在平面的投影。
如图4和图11所示，在一些实施例中，所述第一接触电极108在所述第一孔的底面的所在平面的投影覆盖所述第一欧姆接触层107在所述第一孔的底面的所在平面的投影，相当于所述第一欧姆接触层的截面的长度L4小于或等于所述第一接触电极的截面长度L5。
本申请中，通过刻蚀的方法形成第一孔，且第一孔的开口在所述第一孔的底面的所在平面的投影覆盖所述第一孔的底面，能够使得第一孔中的第一欧姆接触层的截面长度L4小于或等于第一接触电极的截面长度L5，减小了遮光面积，使直接发射和反射后经过第一欧姆接触层107附近的光能够出射到出光面，提高了出光比例。如图4和图11所示，只是示例性地示出了第一欧姆接触层的截面长度L4等于第一接触电极的截面长度L5的情形。
如图5和图11所示，在一些实施例中，所述第二接触电极110在所述第二孔的底面的所在平面的投影覆盖所述第二欧姆接触层109在所述第二孔的底面的所在平面的投影，相当于所述第二欧姆接触层的截面的长度L6小于或等于所述第二接触电极的截面长度L7。
本申请中，通过刻蚀的方法形成第二孔，且第二孔的开口在所述第二孔的底面的所在平面的投影覆盖所述第二孔的底面，能够使得第二孔中的第二欧姆接触层的截面长度L6小于或等于第二接触电极的截面长度L7，减小了遮光面积，使直接发射和反射后经过第二欧姆接触层109附近的光能够出射到出光面，提高了出光比例。如图5和图11所示，只是示例性地示出了第二欧姆接触层的截面长度L6等于第二接触电极的截面长度L7的情形。
在一些实施例中，第一半导体层可以为N型氮化镓；可选地，第二半导体层可以为P型氮化镓。可选地，有源层可以是多量子阱结构。可选地，透明导电层可以是氧化铟锡（ITO）材料。可选地，绝缘层可以是氧化硅或氮化硅材料。
在一些实施例中，第一欧姆接触层可以是Ni-Au（Ni-Au表示第一欧姆接触层具有两层，从靠近第一孔的底面的一侧到远离第一孔的底面的一侧，依次为Ni层和Au层），Ni-Ag（Ni-Ag表示第一欧姆接触层具有两层，从靠近第一孔的底面的一侧到远离第一孔的底面的一侧，依次为Ni层和Ag层）、Cr-Al（Cr-Al表示第一欧姆接触层具有两层，从靠近第一孔的底面的一侧到远离第一孔的底面的一侧，依次为Cr层和Al层）、TiN或氮化钨。
在一些实施例中，第二欧姆接触层可以是Ag、Ni-Ag（Ni-Ag表示第二欧姆接触层具有两层，从靠近第二孔的底面的一侧到远离第二孔的底面的一侧，依次为Ni层和Ag层）、Cr-Al（Cr-Al表示第二欧姆接触层具有两层，从靠近第二孔的底面的一侧到远离第二孔的底面的一侧，依次为Cr层和Al层）、Ni-Au（Ni-Au表示第二欧姆接触层具有两层，从靠近第二孔的底面的一侧到远离第二孔的底面的一侧，依次为Ni层和Au层）、TiN或氮化钨。
在一些实施例中，第一欧姆接触层可以和第二欧姆接触层的材料相同，例如，第一欧姆接触层可以是Ni-Ag，第二欧姆接触层可以是Ni-Ag。可选地，第一欧姆接触层可以和第二欧姆接触层的材料不同，例如，第一欧姆接触层可以是Ni-Au，第二欧姆接触层可以是Ag。
在一些实施例中，第一接触电极的材料可以包括Au、Pt、Ti、Ag、Al或Cu中的一种或至少两种。
在一些实施例中，第二接触电极的材料可以包括Au、Pt、Ti、Ag、Al或Cu中的一种或至少两种。
如图14所示，本公开实施例提供一种发光模组300，包括，发光单元层200，发光单元层200包括多个上述的发光单元100。
在一些实施例中，多个发光单元100可以包括：发光二极管LED、迷你发光二极管Mini LED、微发光二极管Micro LED中至少之一。可选地，多个发光单元100可以包括至少一个LED。可选地，多个发光单元100可以包括至少一个Mini LED。可选地，多个发光单元100可以包括至少一个Micro LED。可选地，多个发光单元100可以包括至少一个LED、以及至少一个Mini LED。可选地，多个发光单元100可以包括至少一个LED、以及至少一个Micro LED。可选地，多个发光单元100可以包括至少一个Mini LED、以及至少一个Micro LED。可选地，多个发光单元100可以包括至少一个LED、至少一个Mini LED、以及至少一个Micro LED。可选地，多个发光单元100可以包括除了LED、Mini LED、Micro LED以外的其他发光器件。
在一些实施例中，可以根据工艺需求等实际情况确定发光单元100的器件类型，例如：LED、Mini LED、Micro LED或其他发光器件。
在一些实施例中，多个发光单元100呈阵列排布。
以上描述和附图充分地示出了本公开的实施例，以使本领域技术人员能够实践它们。其他实施例可以包括结构的、逻辑的、电气的、过程的以及其他的改变。实施例仅代表可能的变化。除非明确要求，否则单独的部件和功能是可选的，并且操作的顺序可以变化。一些实施例的部分和特征可以被包括在或替换其他实施例的部分和特征。本公开实施例的范围包括权利要求书的整个范围，以及权利要求书的所有可获得的等同物。当用于本申请中时，虽然术语“第一”、“第二”等可能会在本申请中使用以描述各元件，但这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区别开。比如，在不改变描述的含义的情况下，第一元件可以叫做第二元件，并且同样地，第二元件可以叫做第一元件，只要所有出现的“第一元件”一致重命名并且所有出现的“第二元件”一致重命名即可。第一元件和第二元件都是元件，但可以不是相同的元件。而且，本申请中使用的用词仅用于描述实施例并且不用于限制权利要求。如在实施例以及权利要求的描述中使用的，除非上下文清楚地表明，否则单数形式的“一个”（a）、“一个”（an）和“所述”（the）旨在同样包括复数形式。类似地，如在本申请中所使用的术语“和/或”是指包含一个或一个以上相关联的列出的任何以及所有可能的组合。另外，当用于本申请中时，术语“包括”（comprise）及其变型“包括”（comprises）和/或包括（comprising）等指陈述的特征、整体、步骤、操作、元素，和/或组件的存在，但不排除一个或一个以上其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或这些的分组的存在或添加。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个…”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法或者设备中还存在另外的相同要素。本文中，每个实施例重点说明的可以是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分可以互相参见。对于实施例公开的方法、产品等而言，如果其与实施例公开的方法部分相对应，那么相关之处可以参见方法部分的描述。
本领域技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，可以取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。本领域技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法以实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本公开实施例的范围。本领域技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统、装置和单元的工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
本文所披露的实施例中，所揭露的方法、产品（包括但不限于装置、设备等），可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，单元的划分，可以仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另外，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例。另外，在本公开实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。
在附图中，考虑到清楚性和描述性，可以夸大元件或层等结构的宽度、长度、厚度等。当元件或层等结构被称为“设置在”（或“安装在”、“铺设在”、“贴合在”、“涂布在”等类似描述）另一元件或层“上方”或“上”时，该元件或层等结构可以直接“设置在”上述的另一元件或层“上方”或“上”，或者可以存在与上述的另一元件或层之间的中间元件或层等结构，甚至有一部分嵌入上述的另一元件或层。

Claims (10)

1.一种发光单元，其特征在于，包括：
发光半导体，包括由下向上依次叠层设置的第一半导体层、有源层、第二半导体层，以及由所述第二半导体层下陷到所述第一半导体层的下陷结构；
透明导电层，设置于所述第二半导体层的顶面；
绝缘层，设置于所述透明导电层的顶面，以及所述下陷结构中；所述绝缘层的顶面位于所述透明导电层的顶面的所在平面的上方；
其中，所述发光单元内设置有贯穿所述绝缘层，到达所述第一半导体层的第一孔；以及贯穿所述绝缘层，到达所述透明导电层的第二孔；
所述发光单元还包括第一电极和第二电极，分别设置于所述第一孔和第二孔内；
所述绝缘层包括第一绝缘部和第二绝缘部，设置于所述透明导电层的顶面的所述绝缘层为所述第一绝缘部，设置于所述下陷结构中的所述绝缘层为所述第二绝缘部；
所述第一绝缘部的材料和所述第二绝缘部的材料不同，或所述第一绝缘部的部分材料与所述第二绝缘部的材料相同；
刻蚀液对于不同材料的选择刻蚀性，实现第一孔和第二孔同时完成刻蚀。
2.根据权利要求1所述的发光单元，其特征在于，所述绝缘层的顶面为平面。
3.根据权利要求1所述的发光单元，其特征在于，满足以下条件中至少之一：
所述第一孔的开口在所述第一孔的底面的所在平面的投影覆盖所述第一孔的底面；
所述第二孔的开口在所述第二孔的底面的所在平面的投影覆盖所述第二孔的底面。
4.根据权利要求1所述的发光单元，其特征在于，所述下陷结构包括台阶结构或凹形结构。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的发光单元，其特征在于，所述第一电极包括第一欧姆接触层和第一接触电极；所述第一欧姆接触层设置于所述第一孔的底面，所述第一接触电极设置于所述第一孔中的第一欧姆接触层上；
所述第二电极包括第二欧姆接触层和第二接触电极；所述第二欧姆接触层设置于所述第二孔的底面，所述第二接触电极设置于所述第二孔中的第二欧姆接触层上。
6.根据权利要求5所述的发光单元，其特征在于，所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层的材料相同或不同。
7.根据权利要求5所述的发光单元，其特征在于，所述第一接触电极和所述第二接触电极的材料相同或者不同。
8.一种发光模组，其特征在于，包括：发光单元层，所述发光单元层包括多个如权利要求1至7中任一项所述的发光单元。
9.根据权利要求8所述的发光模组，其特征在于，多个所述发光单元，包括：
发光二极管LED。
10.根据权利要求9所述的发光模组，其特征在于，所述发光二极管LED包括，迷你发光二极管Mini LED、微发光二极管Micro LED中至少之一。
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