KR102661474B1 - 디스플레이 장치 - Google Patents

디스플레이 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102661474B1
KR102661474B1 KR1020160044263A KR20160044263A KR102661474B1 KR 102661474 B1 KR102661474 B1 KR 102661474B1 KR 1020160044263 A KR1020160044263 A KR 1020160044263A KR 20160044263 A KR20160044263 A KR 20160044263A KR 102661474 B1 KR102661474 B1 KR 102661474B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
light emitting
emitting diode
layer
disposed
Prior art date
Application number
KR1020160044263A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170116633A (ko
Inventor
김무겸
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020160044263A priority Critical patent/KR102661474B1/ko
Priority to US15/484,456 priority patent/US9917235B2/en
Publication of KR20170116633A publication Critical patent/KR20170116633A/ko
Priority to US15/917,001 priority patent/US11171270B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102661474B1 publication Critical patent/KR102661474B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/30—Polarising elements
    • G02B5/3025—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state
    • G02B5/3058—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state comprising electrically conductive elements, e.g. wire grids, conductive particles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1203—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body the substrate comprising an insulating body on a semiconductor body, e.g. SOI
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0083—Periodic patterns for optical field-shaping in or on the semiconductor body or semiconductor body package, e.g. photonic bandgap structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 신뢰성 및 시인성이 개선된 디스플레이 장치를 위하여, 기판, 상기 기판 상의 발광 다이오드(LED), 상기 발광 다이오드 상에 배치되는 절연층 및 상기 절연층 상에 배치되는 와이어 그리드 편광층(WGP; wire-grid polarizer)을 구비하는, 디스플레이 장치를 제공한다.

Description

디스플레이 장치{Display apparatus}
본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 신뢰성 및 시인성이 개선된 디스플레이 장치에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선 등의 빛의 형태로 변환시키는 소자로서, 가정용 가전제품, 리모콘, 전광판, 각종 자동화 기기 등에 사용되고 있다. 소형의 핸드 헬드 전자 디바이스부터 대형 표시장치까지 전자 디바이스의 광범위한 분야에서 발광 다이오드를 활용하는 등 발광 다이오드의 사용 영역이 점차 넓어지고 있다.
그러나 이러한 종래의 디스플레이 장치에는, 유기 발광 물질을 포함한 발광소자를 사용하는 경우 유기 발광 물질이 외부 환경에 취약한 특성을 가질 뿐만 아니라, 외부에서 반사되는 빛에 의해 디스플레이 장치의 시인성이 저하된다는 문제점이 존재하였다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 신뢰성 및 시인성이 개선된 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 기판; 상기 기판 상의 발광 다이오드(LED); 상기 발광 다이오드 상에 배치되는 절연층; 및 상기 절연층 상에 배치되는 와이어 그리드 편광층(WGP; wire-grid polarizer)을 구비하는, 디스플레이 장치가 제공된다.
본 실시예에 있어서, 상기 절연층은 상기 발광 다이오드의 상면을 노출할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 와이어 그리드 편광층은 상기 발광 다이오드의 상면에 컨택할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 절연층의 상면의 높이는 상기 발광 다이오드의 상면의 높이와 동일하거나 더 낮을 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 절연층은 상기 발광 다이오드의 상면을 노출하는 개구를 가질 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 발광 다이오드는 p-n 다이오드, 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극을 포함하며, 상기 제1 컨택 전극 또는 상기 제2 컨택 전극은 상기 발광 다이오드의 상면에 위치할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 기판 상에 배치되는 제1 전극; 및 상기 발광 다이오드와 상기 제1 전극 사이에 개재되는 반사층;을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 전극의 중앙부를 노출시키는 오목부를 갖는 화소정의막을 더 포함하며, 상기 반사층은 상기 오목부 상에 위치할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 발광 다이오드 상에 배치되는 픽셀보호층을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 픽셀보호층은 상기 반사층을 덮을 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 픽셀보호층은 미세입자들을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 픽셀보호층 상에 배치되는 제2 전극을 더 포함하고, 상기 픽셀보호층은 상기 발광 다이오드의 상면의 적어도 일부를 노출시키는 개구를 가지며, 상기 제2 전극은 상기 개구를 통해 상기 발광 다이오드의 상면의 적어도 일부와 컨택할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 기판의 동일층 상에 배치되는 제1 전극 및 제2 전극을 더 포함하고, 상기 발광 다이오드는 상기 제1 전극 및 제2 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 발광 다이오드는 상면, 하면, 상기 상면과 상기 하면을 연결하는 측면을 가지며, 상기 발광 다이오드의 측면을 덮도록 배치되는 금속층을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 발광 다이오드는 p-n 다이오드, 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극을 포함하며, 상기 제1 컨택 전극 및 상기 제2 컨택 전극은 동일 측에 위치할 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 신뢰성 및 시인성이 개선된 디스플레이 장치를 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 2는 도 1의 디스플레이 장치를 X-X' 선을 따라 취한 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. 또한, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
한편, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. 또한, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 다른 부분의 "바로 위에" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이고, 도 2는 도 1에서 X-X' 선을 따라 취한 디스플레이 장치의 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 디스플레이 장치(1)는 디스플레이부(10) 및 드라이버(20)를 포함할 수 있다. 디스플레이부(10)는 기판 상에 매트릭스 형태로 배열된 복수의 픽셀(P)들을 포함할 수 있다. 드라이버(20)는 픽셀(P)에 연결된 스캔선으로 스캔 신호를 인가하는 스캔 드라이버 및 데이터선으로 데이터 신호를 인가하는 데이터 드라이버를 포함할 수 있다. 드라이버(20)는 픽셀(P)들이 배열된 디스플레이부(10) 주변인 기판의 비표시부에 배치될 수 있다. 드라이버(20)는 집적 회로 칩의 형태로 형성되어 디스플레이부(10)가 형성된 기판 위에 직접 장착되거나, 연성인쇄회로필름(flexible printed circuit film) 위에 장착되거나 TCP(tape carrier package)의 형태로 기판에 부착되거나, 기판에 직접 형성될 수도 있다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(1)는 기판(100), 기판(100) 상에 배치되는 발광 다이오드(LED, 200), 발광 다이오드(200) 상에 배치되는 절연층(194) 및 절연층(194) 상에 배치되는 와이어 그리드 편광층(WGP; wire-grid polarizer, 300)을 구비한다.
기판(100)은 글라스재, 금속재, 또는 PET(Polyethylen terephthalate), PEN(Polyethylen naphthalate), 폴리이미드(Polyimide) 등과 같은 플라스틱재 등, 다양한 재료로 형성된 것일 수 있다.
이러한 기판(100) 상에는 버퍼층(110)이 구비될 수 있고, 버퍼층(110) 상에는 박막트랜지스터(TFT) 및 발광 다이오드(200)가 구비될 수 있다.
버퍼층(110)은 기판(100)을 통해 불순 원소가 침투하는 것을 차단하고, 표면을 평탄화하는 기능을 할 수 있다. 이러한 버퍼층(110)은 예컨대, 실리콘질화물(SiNx) 및/또는 실리콘산화물(SiOx)과 같은 무기물로 단층 또는 복수층으로 형성될 수 있다. 버퍼층 상에는 반도체층(120)이 위치하도록 할 수 있다.
반도체층(120)의 상부에는 게이트전극(140)이 배치되는데, 이 게이트전극(140)에 인가되는 신호에 따라 소스전극(160a) 및 드레인전극(160b)이 전기적으로 소통된다. 게이트전극(140)은 인접층과의 밀착성, 적층되는 층의 표면 평탄성 그리고 가공성 등을 고려하여, 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
이때 반도체층(120)과 게이트전극(140)과의 절연성을 확보하기 위하여, 실리콘질화물(SiNx) 및/또는 실리콘산화물(SiOx) 등으로 형성되는 게이트절연막(130)이 반도체층(120)과 게이트전극(140) 사이에 개재될 수 있다.
게이트전극(140)의 상부에는 층간절연막(150)이 배치될 수 있는데, 이는 실리콘질화물(SiNx) 및/또는 실리콘산화물(SiOx) 등의 물질로 단층으로 형성되거나 또는 다층으로 형성될 수 있다.
층간절연막(150)의 상부에는 소스전극(160a) 및 드레인전극(160b)이 배치된다. 소스전극(160a) 및 드레인전극(160b)은 층간절연막(150)과 게이트절연막(130)에 형성되는 컨택홀을 통하여 반도체층(120)에 각각 전기적으로 연결된다. 소스전극(160a) 및 드레인전극(160b)은 도전성 등을 고려하여 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
한편 도면에는 도시되지 않았으나, 이러한 구조의 박막트랜지스터(TFT)의 보호를 위해 박막트랜지스터(TFT)를 덮는 보호막(미도시)이 배치될 수 있다. 보호막은 예컨대 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산화물(SiOx) 및/또는 실리콘질산화물(SiNOx) 등과 같은 무기물로 형성될 수 있다.
한편, 기판(100)의 상에 평탄화막(170)이 배치될 수 있다. 이러한 평탄화막(170)은 박막트랜지스터(TFT) 상부에 발광 다이오드(LED, 200)가 배치되는 경우 박막트랜지스터(TFT) 의 상면을 대체로 평탄화하게 하고, 박막트랜지스터(TFT) 및 각종 소자들을 보호하는 역할을 한다. 이러한 평탄화막(170) 은 예컨대 아크릴계 유기물 또는 BCB(Benzocyclobutene) 등으로 형성될 수 있다. 이때 버퍼층(110), 게이트절연막(130), 층간절연막(150) 및 평탄화막(170)은 기판(100)의 전면(全面)에 형성될 수 있다.
한편, 박막트랜지스터(TFT) 상부에는 화소정의막(180)이 배치될 수 있다. 화소정의막(180)은 상술한 평탄화막(170) 상에 위치할 수 있으며, 화소 영역을 정의하는 오목부(180a)를 가질 수 있다. 이러한 오목부(180a)는 후술할 제1 전극(190)의 중앙부를 노출할 수 있으며, 오목부(180a) 내에는 발광 다이오드(200)가 실장될 수 있다.
이러한 화소정의막(180)은 예컨대 유기 절연막으로 구비될 수 있다. 그러한 유기 절연막으로는 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)와 같은 아크릴계 고분자, 폴리스티렌(PS), phenol그룹을 갖는 고분자 유도체, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 혼합물 등을 포함할 수 있다.
한편, 평탄화막(170) 상에는 제1 전극(190)이 배치될 수 있다. 제1 전극(190)은 평탄화막(170)에 형성된 컨택홀을 통해 박막트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다. 도 2에서는 제1 전극(190)이 박막트랜지스터(TFT)의 드레인전극(160b)과 연결된 것으로 도시되어 있으나, 다른 실시예로 제1 전극(190)은 박막트랜지스터(TFT)의 소스전극(160a)과 연결될 수도 있다. 제1 전극(190)은 화소정의막(180)에 형성된 오목부(180a)를 통해 중앙부를 노출하며, 이 부분에 발광 다이오드(200)가 실장될 수 있다.
제1 전극(190)은 (반)투명 전극 또는 반사형 전극으로 형성될 수 있다. (반)투명 전극으로 형성될 때에는 예컨대 ITO, IZO, ZnO, In2O3, IGO 또는 AZO로 형성될 수 있다. 반사형 전극으로 형성될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, ITO, IZO, ZnO, In2O3, IGO 또는 AZO로 형성된 층을 가질 수 있다. 물론 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니고 다양한 재질로 형성될 수 있으며, 그 구조 또한 단층 또는 다층이 될 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
제1 전극(190) 상에는 발광 다이오드(200)가 배치될 수 있다. 발광 다이오드(200)는 마이크로 LED일 수 있다. 여기서 마이크로는 1 내지 100 ㎛ 의 크기를 가리킬 수 있으나, 본 발명의 실시예들은 이에 제한되지 않고, 그보다 더 크거나 더 작은 크기의 발광 다이오드에도 적용될 수 있다. 발광 다이오드(200)는 개별적으로 또는 복수 개가 이송 기구에 의해 웨이퍼 상에서 픽업(pick up)되어 기판(100)에 전사됨으로써 기판(100) 상에 배치된 화소정의막(180)의 오목부(180a)에 수용될 수 있다. 발광 다이오드(200)는 적색, 녹색, 청색, 백색 LED 또는 UV LED일 수 있다.
발광 다이오드(200)는 p-n 다이오드(250), 제1 컨택 전극(210) 및 제2 컨택 전극(260)을 포함할 수 있다. 제1 컨택 전극(210) 및/또는 제2 컨택 전극(260)은 하나 이상의 층을 포함할 수 있으며, 금속, 전도성 산화물 및 전도성 중합체들을 포함한 다양한 전도성 재료로 형성될 수 있다. 제1 컨택 전극(210) 및 제2 컨택 전극(260)은 반사층, 예를 들어, 은(silver) 층을 선택적으로 포함할 수 있다. 제1 컨택 전극(210)은 제1 전극(190)과 전기적으로 연결되고, 제2 컨택 전극(260)은 후술할 와이어 그리드 편광층(300)과 전기적으로 연결된다. p-n 다이오드(250)는 하부의 p-도핑층(220), 하나 이상의 양자 우물 층(230) 및 상부의 n-도핑층(240)을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 상부 도핑층(240)이 p-도핑층이 되고, 하부 도핑층(220)이 n-도핑층이 될 수 있다. p-n 다이오드(250)는 직선형 측벽, 또는 위에서 아래 또는 아래에서 위로 테이퍼진 측벽을 가질 수 있다.
도 2에서는 수직형 마이크로 LED를 예로서 도시하였으나, 본 발명의 실시예는 이에 한정되지 않고, 제1 컨택 전극과 제2 컨택 전극이 같은 방향을 향해 배치되는 플립형 마이크로 LED, 수평형 마이크로 LED 등일 수 있다. 이 경우, 제1 전극(190) 및 제2 전극의 위치는 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극의 위치에 대응하게 배치될 수 있다.
한편, 제1 전극(190)과 발광 다이오드(200) 사이에 반사층(192)이 배치될 수 있다. 반사층(192)은 화소정의막(180)의 오목부(180a)를 통해 노출된 제1 전극(190)의 중앙부, 화소정의막(180)의 측면 및 상면의 일부를 덮도록 배치될 수 있다. 반사층(192)은 화소정의막(180)의 측면, 즉 화소정의막(180)의 오목부(180a)를 커버하도록 배치되어 오목한 형태로 형성될 수 있다. 이러한 구조를 통해 발광 다이오드(200)에서 발광된 빛이 반사층(192)에 반사되어 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
이러한 반사층(192)은 반사 전극으로 기능할 수도 있으며, 예컨대 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막을 포함할 수 있으며 선택적으로, ITO, IZO, ZnO, In2O3, IGO 또는 AZO로 형성된 층을 더 가질 수도 있다. 물론 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니고 다양한 재질로 형성될 수 있으며, 그 구조 또한 단층 또는 다층이 될 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
절연층(194)은 화소정의막(180)의 오목부(180a) 내의 발광 다이오드(200)를 둘러쌀 수 있다. 절연층(194)은 화소정의막(180)의 오목부(180a)와 발광 다이오드(200) 사이의 공간을 채움으로써, 오목부(180a) 및 반사층(192)을 커버한다. 이러한 절연층(194)은 유기 절연 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 절연층(194)은 아크릴, 폴리(메틸 메타크릴레이트)(PMMA), 벤조사이클로부텐(BCB), 폴리이미드, 아크릴레이트, 에폭시 및 폴리에스테르 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 이러한 절연층(194)은 절연층(194) 상부에 와이어 그리드 편광층(300)이 배치될 수 있도록 상면을 평탄하게 하는 기능을 할 수 있다.
절연층(194)은 발광 다이오드(200)의 상면(200a)을 노출하도록 형성될 수 있다. 예컨대 절연층(194)은 발광 다이오드(200)의 상면(200a)에 위치한 제2 컨택 전극(260)은 커버하지 않는 높이로 형성되어, 제2 컨택 전극(260)이 노출된다. 절연층(194)은 발광 다이오드(200)의 상면(200a)에 위치한 제2 컨택 전극(260)은 커버하지 않도록, 발광 다이오드(200)가 형성된 높이와 동일하거나 더 낮게 구비될 수 있다.
절연층(194) 상부에는 와이어 그리드 편광층(300)이 배치될 수 있다. 본 실시예의 와이어 그리드 편광층(300)은 평행하게 배치되어 있는 미세 금속 와이어들의 규칙적인 어레이로 구성될 수 있다. 와이어 그리드 편광자는, 통상의 편광자와 동일한 기능을 수행하지만 편광자를 구성하는 물질을 연신(orientation)시키지 않고 금속 와이어를 입사되는 광의 파장 이하의 간격으로 배치한 것으로써, 패터닝이 용이하다는 장점을 가질 수 있다. 이와 같은 와이어 그리드 편광층(300)은 발광 다이오드(200)의 상부에 배치되어, 외광 반사에 의해 저하되는 시인성을 개선할 수 있다.
와이어 그리드 편광층(300)은 절연층(194)이 덮지 않아 상면(200a)이 노출된 발광 다이오드(200)의 제2 컨택 전극(260)과 직접 컨택할 수 있다. 와이어 그리드 편광층(300)은 미세 금속 와이어들의 어레이로 형성되기에 발광 다이오드(200)의 제2 컨택 전극(260)과 직접 컨택하여 공통 전극으로서 기능할 수 있다. 와이어 그리드 편광층(300)은 디스플레이 영역에 위치한 절연층(194) 상의 전면(全面)에 위치할 수 있다. 상술한 것과 같이 와이어 그리드 편광층(300)은 편광층의 기능 뿐만 아니라 발광 다이오드(200)의 제2 컨택 전극(260)과 직접 컨택하여 공통 전극으로서도 기능하기 때문에, 와이어 그리드 편광층(300)은 디스플레이 영역의 외곽에서 전극전원공급라인 등과 전기적으로 컨택할 수 있다.
이와 같이 와이어 그리드 편광층(300)이 공통 전극의 역할도 함께 수행함으로써 별도의 공통 전극을 구비하지 않아도 되므로 공정이 간소화될 수 있다. 또한 와이어 그리드 편광층(300)는 미세 금속 와이어들의 어레이로 형성되어 각각의 와이어들이 쿨링-핀(cooling pin) 역할을 함으로써 발광 다이오드(200)에서 빛과 함께 발생되는 열을 외부로 용이하게 방출하게 하는 기능을 할 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(2)를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(2)는 기판(100), 기판(100) 상에 배치되는 발광 다이오드(LED, 200), 발광 다이오드(200) 상에 배치되며 발광 다이오드(200)의 상면(200a)의 적어도 일부를 노출하는 오픈부, 즉 개구(194a)를 갖는 절연층(194) 및 절연층(194) 상에 배치되는 와이어 그리드 편광층(WGP; wire-grid polarizer, 300)을 구비한다.
본 실시예에 따른 디스플레이 장치(2)는 절연층(194)의 구조에 있어서 전술한 디스플레이 장치(1)와 차이가 있다. 이하 설명에서는 절연층(194)의 구조 차이를 중심으로 서술하며, 그 외 구성은 전술한 디스플레이 장치(1)와 동일한 바 중복 설명은 생략한다.
절연층(194)은 화소정의막(180)의 오목부(180a) 내의 발광 다이오드(200)를 둘러쌀 수 있다. 절연층(194)은 화소정의막(180)의 오목부(180a)와 발광 다이오드(200) 사이의 공간을 채움으로써, 오목부(180a) 및 반사층(192)을 커버한다. 이러한 절연층(194)은 유기 절연 물질로 형성될 수 있다. 이러한 절연층(194)은 절연층(194) 상부에 와이어 그리드 편광층(300)이 배치될 수 있도록 상면을 평탄하게 하는 기능을 할 수 있다.
절연층(194)은 발광 다이오드(200)의 상면(200a)을 노출하도록 형성될 수 있다. 예컨대 본 실시예에서 절연층(194)은 발광 다이오드(200)의 높이 보다 높게 형성되며, 발광 다이오드(200)의 상면(200a)을 노출하는 개구(194a)를 가질 수 있다. 절연층(194)의 개구(194a)는 발광 다이오드(200)의 상면(200a) 전체를 노출할 수도 있고, 상면(200a)의 적어도 일부를 노출할 수도 있다. 예컨대 개구(194a)를 통해 노출된 발광 다이오드(200)의 상면(200a)에 위치한 제2 컨택 전극(260)이 노출될 수 있다.
절연층(194) 상부에는 와이어 그리드 편광층(300)이 배치될 수 있다. 와이어 그리드 편광층(300)은 발광 다이오드(200)의 상부에 배치되어, 외광 반사에 의해 저하되는 시인성을 개선할 수 있다. 이와 같은 와이어 그리드 편광층(300)은 개구(194a)를 통해 노출된 발광 다이오드(200)의 상면(200a) 상에도 배치될 수 있는데, 이를 통해 발광 다이오드(200)의 제2 컨택 전극(260)과 직접 컨택할 수 있다. 즉 와이어 그리드 편광층(300)은 절연층(194) 상의 전면(全面)에 위치하여, 발광 다이오드(200)의 제2 컨택 전극(260)과 직접 컨택함으로써 공통 전극으로서 기능할 수 있다.
이와 같이 와이어 그리드 편광층(300)이 공통 전극의 역할도 함께 수행함으로써 별도의 공통 전극을 구비하지 않아도 되므로 공정이 간소화될 수 있다. 또한 와이어 그리드 편광층(300)는 미세 금속 와이어들의 어레이로 형성되어 각각의 와이어들이 쿨링-핀(cooling pin) 역할을 함으로써 발광 다이오드(200)에서 빛과 함께 발생되는 열을 외부로 용이하게 방출하게 하는 기능을 할 수 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(3)를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(3)는 기판(100), 기판(100) 상에 배치되는 발광 다이오드(LED, 200), 발광 다이오드(200) 상에 배치되는 절연층(194), 절연층(194) 상에 배치되는 와이어 그리드 편광층(WGP; wire-grid polarizer, 300), 발광 다이오드(200)와 절연층(194) 사이에 구비되는 픽셀보호층(410) 및 제2 전극(500)을 구비한다.
본 실시예에 따른 디스플레이 장치(3)에서 발광 다이오드(200) 이하의 구조는 전술한 도 2의 디스플레이 장치(1)와 동일한바, 중복되는 내용은 서술하지 않고 전술한 도 2의 디스플레이 장치(1)의 설명을 원용한다.
반사층(192) 상에는 발광 다이오드(200)가 배치될 수 있다. 발광 다이오드(200)는 마이크로 LED일 수 있다. 여기서 마이크로는 1 내지 100 ㎛ 의 크기를 가리킬 수 있으나, 본 발명의 실시예들은 이에 제한되지 않고, 그보다 더 크거나 더 작은 크기의 발광 다이오드(200)에도 적용될 수 있다. 발광 다이오드(200)는 개별적으로 또는 복수 개가 이송 기구에 의해 웨이퍼 상에서 픽업(pick up)되어 기판(100)에 전사됨으로써 기판(100) 상에 배치된 화소정의막(180)의 오목부(180a)에 수용될 수 있다. 발광 다이오드(200)는 적색, 녹색, 청색, 백색 LED 또는 UV LED일 수 있다.
발광 다이오드(200) 상에는 픽셀보호층(410)이 더 배치될 수 있다. 픽셀보호층(410)은 화소정의막(180)의 오목부(180a) 내의 발광 다이오드(200)를 둘러쌀 수 있다. 픽셀보호층(410)은 화소정의막(180)의 오목부와 발광 다이오드(200) 사이의 공간을 채움으로써, 오목부 및 반사층(192)을 커버한다. 이러한 픽셀보호층(410)은 유기 절연 물질로 형성될 수 있다. 픽셀보호층(410)의 상면은 대체로 평탄한 형태로 형성되었으나, 예컨대 곡면 형태로 형성될 수도 있다. 픽셀보호층(410)은 반사층(192)을 덮도록 배치될 수 있으며, 반사층(192)이 패터닝되어 형성된 측면을 모두 커버할 수 있다. 반사층(192)은 보조 전극의 역할도 하기 때문에, 픽셀보호층(410)이 반사층(192)을 전부 커버하도록 형성되어 후술할 제2 전극(500)과의 쇼트 등을 방지할 수 있다.
픽셀보호층(410)은 복수개의 미세입자들(420)을 포함할 수 있는데, 이러한 미세 입장들은 발광 다이오드(200)에서 발광된 빛을 산란하여 광을 확산시키는 역할을 할 수 있다. 이러한 미세입자들(420)은 단입자일 수도 있고, 코어-쉘 형태의 입자일 수도 있다. 미세입자들(420)은 광 반사 물질 또는 광 산란 물질을 포함할 수 있는데, 예컨대 투명 수지 등의 유기물, 글래스재 또는 실리콘 화합물 등의 무기물, 금속 또는 이들의 조합으로 형성될 수 있다. 미세입자들(420)이 투명 수지로 형성되는 경우 예컨대, 아크릴계 투명수지인 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethylmethacrylate: PMMA), 폴리스티렌(polysterene), 폴리우레탄(polyuretane), 에폭시(epoxy) 및 실리콘수지(silicone resin) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
픽셀보호층(410)은 발광 다이오드(200)의 상면(200a)을 노출하도록 형성될 수 있다. 예컨대 본 실시예에서 픽셀보호층(410)은 발광 다이오드(200)의 높이 보다 높게 형성되며, 발광 다이오드(200)의 상면(200a)을 노출하는 오픈부, 즉 개구(410a)를 가질 수 있다. 이러한 개구(410a)는 도 4에 도시된 것과 같이 픽셀보호층(410)의 상면이 발광 다이오드(200)의 높이 보다 높게 형성되어 내측으로 함몰된 형상을 통해 발광 다이오드(200)의 상면, 즉 제2 컨택 전극(260)의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다. 다른 실시예로서 픽셀보호층(410)의 상면이 발광 다이오드(200)의 높이와 동일하게 형성되어 제2 컨택 전극(260)의 적어도 일부를 외부로 노출시킬 수도 있다.
픽셀보호층(410)의 개구(410a)는 발광 다이오드(200)의 상면(200a) 전체를 노출할 수도 있고, 상면(200a)의 적어도 일부를 노출할 수도 있다. 예컨대 개구(410a)를 통해 노출된 발광 다이오드(200)의 상면(200a)에 위치한 제2 컨택 전극(260)이 노출될 수 있다. 도 4에서는 픽셀보호층(410)이 발광 다이오드(200)의 상면(200a)보다 높게 형성되며 개구를 통해 발광 다이오드(200)의 상면(200a)을 노출하는 것으로 도시되어 있으나, 다른 실시예로 픽셀보호층(410)이 발광 다이오드(200)의 상면(200a)과 동일하거나 상면(200a)보다 낮게 형성되는 것으로서 발광 다이오드(200)의 상면(200a)을 노출시킬 수도 있다.
픽셀보호층(410) 상에는 제2 전극(500)이 배치될 수 있다. 제2 전극(500)은 공통전극으로서 기판(100)의 전면(全面)에 배치될 수 있다. 제2 전극(500)은 발광 다이오드(200)의 상면(200a)의 적어도 일부를 노출시키는 픽셀보호층(410)의 개구(410a)를 통해 발광 다이오드(200)와 컨택할 수 있다. 예컨대 발광 다이오드(200)의 상면(200a)에는 제2 컨택 전극(260)이 위치하고, 픽셀보호층(410)의 개구(410a)를 통해 발광 다이오드(200)의 제2 컨택 전극(260)과 제2 전극(500)이 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 전극(500)은 (반)투명 전극 또는 반사형 전극으로 형성될 수 있다. 제2 전극(500)이 (반)투명 전극으로 형성될 때에는 일함수가 작은 금속 즉, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물로 형성된 층과 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 (반)투명 도전층을 가질 수 있다. 제2 전극(500)이 반사형 전극으로 형성될 때에는 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물로 형성된 층을 가질 수 있다. 물론 제2 전극(500)의 구성 및 재료가 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 변형이 가능함은 물론이다.
제2 전극(500) 상에는 절연층(194)이 배치될 수 있다. 절연층(194)은 제2 전극(500)을 덮고 제2 전극(500)과 후술할 와이어 그리드 편광층(300)을 절연시키는 동시에, 와이어 그리드 편광층(300)이 배치될 수 있도록 상면을 평탄하게 하는 기능을 한다. 이러한 절연층(194)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
절연층(194) 상부에는 와이어 그리드 편광층(300)이 배치될 수 있다. 본 실시예의 와이어 그리드 편광층(300)은 평행하게 배치되어 있는 미세 금속 와이어들의 규칙적인 어레이로 구성될 수 있다. 와이어 그리드 편광자는, 통상의 편광자와 동일한 기능을 수행하지만 편광자를 구성하는 물질을 연신(orientation)시키지 않고 금속 와이어를 입사되는 광의 파장 이하의 간격으로 배치한 것으로써, 패터닝이 용이하다는 장점을 가질 수 있다. 이와 같은 와이어 그리드 편광층(300)은 발광 다이오드(200)의 상부에 배치되어, 외광 반사에 의해 저하되는 시인성을 개선할 수 있다.
와이어 그리드 편광층(300)는 미세 금속 와이어들의 어레이로 형성되어 각각의 와이어들이 쿨링-핀(cooling pin) 역할을 함으로써 발광 다이오드(200)에서 빛과 함께 발생되는 열을 외부로 용이하게 방출하게 하는 기능을 할 수 있다.
도 5는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(4)를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(4)는 기판(100), 기판(100) 상에 배치되는 발광 다이오드(LED, 200), 발광 다이오드(200)와 전기적으로 연결되는 제1 전극(190a)과 제2 전극(190b), 발광 다이오드(200) 상에 배치되는 절연층(194) 및 절연층(194) 상에 배치되는 와이어 그리드 편광층(WGP; wire-grid polarizer, 300)을 구비한다.
본 실시예에 따른 디스플레이 장치(4)에 있어서 박막트랜지스터(TFT)와 이를 덮는 평탄화막(170)의 구조는 전술한 도 2의 디스플레이 장치(1)와 동일한 바, 중복되는 내용은 이하 생략한다.
평탄화막(170) 상에는 제1 전극(190a) 및 제2 전극(190b)이 배치될 수 있다. 제1 전극(190a)은 평탄화막(170)에 형성된 컨택홀을 통해 박막트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(190a)의 일측에는 제2 전극(190b)이 배치될 수 있는데, 본 실시예에서 제1 전극(190a)과 제2 전극(190b)은 동일층 상에 배치될 수 있다. 예컨대 제1 전극(190a)과 제2 전극(190b)은 모두 평탄화막(170) 상에 배치될 수 있는데, 제1 전극(190a)과 제2 전극(190b)이 동일층 상에 배치된다고 함은 제1 전극(190a) 및 제2 전극(190b)이 동일 측으로 발광 다이오드(200)와 전기적으로 연결됨을 의미한다. 이처럼 제1 전극(190a) 및 제2 전극(190b)이 동일층 상에 배치되는 경우에는, 발광 다이오드(200)는 제1 컨택 전극과 제2 컨택 전극이 같은 방향을 향해 배치되는 플립형 발광 다이오드, 수평형 발광 다이오드등일 수 있다.
제1 전극(190a) 및 제2 전극(190b)은 (반)투명 전극 또는 반사형 전극으로 형성될 수 있다. (반)투명 전극으로 형성될 때에는 예컨대 ITO, IZO, ZnO, In2O3, IGO 또는 AZO로 형성될 수 있다. 반사형 전극으로 형성될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, ITO, IZO, ZnO, In2O3, IGO 또는 AZO로 형성된 층을 가질 수 있다. 물론 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니고 다양한 재질로 형성될 수 있으며, 그 구조 또한 단층 또는 다층이 될 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
한편, 박막트랜지스터(TFT) 상부에는 화소정의막(180)이 배치될 수 있다. 화소정의막(180)은 상술한 평탄화막(170) 상에 위치할 수 있으며, 화소 영역을 정의하는 오목부(180a)를 가질 수 있다. 이러한 오목부(180a)는 제1 전극(190a)의 적어도 일부 및 제2 전극(190b)의 적어도 일부 노출할 수 있으며, 오목부(180a) 내에는 발광 다이오드(200)가 실장될 수 있다. 이러한 화소정의막(180)은 예컨대 유기 절연막으로 구비될 수 있다.
제1 전극(190a) 및 제2 전극(190b) 상에는 발광 다이오드(200)가 배치될 수 있다. 발광 다이오드(200)는 마이크로 LED일 수 있다. 여기서 마이크로는 1 내지 100 ㎛의 크기를 가리킬 수 있으나, 본 발명의 실시예들은 이에 제한되지 않고, 그보다 더 크거나 더 작은 크기의 발광 다이오드에도 적용될 수 있다. 발광 다이오드(200)는 개별적으로 또는 복수 개가 이송 기구에 의해 웨이퍼 상에서 픽업(pick up)되어 기판(100)에 전사됨으로써 기판(100) 상에 배치된 화소정의막(180)의 오목부(180a)에 수용될 수 있다. 발광 다이오드(200)는 적색, 녹색, 청색, 백색 LED 또는 UV LED일 수 있다.
발광 다이오드(200)는 p-n 다이오드(미도시), 제1 컨택 전극(미도시) 및 제2 컨택 전극(미도시)을 포함할 수 있다. 제1 컨택 전극 및/또는 제2 컨택 전극은 하나 이상의 층을 포함할 수 있으며, 금속, 전도성 산화물 및 전도성 중합체들을 포함한 다양한 전도성 재료로 형성될 수 있다. 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극은 반사층(192), 예를 들어, 은(silver) 층을 선택적으로 포함할 수 있다. 제1 컨택 전극은 제1 전극(190a)과 전기적으로 연결되고, 제2 컨택 전극(260)은 제2 전극(190b)과 전기적으로 연결된다. p-n 다이오드는 일측의 p-도핑층, 하나 이상의 양자 우물 층 및 타측의 n-도핑층을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서 발광 다이오드(200)는 1 컨택 전극과 제2 컨택 전극이 같은 방향을 향해 배치되는 플립형 마이크로 LED, 수평형 마이크로 LED 등일 수 있다. 이 경우, 제1 전극(190a) 및 제2 전극(190b)의 위치는 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극의 위치에 대응하게 배치될 수 있다.
한편, 발광 다이오드(200)는 상면, 하면, 상면과 하면을 연결하는 측면(200b)을 가지며, 발광 다이오드(200)의 측면(200b)을 덮도록 금속층(270)이 배치될 수 있다. 도 5에 도시된 것과 같이 금속층(270)은 발광 다이오드(200)의 측면(200b)을 둘러싸도록 구비될 수도 있고, 다른 실시예로서 측면(200b)의 일부만을 커버하도록 구비될 수도 있다. 도시되어 있지는 않으나, 발광 다이오드(200)의 측면(200b)과 금속층(270) 사이에는 절연막이 개재되어 p-n 다이오드와 금속층(270)을 전기적으로 절연시킬 수 있다. 이러한 구조를 통해 발광 다이오드(200)에서 발광된 빛이 금속층(270)에 반사되어 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
이러한 금속층(270)은 예컨대 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막을 포함할 수 있으며 선택적으로, ITO, IZO, ZnO, In2O3, IGO 또는 AZO로 형성된 층을 더 가질 수도 있다. 물론 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니고 다양한 재질로 형성될 수 있으며, 그 구조 또한 단층 또는 다층이 될 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
절연층(194)은 화소정의막(180)의 오목부(180a) 내의 발광 다이오드(200)를 둘러쌀 수 있다. 절연층(194)은 화소정의막(180)의 오목부(180a)와 발광 다이오드(200) 사이의 공간을 채움으로써, 오목부(180a) 및 반사층(192)을 커버한다. 이러한 절연층(194)은 유기 절연 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 절연층(194)은 아크릴, 폴리(메틸 메타크릴레이트)(PMMA), 벤조사이클로부텐(BCB), 폴리이미드, 아크릴레이트, 에폭시 및 폴리에스테르 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 이러한 절연층(194)은 발광 다이오드(200)의 상면(200a)을 덮도록 형성되어, 절연층(194) 상부에 와이어 그리드 편광층(300)이 배치될 수 있도록 상면을 평탄하게 하는 기능을 할 수 있다.
절연층(194) 상부에는 와이어 그리드 편광층(300)이 배치될 수 있다. 본 실시예의 와이어 그리드 편광층(300)은 평행하게 배치되어 있는 미세 금속 와이어들의 규칙적인 어레이로 구성될 수 있다. 와이어 그리드 편광자는, 통상의 편광자와 동일한 기능을 수행하지만 편광자를 구성하는 물질을 연신(orientation)시키지 않고 금속 와이어를 입사되는 광의 파장 이하의 간격으로 배치한 것으로써, 패터닝이 용이하다는 장점을 가질 수 있다. 이와 같은 와이어 그리드 편광층(300)은 발광 다이오드(200)의 상부에 배치되어, 외광 반사에 의해 저하되는 시인성을 개선할 수 있다.
또한 와이어 그리드 편광층(300)는 미세 금속 와이어들의 어레이로 형성되어 각각의 와이어들이 쿨링-핀(cooling pin) 역할을 함으로써 발광 다이오드(200)에서 빛과 함께 발생되는 열을 외부로 용이하게 방출하게 하는 기능을 할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것 이다.
1, 2, 3, 4: 디스플레이 장치
10: 디스플레이부
20: 드라이버
100: 기판
170: 평탄화막
180a: 오목부
180: 화소정의막
190, 190a: 제1 전극
500, 190b: 제2 전극
192: 반사층
194a: 개구
194: 절연층
200: 발광 다이오드
200a: 상면
210: 제1 컨택 전극
250: p-n 다이오드
260: 제2 컨택 전극
270: 금속층
300: 와이어 그리드 편광층
410a: 개구
410: 픽셀보호층
420: 미세입자들

Claims (20)

  1. 기판;
    상기 기판 상의 발광 다이오드(LED);
    상기 발광 다이오드 상에 배치되는 절연층; 및
    상기 절연층 상에 배치되며, 전극으로도 이용되는 와이어 그리드 편광층;을 구비하고,
    상기 절연층의 상면의 높이는 상기 발광 다이오드의 상면의 높이보다 높거나 낮은, 디스플레이 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 절연층은 상기 발광 다이오드의 상면을 노출하는, 디스플레이 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 와이어 그리드 편광층은 상기 발광 다이오드의 상면에 컨택하는, 디스플레이 장치.
  4. 삭제
  5. 제2항에 있어서,
    상기 절연층은 상기 발광 다이오드의 상면을 노출하는 개구를 갖는, 디스플레이 장치.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 발광 다이오드는 p-n 다이오드, 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극을 포함하며, 상기 제1 컨택 전극 또는 상기 제2 컨택 전극은 상기 발광 다이오드의 상면에 위치하는, 디스플레이 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 기판 상에 배치되는 제1 전극; 및
    상기 발광 다이오드와 상기 제1 전극 사이에 개재되는 반사층;을 더 포함하는, 디스플레이 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 전극의 중앙부를 노출시키는 오목부를 갖는 화소정의막을 더 포함하며, 상기 반사층은 상기 오목부 상에 위치하는, 디스플레이 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 발광 다이오드 상에 배치되는 픽셀보호층을 더 포함하는, 디스플레이 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 픽셀보호층은 상기 반사층을 덮는, 디스플레이 장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 픽셀보호층은 미세입자들을 더 포함하는, 디스플레이 장치.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 픽셀보호층 상에 배치되는 제2 전극을 더 포함하고,
    상기 픽셀보호층은 상기 발광 다이오드의 상면의 적어도 일부를 노출시키는 개구를 가지며, 상기 제2 전극은 상기 개구를 통해 상기 발광 다이오드의 상면의 적어도 일부와 컨택하는, 디스플레이 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 동일층 상에 배치되는 제1 전극 및 제2 전극을 더 포함하고, 상기 발광 다이오드는 상기 제1 전극 및 제2 전극과 전기적으로 연결되는, 디스플레이 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 발광 다이오드는 상면, 하면, 상기 상면과 상기 하면을 연결하는 측면을 가지며, 상기 발광 다이오드의 측면을 덮도록 배치되는 금속층을 더 포함하는, 디스플레이 장치.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 발광 다이오드는 p-n 다이오드, 제1 컨택 전극 및 제2 컨택 전극을 포함하며, 상기 제1 컨택 전극 및 상기 제2 컨택 전극은 동일 측에 위치하는, 디스플레이 장치.
  16. 제1항에 있어서,
    기판 상에 배치되며, 반도체층, 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터를 더 구비하는, 디스플레이 장치.
  17. 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 박막트랜지스터;
    상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 위치하며, 상기 제1 전극과 전기적으로 연결되는 제1 컨택 전극 및 상기 제1 컨택 전극과 소정 간격 이격되어 배치된 제2 컨택 전극을 포함하는, 발광 다이오드(LED);
    상기 발광 다이오드의 적어도 일부를 덮는 절연층; 및
    상기 절연층 상에 배치되며, 전극으로도 이용되는 와이어 그리드 편광층;을 구비하고,
    상기 절연층의 상면의 높이는 상기 발광 다이오드의 상면의 높이보다 높거나 낮은, 디스플레이 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 절연층은 상기 제2 컨택 전극의 적어도 일부를 노출시키는 오픈부를 갖는, 디스플레이 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 오픈부를 통해 상기 제2 컨택 전극과 상기 와이어 그리드 편광층이 서로 컨택하는, 디스플레이 장치.
  20. 제17항에 있어서,
    상기 제1 전극과 상기 발광 다이오드를 덮으며, 상기 제2 컨택 전극의 적어도 일부를 노출시키는 오픈부를 갖는 픽셀보호층; 및
    상기 제1 전극과 이격되어 배치되며, 상기 오픈부를 통해 상기 제2 컨택 전극과 전기적으로 연결되는 제2 전극을 더 포함하는, 디스플레이 장치.
KR1020160044263A 2016-04-11 2016-04-11 디스플레이 장치 KR102661474B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160044263A KR102661474B1 (ko) 2016-04-11 2016-04-11 디스플레이 장치
US15/484,456 US9917235B2 (en) 2016-04-11 2017-04-11 Display apparatus
US15/917,001 US11171270B2 (en) 2016-04-11 2018-03-09 Display apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160044263A KR102661474B1 (ko) 2016-04-11 2016-04-11 디스플레이 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170116633A KR20170116633A (ko) 2017-10-20
KR102661474B1 true KR102661474B1 (ko) 2024-04-29

Family

ID=59998337

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160044263A KR102661474B1 (ko) 2016-04-11 2016-04-11 디스플레이 장치

Country Status (2)

Country Link
US (2) US9917235B2 (ko)
KR (1) KR102661474B1 (ko)

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10297581B2 (en) 2015-07-07 2019-05-21 Apple Inc. Quantum dot integration schemes
KR102661474B1 (ko) * 2016-04-11 2024-04-29 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102610028B1 (ko) * 2016-04-12 2023-12-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102608419B1 (ko) * 2016-07-12 2023-12-01 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치의 제조방법
CN108666343B (zh) * 2017-03-31 2019-08-30 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示面板
CN106876479B (zh) * 2017-04-19 2020-03-06 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法、显示面板
US10516081B1 (en) * 2017-04-20 2019-12-24 Apple Inc. High efficiency hexagon LED for micro LED application
CN107170773B (zh) * 2017-05-23 2019-09-17 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板及其制作方法
KR102404905B1 (ko) * 2017-11-10 2022-06-07 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR102500613B1 (ko) * 2017-11-20 2023-02-15 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법
KR102569728B1 (ko) * 2017-12-08 2023-08-23 엘지디스플레이 주식회사 베젤리스 마이크로led 표시장치
KR102521100B1 (ko) * 2018-01-08 2023-04-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11404400B2 (en) 2018-01-24 2022-08-02 Apple Inc. Micro LED based display panel
KR102546733B1 (ko) * 2018-03-30 2023-06-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210006923A (ko) * 2018-05-11 2021-01-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 패널, 표시 장치, 입출력 장치, 정보 처리 장치
WO2019230250A1 (ja) * 2018-05-31 2019-12-05 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びアレイ基板
WO2019235046A1 (ja) * 2018-06-05 2019-12-12 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 液晶表示装置及び投射型表示装置
KR102568756B1 (ko) 2018-06-20 2023-08-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102591768B1 (ko) 2018-07-17 2023-10-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102545982B1 (ko) * 2018-07-24 2023-06-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
US11249232B2 (en) * 2018-08-14 2022-02-15 Innolux Corporation Electronic device
EP3848919A4 (en) * 2018-09-04 2022-06-01 Agc Inc. TRANSPARENT DISPLAY DEVICE, GLASS PLATE WITH TRANSPARENT DISPLAY DEVICE, LAMINATED GLASS WITH TRANSPARENT DISPLAY DEVICE, AND MOBILE BODY
KR102577238B1 (ko) * 2018-09-21 2023-09-12 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조 방법
KR102030323B1 (ko) 2018-11-23 2019-10-10 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR20200066438A (ko) 2018-11-30 2020-06-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
US20220209085A1 (en) * 2019-05-29 2022-06-30 Kyocera Corporation Light emitter mounting board and display device including light emitter mounting board
CN110197847B (zh) * 2019-07-25 2019-11-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光器件和有机发光显示装置
DE102019212944A1 (de) * 2019-08-28 2021-03-04 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterbauelement, vorrichtung mit einem halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen
EP4040511A4 (en) * 2019-10-01 2023-11-08 Nichia Corporation METHOD FOR PRODUCING AN IMAGE DISPLAY DEVICE AND IMAGE DISPLAY DEVICE
TWI731572B (zh) * 2020-02-06 2021-06-21 友達光電股份有限公司 感光裝置以及感測指紋的方法
KR20210106053A (ko) 2020-02-19 2021-08-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111341792B (zh) * 2020-03-12 2023-10-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示面板的制作方法
KR20220023922A (ko) * 2020-08-21 2022-03-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
EP4243768A1 (en) 2020-11-12 2023-09-20 Alkermes Pharma Ireland Limited Immediate release multilayer tablet
CN112397491A (zh) * 2020-11-16 2021-02-23 錼创显示科技股份有限公司 微型发光二极管显示元件及其制造方法
DE102021106332A1 (de) * 2021-03-16 2022-09-22 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische baugruppe, displayanordnung und verfahren
CN113437089B (zh) * 2021-06-10 2024-03-26 惠州华星光电显示有限公司 面板及其制备方法
CN114420829A (zh) * 2022-04-02 2022-04-29 惠科股份有限公司 显示面板、显示面板的制作方法及显示装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8373928B2 (en) 2007-04-19 2013-02-12 Samsung Display Co., Ltd. Polarizer and organic light emitting display apparatus comprising the polarizer
KR100894065B1 (ko) 2007-04-19 2009-04-24 삼성모바일디스플레이 주식회사 편광자 및 그를 포함하는 유기 발광 표시 장치
CN102160102B (zh) * 2008-09-19 2013-11-06 株式会社半导体能源研究所 显示装置
KR101471859B1 (ko) * 2008-11-27 2014-12-11 삼성전자주식회사 발광 다이오드
US8552439B2 (en) * 2011-04-07 2013-10-08 Himax Display, Inc. Light-emitting diode package
TWI475729B (zh) * 2011-07-14 2015-03-01 Univ Nat Taiwan Science Tech 偏極化白光發光二極體
KR101876540B1 (ko) * 2011-12-28 2018-07-10 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치 및 가요성 표시 장치의 제조 방법
KR101979233B1 (ko) 2012-07-27 2019-05-17 삼성디스플레이 주식회사 와이어 그리드 편광 구조물, 와이어 그리드 편광 구조물의 제조 방법 및 와이어 그리드 편광 구조물을 포함하는 유기 발광 표시 장치
US9029880B2 (en) 2012-12-10 2015-05-12 LuxVue Technology Corporation Active matrix display panel with ground tie lines
KR102028053B1 (ko) * 2012-12-12 2019-10-02 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치
US9484504B2 (en) * 2013-05-14 2016-11-01 Apple Inc. Micro LED with wavelength conversion layer
TWI556425B (zh) * 2014-07-21 2016-11-01 友達光電股份有限公司 顯示面板畫素單元及包含其之顯示面板
US9897854B2 (en) * 2015-01-05 2018-02-20 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display having improved color reproduction
KR20160107376A (ko) * 2015-03-03 2016-09-19 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
US20160351548A1 (en) * 2015-05-28 2016-12-01 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Light emitting diode display device and manufacturing method thereof
CN109643745B (zh) * 2015-08-03 2023-07-14 亮锐控股有限公司 具有反射性侧涂层的半导体发光器件
KR20170018186A (ko) * 2015-08-06 2017-02-16 삼성디스플레이 주식회사 표시패널의 제조방법 및 표시패널을 포함하는 표시장치
KR20170072381A (ko) * 2015-12-16 2017-06-27 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
EP3182158B1 (en) * 2015-12-18 2021-11-24 STMicroelectronics (Research & Development) Limited Ranging apparatus
JP2017117531A (ja) * 2015-12-21 2017-06-29 株式会社ジャパンディスプレイ 照明装置及び表示装置
US10079264B2 (en) * 2015-12-21 2018-09-18 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Semiconductor devices with integrated thin-film transistor circuitry
US10135034B1 (en) * 2016-03-04 2018-11-20 Apple Inc. Display device with pixel-integrated black matrix and elliptical polarizer
WO2017158477A1 (en) * 2016-03-18 2017-09-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR102661474B1 (ko) * 2016-04-11 2024-04-29 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20180198042A1 (en) 2018-07-12
US20170294565A1 (en) 2017-10-12
US9917235B2 (en) 2018-03-13
KR20170116633A (ko) 2017-10-20
US11171270B2 (en) 2021-11-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102661474B1 (ko) 디스플레이 장치
KR102595914B1 (ko) 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
US11114582B2 (en) Display apparatus with increased self-alignment efficiency
US10373985B2 (en) Display device using micro light emitting diode
US20200343425A1 (en) Display device
CN109285870B (zh) 显示基板及其制备方法、显示面板
KR102547686B1 (ko) 플렉서블 디스플레이 장치
KR102465382B1 (ko) 표시장치 및 표시장치의 제조방법
CN111129270B (zh) 微型led显示装置
US9985012B2 (en) Display apparatus and a method of manufacturing the same
CN104868030B (zh) 发光器件
KR102550698B1 (ko) 디스플레이 장치 및 조명 장치
KR20170026954A (ko) 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR102322763B1 (ko) 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102486876B1 (ko) 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
JP7448564B2 (ja) 表示基板及びその製造方法、表示装置
KR20170120245A (ko) 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR101795038B1 (ko) 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR20150108477A (ko) 유기발광 디스플레이 장치
KR20200123900A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20180001206A (ko) 발광 다이오드 칩 및 이를 포함하는 디스플레이 장치와 이의 제조 방법
US8681504B2 (en) Display apparatus
KR102595921B1 (ko) 표시장치 및 표시장치 제조방법
KR20210140837A (ko) 표시 장치 및 이를 구비한 전자 기기
KR101795037B1 (ko) 발광 소자 및 발광 소자 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant